JP5136569B2 - Gel injector and method of manufacturing power module using the same - Google Patents
Gel injector and method of manufacturing power module using the same Download PDFInfo
- Publication number
- JP5136569B2 JP5136569B2 JP2010011364A JP2010011364A JP5136569B2 JP 5136569 B2 JP5136569 B2 JP 5136569B2 JP 2010011364 A JP2010011364 A JP 2010011364A JP 2010011364 A JP2010011364 A JP 2010011364A JP 5136569 B2 JP5136569 B2 JP 5136569B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- gel
- chamber
- power module
- ultrasonic vibration
- injector
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 9
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 17
- 238000002347 injection Methods 0.000 claims description 16
- 239000007924 injection Substances 0.000 claims description 16
- 230000001603 reducing effect Effects 0.000 claims description 4
- 238000000034 method Methods 0.000 description 14
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 5
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 5
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 5
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 5
- 230000005494 condensation Effects 0.000 description 4
- 238000009833 condensation Methods 0.000 description 4
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 4
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 4
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 3
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000006837 decompression Effects 0.000 description 2
- 230000002708 enhancing effect Effects 0.000 description 2
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 2
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 2
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 1
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 238000013016 damping Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 1
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 1
- 229920002050 silicone resin Polymers 0.000 description 1
- 238000005476 soldering Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48135—Connecting between different semiconductor or solid-state bodies, i.e. chip-to-chip
- H01L2224/48137—Connecting between different semiconductor or solid-state bodies, i.e. chip-to-chip the bodies being arranged next to each other, e.g. on a common substrate
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/11—Device type
- H01L2924/13—Discrete devices, e.g. 3 terminal devices
- H01L2924/1304—Transistor
- H01L2924/1305—Bipolar Junction Transistor [BJT]
- H01L2924/13055—Insulated gate bipolar transistor [IGBT]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/19—Details of hybrid assemblies other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/191—Disposition
- H01L2924/19101—Disposition of discrete passive components
- H01L2924/19107—Disposition of discrete passive components off-chip wires
Landscapes
- Coating Apparatus (AREA)
- Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)
Description
本発明はパワー半導体素子の封止などに用いられるゲルを注入するゲル注入器とそれを用いたパワーモジュールの製造方法に関する。 The present invention relates to a gel injector for injecting a gel used for sealing a power semiconductor element and a method for manufacturing a power module using the gel injector.
ケース内に端子やパワー半導体素子を備える構成のパワーモジュールがある。所望の電気的接続を得るために、端子やパワー半導体素子がはんだやワイヤで接続されると当該ケース内部にゲルが注入される。ゲルはケース内の絶縁性を高めることと、ケース内への異物などの侵入を防止することを目的に注入される。絶縁性を高める観点から、ゲルは水分や気泡などの不純物がない状態でパワー半導体素子などを封止することが望ましい。 There is a power module configured to include a terminal and a power semiconductor element in a case. In order to obtain a desired electrical connection, when terminals and power semiconductor elements are connected with solder or wires, gel is injected into the case. The gel is injected for the purpose of enhancing the insulating properties in the case and preventing the entry of foreign matter into the case. From the viewpoint of enhancing the insulating properties, it is desirable that the gel seals the power semiconductor element and the like in the absence of impurities such as moisture and bubbles.
たとえば、特許文献1にはゲルの中に混入した気泡を効率よく抜くことができる半導体装置についての記載がある。特許文献1には、ゲル状樹脂を覆うように配置される制振部材に貫通孔を設けることが開示されている。そしてこの貫通孔は実質的に円錐台形であり下方ほど断面積が大きい。これによりゲル状樹脂の気泡が貫通孔を抜ける過程でまとまり大きくなる。このようなゲル状樹脂の気泡は、真空装置により前述の貫通孔を経由して抜かれる。従って引用文献1に開示の技術によれば、ゲル状樹脂内の気泡低減効果を得ることができる。また、特許文献2から4にもゲルの品質向上などのための技術についての記載がある。 For example, Patent Document 1 describes a semiconductor device that can efficiently remove bubbles mixed in a gel. Patent Document 1 discloses that a through-hole is provided in a vibration damping member that is arranged so as to cover a gel-like resin. And this through-hole is substantially frustoconical, and the cross-sectional area is large toward the lower part. As a result, the gel-like resin bubbles are gathered and enlarged in the process of passing through the through holes. Such air bubbles of the gel-like resin are extracted by the vacuum device via the aforementioned through holes. Therefore, according to the technique disclosed in the cited document 1, an effect of reducing bubbles in the gel-like resin can be obtained. Patent Documents 2 to 4 also describe a technique for improving the quality of the gel.
特許文献1に開示の技術では、ゲルで封止されるべき部分の気泡や水分の除去が不十分な場合がある。その結果、ゲルで封止されるべき部分に気泡や水分が残存し、製品の品質にばらつきが生じる問題があった。 In the technique disclosed in Patent Document 1, there are cases where removal of bubbles and moisture in a portion to be sealed with gel is insufficient. As a result, there is a problem that air bubbles and moisture remain in the portion to be sealed with the gel, resulting in variations in product quality.
特に、パワーモジュールのケース内はパワー半導体素子や電極端子、表面に回路(導体)パターンが形成された絶縁基板が配置され、それらは、はんだを使って相互に接続されている。このはんだの表面には「引け巣」などと呼ばれる数十ミクロン程度の溝や穴が生じるため凹凸が多く、鉛フリーはんだを用いる場合は顕著であった。そのような凹凸には水分や気泡がトラップされやすく、絶縁特性などの品質にばらつきが生じやすい問題があった。 In particular, in the case of the power module, a power semiconductor element, electrode terminals, and an insulating substrate having a circuit (conductor) pattern formed on the surface are arranged, and these are connected to each other using solder. Grooves and holes of about several tens of microns called “shrinkage cavities” are formed on the surface of the solder, and thus there are many irregularities, which is remarkable when lead-free solder is used. Such unevenness has a problem that moisture and bubbles are easily trapped, and variations in quality such as insulation characteristics tend to occur.
本発明は、上述のような課題を解決するためになされたもので、ゲルで封止されるべき部分の水分や気泡を除去することができるゲル注入器およびそれを用いたパワーモジュールの製造方法を提供することを目的とする。 The present invention has been made to solve the above-described problems, and is a gel injector capable of removing moisture and bubbles in a portion to be sealed with a gel, and a method of manufacturing a power module using the same. The purpose is to provide.
本願の発明にかかるゲル注入器は、チャンバーと、該チャンバーに取り付けられ該チャンバー内部にゲルを注入する注入ノズルと、該チャンバーと接続され該チャンバー内の減圧を行う真空ポンプと、該チャンバーと接続され該チャンバーに超音波振動を与える超音波発生器とを備えたことを特徴とする。 A gel injector according to the present invention includes a chamber, an injection nozzle that is attached to the chamber and injects a gel into the chamber, a vacuum pump that is connected to the chamber and depressurizes the chamber, and is connected to the chamber And an ultrasonic generator for applying ultrasonic vibration to the chamber.
本願の発明にかかるゲル注入器を用いたパワーモジュールの製造方法は、内部にパワー半導体素子を有するパワーモジュールをチャンバー内に設置する工程と、該チャンバー内を減圧し、かつ該チャンバーに超音波振動を印加する工程と、該減圧および、該超音波振動の印加を継続して、該パワー半導体素子を封止するように該パワーモジュールにゲルを注入する工程と、該ゲルを注入した後さらに所定時間該減圧および、該超音波振動の印加を継続する工程とを備えたことを特徴とする。 A method of manufacturing a power module using a gel injector according to the present invention includes a step of installing a power module having a power semiconductor element therein in a chamber, a pressure reduction in the chamber, and an ultrasonic vibration in the chamber. A step of injecting a gel into the power module so as to seal the power semiconductor element by continuing the application of the reduced pressure and the ultrasonic vibration, and a predetermined amount after injecting the gel A step of continuing the pressure reduction and application of the ultrasonic vibration for a period of time.
本発明によれば、パワーモジュール内部などにトラップされた水分や気泡を除去することができる。 According to the present invention, it is possible to remove moisture and bubbles trapped inside the power module.
実施の形態
実施形態は図1から図4を参照して説明する。なお、同一、対応する構成要素には同一の符号を付して複数回の説明を省略する場合がある。
Embodiments Embodiments will be described with reference to FIGS. 1 to 4. In addition, the same and corresponding components may be denoted by the same reference numerals, and a plurality of descriptions may be omitted.
図1は実施形態のゲル注入器10の概略図である。ゲル注入器10はチャンバー12を備える。チャンバー内部18はパワーモジュールへのゲル注入が行われる空間である。チャンバー内部18にゲル注入ができるように、チャンバー12にはゲル供給装置15に繋がる注入ノズル16が取り付けられる。さらに、チャンバー12にはチャンバー内部18の減圧を行う真空ポンプ(真空装置)14が取り付けされる。
FIG. 1 is a schematic view of a
チャンバー12の底部20には振動伝達部材22が接続される。振動伝達部材22は例えば金属材料で形成される。振動伝達部材22は超音波発生器24と接続される。よって超音波発生器24が超音波振動を発生すると、振動伝達部材22を経由してチャンバー12(底部20)が超音波振動する。
A
図2は実施形態のゲル注入器10を用いたパワーモジュールの製造方法について説明するフローチャートである。以後、図2に沿って実施形態のパワーモジュールの製造方法について説明する。まず、ステップ50にてパワーモジュールがチャンバー内部18の底部20に設置される。図3には、パワー半導体素子66などを有するパワーモジュールがチャンバー内部18の注入ノズル16下に設置された様子が記載されている。
FIG. 2 is a flowchart illustrating a method for manufacturing a power module using the
ここで、実施形態におけるパワーモジュールの主要構成は以下の通りである。金属のベース板60上に絶縁基板64が固着される。絶縁基板64の表裏には金属の導体パターンが設けられており、表面の導体パターン上にIGBTやダイオードなどのパワー半導体素子66および金属の電極端子70が固着される。これらの固着には、多くの場合リフローはんだ付けなどを用いる。また、絶縁基板64の表面ではパワー半導体素子66や導体パターンとの間を電気的に接続するため、適宜にアルミなどのワイヤ68によるワイヤボンディングが行われる。そしてパワー半導体素子66などが搭載された絶縁基板64を囲繞する樹脂製のケース62がベース板60に接着剤などを用いて固着され、このケース62内にゲル72が充填されるものとなっている(図4参照)。
Here, the main configuration of the power module in the embodiment is as follows. An
ステップ50による処理を終えるとステップ52へと処理が進められる。ステップ52ではチャンバー内部18を減圧し、かつチャンバー12に超音波振動を印加する。チャンバー内部18の減圧は真空ポンプ14を稼動させることで行う。減圧はチャンバー内部18が25℃、約13Pa(0.1Torr)以下となるように行うが特にこれに限定されない。ただし、この条件としては水(液体)が水蒸気(気体)になる環境まで減圧を行うことが水分除去のためには好ましく、例えば25℃の場合では2500Pa以下にする必要がある。一方チャンバー12(底部20)への超音波振動の印加は、前述のとおり超音波発生器24により振動伝達部材22を介して行われる。そして、チャンバー12(底部20)に設置されているパワーモジュールにも超音波振動が印加される。超音波振動の振動方向は図3において矢印で示すように水平方向の振動としているが特にこれに限定されない。
When the process in
ステップ52による処理を終えるとステップ54へと処理が進められる。ステップ54では、前述の減圧を継続し、超音波振動の印加を維持した状態で、パワー半導体素子などを封止するようにパワーモジュールのケース62内にゲルを注入する。本実施形態では真空ポンプ14による減圧が進み目標値に到達した段階でゲル注入を行う。ゲルの注入はゲル供給装置15により制御され注入ノズル16から行う。ゲルとしては、耐絶縁性、耐熱性、耐寒性に優れるシリコーン樹脂などの高分子化合物が挙げられるが特に限定されない。
When the process in
ステップ54による処理を終えるとステップ56へと処理が進められる。ステップ56では、ゲル注入後一定時間(例えば5分間程度)前述の減圧および超音波振動の印加を継続する。上述のステップを終えると図4に記載のようにゲル72がケース62内部に充填されたパワーモジュールが形成される。なお、パワーモジュールの組立て完成までには、以降、ゲル72を硬化させるための加熱処理が行われた後、ゲル72の上部を覆うエポキシ樹脂の充填・硬化や蓋の装着などが通常必要とされる。
When the process in
本実施形態のゲル注入器およびそれを用いたパワーモジュールの製造方法によれば、パワーモジュール内部の凹凸などにトラップされた水分や気泡を低減することができる。すなわち、パワーモジュール内部の凹凸などにトラップされた水分や気泡は超音波発生器24からの超音波振動により振動する。この振動は、真空ポンプ14による減圧作用に伴った水分や気泡の除去を促進する。よって当該凹凸にトラップされた水分や気泡を低減できるから、パワーモジュールの品質ばらつきを回避できる。
According to the gel injector of this embodiment and the manufacturing method of a power module using the same, the water | moisture content and air bubble trapped by the unevenness | corrugation etc. inside a power module can be reduced. That is, moisture and bubbles trapped in the irregularities inside the power module vibrate due to ultrasonic vibration from the
実施形態においてゲル注入前にパワーモジュールに対し超音波印加を行う(ステップ52)のは、パワーモジュールの凹凸にトラップされた水分を除去するためである。つまり、ゲル注入前においても、真空装置による水分除去は超音波振動によって促進される。 In the embodiment, the ultrasonic wave is applied to the power module before gel injection (step 52) in order to remove moisture trapped in the irregularities of the power module. That is, even before gel injection, moisture removal by the vacuum device is promoted by ultrasonic vibration.
また、実施形態においてゲル注入後にパワーモジュールに対して超音波印加を行う(ステップ56)のは、ゲルをパワーモジュールに接触させたことで生じる結露を除去するためである。一般に、パワーモジュールはゲル注入器による処理の前に熱乾燥が行われるため、ゲル注入開始時点で室温であるゲルに比べてやや高い温度(例えば、室温25℃の場合で、約30〜40℃程度)状態にパワーモジュールはある。したがって、ゲルとパワーモジュールには温度差があるため両者が接触すると当該温度差と減圧下で残った空気に含まれる水分により微小な結露が生じ、この結露はゲル中に吸収される可能性がある。しかし、本実施形態によればパワーモジュールにゲルを注入したあとも減圧および超音波振動の印加を継続する。よって上述の微小な結露によりゲル中に吸収された水分も除去することができる。 In the embodiment, the ultrasonic wave is applied to the power module after the gel injection (step 56) in order to remove dew condensation caused by bringing the gel into contact with the power module. In general, since the power module is thermally dried before the treatment by the gel injector, the temperature is slightly higher than that of the gel at room temperature at the start of gel injection (for example, about 30 to 40 ° C. at a room temperature of 25 ° C.). Degree) the power module is in the state. Therefore, since there is a temperature difference between the gel and the power module, minute condensation occurs due to the temperature difference and moisture contained in the air remaining under reduced pressure, and this condensation may be absorbed into the gel. is there. However, according to the present embodiment, the decompression and the application of ultrasonic vibration are continued even after the gel is injected into the power module. Therefore, moisture absorbed in the gel due to the above-mentioned minute condensation can also be removed.
このように、チャンバー内を減圧することに加えて、パワーモジュールに超音波振動を印加し、水分や気泡の除去を促進することが本発明の特徴である。よって本発明はゲルにより素子などを封止する場合に広く応用できる。 Thus, in addition to decompressing the inside of the chamber, it is a feature of the present invention that ultrasonic vibration is applied to the power module to promote the removal of moisture and bubbles. Therefore, the present invention can be widely applied to the case where an element is sealed with a gel.
本実施形態では真空ポンプ14による減圧が進み目標値に到達した段階でゲル注入を行うこととした。しかしながら、チャンバー12内の圧力が目標値に到達したあと一定時間ゲル注入開始を延長してもよい。これによりゲル注入前の確実な水分除去ができる。
In the present embodiment, the gel injection is performed when the pressure reduction by the
10 ゲル注入器、 12 チャンバー、 14 真空ポンプ、 15 ゲル供給装置、 16 注入ノズル、 18 チャンバー内部、 22 振動伝達部材、 24 超音波発生器
DESCRIPTION OF
Claims (2)
前記チャンバーに取り付けられ前記チャンバー内部にゲルを注入する注入ノズルと、
前記チャンバーと接続され前記チャンバー内の減圧を行う真空ポンプと、
前記チャンバーと接続され前記チャンバーに超音波振動を与える超音波発生器とを備えたことを特徴とするゲル注入器。 A chamber;
An injection nozzle attached to the chamber and injecting a gel into the chamber;
A vacuum pump connected to the chamber and depressurizing the chamber;
A gel injector comprising an ultrasonic generator connected to the chamber and applying ultrasonic vibration to the chamber.
前記チャンバー内を減圧し、かつ前記チャンバーに超音波振動を印加する工程と、
前記減圧および、前記超音波振動の印加を継続して、前記パワー半導体素子を封止するように前記パワーモジュールにゲルを注入する工程と、
前記ゲルを注入した後さらに所定時間前記減圧および、前記超音波振動の印加を継続する工程とを備えたことを特徴とするパワーモジュールの製造方法。 Installing a power module having a power semiconductor element inside the chamber;
Reducing the pressure in the chamber and applying ultrasonic vibration to the chamber;
Injecting gel into the power module so as to seal the power semiconductor element by continuing the application of the reduced pressure and the ultrasonic vibration;
A method of manufacturing a power module, comprising: a step of continuing the pressure reduction and application of the ultrasonic vibration for a predetermined time after the gel is injected.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2010011364A JP5136569B2 (en) | 2010-01-21 | 2010-01-21 | Gel injector and method of manufacturing power module using the same |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2010011364A JP5136569B2 (en) | 2010-01-21 | 2010-01-21 | Gel injector and method of manufacturing power module using the same |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2011151214A JP2011151214A (en) | 2011-08-04 |
JP5136569B2 true JP5136569B2 (en) | 2013-02-06 |
Family
ID=44537931
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2010011364A Active JP5136569B2 (en) | 2010-01-21 | 2010-01-21 | Gel injector and method of manufacturing power module using the same |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP5136569B2 (en) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN106215793A (en) * | 2016-08-26 | 2016-12-14 | 国网河南省电力公司电力科学研究院 | A kind of ultrasound wave for natural esters insulating oil mixes vacuum stirring tank |
Families Citing this family (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP6295581B2 (en) * | 2013-10-04 | 2018-03-20 | 富士電機株式会社 | Manufacturing method of electrical equipment |
JP6112130B2 (en) | 2015-03-25 | 2017-04-12 | トヨタ自動車株式会社 | Electrostatic nozzle, discharge device, and method for manufacturing semiconductor module |
CN105126393B (en) * | 2015-08-18 | 2017-07-14 | 安徽日正新源电气技术有限公司 | Vacuum defoaming device |
CN112313781B (en) * | 2018-06-27 | 2024-05-24 | 三菱电机株式会社 | Power module, method for manufacturing the same, and power conversion device |
CN113916068B (en) * | 2021-12-13 | 2022-04-12 | 成都瑞迪威科技有限公司 | Overload-resistant encapsulating process for missile-borne products |
Family Cites Families (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2001144115A (en) * | 1999-11-10 | 2001-05-25 | Mitsumi Electric Co Ltd | Method and apparatus for packaging integrated circuit |
JP3934302B2 (en) * | 2000-03-27 | 2007-06-20 | ミナミ株式会社 | Vacuum defoaming device for anti-corrosion fixing material applied to components of mounted printed wiring boards |
JP5357667B2 (en) * | 2009-08-24 | 2013-12-04 | 本田技研工業株式会社 | Manufacturing method of electronic device |
-
2010
- 2010-01-21 JP JP2010011364A patent/JP5136569B2/en active Active
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN106215793A (en) * | 2016-08-26 | 2016-12-14 | 国网河南省电力公司电力科学研究院 | A kind of ultrasound wave for natural esters insulating oil mixes vacuum stirring tank |
CN106215793B (en) * | 2016-08-26 | 2019-01-18 | 国网河南省电力公司电力科学研究院 | A kind of ultrasonic wave mixing vacuum stirring tank for natural esters insulating oil |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2011151214A (en) | 2011-08-04 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5136569B2 (en) | Gel injector and method of manufacturing power module using the same | |
JP5989124B2 (en) | Power semiconductor device | |
US20130056883A1 (en) | Semiconductor device and method of manufacturing the same | |
JP6398270B2 (en) | Semiconductor device | |
JP6705394B2 (en) | Semiconductor module and inverter device | |
JP4783583B2 (en) | Method for internal electrical insulation of a substrate for a power semiconductor module | |
JP2015207582A (en) | Power semiconductor device and method of manufacturing the same | |
US10937708B2 (en) | Power module and method of manufacturing the same | |
US20160049358A1 (en) | Electronic circuit, production method thereof, and electronic component | |
CN104078454A (en) | Semiconductor device | |
JP6645134B2 (en) | Semiconductor device and method of manufacturing semiconductor device | |
JP5987297B2 (en) | Method for manufacturing power semiconductor device | |
KR20020009486A (en) | Flip-chip type semiconductor device having split voids within under-fill layer and its manufacturing method | |
JP2012134300A (en) | Semiconductor device | |
JP2015220295A (en) | Power module and manufacturing method of the same | |
JP6101507B2 (en) | Manufacturing method of semiconductor device | |
JP2011187819A (en) | Resin sealed power module and method of manufacturing the same | |
JP5826443B1 (en) | Semiconductor device and manufacturing method thereof | |
JP5693427B2 (en) | Semiconductor device and manufacturing method of semiconductor device | |
JP6295581B2 (en) | Manufacturing method of electrical equipment | |
JP6891075B2 (en) | Power semiconductor module | |
JP5957814B2 (en) | Power module manufacturing method | |
JP2015076547A (en) | Electronic apparatus and manufacturing method for the same | |
JP2002217523A (en) | Method of manufacturing electronic device | |
JP2013016653A (en) | Manufacturing method and manufacturing apparatus of solar cell module |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20120523 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20121003 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20121016 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20121029 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Ref document number: 5136569 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20151122 Year of fee payment: 3 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |