JP4962203B2 - Ｅｕｖ露光装置、露光方法およびデバイス製造方法 - Google Patents

Description

本発明は、ＥＵＶ（Extreme Ultraviolet）光を使用する露光装置および該露光装置を使用する露光方法および該露光方法を使用する露光工程を有するデバイスの製造方法に関するものである。

近年、半導体集積回路の微細化に伴い、光の回折限界によって制限される光学系の解像力を向上させるために、従来の紫外線に代えてこれより短い波長（１１乃至１４ｎｍ、より広義には５乃至５０ｎｍ）のＥＵＶ（Extreme Ultraviolet）光（極端紫外線）を使用した投影リソグラフィ技術が開発されている。この技術は、最近ではＥＵＶリソグラフィと呼ばれており、従来の波長１９０ｎｍ程度の光線を用いた光リソグラフィでは実現不可能な、３２ｎｍ以下の解像力を得られる技術として期待されている。

ＥＵＶ光は光学材料を透過しないので、ＥＵＶ光用の光学素子として透過屈折型の光学素子を使用することができない。そこで、ＥＵＶ露光装置では、反射型のオプティカルインテグレータ、反射型のマスク（レチクル）、および反射型の投影光学系が使用される（たとえば特許文献１を参照）。光源からの光の強度分布は、オプティカルインテグレータによって均一化され、マスクに照射される。マスクに照射された光は、マスクで反射され、投影光学系を経てウェハに到達し、マスクのパターンがウェハに投影される。
米国特許６４５２６６１号公報

上記のようなＥＵＶ露光装置において、照明ムラおよび収差を最小とするには、強度分布の均一な光が所定の角度でマスクに入射するように、照明光学系を構成する各反射ミラーを調整することが重要である。したがって、照明光学系を精度よく調整することができるＥＵＶ露光装置に対するニーズがある。

本発明によるＥＵＶ露光装置は、ＥＵＶ光源からのＥＵＶ光束を入射するように構成され、前記光源からの光を被照射面に導く複数の反射ミラーと、前記複数の反射ミラーの少なくとも一つの反射ミラーの位置および傾きを調整する反射ミラー調整機構と、を備える。本発明によるＥＵＶ露光装置は、前記ＥＵＶ光源が発する光の波長と異なる波長の光を発する調整用光源と、前記調整用光源の発する光が前記少なくとも一つの反射ミラーに入射する位置および傾きを調整する光経路調整機構と、前記調整用光源が発し、前記少なくとも一つの反射ミラーに入射する光を検出するように、前記少なくとも一つの反射ミラーに入射する光束を検出可能に配置されたセンサと、をさらに備える。

本発明によるＥＵＶ露光装置によれば、光経路調整機構によって、調整用光源の発する光が少なくとも一つの反射ミラーに入射する位置および傾きを調整し、少なくとも一つの反射ミラーに入射する光束を検出可能に配置されたセンサによって、少なくとも一つの反射ミラーに入射する光を検出し、反射ミラー調整機構によって少なくとも一つの反射ミラーの位置および傾きを調整することができる。したがって、本発明によるＥＵＶ露光装置によれば、照明光学系を構成する各反射ミラーを精度よく調整することができる。

本発明によれば、照明光学系を精度よく調整することができるＥＵＶ露光装置が得られる。

図１は、一実施形態によるＥＵＶ露光装置の構成を示す図である。

図１において、光源ＬＳから射出された光は、照明光学系ＬＴおよび反射鏡２５を経てマスク（レチクル）Ｍに照射される。

マスクＭは、Ｙ方向に沿って移動可能なマスクステージ１１３によって保持されている。マスクステージ１１３の位置は、レーザ干渉計２９により計測されるように構成されている。照射されたマスクＭのパターンからの反射光は、反射型の投影光学系ＰＬを介して、感光性基板であるウェハＷ上にマスクパターンの像を形成する。すなわち、ウェハＷ上には、たとえば円弧状の静止露光領域（実効露光領域）が形成される。

ウェハＷは、Ｘ方向およびＹ方向に沿って二次元的に移動可能なウェハステージ３１によって保持されている。ウェハステージ３１の位置は、マスクステージ１１３と同様に、レーザ干渉計３３により計測されるように構成されている。

マスクステージ１１３およびウェハステージ３３を、投影光学系ＰＬに対してＹ方向に相対移動させながら、走査露光（スキャン露光）を行うことにより、ウェハＷの１つの矩形状のショット領域にマスクＭのパターンが転写される。

このとき、投影光学系ＰＬの投影倍率（転写倍率）が例えば１／４である場合、ウェハステージ７の移動速度をマスクステージ５の移動速度の１／４に設定して同期走査を行う。また、ウェハステージ７をＸ方向およびＹ方向に沿って二次元的に移動させながら走査露光を繰り返すことにより、ウェハＷの各ショット領域にマスクＭのパターンが逐次転写される。

図２は、一実施形態によるＥＵＶ露光装置の詳細な構成を示す図である。

図２において、光源ＬＳは、レーザ光源１１、集光レンズ１３、ノズル１７、楕円反射鏡１９、ダクト２１を備える。たとえば、キセノンからなる高圧ガスがノズル１７から供給され、気体ターゲット１５を構成する。レーザ光源１１から放射された光が、集光レンズ１３を介して気体ターゲット１５上に集光する。気体ターゲット１５は、集光されたレーザ光によりエネルギーを得てプラズマ化し、ＥＵＶ光を放射する。発光を終えたガスは、ダクト２１を介して排出される。

気体ターゲット１５は、楕円反射鏡の第１焦点に位置決めされている。したがって、放射されたＥＵＶ光は、楕円反射鏡１９の第２焦点を含む領域に集光する。該領域を集光領域と呼称する。集光領域を通過した光は、照明光学系ＬＴに到達する。

照明光学系ＬＴは、凹面反射鏡２１、一対のフライアイミラー１１１ａおよび１１１ｂからなるオプティカルインテグレータ１１１、凸面反射鏡２３ａおよび凹面反射鏡２３ｂからなるコンデンサー光学系２３を備える。照明光学系ＬＴに入射した光は、凹面反射鏡２１を介してほぼ平行光束となり、一対のフライアイミラー１１１ａおよび１１１ｂからなるオプティカルインテグレータ１１１によって、フライアイミラー１１１ｂの射出面の近傍に実質的な面光源が形成される。実質的な面光源からの光は、コンデンサー光学系２３を介して、照明光学系ＬＴから射出される。

照明光学系ＬＴから射出された光は、平面反射鏡２５により偏向された後、視野絞り２７の円弧状の開口部を通過して、マスクＭ上に円弧状の照明領域を形成する。マスクＭに反射された光は、反射鏡Ｍ１乃至Ｍ６からなる投影光学系ＰＬを介して、ウェハＷ上の円弧状の露光領域にマスクパターンの像を形成する。

本実施形態において、集光領域には、退避可能なミラー１０５が配置される。ミラー１０５は、調整時に光の経路に配置され、露光中は図示しない移動機構により光の経路外に退避される。調整時には、レーザ光源１０１からの光が、平行平板１０３を経てミラー１０５に照射される。ミラー１０５は、直交する２軸の周りに回転可能であり、所定の回転角度において所定の方向に光を反射する。本実施形態においては、ミラー１０５によって所定の方向にレーザ光を反射することによって、たとえば、第１のフライアイミラー１１１ａの所望の位置にレーザ光を照射することができる。

図３は、ミラー１０５の構成の一例を示す図である。ミラー１０５は、ミラー部１０５１と、第１のフレーム１０５５と、第２のフレーム１０５９とを備える。ミラー部１０５１は、第１のフレーム１０５５に設置されたｙ軸方向の第１の軸１０５３の周りに回転可能であり、第１のフレーム１０５５は、第２のフレーム１０５９に設置されたｘ軸方向の第２の軸１０５７の周りに回転可能である。ｘ軸、ｙ軸はミラー面に平行であり、ｚ軸はミラー面に垂直である。第１の軸１０５３および第２の軸１０５７の回転角度は、制御することができるように構成されている。さらに、第２のフレーム１０５９は、図１におけるＹ軸方向に移動可能に構成され、露光時には、光の経路から退避される。

図４は、平行平板１０３の構成を示す図である。平行平板１０３は、レーザ光源１０１とミラー１０５との間に配置される。平行平板１０３は、たとえばＺ軸方向の軸１０３１の周りに回転可能に構成される。平行平板１０３をＺ軸周りに回転すると、ミラー１０５上において、レーザ光の照射される位置がＸ軸方向に移動する。また、平行平板１０３を図示しないＸ軸方向の軸の周りに回転可能に構成し、平行平板１０３をＸ軸周りに回転すると、ミラー１０５上において、レーザ光の照射される位置がＺ軸方向に移動する。このようにして、ミラー１０５上において、レーザ光の照射される位置を、Ｘ軸方向およびＺ軸方向に移動させることができる。

上記のミラー１０５および平行平板１０３は、集光領域において、調整用光源の発する光の経路を変化させる、光経路調整機構に対応する。

図５は他の実施形態によるレーザ光源１０７の構成を示す図である。レーザ光源１０７は、レーザ放射部１０７１と２次元のゴニオステージ１０７３を備える。レーザ放射部１０７１がゴニオステージ１０７３上で移動することにより、レーザ光線の方向を変えることができる。また、ゴニオステージ１０７３を移動させることにより、レーザ光の照射位置を変えることができる。ゴニオステージ１０７３は、調整用光源の発する光の経路を変化させる、光経路調整機構に対応する。レーザ光源１０７は調整時に集光領域に配置され、露光時にＥＵＶ項の経路外に退避するようにしてもよい。

図６は、第１のフライアイミラー１１１ａおよび第２のフライアイミラー１１１ｂからなるオプティカルインテグレータ（フライアイ光学系）の原理を説明するための図である。第１のフライアイミラー１１１ａは、複数の反射素子１１１ａａ、１１１ａｂ、１１１ａｃを備える。第２のフライアイミラー１１１ｂは、複数の反射素子１１１ｂａ、１１１ｂｂ、１１１ｂｃを備える。図６においては、３個の反射素子によってより多数の反射素子を表している。上述のように、第１のフライアイミラー１１１ａに入射する光はほぼ平行光束である。凹の反射素子１１１ａａに入射する平行光束は、凸の反射素子１１１ｂａ上に集光され、凸面反射鏡２３ａのほぼ全域を照射する。このように、複数の反射素子１１１ａａ、１１１ａｂ、１１１ａｃに入射する光は、凸面反射鏡２３ａのほぼ全域を重畳的に照射する。したがって、複数の反射素子１１１ａａ、１１１ａｂ、１１１ａｃに入射する光の強度にばらつきがあっても、第２のフライアイミラー１１１ｂの射出側における光束の、中心軸に対して垂直な面内の強度分布はほぼ一様となる。

ここで、オプティカルインテグレータ１１１を適切に機能させるには、たとえば、凹の反射素子１１１ａａに入射する平行光束が、凸の反射素子１１１ｂａ上に集光されるように、第１のフライアイミラー１１１ａおよび第２のフライアイミラー１１１ｂを位置決めする必要がある。

本実施形態においては、第１のフライアイミラー１１１ａおよび第２のフライアイミラー１１１ｂは、その面方向に移動可能であり、また、面を傾けることができるように構成されたステージに設置されている。

図７は、第１のフライアイミラー１１１ａの構成を示す図である。第１のフライアイミラー１１１ａは、ミラー部１１１０を取り囲むフレーム１１１９を備える。フレーム１１１９は、ガイド１１１５およびガイド１１１７を備える。ガイド１１１５およびガイド１１１７は、ガイド１１１５およびガイド１１１７に沿って移動可能なガイド１１１３を備える。ガイド１１１３は、ガイド１１１３に沿って移動可能な光電センサ１１１１を備える。光電センサ１１１１は、受光した光の強度を電気信号として出力することができるものであればよい。光電センサ１１１１は、ガイド１１１３に沿って図７の水平方向に移動する。ガイド１１１３は、ガイド１１１５およびガイド１１１７に沿って、図７の鉛直方向に移動する。このように、光電センサ１１１１は、ミラー部１１１０の面上を移動することができる。したがって、光電センサ１１１１によって、第１のフライアイミラー１１１ａに照射される光の位置を測定することができる。露光時には、光電センサ１１１１は、たとえば、位置１１１１Ｐに退避する。第２のフライアイミラー１１１ｂも同様に構成されており、光電センサによって、第２のフライアイミラー１１１ｂに照射される光の位置を測定することができる。なお、上述の例では、照明光学系を構成する複数の反射ミラーのうち、特に２つのフライアイミラーである、第１のフライアイミラー１１１ａおよび第２のフライアイミラー１１１ｂについて説明しているが、コリメートミラー２１、コンデンサミラー２３ａ、２３ｂおよびフラットミラー２５にも同様な光電センサを配置することにより、照明光学系を構成する全ての反射ミラーの位置調整が可能となる。もちろん、必要な反射ミラーにのみセンサを配置して、調整の必要なミラーのみ調整を行うようにすることも可能である。

図８および図９は、本実施形態による露光装置のマスクステージ１１３の構成を示す図である。マスクステージ１１３は、開口部Ｈ１およびピンホールＨ２を備える。ピンホールＨ２の位置は、マスクＭの表面の位置である。本実施形態による露光装置は、マスクステージ１１３の後方にスクリーン１１３１を備える。スクリーン１１３１は、一例として曇りガラスであってもよい。 露光装置のチャンバーの壁１１３３には、窓１１３５が備わり、窓１１３５の外側には、ＣＣＤカメラ１１３７が備わる。調整時に、開口部Ｈ１およびピンホールＨ２をレーザ光の照射位置に配置すれば、ピンホールを透過した光の像がスクリーン１１３１上に投影される。スクリーン１１３１上の光の像を、窓１１３５を通してＣＣＤカメラ１１３７によって撮影することによって、光の位置を求めることができる。スクリーン１１３１に位置測定用の目盛を付してもよい。スクリーン１１３１上の光の位置とピンホールＨ２の位置から、レーザ光のマスク面への入射角度を求めることができる。

図１０は、一実施形態による露光装置の調整方法を示す流れ図である。

図１０のステップＳ０１０において、集光領域から照射されるレーザ光の照射位置および照射角度を定める。たとえば、平行平板１０３を、Ｚ軸方向の軸１０３１の周りに回転させることによりミラー１０５上において、レーザ光の照射される位置をＸ軸方向に移動させることができる（図４）。また、ミラー１０５の第１の軸１０５３および第２の軸１０５７の回転角度を調整することによりレーザ光の照射角度を定めることができる（図３）。

図１０のステップＳ０２０において、第１のフライアイミラー（ＦＥＭ１）１１１ａにレーザ光を照射する。

図１０のステップＳ０３０において、第１のフライアイミラー（ＦＥＭ１）１１１ａの位置および傾きを調整する。ここで、ステップＳ０１０において、たとえば、第１のフライアイミラー１１１ａにおける凹の反射素子１１１ａａにレーザ光を入射させるようにレーザ光の照射位置および照射角度を定めているとする。この場合に、第１のフライアイミラー１１１ａの光電センサ１１１１を凹の反射素子１１１ａａの位置に移動させ、凹の反射素子１１１ａａにレーザ光が照射されていることを確認する。つぎに、第２のフライアイミラー１１１ｂの光電センサ１１１１を凸の反射素子１１１ｂａの位置に移動させ、凹の反射素子１１１ａａに反射されたレーザ光が、凸の反射素子１１１ｂａに照射されていることを確認する。凹の反射素子１１１ａａに反射されたレーザ光が、凸の反射素子１１１ｂａに照射されていなければ、凹の反射素子１１１ａａに反射されたレーザ光が、凸の反射素子１１１ｂａに照射されるように、第１のフライアイミラー（ＦＥＭ１）１１１ａの位置および傾きを調整する。

図１０のステップＳ０４０において、第１のフライアイミラー（ＦＥＭ１）１１１ａの位置および傾きの調整が完了したかどうか判断する。一例として、３個の凹の反射素子（たとえば、１１１ａａ、１１１ａｂ、１１１ａｃ）に反射されたレーザ光が、それぞれ対応する凸の反射素子（たとえば、１１１ｂａ、１１１ｂｂ、１１１ｂｃ）に照射された場合に、第１のフライアイミラー１１１ａ（ＦＥＭ１）の位置および傾きの調整が完了したと判断する。３個の凹の反射素子は、第１のフライアイミラーの面において、互いに隔たっていることが好ましい。調整が完了していれば、ステップＳ０５０に進む。調整が完了していなければ、ステップＳ０１０に戻る。

以上、フライアイ光学系の位置及び傾きの調整について具体的に説明したが、同様にして、コリメートミラー２１、コンデンサミラー２３ａ、２３ｂおよびフラットミラー２５の位置と傾きを調整することが可能である。この時、コリメートミラー２１、フライアイミラー１１１ａ、１１１ｂ、コンデンサミラー２３ａ、２３ｂ、フラットミラー２５の順に上流側から調整を行う。もちろん、このような位置及び傾きの調整が不要なミラーについては本実施形態の調整は行わないようにしてもよい。また、フライアイミラーを構成する複数のミラー要素の各々の位置または／および角度を調整するようなアクチュエータを配置しておき、各ミラー要素の位置、角度の調整を行うようにしてもよい。つまり、ステップＳ０２０，Ｓ０３０、Ｓ０４０のステップを上流の反射ミラーから順に行い調整することが可能である。

図１０のステップＳ０５０において、マスクステージ１１３を移動させることによって、マスクステージ１１３のピンホールＨ２を所定の位置に移動させる。所定の位置は、たとえば、設計上、凹の反射素子１１１ａａおよび凸の反射素子１１１ｂａに反射されたレーザ光が、マスクステージ１１３のマスク面に到達する位置である。

図１０のステップＳ０６０において、レーザ光の入射角度を求める。マスク面上のピンホールＨ２の位置、すなわち、マスクステージ１１３の位置およびスクリーン１１３１上のレーザ光の位置からレーザ光の入射角度を求めることができる。

図１０のステップＳ０７０において、たとえば、設計値と比較して、レーザ光の入射角度は、適切であるかどうか判断する。レーザ光の入射角度が、適切であれば処理を終了する。レーザ光の入射角度が、適切でなければ、ステップＳ０１０に戻る。

図１１は、デバイスの製造工程の一例を示す流れ図である。

ステップＳ１０１０において、デバイスの機能・性能設計を行う。

ステップＳ１０２０において、ステップＳ１０１０における設計結果に基づいてマスク（レチクル）を製作する。

ステップＳ１０３０において、デバイスの基材である基板を製造する。

ステップＳ１０４０において、基板処理を行う。基板処理は、上述の実施形態にしたがってＥＵＶ露光装置によってマスクを介した露光光でウェハ上のレジストを露光する工程と、露光したレジストを現像する工程と、ウェハのエッチングを行う工程と、を含む。

ステップＳ１０５０において、デバイスを組み立てる。デバイスの組み立ては、ダイシング工程、ボンディング工程、パッケージング工程などの加工工程を含む。

ステップＳ１０６０において、デバイスの検査を行う。

一実施形態によるＥＵＶ露光装置は、調整用光源の発する光が、フライアイ光学系のＥＵＶ光源側に形成されるＥＵＶ光束の集光領域を通過するように構成され、光経路調整機構が、前記集光領域において、前記調整用光源の発する光の経路を変えることによって、前記調整用光源の発する光が前記フライアイ光学系に入射する位置および傾きを調整するように構成されている。

本実施形態によれば、集光領域において、調整用光源の発する光の経路を変えることによって、調整用光源の発する光がフライアイ光学系に入射する位置および傾きを調整することができる。

他の実施形態によるＥＵＶ露光装置は、調整用光源の発する光を通過させる開口を備えたマスクステージと、フライアイ光学系に反射され、前記開口を通過した、調整用光源の発する光を投影するスクリーンと、をさらに備える。

本実施形態によれば、開口の位置およびスクリーンに投影される光の位置から、光のマスク面への入射角度を求めることができる。

他の実施形態によるＥＵＶ露光装置は、調整用光源が、発する光の方向を変化させることができるように構成されている。

本実施形態によれば、光経路調整機構により、調整用光源の発する光の方向を変化させることにより、調整用光源の発する光がフライアイ光学系に入射する位置および傾きを調整することができる。

他の実施形態によるＥＵＶ露光装置は、調整用光源が、ステージ上で移動可能なように構成されている。

本実施形態によれば、光経路調整機構により、ステージ上で調整用光源を移動させることにより、調整用光源の発する照明光学系の各ミラーに入射する位置および傾きを調整することができる。

他の実施形態によるＥＵＶ露光装置は、集光領域に、直交する複数の軸の周りに回転可能であるように構成されたミラーをさらに備え、調整用光源の発する光が、前記ミラーによって、前記集光領域内で、経路を変えることができるように構成されている。

本実施形態によれば、ミラーを、直交する複数の軸の周りに回転させることにより、集光領域において、集光領域において、調整用光源の発する光の経路を変えることによって、調整用光源の発する光がフライアイ光学系に入射する位置および傾きを調整することができる。

他の実施形態によるＥＵＶ露光装置は、調整用光源とミラーとの間の、前記調整用光源の発する光の経路上に、回転可能に設置された平行平板をさらに備え、前記調整用光源の発する光が、前記平行平板によって、前記集光領域内で、経路を変えることができるように構成されている。

本実施形態によれば、平行平板を、直交する複数の軸の周りに回転させることにより、集光領域において、調整用光源の発する光の経路を変えることによって、調整用光源の発する光が照明光学系の各ミラーに入射する位置および傾きを調整することができる。

他の実施形態によるＥＵＶ露光装置において、前記少なくとも一つの反射ミラーは、複数のミラー要素を有するフライアイ光学系である。

本実施形態によれば、フライアイ光学系を精度よく調整することができる。

他の実施形態によるＥＵＶ露光装置において、前記調整用光源の発する光が、前記フライアイ光学系の各ミラー要素に入射するように前記光経路調整機構が制御される。

本実施形態によれば、フライアイ光学系のミラー要素ごとに精度よく調整することができる。

一実施形態による露光方法は、一実施形態によるＥＵＶ露光装置を使用する。

本実施形態によれば、照明光学系を精度よく調整することができるので、照明ムラおよび収差を最小とすることができる。

一実施形態によるデバイス製造方法は、一実施形態による露光方法を用いてウェハに塗布したレジストに回路パターンを露光する露光工程と、前記レジストに露光された前記回路パターンの像を顕在化する現像工程と、前記顕在化された回路パターンにしたがって、ウェハのエッチングを行うエッチング工程と、を含む。

本実施形態によれば、露光工程において、照明ムラおよび収差を最小とすることができるので、回路パターンの解像度が向上し、高精度のデバイスを製造することができる。

一実施形態によるＥＵＶ露光装置の構成を示す図である。 一実施形態によるＥＵＶ露光装置の詳細な構成を示す図である。 ミラーの構成の一例を示す図である。 平行平板の構成を示す図である。 他の実施形態によるレーザ光源の構成を示す図である。 第１のフライアイミラーおよび第２のフライアイミラーからなるオプティカルインテグレータの原理を説明するための図である。 第１のフライアイミラーの構成を示す図である。 本実施形態による露光装置のマスクステージの構成を示す図である。 本実施形態による露光装置のマスクステージの構成を示す図である。 一実施形態による露光装置の調整方法を示す流れ図である。 デバイスの製造工程の一例を示す流れ図である。

符号の説明

１０１，１０７…レーザ光源、１０３…平行平板、１０５…ミラー、１１１ａ…第１のフライアイミラー、１１１ｂ…第２のフライアイミラー、１１３…マスクステージ

Claims (11)

1. ＥＵＶ光源からのＥＵＶ光束を入射するように構成され、前記光源からの光を被照射面に導く複数の反射ミラーと、
   前記複数の反射ミラーの少なくとも一つの反射ミラーの位置および傾きを調整する反射ミラー調整機構と、
   前記ＥＵＶ光源が発する光の波長と異なる波長の光を発する調整用光源と、
   前記調整用光源の発する光が前記少なくとも一つの反射ミラーに入射する位置および傾きを調整する光経路調整機構と、
   前記調整用光源が発し、前記少なくとも一つの反射ミラーに入射する光を検出するように、前記少なくとも一つの反射ミラーに入射する光束を検出可能に配置されたセンサと、
   を備えたＥＵＶ露光装置。
2. 前記調整用光源の発する光が、前記少なくとも一つの反射ミラーの前記ＥＵＶ光源側に形成されるＥＵＶ光束の集光領域を通過するように構成され、前記光経路調整機構が、前記集光領域において、前記調整用光源の発する光の経路を変えることによって、前記調整用光源の発する光が前記少なくとも一つの反射ミラーに入射する位置および傾きを調整するように構成された請求項１に記載のＥＵＶ露光装置。
3. 前記調整用光源の発する光を通過させる開口を備えたマスクステージと、
   前記少なくとも一つの反射ミラーで反射され、前記開口を通過した、前記調整用光源の発する光を投影するスクリーンと、をさらに備えた請求項１または２に記載のＥＵＶ露光装置。
4. 前記調整用光源が、発する光の方向を変化させることができるように構成された請求項１から３のいずれか一項に記載のＥＵＶ露光装置。
5. 前記調整用光源が、ステージ上で移動可能なように構成された請求項４に記載のＥＵＶ露光装置。
6. 前記集光領域に、直交する複数の軸の周りに回転可能であるように構成された回転可能なミラーをさらに備え、前記調整用光源の発する光が、前記回転可能なミラーによって、前記集光領域内で、経路を変えることができるように構成された請求項１乃至５のいずれか１項に記載のＥＵＶ露光装置。
7. 前記調整用光源と前記回転可能なミラーとの間の、前記調整用光源の発する光の経路上に、回転可能に設置された平行平板をさらに備え、前記調整用光源の発する光が、前記平行平板によって、前記集光領域内で、経路を変えることができるように構成された請求項６に記載のＥＵＶ露光装置。
8. 前記少なくとも一つの反射ミラーは、複数のミラー要素を有するフライアイ光学系である請求項１乃至７のいずれか１項に記載のＥＵＶ露光装置。
9. 前記調整用光源の発する光が、前記フライアイ光学系の各ミラー要素に入射するように前記光経路調整機構が制御される請求項８に記載のＥＵＶ露光装置。
10. 請求項１から９のいずれか一項に記載のＥＵＶ露光装置を使用する露光方法。
11. 請求項１０に記載の露光方法を用いてウェハに塗布したレジストに回路パターンを露光する露光工程と、
    前記レジストに露光された前記回路パターンの像を顕在化する現像工程と、
    前記顕在化された回路パターンにしたがって、ウェハのエッチングを行うエッチング工程と、
    を含むデバイス製造方法。

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