JP5340103B2 - 太陽電池 - Google Patents
太陽電池 Download PDFInfo
- Publication number
- JP5340103B2 JP5340103B2 JP2009228233A JP2009228233A JP5340103B2 JP 5340103 B2 JP5340103 B2 JP 5340103B2 JP 2009228233 A JP2009228233 A JP 2009228233A JP 2009228233 A JP2009228233 A JP 2009228233A JP 5340103 B2 JP5340103 B2 JP 5340103B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- hole
- solar cell
- photoelectric conversion
- etching
- conversion layer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Images
Classifications
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
- Y02E10/547—Monocrystalline silicon PV cells
Landscapes
- Photovoltaic Devices (AREA)
Description
p型半導体層3aの膜厚:4μm
i型半導体層3bの膜厚:16μm
n型半導体層3cの膜厚:4μm
エッチング孔5のピッチA:12μm
異方性エッチング部5aの開口径B:5μm、深さ:2μm
等方性エッチング部5bの深さ:10μm
等方性エッチング部5bの最大開口幅10μm
透明導電被膜4の膜厚:2μm
反射防止層6の膜厚:1μm
セルの全膜厚:29μm
光電変換層3の膜厚:200μm
エッチング孔5のピッチA:15μm
異方性エッチング部5aの開口径B:5μm、深さ:2μm
等方性エッチング部5bの深さ:10μm
等方性エッチング部5bの最大開口幅10μm
透明導電被膜4の膜厚:2μm
反射防止層6の膜厚:1μm
セルの全膜厚:205μm
エッチング装置:高密度プラズマTCP型プラズマ装置
プラズマ生成条件
処理ガス(エッチングガス):HF6/O2/SiF4
処理圧力:60Pa(450mTorr)
ガス流量:HF6/O2/SiF4=200/160/250SCCM
RF周波数:40MHz(上部電極) 13.56MHz(下部電極)
高周波パワー:2200W(上部電極) 100W(下部電極)
温度:下部電極/上部電極/壁=−10/40/40℃
エッチング装置:高密度プラズマTCP型プラズマ装置(等方性エッチングの場合と同じ装置を使用することができる。)
プラズマ生成条件
処理ガス(エッチングガス):HBr/O2
処理圧力:2.66Pa(20mTorr)
ガス流量:HBr/O2=400/1 SCCM
RF周波数:40MHz(上部電極) 13.56MHz(下部電極)
高周波パワー:200W(上部電極) 100W(下部電極)
温度:下部電極/上部電極/壁=−10/40/40℃
2 背面電極(第1の電極)
3 光電変換層
3a p型半導体層
3b i型半導体層
3c n型半導体層
4 透明導電被膜(第2の電極)
5 エッチング孔
5a 第1の孔部
5b 第2の孔部
6 反射防止膜
Claims (7)
- 基板上に形成された背面電極層と、
前記背面電極層上に形成された光電変換層と、
前記光電変換層の上面に形成された透明導電被膜よりなる上面電極層と、を備え、
前記光電変換層にはその上面から層中に向かう多数の微細な孔部が規則的に形成されており、前記孔部は、その上部である第1の孔部と下部である第2の孔部とで形成され、前記第1の孔部は縦長の筒状であり、前記第2の孔部はその最大幅が前記第1の孔部の開口幅よりも広い湾曲した形状を有し、且つ、前記第1の孔部は入射する光の波長以上の大きさの開口幅を有する、太陽電池。 - 請求項1に記載の太陽電池において、前記第1の孔部の開口幅は1〜15μm、隣接する孔部間の間隔は2〜20μm、前記第1と第2の孔部の合計の深さは1〜20μmであることを特徴とする、太陽電池。
- 請求項1または2に記載の太陽電池において、前記孔部の前記第1の孔部はプラズマによる異方性エッチングで形成され、前記第2の孔部はプラズマによる等方性エッチングで形成されたものである、太陽電池。
- 請求項3に記載の太陽電池において、前記光電変換層がシリコンを材料として形成される場合、前記異方性エッチングのためのガスはHF6/O2/SiF4ガスであり、前記等方性エッチングのためのガスはHBr/O2ガスであることを特徴とする、太陽電池。
- 請求項1乃至3の何れか1項に記載の太陽電池において、前記光電変換層は、単結晶シリコン、多結晶シリコン、アモルファスシリコンまたは微結晶シリコンで形成されることを特徴とする、太陽電池。
- 請求項1乃至5の何れか1項に記載の太陽電池において、前記光電変換層はp−i−n接合構造を有していることを特徴とする、太陽電池。
- 請求項6に記載の太陽電池において、前記第2の孔部は前記i層に達していることを特徴とする、太陽電池。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2009228233A JP5340103B2 (ja) | 2009-09-30 | 2009-09-30 | 太陽電池 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2009228233A JP5340103B2 (ja) | 2009-09-30 | 2009-09-30 | 太陽電池 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2011077359A JP2011077359A (ja) | 2011-04-14 |
JP5340103B2 true JP5340103B2 (ja) | 2013-11-13 |
Family
ID=44021013
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2009228233A Expired - Fee Related JP5340103B2 (ja) | 2009-09-30 | 2009-09-30 | 太陽電池 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP5340103B2 (ja) |
Families Citing this family (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2013105883A (ja) * | 2011-11-14 | 2013-05-30 | Sharp Corp | 光電変換素子 |
JP2013247157A (ja) * | 2012-05-23 | 2013-12-09 | Ulvac Japan Ltd | ドライエッチング装置 |
KR101702991B1 (ko) * | 2015-07-27 | 2017-02-10 | 재단법인대구경북과학기술원 | 3차원 주기성을 갖는 반도체 나노 월 구조의 제조방법 |
Family Cites Families (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0323678A (ja) * | 1989-06-20 | 1991-01-31 | Mitsubishi Electric Corp | 受光発電素子 |
JP2004079934A (ja) * | 2002-08-22 | 2004-03-11 | Citizen Watch Co Ltd | 太陽電池およびその製造方法 |
US8129822B2 (en) * | 2006-10-09 | 2012-03-06 | Solexel, Inc. | Template for three-dimensional thin-film solar cell manufacturing and methods of use |
FR2914781B1 (fr) * | 2007-04-03 | 2009-11-20 | Commissariat Energie Atomique | Procede de realisation de depots localises |
EP2181464A4 (en) * | 2007-08-21 | 2015-04-01 | Lg Electronics Inc | SOLAR CELL WITH POROUS STRUCTURE AND MANUFACTURING METHOD THEREFOR |
-
2009
- 2009-09-30 JP JP2009228233A patent/JP5340103B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2011077359A (ja) | 2011-04-14 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US9496428B2 (en) | Photoelectric conversion device and manufacturing method thereof | |
JP6086905B2 (ja) | 太陽電池およびその製作方法 | |
JP6125594B2 (ja) | 光電変換装置の作製方法 | |
KR102554563B1 (ko) | 태양 전지 내의 상대적 도펀트 농도 레벨 | |
US20110014772A1 (en) | Aligning method of patterned electrode in a selective emitter structure | |
US20120094421A1 (en) | Method of manufacturing solar cell | |
JP5340103B2 (ja) | 太陽電池 | |
JP5300681B2 (ja) | 太陽電池の製造方法 | |
JP5894379B2 (ja) | 光電変換装置 | |
WO2019144611A1 (zh) | 异质结太阳能电池及其制备方法 | |
JP2015191962A (ja) | 太陽電池およびその製造方法 | |
JPWO2010004811A1 (ja) | 薄膜太陽電池およびその製造方法 | |
US20240355940A1 (en) | Solar cell and manufacturing method thereof, photovotaic module, and photovotaic system | |
US8502065B2 (en) | Photovoltaic device including flexible or inflexibel substrate and method for manufacturing the same | |
KR20090094503A (ko) | 박막형 태양전지 | |
JP2007142471A (ja) | 太陽電池の製造方法 | |
CN111697110A (zh) | 异质结太阳能电池及其制造方法 | |
JP2010177655A (ja) | 裏面接合型太陽電池の製造方法 | |
JP2013008753A (ja) | 球状光電変換素子の製造方法。 | |
JP4413237B2 (ja) | 太陽電池の製造方法 | |
JP2006332509A (ja) | 粗面化法 | |
US9716195B2 (en) | Dry etch method for texturing silicon and device | |
JPWO2017203751A1 (ja) | 太陽電池及びその製造方法、並びに太陽電池パネル | |
WO2013121538A1 (ja) | 半導体製膜装置、半導体装置の製造方法、および半導体装置 | |
JP2004079934A (ja) | 太陽電池およびその製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20120510 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20130430 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20130521 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20130621 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20130709 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20130806 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |