JP5373150B2 - コンデンサモジュール - Google Patents
コンデンサモジュール Download PDFInfo
- Publication number
- JP5373150B2 JP5373150B2 JP2012112056A JP2012112056A JP5373150B2 JP 5373150 B2 JP5373150 B2 JP 5373150B2 JP 2012112056 A JP2012112056 A JP 2012112056A JP 2012112056 A JP2012112056 A JP 2012112056A JP 5373150 B2 JP5373150 B2 JP 5373150B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- capacitor
- terminal
- power
- cooling water
- electrode
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 title claims abstract description 243
- 230000000630 rising effect Effects 0.000 claims description 55
- 239000000945 filler Substances 0.000 claims description 11
- 238000005452 bending Methods 0.000 claims description 6
- 238000007789 sealing Methods 0.000 claims description 5
- 238000009499 grossing Methods 0.000 abstract description 10
- 239000000203 mixture Substances 0.000 abstract 1
- 239000000498 cooling water Substances 0.000 description 110
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 81
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 51
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 51
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 44
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 29
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 16
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 16
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 15
- 230000017525 heat dissipation Effects 0.000 description 14
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 12
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 12
- 230000003071 parasitic effect Effects 0.000 description 10
- 238000004804 winding Methods 0.000 description 10
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 9
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 9
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 9
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 238000005266 casting Methods 0.000 description 8
- 238000010248 power generation Methods 0.000 description 7
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 5
- 230000020169 heat generation Effects 0.000 description 5
- 238000000034 method Methods 0.000 description 5
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 5
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 4
- 239000010408 film Substances 0.000 description 4
- 239000000463 material Substances 0.000 description 4
- 238000005192 partition Methods 0.000 description 4
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N Lithium Chemical compound [Li] WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 3
- 239000004519 grease Substances 0.000 description 3
- 229910052744 lithium Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 3
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 3
- 230000004044 response Effects 0.000 description 3
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 3
- 238000003466 welding Methods 0.000 description 3
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 2
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 2
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 2
- 230000008602 contraction Effects 0.000 description 2
- 238000009429 electrical wiring Methods 0.000 description 2
- 238000005242 forging Methods 0.000 description 2
- 238000007689 inspection Methods 0.000 description 2
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 2
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 2
- 238000003475 lamination Methods 0.000 description 2
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 2
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 2
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 2
- 238000005476 soldering Methods 0.000 description 2
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 2
- 230000001360 synchronised effect Effects 0.000 description 2
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 2
- 229910000962 AlSiC Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000005856 abnormality Effects 0.000 description 1
- 238000007743 anodising Methods 0.000 description 1
- 229920006231 aramid fiber Polymers 0.000 description 1
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 238000002485 combustion reaction Methods 0.000 description 1
- 230000008094 contradictory effect Effects 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 230000003111 delayed effect Effects 0.000 description 1
- 238000004512 die casting Methods 0.000 description 1
- 238000007599 discharging Methods 0.000 description 1
- 230000005669 field effect Effects 0.000 description 1
- 238000007667 floating Methods 0.000 description 1
- 230000006698 induction Effects 0.000 description 1
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 1
- 230000007257 malfunction Effects 0.000 description 1
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 1
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 1
- 238000000465 moulding Methods 0.000 description 1
- 239000003921 oil Substances 0.000 description 1
- 238000012856 packing Methods 0.000 description 1
- 229920000728 polyester Polymers 0.000 description 1
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 1
- 230000008569 process Effects 0.000 description 1
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 1
- 238000004080 punching Methods 0.000 description 1
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 1
- 230000001172 regenerating effect Effects 0.000 description 1
- 239000003566 sealing material Substances 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 1
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 1
- 238000005728 strengthening Methods 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- 230000001052 transient effect Effects 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B60—VEHICLES IN GENERAL
- B60L—PROPULSION OF ELECTRICALLY-PROPELLED VEHICLES; SUPPLYING ELECTRIC POWER FOR AUXILIARY EQUIPMENT OF ELECTRICALLY-PROPELLED VEHICLES; ELECTRODYNAMIC BRAKE SYSTEMS FOR VEHICLES IN GENERAL; MAGNETIC SUSPENSION OR LEVITATION FOR VEHICLES; MONITORING OPERATING VARIABLES OF ELECTRICALLY-PROPELLED VEHICLES; ELECTRIC SAFETY DEVICES FOR ELECTRICALLY-PROPELLED VEHICLES
- B60L2200/00—Type of vehicles
- B60L2200/26—Rail vehicles
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/49—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of a plurality of wire connectors
- H01L2224/491—Disposition
- H01L2224/4911—Disposition the connectors being bonded to at least one common bonding area, e.g. daisy chain
- H01L2224/49111—Disposition the connectors being bonded to at least one common bonding area, e.g. daisy chain the connectors connecting two common bonding areas, e.g. Litz or braid wires
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/11—Device type
- H01L2924/13—Discrete devices, e.g. 3 terminal devices
- H01L2924/1304—Transistor
- H01L2924/1305—Bipolar Junction Transistor [BJT]
- H01L2924/13055—Insulated gate bipolar transistor [IGBT]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/11—Device type
- H01L2924/13—Discrete devices, e.g. 3 terminal devices
- H01L2924/1304—Transistor
- H01L2924/1306—Field-effect transistor [FET]
- H01L2924/13091—Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor [MOSFET]
Landscapes
- Inverter Devices (AREA)
Description
図9(a)は、パワーモジュール300の構成部品である金属ベース304及び3つの上下アーム直列回路のうち1つ、を抜き出した図である。図9(b)は、金属ベース304、回路配線パターン及び絶縁基板334の分解斜視図である。
(1)不図示の直流正極端子314から接続導体部371U、(2)接続導体部371Uから素子側接続導体部372Uを介して上アーム用IGBT328及び上アーム用ダイオード156の一方側電極(素子側接続導体部372Uと接続された側の電極)、(3)上アーム用IGBT328及び上アーム用ダイオード156の他方側電極からワイヤ336を介して接続導体部373U、(4)接続導体部373Uから結線端子370の接続部374U,374Dを介して接続導体部371Dを流れる。なお、前述のように上アームは、IGBT328とダイオード156を並列接続した回路部を2組並列に接続して構成される。よって、上記(2)の電流経路において、電流は、素子側接続導体部372Uにて2つに分岐され、該分岐された電流は2組の回路部へそれぞれ流れる。
(1)接続導体部371Dから素子側接続導体部372Dを介して下アーム用IGBT330及び上アーム用ダイオード166の一方側電極(素子側接続導体部372Dと接続された側の電極)、(2)下アーム用IGBT330及び下アーム用ダイオード166の他方側電極からワイヤ336を介して接続導体部373D、(3)接続導体部373Dから不図示の直流負極端子316を流れる。なお、上アームと同様に下アームは、IGBT330とダイオード166を並列接続した回路部を2組並列に接続して構成されので、上記(1)の電流経路において、電流は、素子側接続導体部371Dにて2つに分岐され、該分岐された電流は2組の回路部へそれぞれ流れる。
すなわち、下アーム回路のIGBT330(及びダイオード166)と不図示の直流負極端子316とを接続するための接続導体部371Dは、絶縁基板334の一辺の略中央部付近に配置される。そして、IGBT330(及びダイオード166)は、接続導体部371Dが配設された絶縁基板334の一辺側とは反対の他辺側の近傍に実装される。また、本実施形態においては、2つ備えられた接続導体部373Dは、前述の接続導体部371D挟んで、かつ絶縁基板334の一辺側に一列に配置される。
500 コンデンサモジュール
502 コンデンサモジュールケース
504A 負極側コンデンサ端子
506A 正極側コンデンサ端子
510 負極側接続端子部
511A 開口部
512 正極側接続端子部
522 充填材
530 放電抵抗
540A 絶縁カバー
549 ボルト孔
Claims (3)
- コンデンサ素子と、
前記コンデンサ素子を封止する充填材と、
前記コンデンサ素子と電気的に接続されかつ前記充填材から立ち上がる第1電極端子側立ち上げ部と、
前記コンデンサ素子と電気的に接続されかつ前記充填材から立ち上がる第2電極端子側立ち上げ部と、
前記第1電極端子側立ち上げ部の端部に接続される第1電極側コンデンサ端子と、
前記第2電極端子側立ち上げ部の端部に接続される第2電極側コンデンサ端子と、
前記第1電極端子側立ち上げ部と前記第2電極端子側立ち上げ部との間に配置される絶縁部材と、を備え、
前記第2電極側コンデンサ端子は、前記第1電極側コンデンサ端子から離れる方向に沿って形成され、
前記第1電極側コンデンサ端子の外部との接続面は、前記第2電極側コンデンサ端子の外部との接続面よりも低く形成され、
前記絶縁部材は、前記第1電極側コンデンサ端子が配置された側に折り曲げて形成され、
前記絶縁部材は、絶縁性部材により形成された絶縁カバーであり、
前記絶縁カバーは、前記第1電極端子側立ち上げ部と前記第2電極端子側立ち上げ部との間に挟まれる絶縁カバー主面部と、当該絶縁カバー主面部の上部から立ち上がる上部立ち上げ部と、により構成され、
さらに前記絶縁カバーは、前記第1電極側コンデンサ端子前記上部立ち上げ部が前記第1電極側コンデンサ端子の一部を覆うように配置されるコンデンサモジュール。 - 請求項1に記載されたコンデンサモジュールであって、
前記絶縁カバーは、前記絶縁カバー主面部の側部から立ち上がる側部立ち上げ部をさらに有し、
前記側部立ち上げ部は、前記第1電極側コンデンサ端子の一部を覆うように形成されるコンデンサモジュール。 - 請求項1に記載されたコンデンサモジュールであって、
前記絶縁カバーは、前記絶縁カバー主面部の側部から立ち上がる側部立ち上げ部をさらに有し、
前記側部立ち上げ部は、前記第1電極側コンデンサ端子の一部及び前記第2電極側コンデンサ端子の一部を覆うように形成されるコンデンサモジュール。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2012112056A JP5373150B2 (ja) | 2012-05-16 | 2012-05-16 | コンデンサモジュール |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2012112056A JP5373150B2 (ja) | 2012-05-16 | 2012-05-16 | コンデンサモジュール |
Related Parent Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2008277591A Division JP5002568B2 (ja) | 2008-10-29 | 2008-10-29 | 電力変換装置 |
Related Child Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2013160924A Division JP5619235B2 (ja) | 2013-08-02 | 2013-08-02 | 電力変換装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2012152104A JP2012152104A (ja) | 2012-08-09 |
JP5373150B2 true JP5373150B2 (ja) | 2013-12-18 |
Family
ID=46793800
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2012112056A Active JP5373150B2 (ja) | 2012-05-16 | 2012-05-16 | コンデンサモジュール |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP5373150B2 (ja) |
Families Citing this family (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP5686145B2 (ja) * | 2013-01-29 | 2015-03-18 | トヨタ自動車株式会社 | 電気自動車用の電力変換装置 |
CN109327156B (zh) | 2014-06-06 | 2020-10-27 | 日立汽车系统株式会社 | 电力转换设备 |
US9906158B2 (en) | 2014-07-29 | 2018-02-27 | Hitachi Automotive Systems, Ltd. | Power conversion device |
JP6376917B2 (ja) * | 2014-09-18 | 2018-08-22 | 日立オートモティブシステムズ株式会社 | 電子制御装置及び電動パワーステアリング装置 |
CN108809079B (zh) | 2017-05-05 | 2019-11-05 | 台达电子企业管理(上海)有限公司 | 功率变换器、电感元件以及电感切除控制方法 |
JP7277094B2 (ja) * | 2018-08-31 | 2023-05-18 | 東洋電機製造株式会社 | 電力変換装置 |
CN111415925B (zh) * | 2019-01-07 | 2023-01-24 | 台达电子企业管理(上海)有限公司 | 电源模块及其制备方法 |
US11676756B2 (en) | 2019-01-07 | 2023-06-13 | Delta Electronics (Shanghai) Co., Ltd. | Coupled inductor and power supply module |
JP7363151B2 (ja) * | 2019-07-19 | 2023-10-18 | 株式会社アイシン | インバータ装置 |
JP7310715B2 (ja) * | 2020-05-25 | 2023-07-19 | 株式会社デンソー | 電力変換装置 |
DE102022106988A1 (de) | 2022-03-24 | 2023-09-28 | Vacon Oy | Niederimpedante Snubber-Kondensator-Anordnung in einem Wandlermodul |
Family Cites Families (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2001268942A (ja) * | 2000-03-16 | 2001-09-28 | Hitachi Ltd | 電力変換装置 |
JP4859443B2 (ja) * | 2005-11-17 | 2012-01-25 | 日立オートモティブシステムズ株式会社 | 電力変換装置 |
JP4434181B2 (ja) * | 2006-07-21 | 2010-03-17 | 株式会社日立製作所 | 電力変換装置 |
JP4758923B2 (ja) * | 2007-02-08 | 2011-08-31 | 三菱電機株式会社 | 電力変換装置、コンバータ、インバータ及び端子台 |
-
2012
- 2012-05-16 JP JP2012112056A patent/JP5373150B2/ja active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2012152104A (ja) | 2012-08-09 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5002568B2 (ja) | 電力変換装置 | |
JP5373150B2 (ja) | コンデンサモジュール | |
JP4644275B2 (ja) | 電力変換装置および電動車両 | |
JP5925270B2 (ja) | 電力変換装置 | |
JP5241344B2 (ja) | パワーモジュール及び電力変換装置 | |
US7965510B2 (en) | Power conversion apparatus and power module | |
JP5961714B2 (ja) | 電力変換装置 | |
JP5171520B2 (ja) | 電力変換装置 | |
JP5268688B2 (ja) | 電力変換装置 | |
JP5622658B2 (ja) | 電力変換装置 | |
WO2010016426A1 (ja) | 半導体装置および半導体装置を用いた電力変換装置 | |
JP5250442B2 (ja) | 電力変換装置 | |
JP5178455B2 (ja) | 電力変換装置 | |
JP2010011671A (ja) | 電力変換装置 | |
JP5619235B2 (ja) | 電力変換装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20120516 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20120518 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20120606 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20120608 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20130531 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20130604 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20130802 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20130820 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20130918 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5373150 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
S533 | Written request for registration of change of name |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313533 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |