JP5047024B2 - 熱伝導性樹脂組成物、熱伝導性樹脂シート及びパワーモジュール - Google Patents
熱伝導性樹脂組成物、熱伝導性樹脂シート及びパワーモジュール Download PDFInfo
- Publication number
- JP5047024B2 JP5047024B2 JP2008078715A JP2008078715A JP5047024B2 JP 5047024 B2 JP5047024 B2 JP 5047024B2 JP 2008078715 A JP2008078715 A JP 2008078715A JP 2008078715 A JP2008078715 A JP 2008078715A JP 5047024 B2 JP5047024 B2 JP 5047024B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- conductive resin
- heat
- formula
- thermally conductive
- heat conductive
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 229920005989 resin Polymers 0.000 title claims description 121
- 239000011347 resin Substances 0.000 title claims description 121
- 239000011342 resin composition Substances 0.000 title claims description 31
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 claims description 41
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 claims description 34
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 claims description 32
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 25
- 239000000945 filler Substances 0.000 claims description 22
- 230000017525 heat dissipation Effects 0.000 claims description 12
- 239000007822 coupling agent Substances 0.000 claims description 11
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims description 7
- 125000003700 epoxy group Chemical group 0.000 claims description 7
- 125000001624 naphthyl group Chemical group 0.000 claims description 7
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 125000000217 alkyl group Chemical group 0.000 claims description 3
- 125000004432 carbon atom Chemical group C* 0.000 claims description 3
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 claims description 3
- 239000004848 polyfunctional curative Substances 0.000 claims 2
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 25
- 238000000034 method Methods 0.000 description 21
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 15
- 230000009477 glass transition Effects 0.000 description 14
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 13
- 238000010292 electrical insulation Methods 0.000 description 12
- 230000008569 process Effects 0.000 description 10
- ZWEHNKRNPOVVGH-UHFFFAOYSA-N 2-Butanone Chemical compound CCC(C)=O ZWEHNKRNPOVVGH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 8
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 8
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 8
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 8
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 8
- ISWSIDIOOBJBQZ-UHFFFAOYSA-N phenol group Chemical group C1(=CC=CC=C1)O ISWSIDIOOBJBQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 7
- LNEPOXFFQSENCJ-UHFFFAOYSA-N haloperidol Chemical compound C1CC(O)(C=2C=CC(Cl)=CC=2)CCN1CCCC(=O)C1=CC=C(F)C=C1 LNEPOXFFQSENCJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 6
- 239000000463 material Substances 0.000 description 6
- JYEUMXHLPRZUAT-UHFFFAOYSA-N 1,2,3-triazine Chemical group C1=CN=NN=C1 JYEUMXHLPRZUAT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 5
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 5
- 125000003277 amino group Chemical group 0.000 description 4
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 4
- 238000011049 filling Methods 0.000 description 4
- 125000002887 hydroxy group Chemical group [H]O* 0.000 description 4
- 239000011256 inorganic filler Substances 0.000 description 4
- 229910003475 inorganic filler Inorganic materials 0.000 description 4
- 230000007774 longterm Effects 0.000 description 4
- 229920000139 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 4
- 239000005020 polyethylene terephthalate Substances 0.000 description 4
- 230000008961 swelling Effects 0.000 description 4
- 229920001187 thermosetting polymer Polymers 0.000 description 4
- -1 tributylphosphine Phosphine compounds Chemical class 0.000 description 4
- KWYUFKZDYYNOTN-UHFFFAOYSA-M Potassium hydroxide Chemical compound [OH-].[K+] KWYUFKZDYYNOTN-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 3
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M Sodium hydroxide Chemical compound [OH-].[Na+] HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 3
- YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N Toluene Chemical compound CC1=CC=CC=C1 YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- ZMANZCXQSJIPKH-UHFFFAOYSA-N Triethylamine Chemical compound CCN(CC)CC ZMANZCXQSJIPKH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000013329 compounding Methods 0.000 description 3
- 238000007606 doctor blade method Methods 0.000 description 3
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 3
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 3
- 238000005476 soldering Methods 0.000 description 3
- 229920005992 thermoplastic resin Polymers 0.000 description 3
- VHYFNPMBLIVWCW-UHFFFAOYSA-N 4-Dimethylaminopyridine Chemical compound CN(C)C1=CC=NC=C1 VHYFNPMBLIVWCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 0 CC1(*CC2OC2)c(cccc2)c2C=CC=C1 Chemical compound CC1(*CC2OC2)c(cccc2)c2C=CC=C1 0.000 description 2
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N Isopropanol Chemical compound CC(C)O KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KKEYFWRCBNTPAC-UHFFFAOYSA-N Terephthalic acid Chemical compound OC(=O)C1=CC=C(C(O)=O)C=C1 KKEYFWRCBNTPAC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000002318 adhesion promoter Substances 0.000 description 2
- IISBACLAFKSPIT-UHFFFAOYSA-N bisphenol A Chemical compound C=1C=C(O)C=CC=1C(C)(C)C1=CC=C(O)C=C1 IISBACLAFKSPIT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- PXKLMJQFEQBVLD-UHFFFAOYSA-N bisphenol F Chemical compound C1=CC(O)=CC=C1CC1=CC=C(O)C=C1 PXKLMJQFEQBVLD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000005266 casting Methods 0.000 description 2
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 2
- 238000004132 cross linking Methods 0.000 description 2
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 2
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 2
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 2
- SCVFZCLFOSHCOH-UHFFFAOYSA-M potassium acetate Chemical compound [K+].CC([O-])=O SCVFZCLFOSHCOH-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 2
- 150000003839 salts Chemical class 0.000 description 2
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 2
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 2
- NHGXDBSUJJNIRV-UHFFFAOYSA-M tetrabutylammonium chloride Chemical compound [Cl-].CCCC[N+](CCCC)(CCCC)CCCC NHGXDBSUJJNIRV-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 2
- RIOQSEWOXXDEQQ-UHFFFAOYSA-N triphenylphosphine Chemical compound C1=CC=CC=C1P(C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1 RIOQSEWOXXDEQQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- WYTZZXDRDKSJID-UHFFFAOYSA-N (3-aminopropyl)triethoxysilane Chemical compound CCO[Si](OCC)(OCC)CCCN WYTZZXDRDKSJID-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RECCURWJDVZHIH-UHFFFAOYSA-N (4-chlorophenyl)urea Chemical class NC(=O)NC1=CC=C(Cl)C=C1 RECCURWJDVZHIH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QTERLAXNZRFFMZ-UHFFFAOYSA-N 1,1-dimethyl-3-(4-methylphenyl)urea Chemical compound CN(C)C(=O)NC1=CC=C(C)C=C1 QTERLAXNZRFFMZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YBBLOADPFWKNGS-UHFFFAOYSA-N 1,1-dimethylurea Chemical compound CN(C)C(N)=O YBBLOADPFWKNGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FBHPRUXJQNWTEW-UHFFFAOYSA-N 1-benzyl-2-methylimidazole Chemical compound CC1=NC=CN1CC1=CC=CC=C1 FBHPRUXJQNWTEW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XUYAAIUFZVWSSJ-UHFFFAOYSA-N 1-chloro-1-phenylurea Chemical compound NC(=O)N(Cl)C1=CC=CC=C1 XUYAAIUFZVWSSJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AHDSRXYHVZECER-UHFFFAOYSA-N 2,4,6-tris[(dimethylamino)methyl]phenol Chemical compound CN(C)CC1=CC(CN(C)C)=C(O)C(CN(C)C)=C1 AHDSRXYHVZECER-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OAYXUHPQHDHDDZ-UHFFFAOYSA-N 2-(2-butoxyethoxy)ethanol Chemical compound CCCCOCCOCCO OAYXUHPQHDHDDZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VXQBJTKSVGFQOL-UHFFFAOYSA-N 2-(2-butoxyethoxy)ethyl acetate Chemical compound CCCCOCCOCCOC(C)=O VXQBJTKSVGFQOL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000000022 2-aminoethyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])([H])N([H])[H] 0.000 description 1
- YTWBFUCJVWKCCK-UHFFFAOYSA-N 2-heptadecyl-1h-imidazole Chemical compound CCCCCCCCCCCCCCCCCC1=NC=CN1 YTWBFUCJVWKCCK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LXBGSDVWAMZHDD-UHFFFAOYSA-N 2-methyl-1h-imidazole Chemical compound CC1=NC=CN1 LXBGSDVWAMZHDD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LLEASVZEQBICSN-UHFFFAOYSA-N 2-undecyl-1h-imidazole Chemical compound CCCCCCCCCCCC1=NC=CN1 LLEASVZEQBICSN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XMTQQYYKAHVGBJ-UHFFFAOYSA-N 3-(3,4-DICHLOROPHENYL)-1,1-DIMETHYLUREA Chemical compound CN(C)C(=O)NC1=CC=C(Cl)C(Cl)=C1 XMTQQYYKAHVGBJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UUEWCQRISZBELL-UHFFFAOYSA-N 3-trimethoxysilylpropane-1-thiol Chemical compound CO[Si](OC)(OC)CCCS UUEWCQRISZBELL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FVCSARBUZVPSQF-UHFFFAOYSA-N 5-(2,4-dioxooxolan-3-yl)-7-methyl-3a,4,5,7a-tetrahydro-2-benzofuran-1,3-dione Chemical compound C1C(C(OC2=O)=O)C2C(C)=CC1C1C(=O)COC1=O FVCSARBUZVPSQF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ULKLGIFJWFIQFF-UHFFFAOYSA-N 5K8XI641G3 Chemical compound CCC1=NC=C(C)N1 ULKLGIFJWFIQFF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052582 BN Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920002799 BoPET Polymers 0.000 description 1
- PZNSFCLAULLKQX-UHFFFAOYSA-N Boron nitride Chemical compound N#B PZNSFCLAULLKQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RTJWCOIBFLXONL-UHFFFAOYSA-N CC(C)c1ccccc1OCC1OC1 Chemical compound CC(C)c1ccccc1OCC1OC1 RTJWCOIBFLXONL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MQJKPEGWNLWLTK-UHFFFAOYSA-N Dapsone Chemical compound C1=CC(N)=CC=C1S(=O)(=O)C1=CC=C(N)C=C1 MQJKPEGWNLWLTK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000002723 alicyclic group Chemical group 0.000 description 1
- 239000004844 aliphatic epoxy resin Substances 0.000 description 1
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 1
- KXHPPCXNWTUNSB-UHFFFAOYSA-M benzyl(trimethyl)azanium;chloride Chemical compound [Cl-].C[N+](C)(C)CC1=CC=CC=C1 KXHPPCXNWTUNSB-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 1
- 239000011889 copper foil Substances 0.000 description 1
- PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M copper(1+);methylsulfanylmethane;bromide Chemical compound Br[Cu].CSC PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 238000005336 cracking Methods 0.000 description 1
- 150000003983 crown ethers Chemical class 0.000 description 1
- 238000000354 decomposition reaction Methods 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- QGBSISYHAICWAH-UHFFFAOYSA-N dicyandiamide Chemical compound NC(N)=NC#N QGBSISYHAICWAH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XXJWXESWEXIICW-UHFFFAOYSA-N diethylene glycol monoethyl ether Chemical compound CCOCCOCCO XXJWXESWEXIICW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XXBDWLFCJWSEKW-UHFFFAOYSA-N dimethylbenzylamine Chemical compound CN(C)CC1=CC=CC=C1 XXBDWLFCJWSEKW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 230000007613 environmental effect Effects 0.000 description 1
- JHYNXXDQQHTCHJ-UHFFFAOYSA-M ethyl(triphenyl)phosphanium;bromide Chemical compound [Br-].C=1C=CC=CC=1[P+](C=1C=CC=CC=1)(CC)C1=CC=CC=C1 JHYNXXDQQHTCHJ-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 230000002349 favourable effect Effects 0.000 description 1
- XXOYNJXVWVNOOJ-UHFFFAOYSA-N fenuron Chemical compound CN(C)C(=O)NC1=CC=CC=C1 XXOYNJXVWVNOOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000000623 heterocyclic group Chemical group 0.000 description 1
- 150000002460 imidazoles Chemical class 0.000 description 1
- 230000001771 impaired effect Effects 0.000 description 1
- 239000012948 isocyanate Substances 0.000 description 1
- 150000002513 isocyanates Chemical class 0.000 description 1
- 238000005304 joining Methods 0.000 description 1
- 238000000465 moulding Methods 0.000 description 1
- KBJFYLLAMSZSOG-UHFFFAOYSA-N n-(3-trimethoxysilylpropyl)aniline Chemical compound CO[Si](OC)(OC)CCCNC1=CC=CC=C1 KBJFYLLAMSZSOG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RXOHFPCZGPKIRD-UHFFFAOYSA-N naphthalene-2,6-dicarboxylic acid Chemical compound C1=C(C(O)=O)C=CC2=CC(C(=O)O)=CC=C21 RXOHFPCZGPKIRD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000004714 phosphonium salts Chemical class 0.000 description 1
- OJMIONKXNSYLSR-UHFFFAOYSA-N phosphorous acid Chemical class OP(O)O OJMIONKXNSYLSR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 235000011056 potassium acetate Nutrition 0.000 description 1
- ZGJADVGJIVEEGF-UHFFFAOYSA-M potassium;phenoxide Chemical compound [K+].[O-]C1=CC=CC=C1 ZGJADVGJIVEEGF-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 150000003242 quaternary ammonium salts Chemical class 0.000 description 1
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 1
- 238000011160 research Methods 0.000 description 1
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 1
- 230000035939 shock Effects 0.000 description 1
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 1
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 1
- JRMUNVKIHCOMHV-UHFFFAOYSA-M tetrabutylammonium bromide Chemical compound [Br-].CCCC[N+](CCCC)(CCCC)CCCC JRMUNVKIHCOMHV-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- YMBCJWGVCUEGHA-UHFFFAOYSA-M tetraethylammonium chloride Chemical compound [Cl-].CC[N+](CC)(CC)CC YMBCJWGVCUEGHA-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- SYZCZDCAEVUSPM-UHFFFAOYSA-M tetrahexylazanium;bromide Chemical compound [Br-].CCCCCC[N+](CCCCCC)(CCCCCC)CCCCCC SYZCZDCAEVUSPM-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- FBEVECUEMUUFKM-UHFFFAOYSA-M tetrapropylazanium;chloride Chemical compound [Cl-].CCC[N+](CCC)(CCC)CCC FBEVECUEMUUFKM-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 230000000930 thermomechanical effect Effects 0.000 description 1
- 238000001721 transfer moulding Methods 0.000 description 1
- 125000005270 trialkylamine group Chemical group 0.000 description 1
- IMFACGCPASFAPR-UHFFFAOYSA-N tributylamine Chemical compound CCCCN(CCCC)CCCC IMFACGCPASFAPR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BDZBKCUKTQZUTL-UHFFFAOYSA-N triethyl phosphite Chemical compound CCOP(OCC)OCC BDZBKCUKTQZUTL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BPSIOYPQMFLKFR-UHFFFAOYSA-N trimethoxy-[3-(oxiran-2-ylmethoxy)propyl]silane Chemical compound CO[Si](OC)(OC)CCCOCC1CO1 BPSIOYPQMFLKFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CYTQBVOFDCPGCX-UHFFFAOYSA-N trimethyl phosphite Chemical compound COP(OC)OC CYTQBVOFDCPGCX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/28—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process
- H01L2224/29—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process of an individual layer connector
- H01L2224/29001—Core members of the layer connector
- H01L2224/29099—Material
- H01L2224/29198—Material with a principal constituent of the material being a combination of two or more materials in the form of a matrix with a filler, i.e. being a hybrid material, e.g. segmented structures, foams
- H01L2224/29298—Fillers
- H01L2224/29499—Shape or distribution of the fillers
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48135—Connecting between different semiconductor or solid-state bodies, i.e. chip-to-chip
- H01L2224/48137—Connecting between different semiconductor or solid-state bodies, i.e. chip-to-chip the bodies being arranged next to each other, e.g. on a common substrate
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
- H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
- H01L2224/48257—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a die pad of the item
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/484—Connecting portions
- H01L2224/48463—Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a ball bond
- H01L2224/48464—Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a ball bond the other connecting portion not on the bonding area also being a ball bond, i.e. ball-to-ball
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/181—Encapsulation
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/19—Details of hybrid assemblies other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/191—Disposition
- H01L2924/19101—Disposition of discrete passive components
- H01L2924/19107—Disposition of discrete passive components off-chip wires
Landscapes
- Epoxy Resins (AREA)
- Cooling Or The Like Of Semiconductors Or Solid State Devices (AREA)
- Compositions Of Macromolecular Compounds (AREA)
Description
特に、上述の特許文献に開示された熱伝導性樹脂層(樹脂シートや塗布膜)のマトリックス樹脂は、接着性が高く吸湿特性が良好であっても、ガラス転移温度が低くて耐熱性が悪いか、又はガラス転移温度が高くて耐熱性が良好であっても、脆弱で吸湿特性が悪く、長期信頼性が確保できないという問題があった。
また、本発明は、耐熱性、接着性及び吸湿特性に優れ、リフロー工程や高温多湿の条件下に曝されても良好な熱伝導性及び電気絶縁性を維持し得る熱伝導性樹脂シートを提供することを目的とする。
さらに、本発明は、放熱性及び電気絶縁性の長期信頼性に優れたパワーモジュールを提供することを目的とする。
すなわち、本発明は、マトリックス樹脂成分と絶縁性充填材とを含む熱伝導性樹脂組成物であって、前記マトリックス樹脂成分が、(A)トリアジン骨格とフェノール骨格とを有する所定の式で表され、且つ重量平均分子量が50,000以下の化合物からなる硬化剤、(B)所定の式で表されるナフタレン骨格を有し、且つ分子内にエポキシ基を2〜5個もつエポキシ樹脂、(C)硬化促進剤、及び(D)カップリング剤を含み、(E)所定の式で表される接着性付与剤を前記マトリックス樹脂成分中に5〜30質量%さらに含み、且つ前記絶縁性充填材の含有量が40〜90質量%であることを特徴とする熱伝導性樹脂組成物である。
本発明の熱伝導性樹脂組成物は、マトリックス樹脂成分と絶縁性充填材とを含む。ここで、マトリックス樹脂成分は、(A)硬化剤、(B)エポキシ樹脂、(C)硬化促進剤、(D)カップリング剤及び(E)接着性付与剤を含む。
本発明で用いられる(A)硬化剤は、トリアジン骨格とフェノール骨格とを有する所定の式で表され、且つ重量平均分子量が50,000以下の化合物である。重量平均分子量が50,000を超えると、組成物の粘度が増加したり、ガラス転移温度が低下してしまうため好ましくない。
(A)硬化剤に用いられる化合物は、下記の式(2)で表される。
(A)硬化剤は、分子内にアミノ基やフェノール性水酸基を有しているので、(B)エポキシ樹脂と効果的に反応することが可能であり、これにより高架橋密度化が達成される。
(A)硬化剤は、公知の方法により製造したものを用いればよいが、市販品を用いることもできる。市販品としては、EPICRON LA−7054(大日本インキ化学工業株式会社製)等が挙げられる。
かかる(B)エポキシ樹脂は、硬化反応の際に(A)硬化剤のフェノール性水酸基及びアミノ基と効率良く反応し、高ガラス転移温度化と低吸湿性とを両立したマトリックス樹脂を与える。
(B)エポキシ樹脂と(A)硬化剤との割合は、(B)エポキシ樹脂中のエポキシ基と(A)硬化剤中のフェノール性水酸基及びアミノ基との割合が1:0.8〜1:1.3の範囲であることが好ましい。上記範囲を外れる場合には、所望のガラス転移温度が得られず、マトリックス樹脂の耐熱性が低くなることがある。
(D)カップリング剤は、マトリックス樹脂と絶縁性充填材との界面の接着性や、熱伝導性樹脂層と接する部材との接着性を向上させる成分である。本発明で用いられる(D)カップリング剤としては、特に限定されることはなく、当該技術分野において公知のものを用いることができる。例えば、γ−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、N−β(アミノエチル)γ−アミノプロピルトリエトキシシラン、N−フェニル−γ−アミノプロピルトリメトキシシラン、γ−メルカプトプロピルトリメトキシシラン等を用いることができる。これらは、単独又は二種類以上を組み合わせて用いることができる。
マトリックス樹脂成分における(D)カップリング剤の配合量は、使用する他のマトリック樹脂成分やカップリング剤等の種類にあわせて適宜調整すればよいが、(B)エポキシ樹脂100質量部に対して、一般的に0.01〜5質量%であることが好ましい。
上記の熱可塑性樹脂は、公知の方法により製造したものを用いればよいが、市販品を用いることもできる。市販品としては、E1256B40(ジャパンエポキシレジン株式会社製)等が挙げられる。
マトリックス樹脂成分における(E)接着性付与剤の配合量は、5〜30質量%である。配合量が5質量%未満であると所望の接着性を有する熱伝導性樹脂層が得られないことがあり、30質量%より多いと熱伝導性樹脂層の耐熱性が低下することがある。
上記のエポキシ樹脂は、公知の方法により製造したものを用いればよいが、市販品を用いることもできる。市販品としては、jER−828やjER−807(ジャパンエポキシレジン株式会社製)等が挙げられる。
なお、上記のエポキシ樹脂の配合量としては、本発明の効果を損なわない範囲であれば特に限定されることはなく、各成分にあわせて適宜調整すればよい。
絶縁性充填材の粒径及び形状は、特に限定されることはなく、熱伝導性樹脂層(樹脂シートや塗布膜)に一般的に配合されている粒径及び形状のものを用いればよい。具体的には、絶縁性充填材の形状は、略球形であることが好ましいが、粉砕されたような形状で多面形状、鱗片形状であってもよい。また、絶縁性充填材は、凝集したものや、顆粒状態のものを用いることができる。
熱伝導性樹脂組成物における絶縁性充填材の配合量は、40〜90質量%である。かかる範囲の配合量であれば、熱伝導性樹脂層において絶縁性充填材同士の接触により電熱路を確保して熱伝導性を高めることができる。配合量が40質量%未満であると、所望の熱伝導性を得ることができず、90質量%より多いとマトリックス樹脂中に絶縁性充填材を混合分散させることが困難となり、作業性や成形性に支障を生じる。
熱伝導性樹脂組成物における溶剤の配合量は、使用するマトリックス樹脂成分及び絶縁性充填材の種類にあわせて適宜調整すればよいが、一般的に、マトリックス樹脂成分及び絶縁性充填材の合計100質量部に対して、40質量部〜85質量部である。なお、熱硬化性樹脂組成物の粘度が低い場合には、溶剤を加えなくてもよい。
本発明の熱伝導性樹脂シートは、マトリックス樹脂中に絶縁性充填材が分散されたシートである。
本発明の熱伝導性樹脂シートについて、図面を参照して説明する。図1は、本実施の形態における熱伝導性樹脂シートの断面模式図である。図1において、熱伝導性樹脂シート1は、マトリックス樹脂2と、このマトリックス樹脂2中に分散された絶縁性充填材3とから構成されている。ここで、マトリックス樹脂2は、必須成分として、上述の(A)硬化剤、(B)エポキシ樹脂、(C)硬化促進剤、(D)カップリング剤及び(E)接着性付与剤を含み、任意成分として、上述の(B)エポキシ樹脂及び(E)接着性付与剤以外のエポキシ樹脂を含むことができる。
本発明のパワーモジュールは、一方の放熱部材に搭載された電力半導体素子と、前記電力半導体素子で発生する熱を外部に放熱する他方の放熱部材と、前記電力半導体素子で発生する熱を前記一方の放熱部材から前記他方の放熱部材に伝達する上記熱伝導性樹脂シートとを備えている。
図2は、本実施の形態におけるパワーモジュールの断面模式図である。図2において、パワーモジュール10は、配線及び放熱部材の両方の機能を有するリードフレーム11に搭載された電力半導体素子12と、放熱部材であるヒートシンク部材13と、リードフレーム11とヒートシンク部材13との間に配置された上述の熱伝導性樹脂シート1とを備えている。さらに、電力半導体素子12と制御用半導体素子14との間、及び電力半導体素子12とリードフレーム11との間は、金属線15によって接続されている。また、リードフレーム11の端部、及びヒートシンク部材13の外部放熱のための部分以外はモールド樹脂16によって封止されている。
また、上述の熱伝導性樹脂組成物を発熱部材又は放熱部材上に直接塗布して熱伝導性樹脂層を形成する方法を用いることも可能である。
パワーモジュール20の製造方法は、特に限定されることはなく、公知の方法に従って行うことができる。例えば、Bステージ状態の熱伝導性樹脂シート1を用いて、上述と同じようにして製造すればよい。このパワーモジュール20では、耐熱性、接着性及び吸湿特性に優れ、リフロー工程や高温多湿の条件下に曝されても良好な熱伝導性及び電気絶縁性を維持し得る熱伝導性樹脂シート1を用いているので、パワーモジュール20における放熱性及び電気絶縁性の長期信頼性が向上する。
(1)熱硬化性樹脂組成物の調製
表1に記載の配合割合で所定のマトリックス樹脂成分を配合した後、メチルエチルケトン(MEK)100質量部を添加して撹拌し、マトリックス樹脂の溶液を調製した。次に、この溶液に表1に記載の配合割合で絶縁性充填材を添加し、十分混合することにより、実施例1〜18及び比較例1〜3の熱硬化性樹脂組成物を調製した。
上記熱伝導性樹脂組成物を、片面を粗化処理した厚さ100μmの銅箔上にドクターブレード法にて塗布し、90℃で20分間の加熱乾燥処理をした後、加圧プレスを行い、厚さが200μmでBステージ状態の熱伝導性樹脂シートを作製した。
次に、このBステージ状態の熱伝導性樹脂シート上に2mmの銅板を配置し、120℃で1時間加熱した後、180℃で3時間さらに加熱し、熱伝導性樹脂シートを完全に硬化させ、これを接着性の評価用サンプルとした。
ここで、接着性は、オートグラフ試験装置を用いて、上記接着性の評価用サンプルの引張りせん断強度(接着力)を測定することにより評価した。また、上記接着性の評価用サンプルを用いて、リフロー温度285℃における熱伝導性樹脂シートの膨れ発生時間も測定した。
次に、PETフィルム上に形成した熱伝導性樹脂シートを2枚重ねてプレスした後、120℃で1時間加熱した後、180℃で3時間さらに加熱し、熱伝導性樹脂シートを完全に硬化させ、これを吸湿特性の評価用サンプルとした。
吸湿特性は、130℃、2.7気圧の条件下でプレッシャークッカー試験を行い、試験前及び100時間後のサンプルの質量変化を測定することにより評価した。また、ガラス転移温度は、熱機械分析方法を用い、昇温速度3℃/分にて温度に対する膨張曲線を求め、ガラス転移温度以下及びガラス転移温度以上の直線部分の接線の交点から算出した。
実施例及び比較例のサンプルにおける接着性、膨れ発生時間、吸湿特性(吸湿量)及びガラス転移温度の評価結果を表2に示す。
また、実施例1及び8〜14のサンプルの結果を基に、マトリックス樹脂成分における接着性付与剤の含有量と、接着力及びガラス転移温度との関係を図4に示す。
また、図4に示されているように、接着性付与剤を配合することにより接着力が向上するものの、その配合量が30質量%を超えると接着力が低下した。
以上の結果からわかるように、本発明の熱伝導性樹脂組成物は、耐熱性、接着性及び吸湿特性に優れ、リフロー工程や高温多湿の条件下でも良好な熱伝導性及び電気絶縁性を維持し得る熱伝導性樹脂シートを与えることができる。
Claims (3)
- マトリックス樹脂成分と絶縁性充填材とを含む熱伝導性樹脂組成物であって、前記マトリックス樹脂成分が、
(A)式(2):
(B)式(1):
(C)硬化促進剤、及び
(D)カップリング剤を含み、
(E)式(3):
- マトリックス樹脂中に絶縁性充填材が分散された熱伝導性樹脂シートであって、前記マトリックス樹脂が、
(A)式(2):
(B)式(1):
(C)硬化促進剤、及び
(D)カップリング剤を含み、
(E)式(3):
- 一方の放熱部材に搭載された電力半導体素子と、前記電力半導体素子で発生する熱を外部に放熱する他方の放熱部材と、前記電力半導体素子で発生する熱を前記一方の放熱部材から前記他方の放熱部材に伝達する、請求項2に記載の熱伝導性樹脂シートとを備えることを特徴とするパワーモジュール。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2008078715A JP5047024B2 (ja) | 2008-03-25 | 2008-03-25 | 熱伝導性樹脂組成物、熱伝導性樹脂シート及びパワーモジュール |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2008078715A JP5047024B2 (ja) | 2008-03-25 | 2008-03-25 | 熱伝導性樹脂組成物、熱伝導性樹脂シート及びパワーモジュール |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2009227947A JP2009227947A (ja) | 2009-10-08 |
JP5047024B2 true JP5047024B2 (ja) | 2012-10-10 |
Family
ID=41243703
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2008078715A Active JP5047024B2 (ja) | 2008-03-25 | 2008-03-25 | 熱伝導性樹脂組成物、熱伝導性樹脂シート及びパワーモジュール |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP5047024B2 (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20180006001A (ko) * | 2016-07-07 | 2018-01-17 | 삼성에스디아이 주식회사 | 반도체 밀봉용 에폭시 수지 조성물 및 이를 이용하여 밀봉된 반도체 장치 |
Families Citing this family (14)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP5513840B2 (ja) * | 2009-10-22 | 2014-06-04 | 電気化学工業株式会社 | 絶縁シート、回路基板及び絶縁シートの製造方法 |
JP5171798B2 (ja) * | 2009-12-07 | 2013-03-27 | 三菱電機株式会社 | 熱硬化性樹脂組成物、熱伝導性樹脂シート及びその製造方法、並びにパワーモジュール |
JP5340202B2 (ja) | 2010-02-23 | 2013-11-13 | 三菱電機株式会社 | 熱硬化性樹脂組成物、bステージ熱伝導性シート及びパワーモジュール |
JP2011249681A (ja) * | 2010-05-28 | 2011-12-08 | Sony Chemical & Information Device Corp | 熱伝導性シート及び半導体装置 |
JP2012067205A (ja) * | 2010-09-24 | 2012-04-05 | Hitachi Chemical Co Ltd | 高放熱絶縁樹脂シート及びその製造方法 |
WO2012070289A1 (ja) * | 2010-11-26 | 2012-05-31 | 三菱電機株式会社 | 熱伝導性シート及びパワーモジュール |
KR20120074109A (ko) * | 2010-12-27 | 2012-07-05 | 엘지이노텍 주식회사 | 에폭시 수지 조성물 및 이를 이용한 방열회로기판 |
CN103748673B (zh) * | 2011-10-28 | 2016-12-14 | 积水化学工业株式会社 | 叠层体及功率半导体模块用部件的制造方法 |
JP6000749B2 (ja) * | 2012-08-23 | 2016-10-05 | 三菱電機株式会社 | 熱硬化性樹脂組成物、熱伝導性樹脂シートの製造方法と熱伝導性樹脂シート、並びに電力用半導体装置 |
EP3121210A4 (en) * | 2014-03-20 | 2017-12-06 | Hitachi Chemical Co., Ltd. | Resin composition, resin sheet, resin sheet cured product, resin sheet laminate, resin sheet laminate cured product and method for producing same, semiconductor device, and led device. |
JP6879690B2 (ja) | 2016-08-05 | 2021-06-02 | スリーエム イノベイティブ プロパティズ カンパニー | 放熱用樹脂組成物、その硬化物、及びこれらの使用方法 |
JP2016204669A (ja) * | 2016-08-31 | 2016-12-08 | 三菱電機株式会社 | 熱硬化性樹脂組成物、熱伝導性樹脂シートの製造方法と熱伝導性樹脂シート、並びに電力用半導体装置 |
JP7202136B2 (ja) * | 2018-10-16 | 2023-01-11 | 旭化成株式会社 | N-アルキル置換アミノピリジン・フタル酸塩及びそれを含むエポキシ樹脂組成物 |
WO2022054874A1 (ja) * | 2020-09-11 | 2022-03-17 | 富士フイルム株式会社 | 硬化性樹脂組成物、熱伝導材料、熱伝導シート、熱伝導層付きデバイス |
Family Cites Families (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3102425B2 (ja) * | 1999-03-30 | 2000-10-23 | 日立化成工業株式会社 | 封止用エポキシ樹脂成形材料及び電子部品装置 |
JP2002179886A (ja) * | 2000-12-15 | 2002-06-26 | Nagase Chemtex Corp | 高熱伝導性エポキシ樹脂組成物、該組成物からなるシート状物および該シート状物からなる高熱伝導性基板 |
JP2006016525A (ja) * | 2004-07-02 | 2006-01-19 | Hitachi Chem Co Ltd | 封止用エポキシ樹脂成形材料及び電子部品装置 |
JP2007224242A (ja) * | 2006-02-27 | 2007-09-06 | Tamura Kaken Co Ltd | 熱硬化性樹脂組成物、bステージ化した樹脂フィルムおよび多層ビルドアップ基板 |
JP2008037957A (ja) * | 2006-08-03 | 2008-02-21 | Tamura Kaken Co Ltd | 熱硬化性樹脂組成物、bステージ化した樹脂フィルムおよび多層ビルドアップ基板 |
JP2009161578A (ja) * | 2007-12-28 | 2009-07-23 | Sekisui Chem Co Ltd | 絶縁シート及び積層構造体 |
-
2008
- 2008-03-25 JP JP2008078715A patent/JP5047024B2/ja active Active
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20180006001A (ko) * | 2016-07-07 | 2018-01-17 | 삼성에스디아이 주식회사 | 반도체 밀봉용 에폭시 수지 조성물 및 이를 이용하여 밀봉된 반도체 장치 |
KR101955762B1 (ko) * | 2016-07-07 | 2019-03-07 | 삼성에스디아이 주식회사 | 반도체 밀봉용 에폭시 수지 조성물 및 이를 이용하여 밀봉된 반도체 장치 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2009227947A (ja) | 2009-10-08 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5047024B2 (ja) | 熱伝導性樹脂組成物、熱伝導性樹脂シート及びパワーモジュール | |
US7602051B2 (en) | Thermally conductive resin sheet and power module using the same | |
JP5208060B2 (ja) | 熱硬化性樹脂組成物、熱伝導性樹脂シート及びその製造方法、並びにパワーモジュール | |
JP6320239B2 (ja) | 半導体チップ封止用熱硬化性樹脂シート及び半導体パッケージの製造方法 | |
JP6000749B2 (ja) | 熱硬化性樹脂組成物、熱伝導性樹脂シートの製造方法と熱伝導性樹脂シート、並びに電力用半導体装置 | |
JP2001348488A (ja) | 熱伝導性樹脂組成物、プリプレグ、放熱性回路基板及び放熱性発熱部品 | |
JP2008153430A (ja) | 放熱基板並びに熱伝導性シートおよびこれらを用いたパワーモジュール | |
JPWO2009041300A1 (ja) | 熱伝導性シート及びその製造方法、並びにパワーモジュール | |
JP5735029B2 (ja) | 電子デバイス封止用樹脂シート及び電子デバイスパッケージの製造方法 | |
JP5171798B2 (ja) | 熱硬化性樹脂組成物、熱伝導性樹脂シート及びその製造方法、並びにパワーモジュール | |
JP2011178894A (ja) | 熱硬化性樹脂組成物、熱伝導性シート及びパワーモジュール | |
JP2008255186A (ja) | 熱伝導性樹脂シート及びパワーモジュール | |
JP6025966B2 (ja) | 熱伝導性絶縁シート、パワーモジュール及びその製造方法 | |
JP2016155946A (ja) | 熱硬化性樹脂組成物、熱伝導性樹脂シート、回路基板及びパワーモジュール | |
JP2015196823A (ja) | 熱硬化性樹脂組成物、熱伝導性樹脂シート及びその製造方法、並びにパワーモジュール | |
JP5274007B2 (ja) | 熱伝導性樹脂シートおよびこれを用いたパワーモジュール | |
JP2001288244A (ja) | 熱硬化性樹脂組成物、その製法及びそれを用いた製品 | |
KR20150014214A (ko) | 반도체 패키지용 몰딩 조성물 및 이를 이용한 반도체 패키지 | |
JP5114111B2 (ja) | 樹脂組成物、熱伝導シート、金属箔付高熱伝導接着シート、ならびに、金属板付高熱伝導接着シート | |
JP2008106126A (ja) | 熱伝導性材料及びこれを用いた放熱基板とその製造方法 | |
JP7200674B2 (ja) | 放熱構造体の製造方法 | |
JP2001210764A (ja) | 熱伝導基板及びその製造方法 | |
JP2009246026A (ja) | ペースト状接着剤及びこの接着剤を用いた電子部品内蔵基板の製造方法 | |
JP6316610B2 (ja) | 混成集積回路基板の製造方法およびそれを用いた混成集積回路基板 | |
JP2014049494A (ja) | 電子部品封止用熱硬化性樹脂シート、樹脂封止型半導体装置、及び樹脂封止型半導体装置の製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20091224 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20111122 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20111129 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20120130 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20120619 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20120717 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20150727 Year of fee payment: 3 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5047024 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |