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JP4512627B2 - 測定装置、露光装置及びデバイス製造方法 - Google Patents

測定装置、露光装置及びデバイス製造方法 Download PDF

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Description

本発明は、測定装置、露光装置及びデバイス製造方法に関する。
フォトリソグラフィー技術を用いて半導体メモリや論理回路などの微細な半導体デバイス又は液晶デバイスを製造する際に、従来から投影露光装置が使用されている。投影露光装置は、レチクル(マスク)に描画されたパターンを投影光学系によってウエハ等の基板に投影してパターンを転写する。
投影光学系においては、半導体デバイスの微細化及び高集積化に伴い、より高い解像度でレチクルのパターンを基板に投影露光することが要求されている。投影露光装置で転写できる最小の寸法(解像度)は、露光に用いる光(露光光)の波長に比例し、投影光学系の開口数(NA)に反比例する。従って、露光光の波長を短くすればするほど、及び、投影光学系のNAを上げれば上げるほど、解像度はよくなる。このため、近年では、KrFエキシマレーザー(波長約248nm)やArFエキシマレーザー(波長約193nm)が露光光源として用いられ、投影光学系と基板との間を液体で満たして投影光学系のNAを増大させる液浸露光の実用化も進んでいる。更に、投影露光装置においては、露光領域の一層の拡大も要求されている。
このような要求を達成するために、ステップ・アンド・リピート方式の露光装置(ステッパー)からステップ・アンド・スキャン方式の露光装置(スキャナー)が主流となってきている。ここで、ステッパーとは、略正方形状の露光領域を基板に縮小して一括投影露光する露光装置である。また、スキャナーとは、露光領域を矩形のスリット形状(露光スリット)とし、レチクルと基板を相対的に高速走査して大画面を精度よく露光する露光装置である。
スキャナーでは、基板の所定の位置が露光スリットに差し掛かる前に、光入射系の表面位置検出手段によって、そのウエハの所定の位置における表面位置を測定し、かかる所定の位置を露光する際に基板の表面を最適な結像位置に合わせ込む補正を行っている。なお、露光スリットの長手方向(即ち、走査方向に垂直な方向)には、基板の表面位置の高さ(フォーカス)だけではなく表面の傾き(チルト)を測定するために、露光スリットの前段及び後段に複数の測定点が配置されている。フォーカス及びチルトを測定する技術に関しては、従来から幾つか提案されている(特許文献1及び2参照)。例えば、特許文献1には、光学式のセンサを用いた技術が開示されている。また、特許文献2には、静電容量センサを用いた技術が開示されている。
しかしながら、近年では、露光光の短波長化及び投影光学系の高NA化が進んでいるため、焦点深度が極めて小さくなっており、露光すべき基板の表面を最良結像位置に合わせ込む精度、所謂、フォーカス精度もますます厳しくなってきている。具体的には、表面位置検出手段において、表面位置検出手段を構成する光学系の性能に起因する測定誤差を無視することができなくなってきている。
特許文献2は、図13に示すように、基板に斜めから光を照射して得られる干渉信号に基づいて基板の形状を測定する技術を開示している。但し、特許文献2に開示された技術は、ウエハに相当する被測定物と撮像素子との間に配置され、かかる被測定物と撮像素子とを結像関係にするレンズで構成された光学系の光学的結像性能の影響によって、被測定物の形状を誤測定してしまう。ここで、図13は、被測定物の形状を測定する従来の測定装置の構成を示す概略図である。
図13に示す従来の測定装置において、アクチュエータを介して、表面に垂直な方向に被測定物を走査して得られる干渉信号(所謂、白色干渉信号)を図14に示す。図14に示すケース1の干渉信号は、光学系(レンズ)の収差の影響が小さい場合の干渉信号である。一方、光学系(レンズ)は、一般的に、図15に示すように、波長毎に異なる収差量(所謂、色収差)を有するため、従来の測定装置においては、図14に示すケース2のような干渉信号が得られる。ケース2の干渉信号は、ケース1の干渉信号と比較して、光学系(レンズ)の収差の影響によって歪みが生じている。このような干渉信号の歪みは、基板の形状プロファイル測定値に誤差を発生させてしまう。光学系を構成するレンズの数を増加させたり、高価な硝材を使用したりすることで光学系の収差を低減させることは可能であるが、白色干渉信号を得る場合には、広帯域の光源を用いることが望ましく、光学系の収差を低減させることが非常に困難である。なお、収差を低減させた光学系が実現できたとしても、光学系のレンズの数を増加させたり、高価な硝材を使用したりしているため、著しいコストの増加を招いてしまう。
また、白色干渉信号のコントラストを向上させる技術として、一般に、基板に照射する光の波長帯域を拡大させることが知られている。なお、基板の表面にレジストなどの薄膜が塗布されている場合には、短波長側の波長帯域を拡大することが効果的であると考えられている。この場合、使用する硝材によっては短波長側の透過率が低いため、干渉信号に影響を及ぼしてしまう可能性がある。
図16は、図13に示す従来の測定装置において、被測定物に照射する光の波長帯域を拡大し、表面に垂直な方向に被測定物を走査して得られる干渉信号(白色干渉信号)を示す図である。図16に示すケース3の干渉信号は、硝材の短波長側の吸収率が小さい(即ち、透過率が高い)場合の干渉信号である。図16に示すケース4の干渉信号は、硝材の短波長側の吸収率が大きい(即ち、透過率が低い)場合の干渉信号である。ケース4の干渉信号を参照するに、短波長の帯域が吸収されているため、低コヒーレンス性が低下し、基板の形状プロファイル測定値に誤差が発生していることがわかる。
また、短波長の光を硝材が吸収することによって内部欠損が生じ、短波長側の透過率が低下するという現象(ソラリゼーション)が知られている。従って、被測定物に光を照射する時間に応じて、参照面からの反射光及び基板の表面からの反射光の分光特性が異なることとなり、基板の形状プロファイル測定値に誤差を発生させてしまう。
そこで、本発明は、光学系の収差の影響及び硝材の透過率に起因する分光特性変化の影響を低減して、被測定物の形状を高精度に測定することができる測定装置を提供することを例示的目的とする。
上記目的を達成するために、本発明の一側面としての測定装置は、被測定物の表面形状を測定する測定装置であって、光源からの光を測定光と参照光とに分離して、前記測定光を前記被測定物の表面に入射させ、前記参照光を参照ミラーに入射させる投光光学系と、前記被測定物の表面で反射した前記測定光と前記参照ミラーで反射した前記参照光とを光電変換素子に導く受光光学系と、前記光電変換素子で検出され、前記測定光と前記参照光によって形成される干渉パターンに基づいて前記被測定物の表面形状を算出する処理部とを有し、前記光源からの光は、100nm以上の波長帯域の光であり、前記投光光学系は、前記光源からの光を順に反射する、第1の凹面形状の反射面、凸面形状の反射面及び第2の凹面形状の反射面からなる結像光学系を有し、前記結像光学系は前記光源からの光を前記被測定物に結像し、前記投光光学系の結像倍率は、前記反射面により決定されることを特徴とする。
本発明の更なる目的又はその他の側面は、以下、添付図面を参照して説明される好ましい実施例によって明らかにされるであろう。
本発明によれば、例えば、光学系の収差の影響及び硝材の透過率に起因する分光特性変化の影響を低減して、被測定物の形状を高精度に測定することができる測定装置を提供することができる。
以下、添付図面を参照して、本発明の好適な実施の形態について説明する。なお、各図において、同一の部材については同一の参照番号を付し、重複する説明は省略する。
図1は、本発明の一側面としての測定装置1の構成を示す概略図である。測定装置1は、被測定物としての基板SBのXY面内の各点での高さ情報(Z位置)、基板SBの所定領域の平均的な高さ及び平均的な傾き情報(ωx、ωy)を測定する。換言すれば、測定装置1は、被測定物としての基板SBの表面形状を測定する。また、測定装置1は、基板SBに複数の薄膜が形成されている場合には、最上面の薄膜表面、各薄膜の界面又は基板SBの高さ情報を測定する。ここで、基板SBは、本実施形態では、露光装置においてレチクルのパターンが転写されるウエハである。
測定装置1は、図1に示すように、照明光学系10と、投光光学系20と、受光光学系30と、ステージ系40と、データ処理系50とを有する。
照明光学系10は、光源12と、コンデンサーレンズ14と、スリット板16とを含む。
光源12は、本実施形態では、広帯域な波長幅の光を発するLED(例えば、白色LED)又はハロゲンランプを使用する。但し、光源12は、狭帯域な波長幅の異なる発光波長のレーザーなどを複数合成して構成してもよい。光源12からの光の波長帯域は、本実施形態では、100nm以上の波長帯域、具体的には、400nm乃至800nmの波長帯域である。なお、基板SBにレジストが塗布さている場合は、レジストの感光を防ぐために、紫外線(350nm)以下の波長帯域の光を基板SBに照射しないことが好ましい。光源12からの光の偏光状態は、本実施形態では、無偏光又は円偏光の状態である。コンデンサーレンズ14は、光源12からの光を集光する。スリット板16は、光源12からの光を基板SBに照射させるための部材である。
投光光学系20は、照明光学系10からの光の方向を偏向させる平面ミラー21と、パワーを有する凹面ミラー22と、パワーを有する凸面ミラー23と、開口絞り24と、光を分離させるためのビームスプリッタ25とを有する。但し、照明系を構成できる十分なスペースがある場合には、平面ミラー21を構成する必要はない。また、開口絞り24の代わりに、反射膜又は反射防止膜などを用いて凸面ミラー23の反射領域を制限してもよい。なお、ここでの「パワーを有する」は「パワー(焦点距離の逆数)がゼロでない」ことを意味し、例えば、「パワーを有するミラー」には「平面ミラー」は含まれない。
凹面ミラー22及び凸面ミラー23は、投光光学系20において結像光学系を構成し、投光光学系20の結像倍率を決定する。凹面ミラー22及び凸面ミラー23は、本実施形態では、凹面ミラー22の曲率中心と凸面ミラー23の曲率中心とが一致する(同心円の関係)ように、配置されている。換言すれば、凹面ミラー22及び凸面ミラー23は、オフナー型と呼ばれる配置関係で配置される。但し、凸面ミラー23の曲率(R凸)を凹面ミラー22の曲率(R凹)の2倍とし(即ち、R凸=2R凹)、凹面ミラー22の曲率中心と凸面ミラー23の曲率中心とが一致しない(非同心円の関係)ように、凹面ミラー22及び凸面ミラー23を配置させてもよい。
ビームスプリッタ25は、金属膜や誘電体多層膜などをスプリット膜としたプリズム型のブームスプリッタや、1μm乃至5μm程度の薄い厚さの膜(材質はSiCやSiNなど)で構成されるペリクル型ビームスプリッタを使用する。
受光光学系30は、参照ミラー31と、参照ミラー31で反射した光と基板SBで反射した光とを合波させるためのビームスプリッタ32と、CCDやCMOSなどで構成される撮像素子(光電変換素子)33とを有する。更に、受光光学系30は、パワーを有する凹面ミラー34と、パワーを有する凸面ミラー35と、開口絞り36と、光の方向を偏向させる平面ミラー37とを有する。凹面ミラー34及び凸面ミラー35は、基板SBの表面を撮像素子33に結像させる。但し、撮像素子33を構成できる十分なスペースがある場合には、平面ミラー37を構成する必要はない。また、開口絞り36の代わりに、反射膜又は反射防止膜などを用いて凸面ミラー35の反射領域を制限してもよい。また、撮像素子33の代わりに、フォトディテクターなどの光量検出素子を用いてもよい。
参照ミラー31は、10nm乃至20nm程度の面精度を有するアルミ平面ミラーや、同程度の面精度を有するガラス平面ミラーなどを使用する。
ビームスプリッタ32は、ビームスプリッタ25と同様に、プリズム型のブームスプリッタやペリクル型ビームスプリッタを使用する。
凹面ミラー34及び凸面ミラー35は、受光光学系30において結像光学系を構成し、投光光学系20の結像倍率を決定する。凹面ミラー34及び凸面ミラー35は、投光光学系20における凹面ミラー22及び凸面ミラー23と同様に、凹面ミラー34の曲率中心と凸面ミラー35の曲率中心とが一致する(オフナー型)ように、配置されている。なお、凸面ミラー35の曲率を凹面ミラー34の曲率の2倍とし、凹面ミラー34の曲率中心と凸面ミラー35の曲率中心とが一致しないように、凹面ミラー34及び凸面ミラー35を配置させてもよい。
開口絞り36は、凹面ミラー34及び凸面ミラー35が構成する結像光学系の瞳位置に配置され、かかる結像光学系の開口数(NA)を規定する機能を有し、本実施形態では、sin(0.1度)乃至sin(5度)程度の非常に小さなNAに絞っている。
ステージ系40は、被測定物としての基板SBを駆動する駆動部として機能し、基板SBを保持する基板チャック42と、被測定物としての基板SBの位置を位置合わせするZステージ44、Yステージ46及びXステージ48とを有する。
データ処理系50は、演算処理部52と、データを保存する記憶部54と、測定装置1の測定結果や測定条件などを表示する表示部56とを有する。
以下、測定装置1の動作及び測定装置1の構成要素の機能などについて詳細に説明する。
図1を参照するに、光源12からの光は、コンデンサーレンズ14を介してスリット板16に集光される。スリット板16は、本実施形態では、50μmのスリット幅、700μmの長さ(X方向)の矩形形状の透過領域16aを有し、結像光学系を構成する凹面ミラー22及び凸面ミラー23を介して、基板SB及び参照ミラー31に透過領域16aの像が結像される。但し、スリット板16の透過領域16aは、矩形形状(スリット)に限らず、円形形状(ピンホール)であってもよい。また、スリット板16の透過領域16aは、必要な測定領域に応じて大きさを変更可能に構成してもよい。なお、スリット板16の透過領域16aは、透過部材を用いてもよいし、矩形形状の開口であってもよい。
凹面ミラー22及び凸面ミラー23を通過した光の主光線は、入射角度θで基板SBに入射する。また、凹面ミラー22と基板SBとの間の光路にはビームスプリッタ25が配置されているため、凹面ミラー22及び凸面ミラー23を通過した光のうち略半分の光量の光はビームスプリッタ25で反射され、入射角度θで参照ミラー31に入射する。以下では、ビームスプリッタ25を透過した光(即ち、被測定物である基板SBに入射する光)を測定光と称し、ビームスプリッタ25で反射された光(即ち、参照ミラー31に入射する光)を参照光と称する。
基板SBに入射する測定光の入射角度θが大きくなると、基板SBに塗布された薄膜(レジスト)表面からの反射率が、かかる薄膜の裏面からの反射率に対して相対的に強くなる。従って、基板SBに塗布された薄膜の表面形状を測定する場合には、入射角度θは大きいほど好ましい。但し、入射角度θが90度に近くなると、光学系の組み立てが難しくなるため、入射角度θは70度乃至85度であることが好ましい。
ビームスプリッタ25を透過して基板SBに入射した測定光は、基板SBで反射されてビームスプリッタ32に入射する。一方、ビームスプリッタ25で反射され参照ミラー31に入射した参照光は、参照ミラー31で反射されてビームスプリッタ32に入射する。
基板SBで反射した測定光及び参照ミラー31で反射した参照光は、ビームスプリッタ32で合成され、撮像素子33で受光される。ビームスプリッタ32と撮像素子33との間の光路には、凸面ミラー35及び開口絞り36が配置されている。凹面ミラー34及び凸面ミラー35は、両側テレセントリックな結像光学系を構成しており、基板SBの表面を撮像素子33の受光面に結像させる。従って、本実施形態では、スリット板16の透過領域16aが、凹面ミラー22及び凸面ミラー23によって基板SB及び参照ミラー31に結像し、更に、凹面ミラー34及び凸面ミラー35によって撮像素子33の受光面に再結像する。撮像素子33の受光面では、測定光と参照光が重なって干渉パターンを形成する。
ここで、撮像素子33の受光面に形成される干渉パターンの干渉信号の取得方法について説明する。上述したように、基板SBは基板チャック42で保持され、Zステージ44、Yステージ46及びXステージ48上に設置されている。測定光と参照光によって形成される干渉パターンの干渉信号を撮像素子33で取得するためには、Zステージ44を駆動すればよい。基板SBの測定領域を変更する場合には、Xステージ48又はYステージ46を使用して、所望の領域が撮像素子33の受光領域に位置するように位置合わせする。なお、Xステージ48、Yステージ46及びZステージ44の位置を高精度に制御するためには、X軸、Y軸、Z軸及びωy、ωyのチルト軸の5軸にレーザー干渉計を配置すればよい。かかるレーザー干渉計の出力に基づいてクローズドループ制御を行うことで、基板SBの表面形状をより高精度に測定することができる。特に、基板SBを複数の領域に分けて測定して基板SBの全体形状を求める場合には、レーザー干渉計を用いることで、より正確に形状データのつなぎ合わせ(ステッチィング)を行うことが可能となる。
また、撮像素子33にフォトディテクターなどの光量検出素子ではなく、1次元ラインセンサや2次元センサを用いることで、1回の測定で測定可能な基板SBの測定領域が増加し、基板SBの全体形状を測定するために必要な時間を少なくすることができる。ここで、1次元センサは、フォトディテクターアレイ、CCDラインセンサ、CMOSラインセンサなどを含む。また、2次元センサは、2次元CCD、2次元CMOSなどを含む。
次に、撮像素子33で取得された干渉信号に基づいて基板SBの表面形状を算出する処理について説明する。かかる処理は、データ処理系50の演算処理部52で実行される。なお、演算処理部52で算出された基板SBの表面形状は記憶部54に記憶されると共に、表示部56に表示される。図2は、撮像素子33において取得される干渉信号(白色干渉信号)を示す図である。図2に示す干渉信号は、インターフェログラムとも呼ばれる。図2では、横軸にZステージ44の位置(具体的には、Z軸測長干渉計又は静電容量センサによって測定された測定値)を採用し、縦軸に撮像素子33の出力(光強度)を採用している。なお、撮像素子33で取得された干渉信号は、データ処理系50の記憶部54に記憶されている。
図2に示す干渉信号から算出される信号ピーク位置に対応するZステージの位置(Z軸測長干渉計による測定値)が、その測定領域での基板SBの高さである。撮像素子33に2次元センサを用いることで、基板SBの三次元形状を測定することが可能となる。干渉信号の信号ピーク位置を算出するためには、信号ピーク位置及びかかる信号ピーク位置の前後の数点のデータに基づいて曲線(例えば、2次関数)近似すればよい。これにより、図2における横軸(Zステージ44の位置)のサンプリングピッチZpの1/10乃至1/50程度の分解能で信号ピーク位置を算出することができる。なお、サンプリングピッチZpは、実際にZステージ44を等ピッチでステップ駆動する際のピッチで決定される。但し、高速性を考慮する場合には、Zステージ44を等速度で駆動し、撮像素子33の取り込みタイミングに同期してZ軸測長干渉計の出力(Zステージ44の位置)を取り込む方が好ましい。
干渉信号の信号ピーク位置を算出する方法としては、米国特許第5398113号に開示されているFDA法を用いることも可能である。FDA法は、フーリエスペクトルの位相勾配を用いてコントラストのピーク位置を算出する。
このように、白色干渉方式においては、その分解能と精度を決める要素は、測定光と参照光との光路長差が0となる位置をいかに正確に求めるかにある。従って、位相シフト法やフーリエ変換法によって干渉パターンの包絡線を求め、コントラストの最大位置から光路長差が0となる位置を求める方法、位相クロス法などを干渉信号の信号ピーク位置を算出する方法として用いることも可能である。
測定装置1においては、投光光学系20の結像光学系として凹面ミラー22及び凸面ミラー23を、受光光学系30の結像光学系として凹面ミラー34及び凸面ミラー35を用いているため、かかる結像光学系の収差(特に、色収差)の影響が低減される。また、従来技術のようにレンズを用いていないため、硝材の透過率に起因する分光特性変化の影響が低減される。従って、測定装置1は、被測定物としての基板SBの表面形状を高精度に測定することができる。
また、本実施形態では、参照ミラー31を駆動せずに(即ち、参照ミラー31を固定して)基板SBを駆動したが、基板SBを駆動せずに(即ち、基板SBを固定して)参照ミラー31を駆動しても、干渉信号を取得することができる。但し、米国特許出願公開第2007/0086013号に開示されているように、参照ミラー31又は基板SBを駆動させずに干渉信号を取得することも可能である。この場合、撮像素子33の前段に分光素子を配置し、撮像素子33において波長毎の干渉パターンの強度を検出することで、その波長毎の干渉信号の強度に基づいて基板SBのZ方向の位置を算出することができる。
以下、図3を参照して、測定装置1の別の構成について説明する。図3は、本発明の一側面としての測定装置1の別の構成を示す概略図である。
図3に示す測定装置1は、図1に示す測定装置1と同様であるが、投光光学系20及び受光光学系30の構成が異なる。具体的には、図3に示す測定装置1は、投光光学系20における凹面ミラー22を凹面ミラー221と凹面ミラー222に分割し、受光光学系30における凹面ミラー34を凹面ミラー341と凹面ミラー342に分割している。
投光光学系20における凹面ミラー221の曲率と凹面ミラー222の曲率とを互いに異ならせることによって、凹面ミラー221及び凹面ミラー222の焦点距離が変化するため、投光光学系20の結像倍率を変更することが可能となる。例えば、互いに曲率の異なる凹面ミラー221と凹面ミラー222の組を交換可能に構成し、投光光学系20の結像倍率に応じて、かかる複数の組から一つを選択する。これにより、投光光学系20の結像倍率が可変となり、基板SBに投影される測定マークの結像倍率を変化させて、基板SBの測定領域を変更することができる。
同様に、受光光学系30における凹面ミラー341の曲率と凹面ミラー342の曲率とを互いに異ならせることによって、凹面ミラー341及び凹面ミラー342の焦点距離が変化するため、受光光学系30の結像倍率を変更することが可能となる。例えば、互いに曲率の異なる凹面ミラー341と凹面ミラー342の組を交換可能に構成し、受光光学系30の結像倍率に応じて、かかる複数の組から一つを選択する。これにより、受光光学系30の結像倍率が可変となり、撮像素子33に結像する測定マークの結像倍率を変化させて、撮像素子33の受光光量を変更することができる。従って、撮像素子33のS/N比を改善させることが可能となる。
更に、投光光学系20又は受光光学系30の結像倍率を変更することによって、基板Sの測定領域を拡大することが可能となり、基板SBのXY方向の分解能を向上させることができる。
以下、図4を参照して、測定装置1の更に別の構成について説明する。図4は、本発明の一側面としての測定装置1の更に別の構成を示す概略図である。
図4に示す測定装置1は、図1に示す測定装置1と同様であるが、投光光学系20及び受光光学系30の構成が異なる。具体的には、図4に示す測定装置1は、投光光学系20における凹面ミラー22を部分的に異なる曲率R1及びR2を有する凹面ミラー224に、受光光学系30における凹面ミラー34を部分的に異なる曲率R3及びR4を有する凹面ミラー344に置換している。換言すれば、凹面ミラー224及び344は、曲率の異なる2つ以上の部分を含む。なお、同一ミラーにおいて部分的に曲率を変化させた凹面ミラー224及び334は、例えば、研削加工やモールド成形などを用いて製造することができる。
投光光学系20の凹面ミラー224において、曲率R1と曲率R2とを互いに異ならせることによって、投光光学系20の結像倍率を変更することが可能となる。例えば、曲率の異なる2つ以上の部分をそれぞれ有する複数の凹面ミラー224を交換可能に構成し、投光光学系20の結像倍率に応じて、かかる複数の凹面ミラー224から一つを選択する。これにより、投光光学系20の結像倍率が可変となり、基板SBに投影される測定マークの結像倍率を変化させて、基板SBの測定領域を変更することができる。
同様に、受光光学系30の凹面ミラー344において、曲率R3と曲率R4とを互いに異ならせることによって、受光光学系30の結像倍率を変更することが可能となる。例えば、曲率の異なる2つ以上の部分をそれぞれ有する複数の凹面ミラー344を交換可能に構成し、受光光学系30の結像倍率に応じて、かかる複数の凹面ミラー344から一つを選択する。これにより、受光光学系30の結像倍率が可変となり、撮像素子33に結像する測定マークの結像倍率を変化させて、撮像素子33の受光光量を変更することができる。従って、撮像素子33のS/N比を改善させることが可能となる。
更に、投光光学系20又は受光光学系30の結像倍率を変更することによって、基板Sの測定領域を拡大することが可能となり、基板SBのXY方向の分解能を向上させることができる。
次に、図5を参照して、本発明に係る測定装置1を備えた露光装置100について説明する。図5は、本発明の一側面としての露光装置100の構成を示す概略図である。
露光装置100は、本実施形態では、ステップ・アンド・スキャン方式でレチクル120のパターンをウエハ140に露光する投影露光装置である。但し、露光装置100は、ステップ・アンド・リピート方式やその他の露光方式も適用することができる。
露光装置100は、図5に示すように、照明装置110と、レチクル120を載置するレチクルステージ125と、投影光学系130と、ウエハ140を載置するウエハステージ145と、フォーカス制御用センサ150と、制御部160とを有する。
照明装置110は、転写用のパターンが形成されたレチクル120を照明し、光源112と、照明光学系114とを有する。
光源112は、例えば、波長約193nmのArFエキシマレーザーや波長約248nmのKrFエキシマレーザーなどを使用する。但し、光源112は、エキシマレーザーに限定するものではなく、波長約157nmのFレーザーや波長20nm以下のEUV(Extreme ultraviolet)光などを使用してもよい。
照明光学系114は、光源112からの光を用いてレチクル120を照明する光学系である。照明光学系114は、本実施形態では、露光に最適な形状を有する露光スリットを形成する。照明光学系114は、レンズ、ミラー、オプティカルインテグレーター、絞り等を含む。
レチクル120は、転写用のパターンを有し、レチクルステージ125に支持及び駆動される。レチクル120から発せられた回折光は、投影光学系130を通り、ウエハ140に投影される。レチクル120とウエハ140とは、光学的に共役の関係に配置される。なお、露光装置100は図示しない光斜入射系のレチクル検出部を備えており、レチクル120は、レチクル検出部によって位置が検出され、所定の位置に配置される。
レチクルステージ125は、図示しないレチクルチャックを介してレチクル120を支持し、図示しない移動機構に接続されている。かかる移動機構は、リニアモーターなどで構成され、X軸方向、Y軸方向、Z軸方向及び各軸の回転方向にレチクルステージ125を駆動する。
投影光学系130は、レチクル120のパターンをウエハ140に投影する光学系である。投影光学系130は、屈折系、反射屈折系、或いは、反射系を使用することができる。
ウエハ140は、レチクル120のパターンが投影(転写)される基板であり、ウエハステージ145に支持及び駆動される。但し、ウエハ140の代わりにガラスプレートやその他の基板を用いることもできる。ウエハ140には、レジストが塗布されている。
ウエハステージ145は、図示しないウエハチャックを介してウエハ140を支持する。ウエハステージ145は、レチクルステージ125と同様に、リニアモーターを利用して、X軸方向、Y軸方向、Z軸方向及び各軸の回転方向にウエハ140を移動させる。また、ウエハステージ145には、基準プレート149が配置されている。
フォーカス制御用センサ150は、測定装置1と同様に、ウエハ140の形状を測定する機能を有する。また、フォーカス制御用センサ150は、応答性は速いがウエハパターンによる騙されがあるセンサである。
測定装置1は、上述した通りのいかなる構成をも適用可能であり、ここでの詳細な説明は省略する。なお、測定装置1は、応答性は遅いがウエハパターンによる騙されが少ない。
制御部160は、CPUやメモリを有し、露光装置100の動作を制御する。制御部160は、本実施形態では、フォーカス制御用センサ150のデータ処理系としての機能を備える。従って、制御部160は、フォーカス制御用センサ150がウエハ140の表面位置を測定する際の測定値の補正演算及び制御を行う。また、制御部160は、測定装置1のデータ処理系50としての機能を備えていてもよい。
ここで、ウエハ140の表面位置(フォーカス)の測定点について説明する。本実施形態では、ウエハ140の全面に亘って、走査方向(Y軸方向)にウエハステージ145を走査しながら、フォーカス制御用センサ150でウエハ140の表面形状を測定する。一方、走査方向に垂直な方向(X軸方向)には、ウエハステージ145をΔXだけステップさせ、走査方向にウエハ140の表面位置を測定する動作を繰り返してウエハ140の全面のプロファイルを測定する。なお、複数のフォーカス制御用センサ150を用いてウエハ140上の異なる領域の表面位置を同時に測定してもよい。これにより、スループットを向上させることができる。
フォーカス制御用センサ150は、本実施形態では、光学的な高さ測定システムを使用している。具体的には、フォーカス制御用センサ150は、ウエハ140の表面に対して高入射角度で光を入射させ、ウエハ140の表面で反射された反射光の像ずれをCCDなどの受光素子で検出する。フォーカス制御用センサ150は、ウエハ140上の複数の測定点に光を入射させ、かかる測定点で反射された光のそれぞれを個別の受光素子で受光し、異なる位置の高さ情報から露光すべき面のチルトを算出する。
図6を参照して、フォーカス制御用センサ150を詳細に説明する。図6は、フォーカス制御用センサ150の構成を示す概略図である。フォーカス制御用センサ150は、図6に示すように、光源151と、コンデンサーレンズ152と、複数の透過スリットで構成されたパターン板153と、レンズ154と、ミラー155とを有する。更に、フォーカス制御用センサ150は、ミラー156と、レンズ157と、CCDなどの受光素子158とを有する。
光源151からの光は、コンデンサーレンズ152を介して集光され、パターン板153を照明する。パターン板153の透過スリットを通過した光は、レンズ154及びミラー155を介してウエハ140に所定の角度で照射される。パターン板153とウエハ140とは、レンズ154を介して結像関係になっているため、パターン板153の透過スリットの空中像がウエハ140上に形成される。
ウエハ140で反射された光は、ミラー156及びレンズ157を介して受光素子158で受光され、図6に示すように、パターン板153の各透過スリットに対応したスリット像からなる信号SIが得られる。信号SIの受光素子158での位置ずれを検出することで、ウエハ140のZ方向の位置を測定することができる。ウエハ140の表面がZ方向の位置w1から位置w2に変化した場合のウエハ140上の光軸シフト量m1は、入射角度をθinとして、以下の式1で表すことができる。但し、位置w1から位置w2への変化量をdZとする。
m1=2・dZ・tanθin ・・・(式1)
例えば、入射角度θinを84度とすると、m1=19・dZとなり、ウエハ140の変位を19倍に拡大した変位量になる。受光素子158での変位量は、式1に光学系の倍率(即ち、レンズ157によるの結像倍率)が掛け合わされる。
以下、露光装置100の露光動作(露光装置100を用いた露光方法)について説明する。図7は、露光装置100の露光動作を説明するためのフローチャートである。
まず、ステップS1010において、露光装置100にウエハ140を搬入する。
次いで、ステップS1020において、ステップS1010で搬入したウエハ140に対して、フォーカス制御用センサ150のフォーカス較正を行うかどうかを判定する。具体的には、ユーザーが露光装置100に予め登録しておいた「ロットの先頭ウエハか」、複数のロットの先頭のウエハであるか、フォーカス精度が厳しく求められる工程のウエハであるか」などの情報に基づいて判定する。
ステップS1020において、フォーカス制御用センサ150のフォーカス較正を行わないと判定された場合には、ステップS1050に進み、後述する露光シーケンスが実行される。
一方、ステップS1020において、フォーカス制御用センサ150のフォーカス較正を行うと判定された場合には、ステップS1030に進み、基準プレート149によるフォーカス較正シーケンスが実行される。
次に、ステップS1040において、ウエハ140によるフォーカス較正シーケンスが実行される。
ここで、図8を参照して、ステップS1030及びステップS1040で実行されるフォーカス較正シーケンスについて説明する。図8は、ステップS1030及びステップS1040のフォーカス較正シーケンスの詳細なフローチャートである。
基準プレート149によるフォーカス較正シーケンスでは、まず、ウエハステージ145を駆動して、フォーカス制御用センサ150の下に基準プレート149が位置するように位置決めする。なお、基準プレート149は、オプティカルフラットと呼ばれる面精度のよいガラス板などを使用している。また、基準プレート149の表面には、フォーカス制御用センサ150に測定誤差が発生しないように、反射率分布のない均一な領域が設けられており、フォーカス制御用センサ150は、かかる領域を測定する。但し、露光装置100のその他キャリブレーション(例えば、アライメントや投影光学系130の評価)に必要な各種較正用マークを設けたプレートの一部を基準プレート149として使用してもよい。
ステップS1031において、基準プレート149をフォーカス制御用センサ150で測定し、基準プレート149のZ方向の位置を測定する。
ステップS1032において、ステップS1031で測定した基準プレート149のZ方向の位置(測定値Om)を露光装置100の記憶部(例えば、制御部160のメモリ等)に格納する。
次に、ウエハステージ145を駆動して、測定装置1の下に基準プレート149が位置するように位置決めする。
ステップS1033において、基準プレート149を測定装置1で測定し、基準プレート149の形状を測定する。なお、測定装置1が測定する基準プレート149の測定領域(XY面)は、ステップS1031でフォーカス制御用センサ150が測定した測定領域と同じにする。
ステップS1034において、ステップS1033で測定した基準プレート149の形状(測定値Pm)を記憶部に格納する。
ステップS1035において、第1のオフセットを算出する。具体的には、図9に示すように、測定装置1による測定値Pmとフォーカス制御用センサ150による測定値Omの差分として、第1のオフセットを算出する。第1のオフセットは、基準プレート149の光学的に均一な面を測定しており、フォーカス制御用センサ150に測定誤差が発生しないため、ゼロになるべきものである。しかしながら、第1のオフセットは、実際には、ウエハステージ145の走査方向のシステム的なオフセット、フォーカス制御用センサ150、或いは、測定装置1の長期的なドリフトなどのエラー要因によってゼロにはならない。従って、第1のオフセットは、定期的に取得(算出)することが好ましい。但し、上述したエラー要因が発生しない場合や別に管理されている場合には、第1のオフセットを1回取得するだけでよい。ここで、図9は、フォーカス較正シーケンスにおける第1のオフセット及び後述する第2のオフセットを説明するための図である。
ステップS1031乃至S1035が基準プレート149によるフォーカス較正シーケンスである。
ウエハ140によるフォーカス較正シーケンスでは、まず、ウエハステージ145を駆動して、フォーカス制御用センサ150の下にウエハ140が位置するように位置決めする。なお、ウエハ140上の測定位置Wp(ウエハ面内)は、後述する露光シーケンスの測定位置と一致させるものとする。
ステップS1041において、ウエハ140上の測定位置Wpをフォーカス制御用センサ150で測定し、測定位置WpのZ方向の位置を測定する。
ステップS1042において、ステップS1041で測定したウエハ140上の測定位置WpのZ方向の位置(測定値Ow)を記憶部に格納する。
次に、ウエハステージ145を駆動して、測定装置1の下にウエハ140上の測定位置Wpが位置するように位置決めする。
ステップS1043において、ウエハ140上の測定位置Wpを測定装置1で測定し、ウエハ140上の測定位置Wpの形状を測定する。
ステップS1044では、ステップS1043で測定したウエハ140上の測定位置Wpの形状(測定値Pw)を記憶部に格納する。なお、ウエハ140上の測定点としての測定位置Wpは、ウエハ内の1点、ショット内の1点、ショット内の全点、複数ショット内の全点、ウエハ内の全点などの各種モードから選択できるようになっている。
ステップS1045において、第2のオフセットを算出する。具体的には、図9に示すように、測定装置1による測定値Pwとフォーカス制御用センサ150による測定値Owの差分として、第2のオフセットをウエハ140上の測定位置Wp毎に算出する。
ステップS1046において、ウエハ140上の測定位置Wp毎に第1のオフセットと第2のオフセットとの差分を求め、かかる差分をオフセットデータとして記憶部に格納する。ウエハ140上の各測定位置におけるオフセット量Opは、以下の式2から求めることができる。
Op(i)=[Ow(i)−Pw(i)]−(Om−Pm)
・・・(2)
但し、式2において、iは、ウエハ140上の測定位置を示すポイント番号である。
オフセット量Opとしては、露光ショット単位(ステッパーの場合はショット単位、スキャナーの場合は露光スリット単位)で、平均的高さオフセット(Z)、平均傾きオフセット(ωz、ωy)を格納してもよい。また、ウエハ140に転写するパターンは、ショット(ダイ)で繰り返されるため、ウエハ140上の各ショットの平均値として、オフセット量Opを求めてもよい。
ステップS1041乃至S1046がウエハ140によるフォーカス較正シーケンスである。
次に、図10を参照して、フォーカス較正シーケンスS1030及びS1040が終了して実行されるステップS1050の露光シーケンスについて説明する。図10は、ステップS1050の露光シーケンスの詳細なフローチャートである。
ステップS1051において、ウエハアライメントを実行する。ウエハアライメントは、図示しないアライメントスコープでウエハ140上のアライメントマークの位置を検出し、露光装置100に対して、ウエハ140のXY平面の位置合わせを行う。
ステップS1052において、フォーカス制御用センサ150でウエハ140上の所定領域の面位置を測定する。かかる所定領域は、上述したフォーカス較正シーケンスにおいて測定したウエハ140上の領域を含む。従って、式2に従ったオフセット量Op(i)で、測定値を補正してウエハ140の全面の形状を測定する。このように補正されたウエハ140の表面形状のデータが露光装置100の記憶部に格納される。
ステップS1053において、ウエハステージ145を駆動して、フォーカス制御用センサ150の下の測定位置から投影光学系130の下の露光位置に第1の露光ショットが位置するようにウエハ140を移動する。この際、ウエハ140の表面形状のデータに基づいて第1の露光ショットの表面形状のデータを作成し、露光像面に対するウエハ140の表面のずれ量が最小になるように、フォーカス(Z方向)及びチルト(傾き方向)を補正する。このようにして、露光スリット単位で最適な露光像面位置にウエハ140の表面を合わせ込む。
ステップS1054において、レチクル120のパターンをウエハ140に露光する。この際、露光装置100はスキャナーであるため、レチクル120とウエハ140をY方向(走査方向)に走査することによりレチクル120のパターンをウエハ140上に転写する。
ステップS1055において、全ての露光ショットを露光したかどうかを判定する。全ての露光ショットを露光していないと判定された場合には、ステップS1052に戻り、次の露光ショットの表面形状のデータを作成し、フォーカス及びチルトを補正して露光スリット単位で最適な露光像面に合わせ込みながら露光を行う。一方、全ての露光ショットを露光したと判定された場合には、ステップS1056において、露光装置100からウエハ140を搬出する。
本実施形態では、各露光ショットを露光する直前に、露光ショットの表面形状のデータの作成、露光像面からのずれ量の算出及びウエハステージ145の駆動量の算出を行っている。但し、第1の露光ショットを露光する前に、全ての露光ショットに関して、表面形状のデータの作成、露光像面からのずれ量の算出、ウエハステージ145の駆動量の算出を行ってもよい。
また、ウエハステージ145は、シングルステージに限らず、露光時に使用する露光ステージとウエハ140のアライメントや表面形状を測定する際に使用する測定ステージとの2つのステージを有する、所謂、ツインステージの構成であってもよい。この場合、フォーカス制御用センサ150及び測定装置1は、測定ステージ側に配置することになる。
露光装置における測定及び加工の対象であるウエハ上には、複雑な回路パターンやスクライブラインなどが存在するため、反射率分布やローカルチルトなどの発生率が高い。従って、反射率分布やローカルチルトによる測定誤差を低減できる本発明の効果は大きい。ウエハの表面形状を高精度に測定できれば、露光面とウエハ表面とのフォーカス合わせの精度を向上させることが可能となり、半導体デバイスの性能向上や製造歩止まりの向上にも繋がるという効果もある。
次に、図11及び図12を参照して、露光装置100を利用したデバイス製造方法の実施例を説明する。図11は、デバイスの製造を説明するためのフローチャートである。ここでは、半導体デバイスの製造を例に説明する。ステップ1(回路設計)では、デバイスの回路設計を行う。ステップ2(レチクル製作)では、設計した回路パターンを形成したレチクルを製作する。ステップ3(ウエハ製造)では、シリコンなどの材料を用いてウエハを製造する。ステップ4(ウエハプロセス)は、前工程と呼ばれ、レチクルとウエハを用いてリソグラフィー技術によってウエハ上に実際の回路を形成する。ステップ5(組み立て)は、後工程と呼ばれ、ステップ4によって作成されたウエハを用いて半導体チップ化する工程であり、アッセンブリ工程(ダイシング、ボンディング)、パッケージング工程(チップ封入)等の工程を含む。ステップ6(検査)では、ステップ5で作成された半導体デバイスの動作確認テスト、耐久性テストなどの検査を行う。こうした工程を経て半導体デバイスが完成し、これが出荷(ステップ7)される。
図12は、ステップ4のウエハプロセスの詳細なフローチャートである。ステップ11(酸化)では、ウエハの表面を酸化させる。ステップ12(CVD)では、ウエハの表面に絶縁膜を形成する。ステップ13(電極形成)では、ウエハ上に電極を蒸着などによって形成する。ステップ14(イオン打ち込み)では、ウエハにイオンを打ち込む。ステップ15(レジスト処理)では、ウエハに感光剤を塗布する。ステップ16(露光)では、露光装置100によってレチクルの回路パターンをウエハに露光する。ステップ17(現像)では、露光したウエハを現像する。ステップ18(エッチング)では、現像したレジスト像以外の部分を削り取る。ステップ19(レジスト剥離)では、エッチングが済んで不要となったレジストを取り除く。これらのステップを繰り返し行うことによってウエハ上に多重の回路パターンが形成される。かかるデバイス製造方法によれば、従来よりも高品位のデバイスを製造することができる。このように、露光装置100を使用するデバイス製造方法、並びに結果物としてのデバイスも本発明の一側面を構成する。
以上、本発明の好ましい実施例について説明したが、本発明はこれらの実施例に限定されないことはいうまでもなく、その要旨の範囲内で種々の変形及び変更が可能である。
本発明の一側面としての測定装置の構成を示す概略図である。 図1に示す測定装置の撮像素子において取得される干渉信号(白色干渉信号)を示す図である。 本発明の一側面としての測定装置の別の構成を示す概略図である。 本発明の一側面としての測定装置の更に別の構成を示す概略図である。 本発明の一側面としての露光装置の構成を示す概略図である。 図5に示す露光装置のフォーカス制御用センサの構成を示す概略図である。 図5に示す露光装置の露光動作を説明するためのフローチャートである。 図7に示すステップS1030及びステップS1040のフォーカス較正シーケンスの詳細なフローチャートである。 フォーカス較正シーケンスにおける第1のオフセット及び第2のオフセットを説明するための図である。 図7に示すステップS1050の露光シーケンスの詳細なフローチャートである。 デバイスの製造を説明するためのフローチャートである。 図11に示すステップ4のウエハプロセスの詳細なフローチャートである。 被測定物の形状を測定する従来技術の構成を示す概略図である。 図13に示す従来の測定装置において、アクチュエータを介して、表面に垂直な方向に被測定物を走査して得られる干渉信号を示す図である。 レンズで構成された光学系において、波長に対する収差量を示す図である。 図13に示す従来の測定装置において、被測定物に照射する光の波長帯域を拡大し、表面に垂直な方向に被測定物を走査して得られる干渉信号を示す図である。
符号の説明
1 測定装置
10 照明光学系
12 光源
14 コンデンサーレンズ
16 スリット板
20 投光光学系
22 凹面ミラー
221及び222 凹面ミラー
224 凹面ミラー
23 凸面ミラー
24 開口絞り
25 ビームスプリッタ
30 受光光学系
31 参照ミラー
32 ビームスプリッタ
33 撮像素子
34 凹面ミラー
341及び342 凹面ミラー
344 凹面ミラー
35 凸面ミラー
36 開口絞り
37 平面ミラー
40 ステージ系
50 データ処理系
52 演算部
54 記憶部
56 表示部
SB 基板
100 露光装置

Claims (10)

  1. 被測定物の表面形状を測定する測定装置であって、
    光源からの光を測定光と参照光とに分離して、前記測定光を前記被測定物の表面に入射させ、前記参照光を参照ミラーに入射させる投光光学系と、
    前記被測定物の表面で反射した前記測定光と前記参照ミラーで反射した前記参照光とを光電変換素子に導く受光光学系と、
    前記光電変換素子で検出され、前記測定光と前記参照光によって形成される干渉パターンに基づいて前記被測定物の表面形状を算出する処理部とを有し、
    前記光源からの光は、100nm以上の波長帯域の光であり、
    前記投光光学系は、前記光源からの光を順に反射する、第1の凹面形状の反射面、凸面形状の反射面及び第2の凹面形状の反射面からなる結像光学系を有し、
    前記結像光学系は前記光源からの光を前記被測定物に結像し、前記投光光学系の結像倍率は、前記反射面により決定されることを特徴とする測定装置。
  2. 被測定物の表面形状を測定する測定装置であって、
    光源からの光を測定光と参照光とに分離して、前記測定光を前記被測定物の表面に入射させ、前記参照光を参照ミラーに入射させる投光光学系と、
    前記被測定物の表面で反射した前記測定光と前記参照ミラーで反射した前記参照光とを光電変換素子に導く受光光学系と、
    前記光電変換素子で検出され、前記測定光と前記参照光によって形成される干渉パターンに基づいて前記被測定物の表面形状を算出する処理部とを有し、
    前記光源からの光は、100nm以上の波長帯域の光であり、
    前記受光光学系は、前記被測定物からの光を順に反射する、第1の凹面形状の反射面、凸面形状の反射面及び第2の凹面形状の反射面からなる結像光学系を有し、
    前記結像光学系は前記被測定物からの光を前記光電変換素子に結像し、前記受光光学系の結像倍率は、前記反射面により決定されることを特徴とする測定装置。
  3. 前記光源からの光は、400nm乃至800nmの波長帯域の光であることを特徴とする請求項1又は2記載の測定装置。
  4. 前記投光光学系は、前記光源からの光を2つの光に分離するビームスプリッタを含み、
    前記ビームスプリッタで分離された2つの光のうち一方の光を前記測定光とし、他方の光を前記参照光とすることを特徴とする請求項1乃至3のうちいずれか1項記載の測定装置。
  5. 前記受光光学系は、第3の凹面形状の反射面、凸面形状の反射面及び第4の凹面形状の反射面の順に前記被測定物からの光を反射する結像光学系であることを特徴とする請求項1記載の測定装置。
  6. 前記第1の凹面形状の反射面、前記凸面形状の反射面及び前記第2の凹面形状の反射面は、それぞれの曲率中心が一致していることを特徴とする請求項記載の測定装置。
  7. 前記凸面形状の反射面の曲率は、前記第1の凹面形状の反射面及び前記第2の凹面形状の反射面の曲率の2倍の曲率を有し、
    前記第1の凹面形状の反射面及び前記第2の凹面形状の反射面の曲率中心と前記凸面形状の反射面の曲率中心とが一致しないように、配置されていることを特徴とする請求項記載の測定装置。
  8. レチクルを照明する照明光学系と、
    前記レチクルのパターンを基板に投影する投影光学系と、
    前記基板又は前記基板に塗布されたレジストの表面形状を測定する測定装置と、
    前記測定装置の測定結果に基づいて前記基板の位置を補正するステージとを有し、
    前記測定装置は、請求項1乃至のうちいずれか一項に記載の測定装置であることを特徴とする露光装置。
  9. 前記基板又は前記基板に塗布されたレジストの表面位置を測定するセンサを更に有し、
    前記センサの測定結果は、前記測定装置の測定結果に基づいて較正されることを特徴とする請求項記載の露光装置。
  10. 請求項又は記載の露光装置を用いて基板を露光するステップと、
    露光された前記基板を現像するステップとを有することを特徴とするデバイス製造方法。
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