JP4986985B2 - 光記録方法、光記録媒体 - Google Patents

Description

本発明は、光ディスク、光カードなどの相変化型光記録媒体に対して高倍速（少なくとも４倍速）で情報の記録が可能な光記録方法、光記録装置、光記録媒体記録装置、及び、前記した光記録方法、光記録装置、光記録媒体記録装置に用いられて高倍速で情報の記録が可能な光記録媒体、更に、光ディスクと、この光ディスクに情報を記録／再生するための光ディスク記録再生装置に関する。

従来の繰り返し書き換え可能な相変化型記録媒体及びその光記録方法の技術は以下の通りである。

即ち、記録時に、相変化型記録媒体にレーザ光パルスを印加（照射）し、記録層を溶融させ、急冷することにより、記録層に非結晶の記録マークを形成する。この記録マークの反射率は、記録層が結晶状態である場合より低く、光学的に記録情報として読みとられる。この記録マークを消去する場合、記録時より小さなレーザパワーを照射することにより、記録層を結晶化温度以上で融点以下の温度にするか、融点以上に加熱し、その後、除冷することで、非結晶状態から結晶状態にすることによって、オーバーライト可能としている。

こうした記録層材料としては、Ｇｅ−Ｓｂ−Ｔｅ合金、Ａｇ−Ｉｎ−Ｓｂ−Ｔｅ合金などが速い結晶化速度の点から好まれて用いられており、これらの記録層材料は実際にＣＤ−ＲＷ、ＤＶＤ−ＲＡＭ、ＤＶＤ−ＲＷ、ＤＶＤ＋ＲＷなどの記録層材料として用いられている（以下、ＣＤは「コンパクトディスク」、ＤＶＤは「デジタル・バーサタイル・ディスク」をそれぞれ指す）。これらの記録材料を用いている記録層を使用した光記録媒体では、通常、記録層の両面に耐熱性と透過性を兼ね備えた誘電体層を設けており、記録時の記録層の変形、開口を防いでいる。

また、誘電体層がＺｎＳ成分を含んでいる場合では、Ｓの記録層への浸透を防ぐために、記録層の片面、または両面に窒化物や酸化物などの界面層を設けているものもある。また、レーザ光入射方向と反対側の誘電体層の上にＡｌ、Ａｇなどを主成分とした金属反射層を積層し、高い反射率を可能とした技術が知られている。

一方、前記した構成の相変化型記録媒体に対して記録を行う光記録方法としては、下記する特許第２７６５９３８号公報、特許第３２６６９７１号公報や特許第３１７１１０３号公報にあるとおり、相変化型記録媒体の記録層に記録したいマーク長で高パワーパルスのレーザ光を変調して行う記録方法があり、特に長いマークにおいてマーク後端付近で生じるマーク太りを抑制するため、１クロックの周期Ｔ内でパルス分割を行ったマルチパルスストラテジを用い、光記録を行っていた。

図１は従来の光記録方法に用いられるマルチパルスストラテジの記録パルスを示す図であり、図１中、Ｔはクロックの周期である。

ここで言うまでもないが、図１に示すように、レーザ光のレーザパワーを記録パワーＰｗ、消去パワーＰｅ、バイアスパワーＰｂ（Ｐｗ＞Ｐｅ＞Ｐｂ）の３値で変調して、長さ３Ｔ、５Ｔの記録信号（矩形パルス）に対応した記録パルスを生成することによって、長さ３Ｔ、５Ｔのマークを媒体の記録層に形成することができる。

前記した長さ３Ｔの矩形パルスに対応する記録パルスは、先頭パルスＴｔｏｐ、１つの中間パルスＴｍｐ、後端パルスＴｃｌから順次構成されているマルチパルスである。また、前記した長さ５Ｔの矩形パルスに対応する記録パルスは、先頭パルスＴｔｏｐ、３つの中間パルスＴｍｐ、後端パルスＴｃｌから順次構成されているマルチパルスである。

さて、近年の相変化型記録媒体は一段と高記録密度化が図られていることから、その記録速度の高速化が要求されている。実際には書き換え型のＤＶＤ媒体（ＤＶＤ−ＲＡＭ、ＤＶＤ−ＲＷ、ＤＶＤ＋ＲＷなど）における現在の最高線速度は、通常記録速度（＝１倍速、＝３．５ｍ／ｓ））の２．４倍（ＤＶＤ換算）である。しかしこうした高倍速でも、４．７ＧＢのＤＶＤ媒体１枚を全て書き込み済にするのに２５分を必要とし、まだ実用十分とは言い難かった。

このように実用性を上げるために、さらに記録速度の高速化を図る必要があるが、以下の要因によって、記録速度の高速化を図っても記録マークをＤＶＤ媒体の記録層に良好に形成することができなかった。

第１の要因は、記録線速度が上がるほど書き込み時のレーザパワー（レーザ強度）を上げることが必要となるが、ＤＶＤ媒体のレコーダなどに用いる比較的低価格な民生用レーザでは、高速記録するのに十分なレーザ強度を得ることは難しいということである。

第２の要因は、記録時のレーザパワーを構成する分割パルス(マルチパルス)の応答性が劣ることである。例えばＤＶＤ媒体の６倍速の線速度（２１ｍ／ｓ）では、クロック周期Ｔが約６．３ｎｓとなり、このクロック周期を用いて従来のマルチパルスを用いた記録ストラテジ(図１)にて記録する際に必要なパルス幅は、パルス幅＝クロック周期（６倍速：６．３ｎｓ）×Ｄｕｔｙ（例えば４０％）から得られ、約２．５ｎｓと短いパルス幅となる。

これは現在のレーザでは、矩形パルスの立ち上がりと立ち下がりとには合計約３．０ｎｓ要するから、前述の約２．５ｎｓのパルス幅を有するパルスは完全な矩形波とはならず、そのピークパワーが設定値（記録パワーＰｗレベル、バイアスパワーＰｂレベル）にまで達しない三角波となってしまう。このために設定値どおりの熱量を媒体の記録層に与えることが困難であるから、規定どおりの形状で記録マークを形成することができなかった。

第３の要因は、ＤＶＤ媒体の記録層の材料が、記録時のレーザパワーを構成する高速分割パルスに対応できない点であった。高倍速の線速度で記録を行うために記録層の材料はより結晶化しやすい方向に調整されるが、これはある冷却速度で非晶（マーク）化しにくくなる方向にある。

高速分割パルスを用いた場合には、長いマークほど分割パルス印加時間が長く、全体的な熱履歴は徐冷になるため、高速対応させた結晶化速度の速い記録層は結晶化しやすくなる。その結果長いマークほど細くなり、十分な信号振幅を得ることが出来なかった。

そこで、記録速度の高倍速化を図っても記録マークを記録層に規定の形状で形成することができないという前述した問題を解消するための一つの光記録方法として２Ｔ系記録パルス列を用いた光記録方法がある。即ち、文献Ｏｐｔｉｃａｌ Ｄａｔａ Ｓｔｒａｇｅ Ｃｏｎｆｅｒｅｎｃｅ ２０００（ＯＤＳ‘００）におけるＴｅｃｈｎｉｃａｌ Ｄｉｇｅｓｔ ＰＤ１ タイトル名「High speed rewritarble DVD up to 20m/s with nucleation-free eutectic phase-change material of Ge(Sb70Te30)+Sb」では、ＤＶＤ媒体の４．８倍速記録時に、２倍のクロック周期２Ｔ内に、記録パワーＰｗレベルに到達する１つの記録パワー時間とバイアスパワーＰｂレベルに到達するバイアスパワー時間とが収まるように、書き込み時のレーザパワーを構成する高速分割パルスを構成した光記録方法を開示している。

図２はＯＤＳ‘００におけるＴｅｃｈｎｉｃａｌ Ｄｉｇｅｓｔ ＰＤ１での２Ｔ系記録パルス列を示す図である。

図２に示すように、クロックの周期Ｔの偶数倍（４，８倍）の長さに対応した長さ４Ｔ，８Ｔの記録マークをそれぞれ形成する場合には、記録パルス数Ｎを、Ｎ＝ｎ／２、（ｎ：マーク長）＝２，４個の矩形パルスを記録パルスとして記録レーザ光のレーザパワーにそれぞれ印加する。一方、クロックの周期Ｔの奇数倍（３，９倍）の長さに対応した長さ３Ｔ，９Ｔの記録マークをそれぞれ形成する場合には、記録パルス数Ｎを、Ｎ＝（ｎ−１）／２、（ｎ：マーク長）＝１，４個の矩形パルスを記録パルスとして記録レーザ光のレーザパワーにそれぞれ印加する。

この２Ｔ系記録パルス列を用いた光記録方法により記録パルスを構成する分割パルスのパルス幅が広くなったことで、前述した従来のものに比較して、記録時のレーザパワーの記録パルスの立ち上がり下がり時間が十分に得られるから、完全な矩形パルスを得ることができ、この結果、矩形パルスの各ピークレベルは記録パワーＰｗレベル及びバイアスパワーＰｂレベルに十分到達できるので、このバイアスパワー時間を伸ばすことで急冷構成にし、比較的低い記録パワーの民生用レーザで十分に規定どおりの記録パルス信号振幅を得ることができた。

しかし、クロックの周期Ｔの４倍の長さに対応した長さ４Ｔの記録マークを形成する場合には、特に長さ４Ｔの記録信号期間内にパルス数が２つと多く、このときのバイアスパワー時間を十分伸ばすことができないために、徐冷時間が十分に得られず、前記したＤＶＤ媒体の４．８倍速記録時には問題がないとしても、ＤＶＤ媒体の６倍速記録では、一段とクロックの周期Ｔが短縮されることになって、こうした光記録方法では十分な記録特性が得られなかった。

また、すでに市販されているＰｕｌｓｔｅｃ（パルステック）社製ＭＳＧ２Ｂ信号発生器でも、２倍のクロック周期２Ｔ内で、記録パルスのパルス幅を変更した２Ｔ系記録パルス系列に対応したマルチパルスストラテジを行うための回路を組み込んでいる。

図３はＰｕｌｓｔｅｃ(パルステック)社製ＭＳＧ２Ｂ信号発生器に組み込まれている２Ｔ系記録パルス系列を示す図である。

この光記録方法（図３）も前記した２Ｔ内で１つの記録パワー時間とバイアスパワー時間に収まるようにパルス分割した光記録方法（図２）と同様に、比較的低い記録パワーで規定どおりの記録パルス信号振幅を得ることができる。

しかし、各マーク長に対応した記録パルスのそれぞれの最後端にはクロック周期１Ｔ内での変調パルス（図３中の比較的細いパルス）を含んでいるために、これまた、バイアスパワー時間を十分伸ばすことができず徐冷時間が十分に得られない。

この結果、前記したＤＶＤ媒体の４．８倍速記録時には徐冷時間に問題がないとしても、ＤＶＤ媒体の６倍速記録では、一段とクロックの周期Ｔが短縮されることになって、こうした徐冷時間の問題が生じてしまい、十分な記録特性が得られなかった。

上述したことを換言すれば、本発明の課題は、ＤＶＤ媒体の６倍速以上の線速度での記録時に、前述した２Ｔ系記録パルス系列を用いたマルチパルスストラテジを用いた場合に発生する、記録パルスの最後端においてバイアスパワー時間を十分に取れないことによる徐冷時間不足により、記録層に形成された記録マーク最後端部に発生する細り現象を解決できないことである。

こうしたバイアスパワー時間を十分に取れないという問題を解消してバイアスパワー時間を十分に取れるようにし、徐冷時間を十分得ることができる光記録方法を採用すれば、ＤＶＤ媒体の記録層に形成された記録マークの最後端部に細り現象は発生しない。

この解決法の一つとしては、２Ｔ系記録パルス系列を用いたマルチパルスストラテジにおける最先端の先頭パルスの立ち上がり重視か、あるいは、最後端のパルスの立ち下がり重視かによって、偶数倍の記録クロックの周期Ｔに対応する記録マーク（例えば、長さ２Ｔ，４Ｔ，…の記録マーク）を形成するための記録パルスと、奇数倍の記録クロックの周期Ｔに対応する記録マーク（例えば、長さ３Ｔ，５Ｔ，…の記録マーク）を形成するための記録パルスとの記録特性がそれぞれ異なる不都合が生じてしまう。

具体的には、図２に示した光記録方法のように、２Ｔ内に記録パワーＰｗ時間とバイアスパワーＰｂ時間とが収まるように、記録パルスをマルチパルス化してあるから、記録パルスの最後端を記録信号の後端に位置合せようとすると、記録パルスを構成する先頭パルスと最後端パルスとの間に存在する中間パルスのパルス幅調整が必要となり、その調整幅は（１／２）Ｔがどうしても必要であった。

また、図３に示した光記録方法のように、記録パルスの先頭パルスの立ち上がり位置を記録信号の立ち上がり位置から１Ｔ経過後に位置合わせするので、記録パルスの最後端を記録信号の後端に位置合せようとすると、記録パルスを構成する先頭パルスと最後端パルスとの間に存在する中間パルスのパルス幅調整が必要となり、その調整幅は（１／２）Ｔがどうしても必要であった。

ところで、ＰＷＭ方式では、記録マークの幅が情報を持つため、記録マークを歪のないように、すなわち前後対称に記録膜に記録する必要がある。しかし、信号を記録する際のディスクのレーザ照射部分は、蓄熱効果によって照射の開始点より終点の方が高温になる。このため、記録マークは、先端より終端の方が幅が広くなり、記録マーク形状が先端部で細く終端部で太くなって涙滴状に歪むという不都合がある。このように熱記録であるので記録時の速度が変化すると記録条件が変化することが知られている。

このために、本出願人の特開２００１−２０９９４０号公報のようにそれぞれのディスクにあった最適な記録パワーや、最適な消去パワーや、先頭パルスの幅、中間のマルチパルスの幅、後端パルスの幅等が異なるために、メーカごとにその最適な記録パワーや、最適な消去パワーの情報や、先頭パルスの幅、中間のマルチパルスの幅、後端パルスの幅等の時間情報（ストラテジ）をディスクにプリピットとして記録しておくようになっているが、高倍速化が急速に進む中にあって、１倍速（線速度は３．４９ｍ／ｓ）用の前記の情報はあっても、高倍速用の情報はなかった。例えば、あるディスクが１、２（線速度は３．４９＊２ｍ／ｓ）、４（線速度は３．４９＊４ｍ／ｓ）倍速の３種類に対応していて、１倍速用の情報しかない場合、１、２、４倍速を記録可能な装置で記録する場合に、１倍速で記録するかあるいは、４倍速で記録するために長時間をかけて記録パワー及びストラテジーをテスト記録して求める等の処理を行って４倍速用の最適パワー等を探す必要があった。ただしユーザーが数十秒の時間を待つのは商品として許されるものではなかった。

また、例えば、あるディスクが１、２、４倍速の３種類に対応していて、１と４倍速用の情報しかない場合、１と２倍速を記録可能な装置で記録する場合に、１倍速で記録するかあるいは、２倍速で記録するために長時間をかけて記録パワー及びストラテジをテスト記録して求める等の処理を行って２倍速用の最適パワー等を探す必要があった。

特に将来のより高密度に記録可能な媒体にとっては、そのディスクのそれぞれの回転数での記録条件特にストラテジをディスクに記録しておくことが必要であり、この結果どの速度においても記録を開始するまでの時間を短縮することができ、ディスクがＶＴＲに取って代わるためには必須な条件であった。

加えて、この記録条件をディスクに記録する場合に、ディスクの領域にも制限があり、現在のＣＤ−Ｒのように例えば２４倍速の記録を予想して、１、２、４、６、８、１２、１６倍速用に記録条件を記録する領域をそれぞれ確保しておいても、ＤＶＤ−Ｒ／ＲＷでその倍速数に達するのは何年かかるか分からないし、何倍速まで用意をしておけばよいのかも分からない。その時点になるまでは、高倍速用の領域は無駄になってしまうという問題点があった。つまり、将来性を含めて、その領域を有効に活用することが望まれていた。

そこで、本発明は上記した問題に鑑みて創案されたものであり、例えばＤＶＤ媒体を６倍速以上の高線速度で、前記したマルチパルスを用いた記録ストラテジで記録する際に、前述したようにバイアスパワー時間を十分にとることができない結果発生する徐冷時間不足により、正規の形状のマーカが得られないことを解消し正規の形状のマーカが形成できるようにするために、前記マルチパルスを構成する先頭パルス又は最後端パルスの位置調整をせずに、長さｎＴの記録信号の立ち下がり位置と前記マルチパルスの最後端パルスの立下り位置との同期が常にとれるように、前記記録信号の立ち上がり位置に同期して立ち上がる前記マルチパルスの先頭パルスのパルス幅の広狭を、前記記録信号の長さの奇数偶数に応じて制御すると共に、前記記録信号の長さに応じて必要な個数及びその位置を設定した中間パルスを用いた光記録方法、この光記録方法を用いて高線速度で行う記録の際に正規の形状のマークの形成が可能な記録特性を有する光記録媒体、前記光記録方法を用いた記録の際に前記記録信号の長さの偶数奇数を判定する判定手段を有する光記録装置、前記光記録方法を用いて前記光記録媒体に正規の形状のマークを形成するための光記録媒体記録装置を提供することを目的とする。

また、本発明は、光ディスクの高倍速化が急速に進み、その度に規格を変更することによる環境エネルギーの消費と装置の設計変更等を招くことが無く、標準化をスムーズに行うことができることにより市場の進化のスピードを促進し、また、それぞれの倍速に対応したディスクにおいて、情報の無駄を無くし、効率よく冗長度を上げることができ、領域を有効活用することができる光ディスクを提供することを目的とする。

さらに、本発明は、記録又は再生しようとする光ディスクが何倍速に対応しているかが理解でき、最適な倍速を選択して記録することができると共に、温度が上がったり、光ディスクの面ぶれや偏芯が多い等の条件により、装置の倍速の標準の速度で記録できない場合でも、記録可能な速度に落としてその条件で記録することができ、また、複数の倍速に対応した光ディスクであっても、その情報の読み取りは簡単に行うことができ、情報に無駄が無いので、短時間で必要な情報を取得でき、冗長度が高いので信頼性良く情報を取得することができる光ディスク記録再生装置を提供することを目的とする。

さらにまた、本発明は、記録管理情報領域と情報記録領域とを備え、前記情報記録領域にデータを記録するための記録パワー及び記録ストラテジー情報が光ディスクに記録する線速度に従ってレーザパワーを記録パワーＰｗ、消去パワーＰｅ、バイアスパワーＰｂ（ただしＰｗ＞Ｐｅ＞Ｐｂ）の３値で変調して長さｎＴ（ｎ：整数、Ｔ：記録データのクロック周期）のデータに対応したマークを形成する際に、低い線速度のときには、各マークを形成するために分割された記録パルス中の先端のパルス幅と中間のマルチパルス幅と後端のクーリングパワー区間の３区間の時間幅を変更するための記録ストラテジー情報と、高い線速度のときには、クロック周期Ｔをｐ分周した周期ｐＴを基本周期とする記録データ(又はクロック周期Ｔを２分周した周期２Ｔの記録データ)の長さによるクロックに基づいて各マークを形成するために分割された記録パルス中のバイアスパワー区間と後端の記録パルスの区間とクーリングパワーの区間の３区間の時間幅を（周期ｐＴ又は周期２Ｔ）で変更するための記録ストラテジー情報とを、倍速情報に対応した複数の前記記録管理情報領域内に予め記録した光ディスク、及び、前記光ディスクに対して記録再生を行なうと共に、前記光ディスクの複数の情報管理領域に予め記録されている複数の倍速情報に対応した記録パワー及び記録ストラテジー情報の中から、必要な倍速情報に対応して情報を記録するための記録パワー及び記録ストラテジー情報を読み出し、この読み出しに基づいた記録パワー及び記録ストラテジーを用いて、前記光ディスクの前記情報記録領域に情報を記録する光ディスク記録再生装置を提供することを目的とする。

上述した目的を達成するために、本発明は下記（１）〜（６）の構成を有する光記録方法、光記録装置を提供する。

（１）参考例。照射レーザ光のレーザパワーを記録パワーＰｗ、消去パワーＰｅ、バイアスパワーＰｂ（ただしＰｗ＞Ｐｅ＞Ｐｂ）の３値で変調して、長さｎＴ（ｎ：３以上の整数、Ｔ：データを記録するためのクロック周期）のデータに対応したマークを形成する際に、データを記録するためのクロックをｐ分周したクロックを基本とする記録ストラテジを用いた光記録方法であって、前記ｐ分周したクロックの長さと、それぞれの記録データの長さの関係に基づいて、記録マークを形成するための分割された記録パルス中に、先端の記録パルスと、中間の記録パルスと、後端の記録パルスとを含み、前記中間の記録パルスは前記先端の記録パルスと同一のパルス幅であり、前記後端の記録パルスの前のバイアスパワー区間と、前記後端の記録パルスの区間と、前記後端の記録パルスの後のクーリングパワーの区間の３つの時間区間を、前記ｐ分周周期に対応して記録データの長さによって変更することを含むことを特徴とする光記録方法を提供する。

（２） 照射レーザ光のレーザパワーを記録パワーＰｗ、消去パワーＰｅ、バイアスパワーＰｂ（ただしＰｗ＞Ｐｅ＞Ｐｂ）の３値で変調して、長さｎＴ（ｎ：３以上の整数、Ｔ：データを記録するためのクロック周期）のデータに対応したマークを形成する際に、データを記録するためのクロックを２分周したクロックを基本とする記録ストラテジを用いた光記録方法であって、前記２分周したクロックの長さと、それぞれの記録データの長さの関係に基づいて、記録マークを形成するための分割された記録パルス中に、先端の記録パルスと、中間の記録パルスと、後端の記録パルスとを含み、前記中間の記録パルスは前記先端の記録パルスと同一のパルス幅であり、前記後端の記録パルスの前のバイアスパワー区間と、前記後端の記録パルスの区間と、前記後端の記録パルスの後のクーリングパワーの区間の３つの時間区間を、前記２分周周期である偶数と奇数の記録データによって変更することを含むことを特徴とする光記録方法を提供する。

（３） 照射レーザ光のレーザパワーを記録パワーＰｗ、消去パワーＰｅ、バイアスパワーＰｂ（ただしＰｗ＞Ｐｅ＞Ｐｂ）の３値で変調して、長さｎＴ（ｎ：３以上の整数、Ｔ：データを記録するためのクロック周期）のデータに対応したマークを形成する際に、データを記録するためのクロックを２分周したクロックを基本とする記録ストラテジを用いた光記録方法であって、前記２分周したクロックの長さと、それぞれの記録データの長さの関係に基づいて、記録マークを形成するための分割された記録パルス中に、３Ｔマークを形成するための、先頭パルスの長さ区間Ｔ３と、先頭パルスの長さを調整する区間ｄＴ３と、後端のクーリングパワー区間３Ｔｃｌと、４Ｔ以上の偶数または奇数のマークを形成するための、先端の記録パルスＴｍｐと、１または複数の中間の記録パルスＴｍｐと、後端の記録パルスとを含み、偶数の記録データの長さのための、前記後端の記録パルスの前のバイアスパワー区間（２Ｔ−Ｔｍｐ）−ｅＴｄｌｐ１と、前記後端の記録パルスの区間Ｔｍｐ−ｅＴｄｌｐ２と、前記後端の記録パルスの後のクーリングパワーの区間ｅＴｃｌの３つの時間区間と、奇数の記録データの長さのための、前記後端の記録パルスの前のバイアスパワー区間（２Ｔ−Ｔｍｐ）＋ｏＴｄｌｐ１と、前記後端の記録パルスの区間Ｔｍｐ＋ｏＴｄｌｐ２と、前記後端の記録パルスの後のクーリングパワーの区間ｏＴｃｌの３つの時間区間とを含むことを特徴とする光記録方法を提供する。

（４）参考例。照射レーザ光のレーザパワーを記録パワーＰｗ、消去パワーＰｅ、バイアスパワーＰｂ（ただしＰｗ＞Ｐｅ＞Ｐｂ）の３値で変調して、長さｎＴ（ｎ：３以上の整数、Ｔ：データを記録するためのクロック周期）のデータに対応したマークを形成する際に、データを記録するためのクロックをｐ分周したクロックを基本とする記録ストラテジを用いた光記録装置であって、前記ｐ分周したクロックの長さと、それぞれの記録データの長さの関係に基づいて、記録マークを形成するための分割された記録パルス中に、先端の記録パルスと、中間の記録パルスと、後端の記録パルスとを含み、前記中間の記録パルスは前記先端の記録パルスと同一のパルス幅であり、前記後端の記録パルスの前のバイアスパワー区間と、前記後端の記録パルスの区間と、前記後端の記録パルスの後のクーリングパワーの区間の３つの時間区間を、前記ｐ分周周期に対応して記録データの長さによって変更することを含むことを特徴とする光記録装置を提供する。

（５） 照射レーザ光のレーザパワーを記録パワーＰｗ、消去パワーＰｅ、バイアスパワーＰｂ（ただしＰｗ＞Ｐｅ＞Ｐｂ）の３値で変調して、長さｎＴ（ｎ：３以上の整数、Ｔ：データを記録するためのクロック周期）のデータに対応したマークを形成する際に、データを記録するためのクロックを２分周したクロックを基本とする記録ストラテジを用いた光記録装置であって、前記２分周したクロックの長さと、それぞれの記録データの長さの関係に基づいて、記録マークを形成するための分割された記録パルス中に、先端の記録パルスと、中間の記録パルスと、後端の記録パルスとを含み、前記中間の記録パルスは前記先端の記録パルスと同一のパルス幅であり、前記後端の記録パルスの前のバイアスパワー区間と、前記後端の記録パルスの区間と、前記後端の記録パルスの後のクーリングパワーの区間の３つの時間区間を、前記２分周周期である偶数と奇数の記録データによって変更することを含むことを特徴とする光記録装置。

（６） 照射レーザ光のレーザパワーを記録パワーＰｗ、消去パワーＰｅ、バイアスパワーＰｂ（ただしＰｗ＞Ｐｅ＞Ｐｂ）の３値で変調して、長さｎＴ（ｎ：３以上の整数、Ｔ：データを記録するためのクロック周期）のデータに対応したマークを形成する際に、データを記録するためのクロックを２分周したクロックを基本とする記録ストラテジを用いた光記録装置であって、前記２分周したクロックの長さと、それぞれの記録データの長さの関係に基づいて、記録マークを形成するための分割された記録パルス中に、３Ｔマークを形成するための、先頭パルスの長さ区間Ｔ３と、先頭パルスの長さを調整する区間ｄＴ３と、後端のクーリングパワー区間３Ｔｃｌと、４Ｔ以上の偶数または奇数のマークを形成するための、先端の記録パルスＴｍｐと、１または複数の中間の記録パルスＴｍｐと、後端の記録パルスとを含み、偶数の記録データの長さのための、前記後端の記録パルスの前のバイアスパワー区間（２Ｔ−Ｔｍｐ）−ｅＴｄｌｐ１と、前記後端の記録パルスの区間Ｔｍｐ−ｅＴｄｌｐ２と、前記後端の記録パルスの後のクーリングパワーの区間ｅＴｃｌの３つの時間区間と、奇数の記録データの長さのための、前記後端の記録パルスの前のバイアスパワー区間（２Ｔ−Ｔｍｐ）＋ｏＴｄｌｐ１と、前記後端の記録パルスの区間Ｔｍｐ＋ｏＴｄｌｐ２と、前記後端の記録パルスの後のクーリングパワーの区間ｏＴｃｌの３つの時間区間とを含むことを特徴とする光記録装置を提供する。

本発明によれば、例えばＤＶＤ媒体の６倍速以上の線速度で行う記録時に、前述した２Ｔ系記録パルス系列を用いたマルチパルスストラテジを用いた光記録方法に発生する、前述したバイアスパワー時間を十分に取れないことにより発生する徐冷時間不足を解消するために記録パルスを構成する先頭パルス又は最後端パルスの前述した位置調整をすることなく、記録信号の立ち下がり位置と記録パルスの最後端パルスの立下り位置とが一致するように、記録信号の立ち上がり位置に一致して立ち上がる記録パルスの先頭パルスのパルス幅を、偶数２，４，６，…あるいは奇数３，５，７…のクロックの周期Ｔに対応した記録信号の長さに応じて制御する光記録方法であり、また、その制御の具体的な方法として、前記した先頭パルスと最後端パルスとの間に位置する中間パルスを、前記した偶数倍、奇数倍に対応して相補的に位相反転させるものであり（例えば、長さ６Ｔの記録信号に対応する記録パルスは先頭パルスと後端パルスとから構成され、長さ７Ｔの記録信号に対応する記録パルスは先頭パルスと中間パルスと後端パルスとから構成されている場合に、各先端パルスの立ち上がりを一致させた場合、長さ６Ｔの記録信号に対応する記録パルスの後端パルスのパルス幅位置に対応した長さ７Ｔの記録信号に対応する記録パルスの位置には中間パルスと後端パルスとは存在しておらず、また、長さ７Ｔの記録信号に対応する記録パルスの中間パルスと後端パルスとの各パルス幅位置に対応した長さ６Ｔの記録信号に対応する記録パルスの位置には中間パルスは存在していない）、また、２Ｔ周期の中間パルス（又は後端パルス）の１Ｔ期間を相対的にシフトさせるものであり、さらに、マルチパルスストラテジにおけるマルチパルスの数を整数として、ＩＮＴ（ｎ−３）／２（ｎは奇数）にする構成とすることによって、記録パルスの先頭パルスに対応する加熱と最後端パルスに対応する冷却(除冷)との和が、基本的には記録信号の長さの奇数偶数で２Ｔ、３Ｔの間隔とし（但し、光記録媒体や記録線速度により多少変更し、光記録媒体や記録密度によっては前後の信号の関係によって可変（適応）制御を行うことによって、比較的低い記録パワーの照射レーザ光を用いても、レーザパワーのパルスの立ち上がり下がり時間を十分にとり、直後の徐冷時間も十分にとることができるので、この結果、前記した高倍速記録であっても通常記録速度（１倍速）と同様ジッタが最良である高品質な記録特性で記録を行うことができる構成の光記録方法、光記録媒体、光記録媒体記録装置、光記録装置を提供することができる。

また、本発明は、光ディスクの高倍速化が急速に進み、その度に規格を変更することによる環境エネルギーの消費と装置の設計変更等を招くことが無く、標準化をスムーズに行うことができることにより市場の進化のスピードを促進し、また、それぞれの倍速に対応したディスクにおいて、情報の無駄を無くし、効率よく冗長度を上げることができ、領域を有効活用することができる光ディスクを提供することができる。

さらに、本発明は、記録又は再生しようとする光ディスクが何倍速に対応しているかが理解でき、最適な倍速を選択して記録することができると共に、温度が上がったり、光ディスクの面ぶれや偏芯が多い等の条件により、装置の倍速の標準の速度で記録できない場合でも、記録可能な速度に落としてその条件で記録すること、また、複数の倍速に対応した光ディスクであっても、その情報の読み取りは簡単に行うことができ、情報に無駄が無いので、短時間で必要な情報を取得でき、冗長度が高いので信頼性良く情報を取得することができる光ディスク記録再生装置を提供することができる。

さらにまた、本発明は、記録ストラテジ（マルチパルス）を構成する後端パルスの立上がり（又は立下り）の位相関係を、偶数マークを形成する場合と奇数マークを形成する場合とで相対的に異ならしめたことにより、媒体上に形成した偶数マークの後端部の形状と奇数マークの後端部の形状とを実質的に同一にできる光記録方法を提供することができる。これに加えて本発明は、媒体を構成する記録層の相変化材料や、媒体の記録線速度、記録ストラテジによりパルス変調される記録レーザパワー、その他媒体規格条件等の記録条件が変更されても、前記後端パルスの立上がり（又は立下り）の位相関係を偶数マークを形成する場合と奇数マークを形成する場合とで相対的に異ならしめる記録ストラテジを用いているので、これにより媒体上に形成した偶数マークの後端部の形状と奇数マークの後端部の形状とに実用上支障となる歪を与えることがない光記録方法を提供することができる。

以下、本発明を実施するための最良の形態につき、最も好ましい実施例について図面と共に説明する。

＜＜光記録方法の第１実施例＞＞
先ず、本発明の光記録方法の第１実施例について説明する。図４は本発明の光記録方法の第１実施例に係る分割パルス系列を説明するための図である。

図４に示すように、高倍速の線速度で採用されるクロック周期をＴとするときに、長さｎＴのマークを記録するには、ｍ＝（ｎ−ｋ）／２（ｍ：正の整数）、ｋ＝３（ｎ：奇数の場合）またはｋ＝４（ｎ：偶数の場合）なる規則に従ってパルス分割しており、照射光のレーザパワーを記録パワーＰｗ、消去パワーＰｅ、バイアスパワーＰｂ（ただしＰｗ＞Ｐｅ＞Ｐｂ）の３値で変調させ、記録パワーＰｗの一定強度時間（Ａt）をＡtＴ、Ａ1Ｔ、・・・、ＡmＴとし、且つバイアスパワーＰｂの一定強度時間（Ｂt）をＢtＴ、Ｂ1Ｔ、・・・、ＢmＴ、ＣＴ（Ｃ＝−１〜３）として、ＡtＴ、ＢtＴ、Ａ1Ｔ、Ｂ1Ｔ、・・・、ＡmＴ、ＢmＴ、ＣＴの順にレーザ変調の印加を行う（ここで、ｎ＝３、４、ｎ≧５（奇数）、ｎ≧６（偶数）の場合の前記一定強度時間Ａ_tをＡ_t3、Ａ_t4、Ａ_tod、Ａ_tevとし、またｎ＝３、４、ｎ≧５（奇数）、ｎ≧６（偶数）の場合の前記一定強度時間Ｂ_tをＢ_t3、Ｂ_t4、Ｂ_tod、Ｂ_tevとしたとき、Ａ_t3＋Ｂ_t3＝Ａ_tod＋Ｂ_tod＝Ａ_m＋Ｂ_m＝２Ｔ、Ａ_t4＋Ｂ_t4＝Ａ_tev＋Ｂ_tev＝３Ｔとする）。

これにより、高結晶化速度を有する光記録媒体においても、十分な急冷熱履歴を与えることができ、それにより再結晶化を抑制し、マーク太さやマーク長を設定値どおりに変化させることが出きるので、その結果、十分な信号振幅を得ることができる。また信号特性を上げるために、図５〜図７に示すように、前記したＡ_tをｎ＝３、ｎ＝４、ｎ≧５（奇数）、ｎ≧６（偶数）で変え、それぞれＡ_t3（ｎ＝３）、Ａ_t4（ｎ＝４）、Ａ_tod（ｎ≧５）、Ａ_tev（ｎ≧６）のパラーメータ分割する。さらに長さｎＴのマークの前にあるスペース長αＴにおいて、α＝３、α＝４、α≧５によって前記載のＡ_t3、Ａ_t4、Ａ_tod、Ａ_tevのディレイ時間α_kl（ｋ：前スペース長のｎ、ｌ：後マーク長のｎ）を変化させることにより、より正確なマークを形成させることができる。

また、例えばＡ_tをｎ＝３、ｎ＝４、ｎ＝５、ｎ≧６（ｎ；偶数）、ｎ≧７（ｎ；奇数）の場合のようにＡ_tのパラーメータをｎによって増やすこと（Ａ_t3、Ａ_t4、Ａ_t5、Ａ_tev、Ａ_tod）も有効である。さらに、Ａ_t3Ｔ、Ａ_t4Ｔ、Ａ_t5Ｔ、Ａ_todＴ、Ａ_tevＴマークのディレイ時間を、長さｎＴのマークの前にあるスペース長αＴにおいて、α＝３、α＝４、α＝５、α≧６のようにαのパラーメータを増やしても良い。さらに、ｎＴマークの形成にＡ_tＴ、Ｂ_tＴ、Ａ₁Ｔ、Ｂ₁Ｔ、・・・、Ａ_mＴ、Ｂ_mＴ、ＣＴの順にレーザ変調を行うが、ｎによってＣの長さを変えることも好ましい。

また、記録信号の変調方式は、１−７変調、８−１６（ＥＦＭ）変調、ＥＦＭ＋変調などが上げられる。
本発明に使用した光記録媒体は、図８に示す光記録媒体ＡＡのように、基板１上に第１保護層（下部誘電体層）２、記録層３、第２保護層（上部誘電体層）４、反射層５、保護膜６を順次積層したものである。ここで記録又は再生用レーザ光は基板１の入射面１ａ側から照射される（照射方向Ｌ）。

このような光記録媒体ＡＡの基板１の材料として、透明な各種の合成樹脂、透明ガラスなどが使用できる。埃、基板１の傷などの影響を避けるために、透明な基板１を用い、集光したレーザ光で基板１側から記録をすることが好ましく、このような透明基板１の材料として、ガラス、ポリカーボネイト、ポリメチル・メタクリレート、ポリオレフィン樹脂、エポキシ樹脂、ポリイミド樹脂などが挙げられる。特に、光学的複屈折、吸湿性が小さく、成形が容易であることからポリカーボネイト樹脂が好ましい。

上記基板１の厚さは、特に限定するものではないが、デジタル多用途ディスク（以下「ＤＶＤ」と記す）との互換性を考慮すると０．６ｍｍ厚が好ましい。実用的には０．０１ｍｍ〜５ｍｍの範囲内である。基板１の厚さが０．０１ｍｍ未満では、基板１側から収束したレーザ光で記録する場合でも、ごみの影響を受け易くなり、５ｍｍ以上では対物レンズの開口数を大きくすることが困難になり、照射レーザ光のスポットサイズが大きくなるため、記録密度をあげることが困難になる。

基板１はフレキシブルなものでも良いし、リジッドなものであっても良い。フレキシブルな基板１は、テープ状、シート状、カード状で使用する。リジッドな基板１は、カード状、或いはディスク状で使用する。
また、これらの基板１は、記録層３、保護層２、４、反射層５、保護膜６などを積層した後、２枚の基板１を背中合わせにして、エアーサンドイッチ構造、エアーインシデント構造、密着貼り合わせ構造としても良い。また、上記第１及び第２の保護層２、４は、記録時に基板１、記録層３などが熱によって変形して記録特性が劣化することを防止するなど、基板１、記録層３を熱から保護する効果、光学的な干渉効果により、再生時の信号コントラストを改善する効果がある。

上記の第１保護層２ならびに第２保護層４は、記録再生のレーザ光に対して透明であって屈折率ｎが１．９≦ｎ≦２．３の範囲にある。第１保護層２ならびに第２保護層４は、同一の材料、組成でなくとも良く、異種の材料から構成されていてもかまわない。特に、ＺｎＳとＳｉＯ₂の混合膜は、記録、消去の繰り返しによっても、記録感度、Ｃ／Ｎ、消去率などの劣化が起きにくいことから好ましい。

第１保護層２の厚さは、およそ５〜５００ｎｍの範囲である。第１保護層２は、基板１や記録層３から剥離し難く、クラックなどの欠陥が生じ難いことから、４０〜３００ｎｍの範囲が好ましい。
第２保護層４は、Ｃ／Ｎ、消去率などの記録特性、安定に多数回の書き換えが可能なことから、０．５〜５０ｎｍの範囲が好ましい。

反射層５の材料としては、光反射性を有するＡｌ、Ａｕ、Ａｇなどの金属、およびこれらを主成分とし、１種類以上の金属または半導体からなる添加元素を含む合金及びＡｌ、Ａｕ、Ａｇなどの金属にＡｌ、Ｓｉなどの金属窒化物、金属酸化物、金属カルコゲン化物などの金属化合物を混合したものなどが挙げられる。

Ａｌ、Ａｕ、Ａｇなどの金属、及びこれらを主成分とする合金は、光反射性が高く、かつ熱伝導度を高くできることから好ましく、それらの合金の例として、ＡｌにＳｉ、Ｍｇ、Ｃｕ、Ｐｄ、Ｔｉ、Ｃｒ、Ｈｆ、Ｔａ、Ｎｂ、Ｍｎ、Ｚｒなどの少なくとも１種の元素を、或いは、Ａｕ或いはＡｇにＣｒ、Ａｇ、Ｃｕ、Ｐｄ、Ｐｔ、Ｎｉ、Ｎｄなどの少なくとも１種の元素を加えたものなどが一般的である。

しかし高線速記録を考慮した場合には、とりわけ熱伝導率の高いＡｇを主成分とする金属または合金が記録特性の点から好ましい。この反射層５の厚さとして、反射層５を形成する金属或いは合金の熱伝導率の大きさによって反射層５の膜厚は変化するが、５０ｎｍ〜３００ｎｍ以下であるのが好ましい。反射層５は５０ｎｍ以上となると光学的には変化せず、反射率の値に影響を与えないが、冷却速度への影響が大きくなる。

また、３００ｎｍ以上の厚さを形成するのは製造する上で時間を要するため、熱伝導率の高い材質の反射層５を用いることにより層厚をなるべく制御する。また、反射層５に純銀や銀合金を用いた場合には、ＡｇＳ化合物の生成を抑制する為、反射層５に接する層はＳを含有していない材料を用いることが好ましい。

また記録層３の組成は、Ｓｂ−Ｔｅ合金にＧｅまたはＩｎ、Ａｇ、Ｓｉ、Ａｌ、Ｔｉ、Ｂｉ、Ｇａの少なくとも１種類を含んでいる合金層である。また、記録層３の膜厚は、記録時のレーザパワーが小さくできる範囲である、１０〜２５ｎｍが好ましい。

また記録層３の片面、もしくは両面に接している界面層を設けても良い。この材質としては、硫黄物を含まない材料であることが重要である。硫黄物を含む材料を界面層として用いると、繰り返しオーバーライトにより界面層中の硫黄が記録層３中に拡散し、記録特性が劣化することがあるので好ましくない。

また、消去特性が優れないという点からも好ましくない。窒化物、酸化物、炭化物のうち少なくとも１種を含む材料が好ましく、具体的には窒化ゲルマニウム、窒化シリコン、窒化アルミニウム、酸化アルミニウム、酸化ジルコニウム、酸化クロム、炭化シリコン、炭素のうち少なくとも１種を含む材料が好ましい。また、これらの材料に酸素、窒素、水素などを含有させても良い。前述の窒化物、酸化物、炭化物は化学量論組成でなくても良く、窒素、酸素、炭素が過剰或いは不足していても良い。このことで界面層が剥離しにくくなり、保存耐久性等が向上するなど、膜の特性が向上する場合がある。

その光記録媒体ＡＡの製造方法について述べる。
まず、保護層２、４、記録層３、反射層５などを基板１上に積層する方法としては、公知の真空中での薄膜形成法、例えば真空蒸着法（抵抗加熱型や電子ビーム型）、イオンプレーティング法、スパッタリング法（直流や交流スパッタリング、反応性スパッタリング）などが挙げられる。特に、組成、膜厚のコントロールが容易であることから、スパッタリング法が好ましい。

また、真空漕内で複数の基板１を同時に成膜するバッチ法や基板１を１枚ずつ処理する枚葉式成膜装置を使用することが好ましい。形成する保護層２、４、記録層３、反射層５などの層厚の制御は、スパッタ電源の投入パワーと時間を制御したり、水晶振動型膜厚計などで、堆積状態をモニタリングすることで容易に行える。

また、保護層２、４、記録層３、反射層５などの形成は、基板１を固定したまま、或いは移動、回転した状態のどちらでも良い。膜厚の面内の均一性に優れることから、基板１を自転させることが好ましく、さらに公転を組み合わせることがより好ましい。必要に応じて基板１の冷却を行うと、基板１の反り量を減少させることができる。

また、本発明の効果を著しく損なわない範囲において、反射層５などを形成した後、これらの膜の変形防止などのため、ＺｎＳ、ＳｉＯ₂などの誘電体層或いは紫外線硬化樹脂などの樹脂保護層などを必要に応じて設けても良い。また、反射層５などを形成した後、或いはさらに前述の樹脂保護層を形成した後、２枚の基板１を対向して接着剤などで貼り合わせても良い。
記録層３は、実際に記録を行う前に、あらかじめレーザ光、キセノンフラッシュランプなどの光を照射し、結晶化させておくことが好ましい。

さて、以下に本発明の光記録媒体の＜第１実施例＞〜＜第１３実施例＞及び＜比較例１＞〜＜比較例８＞について、図９を用いて順次説明する。ここでは光記録媒体ＡＡの一例として相変化型光ディスクを例にして述べる。

以下の実施例では、波長が６６０ｎｍのレーザダイオード、ＮＡ＝０．６５の光学レンズを搭載したパルステック社製光ディスクドライブテスタ（ＤＤＵ１０００）と同社製ＭＳＧ２Ｂ信号発生器及びＨＥＷＬＥＴＴ ＰＡＣＫＡＲＤ社製ＨＰ８１２００信号発生器を用いて記録（１ビーム・オーバーライト）を行った。

記録線速度は１４ｍ／ｓ（ＤＶＤ規格４倍速相当）および、２１ｍ／ｓ（ＤＶＤ規格６倍速相当）で、８−１６（ＥＦＭ）変調ランダムパターンによる評価を行った。クロック周期Ｔはそれぞれ９．６ｎｓおよび、６．３ｎｓで、ビット長は０．２６７μｍ／ｂｉｔである。ＤＶＤ−ＲＯＭと同密度の記録を行い、容量は４．７Ｇｂｙｔｅｓに相当する。

記録は、隣接トラックも含め１０回オーバーライトした後、その再生信号の振幅の中心でスライスし、クロック・トゥー・データ・ジッタ（clock to data jitter）を測定した。測定にはＳｈｉｂａＳｏｋｕ社製再生専用機（ＬＭ２２０Ａ）で線速７．０ｍ／ｓで行った。再生パワーＰｒは０．７ｍＷで一定とした。
また、記録膜組成の定量分析には、シーメンス社製の蛍光Ｘ線分析装置ＳＲＳ３０３を用いた。

＜光記録媒体の第１実施例＞
各層は、直径が１２０ｍｍ、板厚が０．６ｍｍのポリカーボネイト樹脂製の基板１上に形成した。基板１にはトラックピッチが０．７４μｍで空溝が形成されている。この溝深さは２５ｎｍであり、グルーブ幅とランド幅の比は、およそ４０：６０であった。

まず、真空容器内を３×１０^-4Ｐａまで排気した後、２×１０^-1ＰａのＡｒガス雰囲気中でＳｉＯ2を２０ｍｏｌ％添加したＺｎＳを高周波マグネトロンスパッタ法により、基板１上に層厚６０ｎｍの第１保護層２を形成した。

続いて、記録層３を３元素単一合金ターゲットＩｎ−Ｓｂ−ＴｅとＧｅ単体ターゲットのコスパッタにより層厚１６ｎｍ（組成比：Ｇｅ₂Ｉｎ₅Ｓｂ₇₆Ｔｅ₁₇）を作成し、続いて第２保護層４を第１保護層２と同じ材料で１６ｎｍ、反射層５をＡｇ−Ｐｄ−Ｃｕターゲットで１２０ｎｍ、順次積層した。

この基板１を真空容器内より取り出した後、この反射層５上にアクリル系紫外線硬化樹脂（ソニーケミカル製ＳＫ５１１０）をスピンコートし、紫外線照射により硬化させて膜厚が３μｍの保護膜６を形成して光ディスクを得た。

さらに粘着シールを用いて同様に形成した基板１を２枚貼り合わせ、両面記録型光ディスクを作製した。こうして作製した光ディスクにトラック方向のビーム幅が半径方向より広い形をしているワイドビームのレーザ光を照射して、記録層３を結晶化温度以上に加熱し、初期化処理を行った。そして、基板１側から相変化記録層３の案内溝であるグルーブ部に記録を行った。グルーブはレーザ光の入射方向から見て凸状になっている。

本発明におけるパルス系列を用い、記録条件の各パルスの幅を、線速度１４ｍ／ｓ（以下、４倍速）での記録では、Ａ_t3＝Ａ_tod＝０．８５[Ｔ]、Ａ_t4＝Ａ_tev＝１．１０[Ｔ]、Ａ_m＝０．９５[Ｔ]、Ｃ＝１．００[Ｔ]を用い、２１ｍ／ｓ（以下、６倍速）での記録ではＡ_t3＝Ａ_tod＝０．９０[Ｔ]、Ａ_t4＝Ａ_tev＝１．５０[Ｔ]、Ａ_m＝０．９０[Ｔ]、Ｃ＝０．５０[Ｔ]の記録ストラテジを用いた（図４参照）。

ここで、記録ストラテジ（パルス系列）は、８つの信号の組み合わせによって、作成されている（図１０、図１１参照）。また記録パワーＰｗと消去パワーＰｅは４倍速と６倍速でそれぞれＰｗ／Ｐｅ＝１８．０／９．０ｍＷ、Ｐｗ／Ｐｅ＝２２．５／１０．５ｍＷを選択し、ボトムパワーはともに０．５ｍＷを使用し、それぞれ隣接トラックを含め１０回オーバーライトを行った。

次に再生信号のクロック・トゥー・データ・ジッタと信号強度（以下、変調度）を測定した。４倍速、６倍速のそれぞれのジッタは９．５％、１１．５％と、変調度はそれぞれ７２％、６７％と良好な特性が得られた（６倍速記録のアイパターンは図１２（ａ）参照）。ここで、変調度とは、（Ｉ１４）／（Ｉ１４Ｈ）×１００（図１３参照）で表される。
また、６倍速における１４Ｔのレーザ出射後のパルス波形を図１４（ａ）に示す。これより、パルスが完全に立ち下がり、矩形に近い形になっていることが分かる。

＜光記録媒体の第２実施例＞
記録条件の各パルスの幅は、４倍速での記録では、Ａ_t3＝０．９５[Ｔ]、Ａ_tod＝０．７５[Ｔ]を、６倍速での記録ではＡ_t3＝０．８０[Ｔ]、Ａ_tod＝０．９５[Ｔ]にした他は第１実施例と同様の記録ストラテジで記録を行った。

第１実施例と同様の測定をしたところ、４倍速、６倍速記録のいずれにおいても図９のとおり、４倍速、６倍速のそれぞれのジッタは８．３％、９．９％と、第１実施例以上の特性が得られた。

＜光記録媒体の第３実施例＞
６倍速記録において、３Ｔスペースの次の３Ｔ、４Ｔ、５Ｔ以上のマーク長トップパルスＡtのディレイ時間α3l（Ｔ）をそれぞれ、α₃₃＝α₃₄＝０．１、α₃₅＝０．２、４Ｔスペースの次の３Ｔ、４Ｔ、５Ｔ以上のマーク長トップパルスＡtのディレイ時間α4l（Ｔ）をそれぞれ、α₄₃＝α₄₄＝０．２、α₄₅＝０．３、５Ｔ以上スペースの次の３Ｔ、４Ｔ、５Ｔ以上のマーク長トップパルスＡtのディレイ時間α_5l（Ｔ）をそれぞれ、α₅₃＝α₅₄＝０．３、α₅₅＝０．４にした他は第２実施例と同様の記録ストラテジで記録を行った。

第２実施例と同様の測定をしたところ、６倍速記録において図９のとおり、ジッタは９．６％と、第２実施例以上の特性が得られた。

＜光記録媒体の第４実施例＞
記録層３として３元素単一合金ターゲットＩｎ−Ｓｂ−ＴｅとＳｂ単体ターゲットのコスパッタにより組成比：Ｉｎ₅Ｓｂ₇₄Ｔｅ₂₁の他は第１実施例と同様の光記録媒体を作製した。また線速度１４ｍ／ｓでの記録おいて、記録条件の各パルスの幅はＡ_t3＝１．１０[Ｔ]、Ａ_t4＝１．５０[Ｔ]、Ａ_tod＝１．００[Ｔ]、Ａ_tev＝１．５０[Ｔ]、Ａ_m＝１．００[Ｔ]、Ｃ＝０．３０[Ｔ]の記録ストラテジで４倍速記録を行った。第２実施例と同様に４倍速での測定をしたところ、図９のとおり第２実施例とほぼ同等の特性が得られた。

＜光記録媒体の第５実施例＞
記録層３として３元素単一合金ターゲットＩｎ−Ｓｂ−ＴｅとＳｂ単体ターゲットのコスパッタにより組成比：Ｉｎ₅Ｓｂ₇₉Ｔｅ₁₆の他は第１実施例と同様の光記録媒体を作製した。また線速度２１ｍ／ｓでの記録おいて、記録条件の各パルスの幅はＡ_t3＝０．８０[Ｔ]、Ａ_t4＝１．００[Ｔ]、Ａ_tod＝０．６５[Ｔ]、Ａ_tev＝１．００[Ｔ]、Ａ_m＝０．８０[Ｔ]、Ｃ＝１．５０[Ｔ]の記録ストラテジで６倍速記録を行った。第２実施例と同様に６倍速での測定をしたところ、図９のとおり第２実施例とほぼ同等の特性が得られた。

＜光記録媒体の第６実施例＞
記録層３としてＩｎ−Ｓｂ−Ｔｅの３元素単一合金ターゲットとＧｅターゲットのコスパッタにより（組成比：Ｉｎ₂Ｓｂ₈₀Ｔｅ₁₈）作成した他は第２実施例と同様の光記録媒体を作製した。第２実施例と同様の測定をしたところ、４倍速、６倍速記録のいずれにおいても図９のとおり第２実施例とほぼ同等の特性が得られた。

＜光記録媒体の第７実施例＞
記録層３としてＩｎ−Ｓｂ−Ｔｅの３元素単一合金ターゲットとＧｅターゲットのコスパッタにより（組成比：Ｇｅ₄Ｉｎ₅Ｓｂ₇₅Ｔｅ₁₆）作成した他は第２実施例と同様の光記録媒体を作製した。第２実施例と同様の測定をしたところ、４倍速、６倍速記録のいずれにおいても図９のとおり第２実施例とほぼ同等の特性が得られた。

＜光記録媒体の第８実施例＞
記録層３としてＧｅ−Ｉｎ−Ｓｂ−Ｔｅの４元素単一合金ターゲットとＡｇターゲットのコスパッタにより（組成比：Ｇｅ₁Ｉｎ₅Ｓｂ₇₆Ｔｅ₁₇Ａｇ₁）作成した他は第２実施例と同様の光記録媒体を作製した。第２実施例と同様の測定をしたところ、４倍速、６倍速記録のいずれにおいても図９のとおり第２実施例とほぼ同等の特性が得られた。

＜光記録媒体の第９実施例＞
記録層３としてＧｅ−Ｉｎ−Ｓｂ−Ｔｅの４元素単一合金ターゲットとＴｉターゲットのコスパッタにより（組成比：Ｇｅ₁Ｉｎ₅Ｓｂ₇₆Ｔｅ₁₇Ｔｉ₁）作成した他は第２実施例と同様の光記録媒体を作製した。第２実施例と同様の測定をしたところ、４倍速、６倍速記録のいずれにおいても図９のとおり第２実施例とほぼ同等の特性が得られた。

＜光記録媒体の第１０実施例＞
記録層３としてＧｅ−Ｉｎ−Ｓｂ−Ｔｅの４元素単一合金ターゲットとＳｉターゲットのコスパッタにより（組成比：Ｇｅ₁Ｉｎ₅Ｓｂ₇₆Ｔｅ₁₇Ｓｉ₁）作成した他は第２実施例と同様の光記録媒体を作製した。第２実施例と同様の測定をしたところ、４倍速、６倍速記録のいずれにおいても図９のとおり第２実施例とほぼ同等の特性が得られた。

＜光記録媒体の第１１実施例＞
記録層３としてＧｅ−Ｉｎ−Ｓｂ−Ｔｅの４元素単一合金ターゲットとＡｌターゲットのコスパッタにより（組成比：Ｇｅ₁Ｉｎ₅Ｓｂ₇₆Ｔｅ₁₇Ａｌ₁）作成した他は第２実施例と同様の光記録媒体を作製した。第２実施例と同様の測定をしたところ、４倍速、６倍速記録のいずれにおいても図９のとおり第２実施例とほぼ同等の特性が得られた。

＜光記録媒体の第１２実施例＞
記録層３としてＧｅ−Ｉｎ−Ｓｂ−Ｔｅの４元素単一合金ターゲットとＢｉターゲットのコスパッタにより（組成比：Ｇｅ₁Ｉｎ₅Ｓｂ₇₄Ｔｅ₁₆Ｂｉ₂）作成した他は第２実施例と同様の光記録媒体を作製した。第２実施例と同様の測定をしたところ、４倍速、６倍速記録のいずれにおいても図９のとおり第２実施例とほぼ同等の特性が得られた。

＜光記録媒体の第１３実施例＞
記録層３としてＧｅ−Ｉｎ−Ｓｂ−Ｔｅの４元素単一合金ターゲットとＧａターゲットのコスパッタにより（組成比：Ｇｅ₁Ｉｎ₅Ｓｂ₇₄Ｔｅ₁₆Ｇａ₂）作成した他は第２実施例と同様の光記録媒体を作製した。第２実施例と同様の測定をしたところ、４倍速、６倍速記録のいずれにおいても図９のとおり第２実施例とほぼ同等の特性が得られた。

＜比較例１＞
従来のマルチパルスストラテジ（図１）において、４倍速ではＴｔｏｐ＝０．３０[Ｔ]、Ｔｍｐ＝０．３０[Ｔ]、Ｔｃｌ＝１．５０[Ｔ]、Ｐｗ／Ｐｅ＝２０．０／９．０ｍＷを、６倍速ではＴｔｏｐ＝０．５[Ｔ]、Ｔｍｐ＝０．４０[Ｔ]、Ｔｃｌ＝０．８０[Ｔ]、Ｐｗ／Ｐｅ＝２２．５／８．５ｍＷを用い第２実施例と同様の光記録媒体で記録を行った。しかし、図９のとおり、４倍速、６倍速のそれぞれのジッタは９．９％、１６．２％、変調度はそれぞれ５０％、４１％と第１実施例〜第１３実施例比べて変調度が著しく劣っていた（６倍速記録のアイパターンは図１２（ｂ）参照）。

また、６倍速における１４Ｔのレーザ出射後のパルス波形を図１４（ｂ）に示す。これより、パルスの立ち上がり・下がりが不完全であり、ピークパワーＰｗやボトムパワーＰｂに達しない三角形波になっていることが分かる。

＜比較例２＞
ＯＤＳ'００のTechnical Digest ＰＤ１の、ｎ（マーク長）＝偶数の場合には記録パワーを印可するパルス数ＮをＮ＝ｎ／２、ｎ＝奇数の場合にはＮ＝（ｎ−１）／２にしていた記録ストラテジ（図２）において、４倍速、６倍速で最適パルス幅を用い第２実施例と同様の光記録媒体で記録を行った。しかし、図９のとおり、４倍速、６倍速のそれぞれのジッタは１０．４％、１５．２％、変調度はそれぞれ７０％、６６％と第１実施例〜第１３実施例と比べて６倍速のジッタが著しく劣っていた。

＜比較例３＞
Ｐｕｌｓｔｅｃ社製ＭＳＧ２Ｂ信号発生器に組み込まれている２Ｔ内で変調させるストラテジ（図３）を用い、４倍速、６倍速で最適パルス幅を用い第２実施例と同様の光記録媒体で記録を行った。しかし、図９のとおり、４倍速、６倍速のそれぞれのジッタは１２．７％、１６．２％、変調度はそれぞれ６９％、６４％と第１実施例〜第１３実施例と比べてジッタが著しく劣っていた。

＜比較例４＞
記録層３としてＩｎ−Ｓｂ−Ｔｅの３元素単一合金ターゲットとＳｂターゲットのコスパッタにより（組成比：Ｉｎ₅Ｓｂ₇₂Ｔｅ₂₃）作成した他は第２実施例と同様の光記録媒体を作製した。しかし、本発明の記録パルスストラテジが有効になる高線速の４倍速以上では、結晶化速度が足りなくスペース部にマークの一部が形成され、良好な記録が出来なかった。

＜比較例５＞
記録層３としてＩｎ−Ｓｂ−Ｔｅの３元素単一合金ターゲットとＳｂターゲットのコスパッタにより（組成比：Ｉｎ₅Ｓｂ₈₀Ｔｅ₁₅）作成した他は第２実施例と同様の光記録媒体を作製した。しかし、図９のとおり、ＤＶＤ規格の６０％である変調度が十分に得られず、良好な記録が出来なかった。

＜比較例６＞
記録層３としてＩｎ−Ｓｂ−Ｔｅの３元素単一合金ターゲットとＧｅターゲットのコスパッタにより（組成比：Ｇｅ₇Ｉｎ₅Ｓｂ₇₂Ｔｅ₁₆）作成した他は第２実施例と同様の光記録媒体を作製した。第２実施例と同様の測定をしたところ、４倍速、６倍速記録のいずれにおいても図９のとおり第２実施例とほぼ同等の特性が得られた。しかし、図９のとおり、４倍速、６倍速のそれぞれのジッタは１４．１％、１７．３％、変調度はそれぞれ７１％、６８％と第１実施例〜第１３実施例と比べてジッタが著しく劣っていた。

＜比較例７＞
記録層３としてＳｂ−Ｔｅの２元素単一合金ターゲットとＳｂターゲットのコスパッタにより（組成比：Ｓｂ₈₀Ｔｅ₂₀）作成した他は第２実施例と同様の光記録媒体を作製した。しかし、４倍速、６倍速記録ともに良好な記録特性は得られたが、保存特性（８０℃における加速試験）で結晶化（マーク消滅）し、著しく劣っていた。

＜比較例８＞
記録層３としてＩｎ−Ｓｂ−Ｔｅの３元素単一合金ターゲットとＣｏターゲットのコスパッタにより（組成比：Ｉｎ₅Ｓｂ₇₆Ｔｅ₁₇Ｃｏ₂）作成した他は第２実施例と同様の光記録媒体を作製した。第２実施例と同様の測定をしたところ、４倍速、６倍速記録のいずれにおいても図９のとおり、ジッタがそれぞれ１７．４％、２０．３％と第１実施例〜第１３実施例と比べてジッタが著しく劣っていた。

以上の結果を記録方法の点から整理すると、次のようになる。
比較例１においては従来のマルチパルスストラテジ（図１）を使用しているので、レーザーの立ち上がり及び立ち下がり特性（図１４（ｂ））の影響で、記録のために振幅が十分に得られず、これによって、記録すべきマークが完全にアモルファス化することかできないために、変調度が５０％、４１％と著しく劣った結果となったと考えることができる。
従って、この方法は、本実施例の記録速度の領域では不適である。

次に、比較例２においては、記録のクロックを１／２にした記録ストラテジ（図２）を用いたが、６倍速のジッタが著しく劣った結果となった。この理由は、ジッタを決定する大きな要因となる４Ｔの信号の記録パルスに２つの記録パルスが入っており、この後端のパルスがあることにより、４Ｔのマークの後端のエッジが長めになってしまうことにより、ジッタが悪くなっていることが分かった。また、この記録ストラテジでは、９Ｔの信号を生成するために、その他のマルチパルスのクロックのタイミングを変更する必要があり、回路的な規模が増加するという問題があった。

次に、比較例３における２Ｔ内で変調させるストラテジ（図３）では、比較例２に対して、４Ｔ他の信号の後端のパルス幅を短く変更することにより、ジッタの改善を行おうとしているが、高線速対応の媒体では、このように後端のパルスのみを２倍のクロックにした場合には、比較例１における従来のマルチパルスストラテジと同様に、マークを十分に形成することができないために、ジッタの改善は見られなかった。

特に、相変化型媒体においては、記録の立ち上がりのマークの形成についてはレーザーの立ち上がり特性によって、ジッタ性能に影響を及ぼすマーク形状はほぼ一義的に決定されるが、記録マークの後端の形状については、媒体の材料や線速度に対応する結晶化速度等により形状が影響をうけ、形状をシャープに形成することによりジッタを改善することは難しかった。

つまり、記録のストラテジ波形も後端のエッジのジッタを安定化させることが可能な方法が望まれていた。特に、本検討のように記録データのクロックＴに対して、ストラテジーの周期を２Ｔとして、２周期分とすることに起因して、偶数Ｔと奇数Ｔの記録データによって後端の記録ストラテジの形状を変更することは、ジッタの悪化を招くものとなり、改善を必要としていた。

そこで、本発明は、上記の課題を以下のように合理的に解決するものである。
（１）記録信号３Ｔ（長さ３Ｔの矩形パルス）は、ピークパワーＰｗであるトップパルスＡ_t3として、バイアスパワーＰｂであるＢt3＋クーリング区間であるＣとして記録する（図４参照）。

（２）記録信号４Ｔは、ピークパワーＰｗであるトップパルスＡt4として、バイアスパワーＰｂであるＢ_t4＋クーリング区間であるＣとして、記録信号３Ｔと同様に１つの記録パルスにて記録する（図４参照）。この方法により、記録信号４Ｔの媒体上の記録マークの形状はトラック方向に多少広がるものの記録信号４Ｔにおけるジッタが大幅に改善された。

（３）ここで、クーリング区間Ｃを一定とすると、記録信号３ＴのトップパルスＡ_t3とＢt3の和はほぼ２Ｔになり、記録信号４ＴのトップパルスＡ_t4とＢ_t4の和はほぼ３Ｔになることが分かった。
尚ここにおけるクーリング区間Ｃは後端のマークのエッジを形成するために必要なクーリングパルス区間の一部の区間であり、媒体の物理特性や記録の線速度等によって決定される要素時間区間である。

（４）そうすると、記録信号５Ｔ以上の記録信号の記録パルスについて、奇数Ｔ（長さＴの奇数倍の長さ）の記録信号においては考え方として記録信号３ＴのトップパルスＡ_t3とＢ_t3の和に、長さ１ＴのピークパワーＰｗのレベルのパルスと長さ１ＴのバイアスパワーＰｂのレベルのパルスを加えた２Ｔマルチパルスを順次追加し、偶数Ｔの記録信号においては考え方として記録信号４ＴのトップパルスＡt4とＢt4の和に、長さ１ＴのピークパワーＰｗのレベルのパルスと長さ１ＴのバイアスパワーＰｂのレベルのパルスを加えた２Ｔマルチパルスを順次追加することにより実現することが可能である。

（５）これを一般的にまとめたのが図４である。
つまり、５Ｔ以上の記録信号においては、奇数Ｔの記録信号においては記録信号３Ｔの場合に準じたトップパルスＡ_todとＢ_todに続いて、２Ｔに対応するマルチパルスＡｍを追加する。そして、このマルチパルス（中間パルス）Ａｍの数は、Ａｍ＝（ｎ−３）／２とする。

より一般的には、
Ａｍ＝（ｎ−ｋ）／２ （１式）
ｋ＝３（ｋは記録特性によって決定される係数）（ｎ：記録信号Ｔ間隔であり、その数値が奇数の場合）となる。
偶数Ｔの記録信号においては記録信号４Ｔの場合に準じたトップパルスＡ_tevとＢ_tevに続いて、２Ｔに対応するマルチパルスＡｍを追加する。そして、このマルチパルスＡｍの数は、Ａｍ＝（ｎ−４）／２とする。

より一般的には、
Ａｍ＝（ｎ−ｋ）／２ （２式）
ｋ＝４（ｋは記録特性によって決定される係数）（ｎ：記録信号Ｔ間隔であり、その数値が偶数の場合）となる。
この数式を奇数偶数で共通なものとすると、
Ａｍ＝ＩＮＴ（（ｎ−ｋ）／２） （３式）
ｋ＝３（ｋは記録特性によって決定される係数）（ｎ：記録信号Ｔ間隔）（Ａｍ：０を含む正の整数）となる。

ここでＩＮＴは整数化の意味であり、除算した結果の小数点以下の数値を切り捨てることにより、上記の奇数偶数の２つの数式を共通とすることができる。また、ｎ＝２の場合には、Ａｍの値がマイナスになるが、同様に結果の小数点以下の数値を切り捨てることにより目標の数値を得ることができる。

（６）図４、図１５にこの考え方に基づいた各記録信号Ｔ（各長さｎＴの矩形パルス）に対応した記録パルスの波形を示す。
この図から分かるように、記録のためのトップパルスを奇数Ｔ（長さＴの奇数倍の長さ）の記録信号と、偶数Ｔ（長さＴの偶数倍の長さ）の記録信号とで交互に切り替えることと、隣同士の記録信号Ｔによってマルチパルス（中間パルス）の位相を反転する、又は、１Ｔ分位相をシフトすることと、記録信号が２Ｔ増加する度に、２Ｔ周期の１つのマルチパルス（中間パルス）を追加することにより、各記録信号Ｔの後端を形成する記録パルスの波形を同一にすることができ、ジッタの改善を行うことができた。

また、本発明では、長さｎＴ（ｎ≧５）の記録信号（データ）に対応した記録パルスが先頭パルス中間パルス、後端パルスの順に形成されており、ｎが５以上の奇数である記録マークに対応した記録パルスにおける中間パルスの位相と、ｎが６以上の偶数である記録マークに対応した記録パルスにおける中間パルスの位相とを略反転状態としている。すなわち、例えば、図５は、長さ５Ｔの記録信号の先端から３Ｔ目に対応した位置の記録パルスには中間パルスＡｍが存在するが、長さ６Ｔの記録信号の先端から３Ｔ目に対応した位置の記録パルスには中間パルスは存在していない位相関係の状態を示している。また図６は、長さ７Ｔの記録信号の先端から３、５Ｔ目に対応した位置の記録パルスには２つの中間パルスＡｍが存在するが、長さ８Ｔの記録信号の先端から３、５Ｔ目に対応した位置の記録パルスには中間パルスは存在していない位相関係の状態、さらに長さ９Ｔの記録信号の先端から３、５、７Ｔ目に対応した位置の記録パルスには３つの中間パルスＡｍが存在するが、長さ１０Ｔの記録信号の先端から３、５、７Ｔ目に対応した位置の記録パルスには中間パルスは存在していない位相関係の状態を示している。

また、この記録パルス波形を形成するために、回路構成は上記の組み合わせによって実現できるので、単純な回路構成にて実現可能である。
ＤＶＤ等に用いられている８−１６変調においては、３Ｔから１１Ｔ及び１４Ｔを有しいているが、図１５においては、記録信号は３Ｔから１０Ｔまでを記載している。これは、本説明から分かるように、同じ考え方で記録パルスを生成することができるからである。

なお、図４と図１５において記録信号と、記録パルスのタイミング関係が異なり、図１５の方が１Ｔ分遅れているように記載されているが、この位相関係の差は単なる設計事項であり、仮に図１５の方が２Ｔ分遅れていても作用効果は同一である。
また、本実施例においては、記録ストラテジの基本的な構成を示したが、次のような改良もある。

図４において、
ａ） 記録信号ｎＴのトップパルスの時間Ａtnをｎ＝３、ｎ＝４、ｎ＝５、ｎ≧６（ｎ：正数）の場合のようにＴのパラーメータをｎによって増やす（Ａ_t3＜Ａ_t5＜Ａ_todまた、Ａ_t4＜Ａ_tev）。
ｂ） Ａ_t3Ｔ、Ａ_t4Ｔ、Ａ_t5Ｔ、Ａ_todＴ、Ａ_tevＴマークのトップパルスの先端のタイミングのディレイ時間αを、それぞれの長さｎＴのマークにおいて、α＝３、α＝４、α＝５、α≧６のように変更しても良い。
ｃ） Ａ_t3Ｔ、Ａ_t4Ｔ、Ａ_t5Ｔ、Ａ_todＴ、Ａ_tevＴマークのトップパルスの先端のタイミングのディレイ時間を、長さｎＴのマークの前にあるスペース長αＴにおいて、α＝３、α＝４、α＝５、α≧６のようにαのパラーメータを増やしても良い。

ｄ） 図４に詳細は図示しないが、記録信号ｎＴによって、トップパルスの後端のタイミングを変更する。
ｅ） 記録信号ｎＴによって、複数あるマルチパルス（中間パルス）Ａｍのうちの最初のマルチパルスＡｍの先端のタイミングを変更する。
ｆ） 記録信号ｎＴによって、複数あるマルチパルス（中間パルス）Ａｍのうちの最後のマルチパルスＡｍの後端のタイミングを変更する。
ｇ） 記録信号ｎＴによって、複数あるマルチパルス（中間パルス）Ａｍのうちの最後のマルチパルスＡｍの後端のバイアス区間Ｃを変更する。
ｈ） 媒体の種類等によって、マルチパルス（中間パルス）Ａｍとバイアス区間Ｂｍの２Ｔの間におけるデューティを変更する。
ｉ） ａ−ｈのいずれか１つ又はこれら複数の組み合わせにより、特性を改善することができる。

＜＜光記録方法の第２実施例＞＞
次に本発明の光記録方法の第２実施例について説明する。
本発明においては、記録クロックの高速化に伴い、クロックの２周期分である２Ｔをマルチパルスの周期とする説明を行ったが、より、高速な記録を行う場合、例えばＤＶＤ−ＲＷの１６倍速等の場合には、更に、マルチパルスの周期を生成するためにクロック周期を長くした記録が必要になってくる。つまり、３Ｔや４Ｔ・・・ｐＴ（ｐ：２以上の整数）をマルチパルスの周期とすることが必要になる。これに従って、上記の考え方をより一般化する。

図１５は本発明の光記録方法の第２実施例に係る分割パルス系列を説明するための図である。
図４と図１５において、マルチパルスは記録クロックの２分周（ｐ＝２）を用いており、最小の周期の記録データ３Ｔと４Ｔの加熱パルスは、５Ｔ以上のデータのストラテジを形成するに当たって、奇数と偶数のデータの関係として、奇数データについては奇数である３Ｔの加熱パルスを、偶数データについては偶数である４Ｔの加熱パルスをストラテジーの先頭の加熱パルスとしている。

また、先頭の加熱パルスに続くマルチパルスについては、記録クロックを２分周（ｐ＝２）したパルスとして、それぞれの先頭パルスに引き続いて、偶数と奇数のデータの長さに応じて、データの後端の位置に相当するパルスの位相関係が同じになるように、２クロック周期に対して１／２の位相に相当する１クロック分シフトさせることにより、位相関係が調整されている。この方法によってマークの後端の形成を各Ｔで同様にでき、結果的にデータのジッタが最良になるように記録することができる。

このことは、より高速に記録をする場合に、例えばマルチパルスとして記録クロックの３分周（ｐ＝３）を用いた時も同様に考えることができ、３クロック分に相当する、最小の周期の記録データ３Ｔと４Ｔと５Ｔの加熱パルスは、６Ｔ以上のデータのストラテジを形成するに当たって、この３つのＴのデータの関係として、３Ｔに３クロック分を付加した６Ｔの加熱パルスについては３Ｔの加熱パルスを、４Ｔに３クロック分を付加した７Ｔについては４Ｔの加熱パルスを、５Ｔに３クロック分を付加した８Ｔについては５Ｔの加熱パルスを、ストラテジの先頭の加熱パルスとし、順次３クロックずつ繰り返すことにより全ての記録データｎＴのストラテジの先頭の加熱パルスを生成することができる。

また、前記した先頭の加熱パルスに続くマルチパルスについては、記録クロックを３分周（ｐ＝３）したパルスとして、３クロック分の周期のそれぞれの先頭パルスに引き続いて、それぞれのデータの長さに応じて、データの後端の位置に相当するパルスの位相関係が同じになるように、３クロック周期に対して１／３の位相に相当する１クロック分シフトさせた３クロック分の周期のマルチパルスを追加することにより、位相関係が調整されている。この方法によってマークの後端の形成を各Ｔで同様にでき、結果的にデータのジッタが最良になるように記録することができる。

このことをより一般的にすると、マルチパルスとして記録クロックのｐ分周（ｐ：２以上の整数）を用いた時に、ｐクロック分に相当する、最小の周期の記録データ３Ｔから（３＋ｐ−１＝２＋ｐ）Ｔまで（ｐ個のデータ）の加熱パルスは、（３＋ｐ）Ｔ以上のデータのストラテジを形成するに当たって、このｐ個のＴのデータの関係として、３Ｔにｐクロック分を付加した（３＋ｐ）Ｔの加熱パルスについては３Ｔの加熱パルスを、４Ｔにｐクロック分を付加した（４＋ｐ）Ｔについては４Ｔの加熱パルスを、・・・（３＋ｐ−１＝２＋ｐ）Ｔにｐクロック分を付加した（３＋２＊ｐ−１＝２＋２＊ｐ）Ｔについては（３＋ｐ−１＝２＋ｐ）Ｔの加熱パルスを、ストラテジの先頭の加熱パルスとし、順次ｐクロックずつ繰り返すことにより全ての記録データｎＴのストラテジの先頭の加熱パルスを生成することができる。

また、前記した先頭の加熱パルスに続くマルチパルスについては、記録クロックをｐ分周したパルスとして、ｐクロック分の周期のそれぞれの先頭パルスに引き続いて、それぞれのデータの長さに応じて、データの後端の位置に相当するパルスの位相関係が同じになるように、ｐクロック周期に対して１／ｐの位相に相当する１クロック分シフトさせたｐクロック分の周期のマルチパルスを追加することにより、位相関係が調整されている。この方法によってマークの後端の形成を各Ｔで同様にでき、結果的にデータのジッタが最良になるように記録することができる。

尚、ここで述べている考え方は基本的な考え方であり、前述しているように３Ｔ、４Ｔ、５Ｔ等の短いデータについては、媒体の記録溝や記録膜の特性やレーザーのオーバーシュート等の駆動波形によって、微妙に変更することにより改善されることが分かっている。従って、短いデータの先頭の加熱パルスをそのまま、長いデータに用いず、それぞれのＴによって先頭の加熱パルスを微調整しても本発明の範囲であることは言うまでもない。

また、本説明では、８−１６変調方式に基づいて、最短データとして３Ｔを基準に述べてきたが、１−７変調等の最短データとして２Ｔを基準にした変調方式においては、上記の内容の３Ｔの部分を、２Ｔを最短データに変更することに同様に実現することができる。

上述したように、マルチパルスの周期を記録クロックの３クロック分として分周した場合の先頭の加熱パルスに続くマルチパルスの数ｍ（ｍ：０を含む正の整数）は、ｍを、小数点以下を切り捨てた整数とすれば、ｍ＝（ｎ−３）／３となる。
正確には、記録データｎＴが３の倍数の場合はｍ＝（ｎ−３）／３となり、記録データｎＴが３の倍数＋１の場合はｍ＝（ｎ−４）／３となり、記録データｎＴが３の倍数＋２の場合はｍ＝（ｎ−５）／３となる。
従って、一般的には、ｍ＝（ｎ−ｋ）／３（ｋ＝３，４又は５）となる。

そして、マルチパルスの周期を記録クロックのｐクロック分として分周した場合の先頭の加熱パルスに続くマルチパルスの数ｍは、ｍを、小数点以下を切り捨てた整数とすれば、一般的には、ｍ＝（ｎ−ｋ）／ｐ（ｋ：３以上の整数、ｐ：２以上の整数）となる。

つまり、マルチパルスの数は、その記録データから記録特性によって決定される係数ｋを減算して記録クロックの分周比ｐで除算した値として与えられる。
ここで、８−１６変調においては、前記したとおり記録再生特性の実験結果からｋが３以上の場合に良好な特性が得られることが分かった。

＜＜光記録媒体記録装置の一実施例＞＞
次に、本発明の光記録方法の第１，２実施例を用いて光記録媒体（光記録媒体ＡＡ）に記録するための光記録媒体記録装置の一実施例である情報記録再生装置について、図１６を用いて説明する。

まず、相変化型光ディスクＡＡに対して、この相変化型光ディスクＡＡを回転駆動させるスピンドルモータ２９を含む回転制御機構９が設けられているとともに、相変化型の光ディスクＡＡに対してレーザ光を集光照射させる対物レンズや半導体レーザＬＤ２８等の光源を備えた光ヘッド２７がディスク半径方向にシーク移動自在に設けられている。光ヘッド２７の対物レンズ駆動装置や出力系に対してはアクチュエータ制御機構１０が接続されている。

このアクチュエータ制御機構１０にはプログラマブルＢＰＦ１１を含むウォブル検出部１２が接続されている。ウォブル検出部１２には検出されたウォブル信号からアドレスを復調するアドレス復調回路１３が接続されている。このアドレス復調回路１３にはＰＬＬシンセサイザ回路１４を含む記録クロック生成部１５が接続されている。ＰＬＬシンセサイザ回路１４にはドライブコントローラ１６が接続されている。

システムコントローラ１７に接続されたこのドライブコントローラ１６には、回転制御機構９、アクチュエータ制御機構１０、ウォブル検出部１２及びアドレス復調回路１３も接続されている。

また、システムコントローラ１７には、ＥＦＭエンコーダ１８、マーク長カウンタ１９、パルス数制御部２０が接続されている。これらのＥＦＭエンコーダ１８、マーク長カウンタ１９（奇数偶数の判別も含む）、パルス数制御部２０（奇数偶数のマルチパルスＡｍの制御を含む）には、記録パルス列制御部８が接続されている。この記録パルス列制御部８は、先頭加熱部と後続加熱部とを含む加熱パルス制御信号（従って、冷却パルス部分も含まれる）を生成する加熱パルス生成部（記録パルス生成部、先頭パルス生成部）２１と、消去パルス制御信号を生成する消去パルス生成部２２と、マルチパルスＡｍの制御信号を生成するマルチパルス生成部２３と、セレクタであるエッジセレクタ２４と、パルスエッジ生成部２５とが含まれている。

この記録パルス列制御部８の出力側には、加熱パワー（記録パワー）Ｐｗ、冷却パワー（バイアスパワー）Ｐｂ、消去パワーＰｅの各々の駆動電流源３０をスイッチングすることで光ヘッド２７中の半導体レーザＬＤ２８を駆動させるＬＤドライブ部２６が接続されている。
即ち、駆動電流源３０中のＰｗ、Ｐｂが加熱パワー駆動部及び冷却パワー駆動部、Ｐｅが消去パワー駆動部として機能する。

このような構成において、相変化型光ディスクＡＡに記録するためには、目的の記録速度に対応する記録線速度となるようにスピンドルモータ２９の回転数を回転制御機構９により制御した後に、光ヘッド２７から得られるプッシュプル信号からプログラマブルＢＰＦ１１によって分離検出されたウォブル信号からアドレス復調するとともに、ＰＬＬシンセサイザ回路１４によって記録チャネルクロックを生成する。

次に、半導体レーザＬＤ２８による記録パルス列を発生させるため、記録パルス列制御部８には記録チャンネルクロックと記録情報であるＥＦＭデータが入力され、記録パルス列制御部８中の加熱パルス生成部２１により先頭加熱パルス制御信号を生成する。

次に、記録パルス列制御部８中のマルチパルス生成部２３により後続する加熱マルチパルス制御信号を生成する。
そして、消去部分である消去パルス制御信号も消去パルス生成部２２により生成し、ＬＤドライブ部２６で前述のＰｗ、Ｐｂ、Ｐｅなる各々の発光パワーとなるように設定された駆動電流源３０をスイッチングすることで、記録パルス列のＬＤ発光波形を得ることができる。

本実施の形態では、加熱パルス生成部２１に、記録チャネルクロック周期Ｔの１／４０の分解能を有する多段のパルスエッジ生成部２５を配置しており、エッジセレクタ（マルチプレクサ）２４に入力された後、システムコントローラ１７によって選択されたエッジパルスによって先頭加熱パルス制御信号及び加熱マルチパルス制御信号を生成することにより適応的な調整を行っている。パルスエッジ生成部２５用の多段遅延回路は、高分解能のゲート遅延素子やリングオシレータとＰＬＬ回路によって構成することができる。

このように生成された加熱パルスによって記録チャネルクロックに同期したマルチパルス列が生成され、同時に、冷却パルスのパルス幅も加熱マルチパルス幅のデューティによって決定される。

同様に、最後尾の冷却パルスも加熱パルス生成部２１中に個別に配置された最後尾の冷却パルス生成部若しくは冷却パルス生成部の多段遅延回路で生成されるエッジパルスがエッジセレクタ２４に入力され、システムコントローラ１７によって選択されたエッジパルスによって最後尾の冷却パルスの後エッジが決定される。

また、消去パルス生成部２２においても、別の多段遅延回路で生成され加熱パルスのタイミング応じて、パルス幅を微少に変更できるようになっている。
これらのパルス群によって全体の記録マルチパルス列が構成される。

ここに、本実施の形態のような構成の記録パルス列制御部８では、ＥＦＭエンコーダ１８から得られるＥＦＭ信号のマーク長を記録クロック（周期Ｔ）（記録チャネルクロックとも言う）に対して計数するためのマーク長カウンタ１９が配置されており、ＥＦＭ信号のマーク長が偶数であるか奇数であるかを判断し、奇数である場合には、前記の２Ｔ系の先頭加熱パルスを生成し、偶数である場合には、前記の３Ｔ系の先頭加熱パルスを生成し、次に、前記の（１式）、（２式）、又は（３式）に基づいて、そのマークカウント値が２Ｔ増加する毎に１組の加熱マルチパルスとマルチパルスに付随した冷却マルチパルスとが生成されるようにパルス数制御部２０を介してマルチパルスを生成するようにしている。

この時、マルチパルスの発生タイミングは、奇数である場合には、前記の２Ｔ系の先頭加熱パルスに続いて発生するように生成し、偶数である場合には、前記の３Ｔ系の先頭加熱パルスに続いて、奇数の場合のマルチパルスと比較すると、１Ｔ分遅れて発生するように生成する。

この動作は、先頭加熱パルスの後エッジをエッジセレクタ２４で選択した後、次の記録チャネルクロック周期から生成されるエッジパルスで後続のマルチパルスの前エッジを選択し、その次の記録チャネルクロック周期から生成されるパルスエッジでそのマルチパルスの後エッジを選択することで可能となる。

別のマルチパルス生成部の構成としては、記録チャネルクロックを２分周した記録分周クロックを生成し、またこの記録分周クロックに対して位相が１８０度異なる反転した反転記録分周クロックを生成し、これを多段遅延回路を用いてエッジパルスを生成し、エッジセレクタで前後のエッジを選択することで前記の関係式に基づいて記録チャネツクロックが２Ｔ増加する毎に１組の加熱マルチパルス及び冷却マルチパルスを生成し、ＥＦＭ信号のマーク長が偶数であるか奇数であるかを判断し、奇数である場合は記録分周クロックを用いるのに対して、偶数の場合には反転記録分周クロックを用いることにより、偶数奇数によって１Ｔ分の位相差を生成することもできる。この構成の場合、マルチパルス生成部の実質的な動作周波数は１／２となり、さらに高速記録動作が可能となる。

従来の一般的なＣＤ−ＲＷやＤＶＤ−ＲＷのような相変化型光ディスク１は、所定の記録速度に対して、マークデータ長が１Ｔ増加する度に、加熱パルスと冷却パルスとの増加数を１組ずつ増加させるようにパルスを生成する記録パルス列制御部を有する。その所定の記録速度範囲の中で選択された記録速度に応じて、先頭加熱パルス幅Ａtopや後続する加熱マルチパルス幅Ａmや最後尾の冷却パルスのパルス幅Ｂt及び、各々の発光パワーを最適値に設定するようにしている。

これに対して、本実施の形態では、さらに所定の記録速度範囲を超える高速な記録速度を選択した場合に、前記した（１式）、（２式）又は（３式）の基づいて、マークデータ長が２Ｔ増加する度に、加熱パルスと冷却パルスとの増加数を１組ずつ増加させるようにパルスを生成する記録パルス列制御部８を切換えることで、広範囲な記録速度に対応した情報記録再生装置を得ることが可能となる。例えば、２倍速から４倍速程度の記録速度に対応したＤＶＤ−ＲＷメディアを、４倍速から８倍速程度の高速記録することができるようになる。また、高速記録における本実施の形態の記録方法に適合したＤＶＤ−ＲＷメディアにチューニングすることで、さらに良好な記録を実現することも可能である。

また、一般的な情報記録再生装置は光源に半導体レーザＬＤ４Ａを用いており、安価な駆動回路では前述したように発光波形の立上り／立下り時間は約２nsec程度を得るのが限界である。特に、記録材料として前記する材料が用いられる相変化型メディアの場合は、十分な加熱時間と冷却時間として各々の発光パワーの制定時間も約２nsec以上は確保する必要がある。よって、記録チャネルクロック周波数は１００MHz程度が限界となり、ＤＶＤ−ＲＷでは４倍速程度（２６．１６MHｚ×４）である。しかしながら、本実施の形態の情報記録再生装置では、実質的な発光波形の周波数を１／２に低下できるようになり、ＤＶＤ−ＲＷでは４倍速以上８倍速程度まで、光源駆動部としてのＬＤドライブ部２６を高速化することなく安価な構成で高速記録を実現することが可能となる。

なお、先頭加熱パルス幅や最後尾の冷却パルスのパルス幅などの設定値は代表的な値を示しており、実際には記録材料やメディア相構成などによって最適化された値を適応すればよい。また、記録変調方式の違いや記録密度とメディア上のレーザ光による光スポットの径に応じて記録波形の累積長と形成マークの長さが異なるため、例示したマーク長と記録波形の対応は前後にずれてもよい。
また、これらの実施の形態では、記録マークデータを生成する記録変調方式がＥＦＭ系の場合への適用例として説明したが、１−７変調方式等にも適用可能である。

＜＜光記録方法の第３実施例＞＞
次に本発明の光記録方法の第３実施例について説明する。

ここで繰り返すまでもないが、本発明の課題は、記録速度の高速化において、従来の２Ｔ系ストラテジを用いた場合に発生する次の問題である。即ち、
１） 従来のマルチパルスストラテジの記録パルス系列（図３）に示すように、記録信号の２Ｔ目に記録パルスの先端を合わせる方法では、この記録パルスの最後端を記録信号の後端に合せるタイミングの調整で（１／２Ｔ）が必要となる結果、回路規模が大きくなる。

２） 従来のマルチパルスストラテジの記録パルス系列（図２）に示すように、記録パルスの先端、後端の特性を揃えようとすると、前記１）と同様にこの記録パルスの最後端を記録信号の後端に合せるタイミングの調整で（１／２Ｔ）が必要となる結果、回路規模が大きくなる

そこで、本発明は、後述するマルチパルスの３Ｔの周期分の記録クロックの位相をｎ＝３ｌ、ｎ＝３ｌ＋１、ｎ＝３ｌ＋２（ｎ：正の整数）で１２０度ずつ回転させることを提案するものである。又は、３Ｔの周期分の記録クロックの１クロック分を記録信号の偶数奇数で相違させることを提案するものである。

さらに、マルチパルスの数を、整数としてＩＮＴ（（ｎ−３）／３）とし、先頭の記録パルスの加熱と冷却の和が、基本的には記録信号のｎ＝３ｌ、ｎ＝３ｌ＋１、ｎ＝３ｌ＋２で２Ｔ、３Ｔ、４Ｔの間隔にする（但し、媒体や記録線速度により多少変更し、媒体や記録密度によっては前後の信号の関係によって可変（適応）制御を行う）ものである。

この本発明の構成によって、記録信号のストラテジを形成する記録クロックは３Ｔを用いて、先端及び／又は後端の微少タイミングの調整を行うことにより達成できるので回路規模小でかつジッタ良となる効果を奏することができる。
図１７は本発明の光記録方法の第３実施例に係る分割パルス系列を説明するための図である。

ある線速度で採用されるクロック周期をＴとするときに、長さｎＴのマークを記録するにおいて、マルチパルスの数ｍをｍ＝ＩＮＴ（（ｎ−３）／３）、ＩＮＴは０に近い整数）なる規則に従ってパルス分割しており、照射光のレーザパワーを記録パワーＰｗ、消去パワーＰｅ、バイアスパワーＰｂ（ただしＰｗ＞Ｐｅ＞Ｐｂ）の３値で変調させ、記録パワーＰｗの一定強度時間（Ａ_t）をＡ_tＴ、Ａ₁Ｔ、・・・、Ａ_mＴとし、且つバイアスパワーＰｂの一定強度時間（Ｂ_t）をＢ_tＴ、Ｂ_1fＴ、Ｂ_1eＴ、・・・、Ｂ_mfＴ、Ｂ_meＴ、ＣＴ（Ｃ＝−１〜３）として、レーザの印加をＡ_tＴ、Ｂ_tＴ、Ｂ_1fＴ、Ａ₁Ｔ、Ｂ_1eＴ、・・・、Ｂ_mfＴ、Ａ_mＴ、Ｂ_meＴ、ＣＴの順にレーザ変調の印加を行う（ここで、ｎ＝３、４、５、ｎ≧６（ｎ＝３ｌ）、ｎ≧７（ｎ＝３ｌ＋１）、ｎ≧８（ｎ＝３ｌ＋２）の場合の前記一定強度時間Ａ_tをＡ_t3、Ａ_t4、Ａ_t5、Ａ_t0、Ａ_t1、Ａ_t2とし、またｎ＝３、４、５、ｎ≧６（ｎ＝３ｌ）、ｎ≧７（ｎ＝３ｌ＋１）、ｎ≧８（ｎ＝３ｌ＋２）の場合の前記一定強度時間Ｂ_tをＢ_t3、Ｂ_t4、Ｂ_t5、Ｂ_t0、Ｂ_t1、Ｂ_t2としたとき、Ａ_t3＋Ｂ_t3＝Ａ_t0＋Ｂ_t0＝２Ｔ、Ａ_t4＋Ｂ_t4＝Ａ_t1＋Ｂ_t1＝Ｂ_mf＋Ａ_m＋Ｂ_me＝３Ｔ、Ａ_t5＋Ｂ_t5＝Ａ_t2＋Ｂ_t2＝４Ｔ）。

これにより、高結晶化速度を有する記録媒体においても、十分な急冷熱履歴を与えることができ、それにより再結晶化を抑制し、マーク太さやマーク長を設定値どおりに変化させることが出きるので、その結果、十分な信号振幅を得ることが出きる。また信号特性を上げるために、長さｎＴのマークの前にあるスペース長αＴにおいて、α＝３、α＝４、α＝５、α≧６によって前記載のＡ_t3、Ａ_t4、Ａ_t5、Ａ_t0、Ａ_t1、Ａ_t2のディレイ時間σをそれぞれ変化させることにより、より正確なマークを形成させることができる。

また、ｎＴマークの形成にＡ_tＴ、Ｂ_tＴ、Ｂ_1fＴ、Ａ₁Ｔ、Ｂ_1eＴ、・・・、Ｂ_mfＴ、Ａ_mＴ、Ｂ_meＴ、ＣＴの順にレーザ変調を行うが、ｎによってＣの長さを変えることも好ましい。

また、この実施例においては、長さｎＴ（ｎ≧６）のデータに対応し、かつ先頭パルス、中間パルス、後端パルスの順に形成されている記録パルスは、ｎ＝３ｌ、ｎ＝３ｌ＋１、ｎ＝３ｌ＋２（ｌ：自然数）での中間パルスの位相を１２０度ずつ進めるか又は遅らせている。例えば、図１８に示すように、長さ６Ｔの記録信号の先端から３〜５Ｔ目に対応した位置の記録パルスには４Ｔ目に対応した位置にのみ中間パルスＡｍが存在しておる（３Ｔ期間に１つの中間パルスＡｍ）。また図１９に示すように、長さ７Ｔの記録信号の先端から４〜６Ｔ目に対応した位置の記録パルスには５Ｔ目に対応した位置にのみ中間パルスＡｍが存在し、さらに長さ８Ｔの記録信号の先端から５〜７Ｔ目に対応した位置の記録パルスには６Ｔ目に対応した位置にのみ中間パルスＡｍが存在し、さらに長さ９Ｔの記録信号の先端から３〜５Ｔ目に対応した位置の記録パルスには４Ｔ目に対応した位置に１つの中間パルスＡｍが存在すると共に、その先端から６〜８Ｔ目に対応した位置の記録パルスには７Ｔ目に対応した位置に１つの中間パルスＡｍが存在し、さらに長さ１０Ｔの記録信号の先端から４〜６Ｔ目に対応した位置の記録パルスには５Ｔ目に対応した位置に１つの中間パルスＡｍが存在すると共に、その先端から７〜９Ｔ目に対応した位置の記録パルスには８Ｔ目に対応した位置に１つの中間パルスＡｍが存在している。また、図２０に示すように、長さ１１Ｔの記録信号の先端から５〜７Ｔ目に対応した位置の記録パルスには６Ｔ目に対応した位置に１つの中間パルスＡｍが存在すると共に、その先端から８〜１０Ｔ目に対応した位置の記録パルスには９Ｔ目に対応した位置に１つの中間パルスＡｍが存在し、そして長さ１４Ｔの記録信号の先端から５〜７Ｔ目に対応した位置の記録パルスには６Ｔ目に対応した位置に１つの中間パルスＡｍが存在すると共に、その先端から８〜１０Ｔ目、１１〜１３Ｔ目にそれぞれ対応した位置の記録パルスには９、１２Ｔ目にそれぞれ対応した位置に１つの中間パルスＡｍがそれぞれ存在している。

また、記録信号の変調方式は、１−７変調、８−１６（ＥＦＭ）変調、ＥＦＭ＋変調などが上げられる。本発明に使用する光記録媒体は、前述した図８に示す光記録媒体ＡＡと同一であるので、その説明を省略する。

さて、以下に本発明の光記録媒体の＜第２１実施例＞〜＜第３２実施例＞及び＜比較例２１＞〜＜比較例２８＞につき、図２１を参照して説明する。ここでは光記録媒体ＡＡの一例として相変化型光ディスクを例にして述べる。なお、この＜比較例２１＞〜＜比較例２８＞については、前述の図９に示した＜比較例１＞〜＜比較例８＞と同一であるので、その説明は省略する。また、測定条件などは図９に示したデータを測定したときと同一であるので、これについても説明を省略する。

＜光記録媒体の第２１実施例＞
本発明におけるパルス系列を用い、記録条件の各パルスの幅を、線速度１４ｍ／ｓ（以下、４倍速）での記録では、Ａ_t3＝ Ａ_t0＝０．８５[Ｔ]、Ａ_t4＝Ａ_t1＝１．１０[Ｔ]、Ａ_t5＝Ａ_t2＝１．３０[Ｔ]、Ａ_m＝０．９５[Ｔ]、Ｃ＝１．００[Ｔ]を用い、２１ｍ／ｓ（以下、６倍速）での記録ではＡ_t3＝Ａ_t0＝０．９０[Ｔ]、Ａ_t4＝Ａ_t1＝１．５０[Ｔ]、Ａ_t5＝Ａ_t2＝１．８０[Ｔ]、Ａ_m＝０．９０[Ｔ]、Ｃ＝０．５０[Ｔ]の記録ストラテジを用いた（図１７参照）。また記録パワーＰｗと消去パワーＰｅは４倍速と６倍速でそれぞれＰｗ／Ｐｅ＝１８．０／９．０ｍＷ、Ｐｗ／Ｐｅ＝２２．５／１０．５ｍＷを選択し、ボトムパワーはともに０．５ｍＷを使用し、それぞれ隣接トラックを含め１０回オーバーライトを行った。

次に再生信号のクロック・トゥー・データ・ジッタと信号強度（以下、変調度）を測定した。４倍速、６倍速のそれぞれのジッタは９．０％、１０．５％と、変調度はそれぞれ７２％、６７％と良好な特性が得られた（６倍速記録のアイパターンは図１２（ａ）参照。ここで、変調度とは、（Ｉ１４）／（Ｉ１４Ｈ）×１００（図１３参照）で表される）。

＜光記録媒体の第２２実施例＞
６倍速記録において、３Ｔスペースの次の３Ｔ、４Ｔ、５Ｔ以上のマーク長トップパルスＡ_tのディレイ時間のデュティーσ（Ｔ）をそれぞれ、０．１、０．２、０．２、４Ｔスペースの次の３Ｔ、４Ｔ、５Ｔ以上のマーク長トップパルスＡ_tのディレイ時間のデュティーσ（Ｔ）をそれぞれ、０．２、０．２、０．３、５Ｔ以上スペースの次の３Ｔ、４Ｔ、５Ｔ以上のマーク長トップパルスＡtのディレイ時間のデュティーσ（Ｔ）をそれぞれ、０．３、０．３、０．４にした他は第２１実施例と同様の記録ストラテジで記録を行った。
第２１実施例と同様の測定をしたところ、６倍速記録において図２１のとおり、ジッタは９．８％と、第２１実施例以上の特性が得られた。

＜光記録媒体の第２３実施例＞
記録層３として３元素単一合金ターゲットＩｎ−Ｓｂ−ＴｅとＳｂ単体ターゲットのコスパッタにより組成比：Ｉｎ₅Ｓｂ₇₄Ｔｅ₂₁の他は第２１実施例と同様の光記録媒体を作製した。また線速度１４ｍ／ｓでの記録おいて、記録条件の各パルスの幅はＡ_t3＝ Ａ_t0＝１．００[Ｔ]、Ａ_t4＝Ａ_t1＝１．４０[Ｔ]、Ａ_t5＝Ａ_t2＝１．５０[Ｔ]、Ａ_m＝１．１０[Ｔ]、Ｃ＝０．５０[Ｔ]の記録ストラテジで４倍速記録を行った。第２１実施例と同様に４倍速での測定をしたところ、図２１のとおり第２１実施例とほぼ同等の特性が得られた。

＜光記録媒体の第２４実施例＞
記録層３として３元素単一合金ターゲットＩｎ−Ｓｂ−ＴｅとＳｂ単体ターゲットのコスパッタにより組成比：Ｉｎ₅Ｓｂ₇₉Ｔｅ₁₆の他は第２１実施例と同様の光記録媒体を作製した。また線速度２１ｍ／ｓでの記録おいて、記録条件の各パルスの幅はＡ_t3＝ Ａ_t0＝０．７５[Ｔ]、Ａ_t4＝Ａ_t1＝１．００[Ｔ]、Ａ_t5＝Ａ_t2＝１．１０[Ｔ]、Ａ_m＝０．８５[Ｔ]、Ｃ＝１．２０[Ｔ]を用い、２１ｍ／ｓ（以下、６倍速）の記録ストラテジで６倍速記録を行った。第２１実施例と同様に６倍速での測定をしたところ、図２１のとおり第２１実施例とほぼ同等の特性が得られた。

＜光記録媒体の第２５実施例＞
記録層３としてＳｂ−Ｔｅの２元素単一合金ターゲットとＧｅターゲットのコスパッタにより（組成比：Ｇｅ₂Ｓｂ₈₀Ｔｅ₁₈）作成した他は第２１実施例と同様の光記録媒体を作製した。第２１実施例と同様の測定をしたところ、４倍速、６倍速記録のいずれにおいても図２１のとおり第２１実施例とほぼ同等の特性が得られた。

＜光記録媒体の第２６実施例＞
記録層３としてＩｎ−Ｓｂ−Ｔｅの３元素単一合金ターゲットとＧｅターゲットのコスパッタにより（組成比：Ｇｅ₄Ｉｎ₅Ｓｂ₇₅Ｔｅ₁₆）作成した他は第２１実施例と同様の光記録媒体を作製した。第２１実施例と同様の測定をしたところ、４倍速、６倍速記録のいずれにおいても図２１のとおり第２１実施例とほぼ同等の特性が得られた。

＜光記録媒体の第２７実施例＞
記録層３としてＧｅ−Ｉｎ−Ｓｂ−Ｔｅの４元素単一合金ターゲットとＡｇターゲットのコスパッタにより（組成比：Ｇｅ₁Ｉｎ₅Ｓｂ₇₆Ｔｅ₁₇Ａｇ₁）作成した他は第２１実施例と同様の光記録媒体を作製した。第２１実施例と同様の測定をしたところ、４倍速、６倍速記録のいずれにおいても図２１のとおり第２１実施例とほぼ同等の特性が得られた。

＜光記録媒体の第２８実施例＞
記録層３としてＧｅ−Ｉｎ−Ｓｂ−Ｔｅの４元素単一合金ターゲットとＴｉターゲットのコスパッタにより（組成比：Ｇｅ₁Ｉｎ₅Ｓｂ₇₆Ｔｅ₁₇Ｔｉ₁）作成した他は第２１実施例と同様の光記録媒体を作製した。第２１実施例と同様の測定をしたところ、４倍速、６倍速記録のいずれにおいても図２１のとおり第２１実施例とほぼ同等の特性が得られた。

＜光記録媒体の第２９実施例＞
記録層３としてＧｅ−Ｉｎ−Ｓｂ−Ｔｅの４元素単一合金ターゲットとＳｉターゲットのコスパッタにより（組成比：Ｇｅ₁Ｉｎ₅Ｓｂ₇₆Ｔｅ₁₇Ｓｉ₁）作成した他は第２１実施例と同様の光記録媒体を作製した。第２１実施例と同様の測定をしたところ、４倍速、６倍速記録のいずれにおいても図２１のとおり第２１実施例とほぼ同等の特性が得られた。

＜光記録媒体の第３０実施例＞
記録層３としてＧｅ−Ｉｎ−Ｓｂ−Ｔｅの４元素単一合金ターゲットとＡｌターゲットのコスパッタにより（組成比：Ｇｅ₁Ｉｎ₅Ｓｂ₇₆Ｔｅ₁₇Ａｌ₁）作成した他は第２１実施例と同様の光記録媒体を作製した。第２１実施例と同様の測定をしたところ、４倍速、６倍速記録のいずれにおいても図２１のとおり第２１実施例とほぼ同等の特性が得られた。

＜光記録媒体の第３１実施例＞
記録層３としてＧｅ−Ｉｎ−Ｓｂ−Ｔｅの４元素単一合金ターゲットとＢｉターゲットのコスパッタにより（組成比：Ｇｅ₁Ｉｎ₅Ｓｂ₇₄Ｔｅ₁₆Ｂｉ₂）作成した他は第２１実施例と同様の光記録媒体を作製した。第２１実施例と同様の測定をしたところ、４倍速、６倍速記録のいずれにおいても図２１のとおり第２１実施例とほぼ同等の特性が得られた。

＜光記録媒体の第３２実施例＞
記録層３としてＧｅ−Ｉｎ−Ｓｂ−Ｔｅの４元素単一合金ターゲットとＧａターゲットのコスパッタにより（組成比：Ｇｅ₁Ｉｎ₅Ｓｂ₇₄Ｔｅ₁₆Ｇａ₂）作成した他は第２１実施例と同様の光記録媒体を作製した。第２１実施例と同様の測定をしたところ、４倍速、６倍速記録のいずれにおいても図２１のとおり第２１実施例とほぼ同等の特性が得られた。

そこで、本発明は、上記の課題を以下のように合理的に解決するものである。
（１）記録信号３Ｔ（長さ３Ｔの矩形パルス）は、ピークパワーＰｗであるトップパルスＡ_t3として、バイアスパワーＰｂであるＢ_t3＋クーリング区間であるＣとして記録する（図１７参照）。

（２）記録信号４Ｔは、ピークパワーＰｗであるトップパルスＡ_t4として、バイアスパワーＰｂであるＢ_t4＋クーリング区間であるＣとして、記録信号３Ｔと同様に１つの記録パルスにて記録する（図１７参照）。この方法により、記録信号４Ｔの媒体上の記録マークの形状はトラック方向に多少広がるものの記録信号４Ｔにおけるジッタが大幅に改善された。

（３）記録信号５Ｔは、ピークパワーＰｗであるトップパルスＡ_t5として、バイアスパワーＰｂであるＢ_t5＋クーリング区間であるＣとして、記録信号３Ｔと同様に１つの記録パルスにて記録する（図１７参照）。

（４）ここで、クーリング区間Ｃを一定とすると、記録信号３ＴのトップパルスＡ_t3とＢ_t3の和はほぼ２Ｔになり、記録信号４ＴのトップパルスＡ_t4とＢ_t4の和はほぼ３Ｔになり、記録信号５ＴのトップパルスＡ_t5とＢ_t5の和はほぼ４Ｔになることが分かった。
尚ここにおけるクーリング区間Ｃは後端のマークのエッジを形成するために必要なクーリングパルス区間の一部の区間であり、媒体の物理特性や記録の線速度等によって決定される要素時間区間である。

（５）そうすると、記録信号６Ｔ以上の記録信号の記録パルスについて、ｎ＝３ｌ（ｌ：自然数）の記録信号においては考え方として記録信号３ＴのトップパルスＡ_t3とＢ_t3の和に、ピークレベレのパルスとバイアスレベレのパルスを加えた３Ｔマルチパルスを順次追加し、ｎ＝３ｌ＋１（ｌ：自然数）の記録信号においては考え方として記録信号４ＴのトップパルスＡ_t4とＢ_t4の和に、ピークレベレのパルスとバイアスレベレのパルスを加えた３Ｔマルチパルスを順次追加し、ｎ＝３ｌ＋２（ｌ：自然数）の記録信号においては考え方として記録信号５ＴのトップパルスＡ_t5とＢ_t5の和に、ピークレベレのパルスとバイアスレベレのパルスを加えた３Ｔマルチパルスを順次追加することにより実現することが可能である。

（６）これを一般的にまとめたのが図１７である。
つまり、６Ｔ以上の記録信号においては、ｎ＝３ｌ（ｌ：自然数）の記録信号においては記録信号３Ｔの場合に準じたトップパルスＡ_t0とＢ_t0に続いて、３Ｔに対応するマルチパルスＡｍを追加する。そして、このマルチパルスＡｍの数は、ｍ＝（ｎ−３）／３とする。

より一般的には、
ｍ＝（ｎ−ｋ）／３ （４式）
ｋ＝３（ｎ：記録信号Ｔ間隔であり、その数値が３ｌの場合）となる。

ｎ＝３ｌ＋１（ｌ：自然数）の記録信号においては記録信号４Ｔの場合に準じたトップパルスＡ_t1とＢ_t1に続いて、３Ｔに対応するマルチパルスＡｍを追加する。そして、このマルチパルスＡｍの数は、ｍ＝（ｎ−４）／３とする。

より一般的には、
ｍ＝（ｎ−ｋ）／３ （５式）
ｋ＝４（ｎ：記録信号Ｔ間隔であり、その数値が３ｌ＋１の場合）となる。

ｎ＝３ｌ＋２（ｌ：自然数）の記録信号においては記録信号５Ｔの場合に準じたトップパルスＡ_t2とＢ_t2に続いて、３Ｔに対応するマルチパルスＡｍを追加する。そして、このマルチパルスＡｍの数は、ｍ＝（ｎ−５）／３とする。

より一般的には、
ｍ＝（ｎ−ｋ）／３ （６式）
ｋ＝５（ｎ：記録信号Ｔ間隔であり、その数値が３ｌ＋２の場合）となる。
この数式を３ｌ、３ｌ＋１、３ｌ＋２で共通なものとすると、
ｍ＝ＩＮＴ（（ｎ−３）／３） （７式）
（ｎ：記録信号Ｔ間隔）（ｍ：０を含む正の整数）となる。

ここでＩＮＴは整数化の意味であり、かつ０に近い数にかえすことにより、上記の３ｌ、３ｌ＋１、３ｌ＋２の場合の３つの数式を共通とすることができる。また、ｎ＝２の場合には、Ａｍの値がマイナスになるが、同様に結果の小数点以下の数値を切り捨てることにより目標の数値を得ることができる。

（７）図１５、図１７にこの考え方に基づいた各記録信号Ｔ（各長さｎＴの矩形パルス）に対応した記録パルスの波形を示す。
この図から分かるように、記録のためのトップパルスを３ｌ（長さＴの３ｌ倍の長さ）の記録信号と、３ｌ＋１（長さＴの３ｌ＋１倍の長さ）の記録信号と、３ｌ＋２（長さＴの３ｌ＋２倍の長さ）の記録信号とで交互に切り替えることと、隣同士の記録信号Ｔによってマルチパルス（中間パルス）の位相を１２０度反転する、又は、１Ｔ分位相をシフトすることと、記録信号が３Ｔ増加する度に、３Ｔ周期の１つのマルチパルス（中間パルス）を追加することにより、各記録信号Ｔの後端を形成する記録パルスの波形を同一にすることができ、ジッタの改善を行うことができた。

また、この記録パルス波形を形成するために、回路構成は上記の組み合わせによって実現できるので、単純な回路構成にて実現可能である。ＤＶＤ等に用いられている８−１６変調においては、３Ｔから１１Ｔ及び１４Ｔを有しいているが、図１６においては、記録信号は３Ｔから１１Ｔまでと１４Ｔを記載している。これは、本説明から分かるように、同じ考え方で記録パルスを生成することができるからである。

また、本実施例においては、記録ストラテジの基本的な構成を示したが、次のような改良もある。

図１７において、
ａ） 記録信号ｎＴのトップパルスの時間Ａtnをｎ＝３、ｎ＝４、ｎ＝５、ｎ≧６（ｎ：正数）の場合のようにＴのパラーメータをｎによって増やす（例えばＡ_t3＜Ａ_t6＜Ａ_t9）。
ｂ） Ａ_t3Ｔ、Ａ_t4Ｔ、Ａ_t5Ｔ、Ａ_t0Ｔ、Ａ_t1Ｔ、Ａ_t2Ｔマークのトップパルスの先端のタイミングのディレイ時間αを、それぞれの長さｎＴのマークにおいて、α＝３、α＝４、α＝５、α≧６のように変更しても良い。

ｃ） Ａ_t3Ｔ、Ａ_t4Ｔ、Ａ_t5Ｔ、Ａ_t0Ｔ、Ａ_t1Ｔ、Ａ_t2Ｔのトップパルスの先端のタイミングのディレイ時間を、長さｎＴのマークの前にあるスペース長αＴにおいて、α＝３、α＝４、α＝５、α≧６のようにαのパラーメータを増やしても良い。
ｄ） 詳細は図示しないが、記録信号ｎＴによって、トップパルスの後端のタイミングを変更する。
ｅ） 記録信号ｎＴによって、複数あるマルチパルス（中間パルス）Ａｍのうちの最初のマルチパルスＡｍの先端のタイミングを変更する。

ｆ） 記録信号ｎＴによって、複数あるマルチパルス（中間パルス）Ａｍのうちの最後のマルチパルスＡｍの後端のタイミングを変更する。
ｇ） 記録信号ｎＴによって、複数あるマルチパルス（中間パルス）Ａｍのうちの最後のマルチパルスＡｍの後端のバイアス区間Ｃを変更する。
ｈ） 媒体の種類等によって、マルチパルス（中間パルス）Ａｍとバイアス区間Ｂｍの３Ｔの間におけるデューティを変更する。
ｉ） ａ−ｈのいずれか１つ又はこれら複数の組み合わせにより、特性を改善することができる。

＜＜光記録媒体記録装置の他の実施例＞＞
次に、前述した本発明の光記録方法の第３実施例を用いて光記録媒体(光記録媒体ＡＡ)に記録するための光記録媒体記録装置の一実施例である情報記録再生装置について、図１６を用いて説明する。前述したものと同一構成部分には同一符号を付しその説明を省略する。図４に示した第１実施例の光記録方法と異なる点についてのみ記す。

システムコントローラ１７には、ＥＦＭエンコーダ１８、マーク長カウンタ１９、パルス数制御部２０が接続されている。これらのＥＦＭエンコーダ１８、マーク長カウンタ１９（３Ｔ、４Ｔ、５Ｔ、３ｌＴ、（３ｌ＋１）Ｔ、（３ｌ＋２）Ｔなどの判別も含む）、パルス数制御部２０（３ｌ、３ｌ＋１、３ｌ＋２のマルチパルスＡｍの制御を含む）には、記録パルス列制御部８が接続されている。

図１６に示す構成において、相変化型光ディスクＡＡに記録するためには、目的の記録速度に対応する記録線速度となるようにスピンドルモータ２９の回転数を回転制御機構９により制御した後に、光ヘッド２７から得られるプッシュプル信号からプログラマブルＢＰＦ１１によって分離検出されたウォブル信号からアドレス復調するとともに、ＰＬＬシンセサイザ回路１４によって記録チャネルクロックを生成する。

次に、半導体レーザＬＤ２８による記録パルス列を発生させるため、記録パルス列制御部８には記録チャンネルクロックと記録情報であるＥＦＭデータが入力され、記録パルス列制御部８中の加熱パルス生成部２１により先頭加熱パルス制御信号を生成する。

次に、記録パルス列制御部８中のマルチパルス生成部２３により後続する加熱マルチパルス制御信号を生成する。そして、消去部分である消去パルス制御信号も消去パルス生成部２２により生成し、ＬＤドライバ部２６で前述のＰｗ、Ｐｂ、Ｐｅなる各々の発光パワーとなるように設定された駆動電流源３０をスイッチングすることで、記録パルス列のＬＤ発光波形を得ることができる。

本実施例では、加熱パルス生成部２１に、記録チャネルクロック周期の１／４０の分解能を有する多段のパルスエッジ生成部２５を配置しており、エッジセレクタ（マルチプレクサ）２４に入力された後、システムコントローラ１７によって選択されたエッジパルスによって先頭加熱パルス制御信号及び加熱マルチパルス制御信号を生成することにより適応的な調整を行っている。パルスエッジ生成部２５用の多段遅延回路は、高分解能のゲート遅延素子やリングオシレータとＰＬＬ回路によって構成することができる。

このように生成された加熱パルスによって記録チャネルクロックに同期したマルチパルス列が生成され、同時に、冷却パルスのパルス幅も加熱マルチパルス幅のデューティによって決定される。

同様に、最後尾の冷却パルスも加熱パルス生成部２１中に個別に配置された最後尾の冷却パルス生成部若しくは冷却パルス生成部の多段遅延回路で生成されるエッジパルスがエッジセレクタ２４に入力され、システムコントローラ１７によって選択されたエッジパルスによって最後尾の冷却パルスの後エッジが決定される。

また、消去パルス生成部２２においても、別の多段遅延回路で生成され加熱パルスのタイミング応じて、パルス幅を微少に変更できるようになっている。
これらのパルス群によって全体の記録マルチパルス列が構成される。

ここに、本実例に対応した構成の記録パルス列制御部８では、ＥＦＭエンコーダ１８から得られるＥＦＭ信号のマーク長を記録クロック（周期Ｔ）（記録チャネルクロックとも言う）に対して計数するためのマーク長カウンタ１９が配置されており、ＥＦＭ信号のマーク長が（３ｌ）であるか（３ｌ＋１）または（３ｌ＋２）であるかを判断し、（３ｌ）である場合には、前記の２Ｔ系の先頭加熱パルスを生成し、（３ｌ＋１）である場合には、前記の３Ｔ系の先頭加熱パルスを生成し、（３ｌ＋２）である場合には、前記の４Ｔ系の先頭加熱パルスを生成し、次に、前記の（４式）、（５式）、（６式）又は（７式）に基づいて、そのマークカウント値が３Ｔ増加する毎に１組の加熱マルチパルスとマルチパルスに付随した冷却マルチパルスとが生成されるようにパルス数制御部２０を介してマルチパルスを生成するようにしている。

この時、マルチパルスの発生タイミングは、ＥＦＭ信号のマーク長が（３ｌ）である場合には、前記の２Ｔ系の先頭加熱パルスに続いて発生するように生成し、（３ｌ＋１）である場合には、前記の３Ｔ系の先頭加熱パルスに続いて発生するように生成し、（３ｌ＋２）である場合には、前記の奇数の場合のマルチパルスと比較すると、１Ｔ分遅れて発生するように生成する。

この動作は、先頭加熱パルスの後エッジをエッジセレクタ２４で選択した後、次の記録チャネルクロック周期から生成されるエッジパルスで後続のマルチパルスの前エッジを選択し、その次の記録チャネルクロック周期から生成されるパルスエッジでそのマルチパルスの後エッジを選択することで可能となる。

別のマルチパルス生成部の構成としては、記録チャネルクロックを３分周した記録分周クロックを生成し、またこの記録分周クロックに対して位相が１２０度毎異なる反転した反転記録分周クロックを生成し、これを多段遅延回路を用いてエッジパルスを生成し、エッジセレクタで前後のエッジを選択することで前記の関係式に基づいて記録チャネツクロックが３Ｔ増加する毎に１組の加熱マルチパルス及び冷却マルチパルスを生成し、ＥＦＭ信号のマーク長が（３ｌ）であるか（３ｌ＋１）または（３ｌ＋２）であるかを判断し、（３ｌ）である場合は記録分周クロックを用いるのに対して、（３ｌ＋１）の場合には１２０度反転記録分周クロックを用い、（３ｌ＋２）に場合にはさらに２４０度反転記録分周クロックを用いることにより、（３ｌ）、（３ｌ＋１）、（３ｌ＋２）によって１Ｔ分の位相差を生成することもできる。

この構成の場合、マルチパルス生成部の実質的な動作周波数は１／３となり、さらに高速記録動作が可能となる。

従来のＣＤ−ＲＷやＤＶＤ−ＲＷのような相変化型光ディスクで用いられている一般的なストラテジ（図１参照）では、所定の記録速度に対して、マークデータ長が１Ｔ増加する度に、加熱パルスと冷却パルスとの増加数を１組ずつ増加させるようにパルスを生成する記録パルス列制御部を有する。その所定の記録速度範囲の中で選択された記録速度に応じて、先頭加熱パルス幅Ｔｔｏｐや後続する加熱マルチパルス幅Ｔｍｐや最後尾の冷却パルスのパルス幅Ｔｃｌ及び、各々の発光パワーを最適値に設定するようにしている。

これに対して、本実施例では、さらに所定の記録速度範囲を超える高速な記録速度を選択した場合に、前記した（４式）、（５式）、（６式）又は（７式）に基づいて、マークデータ長が３Ｔ増加する度に、加熱パルスと冷却パルスとの増加数を１組ずつ増加させるようにパルスを生成する記録パルス列制御部８を切換えることで、広範囲な記録速度に対応した情報記録再生装置を得ることが可能となる。

また、一般的な情報記録再生装置は光源に半導体レーザＬＤ２８を用いており、安価な駆動回路では前述したように発光波形の立上り／立下り時間は約２nsec程度を得るのが限界である。特に、記録材料として前記する材料が用いられる相変化型メディアの場合は、十分な加熱時間と冷却時間として各々の発光パワーの制定時間も約２nsec以上は確保する必要がある。

よって、記録チャネルクロック周波数は１００MHz程度が限界となり、ＤＶＤ−ＲＷでは４倍速程度（２６．１６MHｚ×４）である。

しかしながら、本実施例の情報記録再生装置では、実質的な発光波形の周波数を１／３に低下できるようになり、ＤＶＤ−ＲＷでは６倍速以上１２倍速程度まで、光源駆動部としてのＬＤドライバ部２を高速化することなく安価な構成で高速記録を実現することが可能となる。

なお、先頭加熱パルス幅や最後尾の冷却パルスのパルス幅などの設定値は代表的な値を示しており、実際には記録材料やメディア相構成などによって最適化された値を適応すればよい。

また、記録変調方式の違いや記録密度とメディア上のレーザ光による光スポットの径に応じて記録波形の累積長と形成マークの長さが異なるため、例示したマーク長と記録波形の対応は前後にずれてもよい。
また、これらの実施例では、記録マークデータを生成する記録変調方式がＥＦＭ系の場合への適用例として説明したが、１−７変調方式等にも適用可能である。

本発明の技術的思想の意味は、マルチパルス数（ｍ）を制御することにあり、これを一般的にすると、記録パルスの周期を記録クロックをｐ分周（ｐ：２以上の整数）して１／ｐとするとき、
ｍ＝（ｎ−ｋ）／ｐ （８式）
（ｋ：正の整数であり媒体等の特性によって決定される係数）
（ｍ：小数点以下を切り捨てられた０を含む正の整数）
として表すことができる。

本実施例では、上記の（８式）においてｐ＝３かつｋ＝３，４，５であり、それぞれ前記の（４式）〜（６式）と一致する。
また、本発明は、記録クロックを３分周するのみならず、記録速度に応じて記録クロックを２分周や４分周やそれ以上にしても効果があり、例えばｐ＝２（記録クロックを２分周した場合）ではｋ＝３，４を用いたパルスとして、偶数と奇数のデータの長さに応じて、それぞれの先頭パルスに引き続いて、データの後端の位置に相当するパルスの位相関係が同じになるように、２クロック周期に対して１／２の位相に相当する１クロック分シフトさせることにより、位相関係が調整されている。

この方法によってマークの後端の形成を各Ｔで同様にでき、結果的にデータのジッタが最良になるように記録することができる。また、同様にｐ＝４（記録クロックを４分周した場合）ではｋ＝３，４，５，６などを用いたマルチパルス数を使用することで、良好な記録特性が得られる。

尚、ここで述べている考え方は基本的な考え方であり、前述しているように３Ｔ、４Ｔ、５Ｔ等の短いデータについては、媒体の記録溝や記録膜の特性やレーザのオーバーシュート等の駆動波形によって、微妙に変更することにより改善されることが分かっている。従って、短いデータの先頭の加熱パルスをそのまま、長いデータに用いず、それぞれのＴによって先頭の加熱パルスを微調整しても本発明の範囲であることは言うまでもない。

＜＜光ディスク及び光ディスク記録再生装置の一実施例＞＞
次に、本発明の光ディスク及び光ディスク記録再生装置の一実施例について説明する。
本発明の光ディスクは、光ディスクの高倍速化が急速に進み、その度に規格を変更することによる環境エネルギーの消費と装置の設計変更等を招くことが無く、標準化をスムーズに行うことができることにより市場の進化のスピードを促進し、また、それぞれの倍速に対応したディスクにおいて、情報の無駄を無くし、効率よく冗長度を上げることができ、領域を有効活用するための構成を有している。

つまり、例えば、光ピックアップより照射するレーザビームにより情報を記録する情報管理領域および情報記録領域からなる光ディスクであり、情報管理領域に、この情報記録領域に情報を記録するための記録パワー及び記録ストラテジ情報を、光ディスクに記録する倍速情報と共に、光ディスクの対応する倍速数にしたがって、倍速情報に対応した複数の記録管理情報領域に記録した構成の光ディスクを提供することである。

一方、本発明の光ディスク記録再生装置は、前記した本発明の光ディスクを装填するにより、この光ディスクが何倍速に対応しているかが理解でき、最適な倍速を選択して記録することができると共に、温度が上がったり、光ディスクの面ぶれや偏芯が多い等の条件により、装置の倍速の標準の速度で記録できない場合でも、記録可能な速度に落としてその条件で記録すること、また、複数の倍速に対応した光ディスクであっても、その情報の読み取りは簡単に行うことができ、情報に無駄が無いので、短時間で必要な情報を取得でき、冗長度が高いので信頼性良く情報を取得することができる構成を有している。

以下、本発明の光ディスク及び光ディスク記録再生装置の一実施例について図面と共に説明をする。
まず、本発明の光ディスクの実施例である高密度な光ディスクにおいてはその種類や記録時の線速度の変化に応じて、記録レーザ波形を最適形状に補正することについて説明する。

本発明の光ディスクの一実施例であるＤＶＤ−ＲＷの記録波形の形状は、図２２のようになる。
この記録データは８−１６変調信号の入力波形の一例であり、Ｔはデータを記録するための記録クロックのクロック周期である。ここでマークを形成すべく８Ｔと３Ｔに対応する記録信号のパワーレベルは記録部の記録パワーＰｏと、消去部の消去パワーＰｅと、記録パワー中のマルチパルスＴｍｐと記録から消去に切り換わる時点のクーリングパルスＴｃｌのバイアスパワーＰｂを出射する。バイアスパワーＰｂは、ＤＶＤ−ＲＷの場合再生パワーと同じ値である。また、記録のタイミングのストラテジは記録先頭部のＴｔｏｐと、マルチパルスＴｍｐのデューティとクーリングパルスＴｃｌの時間を最適に決定することにより最適な記録を行うことができる。

また、他の光ディスクであるＤＶＤ−Ｒは図示しないが、ＤＶＤ−ＲＷに比較して、消去パワーＰｅを再生パワーに変更して、クーリングパルスＴｃｌを無くすことで実現でき、以降ＤＶＤ−ＲＷと同様に説明することが出来る。例えば、ＤＶＤ−ＲＷの場合は、記録パワーと再生パワーの間をこの用にマルチパルス状にするのではなく、時間的に中間の区間のパワーのレベルを最初及び最後の時間のパワーのレベルより下げることでもストラテジーを実現できる。その場合は、その中間のパワーの下げるレベルや、タイミングを規定することによって同様に説明することが出来る。

ＤＶＤ−ＲやＤＶＤ−ＲＷでは、本出願人が先に提案した特開２００１−３１２８２３号公報や特開２００１−１４８１２４号公報にも記載されているように、記録可能なデータ及びリードイン領域には、記録するグループトラックがウォブル（一定の周波数（１倍速の線速度３．４９ｍ／ｓの時約１４０ＫＨｚ）で蛇行）していて、グルーブとグルーブの間のランドには、ランドプリピット（以下ＬＰＰ）によるアドレス情報が埋め込まれている。

このＬＰＰ情報は、記録する信号の記録再生の訂正の単位である１つのＥＣＣブロック長で１つのアドレスとその他の情報が１つの単位となって構成され、１ブロックは１６のフィールドから構成されている。その詳細は図２３〜図２９に示す通りである。

この単位の情報は、フィールドＩＤと呼ばれる。図２５はフィールドＩＤ０であり、この情報が通常のデータ領域の内容である。つまり、フィールドＩＤはパートＡとパートＢからなり、パートＡには必ずＥＣＣブロックアドレスとそのパリティがあり、パートＢはそれぞれのフィールドＩＤに固有の情報が記録されている。フィールドＩＤ０はパートＡとパートＢに２つのＥＣＣブロックアドレスとそのパリティとフィールドＩＤ値が記録されている。フィールドＩＤには１倍速（線速度は３．４９ｍ／ｓ）用のディスクの場合、図２３のようにフィールドＩＤ０からＩＤ５までの種類があり、フィールドＩＤ０以外はリードイン領域に記録されている。

詳細には記述しないがフィールドＩＤ１のパートＢには、フィールドＩＤ値とアプリケーションコードとしてディスクの一般用途、特殊用途等の用途の情報と、物理コードとしてトラックピッチ、線速度、直径、反射率、記録方式の種類（相変化かそれ以外）、記録可能か書き換え可能等の物理仕様の情報が記載されている。フィールドＩＤ３とフィールドＩＤ４のパートＢには、フィールドＩＤ値と製造者のＩＤが記載されている。

フィールドＩＤ２のパートＢは図２６のようにフィールドＩＤ値（２）とＯＰＣ推奨コードと、ライトストラテジコード１が記載されている。このＯＰＣ推奨コードはディスククメーカが推奨する図２２の記録パワーＰｏと、消去パワーＰｅ（または消去パワーＰｅの記録パワーＰｏに対する比率ε（Ｐｅ／Ｐｏ））と、場合によって記録の条件を決定するための記録信号を再生したときの再生信号の８−１６変調の全ての信号の振幅の中で長いＴに対する短いＴの位置を示すβまたはアシンメトリー値の推奨値（記録最適情報）が記載されている。またライトストラテジコード１は図２２のストラテジのＴｔｏｐ、Ｔｍｐ、Ｔｃｌの推奨する時間情報が記載されている。

フィールドＩＤ５のパートＢは、図２７のようにフィールドＩＤ値（５）と、ライトストラテジコード２と倍速値に対応する情報が記載されている。このライトストラテジコード２は図２２とは異なる波形の場合のストラテジのＴｔｏｐ、Ｔｍｐ、Ｔｃｌの推奨する時間情報が記載されている。倍速値はこのディスクが何倍速で記録できるか示すものであり、倍速値（例えば１倍速の時の線速度が３．４９ｍ／ｓである場合は、３．４９の数値または倍速値の１またはこれを１６進数にコード化した値が以降においても記載される）と好ましくは記録最適情報（記録の条件を決定するための記録信号を再生したときの再生信号の振幅の中で長いＴに対する短いＴの位置を示すβまたはアシンメトリー値（記録最適情報））の推奨値が以降の倍速値の領域にも記載されている。

なお、記録最適情報は前述したように、また後述するようにＯＰＣ推奨コードの中に記述されてもよい。ディスクとして、この記録できる倍速数が多ければこのフィールドＩＤの数が多くなることになる。ここでは、フィールドＩＤ２とフィールドＩＤ５に示している内容は、このフィールドＩＤ５に示す１倍速用の値であることを示している。ディスクが１倍速のみの対応である場合には、この倍速値は記載されなくてもよい。

図２４はこのディスクが１倍（線速度は３．４９ ｍ／ｓ）、２倍（線速度は３．４９＊２ ｍ／ｓ）、ｍ倍（例えば４倍、６倍、８倍）（線速度は３．４９＊ｍ ｍ／ｓ）速に対応している場合のフィールドＩＤの構造を示している。図２４で太線で囲んだ部分は図２３と１倍速の内容であることを記述した以外は同じである。図２４のＩＤ６はフィールドＩＤ２のパートＢと同様に図２８のｎが６である時であり、２倍速に対応したフィールドＩＤ値（６）とＯＰＣ推奨コードと、ライトストラテジコード１が記載されている。このＯＰＣ推奨コードはディスククメーカが推奨する２倍速の時の図２２の記録パワーＰｏと、消去パワーＰｅと、場合によって記録の条件を決定するための記録信号を再生したときの再生信号の振幅の中で長いＴに対する短いＴの位置を示すβまたはアシンメトリー値（記録最適情報）の推奨値が記載されている。

また、ライトストラテジコード１は図２２のストラテジのＴｔｏｐ、Ｔｍｐ、Ｔｃｌの推奨する時間情報が記載されている。
また、図２４のＩＤ７は、図２９のｎ＋１が７であるときであり、フィールドＩＤ５のパートＢの図２７と同様に、２倍速のフィールドＩＤ値（７）と、ライトストラテジコード２と倍速値が記載されている。このライトストラテジコード２は図２２とは異なる波形の場合のストラテジのＴｔｏｐ、Ｔｍｐ、Ｔｃｌの推奨する時間情報が記載されている。

同様に、図２４のＩＤｎは図２８のように、このディスクのｍ倍速（例えば４倍、６倍、８倍）に対応している場合のフィールドＩＤ２と基本的には同様な内容の構造を示している。また、図２４のＩＤｎ＋１は図２９のように、このディスクのｍ倍速に対応している場合のフィールドＩＤ５と基本的には同様な内容の構造を示している。相違点は、４倍速、６倍速、８倍速においては、上述したようにデータの記録クロックと同一のクロック周期Ｔに基づくストラテジを用いては記録クロック周波数が高くなることにより記録できないので、データの記録クロックを２分周したクロック周期２Ｔに基づくストラテジ（上述した実施例で詳述）を用いる。４倍速以上ではこのストラテジに基づいた必要な各パラメータを４倍速以上用に追加した新たなフィールドＩＤの領域に記載する。８倍速を越える速度では、クロック周期２Ｔでも実際の記録クロック周波数が高くなることにより記録できないことが発生するので、その場合はデータの記録クロックを更に分周し、クロック周期を３Ｔ又は４Ｔとしたストラテジを用いて、必要な各パラメータを記載する。

このように、１つの倍速数が追加になるのに従って、それぞれの倍速数に対応した２つのフィールドＩＤを追加することになる。例えば、１、２倍速用のディスクであれば、ＩＤはＩＤ０からＩＤ７まで、１、２、４倍速用のディスクであれば、ＩＤはＩＤ０からＩＤ９まで、１、２、４、・・・ｍ倍速用のディスクであれば、ＩＤはＩＤ０からＩＤｎ＋１までとなる。このＩＤが何処まで追加されるかによって、何倍速に対応しているかが簡単に知ることができ便利である。但し、上記のように高速になるほど記録条件が厳しくなり、記録方法が複雑になるので、それに伴ってパラメータが増える場合には、３つ以上のフィールドＩＤを割り当てて記載する。

詳述しないがフィールドＩＤ１にエクステンションコードを用意しておき、エクステンションコードはフィールドＩＤがＩＤ５までであれば０としておく。例えば、２倍速の場合は、最大のＩＤはＩＤ７になるので、ＩＤ６と７の２つが追加されるということでエクステンションコードは２とする。つまり、最大のＩＤの数マイナス５をエクステンションコードとする。ＩＤｎ＋１を最大とすると、その時のエクステンションコードはｎ−４になる。

このように、そのディスクが対応している倍速数の応じて、それぞれの倍速値に対応するパワー設定の最適値を、フィールドＩＤを用意して記録して置くことにより、装置はそれぞれの最適な倍速数で、最適な記録条件を得ることができる。

次に、図３０と図３１はそのフィールドＩＤのディスク上の配置を示している。図３１はディスクの内周から外周までの全体の領域を示していて、内周にはデータ領域の記録再生を管理するための情報及びこのディスクの固有情報が記録されているリードイン領域と、データを記録再生するデータ領域がある。ディスクが未記録の状態ではディスクのグルーブにウォブル信号と、アドレス信号であるＬＰＰが１ＥＣＣブロック単位で形成されている。特にＤＶＤ−ＲＷのリーダブルエンボス領域再生専用領域であり、エンボスプリピットで形成され、ウォブル情報のみ存在しＬＰＰ情報は存在しない。図３０及び図３１では、特に、ＤＶＤ−ＲＷを代表して説明するが、ＤＶＤ−Ｒでは、リーダブルエンボス領域はエンボスで無く記録再生可能な領域でも良く、その場合ＬＰＰ情報は他のリードイン領域と同様に存在する。

図３０はリードイン領域のフィールドＩＤの配置を説明するものである。データ領域は全て２つのアドレスを有するＩＤ０が配置されていて、リードイン開始位置（開始ＥＣＣブロックアドレス）から、リードイン終了位置（終了ＥＣＣブロックアドレス）まで、ＩＤ１からＩＤｎ＋１が繰り返し配置されている。この配置は例えば、対応する倍速数が１倍速のみであれば、ＩＤ０からＩＤ５までが繰り返され、対応する倍速数が多ければＩＤｎ＋１まで、ＩＤが増えるので、その分の繰り返し回数が減少するが、それぞれの対応する倍速数に応じて、必要なＩＤのみが存在するので、ディスク上に無駄が無く、その領域の情報を再生する場合にも、その倍速において最短の時間で再生を行うことができる。

また、リードイン終了位置付近では、ＩＤの数（例えば１倍速と時のＩＤ数６）の繰り返し数に応じて繰り返しを行った場合に、リードイン領域全体のＥＣＣブロック数に対して割り切れないことが発生する。その場合には、リードイン終了位置より内周側の割り切れないで余った領域を、データ領域と同じ２重のアドレスを有するＩＤ０を配置しておく。データ領域は記録再生をリアルタイムに行うことがあるので、記録や再生を確実に行うために、ＬＰＰのアドレスを確実に読む必要がある。そのためにデータ領域には、ＩＤ０のＬＰＰアドレスが２重に記録されているＩＤを記録している。ここでリードイン終了位置の内側の数ＥＣＣブロックは、データ記録を開始するに当たって、確実にアドレスを読み出す必要があるので、ＩＤの繰り返し数が変化した場合にも、余った領域をＩＤ０にして置くことにより、より確実にアドレスを取得することができる。

ＤＶＤ−ＲＷではリーダブルエンボス領域が存在し、この領域にはＬＰＰ情報が無いので、フィールドＩＤは存在しない。この場合にも図示しないが、望ましくはリーダブルエンボス開始位置の内周側の割り切れない数の領域にはＩＤ０を配置する。これによって、リーダブルエンボス開始位置の確認をより確実に行うことができる。また、リーダブルエンボス終了位置の外周側の数トラックはＩＤ０を配置する。これによって、これによって、同様にリーダブルエンボス終了位置の確認をより確実に行うことができる。

ＤＶＤ−Ｒにおいては、このリーダブルエンボスが存在する場合は同様であり、存在しない場合、つまり、この領域をプリレコードされている場合は、ＬＰＰ情報が存在するので他のリードイン領域と同じフィールドＩＤを連続して記録してある。

次に、上述した光ディスクを記録再生するための光ディスク記録再生装置を、図３２および図３３を参照して、記録再生装置の主要部を説明する。

なお。この光ディスク記録再生装置（図３２）は上述した光記録媒体記録装置（図１６）に再生系を付加した構成に等しいものであり、説明の都合上、光記録媒体記録装置（図１６）とは異なるブロック構成で図示してある。

図３２において、キー入力部１１０により入力した再生や記録の開始は、システムコントローラ１１２が判断し、信号処理部１１４やサーボプロセッサ１１６に指令する。サーボプロセッサ１１６は、ドライバ１１８を介してスピンドルモータ１２０を駆動し、ディスクＡＡ（本発明の光ディスク（図３１））が回転する。

光ピックアップ１２４から読み出した信号は、図３３に詳細な構成を示したプリアンプ１２６に供給され、ここで再生信号とサーボ信号を生成する。サーボエラー信号は、サーボエラー信号生成回路１４９で生成される。サーボプロセッサ１１６で前記サーボ信号を処理することにより、光ディスクＡＡのトラックに対するフオーカシングやトラッキングの信号を生成する。そして、これらの信号に基づいて、ドライバ１１８により光ピックアップ１２４のアクチュエータを駆動することにより、光ピックアップ１２４の一巡のサーボ制御が行なわれる。

再生信号は、図３３に示すプリアンプ１２６に供給され、ＲＦアンプ１５０で増幅される。増幅後の再生信号の周波数特性は、イコライザ１５２で最適化し、ＰＬＬ回路１５４でＰＬＬ制御をかける。また、ＰＬＬのビットクロックとデ一夕の時間軸の比較からジッタ生成回路１５６で生成したジッ夕値をシステムコントローラ１１２がＡ／Ｄ変換して測定し、この値に従って記録時の波形補正回路を変更する。

ジッタ生成回路１５６のジッタ検出タイミングは、後述するタイミング生成回路１７４によって制御される。信号処理部１１４では、再生信号がディジタル信号に変換され、例えば同期検出が行われる。これにより、ディスクＡＡ上の８−１６変調信号からＮＲＺデータにデコードされ、エラー訂正処理が行なわれてセクタのアドレス信号とデータ信号を得る。この信号は、可変転送レートで圧縮された信号であるので、これを一時記憶メモリ１２８（４ＭＢのＤＲＡＭ）に記憶し、可変転送レートにおいて時間軸を合わせるための補正（時間軸の吸収）を行う。一時記憶メモリ１２８から読み出された信号は、ＡＶエンコーダ・デコーダ１３０により伸長され、オーディオとビデオの信号に分離される。そして、それぞれＤ／Ａコンバータ（図示せず）により、アナログの音声信号と映像信号に変換出力される。

また、記録時は、図３２において、外部より入力したデータをＡＶエンコーダ・デコーダ１３０にて圧縮し、信号処理部１１４にて光ディスクＡＡに記録するためのフォーマット処理を行いプリアンプ１２６でレーザ変調を行い、図２２のような記録波形を生成し、光ディスクＡＡに記録する。

また、プリアンプ１２６のＰＬＬ回路１５４（図３３）で生成した光ディスクＡＡの速度信号をサーボプロセッサ１１６に送り、この速度信号によって光ディスクＡＡをＣＬＶで回転制御している。スピンドルモ一夕１２０のホール素子などによる回転位置信号はサーボプロセッサ１１６へ帰還し、この信号から生成した速度信号から、一定回転のＦＧ制御も行っている。

図３３において、ＲＦアンプ１５０からの再生信号は、アシンメトリー検出回路１７０（またはβ検出回路）で、８−１６変調信号の最長信号１１Ｔのピークとボトムの振幅位置に対して最短信号３Ｔの中心位置がどの位置になるかを判別し、この結果をシステムコントローラ１１２に伝える。アシンメトリー検出タイミングはタイミング生成回路１７４によって制御される。

サーボエラー信号生成回路１４９にて生成されたサーボエラー信号は、ウオブル検出回路１７２とアドレス検出回路１７３に送られる。ウオブル検出回路１７２において、スピンドルモータ１２０の速度信号と記録時のクロック信号の基になるウオブル信号（周波数信号）が生成される。また、アドレス検出回路１７３において、ディスクＡＡ上のアドレス信号と記録再生のタイミング信号が生成される。ウオブル検出回路１７２で得られたウオブル信号（周波数信号）をＰＬＬ回路１７１にてスピンドルモータ１２０の速度信号と記録時のクロック信号として生成する。これらの信号は記録データを生成する信号処理部１１４及び後述するタイミング生成回路１７４に送られる。アドレス検出回路１７３で得られたディスクＡＡ上のアドレス信号と記録再生のタイミング信号はシステムコントローラ１１２と信号処理部１１４に送られ、記録再生のタイミング信号はテスト記録を行うためとテスト記録を行った領域を再生するためのタイミング信号を生成するタイミング生成回路１７４に送られる。

タイミング生成回路１７４では記録時にテストパターン発生回路１６４とシステムコントローラ１１２と信号処理部１１４にタイミング信号を送り、テスト記録を行った領域を再生するためのタイミング信号をアシンメトリー検出回路１７０とジッタ生成回路１５６に送る。
以上の各部の全体制御は、システムコントローラ１１２が行っている。

他に、記録したい画像の解像度やカーレースなどのスピードの速いシーンなどを取り分ける場合や、記録時間優先で設定するためのキー入力や外部からの制御データをマイクロコンピュータ（図示せず）が認識しており、切換端子により記録時間を変更したり、設定を外部のユーザが選択できるように構成されている。

波形補正回路１６０は、遅延素子とＡＮＤ回路により構成できる。すなわち、入力信号を遅延素子で遅延した後、最初の入力信号との論理積を求めることで、図２２の記録波形が得られる。波形補正回路１６０では、システムコントローラ１１２の制御に基づく線速度の切換回路１６２により、大きな単位での時間軸の切換えが行われ、次に、後述するようにアシンメトリ値またはジッタ値が最良になるように図２２の各時間関係の詳細な時間設定が行われる。

なお、上述したモニターダイオードからの帰還信号はシステムコントローラ１１２のＡ／Ｄ変換器に入力しモニタできるようになっている。

タイミング信号はタイミング生成回路１７４によりアシンメトリ検出回路１７０に供給される。タイミング生成回路１７４には、ウオブル検出回路１７２およびＰＬＬ回路１７１より出力されたウォブル信号およびアドレス検出回路１７３より出力されるランドプリピット（ＬＰＰ）信号が供給される。例えば、ディスクより再生されたウォブル信号（例えば、１倍速である線速度３．４９ｍ／ｓの時約１４０ｋＨｚ）は記録クロック信号（約２６．１６ＭＨｚ）に逓倍された信号としてタイミング発生回路１７３に供給され、ディスクより再生されたＬＰＰ信号もタイミング生成回路１７４に供給される。ＬＰＰ信号に同期して１シンクフレームの信号が記録されているので、従って、タイミング生成回路１７４はＬＰＰ信号の位置を基準として記録クロック信号に基づいてカウントすることによりＥＣＣブロック内のセクタの記録開始位置に対応したタイミング信号を発生することができる。

このような光ディスク記録再生装置において記録再生を行う場合には、ディスクを挿入して、最初の立ち上げの際に、リードイン領域にＬＰＰとしてｎ＋２個（０からｎ＋１までなのでｎ＋２個）の複数回に繰り返し記録されているフィールドＩＤの少なくとも１つの繰り返しを再生し、フィールドＩＤ１のエクステンションコードから存在するＩＤの数が読み出したＩＤの数を満足しているかを確認し、フィールドＩＤの２及び５又はフィールドＩＤ６以上の領域から、本記録装置に適合した倍速数（線速度）に対応する記録パワー、消去パワー、ストラテジ値等の記録再生に必要な前記の情報を再生する。例えば本装置が２と４倍速記録が可能である場合で、ディスクが１、２、４倍速の記録が可能である場合には、速い方の値の４倍速を選択して取得し記憶する。

記録再生装置はこの情報を基に、第１の記録再生方法では、本記録再生装置の各記録パワー、消去パワー、ストラテジー値等の記録再生に必要な情報を設定し、以降の情報の記録処理を行う。

第２の記録再生方法では、この読み出した情報を基に、リードイン領域より内周の後述するＲＭＤ領域より更に内周のＰＣＡ（パワーキャリブレーションエリア）領域またはデータ領域に移動し、前記の読み出した値を基準として各記録パワー、消去パワー、ストラテジ値等を変更しながらテスト記録を行い、このテスト記録したデータを読み出してこのデータのアシンメトリー（またはβ）値または、ジッタやエラーレート、変調度等を測定し、この値に基づいて、最適な各記録パワー、消去パワー、ストラテジ値等を決定して、ユーザーデータの記録を行う。

次に、ここで求めた最適な各記録パワー、消去パワー、ストラテジ値等を次に示すＲＭＤに記録する。
図３４はＲＭＤ（レコーディングマネージメントデータ（記録管理情報））の内容を示している。

図３４において、ＲＭＤには様々な管理情報を記録しておく領域があるが、ここではＲＭＤのフィールド１として、記録再生装置がデータ領域にデータを記録した場合に、その記録条件を装置の固有情報と共に記録しておき、以降にディスクが挿入された時には固有情報によって、その装置で記録した記録条件であるかを判別し、その装置で記録した情報であり、有効であると判断した場合には、そのデータを用いて記録を行えるようにすることで、記録開始までの時間を短縮するために用いることができる。

この領域には、装置の製造ＩＤ（製造メーカ名等）、装置のシリアル番号、モデル番号、倍速（線速度）の条件によって異なりフィールドＩＤの中で、実際に記録した条件に相当するストラテジコード１と、記録パワー、テスト記録を行った時の日時時間情報、ＰＣＡ領域の中の記録キャリブレーション位置と、必要な場合はランニングＯＰＣ情報（記録しながら記録パワーを最適するための条件や結果等の情報）、倍速の条件によって異なりフィールドＩＤの中で、実際に記録した倍速条件（線速度）に相当する消去パワー（または消去パワーＰｅの記録パワーＰｏに対する比率ε（Ｐｅ／Ｐｏ））、記録パワー（８ビットデータとしてコード化された）、記録最適情報（記録時の最適パワーを決定するためのアシンメトリー値またはβ値）、何倍速で記録したかの倍速情報（または線速度情報）等を記載する。この記録内容は全てを記録することは必須条件ではなく、必要な情報を組み合わせて用いればよい。

但し、ここでは、倍速の条件によって異なる記録パワー、消去パワー、ストラテジ値等をその条件である倍速値（線速度）と共に記録しておくことにより、次にその記録装置が記録する倍速数によって、有効に用いることが出来るか出来ないかを正確に判断することができる。特に、記録装置によって温度等の環境条件やディスクの面振れや偏芯が大きい場合には、例えば通常４倍速で記録できる場合に２倍速に線速度を落として記録を行う場合がある。このような時に、記録条件の倍速値（線速度）を記録しておくことにより、記録条件の情報を間違えなく用いることができる。

また、本実施例では１つの倍速の追加により２つのフィールドＩＤを追加しているが、追加するフィールドＩＤがそのバイト数等によって、１つでも３つ以上でも、また記録する項目もこの項目以外に、倍速に関係するサーボ系のゲインに関する情報や変調度やジッタ等の関連情報を入れても構わない。

本実施例は、書き換え可能な相変化記録のＤＶＤ−ＲＷを例に説明したが、ＤＶＤ＋ＲＷでも、次世代のＤＶＲブルーのフォーマットにも適用可能であるし、１回記録の可能な有機色素系のＤＶＤ−Ｒ、ＤＶＤ＋Ｒや次世代のブルー系のフォーマットにも消去パワーを削除すれば適用可能であるし、図２２のような記録ストラテジ波形に限定されるものではなく、記録ストラテジとは記録を行う時の記録波形の振幅及び時間方向の制御の全てを含んでいる。また、磁気記録系のＭＤ、ＤＷＤＤ、ＡＳＭＯ、ＭＡＭＭＯＳ等の次世代フォーマットにも適用できることは言うまでもない。

以上説明したように、本発明によれば、光ディスクの高倍速化が急速に進み、その度に規格を変更することによる環境エネルギーの消費と装置の設計変更等を招くことが無く、標準化をスムーズに行うことがでることにより市場の進化のスピードを促進し、また、それぞれの倍速に対応したディスクにおいて、情報の無駄を無くし、効率よく冗長度を上げることができ、領域を有効活用することができる。

また、記録方法または記録装置においては、ディスクが何倍速に対応しているかが理解でき、最適な倍速を選択して記録することができると共に、温度が上がったり、ディスクの面ぶれや偏芯が多い等の条件により、装置の倍速の標準の速度で記録できない場合でも、記録可能な速度に落としてその条件で記録することが可能になる。

また、複数の倍速に対応したディスクであっても、その情報の読み取りは簡単に行うことができ、情報に無駄が無いので、短時間で必要な情報を取得でき、冗長度が高いので信頼性良く情報を取得することができる。

前記までの実施例においては、主に後端のマークの形成を偶数マークと奇数マークで異ならないように、偶数マークと奇数マークの先頭のマーク付近で、マルチパルスの位相関係を調整することにより実現してきた。しかし、媒体(光ディスク)の記録層を形成する相変化の材料や、記録線速度、レーザパワー、その他規格条件等によって、先頭マーク付近の再生波形が歪むという問題が発生する場合がある。

その場合には、以下のような光記録方法の第４実施例により、この問題を解決することができ、また、この光記録方法の第４実施例により前記データを記録する構成を有する光記録媒体を提供することができる。

＜＜光記録方法の第４実施例＞＞
図３５は本発明の光記録方法の第４実施例に用いられる第１の記録ストラテジを説明するための図である。

同図の（ａ）は３Ｔマークに対応した記録ストラテジ波形、同図の（ｂ）は偶数Ｔマーク（４Ｔ，６Ｔ，８Ｔ，１０Ｔ，１４Ｔの各マーク）波形に対応した記録ストラテジ波形、同図の（ｃ）は奇数Ｔマーク（５Ｔ，７Ｔ，９Ｔ，１１Ｔの各マーク）波形に対応した記録ストラテジ波形をそれぞれ示す。

図３５において、第１の記録ストラテジ波形は、前記と同様に記録データのクロックを２分周したクロックを基本周期としている。

３Ｔマークの形成に対応した記録ストラテジ波形は、図３５の（ａ）に示すように、先頭パルスの長さ区間Ｔ３と、先頭パルスの長さを調整する区間ｄＴ３と、後端のクーリングパワー区間３Ｔｃｌとを有している。

４Ｔ以上の偶数Ｔマーク（４Ｔ，６Ｔ，８Ｔ，１０Ｔ，１４Ｔの各マーク）に対応した記録ストラテジ波形は、図３５の（ｂ）に示すように、記録クロックを２分周したマルチパルス期間Ｔｍｐと、後端の記録パルスの前のバイアスパワー区間（２Ｔ−Ｔｍｐ）−eＴdlpと、後端の記録パルスの区間Ｔｍｐ−eＴdlpと、クーリングパワーの区間eＴclの３つの時間区間とを有している。

５Ｔ以上の奇数Ｔマーク（５Ｔ，７Ｔ，９Ｔ，１１Ｔの各マーク波形）に対応した記録ストラテジは、図３５の（ｃ）に示すように、記録クロックを２分周したマルチパルス期間Ｔｍｐと、後端の記録パルスの前のバイアスパワー区間（２Ｔ−Ｔｍｐ）＋oＴdlpと、後端の記録パルスの区間Ｔｍｐ＋oＴdlpと、クーリングパワーの区間oＴclの３つの時間区間とからなる。

図３７（ａ）及び３７（ｂ）は、それぞれ図３５に示す第１の記録ストラテジを用いて初回記録，１０回記録したときのアイパターンを示している。
図３７（ａ）及び３７（ｂ）に示すように、この記録ストラテジによる再生ジッタは前記の結果とほぼ同等な結果を示したが、この波形から分かるように、３Ｔの波形の傾きに対して４Ｔ、５Ｔの傾きが異なり、これが記録回数によっても変化することが分かった。この結果から、媒体上で形成されている記録マークの大きさが３Ｔ、４Ｔ、５Ｔで適正でないことが想像される。これにより、媒体のトラック中心における再生ジッタはそれほど悪くないものの、オフトラックした場合には、記録マークの大きさが３Ｔ、４Ｔ、５Ｔで異なることにより、ジッタが悪化する等の課題が発生した。また、この波形に基づいて２値データにするために、２値化するスライスレベルが多少変化しただけでジッタ値が大きく悪化する等の回路的課題も発生した。

この原因は、記録データのクロックを２分周した２Ｔクロックを基本周期として、Ｔ単位の記録データのタイミングを生成するために、偶数Ｔマークのデータと奇数Ｔマークのデータに対するそれぞれの、後端のマークの形成を制御する時に、例えば偶数Ｔマークのデータの場合に、eＴdlpとして、１つのパラメータで後端の記録パルスの区間幅（Ｔｍｐ−eＴdlp）と、その前のバイアスパワー区間幅（（２Ｔ−Ｔｍｐ）−eＴdlp）を決定するので、ジッタを決定するための後端マークの終端のタイミングを作ることはできるが、その時の後端の記録パルスによって作られた記録マークの後端の形状が、最適な形状とならず、光学的なスポットとして、再生した場合に、特に４Ｔマーク、５Ｔマークの再生信号の傾きが他の信号の傾きと異なることになると考えられる。

この結果から、結晶化速度の異なる媒体や、複数の線速度に対応した媒体を記録する場合には、その線速度によって特に顕著に問題が発生することが考えられる。
そこで、前記した第１の記録ストラテジ波形（図３５）をさらに改良したのが、図３６に示す第２の記録ストラテジ波形である。

図３６は本発明の光記録方法の第４実施例に用いられる第２の記録ストラテジを説明するための図である。
同図の（ａ）は３Ｔマークに対応した記録ストラテジ波形、同図の（ｂ）は偶数マーク（４Ｔ，６Ｔ，８Ｔ，１０Ｔ，１４Ｔの各マーク）波形に対応した記録ストラテジ波形、同図の（ｃ）は奇数マーク（５Ｔ，７Ｔ，９Ｔ，１１Ｔの各マーク）波形に対応した記録ストラテジ波形をそれぞれ示す。

図３６において、第２の記録ストラテジ波形は、前記と同様に記録データのクロックを２分周したクロックを基本周期としている。
３Ｔマークの形成に対応した記録ストラテジ波形は、図３６の（ａ）に示すように、先頭パルスの長さ区間Ｔ３と、先頭パルスの長さを調整する区間ｄＴ３と、後端のクーリングパワー区間３Ｔｃｌを有している。３Ｔマークに対応した記録ストラテジ波形は第１、第２の記録ストラテジ波形ともに同一形状。

４Ｔ以上の偶数Ｔマーク（４Ｔ，６Ｔ，８Ｔ，１０Ｔ，１４Ｔの各マーク波形）に対応した記録ストラテジ波形は、図３６の（ｂ）に示すように、記録クロックを２分周したマルチパルス期間Ｔｍｐと、後端の記録パルスの前のバイアスパワー区間（２Ｔ−Ｔｍｐ）−eＴdlp１と、後端の記録パルスの区間Ｔｍｐ−eＴdlp２と、クーリングパワーの区間eＴclの３つの時間区間とを有している。

５Ｔ以上の奇数Ｔマーク（５Ｔ，７Ｔ，９Ｔ，１１Ｔの各マーク波形）に対応した記録ストラテジは、図３６の（ｃ）示すように、記録クロックを２分周したマルチパルス期間Ｔｍｐと、後端の記録パルスの前のバイアスパワー区間（２Ｔ−Ｔｍｐ）＋oＴdlp１と、後端の記録パルスの区間Ｔｍｐ＋oＴdlp２と、クーリングパワーの区間oＴclの３つの時間区間とからなる。

図３７（ｃ）及び３７（ｄ）はそれぞれ図３６に示す第１の記録ストラテジを用いて初回記録，１０回記録したときのアイパターンを示している。
図３７（ｃ）及び３７（ｄ）に示すように、この記録ストラテジによる再生ジッタは前記第１の記録ストラテジ波形（図３５）の結果とほぼ同等か少し改善された結果を示したが、この波形から分かるように、３Ｔの波形の傾きに対して４Ｔ、５Ｔの傾きが異なることはなく、記録回数によっても変化しないことが分かった。この結果から、媒体上で形成されている記録マークの大きさも３Ｔ、４Ｔ、５Ｔで適正になったことが想像される。これにより、媒体のトラック中心からオフトラックした場合の３Ｔ、４Ｔ、５Ｔの記録マークのジッタが悪化する等の課題は解決した。

この原因は、記録データのクロックを２分周した２Ｔクロックを基本周期として、Ｔ単位の記録データのタイミングを生成するために、偶数Ｔマークのデータと奇数Ｔマークのデータに対するそれぞれの後端のマークの形成を制御する時に、例えば偶数のデータの場合に、eＴdlp１として、その前のバイアスパワー区間幅で偶数と奇数のデータの時間調整をすると共に、eＴdlp２として、後端の記録パルスの区間幅を独立に決定することにより、ジッタを決定するための後端マークの終端のタイミングを作ると共に、その時の後端の記録パルスによって作られた記録マークの形状を制御することができるので、光学的なスポットとして、再生した場合に、特に４Ｔ、５Ｔの再生信号の傾きが他の信号の傾きと異なることなく形成することができると考えられる。

また、図３５の（ｄ）、図３６の（ｄ）にはそれぞれ、ＤＶＤ−ＲＷの４Ｘ（４倍速）媒体の４Ｘ時のそれぞれのパラメータの値と、６Ｘ（６倍速）に対応した６Ｘ媒体の４Ｘ記録と６Ｘ記録における最適ジッタが得られるパラメータの値を示した。それぞれのパラメータであるeＴdlp１、eＴdlp２、oＴdlp１、oＴdlp２の線速度との変化の度合いからも容易に確認できるように、ある線速度に対応した、ある結晶化速度を有する媒体においては共通のパラメータであっても、記録クロックを分周して記録ストラテジを生成する場合に、分周したクロックの比によって、その間の記録データの位相差のズレ（２分周であれば偶数と奇数データの位相差であり、３分周であれば３Ｔ毎の１／３位相の位相差）を調整することが出きる場合があるが、ある線速度に対応した媒体は固定の結晶化速度を有する訳ではない。

また、１つの媒体で複数の記録の線速度に対応するためには、本実施例の２分周に場合に限らず、後端のマークの最適な形状を形成するための記録パルス時間区間と、分周周期の位相を調整するためのバイアスパワー時間区間と、最後の後端のマークのエッジを形成するためのクーリングパルス時間区間の３つの時間要素が、分周位相の記録データの周期のＴそれぞれに対して必要である。

＜＜光ディスク及び光ディスク記録再生装置の他の実施例＞＞
次に、本発明の光ディスク及び光ディスク記録再生装置の他の実施例について説明する。

本発明の光ディスクは、光ピックアップより照射するレーザビームにより情報を記録する情報管理領域および情報記録領域からなる光ディスクにおいて、前記情報管理領域に、前記情報記録領域に情報を記録するための記録パワー及び記録ストラテジー情報が、前記光ディスクに記録する線速度情報と共に、前記光ディスクの対応する線速度に従って、前記レーザビームのレーザパワーを記録パワーＰｗ、消去パワーＰｅ、バイアスパワーＰｂ（ただしＰｗ＞Ｐｅ＞Ｐｂ）の３値で変調して、長さｎＴ（ｎ：整数、Ｔ：記録データのクロック周期）のデータに対応したマークを形成する際に、低い線速度においては、前記クロック周期Ｔを基本周期とする記録ストラテジーであり、前記クロック周期Ｔに基づいて記録ストラテジーを調整するために、それぞれの記録マークを形成する分割された記録パルス中の、先端の記録パルス幅と、中間のマルチパルス幅と、後端のクーリングパワーの区間の３つの時間区間を変更することを可能とする記録ストラテジー情報として、高い線速度においては、前記クロック周期をｐ分周した周期ｐＴを基本周期とする記録ストラテジーであり、前記周期ｐＴに基づいて記録ストラテジーを調整するために、それぞれの記録マークを形成する分割された記録パルス中の、後端の記録パルスの前のバイアスパワー区間と、後端の記録パルスの区間と、クーリングパワーの区間の３つの時間区間を、前記周期ｐＴで変更することを可能とする記録ストラテジー情報として、倍速情報に対応した複数の前記記録管理情報領域に予め記録されている光ディスクである。

また、本発明の光ディスクは、光ピックアップより照射するレーザビームにより情報を記録する情報管理領域および情報記録領域からなる光ディスクにおいて、前記情報管理領域に、前記情報記録領域に情報を記録するための記録パワー及び記録ストラテジー情報が、前記光ディスクに記録する線速度情報と共に、前記光ディスクの対応する線速度に従って、前記レーザビームのレーザパワーを記録パワーＰｗ、消去パワーＰｅ、バイアスパワーＰｂ（ただしＰｗ＞Ｐｅ＞Ｐｂ）の３値で変調して、長さｎＴ（ｎ：整数、Ｔ：記録データのクロック周期）のデータに対応したマークを形成する際に、低い線速度においては、前記クロック周期Ｔを基本周期とする記録ストラテジーであり、前記クロック周期Ｔに基づいて記録ストラテジーを調整するために、それぞれの記録マークを形成する分割された記録パルス中の、先端の記録パルス幅と、中間のマルチパルス幅と、後端のクーリングパワーの区間の３つの時間区間を変更することを可能とする記録ストラテジー情報として、高い線速度においては、前記クロック周期Ｔを２分周した周期２Ｔを基本周期とする記録ストラテジーであり、前記周期２Ｔに基づいて記録ストラテジーを調整するために、それぞれの記録マークを形成する分割された記録パルス中の、後端の記録パルスの前のバイアスパワー区間と、後端の記録パルスの区間と、クーリングパワーの区間の３つの時間区間を、偶数データと奇数データとで変更することを可能とする記録ストラテジー情報として、倍速情報に対応した複数の前記記録管理情報領域に予め記録されている光ディスクである。

さらに、本発明の光ディスク記録再生装置は、前述した本発明の光ディスクのそれぞれに対する記録再生を行なう構成を有する記録再生装置であって、前記光ディスクの複数の前記情報管理領域に予め記録されている複数の倍速情報に対応した情報を記録するための記録パワー及び記録ストラテジー情報の中から、必要な倍速情報に対応して情報を記録するための記録パワー及び記録ストラテジー情報を読み出し、この読み出しに基づいた記録パワー及び記録ストラテジーを用いて、前記光ディスクの前記情報記録領域に情報を記録する手段を有することを特徴とする光ディスク記録再生装置である。

上記した本発明の光ディスクの構成は、図２２〜図２４、図２６、図２７、図２９、図３６に記載された事項及び関連説明によって支持されている。ここで本発明の低い線速度は１倍速(倍速)、２倍速であり、本発明の高い線速度は４倍速、６倍速、８倍速、…である。

具体的には、図２３に示すフィールドＩＤ（ＩＤ０〜ＩＤ５）のうち、フィールドＩＤ２の位置には、ＯＰＣ推奨コード／ライトストラテジーコード１が予め記録されており、またフィールドＩＤ５の位置には、ライトストラテジーコード２が予め記録されている。このフィールドＩＤ２のパートＢは、図２６に示すように、フィールドＩＤ値とＯＰＣ推奨コードとライトストラテジコード１とバリティトが記載されている。

このＯＰＣ推奨コードは、ディスクメーカが推奨する図２２の記録パワーＰｏと、消去パワーＰｅ（または消去パワーＰｅの記録パワーＰｏに対する比率ε（Ｐｅ／Ｐｏ））と、場合によって記録の条件を決定するための記録信号を再生したときの再生信号の８−１６変調の全ての信号の振幅の中で長いＴに対する短いＴの位置を示すβまたはアシンメトリー値の推奨値（記録最適情報）が記載されている。

また、ライトストラテジコード１は、図２２で示したストラテジのＴｔｏｐ、Ｔｍｐ、Ｔｃｌの推奨する時間情報が記載されている。
フィールドＩＤ５のパートＢは、図２７に示すように、フィールドＩＤ値とライトストラテジーコード２と倍速値（×１）に対応する情報が記載されている。

このライトストラテジコード２は、図２２で示したのとは異なる波形の場合のストラテジのＴｔｏｐ、Ｔｍｐ、Ｔｃｌの推奨する時間情報が記載されている。
倍速値は、このディスクが何倍速で記録できるか示すものであり、倍速値（例えば１倍速の時の線速度が３．４９ｍ／ｓである場合は、３．４９の数値または倍速値の１またはこれを１６進数にコード化した値が以降においても記載される）と好ましくは記録最適情報（記録の条件を決定するための記録信号を再生したときの再生信号の振幅の中で長いＴに対する短いＴの位置を示すβまたはアシンメトリー値（記録最適情報））の推奨値が以降の倍速値の領域にも記載されている。

なお、記録最適情報はＯＰＣ推奨コードの中に記述されてもよい。ディスクとして、この記録できる倍速数が多ければこのフィールドＩＤの数が多くなることになる。ここでは、フィールドＩＤ２とフィールドＩＤ５に示している内容は、このフィールドＩＤ５に示す１倍速用の値であることを示している。ディスクが１倍速のみの対応である場合には、この倍速値は記載されなくてもよい。

図２４はこのディスクが１倍（線速度は３．４９ ｍ／ｓ）、２倍（線速度は３．４９×２ ｍ／ｓ）、ｍ倍（例えば４倍、６倍、８倍）（線速度は３．４９×ｍ ｍ／ｓ）速に対応している場合のフィールドＩＤの構造を示している。

図２４において、太線で囲んだ部分は図２３と１倍速の内容であることを記述した以外は同じである。具体的には、図２４に示すように、リードイン領域のフィールドＩＤ２の位置には、ＯＰＣ推奨コード／ライトストラテジーコード１（１×）が予め記録されており、またフィールドＩＤ５の位置には、ライトストラテジーコード２（１×）が予め記録されている。さらに、フィールドＩＤ６の位置にはＯＰＣ推奨コード／ライトストラテジーコード１（２×）が予め記録され、フィールドＩＤ７の位置にはライトストラテジーコード２（２×）が予め記録され、…、フィールドＩＤｎの位置にはＯＰＣ推奨コード／ライトストラテジーコード１（ｍ×）が予め記録され、フィールドＩＤｎ＋１の位置にはライトストラテジーコード２（ｍ×）が予め記録されている。

図２４に示すＩＤ６はフィールドＩＤ２のパートＢと同様に図２８に示すｎが６である時であり、２倍速に対応したフィールドＩＤ値（６）とＯＰＣ推奨コードと、ライトストラテジコード１が記載されている。このＯＰＣ推奨コードはディスククメーカが推奨する２倍速の時の図２２の記録パワーＰｏと、消去パワーＰｅと、場合によって記録の条件を決定するための記録信号を再生したときの再生信号の振幅の中で長いＴに対する短いＴの位置を示すβまたはアシンメトリー値（記録最適情報）の推奨値が記載されている。

また、ライトストラテジコード１は、図２２のストラテジのＴｔｏｐ、Ｔｍｐ、Ｔｃｌの推奨する時間情報が記載されている。また、図２４のＩＤ７は、図２９のｎ＋１が７であるときであり、フィールドＩＤ５のパートＢの図２７と同様に、２倍速のフィールドＩＤ値（７）と、ライトストラテジコード２と倍速値が記載されている。このライトストラテジコード２は図２２とは異なる波形の場合のストラテジのＴｔｏｐ、Ｔｍｐ、Ｔｃｌの推奨する時間情報、あるいは、図３６に示す記録ストラテジが記載されている。

同様に、図２４のＩＤｎは図２８のように、このディスクのｍ倍速（例えば、４倍、６倍、８倍）に対応している場合のフィールドＩＤ２と基本的には同様な内容の構造を示している。また、図２４のＩＤｎ＋１は図２９のように、このディスクのｍ倍速に対応している場合のフィールドＩＤ５と基本的には同様な内容の構造を示している。相違点は、４倍速、６倍速、８倍速においては、上述したようにデータの記録クロックと同一のクロック周期Ｔに基づくストラテジを用いては記録クロック周波数が高くなることにより記録できないので、データの記録クロックを２分周したクロック周期２Ｔに基づくストラテジ（上述した実施例で詳述）を用いる。

４倍速以上ではこのストラテジに基づいた必要な各パラメータを４倍速以上用に追加した新たなフィールドＩＤの領域に記載する。８倍速を越える速度では、クロック周期２Ｔでも実際の記録クロック周波数が高くなることにより記録できないことが発生するので、その場合はデータの記録クロックを更に分周し、クロック周期を３Ｔ又は４Ｔとしたストラテジを用いて、必要な各パラメータを記載する。

このように、１つの倍速数が追加になるのに従って、それぞれの倍速数に対応した２つのフィールドＩＤを追加することになる。例えば、１、２倍速用のディスクであれば、ＩＤはＩＤ０からＩＤ７まで、１、２、４倍速用のディスクであれば、ＩＤはＩＤ０からＩＤ９まで、１、２、４、・・・ｍ倍速用のディスクであれば、ＩＤはＩＤ０からＩＤｎ＋１までとなる。このＩＤが何処まで追加されるかによって、何倍速に対応しているかが簡単に知ることができ便利である。

但し、上記のように高速になるほど記録条件が厳しくなり、記録方法が複雑になるので、それに伴ってパラメータが増える場合には、３つ以上のフィールドＩＤを割り当てて記載する。

詳述しないがフィールドＩＤ１にエクステンションコードを用意しておき、エクステンションコードはフィールドＩＤがＩＤ５までであれば０としておく。例えば、２倍速の場合は、最大のＩＤはＩＤ７になるので、ＩＤ６と７の２つが追加されるということでエクステンションコードは２とする。つまり、最大のＩＤの数マイナス５をエクステンションコードとする。ＩＤｎ＋１を最大とすると、その時のエクステンションコードはｎ−４になる。

このように、そのディスクが対応している倍速数の応じて、それぞれの倍速値に対応するパワー設定の最適値を、フィールドＩＤを用意して記録して置くことにより、装置はそれぞれの最適な倍速数で、最適な記録条件を得ることができる。

また、図２２に示した記録ストラテジーに代えて、図３６に示す記録ストラテジーを用いても良いことは言うまでもない。

図１は、従来の光記録方法に用いられるマルチパルスストラテジの記録パルス系列を説明するための図。 図２は、従来の光記録方法に用いられるマルチパルスストラテジの記録パルス系列を説明するための図。 図３は、従来の光記録方法に用いられるマルチパルスストラテジの記録パルス系列を説明するための図。 図４は、本発明の光記録方法の第１実施例に係る分割パルス系列を説明するための図。 図５は、図４に示す分割パルス系列のうち長さ３Ｔ、４Ｔ、５Ｔ、６Ｔの記録信号に対応する分割パルスの波形を示す図。 図６は、図４に示す分割パルス系列のうち長さ７Ｔ、８Ｔ、９Ｔ、１０Ｔの記録信号に対応する分割パルスの波形を示す図。 図７は、図４に示す分割パルス系列のうち長さ１１Ｔ、１４Ｔの記録信号に対応する分割パルスの波形を示す図。 図８は、本発明の光記録媒体の縦断面を説明するための図。 図９は、本発明の光記録媒体の第１実施例乃至第１３実施例を説明するための図。 図１０は、本発明の光記録方法の第１、第３実施例である分割パルス系列の作成法（ｎ＝３，４）を説明するための図。 図１１は、本発明の光記録方法の第１実施例である分割パルス系列の作成法（ｎ≧５）を説明するための図。 図１２は、マルチパルスストラテジの光記録方法を用いて６倍速記録したアイパターンを示している波形図であり、図１２（ａ）は本発明の光記録方法と光記録媒体とを用いたアイパターン、図１２（ｂ）は従来の光記録方法を用いたアイパターン。 図１３は、アイパターンにおける変調度の計算パラーメータを示す図。 図１４は、マルチパルスストラテジの光記録方法を用いたレーザ出射後のパルス波形であり、図１４（ａ）は本発明の光記録方法を用いたときのパルス波形、図１４（ｂ）は従来の光記録方法を用いたときのパルス波形。 図１５は、本発明の光記録方法の第２実施例に係る分割パルス系列を説明するための図。 図１６は、本発明の光記録媒体記録装置の一実施例要部構成図。 図１７は、本発明の光記録方法の第３実施例に係る分割パルス系列を説明するための図。 図１８は、図１７に示す分割パルス系列のうち長さ３Ｔ、４Ｔ、５Ｔ、６Ｔの記録信号に対応する分割パルスの波形を示す図。 図１９は、図１７に示す分割パルス系列のうち長さ７Ｔ、８Ｔ、９Ｔ、１０Ｔの記録信号に対応する分割パルスの波形を示す図。 図２０は、図１７に示す分割パルス系列のうち長さ１１Ｔ、１４Ｔの記録信号に対応する分割パルスの波形を示す図。 図２１は、本発明の光記録媒体の第２１実施例乃至第３２実施例を説明するための図。 図２２は、本発明の光ディスクの一実施例に係る基本的な作用を示す記録波形図。 図２３は、本発明の光ディスクのフィールドＩＤに記録される情報を示す図。 図２４は、本発明の光ディスクのフィールドＩＤに記録される情報を示す図。 図２５は、本発明の光ディスクのフィールドＩＤに記録される情報を示す図。 図２６は、本発明の光ディスクのフィールドＩＤに記録される情報を示す図。 図２７は、本発明の光ディスクのフィールドＩＤに記録される情報を示す図。 図２８は、本発明の光ディスクのフィールドＩＤに記録される情報を示す図。 図２９は、本発明の光ディスクのフィールドＩＤに記録される情報を示す図。 図３０は、本発明の光ディスクのフィールドＩＤに記録される情報を示す図。 図３１は、本発明の光ディスクの全体の構造を示す図。 図３２は、本発明の光ディスク記録再生装置の一実施例に係る光ディスク装置の主要部を示すブロック図。 図３３は、図３２で示す装置のプリアンプの構成例を示すブロック図。 図３４は、本発明の実施例に係る光ディスクのＲＭＤに記録される情報を示す図。 図３５は、本発明の光記録方法の第４実施例に用いられる第１の記録ストラテジを説明するための図。 図３６は、本発明の光記録方法の第４実施例に用いられる第２の記録ストラテジを説明するための図。 図３７（ａ）乃至３７（ｄ）は、図３５、図３６に示す記録ストラテジをそれぞれ用いて初回記録、１０回記録したときのアイパターン。

符号の説明

１ 基板
１ａ レーザ入射面
２ 下側誘電体層（第１保護層）
３ 記録層
３Ｔｃｌ クーリングパワー区間
４ 上側誘電体層（第２保護層）
５ 反射層
６ 保護膜
１９ マーク長カウンタ（判定手段）
２１ 加熱パルス生成部（先頭パルス生成手段）
２２ 消去パルス生成部
２３ マルチパルス生成部（マルチパルス生成手段）
２４ エッジセレクタ
２５ パルスエッジ生成部
１１０ キー入力部
１１２ システムコントローラ
１１４ 信号処理部
１１６ サーボプロセッサ
１１８ ドライバ
１２０ スピンドルモータ
１２４ ピックアップ
１２６ プリアンプ
１２８ 一時記憶メモリ
１３０ デコーダ
１４９ サーボエラー信号生成回路
１５０ アンプ
１５２ イコライザ
１５４ ＰＬＬ回路
１５６ ジッタ生成回路
１５８ レーザ駆動回路
１６０ 波形補正回路
１６２ 切換回路
１６４ テストパターン発生回路
１６６ 温度検出回路
１７０ アシンメトリ検出回路
１７１ ＰＬＬ回路
１７２ ウォブル検出回路
１７３ アドレス検出回路
１７４ タイミング生成回路
ＡＡ 相変化型光ディスク、ディスク（光記録媒体）
ｄＴ３ 先頭パルスの長さを調整する区間
eＴcl，oＴcl クーリングパワーの区間
Ｐｂ 冷却パワー（バイアスパワー）
Ｐｅ 消去パワー
Ｐｗ 加熱パワー（記録パワー）
Ｔ クロック周期
Ｔ３ 先頭パルスの長さ区間
Ｔｍｐ マルチパルス期間
Ｔｍｐ−eＴdlp２，Ｔｍｐ＋oＴdlp２ 後端の記録パルスの区間
（２Ｔ−Ｔｍｐ）−eＴdlp１，（２Ｔ−Ｔｍｐ）＋oＴdlp１ バイアスパワー区間

Claims (4)

1. 照射レーザ光のレーザパワーを記録パワーＰｗ、消去パワーＰｅ、バイアスパワーＰｂ（ただしＰｗ＞Ｐｅ＞Ｐｂ）の３値で変調して、長さｎＴ（ｎ：３以上の整数、Ｔ：データを記録するためのクロック周期）のデータに対応したマークを形成する際に、データを記録するためのクロックを２分周したクロックを基本とする記録ストラテジを用いた光記録方法であって、
   前記２分周したクロックの長さと、それぞれの記録データの長さの関係に基づいて、記録マークを形成するための分割された記録パルス中に、先端の記録パルスと、中間の記録パルスと、後端の記録パルスとを含み、
   前記中間の記録パルスは前記先端の記録パルスと同一のパルス幅であり、前記後端の記録パルスの前のバイアスパワー区間と、前記後端の記録パルスの区間と、前記後端の記録パルスの後のクーリングパワーの区間の３つの時間区間を、前記２分周周期である偶数と奇数の記録データによって変更することを含むことを特徴とする光記録方法。
2. 照射レーザ光のレーザパワーを記録パワーＰｗ、消去パワーＰｅ、バイアスパワーＰｂ（ただしＰｗ＞Ｐｅ＞Ｐｂ）の３値で変調して、長さｎＴ（ｎ：３以上の整数、Ｔ：データを記録するためのクロック周期）のデータに対応したマークを形成する際に、データを記録するためのクロックを２分周したクロックを基本とする記録ストラテジを用いた光記録方法であって、
   前記２分周したクロックの長さと、それぞれの記録データの長さの関係に基づいて、記録マークを形成するための分割された記録パルス中に、３Ｔマークを形成するための、先頭パルスの長さ区間Ｔ３と、先頭パルスの長さを調整する区間ｄＴ３と、後端のクーリングパワー区間３Ｔｃｌと、４Ｔ以上の偶数または奇数のマークを形成するための、先端の記録パルスＴｍｐと、１または複数の中間の記録パルスＴｍｐと、後端の記録パルスとを含み、
   偶数の記録データの長さのための、前記後端の記録パルスの前のバイアスパワー区間（２Ｔ−Ｔｍｐ）−ｅＴｄｌｐ１と、前記後端の記録パルスの区間Ｔｍｐ−ｅＴｄｌｐ２と、前記後端の記録パルスの後のクーリングパワーの区間ｅＴｃｌの３つの時間区間と、奇数の記録データの長さのための、前記後端の記録パルスの前のバイアスパワー区間（２Ｔ−Ｔｍｐ）＋ｏＴｄｌｐ１と、前記後端の記録パルスの区間Ｔｍｐ＋ｏＴｄｌｐ２と、前記後端の記録パルスの後のクーリングパワーの区間ｏＴｃｌの３つの時間区間とを含むことを特徴とする光記録方法。
3. 照射レーザ光のレーザパワーを記録パワーＰｗ、消去パワーＰｅ、バイアスパワーＰｂ（ただしＰｗ＞Ｐｅ＞Ｐｂ）の３値で変調して、長さｎＴ（ｎ：３以上の整数、Ｔ：データを記録するためのクロック周期）のデータに対応したマークを形成する際に、データを記録するためのクロックを２分周したクロックを基本とする記録ストラテジを用いた光記録装置であって、
   前記２分周したクロックの長さと、それぞれの記録データの長さの関係に基づいて、記録マークを形成するための分割された記録パルス中に、先端の記録パルスと、中間の記録パルスと、後端の記録パルスとを含み、
   前記中間の記録パルスは前記先端の記録パルスと同一のパルス幅であり、前記後端の記録パルスの前のバイアスパワー区間と、前記後端の記録パルスの区間と、前記後端の記録パルスの後のクーリングパワーの区間の３つの時間区間を、前記２分周周期である偶数と奇数の記録データによって変更することを含むことを特徴とする光記録装置。
4. 照射レーザ光のレーザパワーを記録パワーＰｗ、消去パワーＰｅ、バイアスパワーＰｂ（ただしＰｗ＞Ｐｅ＞Ｐｂ）の３値で変調して、長さｎＴ（ｎ：３以上の整数、Ｔ：データを記録するためのクロック周期）のデータに対応したマークを形成する際に、データを記録するためのクロックを２分周したクロックを基本とする記録ストラテジを用いた光記録装置であって、
   前記２分周したクロックの長さと、それぞれの記録データの長さの関係に基づいて、記録マークを形成するための分割された記録パルス中に、３Ｔマークを形成するための、先頭パルスの長さ区間Ｔ３と、先頭パルスの長さを調整する区間ｄＴ３と、後端のクーリングパワー区間３Ｔｃｌと、４Ｔ以上の偶数または奇数のマークを形成するための、先端の記録パルスＴｍｐと、１または複数の中間の記録パルスＴｍｐと、後端の記録パルスとを含み、
   偶数の記録データの長さのための、前記後端の記録パルスの前のバイアスパワー区間（２Ｔ−Ｔｍｐ）−ｅＴｄｌｐ１と、前記後端の記録パルスの区間Ｔｍｐ−ｅＴｄｌｐ２と、前記後端の記録パルスの後のクーリングパワーの区間ｅＴｃｌの３つの時間区間と、奇数の記録データの長さのための、前記後端の記録パルスの前のバイアスパワー区間（２Ｔ−Ｔｍｐ）＋ｏＴｄｌｐ１と、前記後端の記録パルスの区間Ｔｍｐ＋ｏＴｄｌｐ２と、前記後端の記録パルスの後のクーリングパワーの区間ｏＴｃｌの３つの時間区間とを含むことを特徴とする光記録装置。