JP6197602B2 - 面発光型半導体レーザアレイ、面発光型半導体レーザ装置、光伝送装置および情報処理装置 - Google Patents
面発光型半導体レーザアレイ、面発光型半導体レーザ装置、光伝送装置および情報処理装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP6197602B2 JP6197602B2 JP2013239750A JP2013239750A JP6197602B2 JP 6197602 B2 JP6197602 B2 JP 6197602B2 JP 2013239750 A JP2013239750 A JP 2013239750A JP 2013239750 A JP2013239750 A JP 2013239750A JP 6197602 B2 JP6197602 B2 JP 6197602B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- electrode
- semiconductor laser
- laser array
- emitting
- semiconductor
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
Images
Landscapes
- Semiconductor Lasers (AREA)
Description
請求項2は、基板上に、第1導電型の第1の半導体多層膜反射鏡、活性領域、第2導電型の第2の半導体多層膜反射鏡を含む柱状構造が複数形成された面発光型半導体レーザアレイであって、各柱状構造の第1の半導体多層膜反射鏡に電気的に接続される複数の第1の電極であって、第1の電極は、第1の半導体多層膜反射鏡上の絶縁材料上に形成された第1の部分を含む、前記第1の電極と、各柱状構造の頂部において第2の半導体多層膜反射鏡の上面上に形成された第2の部分を含み、当該第2の部分を介して第2の半導体多層膜反射鏡に電気的に接続される複数の第2の電極とを有し、複数の柱状構造は、マルチコアファイバのコア位置に対応するように円周方向に配置され、前記第1の部分と前記第2の部分は、同一平面の部分をそれぞれ含み、第1の電極から対応する第2の電極までの距離L1は、当該第1の電極から隣接する第2の電極までの距離L2よりも小さい、面発光型半導体レーザアレイ。
請求項3は、複数の柱状構造は、それぞれ等間隔で配置される、請求項1または2に記載の面発光型半導体レーザアレイ。
請求項4は、複数の第1の電極は、それぞれ等間隔で配置される、請求項1ないし3いずれか1つに記載の面発光型半導体レーザアレイ。
請求項5は、第1の電極は、対応する第2の電極の半径方向の外側に配置される、請求項1ないし4いずれか1つに記載の面発光型半導体レーザアレイ。
請求項6は、第1の電極および対応する第2の電極は、回転対称の位置に配置される、請求項1ないし5いずれか1つに記載の面発光型半導体レーザアレイ。
請求項7は、基板は、半絶縁性の半導体基板であり、当該半導体基板上に第1導電型の半導体層が形成され、当該半導体層は、複数の柱状構造の第1の半導体多層膜反射鏡に共通に電気的に接続される、請求項1ないし6いずれか1つに記載の面発光型半導体レーザアレイ。
請求項8は、請求項1ないし7いずれか1つに記載の面発光型半導体レーザアレイと、前記面発光型半導体レーザアレイからの光を入射する光学部材とを実装した面発光型半導体レーザ装置。
請求項9は、請求項1ないし7いずれか1つに記載の面発光型半導体レーザアレイと、前記面発光型半導体レーザアレイから発せられたレーザ光を光媒体を介して伝送する伝送手段とを備えた光伝送装置。
請求項10は、請求項1ないし7いずれか1つに記載の面発光型半導体レーザアレイと、前記面発光型半導体レーザアレイから出射されるレーザ光を記録媒体に集光する集光手段と、前記集光手段により集光されたレーザ光を前記記録媒体上で走査する機構とを有する情報処理装置。
請求項3によれば、柱状構造の位置決めを容易にすることができる。
請求項4によれば、第1の電極の位置決めを容易にすることができる。
請求項5によれば、距離L1と距離L2の差分を大きくすることができる。
請求項6によれば、第1の電極および第2の電極の位置決めを容易にすることができる。
請求項1、2によれば、コプレーナ電極構造により高周波特性を改善することができる。
12:発光部
13:溝
14:光出射口
16:p側電極
17、19:引き出し用の金属配線
18:n側電極
100:基板
102:コンタクト層
104:下部DBR
106:活性領域
108:上部DBR
120:電流狭窄層
130:層間絶縁膜
130A、130B:コンタクトホール
140:開口
Claims (10)
- 基板上に、第1導電型の第1の半導体多層膜反射鏡、活性領域、第2導電型の第2の半導体多層膜反射鏡を含む柱状構造が複数形成された面発光型半導体レーザアレイであって、
各柱状構造の第1の半導体多層膜反射鏡に電気的に接続される複数の第1の電極であって、第1の電極は、第2の半導体多層膜反射鏡の上面上に形成された第1の部分を含む、前記第1の電極と、
各柱状構造の頂部において第2の半導体多層膜反射鏡の上面上に形成された第2の部分を含み、当該第2の部分を介して第2の半導体多層膜反射鏡に電気的に接続される複数の第2の電極とを有し、
複数の柱状構造は、マルチコアファイバのコア位置に対応するように円周方向に配置され、
前記第1の部分と前記第2の部分は、同一平面の部分をそれぞれ含み、
第1の電極から対応する第2の電極までの距離L1は、当該第1の電極から隣接する第2の電極までの距離L2よりも小さい、面発光型半導体レーザアレイ。 - 基板上に、第1導電型の第1の半導体多層膜反射鏡、活性領域、第2導電型の第2の半導体多層膜反射鏡を含む柱状構造が複数形成された面発光型半導体レーザアレイであって、
各柱状構造の第1の半導体多層膜反射鏡に電気的に接続される複数の第1の電極であって、第1の電極は、第1の半導体多層膜反射鏡上の絶縁材料上に形成された第1の部分を含む、前記第1の電極と、
各柱状構造の頂部において第2の半導体多層膜反射鏡の上面上に形成された第2の部分を含み、当該第2の部分を介して第2の半導体多層膜反射鏡に電気的に接続される複数の第2の電極とを有し、
複数の柱状構造は、マルチコアファイバのコア位置に対応するように円周方向に配置され、
前記第1の部分と前記第2の部分は、同一平面の部分をそれぞれ含み、
第1の電極から対応する第2の電極までの距離L1は、当該第1の電極から隣接する第2の電極までの距離L2よりも小さい、面発光型半導体レーザアレイ。 - 複数の柱状構造は、それぞれ等間隔で配置される、請求項1または2に記載の面発光型半導体レーザアレイ。
- 複数の第1の電極は、それぞれ等間隔で配置される、請求項1ないし3いずれか1つに記載の面発光型半導体レーザアレイ。
- 第1の電極は、対応する第2の電極の半径方向の外側に配置される、請求項1ないし4いずれか1つに記載の面発光型半導体レーザアレイ。
- 第1の電極および対応する第2の電極は、回転対称の位置に配置される、請求項1ないし5いずれか1つに記載の面発光型半導体レーザアレイ。
- 基板は、半絶縁性の半導体基板であり、当該半導体基板上に第1導電型の半導体層が形成され、当該半導体層は、複数の柱状構造の第1の半導体多層膜反射鏡に共通に電気的に接続される、請求項1ないし6いずれか1つに記載の面発光型半導体レーザアレイ。
- 請求項1ないし7いずれか1つに記載の面発光型半導体レーザアレイと、
前記面発光型半導体レーザアレイからの光を入射する光学部材とを実装した面発光型半導体レーザ装置。 - 請求項1ないし7いずれか1つに記載の面発光型半導体レーザアレイと、
前記面発光型半導体レーザアレイから発せられたレーザ光を光媒体を介して伝送する伝送手段とを備えた光伝送装置。 - 請求項1ないし7いずれか1つに記載の面発光型半導体レーザアレイと、
前記面発光型半導体レーザアレイから出射されるレーザ光を記録媒体に集光する集光手段と、
前記集光手段により集光されたレーザ光を前記記録媒体上で走査する機構とを有する情報処理装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2013239750A JP6197602B2 (ja) | 2013-11-20 | 2013-11-20 | 面発光型半導体レーザアレイ、面発光型半導体レーザ装置、光伝送装置および情報処理装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2013239750A JP6197602B2 (ja) | 2013-11-20 | 2013-11-20 | 面発光型半導体レーザアレイ、面発光型半導体レーザ装置、光伝送装置および情報処理装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2015099869A JP2015099869A (ja) | 2015-05-28 |
JP6197602B2 true JP6197602B2 (ja) | 2017-09-20 |
Family
ID=53376299
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2013239750A Active JP6197602B2 (ja) | 2013-11-20 | 2013-11-20 | 面発光型半導体レーザアレイ、面発光型半導体レーザ装置、光伝送装置および情報処理装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP6197602B2 (ja) |
Families Citing this family (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN108036806A (zh) * | 2017-12-28 | 2018-05-15 | 北京信息科技大学 | 一种基于多芯光纤的角位移与角速度测量系统 |
JP2023031861A (ja) | 2021-08-25 | 2023-03-09 | 富士フイルムビジネスイノベーション株式会社 | 発光装置、光計測装置及び画像形成装置 |
CN113783105B (zh) | 2021-09-07 | 2022-11-01 | 常州纵慧芯光半导体科技有限公司 | 一种垂直腔面发射激光器及其制备方法 |
Family Cites Families (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2005217147A (ja) * | 2004-01-29 | 2005-08-11 | Seiko Epson Corp | 受発光素子アレイ、光モジュール、および光伝達装置 |
JP2007258657A (ja) * | 2005-09-13 | 2007-10-04 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 面発光レーザ装置、受光装置及びそれを用いた光通信システム |
US7974327B2 (en) * | 2006-03-14 | 2011-07-05 | Furukawa Electric Co., Ltd. | Surface emitting laser element array |
JP2009020347A (ja) * | 2007-07-12 | 2009-01-29 | Fuji Xerox Co Ltd | 光伝送装置、光モジュール及び光ケーブル |
-
2013
- 2013-11-20 JP JP2013239750A patent/JP6197602B2/ja active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2015099869A (ja) | 2015-05-28 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US8654802B2 (en) | Vertical-cavity surface-emitting laser array, vertical-cavity surface-emitting laser device, optical transmission apparatus, and information processing apparatus | |
JP5092432B2 (ja) | 面発光型半導体レーザ、面発光型半導体レーザの製造方法、光学装置、光照射装置、情報処理装置、光送信装置、光空間伝送装置および光伝送システム | |
JP4839662B2 (ja) | 面発光半導体レーザアレイおよびそれを用いた光伝送システム | |
JP6206669B2 (ja) | 面発光型半導体レーザ、面発光型半導体レーザアレイ、面発光型半導体レーザの製造方法、面発光型半導体レーザ装置、光伝送装置および情報処理装置 | |
JP4479804B2 (ja) | 面発光型半導体レーザ | |
JP2011124314A (ja) | 面発光型半導体レーザ、面発光型半導体レーザ装置、光伝送装置および情報処理装置 | |
JP5998701B2 (ja) | 面発光型半導体レーザ、面発光型半導体レーザ装置、光伝送装置および情報処理装置 | |
JP6015340B2 (ja) | 面発光型半導体レーザ、面発光型半導体レーザ装置、光伝送装置および情報処理装置 | |
JP4892940B2 (ja) | 面発光型半導体レーザ装置およびその製造方法 | |
JP2015076425A (ja) | 面発光型半導体レーザ、面発光型半導体レーザアレイ、面発光型半導体レーザ装置、光伝送装置、情報処理装置および面発光型半導体レーザの製造方法 | |
JP2014086565A (ja) | 面発光型半導体レーザ、面発光型半導体レーザ装置、光伝送装置および情報処理装置 | |
JP2013093571A (ja) | 面発光型半導体レーザ、面発光型半導体レーザ装置、光伝送装置および情報処理装置 | |
JP5092533B2 (ja) | 面発光型半導体レーザ、光学装置、光照射装置、情報処理装置、光送信装置、光空間伝送装置および光伝送システム | |
JP4479803B2 (ja) | 面発光型半導体レーザ | |
JP5672012B2 (ja) | 面発光型半導体レーザ、面発光型半導体レーザ装置、光伝送装置および情報処理装置 | |
US20160248228A1 (en) | Surface-emitting semiconductor laser, surface-emitting semiconductor laser array, surface-emitting semiconductor laser device, optical transmission device, and information processing device | |
JP2012009727A (ja) | 面発光型半導体レーザ、面発光型半導体レーザ装置、光伝送装置および情報処理装置 | |
JP5434421B2 (ja) | 面発光型半導体レーザ、面発光型半導体レーザ装置、光伝送装置および情報処理装置 | |
JP6197602B2 (ja) | 面発光型半導体レーザアレイ、面発光型半導体レーザ装置、光伝送装置および情報処理装置 | |
JP5978669B2 (ja) | 面発光型半導体レーザ、面発光型半導体レーザ装置、光伝送装置および情報処理装置 | |
JP5782883B2 (ja) | 面発光型半導体レーザ、面発光型半導体レーザ装置、光伝送装置および情報処理装置 | |
JP5381180B2 (ja) | 面発光型半導体レーザ、面発光型半導体レーザ装置、光送信装置および情報処理装置 | |
JP6015220B2 (ja) | 面発光型半導体レーザ、面発光型半導体レーザ装置、光伝送装置および情報処理装置 | |
JP5515722B2 (ja) | 面発光型半導体レーザ、面発光型半導体レーザ装置、光伝送装置および情報処理装置 | |
US8311073B2 (en) | Semiconductor laser, semiconductor laser device, and fabrication method of semiconductor laser |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20160623 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20170324 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20170405 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20170517 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A821 Effective date: 20170517 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20170725 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20170807 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 6197602 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
S533 | Written request for registration of change of name |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313533 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |