JP5500876B2 - 光電変換装置の製造方法 - Google Patents
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Description
本発明の目的は、絶縁膜を介してイオン注入を行った場合に光電変換部における表面表域の注入プロファイルのばらつきを抑制することにある。
Claims (11)
- 半導体基板の上に第1の絶縁膜を形成する工程と、
前記第1の絶縁膜の上に導電層を形成し、前記導電層をパターニングすることにより、ゲート電極を形成する工程と、
前記第1の絶縁膜を介して第1導電型の不純物イオンを前記半導体基板に注入することにより、光電変換部における電荷蓄積領域となるべき半導体領域を形成する工程と、
前記半導体領域を形成する工程の後に、前記第1の絶縁膜のうち前記ゲート電極が上に存在する第2の部分以外の第1の部分を除去する工程と、
第1の部分を除去する工程の後に、前記半導体基板を覆うように第2の絶縁膜を形成する工程と、
前記第2の絶縁膜を介して前記第1導電型と反対導電型である第2導電型の不純物イオンを前記半導体基板に注入することにより、前記光電変換部における表面領域を形成する工程と、
を含み、
前記第2の絶縁膜は、前記半導体領域を形成する工程の実施中における前記第1の部分の厚さよりも厚い
ことを特徴とする光電変換装置の製造方法。 - 前記第2の絶縁膜は、酸化によって形成される
ことを特徴とする請求項1に記載の光電変換装置の製造方法。 - 前記酸化は、熱酸化あるいはラジカル酸化である
ことを特徴とする請求項2に記載の光電変換装置の製造方法。 - 前記第1の絶縁膜はシリコン酸化膜であり、前記第2の絶縁膜はシリコン酸化膜である
ことを特徴とする請求項1乃至3のいずれか1項に記載の光電変換装置の製造方法。 - 前記ゲート電極を形成する工程は、
前記導電層の上にマスクを形成する工程と、
前記マスクを用いて前記導電層をエッチングする工程と、
前記マスクを用いて前記第1の絶縁膜の露出した表面をエッチングして薄膜化する工程と、を含む
ことを特徴とする請求項1乃至4のいずれか1項に記載の光電変換装置の製造方法。 - 前記第2の絶縁膜は、前記第2の部分の厚さよりも薄い
ことを特徴とする請求項1乃至5のいずれか1項に記載の光電変換装置の製造方法。 - 前記第1の部分を除去する工程では、化学溶液を用いて当該除去を行う
ことを特徴とする請求項1乃至6のいずれか1項に記載の光電変換装置の製造方法。 - 前記半導体領域を形成する工程において、前記第1導電型の不純物イオンの注入は、前記電荷蓄積領域の一部が前記ゲート電極の下に配されるように、傾斜した角度で行われることを特徴とする請求項1乃至7のいずれか1項に記載の光電変換装置の製造方法。
- 前記表面領域を形成する工程において、前記第2導電型の不純物イオンの注入は、前記ゲート電極の上方から前記電荷蓄積領域に向かって、傾斜した角度で行われていることを特徴とする請求項1乃至8のいずれか1項に記載の光電変換装置の製造方法。
- 前記表面領域は、前記ゲート電極の端部から離間して形成される
ことを特徴とする請求項9に記載の光電変換装置の製造方法。 - 前記表面領域を形成する工程の後に、前記光電変換部及び前記ゲート電極の上に反射防止膜を形成する工程を含むことを特徴とする請求項1乃至10のいずれか1項に記載の光電変換装置の製造方法。
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