JP5495135B2 - 凸状パターン形成方法、露光装置及びフォトマスク - Google Patents
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Description
先ず、ステップS1においては、例えばキーボード等から成る図示省略の操作手段を操作してステージ15の移動速度V、露光開始から露光終了までのステージ15の移動距離、光源34のパワー及び発光時間、フォトマスク3の第1のマスクパターン群16の1組目の遮光パターン列21aと覗き窓33との間の距離L、カラーフィルタ基板8のピクセル9の縁部にて搬送方向(矢印A方向)に略直交する縁部の検出回数の目標値、カラーフィルタ基板8の基準位置とフォトマスク3の基準位置との間の距離の目標値等を入力してメモリ40に保存し、初期設定を行う。
3…フォトマスク
7…制御手段
8…カラーフィルタ基板
13…感光材
16…第1のマスクパターン群
17…第2のマスクパターン群
18…第3のマスクパターン群
19…第4のマスクパターン群
20…第1の遮光パターン
22…第2の遮光パターン
23…開口パターン
24…第3の遮光パターン
25…第4の遮光パターン
26…第5の遮光パターン
27…第6の遮光パターン
28…マイクロレンズ
29…第1の石英基板(透明基板)
30…第2の石英基板(別の透明基板)
32…遮光膜
46…柱状スペーサ形成部(凸状パターン形成部)
46a…高さの高い柱状スペーサ形成部
46b…高さの低い柱状スペーサ形成部
47…第1の遮光部
48…第2の遮光部
49…第3の遮光部
50…第4の遮光部
51…第5の遮光部
52…第6の遮光部
53a,53b…柱状スペーサ(凸状パターン)
L1…光源光
L2…露光光
Claims (7)
- ポジ型の感光材を塗布した基板にフォトマスクを介して露光光を照射して前記感光材を露光し、前記基板上に高さの異なる複数種の凸状パターンを形成する凸状パターン形成方法であって、
前記基板を一定速度で一方向に搬送しながら、
少なくとも、
前記基板上の前記複数種の凸状パターン形成部に対応して前記フォトマスクに形成された複数の第1の遮光パターンのうち、前記基板の搬送方向に並んだ複数の前記第1の遮光パターンにより前記凸状パターン形成部上の第1の遮光部を順次遮光して、該第1の遮光部の外側領域を所定回数だけ多重露光する段階と、
前記複数種の凸状パターン形成部のうち、所定の凸状パターン形成部の中央部に対応して前記フォトマスクに形成された第2の遮光パターンにより前記所定の凸状パターン形成部上の所定面積の第2の遮光部を遮光して、該第2の遮光部の外側領域を所定深さだけ露光すると共に、前記所定の凸状パターン形成部以外の凸状パターン形成部に対応して前記フォトマスクに形成された開口パターンを介して露光光を照射し、前記所定の凸状パターン形成部以外の凸状パターン形成部を所定深さだけ露光する段階と、
前記所定の凸状パターン形成部の中央部にて、前記フォトマスクに形成された第3の遮光パターンにより前記第2の遮光部よりも面積の広い第3の遮光部を遮光して、該第3の遮光部の外側領域を露光すると共に、前記所定の凸状パターン形成部以外の凸状パターン形成部の中央部にて、前記フォトマスクに形成された第4の遮光パターンにより遮光された所定面積の第4の遮光部の外側領域を露光する段階と、
前記基板の感光材を現像処理する段階と、
を実行することを特徴とする凸状パターン形成方法。 - ポジ型の感光材を塗布した基板を一定速度で一方向に搬送しながら、制御手段によりフォトマスクを介して前記基板に照射される露光光の照射タイミングを制御して前記感光材を露光し、前記基板上に高さの異なる複数種の凸状パターンを露光する露光装置であって、
前記制御手段は、前記基板が前記フォトマスクの下側を通過するとき、
少なくとも、
前記基板上の複数種の凸状パターン形成部に対応して前記フォトマスクに形成された複数の第1の遮光パターンのうち、前記基板の搬送方向に並んだ複数の前記第1の遮光パターンにより前記凸状パターン形成部上の第1の遮光部を順次遮光して、該第1の遮光部の外側領域を所定回数だけ多重露光させ、
前記複数種の凸状パターン形成部のうち、所定の凸状パターン形成部の中央部に対応して前記フォトマスクに形成された第2の遮光パターンにより前記所定の凸状パターン形成部上の所定面積の第2の遮光部を遮光して、該第2の遮光部の外側領域を所定深さだけ露光すると共に、前記所定の凸状パターン形成部以外の凸状パターン形成部に対応して前記フォトマスクに形成された開口パターンを介して前記所定の凸状パターン形成部以外の凸状パターン形成部を所定深さだけ露光させ、
前記所定の凸状パターン形成部の中央部にて、前記フォトマスクに形成された第3の遮光パターンにより前記第2の遮光部よりも面積の広い第3の遮光部を遮光して、該第3の遮光部の外側領域を露光すると共に、前記所定の凸状パターン形成部以外の凸状パターン形成部の中央部にて、前記フォトマスクに形成された第4の遮光パターンにより遮光された所定面積の第4の遮光部の外側領域を露光させる、
ように前記露光光の照射タイミングを制御することを特徴とする露光装置。 - ポジ型の感光材を塗布した基板を一定速度で一方向に搬送しながら、前記基板に照射される露光光の照射タイミングを制御して前記感光材を露光し、前記基板上に高さの異なる複数種の凸状パターンを形成する露光装置に使用するフォトマスクであって、
少なくとも、
前記基板上の複数種の凸状パターン形成部に対応した間隔で前記凸状パターンの横断面積に等しい面積の第1の遮光パターンを有する第1のマスクパターン群と、
前記複数種の凸状パターン形成部に対応した間隔で形成され、前記複数種の凸状パターン形成部のうち、所定の凸状パターン形成部の中央部に対応して所定面積の第2の遮光パターン、及び前記所定の凸状パターン形成部以外の凸状パターン形成部に対応する開口パターンを有する第2のマスクパターン群と、
前記複数種の凸状パターン形成部に対応した間隔で形成され、前記複数種の凸状パターン形成部のうち、前記所定の凸状パターン形成部の中央部に対応し前記第2の遮光パターンよりも面積の広い第3の遮光パターン、及び前記所定の凸状パターン形成部以外の凸状パターン形成部に対応する所定面積の第4の遮光パターンを有する第3のマスクパターン群と、
を前記基板の搬送方向に所定の間隔で透明基板に形成したことを特徴とするフォトマスク。 - 前記第1のマスクパターン群を前記透明基板の一面に形成し、前記第2及び第3のマスクパターン群を前記透明基板の他面に形成すると共に、前記透明基板の一面側にて前記第1のマスクパターン群を形成した面よりも前記透明基板の他面側に所定距離だけ後退した位置に、前記第2のマスクパターン群の前記第2の遮光パターン、前記第3のマスクパターン群の前記第3の遮光パターン及び前記開口パターンに夫々対応してマイクロレンズを形成したことを特徴とする請求項3記載のフォトマスク。
- 一面に前記第1のマスクパターン群を形成した透明基板と、一面に前記第2及び第3のマスクパターン群を形成し、他面に前記マイクロレンズを形成した別の透明基板とを、それらの他面同士を突き合わせて接合したことを特徴とする請求項4記載のフォトマスク。
- 一面に前記第1のマスクパターン群を形成した透明基板と、該透明基板よりも厚みが薄く、一面に前記第2及び第3のマスクパターン群を形成し、他面に前記マイクロレンズを形成した別の透明基板とを、それらの端面同士を突き合わせて接合したことを特徴とする請求項4記載のフォトマスク。
- 前記マイクロレンズの周りを遮光膜で遮光したことを特徴とする請求項4〜6のいずれか1項に記載のフォトマスク。
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Families Citing this family (5)
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---|---|---|---|---|
JP5376379B2 (ja) * | 2010-08-30 | 2013-12-25 | 株式会社ブイ・テクノロジー | マイクロレンズアレイを使用した露光装置及び光学部材 |
CN103858208B (zh) * | 2011-08-10 | 2016-08-24 | 株式会社V技术 | 曝光装置用的对准装置以及对准标记 |
CN103959154B (zh) * | 2011-11-30 | 2016-08-24 | 夏普株式会社 | 液晶显示装置 |
CN106873304A (zh) * | 2017-03-20 | 2017-06-20 | 京东方科技集团股份有限公司 | 形成图案的方法以及光掩模 |
US10739675B2 (en) * | 2018-05-31 | 2020-08-11 | Canon Kabushiki Kaisha | Systems and methods for detection of and compensation for malfunctioning droplet dispensing nozzles |
Citations (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS56168654A (en) * | 1980-05-30 | 1981-12-24 | Fujitsu Ltd | Photomask |
JPH06148861A (ja) * | 1992-11-13 | 1994-05-27 | Sharp Corp | フォトマスク及びその製造方法 |
JPH088164A (ja) * | 1994-06-21 | 1996-01-12 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体写真製版装置 |
JP2001201750A (ja) * | 2000-01-14 | 2001-07-27 | Fujitsu Ltd | 液晶表示装置及びその製造方法 |
JP2003075808A (ja) * | 2001-01-09 | 2003-03-12 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 液晶表示装置及びその製造方法 |
JP2004110019A (ja) * | 2002-08-30 | 2004-04-08 | Toray Ind Inc | ポジ型感光性ペースト、それを用いたパターンの形成方法およびプラズマディスプレイの製造方法 |
JP2004240136A (ja) * | 2003-02-05 | 2004-08-26 | Dainippon Printing Co Ltd | 高低パターン層形成体の製造方法 |
JP2008180896A (ja) * | 2007-01-24 | 2008-08-07 | Toppan Printing Co Ltd | 露光方法、露光装置及びカラーフィルタの製造方法 |
Family Cites Families (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6226120B1 (en) * | 1994-11-30 | 2001-05-01 | Board Of Supervisors Of Louisiana State University And Agricultural And Mechanical College | Three-dimensional microstructures, and methods for making three-dimensional microstructures |
US5753417A (en) * | 1996-06-10 | 1998-05-19 | Sharp Microelectronics Technology, Inc. | Multiple exposure masking system for forming multi-level resist profiles |
TW554221B (en) | 2001-01-09 | 2003-09-21 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Liquid crystal display device and manufacturing method thereof |
JP4771038B2 (ja) | 2001-09-13 | 2011-09-14 | ゲットナー・ファンデーション・エルエルシー | 液晶表示装置 |
JP5382899B2 (ja) * | 2005-10-25 | 2014-01-08 | 株式会社ブイ・テクノロジー | 露光装置 |
TW200728929A (en) * | 2006-01-27 | 2007-08-01 | Nanya Technology Corp | Exposure method of forming three dimensional lithographic pattern |
US8603371B2 (en) * | 2006-03-30 | 2013-12-10 | Kimoto Co., Ltd. | Method for producing surface convexes and concaves |
JP5224228B2 (ja) * | 2006-09-15 | 2013-07-03 | Nltテクノロジー株式会社 | 薬液を用いた基板処理方法 |
TWI342411B (en) * | 2007-06-11 | 2011-05-21 | Ind Tech Res Inst | Composite lens structure and method of forming the same |
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JPS56168654A (en) * | 1980-05-30 | 1981-12-24 | Fujitsu Ltd | Photomask |
JPH06148861A (ja) * | 1992-11-13 | 1994-05-27 | Sharp Corp | フォトマスク及びその製造方法 |
JPH088164A (ja) * | 1994-06-21 | 1996-01-12 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体写真製版装置 |
JP2001201750A (ja) * | 2000-01-14 | 2001-07-27 | Fujitsu Ltd | 液晶表示装置及びその製造方法 |
JP2003075808A (ja) * | 2001-01-09 | 2003-03-12 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 液晶表示装置及びその製造方法 |
JP2004110019A (ja) * | 2002-08-30 | 2004-04-08 | Toray Ind Inc | ポジ型感光性ペースト、それを用いたパターンの形成方法およびプラズマディスプレイの製造方法 |
JP2004240136A (ja) * | 2003-02-05 | 2004-08-26 | Dainippon Printing Co Ltd | 高低パターン層形成体の製造方法 |
JP2008180896A (ja) * | 2007-01-24 | 2008-08-07 | Toppan Printing Co Ltd | 露光方法、露光装置及びカラーフィルタの製造方法 |
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