JP4512627B2 - 測定装置、露光装置及びデバイス製造方法 - Google Patents
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Description
例えば、入射角度θinを84度とすると、m1=19・dZとなり、ウエハ140の変位を19倍に拡大した変位量になる。受光素子158での変位量は、式1に光学系の倍率(即ち、レンズ157によるの結像倍率)が掛け合わされる。
・・・(2)
但し、式2において、iは、ウエハ140上の測定位置を示すポイント番号である。
10 照明光学系
12 光源
14 コンデンサーレンズ
16 スリット板
20 投光光学系
22 凹面ミラー
221及び222 凹面ミラー
224 凹面ミラー
23 凸面ミラー
24 開口絞り
25 ビームスプリッタ
30 受光光学系
31 参照ミラー
32 ビームスプリッタ
33 撮像素子
34 凹面ミラー
341及び342 凹面ミラー
344 凹面ミラー
35 凸面ミラー
36 開口絞り
37 平面ミラー
40 ステージ系
50 データ処理系
52 演算部
54 記憶部
56 表示部
SB 基板
100 露光装置
Claims (10)
- 被測定物の表面形状を測定する測定装置であって、
光源からの光を測定光と参照光とに分離して、前記測定光を前記被測定物の表面に入射させ、前記参照光を参照ミラーに入射させる投光光学系と、
前記被測定物の表面で反射した前記測定光と前記参照ミラーで反射した前記参照光とを光電変換素子に導く受光光学系と、
前記光電変換素子で検出され、前記測定光と前記参照光によって形成される干渉パターンに基づいて前記被測定物の表面形状を算出する処理部とを有し、
前記光源からの光は、100nm以上の波長帯域の光であり、
前記投光光学系は、前記光源からの光を順に反射する、第1の凹面形状の反射面、凸面形状の反射面及び第2の凹面形状の反射面からなる結像光学系を有し、
前記結像光学系は前記光源からの光を前記被測定物に結像し、前記投光光学系の結像倍率は、前記反射面により決定されることを特徴とする測定装置。 - 被測定物の表面形状を測定する測定装置であって、
光源からの光を測定光と参照光とに分離して、前記測定光を前記被測定物の表面に入射させ、前記参照光を参照ミラーに入射させる投光光学系と、
前記被測定物の表面で反射した前記測定光と前記参照ミラーで反射した前記参照光とを光電変換素子に導く受光光学系と、
前記光電変換素子で検出され、前記測定光と前記参照光によって形成される干渉パターンに基づいて前記被測定物の表面形状を算出する処理部とを有し、
前記光源からの光は、100nm以上の波長帯域の光であり、
前記受光光学系は、前記被測定物からの光を順に反射する、第1の凹面形状の反射面、凸面形状の反射面及び第2の凹面形状の反射面からなる結像光学系を有し、
前記結像光学系は前記被測定物からの光を前記光電変換素子に結像し、前記受光光学系の結像倍率は、前記反射面により決定されることを特徴とする測定装置。 - 前記光源からの光は、400nm乃至800nmの波長帯域の光であることを特徴とする請求項1又は2記載の測定装置。
- 前記投光光学系は、前記光源からの光を2つの光に分離するビームスプリッタを含み、
前記ビームスプリッタで分離された2つの光のうち一方の光を前記測定光とし、他方の光を前記参照光とすることを特徴とする請求項1乃至3のうちいずれか1項記載の測定装置。 - 前記受光光学系は、第3の凹面形状の反射面、凸面形状の反射面及び第4の凹面形状の反射面の順に前記被測定物からの光を反射する結像光学系であることを特徴とする請求項1記載の測定装置。
- 前記第1の凹面形状の反射面、前記凸面形状の反射面及び前記第2の凹面形状の反射面は、それぞれの曲率中心が一致していることを特徴とする請求項1記載の測定装置。
- 前記凸面形状の反射面の曲率は、前記第1の凹面形状の反射面及び前記第2の凹面形状の反射面の曲率の2倍の曲率を有し、
前記第1の凹面形状の反射面及び前記第2の凹面形状の反射面の曲率中心と前記凸面形状の反射面の曲率中心とが一致しないように、配置されていることを特徴とする請求項1記載の測定装置。 - レチクルを照明する照明光学系と、
前記レチクルのパターンを基板に投影する投影光学系と、
前記基板又は前記基板に塗布されたレジストの表面形状を測定する測定装置と、
前記測定装置の測定結果に基づいて前記基板の位置を補正するステージとを有し、
前記測定装置は、請求項1乃至7のうちいずれか一項に記載の測定装置であることを特徴とする露光装置。 - 前記基板又は前記基板に塗布されたレジストの表面位置を測定するセンサを更に有し、
前記センサの測定結果は、前記測定装置の測定結果に基づいて較正されることを特徴とする請求項8記載の露光装置。 - 請求項8又は9記載の露光装置を用いて基板を露光するステップと、
露光された前記基板を現像するステップとを有することを特徴とするデバイス製造方法。
Priority Applications (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2007260358A JP4512627B2 (ja) | 2007-10-03 | 2007-10-03 | 測定装置、露光装置及びデバイス製造方法 |
US12/239,936 US8233140B2 (en) | 2007-10-03 | 2008-09-29 | Measuring apparatus, exposure apparatus, and device fabrication method |
TW097137745A TW200931190A (en) | 2007-10-03 | 2008-10-01 | Measuring apparatus, exposure apparatus, and semiconductor device fabrication method |
KR1020080097612A KR20090034784A (ko) | 2007-10-03 | 2008-10-06 | 측정 장치, 노광 장치 및 디바이스 제조 방법 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2007260358A JP4512627B2 (ja) | 2007-10-03 | 2007-10-03 | 測定装置、露光装置及びデバイス製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2009092389A JP2009092389A (ja) | 2009-04-30 |
JP4512627B2 true JP4512627B2 (ja) | 2010-07-28 |
Family
ID=40522958
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2007260358A Expired - Fee Related JP4512627B2 (ja) | 2007-10-03 | 2007-10-03 | 測定装置、露光装置及びデバイス製造方法 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US8233140B2 (ja) |
JP (1) | JP4512627B2 (ja) |
KR (1) | KR20090034784A (ja) |
TW (1) | TW200931190A (ja) |
Families Citing this family (18)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7929129B2 (en) * | 2009-05-22 | 2011-04-19 | Corning Incorporated | Inspection systems for glass sheets |
EP2443440B1 (en) | 2009-06-19 | 2019-11-27 | KLA-Tencor Corporation | Euv high throughput inspection system for defect detection on patterned euv masks, mask blanks, and wafers |
JP2011040547A (ja) | 2009-08-10 | 2011-02-24 | Canon Inc | 計測装置、露光装置及びデバイスの製造方法 |
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-
2007
- 2007-10-03 JP JP2007260358A patent/JP4512627B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2008
- 2008-09-29 US US12/239,936 patent/US8233140B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2008-10-01 TW TW097137745A patent/TW200931190A/zh unknown
- 2008-10-06 KR KR1020080097612A patent/KR20090034784A/ko not_active Application Discontinuation
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Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20090091723A1 (en) | 2009-04-09 |
KR20090034784A (ko) | 2009-04-08 |
TW200931190A (en) | 2009-07-16 |
JP2009092389A (ja) | 2009-04-30 |
US8233140B2 (en) | 2012-07-31 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
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A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20090724 |
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A131 | Notification of reasons for refusal |
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TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
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A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
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FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
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LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |