JPH06148861A - フォトマスク及びその製造方法 - Google Patents
フォトマスク及びその製造方法Info
- Publication number
- JPH06148861A JPH06148861A JP30414392A JP30414392A JPH06148861A JP H06148861 A JPH06148861 A JP H06148861A JP 30414392 A JP30414392 A JP 30414392A JP 30414392 A JP30414392 A JP 30414392A JP H06148861 A JPH06148861 A JP H06148861A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- lens
- light
- photoresist
- pattern
- substrate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Micromachines (AREA)
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【構成】 光透過部分3…と光非透過部分2…を有する
光透過性のマスク基板1からなり、上記光透過部分3…
に、レンズ部4…が形成されている。 【効果】 上記光透過部分3…にレンズ部4…を形成す
ることによって光の回折を抑えることができるので、精
度良くパターンを形成することができ、さらに、光源と
して紫外線を使用することができるので、従来の露光装
置を使用することができ、より安価にパターンを形成す
ることができる。
光透過性のマスク基板1からなり、上記光透過部分3…
に、レンズ部4…が形成されている。 【効果】 上記光透過部分3…にレンズ部4…を形成す
ることによって光の回折を抑えることができるので、精
度良くパターンを形成することができ、さらに、光源と
して紫外線を使用することができるので、従来の露光装
置を使用することができ、より安価にパターンを形成す
ることができる。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、感光性材料の露光に用
いられるフォトマスクとその製造方法に関するものであ
る。
いられるフォトマスクとその製造方法に関するものであ
る。
【0002】
【従来の技術】従来、感光性材料を露光してパターンを
記録する方法が、半導体デバイス製造をはじめ多くの分
野で用いられている。そして、いわゆるマイクロマシン
と呼ばれる分野では、近年、上記露光による記録方法の
うちフォトリソグラフィー法を利用して、マイクロマシ
ンを構成する微小な構成部材を作成しようとする試みが
行われている。
記録する方法が、半導体デバイス製造をはじめ多くの分
野で用いられている。そして、いわゆるマイクロマシン
と呼ばれる分野では、近年、上記露光による記録方法の
うちフォトリソグラフィー法を利用して、マイクロマシ
ンを構成する微小な構成部材を作成しようとする試みが
行われている。
【0003】ところで、フォトリソグラフィー法を用い
て微小な構成部材を作成する方法として、例えば図7
(a)に示すように、基板36上に金属薄膜35を形成
して、さらにその上から感光性材料であるフォトレジス
ト34を厚く塗布したものに、ガラス或いは石英等の光
透過性のマスク基板31に光非透過性のパターン32が
形成されたフォトマスクを介して波長λの紫外線を照射
した後、現像を行ってフォトマスクの有するパターンに
応じた凹凸のパターンを基板36上に設け、その後、図
7(b)に示すように、フォトレジスト34によって形
成された凹部の金属薄膜35の露出した部分に、フォト
レジスト34の凸部分と同一の高さまで金属37をメッ
キし、残存したフォトレジスト34をエッチング等によ
って除去し、マイクロマシンの微小な構成部材を得るも
のがある。
て微小な構成部材を作成する方法として、例えば図7
(a)に示すように、基板36上に金属薄膜35を形成
して、さらにその上から感光性材料であるフォトレジス
ト34を厚く塗布したものに、ガラス或いは石英等の光
透過性のマスク基板31に光非透過性のパターン32が
形成されたフォトマスクを介して波長λの紫外線を照射
した後、現像を行ってフォトマスクの有するパターンに
応じた凹凸のパターンを基板36上に設け、その後、図
7(b)に示すように、フォトレジスト34によって形
成された凹部の金属薄膜35の露出した部分に、フォト
レジスト34の凸部分と同一の高さまで金属37をメッ
キし、残存したフォトレジスト34をエッチング等によ
って除去し、マイクロマシンの微小な構成部材を得るも
のがある。
【0004】上記フォトリソグラフィー法を利用すれ
ば、基板36に塗布したフォトレジスト34の厚みと同
じ厚みの金属からなる構造体を形成することができるの
で、フォトレジスト34が塗布される厚みに応じて金属
37の厚みを容易に変えることができる。また、露光す
る光源として紫外線を使用しているので、従来から用い
られている露光装置を利用することができ、特別な露光
装置を作成する必要がなく、より安価にマイクロマシン
の微小構成部材を作製することができる。
ば、基板36に塗布したフォトレジスト34の厚みと同
じ厚みの金属からなる構造体を形成することができるの
で、フォトレジスト34が塗布される厚みに応じて金属
37の厚みを容易に変えることができる。また、露光す
る光源として紫外線を使用しているので、従来から用い
られている露光装置を利用することができ、特別な露光
装置を作成する必要がなく、より安価にマイクロマシン
の微小構成部材を作製することができる。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】ところが、上記フォト
リソグラフィー法では、露光の際に光がパターンの縁で
回折され、フォトレジスト34上でぼやけたパターン像
を形成し、また、フォトレジスト34が厚い場合には光
の回折の影響が顕著となるので、フォトレジスト34上
でフォトマスク上のパターンを正確に転写することがで
きない。
リソグラフィー法では、露光の際に光がパターンの縁で
回折され、フォトレジスト34上でぼやけたパターン像
を形成し、また、フォトレジスト34が厚い場合には光
の回折の影響が顕著となるので、フォトレジスト34上
でフォトマスク上のパターンを正確に転写することがで
きない。
【0006】このため、例えば厚み500μm、幅50
μm程度のマイクロマシンの微小金属構成部材を形成す
る場合には、照射光の回折によりフォトレジスト34上
のパターン像がぼやけたものとなり、フォトマスク上の
パターンを正確に転写することができず、結果として、
微小金属構成部材の成形精度を低下させるという問題が
生じている。
μm程度のマイクロマシンの微小金属構成部材を形成す
る場合には、照射光の回折によりフォトレジスト34上
のパターン像がぼやけたものとなり、フォトマスク上の
パターンを正確に転写することができず、結果として、
微小金属構成部材の成形精度を低下させるという問題が
生じている。
【0007】また、光の回折を無くして厚いフォトレジ
スト34に正確にパターンを形成するために、光源とし
てSOR(Sincrotron Orbital Radiation) から発生す
る平行X線ビームを用いる方法があるが、SOR装置は
極めて大きく、高価である。
スト34に正確にパターンを形成するために、光源とし
てSOR(Sincrotron Orbital Radiation) から発生す
る平行X線ビームを用いる方法があるが、SOR装置は
極めて大きく、高価である。
【0008】そこで、本発明は、上記問題点に鑑みなさ
れたものであって、その目的は、厚いフォトレジストに
パターンを正確に且つ安価に形成することができるよう
なフォトマスク及びその製造方法を提供することにあ
る。
れたものであって、その目的は、厚いフォトレジストに
パターンを正確に且つ安価に形成することができるよう
なフォトマスク及びその製造方法を提供することにあ
る。
【0009】
【課題を解決するための手段】請求項1記載のフォトマ
スクは、光透過部分と光非透過部分を有する光透過性の
基板からなり、上記光透過部分が、凸レンズ機能を有し
ていることを特徴とするものである。
スクは、光透過部分と光非透過部分を有する光透過性の
基板からなり、上記光透過部分が、凸レンズ機能を有し
ていることを特徴とするものである。
【0010】請求項2記載のフォトマスク製造方法は、
請求項1記載のフォトマスクを製造する方法であって、
光透過性のマスク基板にフォトレジストを塗布する工程
と、上記フォトレジストを露光、現像により所望のフォ
トレジストパターンを形成する工程と、ベーキングを行
って上記フォトレジストパターンをレンズ状の断面形状
に形成する工程と、このレンズ状の断面形状のフォトレ
ジストと上記マスク基板とをドライエッチングし、マス
ク基板にレンズ形状を形成する工程と、このマスク基板
に金属薄膜を形成する工程と、上記レンズ形状に形成さ
れた部分の金属薄膜のみを除去する工程とを含むもので
ある。
請求項1記載のフォトマスクを製造する方法であって、
光透過性のマスク基板にフォトレジストを塗布する工程
と、上記フォトレジストを露光、現像により所望のフォ
トレジストパターンを形成する工程と、ベーキングを行
って上記フォトレジストパターンをレンズ状の断面形状
に形成する工程と、このレンズ状の断面形状のフォトレ
ジストと上記マスク基板とをドライエッチングし、マス
ク基板にレンズ形状を形成する工程と、このマスク基板
に金属薄膜を形成する工程と、上記レンズ形状に形成さ
れた部分の金属薄膜のみを除去する工程とを含むもので
ある。
【0011】請求項3記載のフォトマスク製造方法は、
請求項1記載のフォトマスクを製造する方法であって、
光透過性のマスク基板にフォトレジストを塗布する工程
と、上記フォトレジストを露光、現像を行って上記マス
ク基板全面に微小な円板のフォトレジストパターンを形
成する工程と、ベーキングを行って上記フォトレジスト
パターンをレンズ状の断面形状に形成する工程と、この
レンズ状の断面形状のフォトレジストと上記基板とをド
ライエッチングし、マスク基板全面に複数の微小レンズ
形状を形成する工程と、上記マスク基板上に金属薄膜を
形成する工程と、上記微小レンズ形状の一個を一単位と
して所望するマスクパターンを形成するように金属薄膜
を除去する工程とを含むものである。
請求項1記載のフォトマスクを製造する方法であって、
光透過性のマスク基板にフォトレジストを塗布する工程
と、上記フォトレジストを露光、現像を行って上記マス
ク基板全面に微小な円板のフォトレジストパターンを形
成する工程と、ベーキングを行って上記フォトレジスト
パターンをレンズ状の断面形状に形成する工程と、この
レンズ状の断面形状のフォトレジストと上記基板とをド
ライエッチングし、マスク基板全面に複数の微小レンズ
形状を形成する工程と、上記マスク基板上に金属薄膜を
形成する工程と、上記微小レンズ形状の一個を一単位と
して所望するマスクパターンを形成するように金属薄膜
を除去する工程とを含むものである。
【0012】
【作用】請求項1記載の構成によれば、光透過部分が凸
レンズ機能を有することによって、光の回折を抑えるこ
とができるので、フォトレジストに正確なフォトマスク
のパターンを転写することができる。また、光透過部分
からの光の焦点を適当にずらすことによって、少なくと
もスポット直径から光透過部分の直径の範囲でフォトレ
ジストに転写するパターンの幅を任意の大きさに変える
こができるので、厚さの厚いフォトレジストに対しても
精度良くパターンを形成することができる。さらに、光
の回折を抑えることができることから、光源として、従
来からの例えば紫外線を使用することができるので、露
光装置も従来のものを使用することができる。従って、
正確に且つ安価にフォトレジストにパターンを形成する
ことができる。
レンズ機能を有することによって、光の回折を抑えるこ
とができるので、フォトレジストに正確なフォトマスク
のパターンを転写することができる。また、光透過部分
からの光の焦点を適当にずらすことによって、少なくと
もスポット直径から光透過部分の直径の範囲でフォトレ
ジストに転写するパターンの幅を任意の大きさに変える
こができるので、厚さの厚いフォトレジストに対しても
精度良くパターンを形成することができる。さらに、光
の回折を抑えることができることから、光源として、従
来からの例えば紫外線を使用することができるので、露
光装置も従来のものを使用することができる。従って、
正確に且つ安価にフォトレジストにパターンを形成する
ことができる。
【0013】請求項2記載の構成によれば、フォトマス
クを製造する場合、マスク基板とレンズ状の断面を有す
るフォトレジストパターンとに対して、フォトレジスト
が完全に除去されるまでドライエッチングを行うことに
よってマスク基板にレンズ形状を形成することができる
ので、マスク基板上にレンズ形状を形成するための複雑
な工程を必要とせず簡単にレンズ形状を形成することが
できる。また、レンズ形状の形成されたマスク基板に金
属薄膜を形成した後、レンズ形状部分のみ金属薄膜を除
去することによって、レンズ形状部分を光透過部分、他
の部分を光非透過部分とすることができるので、簡単に
レンズ機能を有するフォトマスクを製造することができ
る。
クを製造する場合、マスク基板とレンズ状の断面を有す
るフォトレジストパターンとに対して、フォトレジスト
が完全に除去されるまでドライエッチングを行うことに
よってマスク基板にレンズ形状を形成することができる
ので、マスク基板上にレンズ形状を形成するための複雑
な工程を必要とせず簡単にレンズ形状を形成することが
できる。また、レンズ形状の形成されたマスク基板に金
属薄膜を形成した後、レンズ形状部分のみ金属薄膜を除
去することによって、レンズ形状部分を光透過部分、他
の部分を光非透過部分とすることができるので、簡単に
レンズ機能を有するフォトマスクを製造することができ
る。
【0014】請求項3記載の構成によれば、フォトマス
クを製造する場合、マスク基板とレンズ状の断面を有す
るフォトレジストパターンとに対して、フォトレジスト
が完全に除去されるまでドライエッチングを行うことに
よってマスク基板にレンズ形状を形成することができる
ので、レンズ形状を形成するための複雑な工程を必要と
せず簡単にレンズ形状を形成することができる。また、
レンズ形状の形成された基板に金属薄膜を形成した後、
基板上に形成されたレンズ形状を一単位として、所望す
るパターンが得られるように金属薄膜を除去して光透過
部分を形成するとき、この光透過部分が微小レンズ形状
の一個を一単位としてパターンが形成されるので、光透
過部分をレンズとして作用させることができる。さら
に、マスク基板全面に複数のレンズ形状が形成された後
に所望するパターンを形成しているので、レンズ形状を
形成するためのマスタフォトマスクが一種類で済み、フ
ォトマスク上に所望のパターンを形成するためのマスタ
フォトマスク数を軽減することができ、また、予め全面
に複数のレンズ形状が形成されたマスク基板を複数作製
することによって、必要に応じてその都度フォトマスク
のパターンを容易に形成することができる。従って、レ
ンズ機能を有するフォトマスクをより安価に且つ簡単に
製造することができる。
クを製造する場合、マスク基板とレンズ状の断面を有す
るフォトレジストパターンとに対して、フォトレジスト
が完全に除去されるまでドライエッチングを行うことに
よってマスク基板にレンズ形状を形成することができる
ので、レンズ形状を形成するための複雑な工程を必要と
せず簡単にレンズ形状を形成することができる。また、
レンズ形状の形成された基板に金属薄膜を形成した後、
基板上に形成されたレンズ形状を一単位として、所望す
るパターンが得られるように金属薄膜を除去して光透過
部分を形成するとき、この光透過部分が微小レンズ形状
の一個を一単位としてパターンが形成されるので、光透
過部分をレンズとして作用させることができる。さら
に、マスク基板全面に複数のレンズ形状が形成された後
に所望するパターンを形成しているので、レンズ形状を
形成するためのマスタフォトマスクが一種類で済み、フ
ォトマスク上に所望のパターンを形成するためのマスタ
フォトマスク数を軽減することができ、また、予め全面
に複数のレンズ形状が形成されたマスク基板を複数作製
することによって、必要に応じてその都度フォトマスク
のパターンを容易に形成することができる。従って、レ
ンズ機能を有するフォトマスクをより安価に且つ簡単に
製造することができる。
【0015】
【実施例】本発明の一実施例について図1ないし図6に
基づいて説明すれば、以下の通りである。
基づいて説明すれば、以下の通りである。
【0016】本実施例に係るフォトマスクは、図1に示
すように、光透過性の、例えばガラス、石英等からなる
マスク基板1の表面に、光非透過部分2…、光透過部分
3…が設けられている。
すように、光透過性の、例えばガラス、石英等からなる
マスク基板1の表面に、光非透過部分2…、光透過部分
3…が設けられている。
【0017】上記光非透過部分2…は、例えばマイクロ
マシンの構成部材の設計パターン図を基に作成されたパ
ターンをマスク基板1上に形成したものである。
マシンの構成部材の設計パターン図を基に作成されたパ
ターンをマスク基板1上に形成したものである。
【0018】また、上記光透過性部分3…には、この光
透過性部分3の大きさとほぼ同じ大きさの直径を有する
微小な凸状のレンズ形状としてのレンズ部4…が形成さ
れており、上記フォトマスクに光を照射した場合、上記
光透過部分3…を通過した光のみが、レンズ部4…によ
って基板6上に塗布された感光性材料としてのフォトレ
ジスト5に収束されるようになっている。
透過性部分3の大きさとほぼ同じ大きさの直径を有する
微小な凸状のレンズ形状としてのレンズ部4…が形成さ
れており、上記フォトマスクに光を照射した場合、上記
光透過部分3…を通過した光のみが、レンズ部4…によ
って基板6上に塗布された感光性材料としてのフォトレ
ジスト5に収束されるようになっている。
【0019】ここで、上記レンズ部4…の特性について
図1を参照しながら以下に説明する。
図1を参照しながら以下に説明する。
【0020】先ず、レンズ部4の焦点距離をF、レンズ
直径をR、露光に用いる光の波長をλとすると、結像し
てできるスポット直径rは、 r/2≒λ/(R/F)・・・・・・・・ で表される。また、この時点の焦点深度Dは、 D/2≒λ/(R/F)2 ・・・・・・・ て表される。
直径をR、露光に用いる光の波長をλとすると、結像し
てできるスポット直径rは、 r/2≒λ/(R/F)・・・・・・・・ で表される。また、この時点の焦点深度Dは、 D/2≒λ/(R/F)2 ・・・・・・・ て表される。
【0021】次に、上記の、式を用い、露光に用い
る光の波長λを0.4μmとして、様々な焦点距離F、
レンズ直径R、波長λの組み合わせからスポット直径r
及び焦点深度Dを求めた結果を表1に示す。
る光の波長λを0.4μmとして、様々な焦点距離F、
レンズ直径R、波長λの組み合わせからスポット直径r
及び焦点深度Dを求めた結果を表1に示す。
【0022】
【表1】
【0023】上記表1から、例えば焦点距離Fが550
μm、レンズ直径Rが50μmの場合、スポット直径r
は8.8μmとなり、焦点深度Dは400μmとなるの
で、厚さが約400μmのフォトレジスト5に最大50
μm、最小8.8μmの幅でパターンを形成することが
できる。また、上記のような微小なパターンが必要ない
ときは、基板6を上記レンズ部4…の焦点からずらすこ
とによって大きいパターンを得ることができる。従っ
て、上記表1に示されているような特性を有するレンズ
部4…を光透過部分3…に形成することによって、所望
する厚み及び幅を有する微細なパターンを精度良くフォ
トレジスト5に転写できるようになっている。但し、パ
ターンの幅は、レンズ直径からスポット直径までの範囲
内に限られる。
μm、レンズ直径Rが50μmの場合、スポット直径r
は8.8μmとなり、焦点深度Dは400μmとなるの
で、厚さが約400μmのフォトレジスト5に最大50
μm、最小8.8μmの幅でパターンを形成することが
できる。また、上記のような微小なパターンが必要ない
ときは、基板6を上記レンズ部4…の焦点からずらすこ
とによって大きいパターンを得ることができる。従っ
て、上記表1に示されているような特性を有するレンズ
部4…を光透過部分3…に形成することによって、所望
する厚み及び幅を有する微細なパターンを精度良くフォ
トレジスト5に転写できるようになっている。但し、パ
ターンの幅は、レンズ直径からスポット直径までの範囲
内に限られる。
【0024】尚、上記パターンの幅、つまり、図1に示
すように、光透過部分3…の幅と凸状のレンズ部4の直
径Rとは、ほぼ同じ大きさで形成されているが、これに
限定されることなく、例えば図3(a)・(b)に示す
ように、基板13に形成された金属薄膜からなる光非透
過部分9…の間の光透過部分10に、かまぼこ型のレン
ズ部11…を複数設けた場合においても、図1に示すレ
ンズ部4…と同一機能を有することが可能であり、ま
た、図4(a)・(b)に示すように、上記光透過部分
10に小さな凸状のレンズ12…を複数設けた場合にお
いても、図1に示すレンズ部4…と同一機能を有するこ
とが可能である。但し、上記光透過部分10に小さな凸
状のレンズ12…を複数設けた場合においては、パター
ンの光透過部分10にレンズ12の全体が露出するよう
にする必要がある。
すように、光透過部分3…の幅と凸状のレンズ部4の直
径Rとは、ほぼ同じ大きさで形成されているが、これに
限定されることなく、例えば図3(a)・(b)に示す
ように、基板13に形成された金属薄膜からなる光非透
過部分9…の間の光透過部分10に、かまぼこ型のレン
ズ部11…を複数設けた場合においても、図1に示すレ
ンズ部4…と同一機能を有することが可能であり、ま
た、図4(a)・(b)に示すように、上記光透過部分
10に小さな凸状のレンズ12…を複数設けた場合にお
いても、図1に示すレンズ部4…と同一機能を有するこ
とが可能である。但し、上記光透過部分10に小さな凸
状のレンズ12…を複数設けた場合においては、パター
ンの光透過部分10にレンズ12の全体が露出するよう
にする必要がある。
【0025】ここで、上記フォトマスクの製造方法の一
例について図2を参照しながら以下に説明する〔製造方
法1〕。
例について図2を参照しながら以下に説明する〔製造方
法1〕。
【0026】先ず、図2(a)に示すように、フォトレ
ジストが塗布し易いようにウェハ前処理の施された、例
えばガラス或いは石英等からなる光透過性の基板1の表
面に、ポジ型のフォトレジスト7を均一に塗布する。
尚、このフォトレジストとして本実施例では、100℃
〜130℃で変形するシプレー社のAZ1400を使用
しているが、特に限定はしないものとする。
ジストが塗布し易いようにウェハ前処理の施された、例
えばガラス或いは石英等からなる光透過性の基板1の表
面に、ポジ型のフォトレジスト7を均一に塗布する。
尚、このフォトレジストとして本実施例では、100℃
〜130℃で変形するシプレー社のAZ1400を使用
しているが、特に限定はしないものとする。
【0027】次に、図2(b)に示すように、予めCA
D手法等によって、要求されるパターンが形成されたマ
スタフォトマスクを使用して露光した後、現像を行い、
基板1上にフォトレジスト7の凹凸のパターンを形成す
る。
D手法等によって、要求されるパターンが形成されたマ
スタフォトマスクを使用して露光した後、現像を行い、
基板1上にフォトレジスト7の凹凸のパターンを形成す
る。
【0028】次いで、図2(c)に示すように、110
〜130℃でベーキングを行い、上記凹凸状のパターン
のフォトレジスト7がレンズ状の断面形状を有するよう
に成形する。
〜130℃でベーキングを行い、上記凹凸状のパターン
のフォトレジスト7がレンズ状の断面形状を有するよう
に成形する。
【0029】そして、図2(d)に示すように、上記レ
ンズ状のフォトレジスト7を有する基板1をCF4 、C
HF3 等のガスによってフォトレジスト7が無くなるま
でドライエッチングを行い、基板1上に凸状のレンズ部
4…を形成する。
ンズ状のフォトレジスト7を有する基板1をCF4 、C
HF3 等のガスによってフォトレジスト7が無くなるま
でドライエッチングを行い、基板1上に凸状のレンズ部
4…を形成する。
【0030】さらに、図2(e)に示すように、基板1
のレンズ部4…形成側に、上記レンズ部4…の形状に沿
って、例えばCr、Ta、Al、Ni、もしくはこれら
の合金の金属薄膜2を蒸着もしくはスパッタ法等によっ
て形成する。
のレンズ部4…形成側に、上記レンズ部4…の形状に沿
って、例えばCr、Ta、Al、Ni、もしくはこれら
の合金の金属薄膜2を蒸着もしくはスパッタ法等によっ
て形成する。
【0031】そして、上記金属薄膜2の形成された基板
1上に、図2(f)に示すように、さらにフォトレジス
ト8が塗布され、レンズ部4…に対応する部分のみフォ
トレジスト8が除去されるように、露光した後、現像が
行われる。
1上に、図2(f)に示すように、さらにフォトレジス
ト8が塗布され、レンズ部4…に対応する部分のみフォ
トレジスト8が除去されるように、露光した後、現像が
行われる。
【0032】次いで、図2(g)に示すように、レンズ
部4…に対応する部分のフォトレジスト8が除去された
後、露出した金属薄膜2に対して、硝酸、硫酸、弗酸、
塩酸、もしくはこれらの混合液によってウェットエッチ
ングを行い、基板1上に凸状のレンズ部4…を露出させ
る。さらに、CF4 、CHF3 等のガスによって残存し
たフォトレジスト8が無くなるまでドライエッチングが
行われ、図2(h)に示すように、パターンを形成する
金属薄膜が光非透過部分2…を形成し、凸状のレンズ部
4…が光透過部分3…を形成しているフォトマスクが製
造される。
部4…に対応する部分のフォトレジスト8が除去された
後、露出した金属薄膜2に対して、硝酸、硫酸、弗酸、
塩酸、もしくはこれらの混合液によってウェットエッチ
ングを行い、基板1上に凸状のレンズ部4…を露出させ
る。さらに、CF4 、CHF3 等のガスによって残存し
たフォトレジスト8が無くなるまでドライエッチングが
行われ、図2(h)に示すように、パターンを形成する
金属薄膜が光非透過部分2…を形成し、凸状のレンズ部
4…が光透過部分3…を形成しているフォトマスクが製
造される。
【0033】また、上記フォトマスクの製造方法の他の
例について、図5を参照しながら以下に説明する。説明
の便宜上、図1と同じ部材番号を有する部材は同一のも
のとみなし、その説明は省略する〔製造方法2〕。
例について、図5を参照しながら以下に説明する。説明
の便宜上、図1と同じ部材番号を有する部材は同一のも
のとみなし、その説明は省略する〔製造方法2〕。
【0034】先ず、ガラス、石英等からなる光透過性の
基板1にフォトレジスト(図示せず)を塗布し、図5
(a)に示すように、前述の表1におけるレンズ部の設
計指針に基づいて設計されたレンズ部4…が基板1全面
に形成されるように、複数の円形パターンが形成された
マスタフォトマスクを使用して露光を行った後、現像を
行う。そして、現像の後、基板1全面に形成された凹凸
パターンの凸部分である複数の円形パターンを凸レンズ
状に成形する為に、ベーキングが行われる。尚、ここで
使用されるフォトレジストは、前記のフォトマスクの製
造に使用されたものと同じく100℃〜130℃で変形
するシプレー社のAZ1400を使用しているが、特に
限定はしないものとする。その後、フォトレジストによ
って基板1上に形成された複数の凸状のレンズ部4…に
対応するレンズ部が形成され、CF4 、CHF3 等のガ
スによってフォトレジストが無くなるまでドライエッチ
ングを行い、基板1上に複数の凸状のレンズ部4…を形
成する。
基板1にフォトレジスト(図示せず)を塗布し、図5
(a)に示すように、前述の表1におけるレンズ部の設
計指針に基づいて設計されたレンズ部4…が基板1全面
に形成されるように、複数の円形パターンが形成された
マスタフォトマスクを使用して露光を行った後、現像を
行う。そして、現像の後、基板1全面に形成された凹凸
パターンの凸部分である複数の円形パターンを凸レンズ
状に成形する為に、ベーキングが行われる。尚、ここで
使用されるフォトレジストは、前記のフォトマスクの製
造に使用されたものと同じく100℃〜130℃で変形
するシプレー社のAZ1400を使用しているが、特に
限定はしないものとする。その後、フォトレジストによ
って基板1上に形成された複数の凸状のレンズ部4…に
対応するレンズ部が形成され、CF4 、CHF3 等のガ
スによってフォトレジストが無くなるまでドライエッチ
ングを行い、基板1上に複数の凸状のレンズ部4…を形
成する。
【0035】次に、凸状のレンズ部4…が形成された基
板1全面に、上記レンズ部4…の形状に沿って、例えば
Cr、Ta、Al、Ni、もしくはこれらの合金の金属
薄膜を蒸着もしくはスパッタ法等によって形成する。さ
らに、基板1上に、フォトレジストが塗布され、所望す
るパターンを有するフォトマスクを使用して露光して、
現像した後、この露光、現像された部分の金属薄膜が露
出する。そして、この露出した金属薄膜に対応して、硝
酸、硫酸、弗酸、塩酸、もしくはこれらの混合液によっ
てウェットエッチングを行い、基板1上に凸状のレンズ
部4…を露出させる。その後、CF4 、CHF3 等のガ
スによって残存したフォトレジストが無くなり、金属薄
膜が露出するまでドライエッチングを行い、図5(b)
に示すような上記金属薄膜からなる光非透過部分2…が
形成されたフォトマスクが製造される。
板1全面に、上記レンズ部4…の形状に沿って、例えば
Cr、Ta、Al、Ni、もしくはこれらの合金の金属
薄膜を蒸着もしくはスパッタ法等によって形成する。さ
らに、基板1上に、フォトレジストが塗布され、所望す
るパターンを有するフォトマスクを使用して露光して、
現像した後、この露光、現像された部分の金属薄膜が露
出する。そして、この露出した金属薄膜に対応して、硝
酸、硫酸、弗酸、塩酸、もしくはこれらの混合液によっ
てウェットエッチングを行い、基板1上に凸状のレンズ
部4…を露出させる。その後、CF4 、CHF3 等のガ
スによって残存したフォトレジストが無くなり、金属薄
膜が露出するまでドライエッチングを行い、図5(b)
に示すような上記金属薄膜からなる光非透過部分2…が
形成されたフォトマスクが製造される。
【0036】但し、上記製造方法2では、基板1全面に
複数のレンズ部4…が予め形成されているので、レンズ
として作用させるには、パターンにおいて少なくとも一
個のレンズ部4を一単位として光透過部分を形成する必
要がある。
複数のレンズ部4…が予め形成されているので、レンズ
として作用させるには、パターンにおいて少なくとも一
個のレンズ部4を一単位として光透過部分を形成する必
要がある。
【0037】以上のことから、本実施例におけるフォト
マスクによるパターン形成を利用したマイクロマシン等
の微細機械における構成部材の作成について、図1を参
照しながら以下に説明する。
マスクによるパターン形成を利用したマイクロマシン等
の微細機械における構成部材の作成について、図1を参
照しながら以下に説明する。
【0038】先ず、表面にフォトレジスト5が塗布され
た金属からなる基板6上に、要求されたパターンを有す
るフォトマスクを配設する。その後、例えば紫外線を照
射する露光装置によって、上記フォトマスクを介してフ
ォトレジスト5が露光される。露光された部分は、現像
剤によって溶融されるので、基板6上にはフォトレジス
ト5によってフォトマスクに形成されたパターンに応じ
た凹凸パターンが形成される。
た金属からなる基板6上に、要求されたパターンを有す
るフォトマスクを配設する。その後、例えば紫外線を照
射する露光装置によって、上記フォトマスクを介してフ
ォトレジスト5が露光される。露光された部分は、現像
剤によって溶融されるので、基板6上にはフォトレジス
ト5によってフォトマスクに形成されたパターンに応じ
た凹凸パターンが形成される。
【0039】次に、基板6上に形成された凹部に、フォ
トレジスト5の塗布厚と同じ厚みになるまで金属によっ
てメッキした後、ドライエッチングによってフォトレジ
ストを取り除き、金属からなる構造体を得る。
トレジスト5の塗布厚と同じ厚みになるまで金属によっ
てメッキした後、ドライエッチングによってフォトレジ
ストを取り除き、金属からなる構造体を得る。
【0040】以上のように、フォトリソグラフィー法等
によって微細なパターンを形成する場合、フォトマスク
の光透過部分3…に凸レンズの機能を有するレンズ部4
…が形成されていることで、光の回折を抑え、照射光を
フォトレジスト5に収束させることができるので、フォ
トレジストの厚みに関係なく所望するパターンを正確に
転写することができる。また、光の回折を抑えることが
できるので、光源としてSOR(Sincrotoron Orbital
Radiation)から発生する平行X線ビームを用いる必要が
なく、紫外線等を使用することができるので、従来の露
光装置を使用することができ、安価にしかも正確にパタ
ーンを形成することができる。
によって微細なパターンを形成する場合、フォトマスク
の光透過部分3…に凸レンズの機能を有するレンズ部4
…が形成されていることで、光の回折を抑え、照射光を
フォトレジスト5に収束させることができるので、フォ
トレジストの厚みに関係なく所望するパターンを正確に
転写することができる。また、光の回折を抑えることが
できるので、光源としてSOR(Sincrotoron Orbital
Radiation)から発生する平行X線ビームを用いる必要が
なく、紫外線等を使用することができるので、従来の露
光装置を使用することができ、安価にしかも正確にパタ
ーンを形成することができる。
【0041】一方、フォトマスクを製造する方法とし
て、〔製造方法1〕では、図2に示すように、基板1と
レンズ状の断面を有するフォトレジストパターンとに対
して、フォトレジスト7が完全に除去されるまでドライ
エッチングを行うことによって基板1にレンズ部4…を
形成することができるので、レンズ部4…を形成するた
めの複雑な工程を必要とせず簡単にレンズ部4…を形成
することができる。また、レンズ部4…の形成された基
板1に金属薄膜を形成した後、レンズ部4…のみ金属薄
膜を除去することによって、レンズ部を光透過部分、他
の部分を光非透過部分とすることができるので、簡単に
レンズ機能を有するフォトマスクを製造することができ
る。
て、〔製造方法1〕では、図2に示すように、基板1と
レンズ状の断面を有するフォトレジストパターンとに対
して、フォトレジスト7が完全に除去されるまでドライ
エッチングを行うことによって基板1にレンズ部4…を
形成することができるので、レンズ部4…を形成するた
めの複雑な工程を必要とせず簡単にレンズ部4…を形成
することができる。また、レンズ部4…の形成された基
板1に金属薄膜を形成した後、レンズ部4…のみ金属薄
膜を除去することによって、レンズ部を光透過部分、他
の部分を光非透過部分とすることができるので、簡単に
レンズ機能を有するフォトマスクを製造することができ
る。
【0042】また、フォトマスクを製造する方法とし
て、〔製造方法2〕では、図5に示すように、レンズ部
4…の形成された基板1に金属薄膜を形成した後、基板
1上に形成されたレンズ部4の1個を一単位として、所
望するパターンが得られるように金属薄膜を除去すると
き、金属薄膜が除去された部分を光透過部分とすること
ができると共に、この光透過部分3…にはレンズ部4…
の少なくとも一単位が含まれるように形成されているの
で、光透過部分3…をレンズとして作用させることがで
きる。さらに、基板1全面に複数のレンズ部4…が形成
された後、所望するパターンを形成しているので、レン
ズ部4…を形成するためのマスタフォトマスクが1種類
で済み、パターンを形成するための必要なマスタフォト
マスク数を軽減することができ、また、予めマスク基板
全面に複数のレンズ部が形成された基板を複数作製する
ことによって、必要に応じてパターンを形成することが
できる。従って、レンズ機能を有するフォトマスクをよ
り安価に且つ簡単に製造することができる。
て、〔製造方法2〕では、図5に示すように、レンズ部
4…の形成された基板1に金属薄膜を形成した後、基板
1上に形成されたレンズ部4の1個を一単位として、所
望するパターンが得られるように金属薄膜を除去すると
き、金属薄膜が除去された部分を光透過部分とすること
ができると共に、この光透過部分3…にはレンズ部4…
の少なくとも一単位が含まれるように形成されているの
で、光透過部分3…をレンズとして作用させることがで
きる。さらに、基板1全面に複数のレンズ部4…が形成
された後、所望するパターンを形成しているので、レン
ズ部4…を形成するためのマスタフォトマスクが1種類
で済み、パターンを形成するための必要なマスタフォト
マスク数を軽減することができ、また、予めマスク基板
全面に複数のレンズ部が形成された基板を複数作製する
ことによって、必要に応じてパターンを形成することが
できる。従って、レンズ機能を有するフォトマスクをよ
り安価に且つ簡単に製造することができる。
【0043】尚、本実施例では、フォトマスクの光透過
部分に突出した凸状のレンズ部を設けているが、これに
限定することなく、フォトマスクの光透過部分に凸レン
ズ機能を有するものとして、例えば、図6に示すよう
に、光透過部分23…と光非透過部分22…とを有する
透明マスク基板21のうち上記光透過部分23…に、前
述した式、を用いて凸レンズ機能を有するように屈
折率の分布24…をそれぞれ形成することによって、光
透過部分23…において凸レンズとして作用させている
ものがあり、この場合においても上記実施例における光
透過部分3…に形成された凸状のレンズ部4…と同様の
作用効果を得ることができる。
部分に突出した凸状のレンズ部を設けているが、これに
限定することなく、フォトマスクの光透過部分に凸レン
ズ機能を有するものとして、例えば、図6に示すよう
に、光透過部分23…と光非透過部分22…とを有する
透明マスク基板21のうち上記光透過部分23…に、前
述した式、を用いて凸レンズ機能を有するように屈
折率の分布24…をそれぞれ形成することによって、光
透過部分23…において凸レンズとして作用させている
ものがあり、この場合においても上記実施例における光
透過部分3…に形成された凸状のレンズ部4…と同様の
作用効果を得ることができる。
【0044】
【発明の効果】請求項1ののフォトマスクは、以上のよ
うに、光透過部分と光非透過部分を有する光透過性の基
板からなり、上記光透過部分が、凸レンズ機能を有して
いることを特徴とする構成である。
うに、光透過部分と光非透過部分を有する光透過性の基
板からなり、上記光透過部分が、凸レンズ機能を有して
いることを特徴とする構成である。
【0045】それゆえ、光透過部分が凸レンズ機能を有
することで、光の回折を抑えることができるので、塗布
されたフォトレジストが厚い場合であっても精度良くパ
ターンを形成することができ、さらに、光源として紫外
線を使用することができるので、従来の露光装置を使用
することができ、より安価にパターンを形成することが
できるという効果を奏する。
することで、光の回折を抑えることができるので、塗布
されたフォトレジストが厚い場合であっても精度良くパ
ターンを形成することができ、さらに、光源として紫外
線を使用することができるので、従来の露光装置を使用
することができ、より安価にパターンを形成することが
できるという効果を奏する。
【0046】請求項2記載のフォトマスク製造方法は、
以上のように、光透過性のマスク基板にフォトレジスト
を塗布する工程と、上記フォトレジストを露光、現像に
より所望のフォトレジストパターンを形成する工程と、
ベーキングを行って上記フォトレジストパターンをレン
ズ状の断面形状に形成する工程と、このレンズ状の断面
形状のフォトレジストと上記マスク基板とをドライエッ
チングし、マスク基板にレンズ形状を形成する工程と、
このマスク基板に金属薄膜を形成する工程と、上記レン
ズ形状に形成された部分の金属薄膜のみを除去する工程
とを含むことを特徴とする構成である。
以上のように、光透過性のマスク基板にフォトレジスト
を塗布する工程と、上記フォトレジストを露光、現像に
より所望のフォトレジストパターンを形成する工程と、
ベーキングを行って上記フォトレジストパターンをレン
ズ状の断面形状に形成する工程と、このレンズ状の断面
形状のフォトレジストと上記マスク基板とをドライエッ
チングし、マスク基板にレンズ形状を形成する工程と、
このマスク基板に金属薄膜を形成する工程と、上記レン
ズ形状に形成された部分の金属薄膜のみを除去する工程
とを含むことを特徴とする構成である。
【0047】それゆえ、ドライエッチングによって一体
的にマスク基板とフォトレジストとを処理することによ
って基板にレンズ部が形成されるので、マスク基板にレ
ンズ形状を形成する機構を別に設ける必要がなく、ま
た、必要な箇所についてレンズ形状を容易に形成するこ
とができ、結果として、凸レンズ機能を有しているフォ
トマスクを簡単に製造することができるという効果を奏
する。
的にマスク基板とフォトレジストとを処理することによ
って基板にレンズ部が形成されるので、マスク基板にレ
ンズ形状を形成する機構を別に設ける必要がなく、ま
た、必要な箇所についてレンズ形状を容易に形成するこ
とができ、結果として、凸レンズ機能を有しているフォ
トマスクを簡単に製造することができるという効果を奏
する。
【0048】請求項3記載のフォトマスク製造方法は、
以上のように、光透過性のマスク基板にフォトレジスト
を塗布する工程と、上記フォトレジストを露光、現像を
行って上記マスク基板全面に微小な円板のフォトレジス
トパターンを形成する工程と、ベーキングを行って上記
フォトレジストパターンをレンズ状の断面形状に形成す
る工程と、このレンズ状の断面形状のフォトレジストと
上記基板とをドライエッチングし、マスク基板全面に複
数の微小レンズ形状を形成する工程と、上記マスク基板
上に金属薄膜を形成する工程と、上記微小レンズ形状の
一個を一単位として所望するマスクパターンを形成する
ように金属薄膜を除去する工程とを含むことを特徴とす
る構成である。
以上のように、光透過性のマスク基板にフォトレジスト
を塗布する工程と、上記フォトレジストを露光、現像を
行って上記マスク基板全面に微小な円板のフォトレジス
トパターンを形成する工程と、ベーキングを行って上記
フォトレジストパターンをレンズ状の断面形状に形成す
る工程と、このレンズ状の断面形状のフォトレジストと
上記基板とをドライエッチングし、マスク基板全面に複
数の微小レンズ形状を形成する工程と、上記マスク基板
上に金属薄膜を形成する工程と、上記微小レンズ形状の
一個を一単位として所望するマスクパターンを形成する
ように金属薄膜を除去する工程とを含むことを特徴とす
る構成である。
【0049】それゆえ、請求項2の効果に加えて、マス
ク基板全面に複数のレンズ形状を形成することによっ
て、予め複数の微小レンズ形状が全面に形成されたマス
ク基板を複数設けることができるので、その都度必要な
パターンを有するフォトマスクを簡単に製造することが
でき、また、マスク基板にレンズ形状を形成するための
マスタフォトマスクが一種類で済むので、パターンを形
成する際の全体のマスタフォトマスクの種類を軽減する
ことができ、フォトマスクの製造費を安価なものとする
ことができるという効果を奏する。
ク基板全面に複数のレンズ形状を形成することによっ
て、予め複数の微小レンズ形状が全面に形成されたマス
ク基板を複数設けることができるので、その都度必要な
パターンを有するフォトマスクを簡単に製造することが
でき、また、マスク基板にレンズ形状を形成するための
マスタフォトマスクが一種類で済むので、パターンを形
成する際の全体のマスタフォトマスクの種類を軽減する
ことができ、フォトマスクの製造費を安価なものとする
ことができるという効果を奏する。
【図1】本発明の一実施例におけるフォトマスクによる
露光作用を示す説明図である。
露光作用を示す説明図である。
【図2】図1のフォトマスクの作成手順を示したもので
あり、同図(a)は、透明マスク基板にフォトレジスト
を塗布した状態を示す説明図であり、同図(b)は、フ
ォトレジストのパターンが現像された状態を示す説明図
であり、同図(c)は、パターンに形成されたフォトレ
ジストがベーキングによってレンズ状に形成された状態
を示す説明図であり、同図(d)は、ドライエッチング
によってマスク基板上にレンズ部が形成された状態を示
す説明図であり、同図(e)は、レンズ部が形成された
マスク基板表面に金属薄膜を形成した状態を示す説明図
であり、同図(f)は、上記金属薄膜の上にフォトレジ
ストを塗布した状態を示す説明図であり、同図(g)
は、レンズ部のみのフォトレジストを除去した状態を示
す説明図であり、同図(h)は、レンズ部の金属薄膜を
取り除いた状態を示す説明図である。
あり、同図(a)は、透明マスク基板にフォトレジスト
を塗布した状態を示す説明図であり、同図(b)は、フ
ォトレジストのパターンが現像された状態を示す説明図
であり、同図(c)は、パターンに形成されたフォトレ
ジストがベーキングによってレンズ状に形成された状態
を示す説明図であり、同図(d)は、ドライエッチング
によってマスク基板上にレンズ部が形成された状態を示
す説明図であり、同図(e)は、レンズ部が形成された
マスク基板表面に金属薄膜を形成した状態を示す説明図
であり、同図(f)は、上記金属薄膜の上にフォトレジ
ストを塗布した状態を示す説明図であり、同図(g)
は、レンズ部のみのフォトレジストを除去した状態を示
す説明図であり、同図(h)は、レンズ部の金属薄膜を
取り除いた状態を示す説明図である。
【図3】本発明の他の実施例におけるフォトマスクを示
すものであって、同図(a)は平面図であり、同図
(b)はA−A矢視断面図である。
すものであって、同図(a)は平面図であり、同図
(b)はA−A矢視断面図である。
【図4】本発明のさらに他の実施例におけるフォトマス
クを示すものであって、同図(a)は平面図であり、同
図(b)はB−B矢視断面図である。
クを示すものであって、同図(a)は平面図であり、同
図(b)はB−B矢視断面図である。
【図5】本発明の他の実施例におけるフォトマスクの作
成方法を示すものであって、同図(a)は、マスク基板
の全面にフォトレジストの円形パターンが形成された状
態を示す平面図であり、同図(b)は、上記マスク基板
においてパターンとレンズ部が形成された状態を示す平
面図である。
成方法を示すものであって、同図(a)は、マスク基板
の全面にフォトレジストの円形パターンが形成された状
態を示す平面図であり、同図(b)は、上記マスク基板
においてパターンとレンズ部が形成された状態を示す平
面図である。
【図6】本発明のさらに他の実施例におけるフォトマス
クを示す構成図である。
クを示す構成図である。
【図7】従来のフォトマスクによるパターン形成を示す
ものであって、同図(a)は、フォトマスクによってフ
ォトレジストにパターンを形成している状態を示す説明
図であり、同図(b)は、上記で形成されたパターンに
金属がメッキされた状態を示す説明図である。
ものであって、同図(a)は、フォトマスクによってフ
ォトレジストにパターンを形成している状態を示す説明
図であり、同図(b)は、上記で形成されたパターンに
金属がメッキされた状態を示す説明図である。
1 マスク基板 2 光非透過部分 3 光透過部分 4 レンズ部(レンズ形状) 5 フォトレジスト 21 マスク基板 22 光非透過部分 23 光透過部分 24 屈折率分布
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 石井 頼成 大阪府大阪市阿倍野区長池町22番22号 シ ャープ株式会社内 (72)発明者 太田 賢司 大阪府大阪市阿倍野区長池町22番22号 シ ャープ株式会社内
Claims (3)
- 【請求項1】光透過性部分と光非透過性部分を有する光
透過性の基板からなるフォトマスクであって、 上記光透過性部分が、凸レンズ機能を有していることを
特徴とするフォトマスク。 - 【請求項2】光透過性のマスク基板にフォトレジストを
塗布する工程と、上記フォトレジストを露光、現像によ
り所望のフォトレジストパターンを形成する工程と、ベ
ーキングを行って上記フォトレジストパターンをレンズ
状の断面形状に形成する工程と、このレンズ状の断面形
状のフォトレジストと上記マスク基板とをドライエッチ
ングし、マスク基板にレンズ形状を形成する工程と、こ
のマスク基板に金属薄膜を形成する工程と、上記レンズ
形状に形成された部分の金属薄膜のみを除去する工程と
を含むことを特徴とするフォトマスク製造方法。 - 【請求項3】光透過性のマスク基板にフォトレジストを
塗布する工程と、上記フォトレジストを露光、現像を行
って上記マスク基板全面に微小な円板のフォトレジスト
パターンを形成する工程と、ベーキングを行って上記フ
ォトレジストパターンをレンズ状の断面形状に形成する
工程と、このレンズ状の断面形状のフォトレジストと上
記基板とをドライエッチングし、マスク基板全面に複数
の微小レンズ形状を形成する工程と、上記マスク基板上
に金属薄膜を形成する工程と、上記微小レンズ形状の一
つが一単位として所望するマスクパターンを形成するよ
うに金属薄膜を除去する工程とを含むことを特徴とする
フォトマスク製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP30414392A JPH06148861A (ja) | 1992-11-13 | 1992-11-13 | フォトマスク及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP30414392A JPH06148861A (ja) | 1992-11-13 | 1992-11-13 | フォトマスク及びその製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH06148861A true JPH06148861A (ja) | 1994-05-27 |
Family
ID=17929568
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP30414392A Pending JPH06148861A (ja) | 1992-11-13 | 1992-11-13 | フォトマスク及びその製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH06148861A (ja) |
Cited By (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0815848A (ja) * | 1994-06-27 | 1996-01-19 | Nec Kyushu Ltd | フォトレチクル |
JP2008181077A (ja) * | 2007-01-24 | 2008-08-07 | Sharp Corp | マイクロレンズを成形するための多段式のリソグラフィを用いたグレイスケールレチクルの製造方法 |
JP2009116268A (ja) * | 2007-11-09 | 2009-05-28 | V Technology Co Ltd | フォトマスク及びそれを使用した凸状パターン形成方法 |
JP2009277900A (ja) * | 2008-05-15 | 2009-11-26 | V Technology Co Ltd | 露光装置及びフォトマスク |
WO2010047362A1 (ja) * | 2008-10-24 | 2010-04-29 | 株式会社ブイ・テクノロジー | 露光装置及びフォトマスク |
WO2010070988A1 (ja) * | 2008-12-16 | 2010-06-24 | 株式会社ブイ・テクノロジー | 凸状パターン形成方法、露光装置及びフォトマスク |
WO2011052060A1 (ja) * | 2009-10-29 | 2011-05-05 | 株式会社ブイ・テクノロジー | 露光装置及びフォトマスク |
WO2011058634A1 (ja) * | 2009-11-12 | 2011-05-19 | 株式会社ブイ・テクノロジー | 露光装置及びそれに使用するフォトマスク |
-
1992
- 1992-11-13 JP JP30414392A patent/JPH06148861A/ja active Pending
Cited By (15)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0815848A (ja) * | 1994-06-27 | 1996-01-19 | Nec Kyushu Ltd | フォトレチクル |
JP2008181077A (ja) * | 2007-01-24 | 2008-08-07 | Sharp Corp | マイクロレンズを成形するための多段式のリソグラフィを用いたグレイスケールレチクルの製造方法 |
JP2009116268A (ja) * | 2007-11-09 | 2009-05-28 | V Technology Co Ltd | フォトマスク及びそれを使用した凸状パターン形成方法 |
JP2009277900A (ja) * | 2008-05-15 | 2009-11-26 | V Technology Co Ltd | 露光装置及びフォトマスク |
US8854600B2 (en) | 2008-10-24 | 2014-10-07 | V Technology Co., Ltd. | Exposure apparatus and photomask |
WO2010047362A1 (ja) * | 2008-10-24 | 2010-04-29 | 株式会社ブイ・テクノロジー | 露光装置及びフォトマスク |
JP2010102149A (ja) * | 2008-10-24 | 2010-05-06 | V Technology Co Ltd | 露光装置及びフォトマスク |
WO2010070988A1 (ja) * | 2008-12-16 | 2010-06-24 | 株式会社ブイ・テクノロジー | 凸状パターン形成方法、露光装置及びフォトマスク |
KR20110103422A (ko) * | 2008-12-16 | 2011-09-20 | 브이 테크놀로지 씨오. 엘티디 | 볼록 형상 패턴 형성 방법, 노광 장치 및 포토마스크 |
CN102246100A (zh) * | 2008-12-16 | 2011-11-16 | 株式会社V技术 | 凸起状图案形成方法、曝光装置和光掩模 |
US8293434B2 (en) | 2008-12-16 | 2012-10-23 | V Technology Co., Ltd. | Method for forming convex pattern, exposure apparatus and photomask |
JP5495135B2 (ja) * | 2008-12-16 | 2014-05-21 | 株式会社ブイ・テクノロジー | 凸状パターン形成方法、露光装置及びフォトマスク |
WO2011052060A1 (ja) * | 2009-10-29 | 2011-05-05 | 株式会社ブイ・テクノロジー | 露光装置及びフォトマスク |
WO2011058634A1 (ja) * | 2009-11-12 | 2011-05-19 | 株式会社ブイ・テクノロジー | 露光装置及びそれに使用するフォトマスク |
US9030646B2 (en) | 2009-11-12 | 2015-05-12 | V Technology Co., Ltd. | Exposure apparatus and photomask used therein |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP2011199321A (ja) | リソグラフ方法 | |
JP2003515256A (ja) | 変形照明による位相境界マスクを使用する結像方法 | |
JPH075675A (ja) | マスク及びその製造方法 | |
KR100297081B1 (ko) | 위상전이마스크 | |
US20130040242A1 (en) | Method and system for exposure of a phase shift mask | |
JP4613364B2 (ja) | レジストパタン形成方法 | |
JP2001042114A (ja) | 光学素子の製造方法 | |
JP2000199968A (ja) | 多層レジスト構造およびこれを用いた3次元微細構造の作製方法 | |
US6495297B1 (en) | Type mask for combining off axis illumination and attenuating phase shifting mask patterns | |
JPH06148861A (ja) | フォトマスク及びその製造方法 | |
JPH0142134B2 (ja) | ||
KR100475083B1 (ko) | 미세한 콘택홀 어레이를 위한 포토마스크, 그 제조방법 및사용방법 | |
JPH11143047A (ja) | フォトマスク及びその製造方法 | |
US5533634A (en) | Quantum chromeless lithography | |
JP3321194B2 (ja) | フォトマスク | |
JP2001074921A (ja) | 二次元位相素子及びその作製方法 | |
JPH0821908A (ja) | 光学素子の製造方法 | |
JPS6249094B2 (ja) | ||
JP3091886B2 (ja) | レジストパターンの形成方法 | |
KR970004421B1 (ko) | 반도체 노광장치 | |
JPH0345951A (ja) | 露光用マスク、露光用マスクの製造方法およびこれを用いた露光方法 | |
JPH0561183A (ja) | 露光マスク | |
JP2013246340A (ja) | フォトマスクとその製造方法、およびパターン露光方法 | |
JPH04368947A (ja) | 位相シフトマスクの作成方法 | |
JP2011028233A (ja) | フォトマスク |