JP4869612B2 - Substrate transport system and substrate transport method - Google Patents
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Description
本発明は,基板を浮上させながら搬送する基板の搬送システムおよびその搬送方法に関する。 The present invention relates to a substrate transfer system for transferring a substrate while levitating the substrate and a transfer method thereof.
近年,フラットパネルディスプレイ(FPD:Flat Panel Display)などの大型化に伴い,これらのディスプレイに用いるガラス基板も,たとえば,面積が1500mm×1500mm,厚さが0.5mmというように大型かつ薄型になっている。このような形状の基板を加工装置により加工する際,基板は,フォーク状のアームによりその下面を支えられて加工装置の内部に搬送されるため,アームとの接触により基板に反りが生じてしまうという問題があった。 In recent years, with the increase in size of flat panel displays (FPDs) and the like, the glass substrates used for these displays have become large and thin, for example, with an area of 1500 mm × 1500 mm and a thickness of 0.5 mm. ing. When a substrate having such a shape is processed by a processing apparatus, the substrate is supported by the fork-shaped arm and the lower surface thereof is conveyed to the inside of the processing apparatus, so that the substrate warps due to contact with the arm. There was a problem.
この問題を解消するために,基板を搬送する搬送ステージに設けられた多孔から空気を吹き出す機構を設け,その空気圧により基板を浮上させながら搬送する技術が提案されている(たとえば,特許文献1を参照。)。 In order to solve this problem, a technique has been proposed in which a mechanism for blowing air from a perforation provided in a transfer stage for transferring a substrate is provided, and the substrate is transferred while being lifted by the air pressure (for example, Patent Document 1). reference.).
しかし,この搬送方法は,大気圧にて基板を搬送する方法であり,減圧下での基板の搬送方法については考えられていない。したがって,たとえ,基板が従来の搬送方法を用いて大気中を非接触に搬送されても,結局,減圧下にある加工装置の内部を搬送されるとき,基板とアームとの接触が生じてしまう。このため,従来の搬送方法では,搬送中に基板に反りが生じるという問題を根本的に解消するには至っていない。 However, this transport method is a method of transporting a substrate at atmospheric pressure, and a method of transporting a substrate under reduced pressure has not been considered. Therefore, even if the substrate is transported in the air in a non-contact manner using a conventional transport method, the substrate and the arm are contacted when transported inside the processing apparatus under reduced pressure. . For this reason, the conventional transfer method has not yet solved the problem of warping of the substrate during transfer.
本発明は,このような問題に鑑みてなされたもので,その目的とするところは,大気圧下から減圧下まで非接触にて基板を搬送する基板の搬送システムおよびその搬送方法を提供することにある。 The present invention has been made in view of such problems, and an object of the present invention is to provide a substrate transfer system and a transfer method for transferring a substrate in a non-contact manner from atmospheric pressure to reduced pressure. It is in.
上記課題の少なくとも一つを解決するために,本発明のある観点によれば,多孔質板により形成された搬送ステージと,前記搬送ステージに形成された多孔からガスを噴出入することにより基板を浮上させながら搬送する浮上搬送装置と,を備える基板の搬送システムが提供される。 In order to solve at least one of the above problems, according to an aspect of the present invention, a substrate is formed by injecting gas from a transport stage formed of a porous plate and a hole formed in the transport stage. There is provided a substrate transfer system including a levitation transfer device that transfers the substrate while floating.
このシステムの浮上搬送装置は,内部が大気圧より減圧された所定の容器内に位置する前記基板に対して,前記基板の下面の圧力と前記基板の上面の圧力とが一定の関係になるように,前記基板の下面に噴出入するガスと前記基板の上面に噴出入するガスとをそれぞれ制御することにより減圧下にある前記基板を浮上させる。 The levitation transfer device of this system is such that the pressure on the lower surface of the substrate and the pressure on the upper surface of the substrate have a certain relationship with respect to the substrate located in a predetermined container whose interior is depressurized from atmospheric pressure. Further, the substrate under reduced pressure is floated by controlling the gas injected into the lower surface of the substrate and the gas injected into the upper surface of the substrate.
これによれば,基板の下面に噴出入するガスとこの基板の上面に噴出入するガスとをそれぞれ制御することにより,減圧下にある基板を浮上させることができる。これにより,大気圧下を浮上搬送された基板に対して減圧下にて加工処理するために処理容器内を大気圧から真空圧まで減圧する過程において,基板を連続的に浮上させておくことができる。 According to this, the substrate under reduced pressure can be levitated by controlling the gas injected into the lower surface of the substrate and the gas injected into the upper surface of the substrate. Accordingly, the substrate can be continuously levitated in the process of reducing the pressure in the processing vessel from the atmospheric pressure to the vacuum pressure in order to process the substrate floated and transferred under atmospheric pressure under reduced pressure. it can.
ここで,前記減圧下において墳出入するガスは,不活性ガスであることが好ましい。また,基板の下面の圧力をP1,上面の圧力をP2とした場合,下面圧力P1と上面圧力P2とが一定の関係にあるとは,P1>P2となる一定の関係をいう。 Here, it is preferable that the gas entering and exiting under the reduced pressure is an inert gas. When the pressure on the lower surface of the substrate is P1 and the pressure on the upper surface is P2, the fact that the lower surface pressure P1 and the upper surface pressure P2 are in a certain relationship means a certain relationship in which P1> P2.
前記浮上搬送装置は,搬送方向に対して前記基板の後方下面の圧力が前記基板の前方下面の圧力よりも高くなるように前記基板の下面に噴出入するガスを制御するようにしてもよい。 The levitation transfer device may control the gas jetted into the lower surface of the substrate so that the pressure on the rear lower surface of the substrate is higher than the pressure on the front lower surface of the substrate in the transfer direction.
これによれば,搬送方向に対して基板の後方下面の圧力をその基板の前方下面の圧力よりも高くすることにより,基板の前方が基板の後方より下がった状態になる。これにより,基板は,減圧下において,搬送方向に対して前方に傾斜しながら浮上搬送される。この結果,大気圧から減圧状態までのすべての基板搬送工程において基板を非接触にて連続的に搬送することができる。この結果,基板をアームにより搬送する必要がなくなる。これにより,搬送中に基板に反りが生じることを回避することができる。 According to this, by making the pressure on the rear lower surface of the substrate higher than the pressure on the front lower surface of the substrate in the transport direction, the front of the substrate is lowered from the rear of the substrate. As a result, the substrate is levitated and conveyed while being inclined forward with respect to the conveying direction under reduced pressure. As a result, the substrate can be continuously transferred in a non-contact manner in all substrate transfer processes from atmospheric pressure to a reduced pressure state. As a result, there is no need to transport the substrate by the arm. As a result, it is possible to avoid warping of the substrate during conveyance.
また,基板を搬送するためのアームが不要になることから,ロードロック室等の容器の搬入出口を従来に比べて極端に小さくすることができる。これにより,ロードロック室等の容器を非常に小さくすることができる。この結果,排気容積が小さくなるので,エジェクタなどの安価な設備によっても容器内をすばやく真空にすることができる。これにより,タクトタイムを大幅に短縮することができ,基板の生産性を向上させることができる。 In addition, since an arm for transporting the substrate is not necessary, the loading / unloading port of a container such as a load lock chamber can be made extremely small as compared with the conventional case. Thereby, containers, such as a load lock room, can be made very small. As a result, the exhaust volume is reduced, so that the interior of the container can be quickly evacuated even by inexpensive equipment such as an ejector. As a result, the tact time can be greatly shortened, and the productivity of the substrate can be improved.
また,浮上搬送装置により基板に噴出されるガスは,クリーンホットドライエアであってもよい。これによれば,基板近傍の水分を効果的に除去しながら基板を搬送することができる。特に,フラットパネルディスプレイ用のガラス基板は,その基板付近の水分除去が非常に重要である。このことから,クリーンホットドライエアを噴出することは,フラットパネルディスプレイ用のガラス基板を搬送する際に特に有効である。 Further, the gas ejected to the substrate by the levitation transfer device may be clean hot dry air. According to this, the substrate can be transported while effectively removing moisture near the substrate. In particular, it is very important to remove moisture near the glass substrate for flat panel displays. Therefore, ejecting clean hot dry air is particularly effective when transporting a glass substrate for a flat panel display.
さらに,前記搬送ステージは,所定の位置に電磁石と磁性体とを備え,前記浮上搬送装置は,前記基板が前記磁性体の上部に位置したとき,前記電磁石に通電する電流を制御することにより前記電磁石と前記磁性体との間に生じる反発力によって前記基板を浮上させるようにしてもよい。 Further, the transport stage includes an electromagnet and a magnetic body at a predetermined position, and the levitating transport device controls the current passed through the electromagnet when the substrate is positioned above the magnetic body. The substrate may be levitated by a repulsive force generated between an electromagnet and the magnetic body.
これによれば,電磁石に通電する電流を制御することにより前記電磁石と前記磁性体との間に生じる反発力によって前記基板を磁気浮上させることができる。これにより,ガス噴出による浮上力と磁気による反発力とにより基板を浮上搬送することができる。この結果,搬送中に基板に反りが発生する危険性をさらに低くすることができる。 According to this, the substrate can be magnetically levitated by the repulsive force generated between the electromagnet and the magnetic body by controlling the current applied to the electromagnet. As a result, the substrate can be levitated and conveyed by the levitating force caused by gas ejection and the repulsive force caused by magnetism. As a result, the risk of warping of the substrate during conveyance can be further reduced.
また,本発明の他の観点によれば,多孔質板により形成された搬送ステージと,基板を浮上させながら搬送する浮上搬送装置と,を用いて前記基板を浮上させながら大気圧から減圧状態まで非接触に搬送する基板の搬送方法が提供される。 According to another aspect of the present invention, from a atmospheric pressure to a reduced pressure state while the substrate is levitated using a conveyance stage formed of a porous plate and a levitating conveyance device that conveys the substrate while levitating. A method of transporting a substrate that is transported in a non-contact manner is provided.
具体的には,本搬送方法は,前記搬送ステージに形成された多孔からガスを噴出入することにより前記基板を浮上させる工程と,搬送方向に対して前記基板の後方下面の圧力が前記基板の前方下面の圧力よりも高くなるように前記基板の下面に噴出入するガスを制御することにより前記基板を所定の容器内まで搬送する工程と,前記容器内を減圧する工程と,前記減圧された容器内に位置する基板に対して,前記基板の下面の圧力と前記基板の上面の圧力とが一定の関係になるように前記基板の下面に噴出入する不活性ガスと前記基板の上面に噴出入する不活性ガスとをそれぞれ制御することにより減圧下にある前記基板を浮上させる工程と,搬送方向に対して前記基板の後方下面の圧力が前記基板の前方下面の圧力よりも高くなるように前記基板の下面に噴出入する不活性ガスを制御することにより減圧下にある前記基板を搬送する工程と,を含む。 Specifically, the present transport method includes a step of floating the substrate by injecting a gas from a perforation formed in the transport stage, and a pressure on a rear lower surface of the substrate with respect to the transport direction. The step of transporting the substrate into a predetermined container by controlling the gas injected into the lower surface of the substrate to be higher than the pressure of the front lower surface, the step of depressurizing the inside of the container, and the depressurization Inert gas injected into the lower surface of the substrate and jetted onto the upper surface of the substrate so that the pressure on the lower surface of the substrate and the pressure on the upper surface of the substrate have a certain relationship with respect to the substrate located in the container A step of levitating the substrate under reduced pressure by controlling each of the inert gas to enter, and a pressure on the rear lower surface of the substrate higher than a pressure on the front lower surface of the substrate in the transport direction in front And a step of transporting the substrate under reduced pressure by controlling the inert gas inlet jet to the lower surface of the substrate.
これによれば,大気圧から減圧状態までのすべての基板搬送工程において基板を非接触にて連続的に搬送することができる。この結果,基板とアームとの接触により基板に反りが生じることを回避することができる。また,基板を搬送するためのアームが不要になることから,ロードロック室等の容器を小さくすることができ,この結果,排気容積を小さくすることができる。これにより,エジェクタなどの安価な設備によっても容器内をすばやく真空にすることができる。この結果,タクトタイムを大幅に短縮することができ,基板の生産性を向上させることができる。 According to this, the substrate can be continuously transferred in a non-contact manner in all substrate transfer processes from atmospheric pressure to a reduced pressure state. As a result, it is possible to avoid warping of the substrate due to contact between the substrate and the arm. In addition, since an arm for transporting the substrate is not required, a container such as a load lock chamber can be made smaller, and as a result, the exhaust volume can be reduced. As a result, the interior of the container can be evacuated quickly even with inexpensive equipment such as an ejector. As a result, the tact time can be greatly shortened and the productivity of the substrate can be improved.
以上説明したように,本発明によれば,大気圧下から減圧下まで非接触にて基板を搬送する基板の搬送システムおよびその搬送方法を提供することができる。 As described above, according to the present invention, it is possible to provide a substrate transfer system and a transfer method for transferring a substrate in a non-contact manner from atmospheric pressure to reduced pressure.
以下に添付図面を参照しながら,本発明の好適な実施の形態について詳細に説明する。なお,本明細書及び図面において,実質的に同一の機能構成を有する構成要素については,同一の符号を付することにより重複説明を省略する。 Hereinafter, preferred embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings. In the present specification and drawings, components having substantially the same functional configuration are denoted by the same reference numerals, and redundant description is omitted.
(第1実施形態)
(搬送システムの構成の概要)
まず,本発明の第1実施形態にかかる基板の搬送システムの構成の概要について,図1および図2を参照しながら説明する。図1は,本実施形態にかかる搬送システムの一部を示した斜視図であり,図2は,この搬送システムの概略を示した平面図である。
(First embodiment)
(Overview of transport system configuration)
First, an outline of the configuration of the substrate transfer system according to the first embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS. 1 and 2. FIG. 1 is a perspective view showing a part of a transport system according to the present embodiment, and FIG. 2 is a plan view showing an outline of the transport system.
搬送システム10は,基板を加工装置にて加工するために基板を搬送する生産ラインに設けられている。本実施形態では,基板を加工する一例として,ガラス基板105をプラズマ処理するために搬送するシステムを例に挙げて説明する。
The transfer system 10 is provided in a production line for transferring a substrate in order to process the substrate with a processing apparatus. In this embodiment, as an example of processing a substrate, a system for transporting the
図1に示したように,搬送システム10は,搬送ステージ100と,搬送ステージ100の下方に多段に配設された複数のエア噴出装置110aおよび複数のエア吸入装置110bと,から構成されている。
As shown in FIG. 1, the transfer system 10 includes a
搬送ステージ100は,ガラス基板105を浮上させながら搬送するための台である。搬送ステージ100は,複数の微細な穴が設けられた多孔質板101から構成されている。多孔質板101に設けられた複数の穴(多孔)は,多孔質板101を搬送面に対してほぼ垂直に貫通している。
The
搬送ステージ100には,ガラス基板105が搬送されるときにその両端近傍が位置する部分に沿って排気溝102aおよび排気溝102bが設けられている。また,各排気溝102の底部には,図示しない排気口がそれぞれ設けられていて,搬送ステージ100に設けられた多孔から噴き出すエア(ガス)とのバランスが取れるように,その排気口から搬送ステージ100の外周付近のエアを排出するようになっている。
The
また,搬送ステージ100の両端には,ガラス基板105の位置を検出する位置センサ103aおよび位置センサ103bが複数埋め込まれていて,各位置センサ103によりガラス基板の位置を特定するようになっている。
A plurality of
また,搬送方向に対して搬送ステージ100の左側下方には,複数のエア噴出装置110aが搬送方向に向かって多段に配設されている。複数のエア噴出装置110aは,エア噴出装置110aのそれぞれに連通された多孔から搬送ステージ100上面に噴き出すエアの流量を制御するようになっている。
In addition, a plurality of
また,搬送方向に対して搬送ステージ100の右側下方には,複数のエア吸入装置110bが搬送方向に向かって多段に配設されている。複数のエア吸入装置110bは,搬送ステージ100上面からエア吸入装置110bのそれぞれに連通された多孔に吸い込むエアの流量を制御するようになっている。
In addition, a plurality of
図2に示したように,搬送システム10は,ロードロック室120,プロセスチャンバ130およびロードロック室140の順にガラス基板105を搬送する。搬送ステージ100は,ロードロック室120,プロセスチャンバ130およびロードロック室140にそれぞれ設けられた搬入口121,搬出口122,搬入口131,搬出口132,搬入口141および搬出口142を貫通している。各搬入出口には,各搬入出口を開閉するためのバルブ151〜バルブ154が設けられている。通常,バルブ151〜バルブ154は閉じている。
As shown in FIG. 2, the transfer system 10 transfers the
ロードロック室120およびロードロック室140は,プロセスチャンバ130でのプラズマ処理を行う前およびこの処理を行った後のガラス基板105を一時的に収容するために設置されている。プロセスチャンバ130は,加工装置の一例であり,ガラス基板105は,プロセスチャンバ130内にて生成されるプラズマにより,たとえば,エッチング処理,CVD(Chemical Vapor Deposition:化学気相成長法)処理などの処理を施される。
The
(搬送方法の概要)
つぎに,図2の1−1面にて搬送システム10を切断した断面である図3を参照しながら,本実施形態にかかる搬送方法の概要を説明する。
(Outline of transport method)
Next, the outline of the transport method according to the present embodiment will be described with reference to FIG. 3 which is a cross section of the transport system 10 taken along the plane 1-1 of FIG.
複数のエア噴出装置110a(エア噴出装置110a1,エア噴出装置110a2・・・)は,各エア噴出装置に連通した多孔から搬送ステージ100上にエアを噴き出す。また,複数のエア吸入装置110bは,各エア吸入装置に連通した多孔から搬送ステージ100上のエアを吸い込む。
The plurality of
このようにして,ガラス基板105は,ガラス基板105が位置する搬送ステージ100の下方付近のエア噴出装置110a1,a2等とエア吸入装置110b1,b2等との協業により,領域A1を矢印の方向(x軸方向)に向かって浮上しながら搬送される。
In this way, the
ガラス基板105がロードロック室120の直前まで搬送されると,バルブ151が開き,ガラス基板105は,搬入口121からロードロック室120内に搬送され,その後,バルブ151が閉じる。
When the
ロードロック室120内を図示しない真空ポンプ(たとえばドライポンプ)を用いて排気することにより容器内が減圧状態になると,バルブ152が開き,ガラス基板105は,エア噴出装置110a10,110a11等とエア吸入装置110b10,110b11等(図示せず)との協業により,プロセスチャンバ130内に搬送され,載置台133に載置され,バルブ152が閉じる。
When the inside of the container is depressurized by evacuating the inside of the
載置台133は,z軸方向(高さ方向)に上下動可能に配設されている。また,載置台133には,搬送ステージ100と同様に複数の微細な穴が設けられている。その複数の微細な穴は,載置台133下方に設けられたエア噴出装置110a21および図示しないエア吸入装置110b21に連通している。エア噴出装置110a21およびエア吸入装置110b21は,載置台133に設けられた多孔から載置台133上にエアを噴出入する。
The mounting table 133 is arranged to be movable up and down in the z-axis direction (height direction). In addition, the mounting table 133 is provided with a plurality of fine holes in the same manner as the
プロセスチャンバ130内が,図示しない真空ポンプ(たとえば,ターボモレキュラポンプ)を用いて真空状態にされ,ガラス基板105がプラズマ処理される場合,載置台133は,その処理に適した高さまで上昇する。また,プラズマ処理後,ガラス基板105が搬送される場合,載置台133は,搬送ステージ100付近の高さまで下降する。その後,バルブ153が開き,エア噴出装置110a21およびエア吸入装置110b21等は,これらの装置に連通した多孔から噴出入するエアによりガラス基板105をロードロック室140まで浮上搬送する。
When the inside of the
ガラス基板105がロードロック室140内に搬送されると,バルブ153が閉じ,その後,バルブ154が開く。このようにして,ロードロック室140は減圧状態から大気に開放される。エア噴出装置110a40等は,これらの装置に連通した多孔から噴出入するエアにより領域A2を矢印の方向(x軸方向)に向かって浮上搬送する。
When the
このような過程において,領域A1および領域A2は大気圧状態であり,領域B1および領域B2は大気圧状態から減圧状態,領域Cは真空状態となる。したがって,ガラス基板105は,領域A1〜領域B1では大気圧下で浮上搬送され,領域B1〜領域Cおよび領域C〜領域B2では減圧または真空圧下で浮上搬送され,領域B2〜領域A2では,再び大気圧下で浮上搬送される。以下の説明にて,大気中で噴出入されるエア(ガス)は,ガスの種類は問わず,たとえば,空気であってもよい。一方,ロードロック室120やプロセスチャンバ130内などの減圧下で噴出入されるエア(ガス)は,処理ガスをプラズマ化させるときにその処理に影響を及ぼさないように,不活性ガス(たとえば,アルゴン,ヘリウム)であることが好ましい。
In such a process, the region A1 and the region A2 are in the atmospheric pressure state, the region B1 and the region B2 are changed from the atmospheric pressure state to the reduced pressure state, and the region C is in the vacuum state. Therefore, the
(エア噴出装置およびエア吸入装置の構成)
つぎに,領域A1または領域A2に配設されたエア噴出装置110aおよびエア吸入装置110bの内部構成について,図4を参照しながら説明する。図4は,図2の2−2面にて搬送システム10を切断した断面を示している。エア噴出装置110aはガラス基板105と搬送ステージ100との間の気体を加圧する側の装置である。エア吸入装置110bはガラス基板105と搬送ステージ100との間の気体を減圧する側の装置である。
(Configuration of air ejection device and air suction device)
Next, the internal configuration of the
エア噴出装置110aは,圧力計111a,圧力制御回路112a,電空比例制御回路113a,アクチュエータ114a1,バルブ114a2,圧力調整レギュレータ115a,ゲージ116a,プレッシャースイッチ117a,フィルタ118aおよび導管119aから構成されている。エア噴出装置110aは,導管119aに連通した導管104aを介して搬送ステージ100上にエアを噴き出すための多孔に接続されている。
The
圧力計111aは,ガラス基板105と搬送ステージ100との間の気体の圧力に対応した導管104a内のエアの圧力(大気圧より高圧側)を測定する。なお,圧力計111aは,圧力センサの一例である。
The pressure gauge 111a measures the pressure of the air in the
圧力制御回路112aは,圧力計111aにより測定された実圧力値と図示しないコンピュータから出力された目標加圧値を示す制御信号とを入力し,入力した実圧力値と目標加圧値との差分値を示す加圧信号(電気信号)を出力するようになっている。圧力制御回路112aは,たとえば,二つの入力値を比較した結果を出力するコンパレータに内蔵されている。
The
電空比例制御回路113aは,加圧信号に対応して図示しない圧縮空気ラインから取り込むエアの流量を自動制御するようになっている。電空比例制御回路113aは,たとえば,電気信号をエアの流量に変換する電空レギュレータに内蔵されている。
The electropneumatic
アクチュエータ114a1は,電空比例制御回路113aにより自動制御されたエアの流量に基づいてバルブ114a2を開閉する。具体的には,アクチュエータ114a1は,エアが入力されるとバルブ114a2を開き,エアの量に応じてバルブ114a2の開度を調整し,エアが入力されないとバルブ114a2を閉じるようになっている。
The actuator 114a1 opens and closes the valve 114a2 based on the air flow rate automatically controlled by the electropneumatic
圧力調整レギュレータ115aは,導管119aに接続されていて,導管119aに入力するクリーンホットドライエアの圧力を調整する。クリーンホットドライエアとは,分子状汚染物質(水分)を除去した質の高い空気である。
The
ゲージ116aは,入力されたクリーンホットドライエアの圧力が所定範囲内であるか否かを監視し,プレッシャースイッチ117aは,入力されたクリーンホットドライエアの圧力が所定範囲外の値となったとき,アラームを出力するようになっている。フィルタ118aは,導管119a内を流れるエア中のごみを取り除くフィルタである。
The
このような構成により,エア噴出装置110aは,導管119a内を通過するクリーンホットドライエアの流量を制御することによって,導管119aに連通した導管104aを介して搬送ステージ100の多孔から所望の流量のエアを噴出するようになっている。
With such a configuration, the
エア吸入装置110bは,圧力計111b,圧力制御回路112b,電空比例制御回路113b,アクチュエータ114b1,バルブ114b2,電磁弁115b,エジェクタ116bおよび導管117bから構成されている。エア吸入装置110bは,導管117bに連通した導管104bを介して搬送ステージ100上のエアを吸い込むための多孔に接続されている。
The
圧力計111bは,ガラス基板105と搬送ステージ100との間の気体の圧力に対応した導管104b内のエアの圧力(大気圧より低圧側)を測定する。圧力計111bは,圧力センサの一例である。
The
圧力制御回路112bは,圧力計111bにより測定された実圧力値と図示しないコンピュータから出力された目標減圧値を示す制御信号とを入力し,入力した目標減圧値と実圧力値との差分値を示す減圧信号(電気信号)を出力するようになっている。圧力制御回路112bは,たとえば,二つの入力値を比較した結果を出力するコンパレータに内蔵されている。
The
電空比例制御回路113bは,減圧信号に基づいて圧縮空気ラインから吸い込むエアの流量を自動制御するようになっている。電空比例制御回路113bは,たとえば,電気信号をエアの流量に変換する電空レギュレータに内蔵されている。
The electro-pneumatic
アクチュエータ114b1は,電空比例制御回路113bにより自動制御されたエアの流量に基づいてバルブ114b2を開閉する。具体的には,アクチュエータ114b1は,エアが入力されるとバルブ114b2を開き,エアの量に応じてバルブ114b2の開度を調整し,エアが入力されないとバルブ114b2を閉じるようになっている。
The actuator 114b1 opens and closes the valve 114b2 based on the flow rate of air automatically controlled by the electropneumatic
電磁弁115bは,バルブ114b2の開閉のタイミングに連動して通電されると,その通電にて得られる電磁力を用いて弁体を弾性体の弾性力に抗して作動位置に移動させることにより,前記弁体にてエジェクタ116bへのエアの流路を連通または遮断するようになっている。
When the
エジェクタ116bは,導管117bと連結していて,大気中に向けてノズルからエアを吹射することにより,ガラス基板105と搬送ステージ100との間のエアを搬送ステージ100の多孔,導管104b,導管117bを介して吸引するようになっている。
The
このような構成により,エア吸入110bは,導管117b内に引き込むエアの流量を制御することによって,導管117bに接続された導管104bを介して搬送ステージ100の多孔から所望の流量のエアを吸入するようになっている。
With such a configuration, the
このようにして,エア噴出装置110aおよびエア吸入装置110bは,搬送ステージ100の噴出口および吸引口の圧力をそれぞれ監視しながらエアの流量を制御することによりガラス基板105を浮上させる。また,エア噴出装置110aにより噴き出すエアの量およびエア吸入装置110bにより吸い込むエアの流量のバランスにより,ガラス基板105を浮上位置(高さ)を制御する。
In this way, the
なお,領域A1および領域A2では,浮上搬送装置110は,以上に説明したエア噴出装置110aおよびエア吸入装置110bから構成される。また,搬送ステージ100に設けられた多孔の径は,吸い込み側が吹き出し側より大きくなるように設計されている。
In the area A1 and the area A2, the levitation transport device 110 is configured by the
(大気圧下浮上搬送動作)
つぎに,領域A1および領域A2に配設された浮上搬送装置110が,大気中において,ガラス基板105を浮上搬送する動作について,図5を参照しながら説明する。図5は,図2の搬送システム10を搬送方向に対して左側面から示したものである。
(Floating transfer operation under atmospheric pressure)
Next, an operation in which the levitation conveyance device 110 disposed in the area A1 and the area A2 levitates and conveys the
前述したように,搬送方向に対して搬送ステージ100の左側下方には,エア噴出装置110a(エア噴出装置110a1,エア噴出装置110a2,・・・)が複数設置されている。また,搬送ステージ100の右端下方には,エア吸入装置110b(エア吸入装置110b1のみ図示)が複数設置されている。
As described above, a plurality of
なお,エア噴出装置110a2〜エア噴出装置110a4は,エア噴出装置110a1と同じ内部構成であるので一部を省略して示す。また,エア噴出装置110a1〜エア噴出装置110a4の内部構成は,図4に示したエア噴出装置110aおよびエア吸入装置110bと同様であり,エア吸入装置110b1内の内部構成は,図4に示したエア吸入装置110bと同様であるので,各構成要素を示す符号を省略する。
Note that the air ejection device 110a2 to the air ejection device 110a4 have the same internal configuration as the air ejection device 110a1, and thus are partially omitted. Further, the internal configuration of the air ejection device 110a1 to the air ejection device 110a4 is the same as that of the
ガラス基板105が矢印の方向に浮上搬送されると,エア噴出装置110a1〜エア噴出装置110a4は,一定間隔毎に搬送ステージ100に埋め込まれた位置センサ103a1〜位置センサ103a4を用いてガラス基板105の位置をそれぞれ確認する。
When the
これにより,ガラス基板105の前方が搬送されてきたことをいずれかのエア噴出装置110aが確認すると,そのエア噴出装置110aは,搬送ステージ100上に所望のエアを噴出する。その後,エア噴出装置110aは,ガラス基板105の移動に連動して,噴出するエアの流量を連続的に増加させる。
Thereby, when any one of the
図1に示したように,各エア吸入装置110bも,エア噴出装置110aと同様に,一定間隔毎に搬送ステージ100に埋め込まれた各位置センサ103を用いてガラス基板105の位置をそれぞれ確認する。
As shown in FIG. 1, each
ガラス基板105の前方が搬送されてきたことをいずれかのエア吸入装置110bが確認すると,そのエア吸入装置110bは,搬送ステージ100上のエアを吸入する。その後,エア吸入装置110bは,ガラス基板105の移動に連動して,吸入するエアの流量を連続的に減少させる。
When one of the
この結果,搬送方向に対してガラス基板105の後方下面の圧力がガラス基板105の前方下面の圧力よりも高くなるようにガラス基板105の下面に噴出入するエアが制御される。これにより,搬送方向に対してガラス基板105の前方がその後方より下がった状態になる。この結果,ガラス基板105は,前方に傾斜しながら搬送方向に浮上搬送される。
As a result, the air injected into the lower surface of the
すなわち,搬送方向に対して後方に位置するエア噴出装置110aにより噴き出されるエアの流量が,その前方に位置するエア噴出装置110aにより噴き出されるエアの流量より多い場合,ガラス基板105の後方下面の圧力がガラス基板105の前方下面の圧力より高くなる。
That is, when the flow rate of the air ejected by the
また,搬送方向に対して後方に位置するエア吸入装置110bにより吸入されるエアの流量が,その前方に位置するエア吸入装置110bにより吸入されるエアの流量より少ない場合,ガラス基板105の後方下面の圧力がガラス基板105の前方下面の圧力より高くなる。このようなエア噴出装置110aおよびエア吸入装置110bの制御により,ガラス基板105は浮上しながら前進する。
Further, when the flow rate of air sucked by the
このようにして,ガラス基板105の位置に応じて複数のエア噴出装置110aおよび複数のエア吸入装置110bが連動して動作することにより,搬送システム10は,ガラス基板105を所定の位置まで浮上搬送し続ける。
Thus, the plurality of
また,各エア噴出装置110aが噴き出すエアの流量,および,各エア吸入装置110bが吸い込むエアの流量を変動させることにより,ガラス基板105の後方下面と前方下面との圧力(浮上力)を変動させることができる。この結果,搬送システム10は,ガラス基板105を浮上させながら始動,停止させることができるとともに,ガラス基板105の傾斜角度によって搬送スピードを調整することができる。
Further, the pressure (levitation force) between the rear lower surface and the front lower surface of the
すなわち,エアの制御によりガラス基板105の後方下面の圧力がガラス基板105の前方下面の圧力より高くなると,ガラス基板105は浮上しながら前進する。また,ガラス基板105の下面の圧力が一定となると,ガラス基板105は停止する。また,ガラス基板105の後方下面の圧力がガラス基板105の前方下面の圧力より低くなると,ガラス基板105は浮上しながら後進する。
That is, when the pressure on the rear lower surface of the
さらに,ガラス基板105の前方下面の圧力とガラス基板105の後方下面の圧力との差が大きくなると,ガラス基板105の搬送スピードが速くなり,ガラス基板105の前方下面の圧力とガラス基板105の後方下面の圧力との差が小さくなると,ガラス基板105の搬送スピードが遅くなる。
Further, when the difference between the pressure on the front lower surface of the
このようなエアの制御により,ガラス基板105は,ロードロック室120まで浮上搬送され,ロードロック室120内で停止し,搬送ステージ100上に設けられた台に配置される。
By such air control, the
(減圧動作)
この状態で,図示しない真空ポンプが,ロードロック室120内を粗引きすることによりロードロック室120内は,大気圧から減圧される。
(Decompression operation)
In this state, the inside of the
(減圧下浮上搬送動作)
つぎに,領域B1,領域B2および領域Cに配設された浮上搬送装置110が,減圧下において,ガラス基板105を浮上させる動作について説明する。図2の3−3面にて搬送システム10を切断した断面である図6に示したように,浮上搬送装置110は,エア噴出装置110a,エア吸入装置110bおよびエア調整装置110cから構成されている。
(Floating transfer operation under reduced pressure)
Next, an operation in which the levitation conveyance device 110 disposed in the region B1, the region B2, and the region C causes the
ロードロック室120,プロセスチャンバ130,ロードロック室140では,減圧下にてガラス基板105を浮上搬送させるために,エア噴出装置110a,エア吸入装置110bに加えてエア調整装置110cが必要となる。
In the
なお,エア噴出装置110aおよびエア吸入装置110b内の内部構成は,図4に示したエア噴出装置110aおよびエア吸入装置110bと同様であるので,各構成要素を示す符号を省略する。
The internal configuration of the
前述したように,エア噴出装置110aは,ガラス基板105の下面にエアを噴き出す。また,エア吸入装置110bは,ガラス基板105下面のエアを吸入する。これにより,エア噴出装置110aおよびエア吸入装置110bは,ガラス基板105下面の圧力P1を調整するようになっている。
As described above, the
エア調整装置110cは,エア吸入装置110bと同一構成であり,具体的には,圧力計111c,圧力制御回路112c,電空比例制御回路113c,アクチュエータ114c1,バルブ114c1,電磁弁115c,エジェクタ116cおよび導管117cから構成されている。
The
このような構成により,エア調整装置110cは,ロードロック室120内のガラス基板105上面のエアを所望の流量だけ吸入する。これにより,エア調整装置110cは,ガラス基板105上面の圧力P2を調整するようになっている。なお,エア調整装置110cは,エア噴出装置110aと同様の内部構成を有することにより,ロードロック室120内のガラス基板105上面に所望の流量のエアを噴出することによってガラス基板105上面の圧力P2を調整するようにしてもよい。
With such a configuration, the
このようにして浮上搬送装置110により調整される圧力P1および圧力P2の関係は,以下の式(1)により示される。
P1=WG/AG×9.8×104+P2・・・(1)
The relationship between the pressure P1 and the pressure P2 adjusted by the levitation conveyance device 110 in this way is expressed by the following equation (1).
P1 = W G / A G × 9.8 × 10 4 + P2 (1)
ここで,WGはガラス基板105の重量(kg),AGはガラス基板105の面積(cm2),P1はガラス基板105下面の圧力(Pa),P2はガラス基板105上面の圧力(Pa)を示す。
Here, W G is the weight (kg) of the
たとえば,1(m2)のガラス基板105を浮上させるのに必要な力は,0.11(g/cm2),差圧は約10(Pa)となる。このようにして,圧力P1>圧力P2となる一定の関係(式(1)の関係)を満足するようにエアの噴出および吸入が制御される結果,ガラス基板105は,減圧下にあるロードロック室120の内部にて浮上する。
For example, the force required to float the 1 (m 2 )
減圧下におけるガラス基板105の搬送方法は,基本的に,大気圧下におけるガラス基板105の搬送方法と同様である。すなわち,エア噴出装置110aが,搬送方法に対してガラス基板105の前方と後方とに噴出するエアの流量を調整し,エア吸入装置110bが,搬送方法に対してガラス基板105の前方と後方とに吸入するエアの流量を調整する。これにより,ガラス基板105は前方に傾斜しながら搬送方向に浮上搬送される。
The method for transporting the
このようにして,ガラス基板105は,ロードロック室120からプロセスチャンバ130に浮上搬送され,プロセスチャンバ130にてプラズマ処理され,さらに,プロセスチャンバ130からロードロック室140を経由して,再び,大気圧下にて浮上搬送される。
In this way, the
以上に説明した搬送システム10によれば,ガラス基板105は,大気圧下のみならず減圧下においても浮上搬送される。よって,大気圧から減圧状態までのすべての基板搬送工程においてガラス基板105を非接触にて連続的に搬送することができる。これにより,ガラス基板105をアームにより搬送する必要がなくなる。この結果,搬送中にガラス基板105に反りが生じることを回避することができ,ガラス基板105を用いた製品の歩留まりを向上させることができる。
According to the transport system 10 described above, the
また,ガラス基板105の搬送にアームを必要としないので,ロードロック室等の容器の搬入出口(間口)を,たとえば,従来の1/10程度というように極端に小さくすることができる。これにより,ロードロック室などのチャンバを非常に小さくすることができる。これにより,排気容積が小さくなるので,エジェクタなどの安価な設備によってもチャンバ内をすばやく真空にすることができる。この結果,タクトタイムを大幅に短縮することができ,ガラス基板105の生産性を向上させることができる。
Further, since no arm is required for transporting the
たとえば,チャンバ内部が真空に到達するまでの時間Tは次式(2)にて表される。
T=(L/C)1/α・・・(2)
ここで,Lはチャンバ容積,Cは真空度による定数,αはエジェクタの型番による指数である。
For example, the time T until the inside of the chamber reaches a vacuum is expressed by the following equation (2).
T = (L / C) 1 / α (2)
Here, L is the chamber volume, C is a constant according to the degree of vacuum, and α is an index according to the model number of the ejector.
各定数を,L=11.25,C=0.24,α=1.06とし,8つのエジェクタによりロードロック室120を排気する場合,式(2)によれば,ロードロック室における真空到達時間Tは4.7(sec)となる。同様に,プロセスチャンバ130およびロードロック室140の真空到達時間Tは,それぞれ,52(sec)および3(sec)となる。
When each constant is L = 11.25, C = 0.24, α = 1.06, and the
したがって,本実施形態の搬送システム10を用いれば,タクトタイムを約60(sec)という非常に短い時間に短縮することができる。 Therefore, if the transport system 10 of this embodiment is used, the tact time can be reduced to a very short time of about 60 (sec).
また,この搬送システム10によれば,前述したようにチャンバが小型化(薄型化)し,大掛かりな排気設備が不要となる。また,ガラス基板105を非接触にて連続搬送するため,移載空間が不要となる。これにより,システム構築時のコストを大幅に低減することができるとともに排気時のコストも低減することができる。
Further, according to the transfer system 10, the chamber is downsized (thinned) as described above, and a large exhaust facility is not required. Further, since the
また,この搬送システム10は,インライン方式に適用可能なため,ガラス基板105を所定の時間間隔にて順次搬送することにより,ガラス基板105の生産性を向上させることができる。
Further, since the transfer system 10 can be applied to an in-line method, the productivity of the
また,この搬送システム10によれば,クリーンホットドライエアが,ガラス基板105下面に噴き出される。これにより,ガラス基板105近傍の水分を効果的に除去することができる。特に,フラットパネルディスプレイ用のガラス基板は,その基板付近の水分除去が非常に重要である。このことから,フラットパネルディスプレイ用のガラス基板を搬送する際に,この搬送システム10は特に有効である。
Further, according to the transport system 10, clean hot dry air is jetted to the lower surface of the
なお,本実施形態によれば,各チャンバ内は,チャンバに配設されたエジェクタにより排気される。このため,チャンバ内の到達真空度は100(torr)程度である。よって,チャンバ内の到達真空度をこれ以下にしたい場合には,図示しない小型の補助ポンプを用いてさらに真空引きすればよい。 According to the present embodiment, each chamber is exhausted by the ejector disposed in the chamber. For this reason, the ultimate vacuum in the chamber is about 100 (torr). Therefore, when the ultimate vacuum in the chamber is desired to be lower than this, the vacuum may be further reduced using a small auxiliary pump (not shown).
(搬送始動装置および搬送停止装置の構成および動作)
また,ガラス基板105の搬送を開始するとき,およびその搬送を停止するときには図7に示した搬送始動装置700aおよび搬送停止装置700bが用いられてもよい。搬送始動装置700aは,ガラス基板105の搬送を接触式で開始するために用いられる。搬送始動装置700aは,圧力計701a,圧力制御回路702a,電空比例制御回路703aおよびエアシリンダ704aから構成されている。
(Configuration and operation of transfer start device and transfer stop device)
Further, when starting the conveyance of the
圧力計701aは,エアシリンダ704a内の圧力を測定する。圧力制御回路702aは,圧力計701aにより測定された実圧力値と図示しないコンピュータから出力された目標始動加圧値を示す制御信号とを入力し,目標始動加圧値と実圧力値との差分値を示す加圧信号(電気信号)を出力するようになっている。電空比例制御回路703aは,加圧信号をエアの流量に変換する。電空比例制御回路703aは,たとえば,電気信号をエアの流量に変換する電空レギュレータに内蔵されている。
The
エアシリンダ704a内にエアが入力されると,筒の内部のピストンが外に伸びることにより,エアシリンダ704aは,図示しない浮上搬送装置110にて浮上されたガラス基板105の後端部(搬送方向に対してガラス基板105の後方部分)をやわらかく押すようになっている。このようにして,ガラス基板105の搬送が,搬送始動装置700aにより接触式に開始される。
When air is input into the
搬送停止装置700bも,搬送始動装置700aと同様に,圧力計701b,圧力制御回路702b,電空比例制御回路703bおよびエアシリンダ704bから構成されている。エアシリンダ704bは,圧力計701b,圧力制御回路702bおよび電空比例制御回路703bにより自動制御されたエアにより,ガラス基板105の前端部(搬送方向に対してガラス基板105の前方部分)をやわらかく受け止める。このようにして,ガラス基板105の搬送が,搬送停止装置700bにより接触式にて停止する。なお,エアシリンダ704aおよびエアシリンダ704bには,図示しない排気管が接続されていて,入力されたエアを排気するようになっている。
Similarly to the
以上に説明した搬送始動装置700aおよび搬送停止装置700bによれば,エアシリンダ内に供給するエアが電空レギュレータにより微細に制御される。これにより,ガラス基板105の搬送を極めてソフトに開始し,極めてソフトに停止することができる。この結果,ガラス基板105の搬送中のゴミの発生およびガラス基板105の損傷を防ぐことができる。
According to the
(第1実施形態の変形例)
つぎに,第1実施形態の変形例について説明する。本変形例では,搬送ステージ100に電磁石と基板支持枠とを設け,減圧下においてガラス基板105の外周部分を磁気浮上させる点において,ガラス基板105全体をエアにより浮上させる第1実施形態と異なる。よって,以下,この相異点を中心に本変形例について説明する。
(Modification of the first embodiment)
Next, a modification of the first embodiment will be described. This modification is different from the first embodiment in which an electromagnet and a substrate support frame are provided on the
(減圧下浮上搬送動作)
本変形例の浮上搬送装置110は,図2の3−3面にて搬送システム10を切断した断面である図8に示したように,エア噴出装置110a,エア吸入装置110bおよびエア調整装置110cから構成されている。各装置の内部構成は第1実施形態と同様であり符号は省略する。
(Floating transfer operation under reduced pressure)
As shown in FIG. 8, which is a cross section of the transfer system 10 taken along the 3-3 plane in FIG. 2, the levitating transfer apparatus 110 of this modification is an
本変形例の搬送ステージ100上には,ガラス基板105が搬送または停止する位置のガラス基板105外周近傍に基板支持枠124が設けられている。基板支持枠124は,磁性体としての性質を持っている。また,搬送ステージ100には,基板支持枠124の下方に電磁石125が埋め込まれている。
On the
図8のH部分を拡大した図9(a)に示したように,ガラス基板105が基板支持枠124の上部に位置したとき,電磁石125と基板支持枠124との間に反発力が生じるように電磁石125に電流が通電される。この結果,図9(b)に示したように,電磁石125と基板支持枠124との間に生じる反発力によってガラス基板105の外周は磁気浮上する。また,ガラス基板105の中央部は,第1実施形態と同様に,ガラス基板105の上面および下面の圧力をエアによって調整することにより浮上する。
As shown in FIG. 9A in which the portion H of FIG. 8 is enlarged, when the
以上に説明した変形例によれば,ガラス基板105の搬送中にガラス基板105に反りが発生する危険性をさらに低くすることができる。また,基板支持枠124と電磁石125とにより,基板支持枠124と搬送ステージ100との間の隙間が小さくなる。これにより,ガラス基板105下面側のエアとガラス基板105上面側のエアとの混合を少なくすることができる。この結果,ガラス基板105下面側の圧力P1とガラス基板105上面側の圧力P2との調整をより精度良く行うことができる。
According to the modification described above, the risk of warping of the
(第2実施形態)
(搬送システムの構成および動作)
本実施形態では,図10に示したように,ゲートバルブ(ゲートバルブ161,ゲートバルブ162,ゲートバルブ163,ゲートバルブ164・・・)により開閉可能な複数の室を持つチャンバ170が搬送システム10に配置されている点で,ロードロック室,プロセスチャンバ,ロードロック室の順にチャンバが搬送システム10に配置されている第1実施形態と異なる。よって,以下,この相異点を中心に第2実施形態にかかる搬送システム10について説明する。
(Second Embodiment)
(Conveyor system configuration and operation)
In the present embodiment, as shown in FIG. 10, a
ガラス基板105が,浮上搬送装置110の制御によりゲートバルブ161前まで浮上搬送されると,ゲートバルブ161が開くので,ガラス基板105は停止することなくチャンバ170内に浮上搬送される。ガラス基板105全体がチャンバ170内に入ると,ゲートバルブ161が閉まる。
When the
その後,ガラス基板105が,ゲートバルブ162前まで浮上搬送されると,ゲートバルブ162が開くので,ガラス基板105は,停止することなくチャンバ170内を浮上搬送され,その後,ゲートバルブ162が閉まる。
Thereafter, when the
このような動作を繰り返すことにより,ガラス基板105がチャンバ170内の複数の室を停止することなく通過する間に,図示しない複数の真空ポンプが,チャンバ170内を排気し続ける。このようにして,ガラス基板105は,大気圧下から真空圧下まで連続的に浮上搬送される。なお,ガラス基板105は,チャンバ170を通過した後,図示しないプロセスチャンバに浮上搬入され,プラズマ処理を施されてもよい。
By repeating such an operation, a plurality of vacuum pumps (not shown) continue to evacuate the
以上に説明した本実施形態によれば,ガラス基板105の浮上搬送を停止させることなく容器内が連続的に減圧される。これにより,第1実施形態に比べ,ガラス基板105の浮上搬送させながら容器内を迅速に真空状態にすることができる。
According to this embodiment described above, the inside of the container is continuously depressurized without stopping the floating conveyance of the
なお,すべての実施形態において,エア浮上のみを用いた基板搬送,エアと磁気浮上を用いた基板搬送,磁気浮上のみを用いた基板搬送が可能である。 In all the embodiments, substrate conveyance using only air levitation, substrate conveyance using air and magnetic levitation, and substrate conveyance using only magnetic levitation are possible.
上記各実施形態において,各部の動作はお互いに関連しており,互いの関連を考慮しながら,一連の動作として置き換えることができる。したがって,このように置き換えることにより,基板の搬送システムの発明は,基板の搬送方法の発明の実施形態とすることができる。 In each of the above embodiments, the operations of the respective units are related to each other, and can be replaced as a series of operations in consideration of the mutual relationship. Therefore, by replacing in this way, the substrate transport system invention can be an embodiment of the substrate transport method invention.
以上,添付図面を参照しながら本発明の好適な実施形態について説明したが,本発明は係る例に限定されないことは言うまでもない。当業者であれば,特許請求の範囲に記載された範疇内において,各種の変更例または修正例に想到し得ることは明らかであり,それらについても当然に本発明の技術的範囲に属するものと了解される。 As mentioned above, although preferred embodiment of this invention was described referring an accompanying drawing, it cannot be overemphasized that this invention is not limited to the example which concerns. It will be apparent to those skilled in the art that various changes and modifications can be made within the scope of the claims, and these are naturally within the technical scope of the present invention. Understood.
たとえば,上述した実施形態では,ガラス基板105は,ロードロック室120,プロセスチャンバ130,ロードロック室140の順に搬送され,プロセスチャンバ130にてプラズマによりエッチング処理が施された。
For example, in the above-described embodiment, the
しかし,本発明の搬送システムは,ガラス基板にプラズマ処理を施すためのシステムに限られず,基板にいずれかの加工を加えるために基板を搬送するシステムに適用できる。 However, the transfer system of the present invention is not limited to a system for performing a plasma treatment on a glass substrate, and can be applied to a system for transferring a substrate in order to apply any processing to the substrate.
また,本発明の搬送システムは,図11(a)に示したように,搬送ステージ100にロードロック室,複数のプロセスチャンバ,ロードロック室が順に接続されるようなシステムであってもよいし,さらに,これらの装置にトランスファーチャンバ(トランスファモジュール)が接続されているシステムであってもよい。これによれば,ガラス基板105に対して,複数の加工処理を施すことができる。
Further, as shown in FIG. 11A, the transfer system of the present invention may be a system in which a load lock chamber, a plurality of process chambers, and a load lock chamber are sequentially connected to the
また,図11(b)に示したように,本発明の搬送システムは,1つの搬送ステージ100が,ロードロック室,プロセスチャンバ,ロードロック室の順に接続された2つの搬送ステージに分岐し,再び,1つの搬送ステージ100に結合されるようなシステムであってもよい。これによれば,分岐した一方の搬送ステージ100上の装置に故障が生じた場合であっても,他方の搬送ステージ100に接続されたプロセスチャンバにより加工処理を続行することができる。
Further, as shown in FIG. 11 (b), the transfer system of the present invention branches one
さらに,図11(c)に示したように,本発明の搬送システムは,搬送ステージ100上のロードロック室に接続された複数のプロセスチャンバのうち,任意のプロセスチャンバにてガラス基板がプラズマ処理されるように構築されたシステムであってもよい。これによれば,複数のプロセスチャンバから特定の加工処理を行う任意のチャンバを選択することにより,1つの搬送システムで多種の加工処理を行うことができる。
Further, as shown in FIG. 11C, the transfer system of the present invention is configured such that the glass substrate is subjected to plasma processing in an arbitrary process chamber among a plurality of process chambers connected to the load lock chamber on the
本発明は,大気圧下から減圧下まで非接触に基板を搬送する基板の搬送システムに適用可能である。 The present invention is applicable to a substrate transfer system that transfers a substrate in a non-contact manner from atmospheric pressure to reduced pressure.
10 搬送システム
100 搬送ステージ
105 基板
110 浮上搬送装置
110a エア噴出装置
110b エア吸入装置
110c エア調整装置
120 ロードロック室
124 基板支持枠
125 電磁石
130 プロセスチャンバ
140 ロードロック室
170 チャンバ
700a 搬送始動装置
700b 搬送停止装置
DESCRIPTION OF SYMBOLS 10
Claims (6)
第1及び第2の複数の孔が設けられた搬送ステージと、
前記第1の複数の孔と連通し、前記基板の下面にガスを噴き出す噴出装置と、
前記第2の複数の孔と連通し、前記基板の下面からガスを吸入する吸入装置と、
前記基板の上面にガスを噴き出すことにより圧力を調整する調整装置とを備え、
前記基板の下面の圧力と前記基板の上面の圧力とが一定の関係になるように、前記基板の下面に噴出及び吸入するガスと前記基板の上面に噴出及び吸入するガスとをそれぞれ制御することにより減圧下にある前記基板を浮上させることを特徴とする基板搬送システム。 A substrate transfer system for transferring a substrate by levitating a substrate under reduced pressure,
A transfer stage provided with a plurality of first and second holes ;
An ejection device that communicates with the first plurality of holes and that ejects gas to the lower surface of the substrate;
An inhaler that communicates with the second plurality of holes and that inhales gas from the lower surface of the substrate;
An adjustment device that adjusts the pressure by blowing gas to the upper surface of the substrate;
Controlling the gas ejected and sucked into the lower surface of the substrate and the gas ejected and sucked into the upper surface of the substrate so that the pressure on the lower surface of the substrate and the pressure on the upper surface of the substrate have a certain relationship A substrate transfer system, wherein the substrate under reduced pressure is levitated.
搬送方向に対して前記基板の後方下面の圧力が前記基板の前方下面の圧力よりも高くなるように前記基板の下面に噴出及び吸入するガスを制御することにより前記基板を搬送することを特徴とする請求項1に記載された基板搬送システム。 The substrate is transported by controlling the gas ejected and sucked into the lower surface of the substrate so that the pressure on the rear lower surface of the substrate is higher than the pressure on the front lower surface of the substrate in the transport direction. The substrate transfer system according to claim 1.
前記搬送ステージは,
所定の位置に電磁石を備え,
前記浮上搬送装置は,
前記基板支持枠が前記電磁石の上部に位置したとき,前記電磁石に通電する電流を制御することにより生じる前記電磁石と前記基板支持枠との間の反発力によって前記基板を浮上させることを特徴とする請求項1〜4のいずれかに記載された基板搬送システム。 The substrate support frame is a magnetic body,
The transfer stage is
An electromagnetic stone in place,
The levitation transfer device
When the substrate support frame is positioned on top of the electromagnet, characterized in that for floating the substrate by the repulsive force between said electromagnet caused by controlling the current supplied to the electromagnet the substrate supporting frame radicals Ita搬 delivery system according to claim 1.
前記第1の複数の孔と連通し、前記基板の下面にガスを噴出する工程と、
前記第2の複数の孔と連通し、前記基板の下面からガスを吸入する工程と、
前記基板の上面にガスを噴き出すことにより圧力を調整する工程と、を含み、
前記各工程では、前記基板の下面の圧力と前記基板の上面の圧力とが一定の関係になるように、前記基板の下面に噴出及び吸入するガスと前記基板の上面に噴出及び吸入するガスとをそれぞれ制御することにより減圧下にある前記基板を浮上させることを特徴とする基板搬送方法。 A transfer stage provided with first and second holes, an ejection device that communicates with the first holes, and jets gas to the lower surface of the substrate, and communicates with the second holes. , a suction device for sucking gas from the lower surface of the substrate, a group Ita搬 delivery method for conveying while floating the substrate using:
Communicating with the first plurality of holes and ejecting gas to the lower surface of the substrate;
Inhaling gas from the lower surface of the substrate in communication with the second plurality of holes;
Adjusting the pressure by blowing gas onto the upper surface of the substrate,
In each of the steps, a gas jetted and sucked into the lower surface of the substrate and a gas jetted and sucked into the upper surface of the substrate so that the pressure on the lower surface of the substrate and the pressure on the upper surface of the substrate have a fixed relationship group Ita搬 delivery method characterized by floating the said substrate which is under reduced pressure by the control, respectively.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2005087484A JP4869612B2 (en) | 2005-03-25 | 2005-03-25 | Substrate transport system and substrate transport method |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2005087484A JP4869612B2 (en) | 2005-03-25 | 2005-03-25 | Substrate transport system and substrate transport method |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2006264939A JP2006264939A (en) | 2006-10-05 |
JP4869612B2 true JP4869612B2 (en) | 2012-02-08 |
Family
ID=37201301
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2005087484A Expired - Fee Related JP4869612B2 (en) | 2005-03-25 | 2005-03-25 | Substrate transport system and substrate transport method |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP4869612B2 (en) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
TWI789696B (en) * | 2021-01-26 | 2023-01-11 | 展成科技有限公司 | Vaccum maintenance system |
Families Citing this family (16)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2008140953A (en) * | 2006-12-01 | 2008-06-19 | Tanken Seal Seiko Co Ltd | Levitation device |
JP4982292B2 (en) * | 2007-08-07 | 2012-07-25 | 東京応化工業株式会社 | Coating apparatus and coating method |
TW200917352A (en) * | 2007-10-11 | 2009-04-16 | King Yuan Electronics Co Ltd | A vacuum-retaining apparatus and a wafer-dicing machine comprising the vacuum-retaining device |
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EP2281300A4 (en) * | 2008-05-30 | 2013-07-17 | Alta Devices Inc | Methods and apparatus for a chemical vapor deposition reactor |
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JP2010254453A (en) * | 2009-04-27 | 2010-11-11 | Myotoku Ltd | Floating device |
JP2011202270A (en) * | 2010-03-03 | 2011-10-13 | Canon Anelva Corp | Vacuum processing apparatus and vacuum processing method |
JP5372824B2 (en) * | 2010-03-30 | 2013-12-18 | 大日本スクリーン製造株式会社 | Substrate processing apparatus and substrate processing method |
JP5649510B2 (en) * | 2010-08-19 | 2015-01-07 | キヤノンアネルバ株式会社 | Plasma processing apparatus, film forming method, method for manufacturing metal plate having DLC film, method for manufacturing separator |
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JP6018659B2 (en) | 2015-02-27 | 2016-11-02 | 株式会社日本製鋼所 | Atmosphere forming apparatus and levitation conveyance method |
KR101965370B1 (en) * | 2016-05-18 | 2019-04-03 | 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 | Apparatus and method for transporting a carrier or substrate |
JP6564481B2 (en) * | 2018-03-05 | 2019-08-21 | 株式会社日本製鋼所 | Laser processing equipment |
Family Cites Families (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5995028U (en) * | 1982-12-15 | 1984-06-28 | 日立機電工業株式会社 | Conveyance device |
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-
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- 2005-03-25 JP JP2005087484A patent/JP4869612B2/en not_active Expired - Fee Related
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Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2006264939A (en) | 2006-10-05 |
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Legal Events
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A621 | Written request for application examination |
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|
A977 | Report on retrieval |
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|
A131 | Notification of reasons for refusal |
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|
A521 | Written amendment |
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|
A521 | Written amendment |
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TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
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A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
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|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
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|
R150 | Certificate of patent (=grant) or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
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|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |