JP5646606B2

JP5646606B2 - 抗がん剤の製造方法

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Publication number: JP5646606B2
Application number: JP2012510671A
Authority: JP
Inventors: 宣彦大原; 一博中對; 大輔間山
Original assignee: Nippon Chemical Industrial Co Ltd
Current assignee: Nippon Chemical Industrial Co Ltd
Priority date: 2010-04-14
Filing date: 2011-04-13
Publication date: 2014-12-24
Anticipated expiration: 2031-04-13
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Description

本発明は、ホスフィン遷移金属錯体を含有する抗がん剤に関する。

本出願人は先に、以下の式（１’）で表されるホスフィン遷移金属錯体を含有する抗がん剤を提案した（特許文献１参照）。式中、Ｒ¹、Ｒ²、Ｒ³、Ｒ⁴はアルキル基等である。またＭは、金、銅又は銀である。この抗がん剤は、従来用いられてきた抗がん剤であるシスプラチン等の白金製剤やタキソール（登録商標）に比較して、高い抗がん活性を有するものである。

前記のホスフィン遷移金属錯体は、不斉なリン原子を４個有するので、数多くの異性体が存在する。特許文献１には、これらの異性体の種類は特に制限されないと記載されており、リン原子上の立体が、例えば（Ｓ，Ｓ）（Ｓ，Ｓ）や、（Ｒ，Ｒ）（Ｒ，Ｒ）のように、単一のエナンチオマーから構成されていてもよく、また（Ｒ，Ｒ）（Ｓ，Ｓ）のように、配位子のラセミ体から構成されていてもよく、更に（Ｒ，Ｓ）（Ｓ，Ｒ）のように、お互いにメソ体から構成されていてもよく、（Ｒ，Ｒ）（Ｓ，Ｒ）のように、１つのエナンチオマーとそのメソ体から構成されていてもよいと記載されている。

特開２００７−３２０９０９号公報

一般に、化合物の抗がん活性と抗がんスペクトルは、その化合物の化学構造に依存し、個人によっても、その効果に差があることが知られている。例えば、上述のタキソール（登録商標）は、高活性を有する抗がん剤として知られているところ、その有効率は３０％程度である。そのため、化学構造が異なる種々の新規な抗がん剤の開発が望まれている。また、抗がん活性が高いだけでなく、毒性が低いことも抗がん剤に要求される特性である。

上述の現況に鑑み、本発明の課題は、本出願人が提案した前述の抗がん剤の改良にある。

本発明は、以下の工程ＩないしIVを有することを特徴とする以下の式（１）で表されるホスフィン遷移金属錯体を含有する抗がん剤の製造方法を提供するものである。
〔工程I〕
以下の式（４）で表される水素−ホスフィンボラン化合物と、
以下の式（５）で表される光学活性イソシアネート化合物とをカップリング反応に付して、
以下の式（６）で表されるホスフィンボラン化合物を得た後、
得られた式（６）で表されるホスフィンボラン化合物を光学分割により精製して、以下の式（６'）で表される光学活性なホスフィンボラン化合物を得る。
〔工程II〕
工程Iで得られた式（６'）で表されるホスフィンボラン化合物を分解反応に付して、
以下の式（４'）で表される光学活性な水素−ホスフィンボラン化合物を得る。
〔工程III〕
工程IIで得られた式（４'）で表される光学活性な水素−ホスフィンボラン化合物と、以下の式（７）で表される２，３−ジハロゲノピラジンとを反応させて、
以下の式（８）で表される光学活性なビス（ホスフィン−ボラン）ピラジン化合物を得た後、
前記の式（８）で表されるビス（ホスフィン−ボラン）ピラジン化合物の脱ボラン化反応を行って、以下の式（３）で表される（Ｓ，Ｓ）−２，３−ビスホスフィノピラジン誘導体を得る。
〔工程IV〕
工程IIIで得られた式（３）で表される（Ｓ，Ｓ）−２，３−ビスホスフィノピラジン誘導体と、金、銅又は銀の塩とを反応させて前記の式（１）で表されるホスフィン遷移金属錯体を得る。

本発明によれば、高い抗がん活性を有しつつ、毒性の低い抗がん剤が提供される。

本発明の抗がん剤は、前記の式（１）で表されるホスフィン遷移金属錯体を含有している。このホスフィン遷移金属錯体は、中心金属イオンＭに対して、２，３−ビスホスフィノピラジン誘導体からなる配位子が２個配位した構造を有している。２，３−ビスホスフィノピラジン誘導体においては、Ｒ¹とＲ²が異なる基であることによって、２つのリン原子がキラル中心となる。その結果、この２，３−ビスホスフィノピラジン誘導体は、立体配置の異なる（Ｒ，Ｒ）体、（Ｓ，Ｓ）体及び（Ｒ，Ｓ）体の３種類の異性体が存在する。これら３種の異性体のうち、式（１）で表されるホスフィン遷移金属錯体に含まれている配位子は、（Ｓ，Ｓ）体の２，３−ビスホスフィノピラジン誘導体である。これに対して、先に背景技術の項で述べた特許文献１に具体的に記載されているホスフィン遷移金属錯体に含まれている配位子は、（Ｒ，Ｒ）体の２，３−ビスホスフィノピラジン誘導体である。本発明者らが鋭意検討した結果、配位子として（Ｓ，Ｓ）体の２，３−ビスホスフィノピラジン誘導体を用いたホスフィン遷移金属錯体を含む抗がん剤は、特許文献１に記載の抗がん剤よりも高い抗がん活性を有し、かつ毒性が低くなることが見出された。

式（１）で表される化合物が、抗がん活性が高く、かつ毒性の低い理由については完全に明確になっていないが、抗がん剤の抗がん活性や抗がんスペクトルは、その抗がん剤の化学構造に大きく依存するためではないかと本発明者らは考えている。例えば、以下の（１ａ’）で表される化合物は、特許文献１に記載の化合物（１’）で表される化合物に包含されるものの、この化合物（１ａ’）は毒性が相対的に高いことが、本発明者らの検討の結果判明している（後述する比較例１参照）。

前記の式（１）において、Ｒ¹及びＲ²は、直鎖状若しくは分岐鎖状のアルキル基、シクロアルキル基、置換基を有するシクロアルキル基、アダマンチル基、フェニル基又は置換基を有するフェニル基を表す。Ｒ¹及びＲ²は、炭素数が１〜１０である。また、Ｒ¹及びＲ²は互いに異なる基である。更に、Ｒ¹及びＲ²は、ＲＳ法に従う順位付けにおいて、Ｒ¹はＲ²よりも優先順位が高い基である。

Ｒ¹及びＲ²に係るアルキル基としては、例えば、メチル基、エチル基、イソプロピル基、ｎ−プロピル基、イソブチル基、ｎ−ブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、イソヘプチル基、ｎ−ヘプチル基、イソヘキシル基、ｎ−ヘキシル基が挙げられる。Ｒ¹及びＲ²に係るシクロアルキル基としては、シクロペンチル基、シクロヘキシル基が挙げられる。Ｒ¹及びＲ²が置換基を有するシクロアルキル基又は置換基を有するフェニル基である場合、該置換基としては、アルキル基、ニトロ基、アミノ基、ヒドロキシル基、フルオロ基、クロロ基、ブロモ基、ヨード基等が挙げられる。特に、Ｒ¹がｔｅｒｔ−ブチル基又はアダマンチル基であり、Ｒ²がメチル基であることが、抗がん活性が高くなる点で好ましい。

Ｒ³及びＲ⁴は、水素原子又は直鎖状若しくは分岐鎖状のアルキル基を表す。Ｒ³及びＲ⁴のアルキル基は炭素数が１〜６である。Ｒ³及びＲ⁴は、同一の基であっても異なる基であってもよい。またＲ³及びＲ⁴が互いに結合して飽和又は不飽和の環を形成する場合、飽和又は不飽和の環は、置換基を有していてもよい。

Ｒ³及びＲ⁴に係るアルキル基としては、例えばエチル基、イソプロピル基、ｎ−プロピル基、イソブチル基、ｎ−ブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、イソヘプチル基、ｎ−ヘプチル基、イソヘキシル基、ｎ−ヘキシル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基等が挙げられる。

Ｒ³及びＲ⁴は、互いに結合して飽和又は不飽和の環を形成していてもよい。そのような場合、該環としては、飽和又は不飽和の五員環又は六員環が挙げられる。例えば、フェニル基、シクロヘキシル基、シクロペンチル基等が挙げられる。該環は、一価の置換基を有してもよく、その置換基としては、例えば、直鎖状又は分岐鎖状でありかつ炭素数が１〜５のアルキル基、ニトロ基、アミノ基、ヒドロキシル基、フルオロ基、クロロ基、ブロモ基、ヨード基が挙げられる。

特にＲ³及びＲ⁴は、これらが互いに結合してベンゼン環を形成していることが、抗がん活性が高くなる点で好ましい。その場合、金属Ｍに配位している配位子は、キノキサリン誘導体となり、本発明のホスフィン遷移金属錯体は以下の式（２）で表される。このキノキサリン誘導体におけるベンゼン環は、４個の水素原子のうちの少なくとも１個が、置換基Ｒ⁵によって置換されていてもよい。具体的には、Ｒ⁵として、同一の又は異なるアルキル基、ニトロ基、アミノ基、ヒドロキシル基、フルオロ基、クロロ基、ブロモ基、ヨード基等を用いることができる。

Ｍは、金、銅及び銀の群から選ばれる遷移金属原子の一価のイオンを表す。特にＭが金のイオンであることが、抗がん活性が高くなる点で好ましい。

Ｘ^-は、アニオンを表し、例えば、塩素イオン、臭素イオン、ヨウ素イオン、四フッ化ホウ素イオン、六フッ化リン酸イオン、過塩素酸イオン等が挙げられる。これらのうち、Ｘ^-が、塩素イオン、臭素イオン、ヨウ素イオンであることが、抗がん活性が高くなる点で好ましい。

次に、本発明の抗がん剤に含まれるホスフィン遷移金属錯体の好適な製造方法について説明する。このホスフィン遷移金属錯体は、以下の式（３）で表される（Ｓ，Ｓ）−２，３−ビスホスフィノピラジン誘導体と、金、銅又は銀の塩とを反応させることで得られる。式（３）で表される（Ｓ，Ｓ）−２，３−ビスホスフィノピラジン誘導体の製造方法については後述する。

式（３）で表される（Ｓ，Ｓ）−２，３−ビスホスフィノピラジン誘導体の好ましい化合物の具体例としては、（Ｓ，Ｓ）−２，３−ビス（ｔｅｒｔ−ブチルメチルホスフィノ）キノキサリン、（Ｓ，Ｓ）−２，３−ビス（アダマンチルメチルホスフィノ）キノキサリン、（Ｓ，Ｓ）−２，３−ビス（ｔｅｒｔ−ブチルメチルホスフィノ）ピラジン等が挙げられる。

式（３）で表される（Ｓ，Ｓ）−２，３−ビスホスフィノピラジン誘導体と反応する金、銅又は銀の塩は、例えば、これらの金属のハロゲン化物、硝酸塩、過塩素酸塩、四フッ化ホウ素酸塩、六フッ化リン酸塩等である。また、これらの金属の価数は、一価である。また、これらの金属の塩は、金属又はアニオンのいずれか一方又は両方が異なる２種以上の塩であってもよい。

好ましい金の塩としては、例えば、塩化金（Ｉ）酸、塩化金（Ｉ）、あるいはテトラブチルアンモニウムクロリド・塩化金（Ｉ）等(「第５版実験化学講座２１」、編者社団法人日本化学会、発行所丸善、発行日平成１６年３月３０日、ｐ３６６〜３８０、Aust.J.Chemm.,1997,50,775-778頁参照)が挙げられる。好ましい銅の遷移金属塩としては、例えば、塩化銅（Ｉ）、臭化銅（Ｉ）、ヨウ化銅（Ｉ）等（「第５版実験化学講座２１」、編者社団法人日本化学会、発行所丸善、発行日平成１６年３月３０日、ｐ３４９〜３６１）が挙げられる。また、好ましい銀の遷移金属塩としては、例えば、塩化銀（Ｉ）、臭化銀（Ｉ）、ヨウ化銀（Ｉ）等（「第５版実験化学講座２１」、編者社団法人日本化学会、発行所丸善、発行日平成１６年３月３０日、ｐ３６１〜３６６）が挙げられる。なお、本発明のホスフィン遷移金属錯体の製造方法に係る遷移金属塩は、無水物であっても含水物であってもよい。

金、銅又は銀の塩に対する、式（３）で表される（Ｓ，Ｓ）−２，３−ビスホスフィノピラジン誘導体のモル比は、金属１モルに対して好ましくは１〜５倍モル、更に好ましくは１．８〜２．２倍モルとする。反応は、アセトン、アセトニトリル、メタノール、エタノール、テトラヒドロフラン、ジクロロメタン、クロロホルム等の溶媒中で行うことができる。反応温度は好ましくは−２０〜６０℃、更に好ましくは０〜２５℃であり、反応時間は好ましくは０．５〜４８時間、更に好ましくは１〜３時間である。この反応によって、式（１）で表されるホスフィン遷移金属錯体が得られる。反応終了後は、必要に応じて常法の精製を行うことができる。

このようにして得られた式（１）で表されるホスフィン遷移金属錯体におけるアニオンを、他の所望のアニオンに変換してもよい。例えば、先ず、上述の製造方法に従い、式（１）中のＸ^-が、ハロゲン化物イオンであるホスフィン遷移金属錯体を合成し、次いで、このホスフィン遷移金属錯体と、所望のアニオンを有する無機酸、有機酸又はそれらのアルカリ金属塩とを、適切な溶媒中で反応させることにより、Ｘ^-が、所望のアニオンであるホスフィン遷移金属錯体を得ることができる。このような方法の詳細は、例えば特開平１０−１４７５９０号公報、特開平１０−１１４７８２号公報及び特開昭６１−１０５９４号公報等に記載されている。

このようにして得られたホスフィン遷移金属錯体は、抗がん剤として用いられる。本発明の抗がん剤が適用されるがんの種類は、特に限定されるものではなく、例えば、悪性黒色腫、悪性リンパ腫、消化器癌、肺癌、食道癌、胃癌、大腸癌、直腸癌、結腸癌、尿管腫瘍、胆嚢癌、胆管癌、胆道癌、乳癌、肝臓癌、膵臓癌、睾丸腫瘍、上顎癌、舌癌、口唇癌、口腔癌、咽頭癌、喉頭癌、卵巣癌、子宮癌、前立腺癌、甲状腺癌、脳腫瘍、カポジ肉腫、血管腫、白血病、真性多血症、神経芽腫、網膜芽腫、骨髄腫、膀胱腫、肉腫、骨肉腫、筋肉腫、皮膚癌、基底細胞癌、皮膚付属器癌、皮膚転移癌、皮膚黒色腫等が挙げられる。更に、悪性腫瘍ばかりでなく良性腫瘍にも適用され得る。また、本発明の抗がん剤は、がん転移を抑制するために使用されることができ、特に、術後のがん転移抑制剤としても有用である。

本発明の抗がん剤は、溶解性を向上させるため、シクロデキストリン化合物と併用して用いることができる。前記シクロデキストリン化合物としては、例えばα―シクロデキストリン、β−シクロデキストリン、γ―シクロデキストリン、メチル−β−シクロデキストリン、ジメチル−β−シクロデキストリン、トリメチル−β−シクロデキストリン、２−ヒドロキシプロピル−β―シクロデキストリン、２−ヒドロキシプロピル−α−シクロデキストリン、ジヒドロキシプロピル−β−シクロデキストリン、ヒドロキシエチル−β−シクロデキストリン、カルボキシメチル−β−シクロデキストリン、モノアセチル−β―シクロデキストリン、２−ヒドロキシプロピル−γ−シクロデキストリン、グルコシル−β−シクロデキストリン、マルトシル−α−シクロデキストリン、マルトシル−β−シクロデキストリン、パーシャリーメチル−β−シクロデキストリン、α−シクロデキストリンスルフェート、β−シクロデキストリンスルフェート等が挙がられる。

本発明の抗がん剤の使用においては、種々の形態でヒト又は動物に、本発明の抗がん剤を投与することができる。投与形態としては、経口投与でもよいし、静脈内、筋肉内、皮下又は皮内等への注射、直腸内投与、経粘膜投与等の非経口投与でもよい。経口投与に適する製剤形態としては、例えば錠剤、丸剤、顆粒剤、散剤、カプセル剤、液剤、懸濁剤、乳剤、シロップ剤などを挙げることができる。非経口投与に適する医薬組成物としては、例えば、注射剤、点滴剤、点鼻剤、噴霧剤、吸入剤、坐剤、あるいは、軟膏、クリーム、粉状塗布剤、液状塗布剤、貼付剤等の経皮吸収剤等が挙げられる。更に、本発明の抗がん剤の製剤形態として、埋め込み用ペレットや公知の技術を用いた持続性製剤が挙げられる。

上述したうち、好ましい投与形態や製剤形態等は、患者の年齢、性別、体質、症状、処置時期等に応じて、医師によって適宜選択される。

本発明の抗がん剤が、錠剤、丸剤、散剤、粉剤、顆粒剤等の固形製剤の場合、これらの固形製剤は、式（１）で表されるホスフィン遷移金属錯体を、常法に従って適当な添加剤、例えば乳糖、ショ糖、Ｄ−マンニトール、トウモロコシデンプン、合成若しくは天然ガム、結晶セルロース等の賦形剤、デンプン、ヒドロキシプロピルセルロース、ヒドロキシプロピルメチルセルロース、アラビアゴム、ゼラチン、ポリビニルピロリドン等の結合剤、カルボキシメチルセルロースカルシウム、カルボキシメチルセルロースナトリウム、デンプン、コーンスターチ、アルギン酸ナトリウム等の崩壊剤、タルク、ステアリン酸マグネシウム、ステアリン酸ナトリウム等の滑沢剤、炭酸カルシウム、炭酸ナトリウム、リン酸カルシウム、リン酸ナトリウム等の充填剤又は希釈剤等と適宜混合して製造される。錠剤等は、必要に応じて、ヒドロキシプロピルメチルセルロース、白糖、ポリエチレングリコール、酸化チタン等のコーティング剤を用いて、糖衣、ゼラチン、腸溶被覆、フイルムコーティング等が施されても良い。

本発明の抗がん剤が、注射剤、点眼剤、点鼻剤、吸入剤、噴霧剤、ローション剤、シロップ剤、液剤、懸濁剤、乳剤等の液状製剤である場合、これらの液状製剤は、式（１）で表されるホスフィン遷移金属錯体を、精製水、リン酸緩衝液等の適当な緩衝液、生理的食塩水、リンゲル溶液、ロック溶液等の生理的塩類溶液、カカオバター、ゴマ油、オリーブ油等の植物油、鉱油、高級アルコール、高級脂肪酸、エタノール等の有機溶媒等に溶解して、必要に応じてコレステロール等の乳化剤、アラビアゴム等の懸濁剤、分散助剤、浸潤剤、ポリオキシエチレン硬化ヒマシ油系、ポリエチレングリコール系等の界面活性剤、リン酸ナトリウム等の溶解補助剤、糖、糖アルコール、アルブミン等の安定化剤、パラベン等の保存剤、塩化ナトリウム、ブドウ糖、グリセリン等の等張化剤、緩衝剤、無痛化剤、吸着防止剤、保湿剤、酸化防止剤、着色剤、甘味料、フレーバー、芳香物質等を適宜添加することにより、滅菌された水溶液、非水溶液、懸濁液、リポソーム又はエマルジョン等として調製される。この際、注射剤は、生理学的なｐＨを有することが好ましく、６〜８の範囲内のｐＨを有することが特に好ましい。

本発明の抗がん剤が、ローション剤、クリーム剤、軟膏等の半固形製剤の場合、これらの半固形製剤は、前記式（１）で表されるホスフィン遷移金属錯体を脂肪、脂肪油、ラノリン、ワセリン、パラフィン、蝋、硬膏剤、樹脂、プラスチック、グリコール類、高級アルコール、グリセリン、水、乳化剤、懸濁化剤等と適宜混和することにより製造される。

本発明の抗がん剤中の式（１）で表されるホスフィン遷移金属錯体の含有量は、投与形態、重篤度や目的とする投与量などによって様々であるが、一般的には、抗がん剤の全質量に対する式（１）で表されるホスフィン遷移金属錯体の割合が、好ましくは０．００１〜８０質量％、更に好ましくは０．１〜５０質量％である。

本発明の抗がん剤の投与量は、例えば患者の年齢、性別、体重、症状及び投与経路などの条件に応じて適宜医師により決定されるものであるが、一般的には、成人一日あたりの有効成分の量として１μｇ／ｋｇから１，０００ｍｇ／ｋｇ程度の範囲であり、好ましくは１０μｇ／ｋｇから１０ｍｇ／ｋｇ程度の範囲である。この投与量の範囲内において、抗がん剤を一日一回で投与することができ、あるいは数回（例えば、２〜４回程度）に分けて投与することができる。

本発明の抗がん剤の使用においては、既知の化学療法、外科的治療法、放射線療法、温熱療法や免疫療法などと組み合わせることもできる。

最後に、先に述べた式（３）で表される（Ｓ，Ｓ）−２，３−ビスホスフィノピラジン誘導体の好適な製造方法について説明する。式（３）で表される化合物は、以下の工程Ｉ、II及びIIIを経ることによって好適に製造される。

〔工程I〕
以下の式（４）で表される水素−ホスフィンボラン化合物と、

以下の式（５）で表される光学活性イソシアネート化合物とをカップリング反応に付して、

以下の式（６）で表されるホスフィンボラン化合物を得た後、

得られた式（６）で表されるホスフィンボラン化合物を光学分割により精製して、以下の式（６’）で表される光学活性なホスフィンボラン化合物を得る。

〔工程II〕
工程Iで得られた式（６’）で表されるホスフィンボラン化合物を分解反応に付して、
以下の式（４’）で表される光学活性な水素−ホスフィンボラン化合物を得る。

〔工程III〕
工程IIで得られた式（４’）で表される光学活性な水素−ホスフィンボラン化合物と、以下の式（７）で表される２，３−ジハロゲノピラジンとを反応させて、

以下の式（８）で表される光学活性なビス（ホスフィン−ボラン）ピラジン化合物を得た後、

前記の式（８）で表されるビス（ホスフィン−ボラン）ピラジン化合物の脱ボラン化反応を行って、前記の式（３）で表される（Ｓ，Ｓ）−２，３−ビスホスフィノピラジン誘導体を得る。

以上の工程Ｉ〜工程IIIについて、以下にそれらの詳細を説明する。

（１）工程Ｉについて
工程Ｉにおいては、反応容器中で、式（４）で表される水素−ホスフィンボラン化合物と式（５）で表される光学活性イソシアネート化合物を混合し、カップリング反応を進行させる。その際、反応系に塩基を加えて反応を促進させることが好ましい。このカップリング反応により、式（６）で表されるホスフィンボラン化合物が生成する。式（４）で表される水素−ホスフィンボラン化合物としては、Ｓ体とＲ体との混合物（例えばラセミ体）を用いることができる。式（４）で表される水素−ホスフィンボラン化合物としてＳ体とＲ体との混合物を用いると、カップリング反応により生成する式（６）で表されるホスフィンボラン化合物は、Ｓｐ体とＲｐ体との混合物となる（Ｓｐ体は不斉リン原子の立体配置がＳである化合物を意味し、Ｒｐ体は不斉リン原子の立体配置がＲである化合物を意味する）。

カップリング反応時には、適宜溶媒が使用される。この溶媒としては、反応基質を分解しない溶媒が使用され、具体例としては、トルエン、ヘキサン、テトラヒドロフラン（ＴＨＦ）、ジエチルエーテル、ジオキサン、アセトン、酢酸エチル、クロロベンゼン、ジメチルホルムアミド（ＤＭＦ）、アセトニトリル、メタノール、エタノール、水等が挙げられる。好ましくはトルエン又はＴＨＦである。

反応時の溶媒の添加量は、反応時における反応混合物の流動性及び溶媒の反応に与える効果を考慮して、適宜に設定することができる。

反応時の原料の仕込み量は、式（５）で表される光学活性イソシアネート化合物を基準として、式（４）で表される水素−ホスフィンボラン化合物が好ましくは０．４〜１．５当量である。

反応時に塩基を加えると反応が促進する。塩基としては、例えばピリジン、トリエチルアミン、トリブチルアミン、１，８−ジアザビシクロ［５．４．０］ウンデセン−７（ＤＢＵ）、１，５−ジアザビシクロ［４．３．０］ノネン−５（ＤＢＮ）、４−（Ｎ，Ｎ−ジメチルアミノ）ピリジン（ＤＭＡＰ）等の有機塩基、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、炭酸ナトリウム、炭酸カリウム等の無機塩基、ｎ−ブチルリチウム、ｓｅｃ−ブチルリチウム、ｔｅｒｔ−ブチルリチウム、リチウムジイソプロピルアミド、イソプロピルマグネシウムクロリド、メチルマグネシウムブロミド等の有機金属が挙げられる。好ましい塩基はｎ−ブチルリチウムである。

塩基の仕込量は、必要とされる反応の促進の度合いに応じて適宜に設定することができる。例えば式（５）で表される光学活性イソシアネート化合物に対し、塩基を通常０．１ｍｏｌ％〜１５０ｍｏｌ％用い、好ましくは１ｍｏｌ％〜１０ｍｏｌ％用いる。原料及び塩基を仕込む順序は本製造方法において特に臨界的ではなく、作業性等に応じて任意に決定できる。

反応温度は、通常−８０〜５０℃であり、特に０〜３０℃とすることが、反応が促進されかつ副反応及びラセミ化が抑制される点から好ましい。反応時間は、通常１分〜２４時間であり、特に３０分〜４時間であれば反応が完結するのに十分であるので好ましい。

カップリング反応に用いられる式（４）で表される水素−ホスフィンボラン化合物としては、市販品を使用することができる。そのような市販品は例えば日本化学工業（株）から入手可能である。式（５）で表される光学活性イソシアネート化合物も、市販品を使用することができ、例えば東京化成工業(株)から入手可能である。

式（５）で表される光学活性イソシアネート化合物において、Ｒ⁶は、不斉炭化水素基又は置換不斉炭化水素基を示す。不斉炭化水素基としては、例えば（Ｓ）−１−フェニルエチル基、（Ｒ）−１−フェニルエチル基、（Ｓ）−１−（ｐ−トルイル）エチル基、（Ｒ）−１−（ｐ−トルイル）エチル基、（Ｓ）−１−（１−ナフチル）エチル基、（Ｒ）−１−（１−ナフチル）エチル基、（Ｓ）−１−シクロヘキシルエチル基、（Ｒ）−１−シクロヘキシルエチル基、（Ｓ）−２−（４−メチルフェニル）−１−フェニルエチル基、（Ｒ）−２−（４−メチルフェニル）−１−フェニルエチル基等が挙げられる。これらの中でも、工業的に安価に利用できる（Ｓ）−１−フェニルエチル基、（Ｒ）−１−フェニルエチル基が好ましい。

Ｒ⁶で表される置換不斉炭化水素基としては、前記の不斉炭化水素基の少なくとも１個の水素原子が炭化水素基、アルコキシ基、ハロゲン原子、アミノ基、ニトロ基、保護基を有するアミノ基等の置換基で置換された炭化水素基、又は上記不斉炭化水素基の少なくとも１個の炭素原子が酸素、窒素、硫黄、リン等のヘテロ原子で置換した基等が挙げられる。

カップリング反応後に、副生塩を除去し、光学分割によって式（６）で表されるホスフィンボラン化合物の対掌体（Ｓｐ体とＲｐ体）のうち、Ｒｐ体、すなわち式（６’）で表されるホスフィンボラン化合物を単離する。式（６’）で表されるホスフィンボラン化合物は、リン原子上又はリン原子を不斉面の一点とする不斉部分、及び光学活性カルバモイル基を有することを特徴とする、不斉点を２点有するジアステレオマーである。光学分割には、分液洗浄、晶析、蒸留、昇華、カラムクロマトグラフィー等を用いることができる。工業的な観点から好ましい光学分割の方法は晶析である。

式（６）で表されるホスフィンボラン化合物の対掌体から、式（６’）で表されるホスフィンボラン化合物を首尾よく単離するためには、Ｒ⁶で表される基を適切に選択すればよい。例えば式（６’）においてＲ¹がｔｅｒｔ−ブチル基であり、Ｒ²がメチル基である場合には、Ｒ⁶で表される基として（Ｓ）−不斉炭化水素基又は（Ｓ）−置換不斉炭化水素基を用いると、晶析によって式（６’）で表されるホスフィンボラン化合物（つまりＳｐ体）が優先的に沈殿する一方で、Ｒｐ体は溶液中にとどまったままとなるので、両者を首尾よく分離することができる。

（２）工程IIについて
工程Ｉで得られた式（６’）で表されるホスフィンボラン化合物と塩基とを反応容器中で混合し、該ホスフィンボラン化合物を分解する。分解反応促進のためにアルコールを添加することが好ましい。反応後、副生物を除去し、式（４’）で表される光学活性な水素−ホスフィンボラン化合物を得る。

反応時には適宜溶媒が使用される。この溶媒としては、反応基質を分解しない溶媒が使用され、具体例としては、トルエン、ヘキサン、テトラヒドロフラン（ＴＨＦ）、ジエチルエーテル、ジオキサン、アセトン、酢酸エチル、クロロベンゼン、ジメチルホルムアミド（ＤＭＦ）、アセトニトリル、メタノール、エタノール、水等が挙げられる。特にＤＭＦ又はアセトニトリルを用いることが好ましい。

前記の塩基としては、例えばピリジン、トリエチルアミン、トリブチルアミン、１，８−ジアザビシクロ［５．４．０］ウンデセン−７（ＤＢＵ）、１，５−ジアザビシクロ［４．３．０］ノネン−５（ＤＢＮ）、４−（Ｎ，Ｎ−ジメチルアミノ）ピリジン（ＤＭＡＰ）等の有機塩基、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、炭酸ナトリウム、炭酸カリウム等の無機塩基が挙げられる。均一系又は液−液の二相系で反応させるために、塩基は溶液として供給されることが好ましい。例えば塩基として水酸カリウムを用いる場合には、例えば１〜７０質量％の水溶液又はメタノール溶液とすることが好ましい。

塩基の仕込量は、必要とされる反応の促進の度合いに応じて適宜に設定することができる。例えば式（６’）で表されるホスフィンボラン化合物に対し、塩基を通常０．０１当量〜１０当量添加することができ、特に０．１当量〜５当量添加することが好ましい。式（６’）で表されるホスフィンボラン化合物及び塩基を仕込む順序は本製造方法において特に臨界的ではなく、作業性等に応じて任意に決定できる。

反応を促進する目的で、上述のとおりアルコールを加えることが好ましい。このアルコールとしては、例えばメタノールやエタノールを用いることができ、特にメタノールを用いることが好ましい。

反応温度は、通常−８０〜５０℃であり、特に０〜３０℃とすることが、反応が促進されかつ副反応及びラセミ化が抑制される点から好ましい。反応時間は、通常１分〜２４時間であり、特に３時間〜２０時間であれば反応が完結するのに十分であるので好ましい。

反応後、得られた生成物は、副生塩の除去のみといった簡単な精製作業の後に工程IIIに供することができる。あるいは、分液洗浄、晶析、蒸留、昇華、カラムクロマトグラフィーといった精製作業によって、式（４’）で表される光学活性な水素−ホスフィンボラン化合物のみを単離した後に、これを工程IIIに供することもできる。

（３）工程IIIについて
本工程において用いられる式（７）で表される化合物において、Ｘで表されるハロゲン原子としては、フッ素、塩素、臭素、ヨウ素が挙げられる。

式（７）で表される２，３−ジハロゲノピラジン誘導体としては、例えば市販品を使用することができる。そのような市販品としては、例えば東京化成工業(株)から入手可能な化合物である２，３−ジクロロキノキサリンが挙げられる。

工程IIIにおいて、工程IIで得られた式（４’）で表される光学活性な水素−ホスフィンボラン化合物と、式（７）で表される２，３−ジハロゲノピラジン誘導体との反応は、例えば塩基の存在下、不活性溶媒中、−７８〜３０℃で、１〜２４時間行われる。この反応により、式（８）で表されるビス（ホスフィン−ボラン）ピラジン化合物が得られる。

反応時の原料の仕込み量は、式（７）で表される２，３−ジハロゲノピラジン誘導体を基準として、式（４’）で表される光学活性な水素−ホスフィンボラン化合物が好ましくは２〜１０当量であり、更に好ましくは２〜３当量である。

本工程において用いられる前記の不活性溶媒としては、例えばテトラヒドロフラン、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、ジエチルエーテル、ジブチルエーテル、ジオキサン、ヘキサン、トルエン等が挙げられる。特にテトラヒドロフランを用いることが好ましい。反応時の不活性溶媒の添加量は、反応時における反応混合物の流動性及び溶媒の反応に与える効果を考慮して、適宜に設定することができる。

本工程において用いられる前記の塩基としては、例えばｎ−ブチルリチウム、メチルマグネシウムブロミド、ｔ−ブトキシカリウム、水酸化カリウム、水酸化ナトリム等が挙げられる。特にｎ−ブチルリチウムを用いることが好ましい。塩基の仕込量は、必要とされる反応の促進の度合いに応じて適宜に設定することができる。例えば式（７）で表される２，３−ジハロゲノピラジン誘導体に対し、塩基を通常２〜１０当量添加することができ、２〜３当量添加することが好ましい。本工程において各化合物を仕込む順序は臨界的でなく、作業性等に応じて任意に決定できる。

式（８）で表されるビス（ホスフィン−ボラン）ピラジン化合物の脱ボラン化反応は、例えば、前記反応によって得られた該ビス（ホスフィン−ボラン）ピラジン化合物を含有する反応系に、脱ボラン化剤を添加し、０〜１００℃で、１０分〜３時間行われる。この脱ボラン化反応によって、目的物である式（３）で表される光学活性な（Ｓ，Ｓ）−２，３−ビスホスフィノピラジン誘導体が得られる。

前記の脱ボラン化剤としては、例えばＮ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’，−テトラメチルエチレンジアミン（ＴＭＥＤＡ）、トリエチレンジアミン（ＤＡＢＣＯ）、トリエチルアミン等が挙げられる。特にＴＭＥＤＡを用いることが好ましい。脱ボラン化剤の仕込量は、式（８）で表されるビス（ホスフィン−ボラン）ピラジン化合物を得る際に用いた前記式（７）で表される２，３−ジハロゲノピラジン誘導体に対し、通常２〜２０当量であり、好ましくは２〜１０当量である。

脱ボラン化反応により生成した式（３）で表される光学活性な（Ｓ，Ｓ）−２，３−ビスホスフィノピラジン誘導体は、必要に応じて分液洗浄、晶析、蒸留、昇華、カラムクロマトグラフィーといった精製作業に付してもよい。

以下に実施例を挙げて本発明を具体的に説明するが、かかる実施例はあくまで例示であって、本発明の適用範囲はこれに限定されない。

すべての合成操作は、よく乾燥させたガラス容器を使って行った。反応は窒素雰囲気下で行った。原料試薬及び溶媒は、一般の試薬を使用した。ラセミのｔｅｒｔ−ブチルメチルホスフィンボランは、日本化学工業（株）製のものを使用した。

ＮＭＲスペクトル測定は、ＪＥＯＬ製（¹Ｈ；３００ＭＨｚ、¹³Ｃ；７５．４ＭＨｚ、³¹Ｐ；１２１．４ＭＨｚ）ＮＭＲ装置で行った。内部標準としてテトラメチルシラン（¹Ｈ）を使用した。比旋光度測定は、堀場製作所製比旋光度計ＳＥＰＡ−３００で行った。

〔実施例１〕
＜工程Ｉ＞（Ｓ _P ）−ｔｅｒｔ−ブチル（メチル）［Ｎ−（（Ｓ）−１−フェニルエチル）カルバモイル］ホスフィン−ボランの製造
３Ｌ四つ口フラスコに、機械撹拌シール、温度計、等圧滴下ろうと及び排気部を備えた。そこへ、ラセミ−ｔｅｒｔ−ブチルメチルホスフィンボラン１４１．８ｇ（１２０２ｍｍｏｌ）及びＴＨＦ６００ｃｃを入れ、ラセミ−ｔｅｒｔ−ブチルメチルホスフィンボランを溶解させ、１０℃以下に保持しながら１．５９ｍｏｌ／Ｌのｎ−ブチルリチウム−ヘキサン溶液７５ｃｃ（１１９ｍｍｏｌ）を滴下した。続いて、同温度にて（Ｓ）−（−）−α−メチルベンジルイソシアネート１７６．８ｇ（１２０１ｍｍｏｌ）を滴下した。その後室温に戻し、一晩撹拌熟成した。５重量％塩酸９０ｇ加えて反応を停止した後、ヘキサン２４０ｃｃ及び水２４０ｃｃを加えて２層に分画した。水層を除去し、有機層を２．５重量％重曹水２４０ｇ、続いて水２４０ｃｃで洗い、濃縮して、粗生物（白色フレーク状固体）として、一般式（３）で表されるホスフィンボラン化合物を得た（３４８．３ｇ）。粗生物を酢酸エチル２４０ｃｃ＋ヘキサン１８００ｃｃで晶析し、ろ過、乾燥して無色粉末を得た。ＮＭＲ分析により、得られた無色粉末は表題化合物と同定された。ＮＭＲ分析結果を以下に示す。また、得られた無色粉末は、収量１１８．６ｇ（４４７ｍｍｏｌ）、収率３７％（イソシアネートから）、ジアステレオマー過剰率＞９７％ｄｅであった。ジアステレオマー過剰率は、¹Ｈ−ＮＭＲのＳＰ及びＲＰの特定部プロトンの面積比から決定した。

（ＮＭＲ分析結果）
¹Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ₃）；
（Ｓ_P）−体（目的物）；−０．５−１（３Ｈ，ｍ），１．１４（９Ｈ，ｄ，１４．７Ｈｚ），１．４５（３Ｈ，ｄ，１０．５Ｈｚ），１．５３（３Ｈ，ｄ，６．９Ｈｚ），５．１５（１Ｈ，ｐｅｎｔ，６．９Ｈｚ），７．２−７．４（６Ｈ，ｍ）．
（Ｒ_P）−体；−０．５−１（３Ｈ，ｍ），１．２５（９Ｈ，ｄ，１４．７Ｈｚ），１．４２（３Ｈ，ｄ，１０．５Ｈｚ），１．５３（３Ｈ，ｄ，６．９Ｈｚ），５．１５（１Ｈ，ｐｅｎｔ，６．９Ｈｚ），７．２−７．４（６Ｈ，ｍ）．

＜工程II＞光学活性水素−ホスフィンボラン化合物〔（Ｒ）−ｔｅｒｔ−ブチルメチルホスフィン−ボラン〕の製造
２００ｃｃ四つ口フラスコに、機械撹拌シール、温度計及び排気部を備え、そこへ、工程Ｉで得られた（Ｓ_P）−ｔｅｒｔ−ブチル（メチル）［Ｎ−（（Ｓ）−１−フェニルエチル）カルバモイル］ホスフィン−ボラン１０．０３ｇ（３７．８ｍｍｏｌ）及びＤＭＦ１００ｃｃを入れ、ホスフィン−ボランを溶解させた後、氷水浴にて１０℃以下とした。ここに５０重量％水酸化カリウム水溶液２１．２６ｇ（１８９ｍｍｏｌ）とメタノール２５ｃｃを添加した。次に、氷水浴をはずして１８時間撹拌熟成した。次いで、５００ｃｃ三角フラスコに冷水１００ｃｃと石油エーテル１００ｃｃを入れ、ここに反応液を分散させることで反応を停止した。水層と有機層とを分離し、水層を石油エーテル１００ｃｃで再抽出し、先に分離した有機層と合わせた後、水５０ｃｃで２回洗い、無水硫酸ナトリウムにて乾燥した。シリカゲルカラムクロマトグラフィー（ワコーゲルＣ２００）にて精製し、無色粉末を得た。ＮＭＲ分析により、得られた無色粉末は表題化合物と同定された。ＮＭＲ分析結果を以下に示す。また、得られた無色粉末は、収量３．０１ｇ（２５．５ｍｍｏｌ）、収率６７％であった。

（ＮＭＲ分析結果）
¹Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ₃）；
−０．５−１（３Ｈ，ｍ），１．２２（９Ｈ，ｄ，１４．７Ｈｚ），１．３２（３Ｈ，ｄｄ，１０．５Ｈｚ，６．０Ｈｚ），４．４（１Ｈ，ｄｍ，３５５Ｈｚ）．

＜工程III＞（Ｓ，Ｓ）−２，３−ビス（ｔｅｒｔ−ブチルメチルホスフィノ）キノキサリンの製造
工程IIで得られた（Ｒ）−ｔｅｒｔ−ブチルメチルホスフィン−ボラン３．０１ｇ（２５．５ｍｍｏｌ）をフラスコ中で脱水ＴＨＦ２５ｃｃに溶解し、−７８℃に冷却した。ここに１．６５ｍｏｌ／Ｌのｎ−ブチルリチウム−ヘキサン溶液１５．５ｃｃ（２５．６ｍｍｏｌ）を滴下して加え、同温度で１５分撹拌熟成した。続いて２，３−ジクロロキノキサリン１，７０３ｍｇ（８．５６ｍｍｏｌ）をよく撹拌しながら一度に加えた。添加後、１時間かけて室温に戻し、３時間撹拌した。続いてテトラメチルエチレンジアミン１０．０７ｇ（８７ｍｍｏｌ）を添加し、室温（２５℃）で２時間撹拌熟成した。１Ｍ塩酸を加えて反応停止し、ヘキサンを加えて有機成分を抽出した。有機層を１Ｍ塩酸、続いて飽和食塩水で分液洗浄し、無水硫酸ナトリウム上で乾燥した。溶媒を減圧留去し、残留物をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（ヘキサン／酢酸エチル＝３０／１）で精製し、表題化合物を橙色粉末として得た。更に熱メタノールから再結晶精製して橙色立方晶の結晶を得た。収量は２，１４９ｍｇ（６．４２７ｍｍｏｌ）、収率は７５％であった。得られた表題化合物の分析結果を以下に示す。

（分析結果）
¹Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ₃）；
１．０２（１８Ｈ,ｔ，６．０Ｈｚ），１．４（６Ｈ,ｔ，３．２Ｈｚ），７．６８−７．７５（２Ｈ,ｍ），８．０７−８．１４（２Ｈ,ｍ）．
¹³Ｃ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ₃）；
４．８（ｄ），２７．６（ｔ），３１．９（ｔ），１２９．６（ｄ），１４１．６，１６５．１（ｄ），１６５．２（ｄ）．
³¹Ｐ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ₃）；
−１６．６．
比旋光度；＋５３．５°（［α］^D ₂₂（ｃ＝１，ＣＨＣｌ₃）；なお、（Ｒ，Ｒ）体は比旋光度−５４．３°であることが既知である）
融点；１０２−１０３℃

＜工程IV＞（Ｒ，Ｒ，Ｒ，Ｒ）−ビス（２，３−ビス（ｔｅｒｔ−ブチルメチルホスフィノ）キノキサリン）金（Ｉ）クロリドの合成
窒素ガスで置換した５００ｍｌ二口フラスコに、前記の方法で得られた（Ｓ，Ｓ）−２，３−ビス（ｔｅｒｔ−ブチルメチルホスフィノ）キノキサリン５．５０ｇ（１６．４ｍｍｏｌ）を一般品ＴＨＦ２２０ｍｌに溶かした。ここにテトラブチルアンモニウム金ジクロリド４．１９ｇ（８．２ｍｍｏｌ）を加え、室温で５時間撹拌した。生成した褐色沈殿をろ別し、次いでジクロロメタン４２ｍｌに溶かして水５０ｍｌで洗浄し、更に硫酸ナトリウムで乾燥した。これをろ過したのち溶液を乾固させた。この固体をジクロロメタン５０ｍｌに溶解し、ジエチルエーテル２７０ｍｌを加え、０℃にしたところ固体が析出し、（Ｒ，Ｒ，Ｒ，Ｒ）−ビス（２，３−ビス（ｔｅｒｔ−ブチルメチルホスフィノ）キノキサリン）金（Ｉ）クロリド７．２６ｇ（収率９８％）を得た。

（分析結果）
・³¹Ｐ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ₃）；１３．６
・ＨＰＬＣ（カラムスミキラルＯＡ−８０００４．６×２５０ｍｍ、移動層ヘキサン：エタノール：メタノール：トリフルオロ酢酸＝９３０：４０：３０：１、流速１．０ｍｌ／ｍｉｎ、温度３５℃、ＵＶ２５４ｎｍ、溶離時間；４９．５分

〔比較例１〕
（１）＜（Ｒ，Ｒ）−２，３−ビス（ｔｅｒｔ−ブチルメチルホスフィノ）キノキサリンの合成＞
本出願人の先の出願に係る特開２００７−５６００７号公報における実施例１の記載に従い、（Ｒ，Ｒ）−２，３−ビス（ｔｅｒｔ−ブチルメチルホスフィノ）キノキサリンを得た。

（２）＜（Ｓ，Ｓ，Ｓ，Ｓ）−ビス（２，３−ビス（ｔｅｒｔ−ブチルメチルホスフィノ）キノキサリン）金（Ｉ）クロリドの合成＞
（Ｒ，Ｒ）−２，３−ビス（ｔｅｒｔ−ブチルメチルホスフィノ）キノキサリンを用いる以外は、実施例１の工程IVと同様にして、（Ｓ，Ｓ，Ｓ，Ｓ）−ビス（２，３−ビス（ｔｅｒｔ−ブチルメチルホスフィノ）キノキサリン）金（Ｉ）クロリドを得た。この化合物は、式（１ａ’）で表される化合物に包含されるものである。
・³¹Ｐ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ₃）；１３．６
・[α]^D＝＋１９５．３（ｃ＝０．５、メタノール、２５℃）

〔評価〕
実施例及び比較例で得られたホスフィン遷移金属錯体について、ｉｎｖｉｔｒｏ抗腫瘍活性試験及びマウスに経口投与したときの毒性試験を以下の方法で行った。それらの結果を以下の表１に示す。

〔ｉｎｖｉｔｒｏ抗腫瘍活性試験〕
また、実施例及び比較例で得られたホスフィン遷移金属錯体について、in vitroの抗腫瘍活性試験を行った。具体的には、癌細胞としてＢＧＣ−８２３（ヒト胃腺癌）を使用し、１０％非働化新生仔ウシ血清、Ｌ−グルタミン、ピルビン酸ナトリウム、１×１０⁵Ｕ／Ｌペニシリン、１００ｍｇ／Ｌストレプトマイシンを補足した培地（ＲＰＭＩ−１６４０又はＤＥＭＥ）中でインキュベータ中、３７℃で培養した。細胞は１ウェルあたり２×１０⁵となるように加えた。次にジメチルスルホキシドに溶解したホスフィン遷移金属錯体溶液を加え４８時間培養した。４８時間培養した後、１ウェルあたり５ｍｇ／ｍｌの（３，[４，５−ｄｉｍｅｔｈｙｌｔｈｉａｚｏｌ−２−ｙｌ]−２，５−ｄｉｐｈｅｎｙｌｔｅｔｒａｚｏｌｉｕｍｂｒｏｍｉｄｅ、ＭＴＴ）溶液を２０μｌ加え、３〜４時間培養器で培養した。更に１ウェルあたり溶解液を１００μｌ加え生成したホルマザン結晶を完全に可溶化させた。そして、４９２ｎｍにおける吸光度を測定してＩＣ₅₀を算出した。

〔毒性試験〕
実施例及び比較例で得られたホスフィン遷移金属錯体を、マウスに静脈注射したときの毒性試験を行った。具体的には、ＫＭマウスの雄雌を約１週間検疫・馴化飼育した後、選ばれたラット雄雌各１０匹計２０匹を一群とした。投与前一晩絶食させた体重を記録したラットに、溶媒としてコーンオイルを用い、実施例及び比較例で得られたホスフィン遷移金属錯体を、ＬＤ₅₀を決定するために十分な死亡例が出る群が含まれるように設定して単回静脈注射した。投与後、１０、３０分、１、２、４時間及び以後毎日、１４日目まで観察しラットの生存率から５０％致死量（ＬＤ₅₀）を求めた。

表１に示す結果から、本発明のホスフィン遷移金属錯体を含む抗がん剤は、従来よりも抗がん活性が高く、かつ毒性の低いものであることが判る。

Claims

以下の工程ＩないしIVを有することを特徴とする以下の式（１）で表されるホスフィン遷移金属錯体を含有する抗がん剤の製造方法。
〔工程I〕
以下の式（４）で表される水素−ホスフィンボラン化合物と、
以下の式（５）で表される光学活性イソシアネート化合物とをカップリング反応に付して、
以下の式（６）で表されるホスフィンボラン化合物を得た後、
得られた式（６）で表されるホスフィンボラン化合物を光学分割により精製して、以下の式（６'）で表される光学活性なホスフィンボラン化合物を得る。
〔工程II〕
工程Iで得られた式（６'）で表されるホスフィンボラン化合物を分解反応に付して、
以下の式（４'）で表される光学活性な水素−ホスフィンボラン化合物を得る。
〔工程III〕
工程IIで得られた式（４'）で表される光学活性な水素−ホスフィンボラン化合物と、以下の式（７）で表される２，３−ジハロゲノピラジンとを反応させて、
以下の式（８）で表される光学活性なビス（ホスフィン−ボラン）ピラジン化合物を得た後、
前記の式（８）で表されるビス（ホスフィン−ボラン）ピラジン化合物の脱ボラン化反応を行って、以下の式（３）で表される（Ｓ，Ｓ）−２，３−ビスホスフィノピラジン誘導体を得る。
〔工程IV〕
工程IIIで得られた式（３）で表される（Ｓ，Ｓ）−２，３−ビスホスフィノピラジン誘導体と、金、銅又は銀の塩とを反応させて前記の式（１）で表されるホスフィン遷移金属錯体を得る。