JP5274097B2 - 微細構造体およびその製造方法 - Google Patents
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- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 16
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 96
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 74
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 74
- 238000007743 anodising Methods 0.000 claims description 46
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 claims description 40
- 239000011148 porous material Substances 0.000 claims description 25
- 229910000838 Al alloy Inorganic materials 0.000 claims description 14
- 238000005259 measurement Methods 0.000 claims description 6
- 230000002378 acidificating effect Effects 0.000 claims description 5
- 230000004323 axial length Effects 0.000 claims description 5
- 239000010408 film Substances 0.000 description 84
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 31
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 21
- NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N Phosphoric acid Chemical compound OP(O)(O)=O NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 20
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 20
- 238000004090 dissolution Methods 0.000 description 19
- HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M Sodium hydroxide Chemical compound [OH-].[Na+] HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 18
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 18
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 17
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N Hydrochloric acid Chemical compound Cl VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- KWYUFKZDYYNOTN-UHFFFAOYSA-M Potassium hydroxide Chemical compound [OH-].[K+] KWYUFKZDYYNOTN-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 12
- 239000008151 electrolyte solution Substances 0.000 description 12
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 11
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N Sulfuric acid Chemical compound OS(O)(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- 239000003513 alkali Substances 0.000 description 10
- 229910000147 aluminium phosphate Inorganic materials 0.000 description 10
- 239000010407 anodic oxide Substances 0.000 description 10
- 238000002048 anodisation reaction Methods 0.000 description 10
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 10
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 9
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 9
- 230000035515 penetration Effects 0.000 description 9
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 9
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 9
- OFOBLEOULBTSOW-UHFFFAOYSA-N Malonic acid Chemical compound OC(=O)CC(O)=O OFOBLEOULBTSOW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 238000005868 electrolysis reaction Methods 0.000 description 8
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 8
- 238000005096 rolling process Methods 0.000 description 8
- 239000003792 electrolyte Substances 0.000 description 7
- 230000005484 gravity Effects 0.000 description 7
- WMFOQBRAJBCJND-UHFFFAOYSA-M Lithium hydroxide Chemical compound [Li+].[OH-] WMFOQBRAJBCJND-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 6
- OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N Methanol Chemical compound OC OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- KRKNYBCHXYNGOX-UHFFFAOYSA-N citric acid Chemical compound OC(=O)CC(O)(C(O)=O)CC(O)=O KRKNYBCHXYNGOX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 238000005238 degreasing Methods 0.000 description 6
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- FEWJPZIEWOKRBE-JCYAYHJZSA-N Dextrotartaric acid Chemical compound OC(=O)[C@H](O)[C@@H](O)C(O)=O FEWJPZIEWOKRBE-JCYAYHJZSA-N 0.000 description 5
- GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N Nitric acid Chemical compound O[N+]([O-])=O GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000007853 buffer solution Substances 0.000 description 4
- 238000007654 immersion Methods 0.000 description 4
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 4
- 229910017604 nitric acid Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 description 4
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 description 4
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- MUBZPKHOEPUJKR-UHFFFAOYSA-N Oxalic acid Chemical compound OC(=O)C(O)=O MUBZPKHOEPUJKR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000012670 alkaline solution Substances 0.000 description 3
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 3
- KRVSOGSZCMJSLX-UHFFFAOYSA-L chromic acid Substances O[Cr](O)(=O)=O KRVSOGSZCMJSLX-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 3
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 3
- 238000007598 dipping method Methods 0.000 description 3
- AWJWCTOOIBYHON-UHFFFAOYSA-N furo[3,4-b]pyrazine-5,7-dione Chemical compound C1=CN=C2C(=O)OC(=O)C2=N1 AWJWCTOOIBYHON-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000000463 material Substances 0.000 description 3
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 3
- 150000007522 mineralic acids Chemical class 0.000 description 3
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 3
- 238000003756 stirring Methods 0.000 description 3
- 239000004094 surface-active agent Substances 0.000 description 3
- CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N Acetone Chemical compound CC(C)=O CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- WKBOTKDWSSQWDR-UHFFFAOYSA-N Bromine atom Chemical compound [Br] WKBOTKDWSSQWDR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-M Chloride anion Chemical compound [Cl-] VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910019142 PO4 Inorganic materials 0.000 description 2
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N Palladium Chemical compound [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- CDBYLPFSWZWCQE-UHFFFAOYSA-L Sodium Carbonate Chemical compound [Na+].[Na+].[O-]C([O-])=O CDBYLPFSWZWCQE-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- GDTBXPJZTBHREO-UHFFFAOYSA-N bromine Substances BrBr GDTBXPJZTBHREO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052794 bromium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 2
- RCTYPNKXASFOBE-UHFFFAOYSA-M chloromercury Chemical compound [Hg]Cl RCTYPNKXASFOBE-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- 239000011362 coarse particle Substances 0.000 description 2
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 2
- ORTQZVOHEJQUHG-UHFFFAOYSA-L copper(II) chloride Chemical compound Cl[Cu]Cl ORTQZVOHEJQUHG-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- 238000005237 degreasing agent Methods 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 239000010419 fine particle Substances 0.000 description 2
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 2
- 125000000896 monocarboxylic acid group Chemical group 0.000 description 2
- 239000002086 nanomaterial Substances 0.000 description 2
- VXAPDXVBDZRZKP-UHFFFAOYSA-N nitric acid phosphoric acid Chemical compound O[N+]([O-])=O.OP(O)(O)=O VXAPDXVBDZRZKP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 235000021317 phosphate Nutrition 0.000 description 2
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000007517 polishing process Methods 0.000 description 2
- 238000011160 research Methods 0.000 description 2
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 2
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- 230000005476 size effect Effects 0.000 description 2
- VWDWKYIASSYTQR-UHFFFAOYSA-N sodium nitrate Chemical compound [Na+].[O-][N+]([O-])=O VWDWKYIASSYTQR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000007921 spray Substances 0.000 description 2
- 230000003746 surface roughness Effects 0.000 description 2
- 238000005406 washing Methods 0.000 description 2
- UHOVQNZJYSORNB-UHFFFAOYSA-N Benzene Chemical compound C1=CC=CC=C1 UHOVQNZJYSORNB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-M Fluoride anion Chemical compound [F-] KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 238000001069 Raman spectroscopy Methods 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KDYFGRWQOYBRFD-UHFFFAOYSA-N Succinic acid Natural products OC(=O)CCC(O)=O KDYFGRWQOYBRFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FEWJPZIEWOKRBE-UHFFFAOYSA-N Tartaric acid Natural products [H+].[H+].[O-]C(=O)C(O)C(O)C([O-])=O FEWJPZIEWOKRBE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N Zinc Chemical compound [Zn] HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000003082 abrasive agent Substances 0.000 description 1
- 150000007513 acids Chemical class 0.000 description 1
- 239000012190 activator Substances 0.000 description 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- 239000004411 aluminium Substances 0.000 description 1
- 230000003466 anti-cipated effect Effects 0.000 description 1
- 229910052787 antimony Inorganic materials 0.000 description 1
- WATWJIUSRGPENY-UHFFFAOYSA-N antimony atom Chemical compound [Sb] WATWJIUSRGPENY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QZPSXPBJTPJTSZ-UHFFFAOYSA-N aqua regia Chemical compound Cl.O[N+]([O-])=O QZPSXPBJTPJTSZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011260 aqueous acid Substances 0.000 description 1
- 239000002585 base Substances 0.000 description 1
- 229910052797 bismuth Inorganic materials 0.000 description 1
- JCXGWMGPZLAOME-UHFFFAOYSA-N bismuth atom Chemical compound [Bi] JCXGWMGPZLAOME-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KDYFGRWQOYBRFD-NUQCWPJISA-N butanedioic acid Chemical compound O[14C](=O)CC[14C](O)=O KDYFGRWQOYBRFD-NUQCWPJISA-N 0.000 description 1
- 229910052793 cadmium Inorganic materials 0.000 description 1
- BDOSMKKIYDKNTQ-UHFFFAOYSA-N cadmium atom Chemical compound [Cd] BDOSMKKIYDKNTQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000003054 catalyst Substances 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 1
- 229910017052 cobalt Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010941 cobalt Substances 0.000 description 1
- GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N cobalt atom Chemical compound [Co] GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 239000013527 degreasing agent Substances 0.000 description 1
- 239000003599 detergent Substances 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 230000018109 developmental process Effects 0.000 description 1
- 239000010432 diamond Substances 0.000 description 1
- 229910003460 diamond Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 description 1
- 239000000428 dust Substances 0.000 description 1
- 238000004070 electrodeposition Methods 0.000 description 1
- 238000007772 electroless plating Methods 0.000 description 1
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 1
- 238000009713 electroplating Methods 0.000 description 1
- 238000004945 emulsification Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 239000003925 fat Substances 0.000 description 1
- 238000007730 finishing process Methods 0.000 description 1
- 239000003574 free electron Substances 0.000 description 1
- 238000007429 general method Methods 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 150000002344 gold compounds Chemical class 0.000 description 1
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000001788 irregular Effects 0.000 description 1
- 239000003350 kerosene Substances 0.000 description 1
- 150000002576 ketones Chemical class 0.000 description 1
- 239000011133 lead Substances 0.000 description 1
- WPBNNNQJVZRUHP-UHFFFAOYSA-L manganese(2+);methyl n-[[2-(methoxycarbonylcarbamothioylamino)phenyl]carbamothioyl]carbamate;n-[2-(sulfidocarbothioylamino)ethyl]carbamodithioate Chemical compound [Mn+2].[S-]C(=S)NCCNC([S-])=S.COC(=O)NC(=S)NC1=CC=CC=C1NC(=S)NC(=O)OC WPBNNNQJVZRUHP-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 239000008204 material by function Substances 0.000 description 1
- QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N mercury Chemical compound [Hg] QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052753 mercury Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002736 metal compounds Chemical class 0.000 description 1
- 239000011259 mixed solution Substances 0.000 description 1
- 230000007935 neutral effect Effects 0.000 description 1
- 238000006386 neutralization reaction Methods 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000003921 oil Substances 0.000 description 1
- 150000007524 organic acids Chemical class 0.000 description 1
- 235000006408 oxalic acid Nutrition 0.000 description 1
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-K phosphate Chemical compound [O-]P([O-])([O-])=O NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 1
- 239000010452 phosphate Substances 0.000 description 1
- 150000003013 phosphoric acid derivatives Chemical class 0.000 description 1
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 1
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 1
- 238000012827 research and development Methods 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 1
- 239000002002 slurry Substances 0.000 description 1
- 238000002791 soaking Methods 0.000 description 1
- 239000000344 soap Substances 0.000 description 1
- 229910000029 sodium carbonate Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004317 sodium nitrate Substances 0.000 description 1
- 235000010344 sodium nitrate Nutrition 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 239000011975 tartaric acid Substances 0.000 description 1
- 235000002906 tartaric acid Nutrition 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011135 tin Substances 0.000 description 1
- 238000004506 ultrasonic cleaning Methods 0.000 description 1
- 229910052720 vanadium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
- 230000000007 visual effect Effects 0.000 description 1
- 239000000341 volatile oil Substances 0.000 description 1
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011701 zinc Substances 0.000 description 1
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-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
- C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
- C25D11/00—Electrolytic coating by surface reaction, i.e. forming conversion layers
- C25D11/02—Anodisation
- C25D11/04—Anodisation of aluminium or alloys based thereon
- C25D11/045—Anodisation of aluminium or alloys based thereon for forming AAO templates
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
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- C25D11/00—Electrolytic coating by surface reaction, i.e. forming conversion layers
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Description
例えば、自己規制的に規則的な構造が形成される方法として、電解液中でアルミ二ウムを陽極酸化処理して得られる陽極酸化アルミナ膜(陽極酸化皮膜)が挙げられる。陽極酸化皮膜には、数nm程度から数百nm程度の直径を有する複数の微細孔(マイクロポア)が規則的に形成されることが知られている。この陽極酸化皮膜の自己規則化を用い、完全に規則的な配列を得ると、理論的には、マイクロポアを中心に底面が正六角形である六角柱のセルが形成され、隣接するマイクロポアを結ぶ線が正三角形を成すことが知れている。
このようにマイクロポアを形成させる陽極酸化処理の前には、陽極酸化処理のマイクロポアの生成の起点となる窪みを形成させておく方法が知られている。このように窪みを形成させることにより、マイクロポアの配列およびポア径のばらつきを所望の範囲に制御することが容易となる。
窪みを形成させる一般的な方法として、陽極酸化皮膜の自己規則性を利用した自己規則化法が知られている。これは陽極酸化皮膜のマイクロポアが規則配列する性質を利用し、規則的な配列をかく乱する要因を取り除くことで、規則性を向上させる方法である。
また、特許文献1記載の自己規則化法は、通常数時間という長時間をかけて行う必要があった。
(i)微細構造体の底部から表面に連続する円環状の複数のマイクロポアを有し、底部面で、下記一般式(1)により定義される複数のマイクロポアの規則化度が70%以上であり、該マイクロポアの中心間の距離が300〜600nmであり、該マイクロポアの軸方向の長さが100μm以上であるアルミニウムまたはアルミニウム合金酸化皮膜よりなる微細構造体:
一般式(1) 規則化度(%)=B/A×100
上記一般式(1)中、Aは、測定範囲におけるマイクロポアの全数を表す。Bは、一のマイクロポアの重心を中心とし、その他のマイクロポアの縁に内接する最も半径が短い円を描いた場合に、その円の内部に前記マイクロポア以外のマイクロポアの重心を6個含むことになる前記一のマイクロポアの測定範囲における数を表す。
ここでマイクロポアの中心間の距離(周期)とは、1つの円環状のマイクロポアの長軸に直角方向断面の中心と、一番近い次のマイクロポアの中心との距離を意味し、マイクロポアの長軸に直角方向の断面の形状が真円でない場合には直角方向の断面の重心を意味する。平均周期は、測定視野内の平均値を意味する。
また、底部面とは円環状のマイクロポアの軸に垂直な微細構造体の表面で、マイクロポアの複数の孔を有し、アルミニウムまたはアルミニウム合金板から微細構造体が製造されたときにアルミニウムまたはアルミニウム合金板に近い側の平面で、アルミニウムまたはアルミニウム合金板が除去されて得られる表面をいう。
(ii)前記微細構造体の表面と底部面の上記一般式(1)により定義される複数のマイクロポアの規則化度の差が10%以内である、上記(i)に記載の微細構造体。
(iii)前記マイクロポアは前記微細構造体において貫通孔である、または非貫通孔である。
(iv)アルミニウムまたはアルミ二ウム合金板を酸性水溶液中で電圧を一定の値に制御して陽極酸化処理した後に、さらに酸性水溶液中で、電流を一定の値に制御して陽極酸化処理を行う工程を含む、上記(i)〜(iii)のいずれかに記載の微細構造体の製造方法。
<微細構造体>
本発明の微細構造体は、マイクロポアを有するアルミ二ウムまたはアルミニウム合金の酸化皮膜よりなる。
本発明の微細構造体について、図1を用いて説明する。
本発明の微細構造体1は、酸化皮膜2およびマイクロポア3から構成される。
図1(B)に示すようにマイクロポア3は、円環状の孔であり、該酸化皮膜2の厚み方向Zと略平行(図1においては平行)となるように設けられるのが好ましい。
本発明の微細構造体1のマイクロポア3の中心間の距離(図1(A)、図1(B)においては符号9で表される部分)は、300〜600nmである。好ましくは、350〜550nmである。
本発明においては、円環状のマイクロポアの軸方向の長さである上記酸化皮膜の厚み(図1(B)においては符号6で表される部分)は、100μm以上である。100〜1500μmであるのが好ましく、100〜1000μmであるのがより好ましい。マイクロポアの中心間の距離と軸方向の長さが、この範囲であると、異方性導電膜の絶縁性と導電性とが十分なものとなるので好ましい。
平均マイクロポア密度は、3.5〜15個/μm2であるのが好ましい。この範囲であると、異方性導電膜の絶縁性が十分なものとなるので好ましい。
また、本発明においては、マイクロポアの幅(図1(B)においては符号7で表される部分)は、10〜590nmであるのが好ましく、40〜560nmであるのがより好ましい。マイクロポアの径(図1(B)においては符号8で表される部分)は、10〜590nmであるのが好ましく、40〜560nmであるのがより好ましい。
底部面のマイクロポアの規則化度の測定は、後述する本発明の微細構造体の製造方法において、定電流処理後、皮膜溶解を行い、底面部を走査型電子顕微鏡で観察した画像から所定のマイクロポア数を目視で確認し、下記一般式(1)より算出する。また、最終の定電流陽極酸化処理の起点となる形状を観察して同様に求めてもよい。
%以内であり、さらに好ましくは、2%以内である。
図2(A)に示されるマイクロポア101は、マイクロポア101の重心を中心とし、他のマイクロポアの縁に内接する最も半径が短い円103(マイクロポア102に内接している。)を描いた場合に、円3の内部にマイクロポア101以外のマイクロポアの中心を6個含んでいる。したがって、マイクロポア101は、Bに算入される。
図2(B)に示されるマイクロポア104は、マイクロポア104の重心を中心とし、他のマイクロポアの縁に内接する最も半径が短い円106(マイクロポア105に内接している。)を描いた場合に、円106の内部にマイクロポア104以外のマイクロポアの重心を5個含んでいる。したがって、マイクロポア104は、Bに算入されない。
また、図2(B)に示されるマイクロポア107は、マイクロポア107の重心を中心とし、他のマイクロポアの縁に内接する最も半径が短い円109(マイクロポア108に内接している。)を描いた場合に、円109の内部にマイクロポア107以外のマイクロポアの重心を7個含んでいる。したがって、マイクロポア107は、Bに算入されない。
アルミ二ウムまたはアルミニウム合金基板は特に限定されず、例えば、純アルミ二ウム板;アルミ二ウムを主成分とし微量の異元素を含む合金板;低純度のアルミ二ウム(例えば、リサイクル材料)に高純度アルミ二ウムを蒸着させた基板;シリコンウエハー、石英、ガラス等の表面に蒸着、スパッタ等の方法により高純度アルミ二ウムを被覆させた基板;アルミ二ウムをラミネートした樹脂基板が挙げられる。
鏡面仕上げ処理は、アルミ二ウム基板の表面の凹凸をなくして、電着法等による粒子形成処理の均一性や再現性を向上させるために行われる。アルミ二ウム部材の表面の凹凸としては、例えば、アルミ二ウム部材が圧延を経て製造されたものである場合における、圧延時に発生した圧延筋が挙げられる。
本発明においては、鏡面仕上げ処理は特に限定されず、従来公知の方法を用いることができる。例えば、機械研磨、化学研磨、電解研磨が挙げられる。
機械研磨としては、例えば、各種市販の研磨布で研磨する方法、市販の各種研磨剤(例えば、ダイヤ、アルミナ)とバフとを組み合わせた方法が挙げられる。具体的には、研磨剤を用いる方法と、用いる研磨剤を粗い粒子から細かい粒子へと経時的に変更して行う方法が好適に例示される。この場合、最終的に用いる研磨剤としては、#1500のものが好ましい。これより、光沢度を50%以上(圧延アルミ二ウムである場合、その圧延方向および幅方向ともに50%以上)とすることができる。
また、リン酸-硝酸法、Alupol I法、Alupol V法、Alcoa R5法、H3PO4-CH3COOH-Cu法、H3PO4-HNO3-CH3COOH法が好適に挙げられる。中でも、リン酸-硝酸法、H3PO4-CH3COOH-Cu法、H3PO4-HNO3-CH3COOH法が好ましい。
化学研磨により、光沢度を70%以上(圧延である場合、その圧延方向および幅方向ともに70%以上)とすることができる。
また、米国特許第2708655号明細書に記載されている方法が好適に挙げられる。
また、「実務表面技術」,vol.33,No.3,1986年,p32-38に記載されている方法も好適に挙げられる。
電解研磨により、光沢度を70%以上(圧延アルミ二ウムである場合、その圧延方向および幅方向ともに70%以上)とすることができる。
なお、光沢度は、圧延方向に垂直な方向において、JIS Z8741-1997の「方法3 60度鏡面光沢」の規定に準じて求められる正反射率である。具体的には、変角光沢度計(例えば、VG-1D、日本電色工業社製)を用いて、正反射率70%以下の場合には入反射角度60度で、正反射率70%を超える場合には入反射角度20度で測定する。
脱脂処理は、酸、アルカリ、有機溶媒等を用いて、アルミ二ウム表面に付着した、ほこり、脂、樹脂等の有機成分を溶解させて除去し、有機成分を原因とする後述の各処理における欠陥の発生を防止することを目的として行われる。また、鏡面処理仕上げ処理の際に皮膜に形成された酸化膜を除去する目的としても用いられる。
脱脂処理には、従来公知の脱脂剤を用いることができる。具体的には、例えば、市販されている各種脱脂剤を所定の方法で用いることにより行うことができる。
アルコール(例えば、メタノール)、ケトン、ベンジン、揮発油等の有機溶剤を常温でアルミ二ウム表面に接触させる方法(有機溶剤法);アセトン等の有機溶媒を常温でアルミ二ウム表面に接触させ、超音波を用いる方法(超音波洗浄法);石鹸、中性洗剤等の界面活性剤を含有する液を常温から80℃までの温度でアルミ二ウム表面に接触させ、その後、水洗する方法(界面活性剤法);濃度10〜200g/Lの硫酸水溶液を常温から70℃までの温度でアルミ二ウム表面に30〜80秒間接触させ、その後水洗する方法;濃度5〜20g/Lの水酸化ナトリウム水溶液を常温でアルミ二ウム表面に30秒間程度接触させつつ、アルミ二ウム表面を陰極にして電流密度を1〜10A/dm2の直流電流を流して電解し、その後、濃度100〜500g/Lの硝酸水溶液を接触させて中和する方法;各種公知の陽極酸化処理用電解液を常温でアルミ二ウム表面に接触させつつ、アルミ二ウム表面を陰極にして電流密度1〜10A/dm2の直流電流を流して、または、交流電流を流して電解する方法;濃度10〜200g/Lのアルカリ水溶液を40〜50℃でアルミ二ウム表面に15〜60秒間接触させ、その後、濃度100〜500g/Lの硝酸水溶液を接触させ中和する方法;軽油、灯油等に界面活性剤、水等を混合させた乳化液を常温から50℃までの温度でアルミ二ウム表面を常温から50℃までの温度でアルミ二ウム表面に30〜180秒間接触させ、その後、水洗する方法(乳化脱脂法);炭酸ナトリウム、リン酸塩類、界面活性剤等の混合液を常温から50℃までの温度でアルミ二ウム表面に30〜180秒間接触させ、その後、水洗する方法(リン酸塩法)が例示できる。
マイクロポアの起点形成方法としては、従来公知の方法を用いることができる。具体的には、後述する自己規則化法を用いるのが好ましい。
自己規則化法は、陽極酸化皮膜のマイクロポアが規則的に配列する性質を利用し、規則的な配列をかく乱する要因を取り除くことで、規則性を向上させる方法である。具体的には、高純度のアルミ二ウムを使用し、電解液の種類に応じた電圧で陽極酸化皮膜を形成させる。
この方法においては、マイクロポア径は電圧に依存するので、電圧を制御することにより、ある程度所望のマイクロポア径を得ることができる。
また、電解液を上記条件で流動させる方法は、特に限定されないが、例えば、スターラーのような一般攪拌装置を使用する方法が用いられる。攪拌速度をデジタル表示でコントロールできるようなスターラーを用いると、平均流速が制御できるため、好ましい。そのような攪拌装置としては、例えば、AS ONE社製のマグネティックスターラーHS-50Dが挙げられる。
陽極酸化処理に使用される電解液は、硫酸、リン酸等の無機酸、シュウ酸、マロン酸、酒石酸、コハク酸などの有機酸または、例示される酸を2種類用いた混酸が好ましい。
規則化処理は、陽極酸化皮膜を溶解させる皮膜溶解処理と、皮膜溶解処理後の陽極酸化処理とからなる工程を1回以上行う処理である。
皮膜溶解処理は、上記したアルミ二ウム部材の陽極酸化皮膜を溶解させる処理である。これにより、陽極酸化皮膜表面の配列が不規則な部分が一部溶解するため、マイクロポアの配列の規則性が高くなる。また、皮膜を溶解させることにより、第1回の皮膜溶解後の陽極酸化処理の際、電流密度の立ち上がりが大きくなり、この結果、マイクロポアの配列の規則化性が高くなる。
皮膜溶解処理にアルカリ水溶液を用いる場合は、水酸化ナトリウム、水酸化カリウムおよび水酸化リチウムからなる群から選ばれる少なくとも一つのアルカリの水溶液を用いることが好ましい。アルカリ水溶液の濃度は0.1〜5質量%であるのが好ましい。アルカリ水溶液の温度は、20〜35℃であるのが好ましい。
具体的には、例えば、50g/L、40℃のリン酸水溶液、0.5g/L、30℃の水酸化ナトリウム水溶液または0.5g/L、30℃の水酸化カリウム水溶液が好適に用いられる。
酸水溶液またはアルカリ水溶液への浸漬時間は、8〜60分であるのが好ましく、10〜50分であるのがより好ましく、15分〜30分であるのが更に好ましい。
陽極酸化処理は、上述した皮膜溶解処理の後に行われる。これにより、アルミ二ウム基板の酸化反応が進行し、皮膜溶解処理により溶解した陽極酸化皮膜が厚くなる。
規則化処理において、上記工程を2回以上繰り返して行う場合、各回の皮膜溶解処理および陽極酸化処理の条件はそれぞれ同じであっても、異なっていてもよい。
定電流処理は、上述した陽極酸化処理の後に行われる。これにより、規則化配列性を落とすことなく、酸化アルミ二ウムの膜厚を厚くし、マイクロポアの軸方向長さを長くすることが可能となる。
貫通化処理は、上記陽極酸化処理の後に、上記陽極酸化により生じたマイクロポアによる孔を貫通化する工程である。
上記貫通化処理工程では、下記(2−a)または(2−b)の処理を実施することが好ましい。
(2−a)酸またはアルカリを用いて、陽極酸化皮膜を有するアルミニウム基板を溶解し、マイクロポアによる孔を貫通化する処理(化学溶解処理)。
(2−b)陽極酸化皮膜を有するアルミニウム基板を機械的に研磨し、マイクロポアによる孔を貫通化する処理(機械的研磨処理)。
化学溶解処理では、具体的には、例えば、上記陽極酸化処理工程の後に、アルミニウム基板(図3(D)においては符号12bで表される部分)を溶解し、さらに、陽極酸化皮膜の底部(図3(D)においては符号18dで表される部分)を除去して、マイクロポアによる孔を貫通化させる。
一定電流下での陽極酸化処理後のアルミニウム基板の溶解は、陽極酸化皮膜(アルミナ)は溶解しにくく、アルミニウムを溶解しやすい処理液を用いる。
即ち、アルミニウム溶解速度1μm/分以上、好ましくは3μm/分以上、より好ましくは5μm/分以上、および、陽極酸化皮膜溶解速度0.1nm/分以下、好ましくは0.05nm/分以下、より好ましくは0.01nm/分以下の条件を有する処理液を用いる。
具体的には、アルミよりもイオン化傾向の低い金属化合物を少なくとも1種含み、かつ、pHが4以下8以上、好ましくは3以下9以上、より好ましくは2以下10以上の処理液に浸漬する処理を行う。
中でも、酸水溶液ベースが好ましく、塩化物をブレンドするのが好ましい。
特に、塩酸水溶液に塩化水銀をブレンドした処理液(塩酸/塩化水銀)、塩酸水溶液に塩化銅をブレンドした処理液(塩酸/塩化銅)が、処理ラチチュードの観点から好ましい。
なお、このような処理液の組成は特に限定されず、例えば、臭素/メタノール混合物、臭素/エタノール混合物、王水等を用いることができる。
アルミニウム基板を溶解した後の陽極酸化皮膜の底部の除去は、酸水溶液またはアルカリ水溶液に浸せきさせることにより行う。底部の陽極酸化皮膜が除去されることにより、マイクロポアによる孔が貫通する。
一方、アルカリ水溶液を用いる場合は、水酸化ナトリウム、水酸化カリウムおよび水酸化リチウムからなる群から選ばれる少なくとも一つのアルカリの水溶液を用いることが好ましい。アルカリ水溶液の濃度は0.1〜5質量%であるのが好ましい。アルカリ水溶液の温度は、20〜35℃であるのが好ましい。
また、予めpH緩衝液に浸漬させる場合は、上述した酸/アルカリに適宜対応した緩衝液を使用する。
機械的研磨処理では、具体的には、例えば、上記陽極酸化処理工程の後に、アルミニウム基板(図3(D)においては符号12bで表される部分)およびアルミニウム基板近傍の陽極酸化皮膜(図3(D)においては符号18dで表される部分)を機械的に研磨して除去することにより、マイクロポアによる孔を貫通化させる。
機械的研磨処理では、公知の機械的研磨処理方法を幅広く用いることができ、例えば、鏡面仕上げ処理について例示した機械研磨を用いることができる。但し、精密研磨速度が高いことから化学機械研磨(CMP:Chemical Mechanical Polishing)処理を行うことが好ましい。CMP処理には、フジミインコーポレイテッド社製のPNANERLITE−7000、日立化成社製のGPXHSC800、旭硝子(セイミケミカル)社製のCL−1000等のCMPスラリーを用いることができる。
1.電解研磨処理
高純度アルミ二ウム基板(住友軽金属社製、純度99.99質量%、厚さ0.4mm)を、10cm四方の面積でカットし、以下の組成の電解研磨液を用いて、電圧10V、液温度65℃、の条件で電解研磨処理を行った。陰極はカーボン電極とし、電源はGPO-250-30R(高砂製作所社製)を用いた。
・85質量%リン酸(和光純薬社製試薬) 1320mL
・純水 80mL
・硫酸 600mL
上記で得られた研磨処理後のサンプルを、1.75mol/L水酸化ナトリウム、及び0.16mol/L硝酸ナトリウムの処理液を用いて、60℃の条件で30〜90秒浸漬して脱脂処理した。
3.(A)起点形成処理
上記で得られたサンプルを、5.00mol/Lマロン酸の電解液で、電圧130.0V、液温度3℃の条件で7.5分間陽極酸化処理した。電圧はGPO-250-30R(高砂製作所社製)で定電圧設定にし、で130.0V(±0.1V)に制御した。さらに得られたサンプルを、0.52mol/Lのリン酸水溶液で、40℃の条件で42.5分浸漬して皮膜溶解を行った。この処理を4回繰り返した。
上記で得られたサンプルを、5.00mol/Lマロン酸の電解液で、電圧130.0V、液温度3℃の条件で7.5分間定電圧陽極酸化処理を行った。
5.(C)定電流処理
上記得られたサンプルを同様なマロン酸の電解液で電流密度120A/m2、液温度3℃の条件で90分間定電流陽極酸化処理し、電流はカレントトランス及び電圧計を用いて、導線部に流れる電流を測定し、120A/m2(±10A/m2)に制御した。
図1(B)に示す、アルミ二ウム基板表面にマイクロポアが直管状で且つハニカム状に配列された陽極酸化皮膜を形成した。
上記(A)起点形成処理によるマイクロポア形成処理の電解条件を、0.1mol/Lリン酸の電解液で、電圧195V、液温3℃の条件で240分間陽極酸化処理し、上記(B)陽極酸化処理によるマイクロポア形成処理の電解条件を、0.5mol/Lリン酸とし、電圧195V、温度3℃の条件で30分間定電圧陽極酸化処理し、上記(C)定電流処理によるマイクロポア形成処理電解条件を、0.5mol/Lリン酸の電解液で、電流密度200A/m2、液温3℃の条件で720分間定電流陽極酸化処理とした以外は、実施例1と同様の方法で、実施例2を得た。
上記(A)起点形成処理によるマイクロポア形成処理の電解条件を、3.0mol/L酒石酸の電解液で、電圧197V、液温3℃の条件で30分間陽極酸化処理し、上記(B)陽極酸化処理によるマイクロポア形成処理の電解条件を、5.0mol/L酒石酸の電解液で、電圧197V、温度3℃の条件で2分間定電圧陽極酸化処理し、上記(C)定電流処理によるマイクロポア形成処理電解条件を、5.0mol/L酒石酸の電解液で、電流密度180A/m2、液温3℃の条件で120分間定電流陽極酸化処理とした以外は、実施例1と同様の方法で、実施例3を得た。
上記(A)起点形成処理によるマイクロポア形成処理の電解条件を、2.0mol/Lクエン酸の電解液で、電圧240V、液温3℃の条件で10分間陽極酸化処理し、上記(B)陽極酸化処理によるマイクロポア形成処理の電解条件を、2.0mol/Lクエン酸の電解液で、電圧240V、温度3℃の条件で10分間定電圧陽極酸化処理し、上記(C)定電流処理によるマイクロポア形成処理電解条件を、0.5mol/L酒石酸の電解液で、電流密度70A/m2、液温3℃の条件で300分間定電流陽極酸化処理とした以外は、実施例1と同様の方法で、実施例4を得た。
上記(B)陽極酸化によるマイクロポア形成処理の電解条件を、電圧130Vの条件で150分間定電圧陽極酸化処理とし、定電流陽極酸化処理は行わなかった以外は、実施例1と同様の方法で比較例1のサンプルを得た。
上記(B)陽極酸化によるマイクロポア形成処理の電解条件を、電流密度120A/m2の条件で150分間定電流陽極酸化処理し、定電圧陽極酸化処理は行わなかった以外は、実施例2と同様の方法で比較例2のサンプルを得た。
上記(A)起点形成処理によるマイクロポア形成処理を行わず、かつ、上記(B)陽極酸化によるマイクロポア形成処理の電解条件を、電圧130.0Vの条件で150分間定電圧陽極処理とし、定電流陽極酸化処理は行わなかった以外は、実施例1と同様の方法で比較例3のサンプルを得た。
上記(A)起点形成処理によるマイクロポア形成処理を行わず、かつ、上記(B)陽極酸化によるマイクロポア形成処理の電解条件を、電流密度120A/m2の条件で150分間定電流陽極酸化処理し、定電圧陽極酸化処理は行わなかった以外は、実施例1と同様の方法で比較例4のサンプルを得た。
上記の実施例、比較例の結果を表1に示す。
(2)マイクロポアの中心間の距離は、皮膜を溶解し、起点をSEMで観察した画像から、近接する2つのマイクロポアを選び、それぞれのポアに外周と2点の交点を持つように、2つの直線を描き、直線とポアの外周の垂直二等分線を描いた。2つの垂直二等分線の交点をポア中心とし、近接するポアの中心間隔を測定した。この操作を20回行い、平均値を算出し、中心間の距離を求めた。
(3)表面規則化度は、微細構造体表面を走査型電子顕微鏡で観察した画像から、200個のポアにおいて6個のポアに近接するポア数を目視で確認し、上記一般式(1)より算出した。
(4)底部面の規則化度は、マイクロポアをクロム酸に溶解させた起点形状を走査型電子顕微鏡で観察した画像から、200個のポアにおいて6個のポアに近接するポア数を目視で確認し、上記一般式(1)より算出した。
(5)皮膜成長率は、過電流式膜厚計を用いて膜厚を測定し、皮膜成長率=(膜厚)/(AD処理時間)として算出した。表1の皮膜成長速度は、定電流陽極酸化処理の場合の測定値である。
(6)マイクロポアの軸方向長さは、渦電流式膜厚計(EDY-1000,株式会社サンコウ電子研究所)を用いて測定した。表1に結果を示す。
3、16a、16b、16c、16d マイクロポア
4 底部面
5 表面
6 マイクロポアの軸方向の距離
7 マイクロポア間の幅
8 マイクロポアの直径
9 マイクロポアの中心間距離
12、12a、12b、12c、12d アルミニウム基板
14、14a、14b、14c、14d 陽極酸化皮膜
18d バリア層
20 微細構造体
101、102、104、105、107、108 マイクロポア
103、106、109 円
Claims (3)
- 微細構造体の底部から表面に連続する円環状の複数のマイクロポアを有し、底部面で、下記一般式(1)により定義される複数のマイクロポアの規則化度が70%以上であり、該マイクロポアの中心間の距離が300〜600nmであり、該マイクロポアの軸方向の長さが100μm以上であるアルミニウムまたはアルミニウム合金の酸化皮膜よりなる微細構造体:
一般式(1)
規則化度(%)=B/A×100
上記一般式(1)中、Aは、測定範囲におけるマイクロポアの全数を表す。Bは、一のマイクロポアの長軸に直角方向の断面の中心から、その他のマイクロポアの縁に内接する最も半径が短い円を描いた場合に、その円の内部に前記マイクロポア以外のマイクロポアの中心を6個含むことになる前記一のマイクロポアの測定範囲における数を表す。 - 前記微細構造体の表面と底部面の上記一般式(1)により定義される複数のマイクロポアの規則化度の差が10%以内である、請求項1に記載の微細構造体。
- アルミニウムまたはアルミ二ウム合金板を酸性水溶液中で電圧を一定の値に制御して陽極酸化処理した後に、さらに酸性水溶液中で、電流を一定の値に制御して陽極酸化処理を行う工程を含む、請求項1または2に記載の微細構造体の製造方法。
Priority Applications (6)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2008117264A JP5274097B2 (ja) | 2008-04-28 | 2008-04-28 | 微細構造体およびその製造方法 |
PCT/JP2009/058381 WO2009133898A1 (ja) | 2008-04-28 | 2009-04-28 | 微細構造体およびその製造方法 |
CN200980114945.3A CN102016132A (zh) | 2008-04-28 | 2009-04-28 | 微结构体及其制备方法 |
US12/988,238 US20110036720A1 (en) | 2008-04-28 | 2009-04-28 | Microstructure and manufacturing method thereof |
EP09738835A EP2270262A4 (en) | 2008-04-28 | 2009-04-28 | MICROSTRUCTURE AND MANUFACTURING METHOD THEREFOR |
KR1020107024050A KR101492673B1 (ko) | 2008-04-28 | 2009-04-28 | 미세 구조체 및 그 제조 방법 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2008117264A JP5274097B2 (ja) | 2008-04-28 | 2008-04-28 | 微細構造体およびその製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2009263748A JP2009263748A (ja) | 2009-11-12 |
JP5274097B2 true JP5274097B2 (ja) | 2013-08-28 |
Family
ID=41255114
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2008117264A Active JP5274097B2 (ja) | 2008-04-28 | 2008-04-28 | 微細構造体およびその製造方法 |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20110036720A1 (ja) |
EP (1) | EP2270262A4 (ja) |
JP (1) | JP5274097B2 (ja) |
KR (1) | KR101492673B1 (ja) |
CN (1) | CN102016132A (ja) |
WO (1) | WO2009133898A1 (ja) |
Families Citing this family (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
TW201325884A (zh) * | 2011-12-29 | 2013-07-01 | Hon Hai Prec Ind Co Ltd | 光學薄膜壓印滾輪及該滾輪之製作方法 |
EP3144271B1 (en) * | 2015-09-21 | 2019-03-27 | Point Engineering Co., Ltd. | Unit anodic oxide film structure |
JP6604703B2 (ja) * | 2015-10-16 | 2019-11-13 | 株式会社Uacj | アルミニウム部材及びその製造方法 |
Family Cites Families (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US2708655A (en) | 1955-05-17 | Electrolytic polishing of aluminum | ||
JPS6338599A (ja) * | 1986-07-31 | 1988-02-19 | Aisin Seiki Co Ltd | アルミニウム合金の陽極酸化方法 |
JP2728313B2 (ja) * | 1990-11-29 | 1998-03-18 | イズミ工業株式会社 | アルミニウム又はその合金の表面処理方法 |
JP2003171793A (ja) * | 2001-12-06 | 2003-06-20 | Fuji Kogyo Co Ltd | アルミニウム合金上への陽極酸化皮膜の形成方法 |
EP1715085B1 (en) * | 2005-04-18 | 2013-04-03 | FUJIFILM Corporation | Method for producing anodized structure |
JP2007204802A (ja) * | 2006-01-31 | 2007-08-16 | Fujifilm Corp | 構造体の製造方法 |
JP2007213340A (ja) * | 2006-02-09 | 2007-08-23 | Kenta Fujii | 確定拠出型年金・退職金制度ネットワークシステムおよび確定拠出効果計算管理・情報配信サーバ |
JP2007224364A (ja) * | 2006-02-23 | 2007-09-06 | Fujifilm Corp | 微細構造体およびその製造方法 |
JP4813925B2 (ja) * | 2006-02-28 | 2011-11-09 | 富士フイルム株式会社 | 微細構造体の製造方法および微細構造体 |
JP4824430B2 (ja) | 2006-02-28 | 2011-11-30 | 富士フイルム株式会社 | ナノ構造体の製造方法 |
EP1884578A1 (en) * | 2006-07-31 | 2008-02-06 | MPG Max-Planck-Gesellschaft zur Förderung der Wissenschaften e.V. | A method of manufacturing a self-ordered porous structure of aluminium oxide, a nanoporous article and a nano object |
EP1976007B1 (en) * | 2007-03-27 | 2017-11-29 | Fujifilm Corporation | Method of manufacture of anisotropically conductive member |
-
2008
- 2008-04-28 JP JP2008117264A patent/JP5274097B2/ja active Active
-
2009
- 2009-04-28 KR KR1020107024050A patent/KR101492673B1/ko active IP Right Grant
- 2009-04-28 WO PCT/JP2009/058381 patent/WO2009133898A1/ja active Application Filing
- 2009-04-28 US US12/988,238 patent/US20110036720A1/en not_active Abandoned
- 2009-04-28 CN CN200980114945.3A patent/CN102016132A/zh active Pending
- 2009-04-28 EP EP09738835A patent/EP2270262A4/en not_active Withdrawn
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
EP2270262A4 (en) | 2012-02-01 |
US20110036720A1 (en) | 2011-02-17 |
CN102016132A (zh) | 2011-04-13 |
EP2270262A1 (en) | 2011-01-05 |
KR101492673B1 (ko) | 2015-02-12 |
JP2009263748A (ja) | 2009-11-12 |
KR20110008056A (ko) | 2011-01-25 |
WO2009133898A1 (ja) | 2009-11-05 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
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|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
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|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
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