JP5017193B2 - 固体撮像装置及びカメラ - Google Patents
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Description
まず、本発明の実施の形態に係るデジタルスチルカメラの構成について説明する。
可視近赤外フィルタ306aは下記に説明する層構成からなる。
近赤外正規化フィルタ306bは下記に説明する層構成からなる。入射光の設定波長をλ2(例えば、850[nm])としたとき、その設定波長λ2の1/4に略等しい光学膜厚を有し、高屈折率材料からなる第3の層と低屈折率材料からなる第4の層とで構成される屈折率が異なる2種類の材料の層で形成されたλ/4多層膜を2組有する。具体的には、近赤外正規化フィルタ306bは、第3の層422、第4の層423、第3の層424、第4の層425及び第3の層426が順次形成された1組目のλ/4多層膜と、第3の層427、第4の層428、第3の層429、第4の層430及び第3の層431が順次積層された2組目のλ/4多層膜とを有する。この2組のλ/4多層膜間には、低屈折率材料からなる第2のスペーサ層433が形成される。
固体撮像装置102に形成される色分離フィルタ306は、上記の可視近赤外フィルタ306a及び近赤外正規化フィルタ306bを積層した構成である。図4(e)は、色分離フィルタ306の透過特性を示している。図4(e)により色分離フィルタ306は700nm以上の近赤外領域の波長領域において(具体的には、700nm〜850nmの領域に)赤色画素、緑色画素、青色画素、近赤外画素の分光特性がほぼ一致していることが分かる。
図5は、本実施の形態2に係る固体撮像装置102の単位画素201の断面図である。本実施の形態2における固体撮像装置102は、可視近赤外フィルタ306aの膜構成が異なる点で実施の形態1とは異なっている。近赤外正規化フィルタ306bや、その他の構成は実施の形態1と同じであるので説明は省略する。
図6(a)は、色分離フィルタ306における可視光の色分離を行う可視近赤外フィルタ306aの構成の概略を示す図である。可視近赤外フィルタ306aは下記に説明する層構成からなる。
固体撮像装置102に形成される色分離フィルタ306は、上記の可視近赤外フィルタ306a及び近赤外正規化フィルタ306bを積層した構成である。図6(e)は、色分離フィルタ306の透過特性を示している。図6(e)より色分離フィルタ306は700nm以上の近赤外領域の波長領域において(具体的には、700nm〜850nmの領域に)赤色領域、緑色領域、青色領域、近赤外光領域における分光特性がほぼ一致していることが分かる。
図7は、本実施の形態3に係る固体撮像装置102における色分離フィルタ306の構成及びその分光特性を示す図である。本実施の形態3における固体撮像装置102は、近赤外正規化フィルタ306bのR画素(赤色領域の画素)に第2のスペーサ層433が挿入されている点で、実施の形態2とは異なっている。その他の構成は実施の形態2と同じであるので説明は省略する。
近赤外正規化フィルタ306bは下記に説明する層構成からなる。入射光の設定波長をλ2(例えば、850[nm])としたとき、その設定波長λ2の1/4に略等しい光学膜厚を有し、高屈折率材料からなる第3の層と低屈折率材料からなる第4の層とで構成される屈折率が異なる2種類の材料の層で形成されたλ/4多層膜を2組有する。具体的には、近赤外正規化フィルタ306bは、第3の層422、第4の層423、第3の層424、第4の層425及び第3の層426が順次形成された1組目のλ/4多層膜と、第3の層427、第4の層428、第3の層429、第4の層430及び第3の層431が順次積層された2組目のλ/4多層膜とを有する。この2組のλ/4多層膜間には、低屈折率材料からなる第2のスペーサ層433が形成される。
固体撮像装置102に形成される色分離フィルタ306は、上記の可視近赤外フィルタ306a及び近赤外正規化フィルタ306bを積層した構成である。図7(e)は、色分離フィルタ306の透過特性を示している。図7(e)より色分離フィルタ306は700nm以上の近赤外領域の波長領域において(具体的には、700nm〜850nmの領域に)赤色領域、緑色領域、青色領域、近赤外光領域における分光特性がほぼ一致していることが分かる。
以上、本発明を実施の形態に基づいて説明してきたが、本発明が上記実施の形態に限定されないのは勿論であり、以下のような変形例を実施することができる。
101 レンズ
102 固体撮像装置
103 色信号合成部
104 映像信号作成部
105 素子駆動部
201 単位画素
202 垂直シフトレジスタ
203 水平シフトレジスタ
204 出力アンプ
205 駆動回路
301 N型半導体層
302 P型半導体層
303 フォトダイオード
304 層間絶縁膜
305 遮光膜
306 色分離フィルタ
306a 可視近赤外フィルタ
306b 近赤外正規化フィルタ
307 集光レンズ
401、601 基板
402、404、406、408、602、604、606、608 第1の層
403、407、605 第2の層
405、603、607 第1のスペーサ層
421、432 λ/8膜
422、424、426、427、429、431 第3の層
423、425、428、430 第4の層
433 第2のスペーサ層
Claims (9)
- 複数の画素が2次元状に配列された固体撮像装置であって、
画素毎に、入射光のうち所定波長の光を透過させる色分離フィルタを備え、
前記色分離フィルタは、
可視波長帯域と近赤外波長帯域との領域に透過帯域を有する可視近赤外フィルタと、
前記可視近赤外フィルタに積層された近赤外正規化フィルタとを備え、
前記近赤外正規化フィルタは、
可視波長帯域と第1の近赤外波長帯域とにおいて実質的に透明であり、前記可視波長帯域と前記第1の近赤外波長帯域との間の第2の近赤外波長帯域において実質的に透明でなく、
前記可視近赤外フィルタは、多層膜干渉フィルタであり、
前記多層膜干渉フィルタは、前記所定波長の光に関連して設定される設定波長をλ 1 と
した場合に、
λ 1 /4の光学膜厚を有する高屈折率材料からなる第1の層と、
前記第1の層の光学膜厚と等しいλ 1 /4の光学膜厚を有する低屈折率材料からなる第
2の層と、
前記第1の層及び第2の層からなる2つのλ/4多層膜と、
前記2つのλ/4多層膜の間に形成され、透過させる所定波長の光を当該画素毎に制御する第1のスペーサ層とを備え、
前記固体撮像装置は、前記複数の画素として、第1の画素、第2の画素、第3の画素、及び第4の画素を備え、
前記第1及び第2の層は、λ 1 /4の光学膜厚を有し、
前記第1のスペーサ層は、前記第1の画素、前記第2の画素、前記第3の画素、及び前記第4の画素のそれぞれにおいて、異なる4種類の光学膜厚を有し、
第1の画素における第1のスペーサ層は、0の光学膜厚を有し、
第2の画素における第1のスペーサ層は、0以上λ 1 /4以下の光学膜厚を有し、
第3の画素における第1のスペーサ層は、λ 1 /4に略等しい光学膜厚を有し、
第4の画素における第1のスペーサ層は、λ 1 /4以上λ 1 /2以下の光学膜厚を有する
ことを特徴とする固体撮像装置。 - 前記第1の近赤外波長帯域の帯域幅は、100nm以下である
ことを特徴とする請求項1に記載の固体撮像装置。 - 前記第1の近赤外波長帯域の帯域中心波長は、700nm以上である
ことを特徴とする請求項1または2に記載の固体撮像装置。 - 前記第2の近赤外波長帯域における短波長側の帯域端は、波長600〜700nmである
ことを特徴とする請求項1〜3のいずれか1項に記載の固体撮像装置。 - 前記近赤外正規化フィルタは、
前記所定波長の光に関連して設定される設定波長をλ2とした場合に、
λ2/4の光学膜厚を有する高屈折率材料からなる第3の層と、
前記第3の層の光学膜厚と等しいλ2/4の光学膜厚を有する低屈折率材料からなる第
4の層と、
前記第3の層及び第4の層からなる2つのλ/4多層膜と、
前記2つのλ/4多層膜の間に形成され、透過させる所定波長の光を当該画素毎に制御する第2のスペーサ層とを備える
ことを特徴とする請求項1〜4のいずれか1項に記載の固体撮像装置。 - 前記近赤外正規化フィルタは、
前記所定波長の光に関連して設定される設定波長をλ2とした場合に、
λ2/4の光学膜厚を有する高屈折率材料からなる第3の層と、
前記第3の層の光学膜厚と等しいλ2/4の光学膜厚を有する低屈折率材料からなる第
4の層と、
前記第3の層及び第4の層からなる2つのλ/4多層膜と、
前記λ/4多層膜に含まれ、透過させる所定波長の光を当該画素毎に制御する第2のスペーサ層とを備え、
前記第2のスペーサ層は、λ2/2の膜厚を有する
ことを特徴とする請求項1〜5のいずれか1項に記載の固体撮像装置。 - 前記設定波長λ1は、400nm以上700nm以下の膜厚を有し、
前記設定波長λ2は、700nm以上1100nm以下の膜厚である
ことを特徴とする請求項5または6に記載の固体撮像装置。 - 前記可視近赤外フィルタ及び近赤外正規化フィルタは同じ材料を用いて形成されている
ことを特徴とする請求項1〜7のいずれか1項に記載の固体撮像装置。 - 請求項1〜8のいずれか1項に記載の固体撮像装置を備える
ことを特徴とするカメラ。
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Families Citing this family (38)
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US7773302B2 (en) * | 2006-09-01 | 2010-08-10 | Semrock, Inc. | Low cost filter for fluorescence systems |
JP2009038505A (ja) * | 2007-07-31 | 2009-02-19 | Panasonic Corp | 固体撮像素子、固体撮像装置、カメラおよび駆動方法 |
KR20100001561A (ko) * | 2008-06-27 | 2010-01-06 | 주식회사 동부하이텍 | 씨모스 이미지 센서 및 그의 제조 방법 |
JP5250474B2 (ja) * | 2009-04-28 | 2013-07-31 | パナソニック株式会社 | 固体撮像装置 |
JP5471117B2 (ja) * | 2009-07-24 | 2014-04-16 | ソニー株式会社 | 固体撮像装置とその製造方法並びにカメラ |
US8330840B2 (en) * | 2009-08-06 | 2012-12-11 | Aptina Imaging Corporation | Image sensor with multilayer interference filters |
US8559113B2 (en) * | 2009-12-10 | 2013-10-15 | Raytheon Company | Multi-spectral super-pixel filters and methods of formation |
WO2011089646A1 (ja) * | 2010-01-21 | 2011-07-28 | 株式会社 東芝 | 干渉型フィルタ層付基板及びそれを用いた表示装置 |
WO2012174633A1 (en) * | 2011-06-21 | 2012-12-27 | Isee3D Inc. | Method and apparatus for generating three-dimensional image information |
JP5534981B2 (ja) * | 2010-06-30 | 2014-07-02 | 株式会社東芝 | 固体撮像装置 |
JP2012019113A (ja) * | 2010-07-08 | 2012-01-26 | Panasonic Corp | 固体撮像装置 |
JP2012023620A (ja) * | 2010-07-15 | 2012-02-02 | Panasonic Corp | 撮像装置及び信号処理方法 |
US8653559B2 (en) * | 2011-06-29 | 2014-02-18 | Hrl Laboratories, Llc | AlGaN/GaN hybrid MOS-HFET |
US9236411B2 (en) * | 2011-08-03 | 2016-01-12 | Omnivision Technologies, Inc. | Color filter patterning using hard mask |
JP5337212B2 (ja) * | 2011-09-02 | 2013-11-06 | 株式会社東芝 | 固体撮像素子 |
US10019112B2 (en) * | 2011-10-25 | 2018-07-10 | Semiconductor Components Industries, Llc | Touch panels with dynamic zooming and low profile bezels |
JP2013131553A (ja) * | 2011-12-20 | 2013-07-04 | Toshiba Corp | 固体撮像装置 |
US8836814B2 (en) | 2012-01-18 | 2014-09-16 | Nokia Corporation | Method and apparatus for ambient light spectrum detection in digital photography |
TWI684031B (zh) | 2012-07-16 | 2020-02-01 | 美商唯亞威方案公司 | 光學濾波器及感測器系統 |
JP5885608B2 (ja) * | 2012-07-23 | 2016-03-15 | 株式会社東芝 | 固体撮像装置 |
FR2994282B1 (fr) | 2012-07-31 | 2014-09-05 | Commissariat Energie Atomique | Structure de filtrage optique dans le domaine visible et/ou infrarouge |
US8941159B2 (en) | 2013-01-30 | 2015-01-27 | Omnivision Technologies, Inc. | Color filter including clear pixel and hard mask |
US9667933B2 (en) * | 2013-07-01 | 2017-05-30 | Omnivision Technologies, Inc. | Color and infrared filter array patterns to reduce color aliasing |
US9692992B2 (en) | 2013-07-01 | 2017-06-27 | Omnivision Technologies, Inc. | Color and infrared filter array patterns to reduce color aliasing |
JP2016096423A (ja) * | 2014-11-13 | 2016-05-26 | ジェコー株式会社 | 撮像装置 |
US20160161332A1 (en) * | 2014-12-09 | 2016-06-09 | Stmicroelectronics (Research & Development) Limited | Image sensor using pixels with combined rgb and ir sensing |
JP2017112401A (ja) | 2015-12-14 | 2017-06-22 | ソニー株式会社 | 撮像素子、画像処理装置および方法、並びにプログラム |
US9960199B2 (en) * | 2015-12-29 | 2018-05-01 | Viavi Solutions Inc. | Dielectric mirror based multispectral filter array |
US9923007B2 (en) | 2015-12-29 | 2018-03-20 | Viavi Solutions Inc. | Metal mirror based multispectral filter array |
CN105679767A (zh) * | 2016-01-25 | 2016-06-15 | 京东方科技集团股份有限公司 | 显示基板及其制备方法、显示面板和显示装置 |
JP2017139286A (ja) * | 2016-02-02 | 2017-08-10 | ソニー株式会社 | 撮像素子、及び、カメラシステム |
US10170509B2 (en) * | 2016-02-12 | 2019-01-01 | Viavi Solutions Inc. | Optical filter array |
JP2017208496A (ja) | 2016-05-20 | 2017-11-24 | ソニー株式会社 | 固体撮像装置、及び、電子機器 |
FR3059829B1 (fr) * | 2016-12-05 | 2019-05-31 | Commissariat A L'energie Atomique Et Aux Energies Alternatives | Photodetecteur infrarouge |
US11156753B2 (en) * | 2017-12-18 | 2021-10-26 | Viavi Solutions Inc. | Optical filters |
JP2019114576A (ja) * | 2017-12-20 | 2019-07-11 | ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 | 光電変換素子および固体撮像装置 |
CN110824599B (zh) | 2018-08-14 | 2021-09-03 | 白金科技股份有限公司 | 一种红外带通滤波器 |
US20220107449A1 (en) * | 2020-10-06 | 2022-04-07 | Viavi Solutions Inc. | Composite optical filter |
Family Cites Families (19)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5929432A (en) | 1996-05-30 | 1999-07-27 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Solid state image sensing device and image sensor using the same |
JP2004032243A (ja) * | 2002-06-25 | 2004-01-29 | Sanyo Electric Co Ltd | 撮像装置および光学フィルタ |
WO2005013369A1 (ja) | 2003-08-01 | 2005-02-10 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | 固体撮像装置、固体撮像装置の製造方法及びこれを用いたカメラ |
JP4638356B2 (ja) | 2004-01-15 | 2011-02-23 | パナソニック株式会社 | 固体撮像装置、固体撮像装置の製造方法及びこれを用いたカメラ |
KR100825172B1 (ko) | 2004-04-05 | 2008-04-24 | 미쓰비시덴키 가부시키가이샤 | 촬상 장치 |
JP4407448B2 (ja) * | 2004-09-24 | 2010-02-03 | 三菱電機株式会社 | 撮像装置 |
JP2006237737A (ja) | 2005-02-22 | 2006-09-07 | Sanyo Electric Co Ltd | カラーフィルタアレイ及び固体撮像素子 |
US20090066793A1 (en) | 2005-05-11 | 2009-03-12 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Solid-state imaging device, camera, automobile and monitoring device |
WO2006134740A1 (ja) | 2005-06-17 | 2006-12-21 | Toppan Printing Co., Ltd. | 撮像素子 |
WO2007086155A1 (ja) * | 2006-01-24 | 2007-08-02 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | 固体撮像装置、信号処理方法及びカメラ |
JP2007311447A (ja) * | 2006-05-17 | 2007-11-29 | Sanyo Electric Co Ltd | 光電変換装置 |
JP2008066702A (ja) | 2006-08-10 | 2008-03-21 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 固体撮像素子及びカメラ |
JP2008067058A (ja) * | 2006-09-07 | 2008-03-21 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 固体撮像装置、信号処理方法およびカメラ |
JP4396684B2 (ja) * | 2006-10-04 | 2010-01-13 | ソニー株式会社 | 固体撮像装置の製造方法 |
US7701024B2 (en) | 2006-12-13 | 2010-04-20 | Panasonic Corporation | Solid-state imaging device, manufactoring method thereof and camera |
JP2008244021A (ja) | 2007-03-26 | 2008-10-09 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 固体撮像装置およびそれを用いたカメラ |
JP4386096B2 (ja) * | 2007-05-18 | 2009-12-16 | ソニー株式会社 | 画像入力処理装置、および、その方法 |
JP5074106B2 (ja) | 2007-06-08 | 2012-11-14 | パナソニック株式会社 | 固体撮像素子及びカメラ |
JP2009021379A (ja) | 2007-07-11 | 2009-01-29 | Panasonic Corp | 固体撮像装置およびそれを備えたカメラ、固体撮像装置の製造方法 |
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