JP5713684B2 - Led発光素子用複合材料基板、その製造方法及びled発光素子 - Google Patents
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- 239000002131 composite material Substances 0.000 title claims description 191
- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims description 139
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 38
- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims description 92
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 65
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 65
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 65
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 60
- 238000012545 processing Methods 0.000 claims description 33
- 230000003746 surface roughness Effects 0.000 claims description 33
- 238000000227 grinding Methods 0.000 claims description 30
- 229910000838 Al alloy Inorganic materials 0.000 claims description 28
- 238000013001 point bending Methods 0.000 claims description 28
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 28
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 21
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 claims description 19
- HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M Sodium hydroxide Chemical compound [OH-].[Na+] HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 18
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 claims description 18
- 238000005470 impregnation Methods 0.000 claims description 16
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 claims description 14
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 claims description 14
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 claims description 12
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims description 11
- 238000005242 forging Methods 0.000 claims description 11
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 claims description 10
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 9
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 claims description 9
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 claims description 9
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 claims description 9
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 claims description 9
- 229910021421 monocrystalline silicon Inorganic materials 0.000 claims description 8
- FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N Magnesium Chemical compound [Mg] FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M copper(1+);methylsulfanylmethane;bromide Chemical compound Br[Cu].CSC PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 7
- SIWVEOZUMHYXCS-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoyttriooxy)yttrium Chemical compound O=[Y]O[Y]=O SIWVEOZUMHYXCS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 claims description 6
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 6
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 239000000395 magnesium oxide Substances 0.000 claims description 5
- CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N magnesium oxide Inorganic materials [Mg]=O CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- AXZKOIWUVFPNLO-UHFFFAOYSA-N magnesium;oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[Mg+2] AXZKOIWUVFPNLO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 claims description 4
- 229910017083 AlN Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910002601 GaN Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910003465 moissanite Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 238000005304 joining Methods 0.000 claims description 2
- 239000013585 weight reducing agent Substances 0.000 claims description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims 1
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 95
- 229910003460 diamond Inorganic materials 0.000 description 38
- 239000010432 diamond Substances 0.000 description 38
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 31
- 229910018104 Ni-P Inorganic materials 0.000 description 20
- 229910018536 Ni—P Inorganic materials 0.000 description 20
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 17
- 229910002804 graphite Inorganic materials 0.000 description 17
- 239000010439 graphite Substances 0.000 description 17
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 15
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 15
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 14
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 14
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 14
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 14
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 14
- 238000000465 moulding Methods 0.000 description 12
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 12
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 11
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 11
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 9
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 9
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 8
- 230000000704 physical effect Effects 0.000 description 8
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 8
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 7
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 7
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 7
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 229910001128 Sn alloy Inorganic materials 0.000 description 6
- 238000007772 electroless plating Methods 0.000 description 6
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 6
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 6
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000012298 atmosphere Substances 0.000 description 5
- 230000017525 heat dissipation Effects 0.000 description 5
- 239000006082 mold release agent Substances 0.000 description 5
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 5
- 239000006061 abrasive grain Substances 0.000 description 4
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 4
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 4
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 description 4
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 4
- 238000009713 electroplating Methods 0.000 description 4
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 4
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 4
- 230000004580 weight loss Effects 0.000 description 4
- 229910001316 Ag alloy Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910001020 Au alloy Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052582 BN Inorganic materials 0.000 description 3
- PZNSFCLAULLKQX-UHFFFAOYSA-N Boron nitride Chemical compound N#B PZNSFCLAULLKQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N Isopropanol Chemical compound CC(C)O KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 3
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 3
- 238000002248 hydride vapour-phase epitaxy Methods 0.000 description 3
- 238000002488 metal-organic chemical vapour deposition Methods 0.000 description 3
- 229920000609 methyl cellulose Polymers 0.000 description 3
- 239000001923 methylcellulose Substances 0.000 description 3
- 235000010981 methylcellulose Nutrition 0.000 description 3
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 3
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 3
- CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N Acetone Chemical compound CC(C)=O CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N Ammonia Chemical compound N QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000012300 argon atmosphere Substances 0.000 description 2
- 239000002585 base Substances 0.000 description 2
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 2
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 2
- 238000013329 compounding Methods 0.000 description 2
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 2
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 2
- 229910001873 dinitrogen Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 239000000835 fiber Substances 0.000 description 2
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 2
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 2
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000003698 laser cutting Methods 0.000 description 2
- 239000000155 melt Substances 0.000 description 2
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 2
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 2
- 239000011812 mixed powder Substances 0.000 description 2
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 2
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000012299 nitrogen atmosphere Substances 0.000 description 2
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 2
- 238000005245 sintering Methods 0.000 description 2
- 238000003756 stirring Methods 0.000 description 2
- 239000002345 surface coating layer Substances 0.000 description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 1
- 238000010306 acid treatment Methods 0.000 description 1
- 239000003513 alkali Substances 0.000 description 1
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 1
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000012159 carrier gas Substances 0.000 description 1
- 229910010293 ceramic material Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 239000011247 coating layer Substances 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 238000004512 die casting Methods 0.000 description 1
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 1
- 238000010828 elution Methods 0.000 description 1
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 1
- UPWPDUACHOATKO-UHFFFAOYSA-K gallium trichloride Chemical compound Cl[Ga](Cl)Cl UPWPDUACHOATKO-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 1
- 150000004820 halides Chemical class 0.000 description 1
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 1
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 1
- NLYAJNPCOHFWQQ-UHFFFAOYSA-N kaolin Chemical compound O.O.O=[Al]O[Si](=O)O[Si](=O)O[Al]=O NLYAJNPCOHFWQQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000012768 molten material Substances 0.000 description 1
- 239000004570 mortar (masonry) Substances 0.000 description 1
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 1
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004663 powder metallurgy Methods 0.000 description 1
- 238000003825 pressing Methods 0.000 description 1
- 229910052761 rare earth metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002910 rare earth metals Chemical class 0.000 description 1
- RMAQACBXLXPBSY-UHFFFAOYSA-N silicic acid Chemical compound O[Si](O)(O)O RMAQACBXLXPBSY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 1
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004381 surface treatment Methods 0.000 description 1
- XCZXGTMEAKBVPV-UHFFFAOYSA-N trimethylgallium Chemical compound C[Ga](C)C XCZXGTMEAKBVPV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004506 ultrasonic cleaning Methods 0.000 description 1
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 description 1
- 239000012808 vapor phase Substances 0.000 description 1
- 239000011800 void material Substances 0.000 description 1
- 238000005303 weighing Methods 0.000 description 1
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-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B22—CASTING; POWDER METALLURGY
- B22D—CASTING OF METALS; CASTING OF OTHER SUBSTANCES BY THE SAME PROCESSES OR DEVICES
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- C22C29/00—Alloys based on carbides, oxides, nitrides, borides, or silicides, e.g. cermets, or other metal compounds, e.g. oxynitrides, sulfides
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- C22C29/12—Alloys based on carbides, oxides, nitrides, borides, or silicides, e.g. cermets, or other metal compounds, e.g. oxynitrides, sulfides based on oxides
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- C22C29/16—Alloys based on carbides, oxides, nitrides, borides, or silicides, e.g. cermets, or other metal compounds, e.g. oxynitrides, sulfides based on nitrides
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Description
また本発明の好ましい実施態様では、複合材料基板は、温度25℃の熱伝導率が100〜500W/mK、温度25℃〜150℃の線熱膨張係数が4〜9×10−6/K、3点曲げ強度が50MPa以上、体積固有抵抗が10−9〜10−5Ω・mである。また他の実施態様では、複合材料基板は、板厚が0.05mm〜0.5mmで、少なくとも一主面の表面粗さ(Ra)が0.01〜0.5μmであり、温度25℃の5規定のHCl溶液及び温度75℃の10規定のNaOH溶液にそれぞれ1分間浸漬したときの少なくとも一主面の重量減少量が0.2mg/cm2以下である。
(a)炭化珪素、窒化アルミニウム、窒化珪素、ダイヤモンド、黒鉛、酸化イットリウム及び酸化マグネシウムの中から選ばれる1種以上からなり、気孔率が10〜50体積%である多孔体を準備し、
(b)前記多孔体にアルミニウム又は純アルミニウムを含浸させ、所定の板厚、表面粗さに加工して複合材料体を形成し、
(c)前記複合材料体の表面にNi、Co、Pd、Cu、Ag、Au、Pt、Snの中から選ばれる1種以上の金属を含む金属層を、厚みが0.5〜15μmとなるように形成する
工程を具備してなる製造方法が提供される。
ここで、一実施態様では、工程(a)において、前記多孔体が50MPa以上の3点曲げ強度を有し、工程(b)において、前記アルミニウム合金又は純アルミニウムを、溶湯鍛造法にて含浸圧力30MPa以上で前記多孔体に含浸せしめる。他の実施態様では、工程(b)において、複合材料体の板厚を0.05〜0.5mmに、表面粗さ(Ra)を0.01〜0.5μmにする。他の実施態様では、工程(b)において、複合材料体の板厚を0.05〜0.5mmに、表面粗さ(Ra)を0.01〜2μmにし、工程(c)において、金属層を形成した複合材料体の片面を表面粗さ(Ra)0.01〜0.5μmに加工する。
(1)円板状又は平板状の単結晶成長基板の一主面上に、III−V族半導体結晶をエピタキシャル成長させ、
(2)前記III−V族半導体結晶の表面に金属層を介して、本発明に係る前述のLED発光素子用複合材料基板を接合し、前記単結晶成長基板をレーザー照射、エッチング、研削のいずれかの方法により除去し、
(3)前記単結晶成長基板が除去された側のIII−V族半導体結晶の表面を加工し、電極形成を行った後、切断加工する
工程を具備してなる製造方法が提供される。
ここで、一実施態様では、単結晶成長基板は、単結晶サファイア、単結晶炭化珪素、単結晶GaAs、単結晶Siからなる群から選ばれる材料製である。他の実施態様では、単結晶成長基板は、AlN、SiC、GaN、GaAsからなる群から選ばれる材料で表面コーティングされる。また一実施態様では、III−V族半導体結晶は、GaN、GaAs、GaPのいずれかである。更に本発明では、上記何れかのLED発光素子の製造方法によって製造され得るLED発光素子も開示される。
単結晶成長基板は、エピタキシャル成長させるIII−V族半導体結晶との格子定数の差が小さく、かつ欠陥の少ない材料からなるものが必要である。結晶性と均一性の点から、単結晶材料を加工して用いるのが一般的である。これらの単結晶成長基板は、III−V族半導体結晶をエピタキシャル成長させる工程における温度、雰囲気に耐えることが必要である。このため、本発明で用いる単結晶成長基板用の材料は、単結晶サファイア、単結晶炭化珪素、単結晶GaAs、単結晶Siの群から選ばれることが好ましい。更に、本発明で用いる単結晶成長基板は、AlN、SiC、GaN、GaAsの群から選ばれる材料で表面コーティングされることが好ましい。
複合材料基板に使用される複合材料の製法は、含浸法と粉末冶金法の2種に大別される。このうち、熱伝導率等の特性面から実際に商品化されているのは、含浸法によるものである。含浸法にも種々の製法があり、常圧で行う方法と、高圧下で行う方法(高圧鍛造法)がある。高圧鍛造法には、溶湯鍛造法とダイキャスト法がある。本発明に好適な方法は、高圧下で含浸を行う高圧鍛造法であり、熱伝導率等の特性に優れた緻密な複合体を得るには溶湯鍛造法が好ましい。溶湯鍛造法は、高圧容器内に、セラミックス粉末又は成形体を装填し、これにアルミニウム合金等の溶湯を高温、高圧下で含浸させて複合材料を得る方法である。
以下、本発明を実施例によって詳細に説明するが、本発明がかかる実施例によって限定されるものではない。
〈LED発光素子用複合材料基板の作製〉
炭化珪素(以下、SiCともいう)粉末A(大平洋ランダム社製、NG−60、平均粒子径200μm)1800g、炭化珪素粉末B(大平洋ランダム社製、NG−600、平均粒子径20μm)900g、炭化珪素粉末C(大平洋ランダム社製、NC−6000、平均粒子径2μm)300g、及び成形バインダー(メチルセルロース、信越化学工業社製、「メトローズ」)150gを秤取し、攪拌混合機で30分間混合した後、Φ55mm×110mmの寸法の円柱状に面圧10MPaでプレス成形した後、成形圧力100MPaでCIP成形して成形体を作製した。
図1の構造図を適宜参照して説明する。
板厚が0.5mmの単結晶サファイア基板1(成長基板)上に、アンモニアガスとトリメチルガリウムを使用し、キャリアガスとして水素と窒素の混合ガスを用いて、温度1100℃でMOCVD法により、次の(1)〜(4)のGaN単結晶2〜5を4μmの厚さに成長させた。
(1)n型GaNバッファー層 符号2
(2)n型GaN半導体層 符号3
(3)GaN活性層(発光層) 符号4
(4)p型GaN半導体層 符号5
実施例1で作製したΦ50.8mm×0.1mmtの複合材料体(無電解めっき処理前の複合材料)に条件を変えて無電解めっき処理を行い、表面に表4に示す金属層を形成した。得られた複合材料基板の特性値を表3に示す。また、めっき後の複合材料基板を、温度25℃の5規定のHCl溶液及び温度75℃の10規定のNaOH溶液に1分間浸漬し、個々の処理による単位面積当たりの重量減少量を測定した。更に、めっき後の複合材料基板を表面粗さ(Ra)を表面粗さ計で測定した。その結果を表4に示す。尚、表4中、比較例1は、金属層を形成していない複合材料体についての試験結果である。
実施例1で作製したΦ50.8mm×0.1mmtの複合材料体について、蒸着法にて表面に1μmのAu層を形成した。得られた複合材料基板の特性値を表5に示す。また、得られた複合材料基板について、実施例1と同様の評価を行った。結果を表6に示す。
実施例1で作製したΦ50.8mm×0.1mmtの複合材料体2枚を、ワックス系の接着剤にて貼り合わせ、表面を洗浄後に、無電解Ni−Pめっき処理を行い、露出表面に5μmのNi−P層を形成した。めっき処理後に、ワックス系の接着剤を除去して、一主面及び側面に金属層を付与した複合材料基板を得た。得られた複合材料基板の特性値を表5に示す。また、得られた複合材料基板について、非めっき面を耐薬品テープで被覆し、実施例1と同様の評価を行った。結果は先の表6に併せて示す。
実施例1で作製したΦ50.8mm×0.1mmtの複合材料体の一主面をめっきレジストで被覆後、表面を洗浄して無電解Ni−Pめっき処理を行い、表面に5μmのNi−P層を形成した。めっき処理後に、めっきレジストをアセトンで除去して、一主面及び側面に金属層を付与した複合材料基板を作製した。得られた複合材料基板の特性値を表5に示す。また、得られた複合材料基板について、非めっき面を耐薬品テープで被覆し、実施例1と同様の評価を行った。結果は先の表6に併せて示す。
実施例1で作製した複合材料をΦ50.8mm×0.2mmtの形状に加工した後、表面を洗浄して無電解Ni−Pめっき処理を行い、表面に3μmのNi−P層を形成した。その後、平面研削盤にてで#800のダイヤモンド砥石を用いて、板厚0.1mmに研削加工を行い、一主面及び側面に金属層を付与した複合材料基板を作製した。得られた複合材料の特性値を表5に示す。また、得られた複合材料基板について、非めっき面を耐薬品テープで被覆し、実施例1と同様の評価を行った。結果は先の表6に併せて示す。
〈LED発光素子用複合材料基板の作製〉
炭化珪素粉末D(大平洋ランダム社製、NG−80、平均粒子径:150μm)1300g、炭化珪素粉末E(屋久島電工社製、GC−1000F、平均粒子径:10μm)700g、シリカゾル(日産化学社製:スノーテックス)300gを秤取し、攪拌混合機で30分間混合した後、Φ60mm×55mmの寸法の円柱状に面圧30MPaでプレス成形して成形体を作製した。得られた成形体を、温度120℃で1時間乾燥後、窒素雰囲気下、温度1400℃で2時間焼成して、気孔率が35%のSiCプリフォームを得た。得られたSiCプリフォームを、マシニングセンターでダイヤモンド砥石を用いて、外形寸法が、Φ52mm×50mmの形状に加工した。得られたSiCプリフォームより、研削加工により3点曲げ強度測定用試験体(3mm×4mm×40mm)を作製し、3点曲げ強度を測定した。その結果、3点曲げ強度が、50MPaであった。
次に、実施例17のLED発光素子用複合材料基板を用いたLED発光素子の作製例を、図3を適宜参照しながら、記載する。
板厚が0.5mmの単結晶Si基材11上に、CVD法でSiC層(表面コーティング層)10を2μm形成して成長基板1を作製した後、アンモニアガスと塩化ガリウムを使用し、キャリアガスとして水素ガスを用いて、温度1050℃でHVPE法により、次の(1)〜(3)のGaN単結晶3〜5を4μmの厚さに成長させた。
(1)n型GaN半導体層 符号3
(2)GaN活性層(発光層) 符号4
(3)p型GaN半導体層 符号5
炭化珪素粉末A(平均粒子径:200μm)1800g、炭化珪素粉末B(平均粒子径:20μm)900g、窒化アルミニウム粉末(トクヤマ社製、Fグレード、平均粒子径:2μm)300g、及び成形バインダー(メチルセルロース)150gを秤取し、攪拌混合機で30分間混合した後、Φ55mm×110mmの寸法の円柱状に面圧10MPaでプレス成形した後、成形圧力100MPaでCIP成形して成形体を作製した。
窒化アルミニウム粉末(平均粒子径2μm)2880g、酸化イットリウム粉末(信越レア・アース社製、UUグレード、平均粒子径1μm)120g、及び成形バインダー(メチルセルロース)150g、純水150gを秤取し、攪拌混合機で30分間混合した後、Φ55mm×110mmの寸法の円柱状に面圧10MPaでプレス成形した後、成形圧力100MPaでCIP成形して成形体を作製した。
窒化珪素粉末(電気化学工業社製、NP−200、平均粒子径:1μm)2790g、酸化イットリウム粉末(平均粒子径:1μm)150g、酸化マグネシウム粉末(岩谷化学社製、MJ−30、平均粒子径:1μm)60gを秤取し、攪拌混合機で30分間混合した後、Φ55mm×10mmの寸法の円板状に面圧10MPaでプレス成形した後、成形圧力100MPaでCIP成形して成形体を作製した。
ダイヤモンド粉末A(Diamond Innovations社製、MBG−600、平均粒子径:120μm)7gとダイヤモンド粉末B(Diamond Innovations社製、MBG−600、平均粒子径:15μm)3gを、アルミナ製の乳鉢で10分間混合した後、外形寸法70mm×70mm×20mm(内径寸法Φ52.5mm×20mm)の筒状の黒鉛治具(1)に、外形寸法Φ52.4mm×9mmの黒鉛治具(2)を挿入した後、ダイヤモンドの混合粉末10gを充填し、更に、ダイヤモンドの混合粉末の上面に黒鉛治具(2)を挿入して構造体とした。次に、70mm×70mm×0.8mmtのステンレス板に黒鉛離型材を塗布して離型板を作製し、この構造体を、離型板を挟んで積層し、上下に12mm厚みの鉄板を配置して、M10のボルト8本で連結して一つの積層体とした。
100mm×100mm×0.8mmtのステンレス板に黒鉛離型材を塗布して離型板を作製し、形状100mm×100mm×100mmの等方性黒鉛成形体(東海カーボン社製G458/気孔率:13体積%)を、離型板を挟んで両側に12mm厚みの鉄板を配置して、M10のボルト8本で連結して一つの積層体とした。次に、この積層体を実施例1と同様の方法で処理して(予備加熱温度、含浸圧力は表7参照)、100mm×100mm×100mmの形状の複合材料を得た。得られた複合材料より、実施例1と同様に試験体を作製し特性評価を行った。
2 成長基板上に形成された窒化物のバッファー層
3 n型のIII−V族半導体層
4 発光層
5 p型のIII−V族半導体層
6 合金層(反射層)
7 合金層
8 複合材料基板
9 透明導電層
10 表面コーティング層
11 基材
Claims (14)
- 窒化アルミニウム、窒化珪素、酸化イットリウム及び酸化マグネシウムの中から選ばれる1種以上からなり、気孔率が10〜50体積%である多孔体にシリコンを5〜25質量%及びマグネシウムを0.3〜2.0質量%含有するアルミニウム合金を含浸し、所定の板厚、表面粗さの複合材料体に加工した後、表面にNi、Co、Pd、Cu、Ag、Pt、Snの中から選ばれる1種以上の金属を含む金属層を、厚みが0.5〜15μmとなるように形成してなるLED発光素子用複合材料基板。
- 前記複合材料体の板厚が0.05〜0.5mmで、表面粗さ(Ra)が0.01〜0.5μmとされる請求項1に記載の複合材料基板。
- 前記複合材料体の板厚が0.05〜0.5mmで、表面粗さ(Ra)が0.01〜2μmとされ、更に前記金属層の形成後の片面が表面粗さ(Ra)0.01〜0.5μmに加工されてなる請求項1に記載の複合材料基板。
- 温度25℃の熱伝導率が100〜500W/mK、温度25℃〜150℃の線熱膨張係数が4〜9×10−6/K、3点曲げ強度が50MPa以上、体積固有抵抗が10−9〜10−5Ω・mである請求項1に記載の複合材料基板。
- 板厚が0.05mm〜0.5mmで、少なくとも一主面の表面粗さ(Ra)が0.01〜0.5μmであり、温度25℃の5規定のHCl溶液及び温度75℃の10規定のNaOH溶液にそれぞれ1分間浸漬したときの少なくとも一主面の重量減少量が0.2mg/cm2以下である請求項4に記載の複合材料基板。
- LED発光素子用複合材料基板の製造方法であって、
(a)窒化アルミニウム、窒化珪素、酸化イットリウム及び酸化マグネシウムの中から選ばれる1種以上からなり、気孔率が10〜50体積%である多孔体を準備し、
(b)前記多孔体にシリコンを5〜25質量%及びマグネシウムを0.3〜2.0質量%含有するアルミニウム合金を含浸させ、所定の板厚、表面粗さに加工して複合材料体を形成し、
(c)前記複合材料体の表面にNi、Co、Pd、Cu、Ag、Pt、Snの中から選ばれる1種以上の金属を含む金属層を、厚みが0.5〜15μmとなるように形成する
工程を具備してなる製造方法。 - 工程(a)において、前記多孔体が50MPa以上の3点曲げ強度を有し、前記工程(b)において、前記アルミニウム合金を、溶湯鍛造法にて予備加熱温度700〜800℃、含浸圧力30MPa以上で前記多孔体に含浸せしめる、請求項6に記載の製造方法。
- 工程(b)において、複合材料体の板厚を0.05〜0.5mmに、表面粗さ(Ra)を0.01〜0.5μmにする請求項6に記載の製造方法。
- 工程(b)において、複合材料体の板厚を0.05〜0.5mmに、表面粗さ(Ra)を0.01〜2μmにし、
工程(c)において、金属層を形成した複合材料体の片面を表面粗さ(Ra)0.01〜0.5μmに加工する、請求項6に記載の製造方法。 - LED発光素子の製造方法であって、
(1)円板状又は平板状の単結晶成長基板の一主面上に、III−V族半導体結晶をエピタキシャル成長させ、
(2)前記III−V族半導体結晶の表面に金属層を介して、請求項1から5の何れか一項に記載のLED発光素子用複合材料基板を接合した後、前記単結晶成長基板をレーザー照射、エッチング、研削のいずれかの方法により除去し、
(3)前記単結晶成長基板が除去された側のIII−V族半導体結晶の表面を加工し、電極形成を行った後、切断加工する
工程を具備してなる製造方法。 - 単結晶成長基板が、単結晶サファイア、単結晶炭化珪素、単結晶GaAs、単結晶Siからなる群から選ばれる材料製である請求項10に記載のLED発光素子の製造方法。
- 単結晶成長基板が、AlN、SiC、GaN、GaAsからなる群から選ばれる材料で表面コーティングされる請求項10又は11に記載のLED発光素子の製造方法。
- III−V族半導体結晶が、GaN、GaAs、GaPのいずれかである請求項10から12の何れか一項に記載のLED発光素子の製造方法。
- 請求項10から13の何れか一項に記載のLED発光素子の製造方法によって得ることができるLED発光素子。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2010550532A JP5713684B2 (ja) | 2009-02-13 | 2010-02-10 | Led発光素子用複合材料基板、その製造方法及びled発光素子 |
Applications Claiming Priority (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2009031184 | 2009-02-13 | ||
JP2009031184 | 2009-02-13 | ||
JP2010550532A JP5713684B2 (ja) | 2009-02-13 | 2010-02-10 | Led発光素子用複合材料基板、その製造方法及びled発光素子 |
PCT/JP2010/051935 WO2010092972A1 (ja) | 2009-02-13 | 2010-02-10 | Led発光素子用複合材料基板、その製造方法及びled発光素子 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPWO2010092972A1 JPWO2010092972A1 (ja) | 2012-08-16 |
JP5713684B2 true JP5713684B2 (ja) | 2015-05-07 |
Family
ID=42561814
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2010550532A Active JP5713684B2 (ja) | 2009-02-13 | 2010-02-10 | Led発光素子用複合材料基板、その製造方法及びled発光素子 |
Country Status (7)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US9387532B2 (ja) |
EP (1) | EP2398081B1 (ja) |
JP (1) | JP5713684B2 (ja) |
KR (2) | KR20110134878A (ja) |
CN (1) | CN102318093B (ja) |
TW (1) | TWI526261B (ja) |
WO (1) | WO2010092972A1 (ja) |
Families Citing this family (25)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP2455991B1 (en) * | 2009-07-17 | 2017-05-10 | Denka Company Limited | Led chip assembly, led package, and manufacturing method of led package |
WO2011013754A1 (ja) * | 2009-07-31 | 2011-02-03 | 電気化学工業株式会社 | Led搭載用ウエハとその製造方法、及びそのウエハを用いたled搭載構造体 |
US9908282B2 (en) | 2010-05-25 | 2018-03-06 | Mossey Creek Technologies, Inc. | Method for producing a semiconductor using a vacuum furnace |
JP5881280B2 (ja) * | 2010-08-20 | 2016-03-09 | デンカ株式会社 | Led発光素子用保持基板の製造方法及びled発光素子の製造方法 |
US9006086B2 (en) | 2010-09-21 | 2015-04-14 | Chien-Min Sung | Stress regulated semiconductor devices and associated methods |
US8778784B2 (en) | 2010-09-21 | 2014-07-15 | Ritedia Corporation | Stress regulated semiconductor devices and associated methods |
CN102893419A (zh) * | 2010-10-29 | 2013-01-23 | 铼钻科技股份有限公司 | 应力被调节的半导体装置及其相关方法 |
JP2013012623A (ja) * | 2011-06-30 | 2013-01-17 | Denki Kagaku Kogyo Kk | Led発光素子用保持基板、その製造方法及びled発光素子 |
WO2013013138A1 (en) * | 2011-07-20 | 2013-01-24 | Mossey Creek Solar, LLC | Substrate for use in preparing solar cells |
KR20140072876A (ko) * | 2011-09-13 | 2014-06-13 | 덴끼 가가꾸 고교 가부시키가이샤 | Led 발광 소자 보유 기판용 클래드재 및 그 제조 방법 |
US9543493B2 (en) | 2011-11-22 | 2017-01-10 | Mossey Creek Technologies, Inc. | Packaging for thermoelectric subcomponents |
CN104736515B (zh) * | 2012-10-19 | 2016-08-24 | 花王株式会社 | N,n-二烷基高法呢酸酰胺的制造方法 |
US20140305478A1 (en) | 2013-04-15 | 2014-10-16 | Mossey Creek Solar, LLC | Method for Producting a Thermoelectric Material |
CN103540830B (zh) * | 2013-11-14 | 2015-08-26 | 湖南航天工业总公司 | 一种制备碳化硅和金刚石颗粒增强铝基复合材料的方法 |
EP3121847B1 (en) * | 2014-03-18 | 2019-03-06 | Denka Company Limited | Aluminium-silicon carbide composite, and power-module base plate |
JP6452969B2 (ja) * | 2014-06-25 | 2019-01-16 | デンカ株式会社 | アルミニウム−炭化珪素質複合体及びその製造方法 |
US10081055B2 (en) * | 2014-07-24 | 2018-09-25 | Denka Company Limited | Composite body and method for producing same |
CN104451238A (zh) * | 2014-12-02 | 2015-03-25 | 常熟市东涛金属复合材料有限公司 | 一种电子封装用新型高导热率金属复合材料的制备方法 |
JP6497616B2 (ja) * | 2015-03-26 | 2019-04-10 | 株式会社アライドマテリアル | ヒートスプレッダ |
CN107848902A (zh) | 2015-07-31 | 2018-03-27 | 电化株式会社 | 铝‑碳化硅质复合体及其制造方法 |
WO2019060503A2 (en) * | 2017-09-20 | 2019-03-28 | eChemion, Inc. | FABRICATION OF IMPROVED MATERIALS OF BIPOLAR METALLIC PLATE BASED ON GRAPHITE |
WO2019059381A1 (ja) * | 2017-09-22 | 2019-03-28 | 株式会社トクヤマ | Iii族窒化物単結晶基板 |
KR102437007B1 (ko) * | 2018-10-31 | 2022-08-25 | 미쓰비시 마테리알 가부시키가이샤 | 금속층 형성 탄소질 부재, 및, 열전도판 |
US20240226997A1 (en) * | 2021-05-26 | 2024-07-11 | Denka Company Limited | Production method for aluminum-diamond composite |
JP2024538022A (ja) * | 2021-10-12 | 2024-10-18 | エスエルティー テクノロジーズ インコーポレイテッド | アルミニウム含有窒化物セラミックマトリクス複合材料、その製造方法、及び使用方法 |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0361556A (ja) * | 1989-07-31 | 1991-03-18 | Ricoh Co Ltd | 光プリントヘッド |
JP2004288788A (ja) * | 2003-03-20 | 2004-10-14 | Shin Etsu Handotai Co Ltd | 発光素子及び発光素子の製造方法 |
JP2007314423A (ja) * | 2007-07-25 | 2007-12-06 | Denki Kagaku Kogyo Kk | アルミニウム−セラミックス複合体とその製造方法 |
JP2008098526A (ja) * | 2006-10-13 | 2008-04-24 | Toyoda Gosei Co Ltd | 発光素子 |
JP2008263126A (ja) * | 2007-04-13 | 2008-10-30 | Oki Data Corp | 半導体装置、該半導体装置の製造方法、ledヘッド、及び画像形成装置 |
Family Cites Families (21)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS63188938A (ja) | 1987-01-31 | 1988-08-04 | Toyoda Gosei Co Ltd | 窒化ガリウム系化合物半導体の気相成長方法 |
US5218216A (en) | 1987-01-31 | 1993-06-08 | Toyoda Gosei Co., Ltd. | Gallium nitride group semiconductor and light emitting diode comprising it and the process of producing the same |
US4988645A (en) * | 1988-12-12 | 1991-01-29 | The United States Of America As Represented By The United States Department Of Energy | Cermet materials prepared by combustion synthesis and metal infiltration |
JP2512250B2 (ja) | 1991-09-13 | 1996-07-03 | 松下電器産業株式会社 | 動画表示ワ―クステ―ション |
JPH11130568A (ja) * | 1997-10-24 | 1999-05-18 | Denki Kagaku Kogyo Kk | 複合体とそれを用いたヒートシンク |
US6649265B1 (en) * | 1998-11-11 | 2003-11-18 | Advanced Materials International Company, Ltd. | Carbon-based metal composite material, method for preparation thereof and use thereof |
JP3468358B2 (ja) * | 1998-11-12 | 2003-11-17 | 電気化学工業株式会社 | 炭化珪素質複合体及びその製造方法とそれを用いた放熱部品 |
JP3496816B2 (ja) * | 1999-06-25 | 2004-02-16 | 電気化学工業株式会社 | 金属−セラミックス複合体とそれを用いた放熱部品 |
US6485816B2 (en) * | 2000-01-31 | 2002-11-26 | Ngk Insulators, Ltd. | Laminated radiation member, power semiconductor apparatus, and method for producing the same |
US7130174B2 (en) * | 2000-11-29 | 2006-10-31 | Denki Kagaku Kogyo Kabushiki Kaisha | Integral-type ceramic circuit board and method of producing same |
AU2003246272A1 (en) * | 2002-07-09 | 2004-01-23 | Kenichiro Miyahara | Substrate for forming thin film, thin film substrate, optical wave guide, luminescent element and substrate for carrying luminescent element |
KR101007164B1 (ko) * | 2003-03-14 | 2011-01-12 | 스미토모 덴키 고교 가부시키가이샤 | 반도체 장치 |
CN100541845C (zh) | 2003-07-09 | 2009-09-16 | 日亚化学工业株式会社 | 发光器件及照明装置 |
TWI234295B (en) | 2003-10-08 | 2005-06-11 | Epistar Corp | High-efficiency nitride-based light-emitting device |
JP4244210B2 (ja) | 2004-09-08 | 2009-03-25 | 電気化学工業株式会社 | アルミニウム−セラミックス複合体及びその製造方法 |
US7256483B2 (en) | 2004-10-28 | 2007-08-14 | Philips Lumileds Lighting Company, Llc | Package-integrated thin film LED |
JP5413707B2 (ja) * | 2005-06-06 | 2014-02-12 | Dowaエレクトロニクス株式会社 | 金属−セラミック複合基板及びその製造方法 |
KR20080077094A (ko) * | 2006-01-13 | 2008-08-21 | 덴끼 가가꾸 고교 가부시키가이샤 | 알루미늄-탄화규소질 복합체 및 그것을 사용한 방열 부품 |
US9318327B2 (en) * | 2006-11-28 | 2016-04-19 | Cree, Inc. | Semiconductor devices having low threading dislocations and improved light extraction and methods of making the same |
JP5273922B2 (ja) * | 2006-12-28 | 2013-08-28 | 株式会社アライドマテリアル | 放熱部材および半導体装置 |
CN102149655B (zh) * | 2008-07-17 | 2013-10-23 | 电气化学工业株式会社 | 铝-金刚石类复合体的制备方法 |
-
2010
- 2010-02-10 CN CN201080007859.5A patent/CN102318093B/zh active Active
- 2010-02-10 KR KR1020117021088A patent/KR20110134878A/ko active Application Filing
- 2010-02-10 WO PCT/JP2010/051935 patent/WO2010092972A1/ja active Application Filing
- 2010-02-10 JP JP2010550532A patent/JP5713684B2/ja active Active
- 2010-02-10 US US13/148,712 patent/US9387532B2/en active Active
- 2010-02-10 KR KR1020167030579A patent/KR20160129920A/ko active Search and Examination
- 2010-02-10 EP EP10741249.6A patent/EP2398081B1/en active Active
- 2010-02-11 TW TW099104343A patent/TWI526261B/zh active
Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0361556A (ja) * | 1989-07-31 | 1991-03-18 | Ricoh Co Ltd | 光プリントヘッド |
JP2004288788A (ja) * | 2003-03-20 | 2004-10-14 | Shin Etsu Handotai Co Ltd | 発光素子及び発光素子の製造方法 |
JP2008098526A (ja) * | 2006-10-13 | 2008-04-24 | Toyoda Gosei Co Ltd | 発光素子 |
JP2008263126A (ja) * | 2007-04-13 | 2008-10-30 | Oki Data Corp | 半導体装置、該半導体装置の製造方法、ledヘッド、及び画像形成装置 |
JP2007314423A (ja) * | 2007-07-25 | 2007-12-06 | Denki Kagaku Kogyo Kk | アルミニウム−セラミックス複合体とその製造方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN102318093B (zh) | 2016-05-25 |
EP2398081A4 (en) | 2014-11-12 |
TWI526261B (zh) | 2016-03-21 |
CN102318093A (zh) | 2012-01-11 |
EP2398081A1 (en) | 2011-12-21 |
TW201105439A (en) | 2011-02-16 |
JPWO2010092972A1 (ja) | 2012-08-16 |
KR20160129920A (ko) | 2016-11-09 |
US20110316040A1 (en) | 2011-12-29 |
WO2010092972A1 (ja) | 2010-08-19 |
EP2398081B1 (en) | 2018-05-09 |
KR20110134878A (ko) | 2011-12-15 |
US9387532B2 (en) | 2016-07-12 |
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A131 | Notification of reasons for refusal |
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