JP5034723B2 - サージ吸収素子及び発光装置 - Google Patents

Description

本発明は、サージ吸収素子、及び、当該サージ吸収素子を備える発光装置に関する。

サージ吸収素子として、所定のギャップを有して配置された電極を備え、電極間での放電によりサージを吸収する、いわゆるギャップ式のサージ吸収素子がある（例えば特許文献１参照）。
特表２００１−５２３０４０号公報

ところで、サージ吸収素子は、半導体発光素子やＦＥＴ(Field Effect Transistor：電界効果トランジスタ)等の電子素子に並列接続されることにより、電子素子をＥＳＤ（Electrostatic Discharge：静電気放電）サージから保護することができる。この電子素子は、動作中に熱を発するものがある。電子素子が高温になると、素子自身の特性劣化を招き、その動作に影響が出る。このため、発生した熱を効率良く放熱させる必要がある。

本発明は、上記課題の解決のためになされたものであり、熱を効率良く放散することが可能なサージ吸収素子及び発光装置を提供することを目的とする。

本発明に係るサージ吸収素子は、第１及び第２の面を含むと共に、電気絶縁性材料からなる素体と、所定のギャップを有して素体の第１の面に配置された少なくとも二つの電極と、素体が有する領域より熱伝導率が高く且つ該領域の第２の面と熱的に接続されるように配置された放熱部と、を備え、放熱部は、金属及び金属酸化物の複合材料からなることを特徴とする。

本発明に係るサージ吸収素子では、所定のギャップを有して素体の第１の面に配置された少なくとも二つの電極間での放電により、ＥＳＤサージを吸収することができる。本発明では、放熱部が、金属及び金属酸化物の複合材料からなり、素体より熱伝導率が高く且つ素体の第２の面と熱的に接続されるように配置されているので、サージ吸収素子に伝えられた熱を放熱部から効率よく放散することができる。

好ましくは、放熱部が、素体の第２の面に接触するように配置されている。この場合、サージ吸収素子に伝えられた熱を効率よく放熱部に伝えることができる。

好ましくは、電気絶縁性材料は、ガラス物質である。また、好ましくは、電気絶縁性材料は、ガラス物質及びセラミックスである。これらの場合、素体の電気絶縁性を確実に担保することができる。

好ましくは、素体と放熱部とは、同時焼成によって形成されている。この場合、製造工程を簡略化できる。

好ましくは、素体は、電気絶縁性材料を含むペーストを焼き付けることにより形成されている。この場合、素体の形成が簡便となる。

好ましくは、放熱部は、金属の主成分として、Ａｇを含んでいる。Ａｇは、熱伝導率が比較的高く、放熱部内での伝熱及び放熱部からの熱の放散の効率を高めることが可能となる。

好ましくは、放熱部は、金属酸化物として、ＺｎＯを含んでいる。

好ましくは、所定のギャップが、樹脂材料により覆われている。また、好ましくは、樹脂材料に導体材料及び半導体材料の少なくともいずれか一方の材料が分散されている。これらの場合、放電電圧の制御が可能となる。

本発明に係る発光装置は、サージ吸収素子と発光素子とを備えた発光装置であって、サージ吸収素子は、第１及び第２の面を含むと共に、電気絶縁性材料からなる素体と、所定のギャップを有して素体の第１の面に配置された少なくとも二つの電極と、素体が有する領域より熱伝導率が高く且つ該領域の第２の面と熱的に接続されるように配置された放熱部と、を備え、放熱部は、金属及び金属酸化物の複合材料からなり、発光素子は、サージ吸収素子に並列接続されるように少なくとも二つの電極に電気的且つ物理的に接続されていることを特徴とする。

本発明に係る発光装置では、所定のギャップを有して素体の第１の面に配置された少なくとも二つの電極間での放電により、ＥＳＤサージを吸収することができる。本発明では、発光素子とサージ吸収素子の少なくとも二つの電極とが物理的に接続されているので、発光素子において発生した熱が少なくとも二つの電極を介してサージ吸収素子に伝わる。そして、放熱部が、金属及び金属酸化物の複合材料からなり、素体より熱伝導率が高く且つ素体の第２の面と熱的に接続されるように配置されているので、サージ吸収素子に伝えられた熱を放熱部から効率よく放散することができる。

本発明に係るサージ吸収素子及び発光装置によれば、熱を効率良く放熱することが可能となる。

以下、添付図面を参照して、本発明の好適な実施形態について詳細に説明する。なお、説明において、同一要素又は同一機能を有する要素には、同一符号を用いることとし、重複する説明は省略する。

まず、図１及び図２を参照して、本実施形態に係るサージ吸収素子ＳＡ１の構成について説明する。図１は、本実施形態に係るサージ吸収素子を示す概略斜視図である。図２は、本実施形態に係るサージ吸収素子を示す概略断面図である。図１及び図２に示すように、サージ吸収素子ＳＡ１は、素体１０と、一対の第１及び第２の電極２０，３０と、放熱部４０とを備えている。

素体１０は、層状であり、互いに対向している第１及び第２の主面１１，１２を含んでいる。素体１０は、電気絶縁材料からなり、本実施形態ではガラス物質からなる。電気絶縁材料としては、ガラス物質以外に、電気絶縁性を有するセラミックス（例えば、Ａｌ_２Ｏ_３、ＺｒＯ_２、ＡｌＮ、又はＴｉＯ_２等）が挙げられる。素体１０は、ガラス物質により構成してもよく、セラミックスにより構成してもよく、また、ガラス物質及びセラミックスにより構成してもよい。

第１の電極２０及び第２の電極３０は、素体１０の第１の主面１１に配置されている。第１の電極２０及び第２の電極３０は、第１の主面１１に垂直な方向から見て矩形形状を呈しており、所定のギャップを有して対称的に配置されている。第１の電極２０は、素体１０の３つの側面には露出せず、第１の主面１１の縁から所定の距離だけ内側の位置まで伸びている。第２の電極３０は、素体１０の３つの側面には露出せず、第１の主面１１の縁から所定の距離だけ内側の位置まで伸びている。

第１の電極２０及び第２の電極３０は、半導体発光素子６１（図６参照）のような電子素子の接続端となり、電子素子が実装されるパッド電極として機能する。また、第１の電極２０及び第２の電極３０は、サージ吸収素子ＳＡ１の入出力端子としても機能する。

第１の電極２０及び第２の電極３０は、金属（例えば、Ａｇ、Ａｇ−Ｐｄ合金、又はＡｕ等）を主成分として含有している。第１の電極２０及び第２の電極３０は、導電性金属粉末（例えば、Ａｇ粉末、Ａｇ−Ｐｄ合金粉末、又はＡｕ粉末等）を含有する導電性ペーストを焼成することによって形成されている。第１の電極２０及び第２の電極３０は、スパッタ法等のめっき法にて形成してもよい。

放熱部４０は、略直方体形状をなし、第１及び第２の主面４１，４２と、第１及び第２の端面４３，４４と、第１及び第２の側面４５，４６とを含んでいる。第１及び第２の主面４１，４２は、長方形状を呈しており、互いに対向している。第１及び第２の端面４３，４４は、第１及び第２の主面４１，４２間を連結するように第１及び第２の主面４１，４２の短辺方向に伸び且つ互いに対向している。第１及び第２の側面４５，４６は、第１及び第２の主面４１，４２間を連結するように第１及び第２の主面４１，４２の長辺方向に伸び且つ互いに対向している。

放熱部４０は、金属と金属酸化物の複合材料からなる焼結体であり、複数の層が積層された積層体として構成されている。実際のサージ吸収素子ＳＡ１では、放熱部４０を構成する複数の層は、互いの間の境界が視認できない程度に一体化されている。

放熱部４０は、金属を含んでおり、素体１０の熱伝導率（本実施形態では、素体１０を構成しているガラス物質やセラミックス等の熱伝導率）よりも熱伝導率が高い。本実施形態では、例えば、金属としてＡｇを用い、金属酸化物としてＺｎＯを用いている。Ａｇの代わりに、Ａｇ−Ｐｄ合金又はＰｄ等を含んでいてもよく、また、これらの金属を複数種含んでいてもよい。ただし、熱伝導率の面からＡｇを用いることが好ましい。ＺｎＯの代わりに、Ａｌ_２Ｏ_３、ＳｉＯ_２又はＺｒＯ_２を含んでいてもよく、また、これらの金属酸化物を複数種含んでいてもよい。

放熱部４０は、放熱部４０の第１の主面４１が素体１０の第２の主面１２に接触した状態で素体１０に接合されている。これにより、放熱部４０は、素体１０の第２の主面１２と熱的に接続されることとなる。

放熱部４０の内部は、金属であるＡｇによって、素体１０の第２の主面１２に接触し向き合っている第１の主面４１から素体１０の第２の主面１２に接触していない面４２〜４６に亘って導通している。放熱部４０の第２の主面４２、第１及び第２の端面４３，４４、並びに、第１及び第２の側面４５，４６は露出している。

続いて、上述したサージ吸収素子ＳＡ１の製造過程について説明する。

まず、放熱部４０の各層を構成する主成分であるＡｇ及びＺｎＯを所定の割合となるように各々秤量した後、各成分を混合して材料を調整する。このとき、調整された材料に、微量添加物（例えば、Ｐｒ、Ｃｏ、Ｃｒ、Ｃａ、Ｓｉ、Ｋ及びＡｌの金属又は酸化物等）が含まれていてもよい。その後、この材料に有機バインダ、有機溶剤、有機可塑剤等を加えて、ボールミル等を用いて２０時間程度混合・粉砕を行ってスラリーを得る。

このスラリーを、ドクターブレード法等の公知の方法により、例えばポリエチレンテレフタレートからなるフィルム上に塗布した後、乾燥して厚さ３０μｍ程度の膜を形成する。こうして得られた膜をフィルムから剥離して放熱部用のグリーンシートを得る。

次に、所定枚数の放熱部用のグリーンシートを重ねてシート積層体を形成する。そして、得られたシート積層体をチップ単位に切断し、分割された複数のグリーン体を得る。

次に、グリーン体に、１８０〜４００℃、０．５〜２４時間程度の加熱処理を実施して脱バインダを行った後、さらに、８５０〜１４００℃、０．５〜８時間程度の焼成を行う。これにより、放熱部４０が得られることとなる。

次に、ガラス粉末、有機バインダ、及び有機溶剤を混合したガラスペーストを用意し、当該ガラスペーストを放熱部４０の第１の主面４１に印刷し乾燥させる。これにより、放熱部４０にガラスペースト層が形成されることとなる。

そして、放熱部４０に形成されたガラスペースト層上に、第１の電極２０及び第２の電極３０に対応する電極パターンを形成する。この電極パターンは、Ａｕ粒子又はＡｇ粒子を主成分とする金属粉末に有機バインダ及び有機溶剤を混合した導電性ペーストをガラスペースト層上に印刷し、乾燥させることにより形成する。そして、これらのガラスペースト層及び電極パターンをＯ_２雰囲気下で８００℃以上の温度にて焼付けることにより、層状の素体１０と、第１の電極２０及び第２の電極３０とが形成されることとなる。以上の過程により、図１及び図２に示したサージ吸収素子ＳＡ１が完成する。

なお、素体１０と放熱部４０とは、同時に焼成することによって形成してもよい。例えば、上述したシート積層体にガラスペースト層を形成しておき、その後、シート積層体とガラスペースト層とを焼成して、素体１０及び放熱部４０からなる焼結積層体を得る。また、ガラスペーストの代わりに、ガラス粉末、上述したセラミックの粉末、有機バインダ、及び有機溶剤を混合したセラミックペーストを用意し、シート積層体にセラミックペーストを印刷して乾燥させてセラミックペースト層を形成した後に、これを焼成してもよい。更には、上述したセラミックのグリーンシートを用意し、シート積層体を形成する際に、放熱部用のグリーンシートに積層しておき、これを焼成してもよい。

以上のように、本実施形態においては、所定のギャップを有して素体１０の素体１０の第１の主面１１に配置された第１の電極２０及び第２の電極３０間での放電により、ＥＳＤサージを吸収することができる。

本実施形態では、放熱部４０が、金属（本実施形態では、Ａｇ）及び金属酸化物（本実施形態では、ＺｎＯ）の複合材料からなり、素体１０より熱伝導率が高く且つ素体１０の第２の主面１２と熱的に接続されるように配置されているので、サージ吸収素子ＳＡ１に伝えられた熱を放熱部４０から効率よく放散することができる。

本実施形態においては、放熱部４０が、素体１０の第２の主面１２に接触するように配置されている。これにより、サージ吸収素子ＳＡ１に伝えられた熱を効率よく放熱部４０に伝えることができる。

本実施形態では、素体１０が、ガラス物質からなっている。これにより、素体１０の電気絶縁性を確実に担保することができる。また、素体１０が、上述したセラミックや、ガラス物質及びセラミックスからなる場合でも、素体１０の電気絶縁性を確実に担保することができる。

本実施形態では、素体１０が、ガラス粉末を含むガラスペーストを焼き付けることにより形成されている。これにより、素体１０の形成が簡便となる。

好ましくは、放熱部は、金属の主成分として、Ａｇを含んでいる。Ａｇは、熱伝導率が比較的高く、放熱部内での伝熱及び放熱部からの熱の放散の効率を高めることが可能となる。

本実施形態においては、放熱部４０において、金属（Ａｇ）は、放熱部４０の第１の主面４１から複数の面４２〜４６に渡って導通している。これにより、放熱部４０において、金属による放熱経路が容易に形成され、放熱部４０内での伝熱及び放熱部４０からの熱の放散の効率を高めることが可能となる。

本実施形態においては、放熱部４０は、金属の主成分として、Ａｇを含んでいる。Ａｇは、熱伝導率が比較的高く、放熱部４０内での伝熱及び放熱部４０からの熱の放散の効率を高めることが可能となる。

放熱部４０を形成する際に、金属コーティングが施された金属酸化物の粒子を用いてもよい。この粒子としては、例えば、無電解めっきによりＡｇコーティングを施したＡｌ_２Ｏ_３粒子が挙げられる。このように、予め金属コーティングが施された金属酸化物の粒子を用いることにより、金属による放熱経路を確実に形成することができる。

次に、図３及び図５を参照して、本実施形態に係るサージ吸収素子ＳＡ１の第１〜第３変形例について説明する。図３及び図５は、本実施形態に係るサージ吸収素子の変形例を示す概略断面図である。

図３に示された第１変形例に係るサージ吸収素子ＳＡ２では、放熱部４０が素体１０の第２の主面１２に接着層５０を介して熱的に接続されている。サージ吸収素子ＳＡ２は、それぞれ別途形成された素体１０と放熱部４０を接着層５０で接合することにより得ることができる。サージ吸収素子ＳＡ２においても、素体１０の第２の主面１２と放熱部４０の第１の主面４１とが接着層５０を介して向かい合っている。

接着層５０は、エポキシ樹脂やシリコーン樹脂等の樹脂材料等からなる。素体１０がセラミックからなる場合は、接着層５０としてガラス物質も用いることができる。接着層５０の厚みは、素体１０と放熱部４０との熱的な接続を阻害しないと共に、素体１０と放熱部４０との接合強度を確保し得る範囲に設定される。

以上のように、第１変形例においても、放熱部４０が素体１０と熱的に接続されているので、サージ吸収素子ＳＡ２に伝えられた熱を放熱部４０から効率よく放散することができる。

図４に示された第２変形例に係るサージ吸収素子ＳＡ３では、第１の電極２０及び第２の電極３０の間の所定のギャップが樹脂材料５２により覆われている。また、図５に示された第３変形例に係るサージ吸収素子ＳＡ４では、第１の電極２０及び第２の電極３０の間の所定のギャップを覆っている樹脂材料５２に導体材料及び半導体材料の少なくともいずれか一方の材料５４が分散されている。

樹脂材料５２としては、ポリイミド樹脂、シリコーン樹脂等が挙げられる。上記材料５４としては、金属粒子（例えば、ニッケル、銅、銀、金、タングステン、モリブデン、又はこれらの合金等）や半導体セラミックス（例えば、ＺｎＯを主成分とするバリスタ材料、ＳｒＴｉＯ_３を主成分とし、Ｓｒの一部をＣａ、Ｂａ等と置換してなる複合ペロブスカイト系バリスタ材料、又は、ＳｉＣバリスタ材料等）が挙げられる。

第２及び第３変形例では、第１の電極２０及び第２の電極３０の間の所定のギャップが、樹脂材料５２に覆われている、又は、上記材料５４が分散された樹脂材料５２により覆われているので、放電電圧を制御することができる。また、

もちろん、第２及び第３変形例においても、放熱部４０が素体１０と熱的に接続されているので、サージ吸収素子ＳＡ３，ＳＡ４に伝えられた熱を放熱部４０から効率よく放散することができる。

続いて、図６を参照して、本実施形態に係る発光装置ＬＥについて説明する。図６は、本実施形態に係る発光装置を示す概略断面図である。発光装置ＬＥは、例えば上述したサージ吸収素子ＳＡ１と、当該サージ吸収素子ＳＡ１と電気的に接続された半導体発光素子６１とを備えている。発光装置ＬＥは、サージ吸収素子ＳＡ１の代わりに、サージ吸収素子ＳＡ２〜ＳＡ４を備えていてもよい。

半導体発光素子６１は、ＧａＮ（窒化ガリウム）系半導体の発光ダイオード（ＬＥＤ：Light Emitting Diode）であり、基板６２と、当該基板６２上に形成された層構造体ＬＳとを備えている。ＧａＮ系の半導体ＬＥＤは、周知であり、その説明を簡略化する。基板６２は、サファイアからなる光学的に透明且つ電気絶縁性を有する基板である。層構造体ＬＳは、積層された、ｎ型（第１導電型）の半導体領域６３と、発光層６４と、ｐ型（第２導電型）の半導体領域６５とを含んでいる。半導体発光素子６１は、ｎ型の半導体領域６３とｐ型の半導体領域６５との間に印加される電圧に応じて発光する。

ｎ型の半導体領域６３は、ｎ型の窒化物半導体を含んで構成されている。本実施形態では、ｎ型の半導体領域６３は、基板６２上にＧａＮがエピタキシャル成長されて成り、例えばＳｉといったｎ型ドーパントが添加されてｎ型の導電性を有している。また、ｎ型の半導体領域６３は、発光層６４よりも屈折率が小さく且つバンドギャップが大きくなるような組成を有していてもよい。この場合、ｎ型の半導体領域６３は、発光層６４に対して下部クラッドとしての役割を果たす。

発光層６４は、ｎ型の半導体領域６３上に形成され、ｎ型の半導体領域６３及びｐ型の半導体領域６５から供給されたキャリア（電子及び正孔）が再結合することにより発光領域において光を発生する。発光層６４は、例えば、障壁層と井戸層とが複数周期にわたって交互に積層された多重量子井戸（ＭＱＷ：Multiple Quantum Well）構造とすることができる。この場合、障壁層及び井戸層がＩｎＧａＮからなり、Ｉｎ（インジウム）の組成を適宜選択することによって障壁層のバンドギャップが井戸層のバンドギャップより大きくなるように構成される。発光領域は、発光層６４において、キャリアが注入される領域に生じる。

ｐ型の半導体領域６５は、ｐ型の窒化物半導体を含んで構成されている。本実施形態では、ｐ型の半導体領域６５は、発光層６４上にＡｌＧａＮがエピタキシャル成長されて成り、例えばＭｇといったｐ型ドーパントが添加されてｐ型の導電性を有している。また、ｐ型の半導体領域６５は、発光層６４よりも屈折率が小さく且つバンドギャップが大きくなるような組成を有していてもよい。この場合、ｐ型の半導体領域６５は、発光層６４に対して上部クラッドとしての役割を果たす。

ｎ型の半導体領域６３上には、カソード電極６６が形成されている。カソード電極６６は、導電性材料からなり、ｎ型の半導体領域６３との間にオーミック接触が実現されている。ｐ型の半導体領域６５上には、アノード電極６７が形成されている。アノード電極６７は、導電性材料からなり、ｐ型の半導体領域６５との間にオーミック接触が実現されている。カソード電極６６及びアノード電極６７には、バンプ電極６８が形成されている。 上述した構成の半導体発光素子６１では、アノード電極６７（バンプ電極６８）とカソード電極６６（バンプ電極６８）との間に所定の電圧が印加されて電流が流れると、発光層６４の発光領域において発光が生じることとなる。

半導体発光素子６１は、第１の電極２０及び第２の電極３０にバンプ接続されている。すなわち、カソード電極６６は、バンプ電極６８を介して第１の電極２０に電気的且つ物理的に接続されている。アノード電極６７は、バンプ電極６８を介して第２の電極３０に電気的且つ物理的に接続されている。これにより、サージ吸収素子ＳＡ１が半導体発光素子６１に並列接続されることとなる。よって、サージ吸収素子ＳＡ１により、半導体発光素子６１は、ＥＳＤサージから保護される。

発光装置ＬＥでは、半導体発光素子６１とサージ吸収素子ＳＡ１の第１の電極２０及び第２の電極３０とが物理的に接続されているので、半導体発光素子６１において発生した熱が第１の電極２０及び第２の電極３０を介してサージ吸収素子ＳＡ１に伝わる。素体１０と放熱部４０とが熱的に接続されているので、上述したように、サージ吸収素子ＳＡ１に伝えられた熱を放熱部４０から効率よく放散することができる。

以上、本発明の好適な実施形態について説明してきたが、本発明は必ずしも上述した実施形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で様々な変更が可能である。

本実施形態に係るサージ吸収素子ＳＡ１において、放熱部４０が素体１０の第２の主面１２と熱的に接続されるように配置されているが、これに限られない。例えば、放熱部４０が、素体１０の第２の主面１２以外の面のいずれかの面と熱的に接続されていてもよい。

本実施形態においては、電子素子として半導体発光素子を用いた例を示しているが、これに限られない。本発明は、半導体発光素子以外にも、動作中に発熱する電子素子（例えば、ＦＥＴ、バイポーラトランジスタ等）に適用することができる。

本実施形態では、半導体発光素子６１としてＧａＮ系の半導体ＬＥＤの発光ダイオードを用いているが、これに限られない。半導体発光素子６１として、例えば、ＧａＮ系以外の窒化物系半導体ＬＥＤ（例えば、ＩｎＧａＮＡｓ系の半導体ＬＥＤ等）や窒化物系以外の化合物半導体ＬＥＤやレーザーダイオード（ＬＤ：Laser Diode）を用いてもよい。

本実施形態に係るサージ吸収素子を示す概略斜視図である。 本実施形態に係るサージ吸収素子を示す概略断面図である。 本実施形態に係るサージ吸収素子の第１変形例を示す概略断面図である。 本実施形態に係るサージ吸収素子の第２変形例を示す概略断面図である。 本実施形態に係るサージ吸収素子の第３変形例を示す概略平面図である。 本実施形態に係る発光装置を示す概略断面図である。

符号の説明

ＳＡ１〜ＳＡ４…サージ吸収素子、１０…素体、１１，１２…第１及び第２の主面、２０…第１の電極、３０…第２の電極、４０…放熱部、４１，４２…第１及び第２の主面、４３，４４…第１及び第２の端面、４５，４６…第１及び第２の側面、５２…樹脂材料、５４…金属粒子、６１…半導体発光素子、ＬＥ…発光装置。

Claims (20)

1. 第１及び第２の面を含むと共に、電気絶縁性材料からなる素体と、
   所定のギャップを有して前記素体の前記第１の面に配置された少なくとも二つの電極と、
   前記素体より熱伝導率が高く且つ前記素体の前記第２の面と熱的に接続されるように配置された放熱部と、を備え、
   前記放熱部は、金属及び金属酸化物の複合材料からなることを特徴とするサージ吸収素子。
2. 前記放熱部が、前記素体の前記第２の面に接触するように配置されていることを特徴とする請求項１に記載のサージ吸収素子。
3. 前記電気絶縁性材料は、ガラス物質であることを特徴とする請求項１又は２に記載のサージ吸収素子。
4. 前記電気絶縁性材料は、ガラス物質及びセラミックスであることを特徴とする請求項１又は２に記載のサージ吸収素子。
5. 前記素体と前記放熱部とは、同時焼成によって形成されていることを特徴とする請求項１〜４のいずれか一項に記載のサージ吸収素子。
6. 前記素体は、前記電気絶縁性材料を含むペーストを焼き付けることにより形成されていることを特徴とする請求項１〜３のいずれか一項に記載のサージ吸収素子。
7. 前記放熱部は、前記金属の主成分として、Ａｇを含んでいることを特徴とする請求項１〜６のいずれか一項記載のサージ吸収素子。
8. 前記放熱部は、前記金属酸化物として、ＺｎＯを含んでいることを特徴とする請求項１〜７のいずれか一項に記載のサージ吸収素子。
9. 前記所定のギャップが、樹脂材料により覆われていることを特徴とする請求項１〜８のいずれか一項に記載のサージ吸収素子。
10. 前記樹脂材料に導体材料及び半導体材料の少なくともいずれか一方の材料が分散されていることを特徴とする請求項９に記載のサージ吸収素子。
11. サージ吸収素子と発光素子とを備えた発光装置であって、
    前記サージ吸収素子は、
    第１及び第２の面を含むと共に、電気絶縁性材料からなる素体と、
    所定のギャップを有して前記素体の前記第１の面に配置された少なくとも二つの電極と、
    前記素体より熱伝導率が高く且つ前記素体の前記第２の面と熱的に接続されるように配置された放熱部と、を備え、
    前記放熱部は、金属及び金属酸化物の複合材料からなり、
    前記発光素子は、前記サージ吸収素子に並列接続されるように少なくとも二つの前記電極に電気的且つ物理的に接続されていることを特徴とする発光装置。
12. 前記放熱部が、前記素体の前記第２の面に接触するように配置されていることを特徴とする請求項１１に記載の発光装置。
13. 前記電気絶縁性材料は、ガラス物質であることを特徴とする請求項１１又は１２に記載の発光装置。
14. 前記電気絶縁性材料は、ガラス物質及びセラミックスであることを特徴とする請求項１１又は１２に記載の発光装置。
15. 前記素体と前記放熱部とは、同時焼成によって形成されていることを特徴とする請求項１１〜１４のいずれか一項に記載の発光装置。
16. 前記素体は、前記電気絶縁性材料を含むペーストを焼き付けることにより形成されていることを特徴とする請求項１１〜１３のいずれか一項に記載の発光装置。
17. 前記放熱部は、前記金属の主成分として、Ａｇを含んでいることを特徴とする請求項１１〜１６のいずれか一項記載の発光装置。
18. 前記放熱部は、前記金属酸化物として、ＺｎＯを含んでいることを特徴とする請求項１１〜１７のいずれか一項に記載の発光装置。
19. 前記所定のギャップが、樹脂材料により覆われていることを特徴とする請求項１１〜１８のいずれか一項に記載の発光装置。
20. 前記樹脂材料に導体材料及び半導体材料の少なくともいずれか一方の材料が分散されていることを特徴とする請求項１９に記載の発光装置。

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