JP5842822B2 - 膜形成用組成物 - Google Patents
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Description
例えば、シロキサンポリマーと、ジルコニアまたはチタニアなどを分散させた微粒子分散材料とを混合してなるハイブリッド材料を用いて屈折率を高める手法が報告されている(特許文献1)。
さらに、シロキサンポリマーの一部に高屈折率な縮合環状骨格を導入する手法も報告されている(特許文献2)。
これまで炭素および窒素からなる耐熱性有機材料としては、芳香族ポリイミドや芳香族ポリアミドが主として用いられているが、これらの材料は直鎖構造を有しているため耐熱温度はそれほど高くない。
また、耐熱性を有する含窒素高分子材料としてトリアジン系縮合材料も報告されている(特許文献4)。
求められる具体的な特性としては、1)耐熱性、2)透明性、3)高屈折率、4)高溶解性、5)低体積収縮率などが挙げられる。
しかし、上述した眼鏡用高屈折率レンズ用材料は一般的に耐熱性が乏しく、200℃以下の温度範囲で作製する必要があるため、大気下、300℃で焼成するなどのプロセスには不向きである。
また、芳香族環やトリアジン環を導入した高分子化合物は、一般的に溶媒への溶解性が不足しているため、安全性溶剤であるレジスト溶剤には不溶であり、一方、高溶解性を示す材料は、透明性が低いのが一般的である。
また、この材料は性質の異なる微粒子を含むことから、エッチングやアッシングなどのドライプロセスを経る場合、エッチレートが不安定となって均一な膜厚の被膜が得られにくく、デバイスを作製する際のプロセスマージンが狭くなるという問題もある。
ハイパーブランチポリマーとは、例えば、ABx型の多官能性モノマー(ここでAとBは互いに反応する官能基、Bの数Xは2以上)を重合させて得られる不規則な分岐構造を有する高分岐ポリマーである。
一方、デンドリマーとは、規則的な分岐構造を有する高分岐ポリマーである。ハイパーブランチポリマーは、デンドリマーより合成が容易であり、高分子量体も合成しやすいという特徴がある。
トリアジン環を有するハイパーブランチポリマーは難燃剤用途として合成された報告例がある(非特許文献1)。
このトリアジン環を有するハイパーブランチポリマーは、一般的なレジスト溶剤などに溶解し得るポリマーであるものの、その構造によっては、1)溶解するのに時間を要する、2)粘度が増加してハンドリング性が悪くなる、3)ろ過性が低下する、4)ろ過後に異物が発生する、などの問題が発生する場合があることがわかってきた。
そこで、本発明者らは、トリアジン環含有ハイパーブランチポリマーが、分子間でN−H・・・Nの水素結合を形成し易いことに起因して上記各問題が発生するのではないかと推測し、さらなる検討を重ねた結果、このハイパーブランチポリマーに、水素結合を切断可能な化合物を加えることで溶解を促進し、上述した各種問題点を解消でき、これら各成分を含む組成物が、電子デバイスを作製する際の膜形成用組成物としてより好適なものとなることを見出し、本発明を完成した。
また、この水素結合を切断する手法を利用したポリアミドの接合方法が報告されており(特許文献5)、水素結合の切断によって、強固な接合が可能であることが記載されているが、本発明で用いるような、トリアジン環およびアミノ基の双方を有する化合物が上述した各問題点を有していることや、水素結合切断作用を有する溶解促進剤を加えることで、それらの問題点を解消し得ることについては記載されていない。
1. 下記式(1)で表される繰り返し単位構造を含むトリアジン環含有ハイパーブランチポリマー、有機溶媒、および少なくとも、前記ハイパーブランチポリマーの分子内および/または分子間で、トリアジン環上の窒素原子とジアミノアリール化合物由来のNH基との間で形成された水素結合を切断する溶解促進剤を前記トリアジン環含有ハイパーブランチポリマー100質量部に対して0.01〜100質量部含むことを特徴とする膜形成用組成物、
2. 前記Arが、式(2)〜(18)で示される群から選ばれる少なくとも1種を表す1の膜形成用組成物、
3. 前記Arが、式(5)〜(12)および(14)〜(18)で示される群から選ばれる少なくとも1種である2の膜形成用組成物、
4. 前記Arが、下記式(20)〜(22)で示される群から選ばれる少なくとも1種である2の膜形成用組成物、
5. 前記繰り返し単位構造が、式(23)で示される1の膜形成用組成物、
7. 前記繰り返し単位構造が、式(25)で示される6の膜形成用組成物、
9. 前記トリアジン環含有ハイパーブランチポリマーが、少なくとも1つのトリアジン環末端を有し、このトリアジン環末端が、アルキル基、アラルキル基、アリール基、アルキルアミノ基、アルコキシシリル基含有アルキルアミノ基、アラルキルアミノ基、アリールアミノ基、アルコキシ基、アラルキルオキシ基、アリールオキシ基、またはエステル基でキャップされている8の膜形成用組成物、
10. 前記溶解促進剤が、水酸基、カルボニル基、カルボキシル基、アミノ基、アミド結合、ウレタン結合、および尿素結合から選ばれる1種または2種以上の基を含む化合物である1〜9のいずれかの膜形成用組成物、
11. 前記溶解促進剤が、水である1〜9のいずれかの膜形成用組成物、
12. 前記溶解促進剤が、酸である1〜9のいずれかの膜形成用組成物、
13. 前記溶解促進剤が、塩基である1〜9のいずれかの膜形成用組成物、
14. 1〜13のいずれかの膜形成用組成物から得られる膜、
15. 基材と、この基材上に形成された14の膜とを備える電子デバイス、
16. 基材と、この基材上に形成された14の膜とを備える光学部材、
17. 14の膜を少なくとも1層備える、電荷結合素子または相補性金属酸化膜半導体からなる固体撮像素子、
18. 14の膜をカラーフィルター上の平坦化層として備える固体撮像素子、
19. 1〜13のいずれかの膜形成用組成物からなる、固体撮像素子用レンズ材料、平坦化材料または埋め込み材料
を提供する。
上記ポリマー骨格とすることで、1)2級アミンをポリマーのスペーサーとして用いる、2)末端に1級アミンが置換している、場合においても高耐熱性、高透明性を維持でき、これまで、耐熱性および透明性が損なわれると考えられていたモノマーユニットを用いた場合でも、ポリマー骨格をハイパーブランチ型に変更するのみで物性をコントロールできる可能性がある。
本発明に用いるハイパーブランチポリマーが高屈折率を発現するのは、ハイパーブランチ型の構造にすることで、トリアジン環とアリール(Ar)部分とが密に集まり、電子密度が上がっているためであると考えられる。特に、上記Rおよび/またはR′が水素原子の場合、ハイパーブランチ型の構造にすることで、トリアジン環上の窒素原子とアミン部位の水素原子が水素結合し、よりトリアジン環とアリール(Ar)部分が密に集まり、電子密度が上がるものと考えられる。
そのため、硫黄原子をその分子中に有しないポリマーであっても、例えば、屈折率1.70(550nmにて測定)以上の高屈折率を示す。
この屈折率の範囲は、使用場面にもよるが、下限値としては、好ましくは1.70以上、より好ましくは1.75以上、さらに好ましくは1.80以上である。上限値は、特に制限されないが、2.00〜1.95以下程度である。
高屈折率を発現する一方で、トリアジン環含有ハイパーブランチポリマーは分子間でトリアジン環上の窒素原子とアミン部位の水素原子とが水素結合しており、その結合力が強固なとき、レジスト溶剤に溶解させる際に、1)溶解するのに時間を要する、2)粘度が増加しハンドリング性が悪くなる、3)ろ過性が低下する、4)水素結合の組み換え再結合により、ろ過した後に異物が発生する、などの問題が発生する場合があるが、溶解促進剤を添加することで、これらの問題を解決することができる。
これらの問題を解決できたことで、ポリマーやこれを含む組成物のハンドリング性が向上し、ろ過時間が短縮し、ろ過後に異物が発生しないことから、ワニスの製造時間の短縮、製造マージンの拡大を達成できる。また、安定的にワニスが調製できることで、製造したワニスの品質を安定的に管理できる。さらに、製造したワニスの保存安定性が向上し、異物が発生しないことから、任意の基板に製膜する際の製膜性が安定し、膜質と面内均一性が向上することで、作製する電子デバイスのプロセスマージンを向上できる。作製した電子デバイスは、異物などの欠陥が低減することで、歩留まりが向上し、生産コストの低減、生産スピードの向上が達成できる。
そして、金属酸化物を含まず、ポリマー単独で高屈折率を発現できることから、エッチングやアッシングなどのドライプロセスを経る場合でも、エッチレートが一定となり、均一な膜厚の被膜を得ることができ、デバイスを作製する際のプロセスマージンが拡大する。
また、本発明で用いるトリアジン環含有ハイパーブランチポリマーは、合成時の出発原料であるモノマーの種類を変更することで、これが有する諸物性をコントロールできる。
以上のような特性を有する本発明のトリアジン環含有ハイパーブランチポリマーと溶解促進剤とを含む膜形成用組成物を用いて作製した膜は、液晶ディスプレイ、有機エレクトロルミネッセンス(EL)ディスプレイ、光半導体(LED)素子、固体撮像素子、有機薄膜太陽電池、色素増感太陽電池、有機薄膜トランジスタ(TFT)などの電子デバイスを作製する際の一部材として好適に利用できる。また、高屈折率が求められているレンズ用部材として好適に利用できる。特に高屈折率が求められている固体撮像素子の部材である、フォトダイオード上の埋め込み膜および平坦化膜、カラーフィルター前後の平坦化膜、マイクロレンズ、マイクロレンズ上の平坦化膜およびコンフォーマル膜として好適に利用できる。
本発明に係る膜形成用組成物は、式(1)で表される繰り返し単位構造を含むトリアジン環含有ハイパーブランチポリマー、および少なくとも、ハイパーブランチポリマーの分子内および/または分子間で、トリアジン環上の窒素原子とジアリールアミン由来のNH基との間で形成された水素結合を切断する溶解促進剤を含んで構成される。
本発明において、アルキル基の炭素数としては特に限定されるものではないが、1〜20が好ましく、ポリマーの耐熱性をより高めることを考慮すると、炭素数1〜10がより好ましく、1〜3がより一層好ましい。また、その構造は、鎖状、分岐状、環状のいずれでもよい。
アルコキシ基の具体例としては、メトキシ基、エトキシ基、n−プロポキシ基、イソプロポキシ基、n−ブトキシ基、イソブトキシ基、s−ブトキシ基、t−ブトキシ基、n−ペントキシ基、1−メチル−n−ブトキシ基、2−メチル−n−ブトキシ基、3−メチル−n−ブトキシ基、1,1−ジメチル−n−プロポキシ基、1,2−ジメチル−n−プロポキシ基、2,2−ジメチル−n−プロポキシ基、1−エチル−n−プロポキシ基、n−ヘキシルオキシ基、1−メチル−n−ペンチルオキシ基、2−メチル−n−ペンチルオキシ基、3−メチル−n−ペンチルオキシ基、4−メチル−n−ペンチルオキシ基、1,1−ジメチル−n−ブトキシ基、1,2−ジメチル−n−ブトキシ基、1,3−ジメチル−n−ブトキシ基、2,2−ジメチル−n−ブトキシ基、2,3−ジメチル−n−ブトキシ基、3,3−ジメチル−n−ブトキシ基、1−エチル−n−ブトキシ基、2−エチル−n−ブトキシ基、1,1,2−トリメチル−n−プロポキシ基、1,2,2−トリメチル−n−プロポキシ基、1−エチル−1−メチル−n−プロポキシ基、1−エチル−2−メチル−n−プロポキシ基等が挙げられる。
アリール基の具体例としては、フェニル基、o−クロルフェニル基、m−クロルフェニル基、p−クロルフェニル基、o−フルオロフェニル基、p−フルオロフェニル基、o−メトキシフェニル基、p−メトキシフェニル基、p−ニトロフェニル基、p−シアノフェニル基、α−ナフチル基、β−ナフチル基、o−ビフェニリル基、m−ビフェニリル基、p−ビフェニリル基、1−アントリル基、2−アントリル基、9−アントリル基、1−フェナントリル基、2−フェナントリル基、3−フェナントリル基、4−フェナントリル基、9−フェナントリル基等が挙げられる。
その具体例としては、ベンジル基、p−メチルフェニルメチル基、m−メチルフェニルメチル基、o−エチルフェニルメチル基、m−エチルフェニルメチル基、p−エチルフェニルメチル基、2−プロピルフェニルメチル基、4−イソプロピルフェニルメチル基、4−イソブチルフェニルメチル基、α−ナフチルメチル基等が挙げられる。
これらアルキル基、アルコキシ基としては上記と同様のものが挙げられる。
ハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子が挙げられる。
これらハロゲン原子、アルキル基、アルコキシ基としては上記と同様のものが挙げられる。
炭素数1〜10の分岐構造を有していてもよいアルキレン基としては、メチレン基、エチレン基、プロピレン基、トリメチレン基、テトラメチレン基、ペンタメチレン基等が挙げられる。
上記式(2)〜(18)で表されるアリール基の具体例としては、下記式で示されるものが挙げられるが、これらに限定されるものではない。
また、W1等のベンゼン環の連結基としては、高い水素結合能を有する、カルボニルを含む基やアミン等の官能基が、アミン部位の水素原子(Rおよび/またはR′が水素原子の場合)と水素結合を形成してよりアリール(Ar)部分が密に集まり易く、電子密度が向上するため好適である。
以上のような観点から、下記式で示されるアリール基が好ましい。
したがって、溶解性を良好にする好適な繰り返し単位構造としては、下記式(24)で示されるものが挙げられ、特にRおよびR′が共に水素原子である下記式(25)で示される繰り返し単位構造を有するハイパーブランチポリマーが最適である。
なお、本発明における重量平均分子量は、ゲルパーミエーションクロマトグラフィー(以下、GPCという)分析による標準ポリスチレン換算で得られる平均分子量である。
例えば、下記スキーム1−aに示されるように、繰り返し構造(23’)を有するハイパーブランチポリマーは、ハロゲン化シアヌル(26)およびアミノ基を有するビスアミノフェニルフルオレン化合物(27)を適当な有機溶媒中で反応させて得ることができる。
下記スキーム1−bに示されるように、繰り返し構造(24’)を有するハイパーブランチポリマーは、ハロゲン化シアヌル(26)およびm−フェニレンジアミン化合物(28)を適当な有機溶媒中で反応させて得ることができる。
下記スキーム2−bに示されるように、繰り返し構造(24’)を有するハイパーブランチポリマーは、ハロゲン化シアヌル(26)およびm−フェニレンジアミン化合物(28)を適当な有機溶媒中で等量用いて反応させて得られる化合物(30)から合成することもできる。
特に、原料である塩化シアヌルの安定性および工業的観点を考慮すると、スキーム2による製法がより好ましい。
特に、スキーム1の方法の場合、ハロゲン化シアヌル(26)2当量に対して、ジアミノ化合物(27),(28)を3当量用いることを避けることが好ましい。官能基の当量をずらすことで、ゲル化物の生成を防ぐことができる。
種々の分子量のトリアジン環末端を多く有するハイパーブランチポリマーを得るために、ハロゲン化シアヌル(26)2当量に対して、ジアミノ化合物(27),(28)を3当量未満の量で用いることが好ましい。
一方、種々の分子量のアミン末端を多く有するハイパーブランチポリマーを得るために、ジアミノ化合物(27),(28)3当量に対して、ハロゲン化シアヌル(26)を2当量未満の量で用いることが好ましい。
例えば、薄膜を作製した場合に、優れた透明性や耐光性を有するという点では、トリアジン環末端を多く有するハイパーブランチポリマーが好ましい。
このように、ジアミノ化合物(27),(28)やハロゲン化シアヌル(26)の量を適宜調節することで、得られるハイパーブランチポリマーの分子量を容易に調節することができる。
中でもN,N−ジメチルホルムアミド、ジメチルスルホキシド、N−メチル−2−ピロリドン、N,N−ジメチルアセトアミド、およびそれらの混合溶媒が好ましく、特に、N,N−ジメチルアセトアミド、N−メチル−2−ピロリドンが好適である。
特にスキーム1の反応では、リニア性を抑え、分岐度を高めるという点から、反応温度は60〜150℃が好ましく、80〜150℃が好ましく、80〜120℃が好ましい。
スキーム2の第1段階の方法において、反応温度は、用いる溶媒の融点から溶媒の沸点までの範囲で適宜設定すればよいが、特に、−50〜50℃程度が好ましく、−20〜50℃程度がより好ましく、−10〜50℃程度がより一層好ましく、−10〜10℃がさらに好ましい。
特にスキーム2の方法では、−50〜50℃で反応させる第1工程と、この工程に続いて60〜150℃で反応させる第2工程とからなる2段階工程を採用することが好ましい。
この場合、予め溶媒に溶かしておく成分および後から加える成分はどちらでもよいが、ジアミノ化合物(27),(28)の加熱溶液中に、ハロゲン化シアヌル(26)を添加する手法が好ましい。
また、スキーム2の反応において、予め溶媒に溶かしておく成分および後から加える成分はどちらでもよいが、ハロゲン化シアヌル(26)の冷却溶液中に、ジアミノ化合物(27),(28)を添加する手法が好ましい。
後から加える成分は、ニートで加えても、上述したような有機溶媒に溶かした溶液で加えてもよいが、操作の容易さや反応のコントロールのし易さなどを考慮すると、後者の手法が好適である。
また、添加は、滴下等によって徐々に加えても、全量一括して加えてもよい。
スキーム1において、加熱した状態で、両化合物を混合した後は、(段階的に温度を上げることなく)一段階で反応させた場合でも、ゲル化することなく、目的とするトリアジン環含有ハイパーブランチポリマーを得ることができる。
この塩基の具体例としては、炭酸カリウム、水酸化カリウム、炭酸ナトリウム、水酸化ナトリウム、炭酸水素ナトリウム、ナトリウムエトキシド、酢酸ナトリウム、炭酸リチウム、水酸化リチウム、酸化リチウム、酢酸カリウム、酸化マグネシウム、酸化カルシウム、水酸化バリウム、リン酸三リチウム、リン酸三ナトリウム、リン酸三カリウム、フッ化セシウム、酸化アルミニウム、アンモニア、トリメチルアミン、トリエチルアミン、ジイソプロピルメチルアミン、ジイソプロピルエチルアミン、N−メチルピペリジン、2,2,6,6−テトラメチル−N−メチルピペリジン、ピリジン、4−ジメチルアミノピリジン、N−メチルモルホリン等が挙げられる。
塩基の添加量は、ハロゲン化シアヌル(26)1当量に対して1〜100当量が好ましく、1〜10当量がより好ましい。なお、これらの塩基は水溶液にして用いてもよい。
得られるポリマーには、原料成分が残存していないことが好ましいが、本発明の効果を損なわなければ一部の原料が残存していてもよい。
いずれのスキームの方法においても、反応終了後、生成物は再沈法等によって容易に精製できる。
これらの中でも、アルキルアミノ基、アルコキシシリル基含有アルキルアミノ基、アラルキルアミノ基、アリールアミノ基が好ましく、アルキルアミノ基、アリールアミノ基がより好ましく、アリールアミノ基がさらに好ましい。
アルキルアミノ基の具体例としては、メチルアミノ基、エチルアミノ基、n−プロピルアミノ基、イソプロピルアミノ基、n−ブチルアミノ基、イソブチルアミノ基、s−ブチルアミノ基、t−ブチルアミノ基、n−ペンチルアミノ基、1−メチル−n−ブチルアミノ基、2−メチル−n−ブチルアミノ基、3−メチル−n−ブチルアミノ基、1,1−ジメチル−n−プロピルアミノ基、1,2−ジメチル−n−プロピルアミノ基、2,2−ジメチル−n−プロピルアミノ基、1−エチル−n−プロピルアミノ基、n−ヘキシルアミノ基、1−メチル−n−ペンチルアミノ基、2−メチル−n−ペンチルアミノ基、3−メチル−n−ペンチルアミノ基、4−メチル−n−ペンチルアミノ基、1,1−ジメチル−n−ブチルアミノ基、1,2−ジメチル−n−ブチルアミノ基、1,3−ジメチル−n−ブチルアミノ基、2,2−ジメチル−n−ブチルアミノ基、2,3−ジメチル−n−ブチルアミノ基、3,3−ジメチル−n−ブチルアミノ基、1−エチル−n−ブチルアミノ基、2−エチル−n−ブチルアミノ基、1,1,2−トリメチル−n−プロピルアミノ基、1,2,2−トリメチル−n−プロピルアミノ基、1−エチル−1−メチル−n−プロピルアミノ基、1−エチル−2−メチル−n−プロピルアミノ基等が挙げられる。
アリールアミノ基の具体例としては、フェニルアミノ基、メトキシカルボニルフェニルアミノ基、エトキシカルボニルフェニルアミノ基、ナフチルアミノ基、メトキシカルボニルナフチルアミノ基、エトキシカルボニルナフチルアミノ基、アントラニルアミノ基、ピレニルアミノ基、ビフェニルアミノ基、ターフェニルアミノ基、フルオレニルアミノ基等が挙げられる。
アラルキルオキシ基の具体例としては、ベンジルオキシ基、p−メチルフェニルメチルオキシ基、m−メチルフェニルメチルオキシ基、o−エチルフェニルメチルオキシ基、m−エチルフェニルメチルオキシ基、p−エチルフェニルメチルオキシ基、2−プロピルフェニルメチルオキシ基、4−イソプロピルフェニルメチルオキシ基、4−イソブチルフェニルメチルオキシ基、α−ナフチルメチルオキシ基等が挙げられる。
その他、アルキル基、アラルキル基、アリール基としては上述した基と同様のものが挙げられる。
これらの基は、トリアジン環上のハロゲン原子を対応する置換基を与える化合物で置換することで容易に導入することができ、例えば、下記式スキーム3−a,bに示されるように、アニリン誘導体を加えて反応させることで、少なくとも1つの末端にフェニルアミノ基を有するハイパーブランチポリマー(31),(32)が得られる。
この手法によって得られたハイパーブランチポリマーは、溶剤への溶解性(凝集抑制)や、架橋剤との架橋性に優れたものとなるため、後述する架橋剤と組み合わせた組成物として用いる場合に特に有利である。
ここで、有機モノアミンとしては、アルキルモノアミン、アラルキルモノアミン、アリールモノアミンのいずれを用いることもできる。
アリールモノアミンの具体例としては、アニリン、p−メトキシカルボニルアニリン、p−エトキシカルボニルアニリン、p−メトキシアニリン、1−ナフチルアミン、2−ナフチルアミン、アントラニルアミン、1−アミノピレン、4−ビフェニリルアミン、o−フェニルアニリン、4−アミノ−p−ターフェニル、2−アミノフルオレン等が挙げられる。
この場合の反応温度も、リニア性を抑え、分岐度を高めるという点から、60〜150℃が好ましく、80〜150℃が好ましく、80〜120℃が好ましい。
ただし、有機モノアミン、ハロゲン化シアヌル化合物、ジアミノアリール化合物の3成分の混合は、低温下で行ってもよく、その場合の温度としては、−50〜50℃程度が好ましく、−20〜50℃程度がより好ましく、−20〜10℃がさらに好ましい。低温仕込み後は、重合させる温度まで一気に(一段階で)昇温して反応を行うことが好ましい。
また、ハロゲン化シアヌル化合物とジアミノアリール化合物の2成分の混合を低温下で行ってもよく、その場合の温度としては、−50〜50℃程度が好ましく、−20〜50℃程度がより好ましく、−20〜10℃がさらに好ましい。低温仕込み後、有機モノアミンを加え、重合させる温度まで一気に(一段階で)昇温して反応を行うことが好ましい。
また、このような有機モノアミンの存在下で、ハロゲン化シアヌル化合物と、ジアミノアリール化合物とを反応させる反応は、上述と同様の有機溶媒を用いて行ってもよい。
この固体状態における強力な水素結合によって、本来、それ自体は溶解する性質を有するポリマーであるにも関わらず、溶剤を用いた溶液調製時にも当該水素結合が維持されて、ポリマーが溶剤に溶解しにくくなる場合がある。
溶解促進剤を添加することによって、上記水素結合が切断され、またはそれが一旦切断後に組み変えられ、固体の状態での水素結合の環境が変化し、溶剤に対する溶解性が飛躍的に向上し、また、一旦、溶液の状態になると水素結合の環境が飽和し、高溶解性が発現されるようになる。
なお、溶解促進剤は、上述した各部位の水素結合の少なくとも一部を切断する作用を有していればよく、また、切断後、再度水素結合を組み換える作用を有していてもよい。すなわち、トリアジン環含有ハイパーブランチポリマーが固体であったときの水素結合の環境を、溶剤に溶解する際や、溶解後に異なった環境とし得るものであればよい。
このような基(結合)を含む溶解促進剤の具体例としては、水、酸、塩基、酸と塩基とから形成される塩が挙げられる。
その具体例としては、ジシクロヘキシルアンモニウムナイトライト、ジシクロヘキシルアンモニウムサリシレート、モノエタノールアミンベンゾエート、ジシクロヘキシルアンモニウムベンゾエート、ジイソプロピルアンモニウムベンゾエート、ジイソプロピルアンモニウムナイトライト、シクロヘキシルアミンカーバメート、ニトロナフタレンアンモニウムナイトライト、シクロヘキシルアミンベンゾエート、ジシクロヘキシルアンモニウムシクロヘキサンカルボキシレート、シクロヘキシルアミンシクロヘキサンカルボキシレート、ジシクロヘキシルアンモニウムアクリレート、シクロヘキシルアミンアクリレートなどが挙げられる。
このような溶剤の具体例としては、トルエン、p−キシレン、o−キシレン、m−キシレン、エチルベンゼン、スチレン、エチレングリコールジメチルエーテル、プロピレングリコールモノメチルエーテル、エチレングリコールモノメチルエーテル、プロピレングリコール、プロピレングリコールモノエチルエーテル、エチレングリコールモノエチルエーテル、エチレングリコールモノイソプロピルエーテル、エチレングリコールメチルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、エチレングリコールエチルエーテルアセテート、ジエチレングリコールジメチルエーテル、プロピレングリコールモノブチルエーテル、エチレングリコ−ルモノブチルエーテル、ジエチレングリコールジエチルエーテル、ジプロピレングリコールモノメチルエーテル、ジエチレングリコールモノメチルエーテル、ジプロピレングリコールモノエチルエーテル、ジエチレングリコールモノエチルエーテル、トリエチレングリコールジメチルエーテル、ジエチレングリコールモノエチルエーテルアセテート、ジエチレングリコール、1−オクタノール、エチレングリコール、ヘキシレングリコール、トリメチレングリコール、1−メトキシ−2−ブタノール、シクロヘキサノール、ジアセトンアルコール、フルフリルアルコール、テトラヒドロフルフリルアルコール、プロピレングリコール、ベンジルアルコール、1,3−ブタンジオール、1,4−ブタンジオール、2,3−ブタンジオール、γ−ブチロラクトン、アセトン、メチルエチルケトン、メチルイソプロピルケトン、ジエチルケトン、メチルイソブチルケトン、メチルノーマルブチルケトン、シクロヘキサノン、酢酸エチル、酢酸イソプロピル、酢酸ノーマルプロピル、酢酸イソブチル、酢酸ノーマルブチル、乳酸エチル、メタノール、エタノール、イソプロパノール、tert−ブタノール、アリルアルコール、ノーマルプロパノール、2−メチル−2−ブタノール、イソブタノール、ノーマルブタノール、2−メチル−1−ブタノール、1−ペンタノール、2−メチル−1−ペンタノール、2−エチルヘキサノール、1−メトキシ−2−プロパノール、テトラヒドロフラン、1,4−ジオキサン、N,N−ジメチルホルムアミド、N,N−ジメチルアセトアミド、N−メチルピロリドン、1,3−ジメチル−2−イミダゾリジノン、ジメチルスルホキシド、N−シクロヘキシル−2−ピロリジノン等が挙げられ、これらは単独で用いても、2種以上混合して用いてもよい。
界面活性剤としては、例えば、ポリオキシエチレンラウリルエーテル、ポリオキシエチレンステアリルエーテル、ポリオキシエチレンセチルエーテル、ポリオキシエチレンオレイルエーテル等のポリオキシエチレンアルキルエーテル類;ポリオキシエチレンオクチルフェノールエーテル、ポリオキシエチレンノニルフェノールエーテル等のポリオキシエチレンアルキルアリルエーテル類;ポリオキシエチレン・ポリオキシプロピレンブロックコポリマー類;ソルビタンモノラウレート、ソルビタンモノパルミテート、ソルビタンモノステアレート、ソルビタンモノオレエート、ソルビタントリオレエート、ソルビタントリステアレート等のソルビタン脂肪酸エステル類;ポリオキシエチレンソルビタンモノラウレート、ポリオキシエチレンソルビタンモノパルミテート、ポリオキシエチレンソルビタンモノステアレート、ポリオキシエチレンソルビタントリオレエート、ポリオキシエチレンソルビタントリステアレート等のポリオキシエチレンソルビタン脂肪酸エステル類等のノニオン系界面活性剤、商品名エフトップEF301、EF303、EF352(三菱マテリアル電子化成(株)製(旧(株)ジェムコ製)、商品名メガファックF171、F173、R−08、R−30、F−553、F−554(DIC(株)製)、フロラードFC430、FC431(住友スリーエム(株)製)、商品名アサヒガードAG710,サーフロンS−382、SC101、SC102、SC103、SC104、SC105、SC106(旭硝子(株)製)等のフッ素系界面活性剤、オルガノシロキサンポリマーKP341(信越化学工業(株)製)、BYK−302、BYK−307、BYK−322、BYK−323、BYK−330、BYK−333、BYK−370、BYK−375、BYK−378(ビックケミー・ジャパン(株)製)等が挙げられる。
そのような化合物としては、メチロール基、メトキシメチル基などの架橋形成置換基を有するメラミン系化合物、置換尿素系化合物、エポキシ基またはオキセタン基などの架橋形成置換基を含有する化合物、ブロック化イソシアナートを含有する化合物、酸無水物を有する化合物、(メタ)アクリル基を有する化合物、フェノプラスト化合物等が挙げられるが、耐熱性や保存安定性の観点からエポキシ基、ブロックイソシアネート基、(メタ)アクリル基を含有する化合物が好ましい。
また、ブロックイソシアネート基は、尿素結合で架橋し、カルボニル基を有するため屈折率が低下しないという点からも好ましい。
なお、これらの化合物は、ポリマーの末端処理に用いる場合は少なくとも1個の架橋形成置換基を有していればよく、ポリマー同士の架橋処理に用いる場合は少なくとも2個の架橋形成置換基を有する必要がある。
架橋剤の具体例としては、トリス(2,3−エポキシプロピル)イソシアヌレート、1,4−ブタンジオールジグリシジルエーテル、1,2−エポキシ−4−(エポキシエチル)シクロヘキサン、グリセロールトリグリシジルエーテル、ジエチレングリコールジグリシジルエーテル、2,6−ジグリシジルフェニルグリシジルエーテル、1,1,3−トリス[p−(2,3−エポキシプロポキシ)フェニル]プロパン、1,2−シクロヘキサンジカルボン酸ジグリシジルエステル、4,4’−メチレンビス(N,N−ジグリシジルアニリン)、3,4−エポキシシクロヘキシルメチル−3,4−エポキシシクロヘキサンカルボキシレート、トリメチロールエタントリグリシジルエーテル、ビスフェノール−A−ジグリシジルエーテル、ペンタエリスリトールポリグリシジルエーテル等が挙げられる。
また、酸無水物化合物の具体例としては、無水フタル酸、テトラヒドロ無水フタル酸、ヘキサヒドロ無水フタル酸、メチルテトラヒドロ無水フタル酸、メチルヘキサヒドロ無水フタル酸、無水ナジック酸、無水メチルナジック酸、無水マレイン酸、無水コハク酸、オクチル無水コハク酸、ドデセニル無水コハク酸等の分子内に1個の酸無水物基を有するもの;1,2,3,4−シクロブタンテトラカルボン酸二無水物、ピロメリット酸無水物、3,4−ジカルボキシ−1,2,3,4−テトラヒドロ−1−ナフタレンコハク酸二無水物、ビシクロ[3.3.0]オクタン−2,4,6,8−テトラカルボン酸二無水物、5−(2,5−ジオキソテトラヒドロ−3−フラニル)−3−メチル−3−シクロヘキセン−1,2−ジカルボン酸無水物、1,2,3,4−ブタンテトラカルボン酸二無水物、3,3’,4,4’−ベンゾフェノンテトラカルボン酸二無水物、3,3’,4,4’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、2,2−ビス(3,4−ジカルボキシフェニル)ヘキサフルオロプロパン二無水物、1,3−ジメチル−1,2,3,4−シクロブタンテトラカルボン酸二無水物等の分子内に2個の酸無水物基を有するもの等が挙げられる。
(メタ)アクリル基を有する化合物としては、例えば、エチレングリコールジアクリレート、エチレングリコールジメタクリレート、ポリエチレングリコールジアクリレート、ポリエチレングリコールジメタクリレート、エトキシ化ビスフェノールAジアクリレート、エトキシ化ビスフェノールAジメタクリレート、エトキシ化トリメチロールプロパントリアクリレート、エトキシ化トリメチロールプロパントリメタクリレート、エトキシ化グリセリントリアクリレート、エトキシ化グリセリントリメタクリレート、エトキシ化ペンタエリスリトールテトラアクリレート、エトキシ化ペンタエリスリトールテトラメタクリレート、エトキシ化ジペンタエリスリトールヘキサアクリレート、ポリグリセリンモノエチレンオキサイドポリアクリレート、ポリグリセリンポリエチレングリコールポリアクリレート、ジペンタエリスリトールヘキサアクリレート、ジペンタエリスリトールヘキサメタクリレート、ネオペンチルグリコールジアクリレート、ネオペンチルグリコールジメタクリレート、ペンタエリスリトールトリアクリレート、ペンタエリスリトールトリメタクリレート、トリメチロールプロパントリアクリレート、トリメチロールプロパントリメタクリレート、トリシクロデカンジメタノールジアクリレート、トリシクロデカンジメタノールジメタクリレート、1,6−ヘキサンジオールジアクリレート、1,6−ヘキサンジオールジメタクリレート等が挙げられる。
一分子中2個以上のイソシアネート基を有する化合物としては、例えば、イソホロンジイソシアネート、1,6−ヘキサメチレンジイソシアネート、メチレンビス(4−シクロヘキシルイソシアネート)、トリメチルヘキサメチレンジイソシアネートのポリイソシアネートや、これらの二量体、三量体、および、これらとジオール類、トリオール類、ジアミン類、またはトリアミン類との反応物などが挙げられる。
ブロック剤としては、例えば、メタノール、エタノール、イソプロパノール、n−ブタノール、2−エトキシヘキサノール、2−N,N−ジメチルアミノエタノール、2−エトキシエタノール、シクロヘキサノール等のアルコール類;フェノール、o−ニトロフェノール、p−クロロフェノール、o−、m−またはp−クレゾール等のフェノール類;ε−カプロラクタム等のラクタム類、アセトンオキシム、メチルエチルケトンオキシム、メチルイソブチルケトンオキシム、シクロヘキサノンオキシム、アセトフェノンオキシム、ベンゾフェノンオキシム等のオキシム類;ピラゾール、3,5−ジメチルピラゾール、3−メチルピラゾール等のピラゾール類;ドデカンチオール、ベンゼンチオール等のチオール類などが挙げられる。
メラミン系化合物としては、例えば、ヘキサメトキシメチルメラミン CYMEL(登録商標)303、テトラブトキシメチルグリコールウリル 同1170、テトラメトキシメチルベンゾグアナミン 同1123(以上、日本サイテックインダストリーズ(株)製)等のサイメルシリーズ、メチル化メラミン樹脂であるニカラック(登録商標)MW−30HM、同MW−390、同MW−100LM、同MX−750LM、メチル化尿素樹脂である同MX−270、同MX−280、同MX−290(以上、(株)三和ケミカル製)等のニカラックシリーズ等が挙げられる。
オキセタン化合物としては、オキセタニル基を一分子中2個以上有し、そして熱硬化時の高温に曝されると、本発明で用いるハイパーブランチポリマーとの間で付加反応により架橋反応が進行するものである。
オキセタン基を有する化合物としては、例えば、オキセタン基を含有するOXT−221、OX−SQ−H、OX−SC(以上、東亜合成(株)製)等が挙げられる。
フェノプラスト化合物としては、例えば、2,6−ジヒドロキシメチル−4−メチルフェノール、2,4−ジヒドロキシメチル−6−メチルフェノール、ビス(2−ヒドロキシ−3−ヒドロキシメチル−5−メチルフェニル)メタン、ビス(4−ヒドロキシ−3−ヒドロキシメチル−5−メチルフェニル)メタン、2,2−ビス(4−ヒドロキシ−3,5−ジヒドロキシメチルフェニル)プロパン、ビス(3−ホルミル−4−ヒドロキシフェニル)メタン、ビス(4−ヒドロキシ−2,5−ジメチルフェニル)ホルミルメタン、α,α−ビス(4−ヒドロキシ−2,5−ジメチルフェニル)−4−ホルミルトルエン等が挙げられる。
フェノプラスト化合物は、市販品としても入手が可能であり、その具体例としては、26DMPC、46DMOC、DM−BIPC−F、DM−BIOC−F、TM−BIP−A、BISA−F、BI25X−DF、BI25X−TPA(以上、旭有機材工業(株)製)等が挙げられる。
架橋剤を用いることで、架橋剤とハイパーブランチポリマーが有する反応性の末端置換基とが反応し、膜密度の向上、耐熱性の向上、熱緩和能力の向上などの効果を発現できる場合がある。
なお、上記その他の成分は、本発明の組成物を調製する際の任意の工程で添加することができる。
組成物の塗布方法は任意であり、例えば、スピンコート法、ディップ法、フローコート法、インクジェット法、スプレー法、バーコート法、グラビアコート法、スリットコート法、ロールコート法、転写印刷法、刷毛塗り、ブレードコート法、エアーナイフコート法等の方法を採用できる。
焼成温度は、溶媒を蒸発させる目的では特に限定されず、例えば40〜400℃で行うことができる。これらの場合、より高い均一製膜性を発現させたり、基材上で反応を進行させたりする目的で2段階以上の温度変化をつけてもよい。
焼成方法としては、特に限定されるものではなく、例えば、ホットプレートやオーブンを用いて、大気、窒素等の不活性ガス、真空中等の適切な雰囲気下で蒸発させればよい。
焼成温度および焼成時間は、目的とする電子デバイスのプロセス工程に適合した条件を選択すればよく、得られる膜の物性値が電子デバイスの要求特性に適合するような焼成条件を選択すればよい。
樹脂の具体例としては、特に限定されるものではない。熱可塑性樹脂としては、例えば、PE(ポリエチレン)、PP(ポリプロピレン)、EVA(エチレン−酢酸ビニル共重合体)、EEA(エチレン−アクリル酸エチル共重合体)等のポリオレフィン系樹脂;PS(ポリスチレン)、HIPS(ハイインパクトポリスチレン)、AS(アクリロニトリル−スチレン共重合体)、ABS(アクリロニトリル−ブタジエン−スチレン共重合体)、MS(メタクリル酸メチル−スチレン共重合体)等のポリスチレン系樹脂;ポリカーボネート樹脂;塩化ビニル樹脂;ポリアミド樹脂;ポリイミド樹脂;PMMA(ポリメチルメタクリレート)等の(メタ)アクリル樹脂;PET(ポリエチレンテレフタレート)、ポリブチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート、ポリブチレンナフタレート、PLA(ポリ乳酸)、ポリ−3−ヒドロキシ酪酸、ポリカプロラクトン、ポリブチレンサクシネート、ポリエチレンサクシネート/アジペート等のポリエステル樹脂;ポリフェニレンエーテル樹脂;変性ポリフェニレンエーテル樹脂;ポリアセタール樹脂;ポリスルホン樹脂;ポリフェニレンサルファイド樹脂;ポリビニルアルコール樹脂;ポリグルコール酸;変性でんぷん;酢酸セルロース、三酢酸セルロース;キチン、キトサン;リグニンなどが挙げられ、熱硬化性樹脂としては、例えば、フェノール樹脂、尿素樹脂、メラミン樹脂、不飽和ポリエステル樹脂、ポリウレタン樹脂、エポキシ樹脂などが挙げられる。
これらの樹脂は、単独で用いても、2種以上組み合わせて用いてもよく、その使用量は、上記ハイパーブランチポリマー100質量部に対して、1〜10,000質量部が好ましく、より好ましくは1〜1,000質量部である。
(メタ)アクリレート化合物の例としては、メチル(メタ)アクリレート、エチル(メタ)アクリレート、エチレングリコールジ(メタ)アクリレート、テトラエチレングリコールジ(メタ)アクリレート、ポリエチレングリコールジ(メタ)アクリレート、プロピレングリコールジ(メタ)アクリレート、ポリプロピレングリコールジ(メタ)アクリレート、1,4−ブタンジオールジ(メタ)アクリレート、1,6−ヘキサンジオールジ(メタ)アクリレート、ネオペンチルグリコールジ(メタ)アクリレート、トリメチロールプロパントリオキシエチル(メタ)アクリレート、トリシクロデカンジメタノールジ(メタ)アクリレート、トリシクロデカニルジ(メタ)アクリレート、トリメチロールプロパントリオキシプロピル(メタ)アクリレート、トリス−2−ヒドロキシエチルイソシアヌレートトリ(メタ)アクリレート、トリス−2−ヒドロキシエチルイソシアヌレートジ(メタ)アクリレート、1,9−ノナンジオールジ(メタ)アクリレート、ペンタエリスリトールジ(メタ)アクリレート、グリセリンメタクリレートアクリレート、ペンタエリスリトールトリ(メタ)アクリレート、トリメチロールプロパントリメタクリレート、(メタ)アクリル酸アリル、(メタ)アクリル酸ビニル、エポキシ(メタ)アクリレート、ポリエステル(メタ)アクリレート、ウレタン(メタ)アクリレート等が挙げられる。
光ラジカル重合開始剤としては、例えば、アセトフェノン類、ベンゾフェノン類、ミヒラーのベンゾイルベンゾエート、アミロキシムエステル、テトラメチルチウラムモノサルファイドおよびチオキサントン類等が挙げられる。
特に、光開裂型の光ラジカル重合開始剤が好ましい。光開裂型の光ラジカル重合開始剤については、最新UV硬化技術(159頁、発行人:高薄一弘、発行所:(株)技術情報協会、1991年発行)に記載されている。
市販の光ラジカル重合開始剤としては、例えば、チバ・ジャパン(株)製 商品名: イルガキュア 184、369、651、500、819、907、784、2959、CGI1700、CGI1750、CGI1850、CG24−61、ダロキュア 1116、1173、BASF社製 商品名:ルシリン TPO、UCB社製 商品名:ユベクリル P36、フラテツリ・ランベルティ社製 商品名:エザキュアー KIP150、KIP65LT、KIP100F、KT37、KT55、KTO46、KIP75/B等が挙げられる。
重合に用いる溶剤は、上記膜形成用組成物で例示した溶剤と同様のものが挙げられる。
[1H−NMR]
装置:Varian NMR System 400NB(400MHz)
JEOL−ECA700(700MHz)
測定溶媒:DMSO−d6
基準物質:テトラメチルシラン(TMS)(δ0.0ppm)
[GPC]
装置:東ソー(株)製 HLC−8200 GPC
カラム:Shodex KF−804L+KF−805L
カラム温度:40℃
溶媒:テトラヒドロフラン(以下、THF)
検出器:UV(254nm)
検量線:標準ポリスチレン
[エリプソメーター]
装置:ジェー・エー・ウーラム・ジャパン製 多入射角分光エリプソメーターVASE
[液中パーティクルカウンター]
装置:リオン株式会社製 シリンジサンプラー:KZ−30W1、パーティクルセンサー:KS−40B
[紫外線可視分光光度計]
装置:(株)島津製作所製 SHIMADSU UV−3600
[電子顕微鏡]
装置:日本電子(株)製 電子顕微鏡S−4800
50分後、アニリン(56.53g、0.6mol、純正化学(株)製)を加え、1時間撹拌して重合を停止した。室温まで放冷後、28%アンモニア水溶液(30.4g)を水1,600mLおよびメタノール520mLに溶解した混合溶液中に再沈殿させた。沈殿物をろ過し、THF400mL、N,N−ジメチルホルムアミド15mLに再溶解させ、イオン交換水2,100mLに再沈殿した。得られた沈殿物をろ過し、減圧乾燥機で150℃、6時間乾燥し、目的とする高分子化合物[3](以下、HB−TmDA45と略す)49.78gを得た。HB−TmDA45の1H−NMRスペクトルの測定結果を図1に示す。得られたHB−TmDA45は式(1)で表される構造単位を有する化合物である。HB−TmDA45のGPCによるポリスチレン換算で測定される重量平均分子量Mwは4,600、多分散度Mw/Mnは2.37であった。
10mLナスフラスコに、HB−TmDA45 2.00gを加え、次いでCHN7.84g、およびイオン交換水0.16gを加えた(イオン交換水:全溶媒量の2質量%、固形分量:20質量%)。メカニカルスターラーを用いて、50rpmの回転速度で撹拌したところ、完全溶解に要した時間は17時間であった。
完全溶解とは、目視で観察し、溶質が一切残っておらず均一な透明溶液になっている状態を指す。
10mLナスフラスコに、HB−TmDA45 2.00gを加え、次いでCHN7.68g、およびイオン交換水0.32gを加えた(イオン交換水:全溶媒量の4質量%、固形分量:20質量%)。メカニカルスターラーを用いて、50rpmの回転速度で撹拌したところ、完全溶解に要した時間は16時間であった。
10mLナスフラスコに、HB−TmDA45 2.00gを加え、次いでCHN7.52g、およびイオン交換水0.48gを加えた(イオン交換水:全溶媒量の4質量%、固形分量:20質量%)。メカニカルスターラーを用いて、50rpmの回転速度で撹拌したところ、完全溶解に要した時間は16時間であった。
10mLナスフラスコに、HB−TmDA45 1.80gを加え、次いでCHN7.20g、および酢酸0.90gの20質量%CHN溶液を加えた(酢酸量:ポリマー固形分100質量部に対して10質量部、固形分量:20質量%)。メカニカルスターラーを用いて、50rpmの回転速度で撹拌したところ、完全溶解に要した時間は16時間であった。
10mLナスフラスコに、HB−TmDA45 1.80gを加え、次いでCHN7.20g、およびアクリル酸0.90gの20質量%CHN溶液を加えた(アクリル酸量:ポリマー固形分100質量部に対して10質量部、固形分量:20質量%)。メカニカルスターラーを用いて、50rpmの回転速度で撹拌したところ、完全溶解に要した時間は16時間であった。
10mLナスフラスコに、HB−TmDA45 1.80gを加え、次いでCHN7.20g、およびトリエチルアミン0.90gの20質量%CHN溶液を加えた(トリエチルアミン量:ポリマー固形分100質量部に対して10質量部、固形分量:20質量%)。メカニカルスターラーを用いて、50rpmの回転速度で撹拌したところ、完全溶解に要した時間は12時間であった。
10mLナスフラスコに、HB−TmDA45 1.80gを加え、次いでCHN7.20g、および3−アミノピラゾール0.90gの20質量%CHN溶液を加えた(3−アミノピラゾール量:ポリマー固形分100質量部に対して10質量部、固形分量:20質量%)。メカニカルスターラーを用いて、50rpmの回転速度で撹拌したところ、完全溶解に要した時間は13時間であった。
10mLナスフラスコに、HB−TmDA45 1.80gを加え、次いでCHN6.8832g、イオン交換水0.3168g、および酢酸0.90gの20質量%CHN溶液を加えた(酢酸量:ポリマー固形分100質量部に対して10質量部、イオン交換水:全溶媒量の4質量%、固形分量:20質量%)。メカニカルスターラーを用いて、50rpmの回転速度で撹拌したところ、完全溶解に要した時間は12時間であった。
10mLナスフラスコに、HB−TmDA45 1.80gを加え、次いでCHN6.8832g、イオン交換水0.3168g、およびトリエチルアミン0.90gの20質量%CHN溶液を加えた(トリエチルアミン量:ポリマー固形分100質量部に対して10質量部、イオン交換水:全溶媒量の4質量%、固形分量:20質量%)。メカニカルスターラーを用いて、50rpmの回転速度で撹拌したところ、完全溶解に要した時間は11時間であった。
10mLナスフラスコに、HB−TmDA45 2.00gを加え、次いでCHN8.00gを加えた(固形分量:20質量%)。メカニカルスターラーを用いて、50rpmの回転速度で撹拌したところ、完全溶解に要した時間は26時間であった。
上述した結果から、HB−TmDA45はCHNに溶解させる際に26時間を要するのに対して、溶解促進剤を加えることで溶解に要する時間を大幅に短縮できることがわかった。溶解に要する時間を短縮できることは、ワニス製造時のコストを削減し、製造のスループットを向上させることができる。
また、HB−TmDA45はポリマーの分子内および分子間で強固な水素結合を形成しており、溶解促進剤により水素結合を切断することで溶解を促進できることがわかった。
1Lナスフラスコに、HB−TmDA45 120.00gを加え、次いで、CHN460.80g、およびイオン交換水19.20gを加え、メカニカルスターラーを用いて、50rpmの回転速度で撹拌し、完全に溶解させた。
このHB−TmDA45の20質量%溶液に、B−882N(三井化学ポリウレタン(株)製)の20%CHN溶液120.00g(ポリマー固形分100質量部に対して20質量部)、酢酸の20%CHN溶液90.00g(ポリマー固形分100質量部に対して15質量部)、商品名メガファック F−554(DIC(株)製)の1%CHN溶液6.00g(ポリマー固形分100質量部に対して0.05質量部)、およびCHN84.3330gをそれぞれ加え、メカニカルスターラーを用いて30分間撹拌し、均一な18質量%のポリマー溶液(以下、HB−TmDA45V1と略す)を得た。
1Lナスフラスコに、HB−TmDA45 120.00gを加え、次いで、CHN480.00gを加え、メカニカルスターラーを用いて、50rpmの回転速度で撹拌し、完全に溶解させた。
このHB−TmDA45の20質量%溶液に、B−882N(三井化学ポリウレタン(株)製)の20%CHN溶液120.00g(ポリマー固形分100質量部に対して20質量部)、商品名メガファック F−554(DIC(株)製)の1%CHN溶液6.00g(ポリマー固形分100質量部に対して0.05質量部)、およびCHN74.3333gをそれぞれ加え、メカニカルスターラーを用いて30分間撹拌し、均一な18質量%のポリマー溶液(以下、HB−TmDA45V2と略す)を得た。
実施例10で得られた水と酢酸とを含むHB−TmDA45V1はクラス1000のクリーンルーム内で加圧ろ過を行った。ろ過に用いたフィルターは日本インテグリス(株)製のマイクロリス・オプティマイザー・DPR/DPR−Lディスポーザブルフィルター、接続方式:コンプレッションシール、タイプ:DPR(ショートタイプ)、孔径:0.05μm、入口・出口:6.35mm、ベント・ドレイン:6.35mmのUPEフィルターを用いた。
加圧ろ過を開始し、フィルターを通過したワニスは最初の200gを廃棄し、次の30gからコレクトを開始し、100mLボトル15本にコレクトした。コレクトしている最中は溶液の泡かみに細心の注意を施し、連続して流出している溶液をコレクトした。コレクトに用いたボトルはアイセロ化学(株)製の洗浄済みクリーンボトルを使用した。
ボトルにコレクトした合計15本のワニスは、それぞれ独立して23℃、5℃、−20℃の環境で0、7、20、30、60日間保存し、液中パーティクルカウンターを用いて、パーティクルを測定した。−20℃および5℃で保管しておいたワニスは測定前に3時間以上23℃の条件に放置し、液温が23℃となってから測定した。
液中パーティクルは、測定する直前に、ブランクとして測定したろ過済みのCHNにおいて、0.50μm≦で1mL中に1個以下であることを確認した後に測定した。液中パーティクルの測定は空吸引量を2mL、測定溶液量を5mL、流速を10mL/minとして測定し、測定直前に測定したブランクの値を差し引き、1mL当たりのパーティクル数に換算した。
0.30μm≦、0.50μm≦、1.00μm≦、2.00μm≦の測定範囲において、1mL当たりの液中パーティクルの測定結果を表1〜3に示す。表1は23℃保存時の液中パーティクル数を、表2は5℃保存時の液中パーティクル数を、表3は、−20℃保存時の液中パーティクル数を示す。
比較例2で得られたHB−TmDA45V2について、実施例11と同様の方法で加圧ろ過を行い、液中パーティクルカウンターを用いて、パーティクルを測定した。その結果、測定中にCell NGのエラーが発生し、パーティクルが多すぎることが原因の測定エラーを示した。
実施例11で調製したHB−TmDA45V1をシリコン基板上にスピンコーターを用いて700nm狙いで塗布し、100℃のホットプレートで1分間の焼成を行い、次いで、200℃のホットプレートで5分間の焼成を行い、最後に300℃のホットプレートで5分間の焼成を行って膜(以下、HB−TmDA45F1と略す)を作製した。
HB−TmDA45F1の屈折率を測定した。屈折率は波長が400nmのときに1.8614、波長が550nmのときに1.7642、波長が633nmのときに1.7430となり、400nmから700nmの平均屈折率は1.7742となった。
このように、溶解促進剤、架橋剤を含んだ組成物を用いた場合でも、非常に高い屈折率を発現することがわかった。
実施例11で調製したHB−TmDA45V1を石英基板上にスピンコーターを用いて700nm狙いで塗布し、100℃のホットプレートで1分間の焼成を行い、次いで、200℃のホットプレートで5分間の焼成を行って膜(以下、HB−TmDA45F2と略す)を作製した。HB−TmDA45F2の透過率を測定した結果を図2に示す。
実施例11で調製したHB−TmDA45V1を石英基板上にスピンコーターを用いて700nm狙いで塗布し、100℃のホットプレートで1分間の焼成を行い、次いで、200℃のホットプレートで5分間の焼成を行い、最後に300℃のホットプレートで5分間の焼成を行って膜(以下、HB−TmDA45F3と略す)を作製した。HB−TmDA45F3の透過率を測定した結果を図2に併せて示す。
このように、200℃,5分間の焼成時の膜の透過率と、200℃,5分間および300℃,5分間の焼成時の膜の透過率は、いずれも著しく低下することなく、非常に高い耐熱透過率を有していることがわかった。
実施例12で得られたHB−TmDA45F1の溶剤耐性試験を行った。HB−TmDA45F1の膜厚は687.9nmであり、これを初期膜厚とした。HB−TmDA45F1を、プロピレングリコールモノメチルエーテル、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、シクロヘキサノン、アセトン、乳酸エチルにそれぞれ独立して完全に浸漬し、5分間放置した。次いで、エアーで乾燥後、200℃のホットプレートで1分間焼成し、残留溶剤を完全に蒸発させた後、膜厚を測定し、初期膜厚と比較した。
初期膜厚を100%としたとき、プロピレングリコールモノメチルエーテルでは100.0%、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテートでは100.0%、シクロヘキサノンでは100.0%、アセトンでは100.0%、乳酸エチルでは100.0%となり、各種有機溶剤に対して溶剤耐性が良好であることがわかった。
なお、溶剤耐性試験とは、本焼成後の被膜が溶剤への接触に対して、不溶化していることを示す試験である。溶剤耐性は被膜の上にレジストなどをリコートし、パターニングする後工程が加わった際に必要になる特性であり、溶剤耐性がない場合、リコートする際のレジスト溶剤に溶解してしまい、被膜とレジストとがミキシングされてしまって、本来の特性が発現しないことがある。
実施例11で調製したHB−TmDA45V1を用い、埋め込み性試験を行った。埋め込み性試験に用いた構造物基板は、材質がシリコンで、深さが1.6μm、Via径が400nmである。
HB−TmDA45V1を構造物基板に700nm狙いでスピンコート法にて塗布し、100℃のホットプレートで1分間の仮焼成を行い、次いで、大気下、200℃のホットプレートで5分間の焼成を行い、最後に300℃のホットプレートで5分間の本焼成を行った。
焼成後の製膜された構造物基板は、ダイアモンドペンを用いて基板の端に傷をつけた後、基板をヘキ開し、SEM観察を行った。観察した画像を図3に示す。
図3に示されるように、埋め込み性は良好であり、埋め込み材料として使用できる可能性が示唆された。
本発明の高分岐ポリマーをフォトダイオード上の平坦化材とする場合、屈折率が1.7以上と高いことから、光導波路の原理でフォトダイオードまで光を誘導できるため、現行のVia径をより小さく設定することが可能となり、高繊細な固体撮像素子を作製することが可能になる。
Claims (19)
- 下記式(1)で表される繰り返し単位構造を含むトリアジン環含有ハイパーブランチポリマー、有機溶媒、および少なくとも、前記ハイパーブランチポリマーの分子内および/または分子間で、トリアジン環上の窒素原子とジアミノアリール化合物由来のNH基との間で形成された水素結合を切断する溶解促進剤を前記トリアジン環含有ハイパーブランチポリマー100質量部に対して0.01〜100質量部含むことを特徴とする膜形成用組成物。
- 前記Arが、式(2)〜(18)で示される群から選ばれる少なくとも1種を表す請求項1記載の膜形成用組成物。
で示される基を表す。〕 - 前記Arが、式(5)〜(12)および(14)〜(18)で示される群から選ばれる少なくとも1種である請求項2記載の膜形成用組成物。
- 前記トリアジン環含有ハイパーブランチポリマーの少なくとも1つの末端が、アルキル基、アラルキル基、アリール基、アルキルアミノ基、アルコキシシリル基含有アルキルアミノ基、アラルキルアミノ基、アリールアミノ基、アルコキシ基、アラルキルオキシ基、アリールオキシ基、またはエステル基でキャップされている請求項1〜7のいずれか1項記載の膜形成用組成物。
- 前記トリアジン環含有ハイパーブランチポリマーが、少なくとも1つのトリアジン環末端を有し、このトリアジン環末端が、アルキル基、アラルキル基、アリール基、アルキルアミノ基、アルコキシシリル基含有アルキルアミノ基、アラルキルアミノ基、アリールアミノ基、アルコキシ基、アラルキルオキシ基、アリールオキシ基、またはエステル基でキャップされている請求項8記載の膜形成用組成物。
- 前記溶解促進剤が、水酸基、カルボニル基、カルボキシル基、アミノ基、アミド結合、ウレタン結合、および尿素結合から選ばれる1種または2種以上の基を含む化合物である請求項1〜9のいずれか1項記載の膜形成用組成物。
- 前記溶解促進剤が、水である請求項1〜9のいずれか1項記載の膜形成用組成物。
- 前記溶解促進剤が、酸である請求項1〜9のいずれか1項記載の膜形成用組成物。
- 前記溶解促進剤が、塩基である請求項1〜9のいずれか1項記載の膜形成用組成物。
- 請求項1〜13のいずれか1項記載の膜形成用組成物から得られる膜。
- 基材と、この基材上に形成された請求項14記載の膜とを備える電子デバイス。
- 基材と、この基材上に形成された請求項14記載の膜とを備える光学部材。
- 請求項14記載の膜を少なくとも1層備える、電荷結合素子または相補性金属酸化膜半導体からなる固体撮像素子。
- 請求項14記載の膜をカラーフィルター上の平坦化層として備える固体撮像素子。
- 請求項1〜13のいずれか1項記載の膜形成用組成物からなる、固体撮像素子用レンズ材料、平坦化材料または埋め込み材料。
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