JP4791766B2 - Mems技術を使用した半導体装置 - Google Patents
Mems技術を使用した半導体装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP4791766B2 JP4791766B2 JP2005157523A JP2005157523A JP4791766B2 JP 4791766 B2 JP4791766 B2 JP 4791766B2 JP 2005157523 A JP2005157523 A JP 2005157523A JP 2005157523 A JP2005157523 A JP 2005157523A JP 4791766 B2 JP4791766 B2 JP 4791766B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- insulating layer
- layer
- film
- cavity
- opening
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 67
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 title claims description 13
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 89
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 424
- 238000000034 method Methods 0.000 description 90
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 84
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 41
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 31
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 29
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 29
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 26
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 25
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 19
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 15
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 description 15
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 13
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 13
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 13
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 13
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 12
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 12
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 12
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 12
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 12
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 12
- 239000002210 silicon-based material Substances 0.000 description 12
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 11
- 229910004541 SiN Inorganic materials 0.000 description 11
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 11
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 11
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 11
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 11
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 11
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 11
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 description 11
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 238000004380 ashing Methods 0.000 description 8
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 8
- 238000009834 vaporization Methods 0.000 description 8
- 230000006870 function Effects 0.000 description 7
- 238000000137 annealing Methods 0.000 description 6
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 6
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 6
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 6
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 6
- 229910000577 Silicon-germanium Inorganic materials 0.000 description 5
- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 description 5
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 4
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 4
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 4
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 4
- 230000001133 acceleration Effects 0.000 description 3
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 3
- 230000003014 reinforcing effect Effects 0.000 description 3
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 3
- MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N Dioxygen Chemical compound O=O MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 2
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 2
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 2
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 2
- 229910001882 dioxygen Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000003071 parasitic effect Effects 0.000 description 2
- 238000005268 plasma chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002033 PVDF binder Substances 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910004121 SrRuO Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000013459 approach Methods 0.000 description 1
- 229910010293 ceramic material Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 1
- 238000003475 lamination Methods 0.000 description 1
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 1
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 1
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 1
- 239000002861 polymer material Substances 0.000 description 1
- 239000011148 porous material Substances 0.000 description 1
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 1
- 239000012495 reaction gas Substances 0.000 description 1
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 1
- SBIBMFFZSBJNJF-UHFFFAOYSA-N selenium;zinc Chemical compound [Se]=[Zn] SBIBMFFZSBJNJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910021332 silicide Inorganic materials 0.000 description 1
- FVBUAEGBCNSCDD-UHFFFAOYSA-N silicide(4-) Chemical compound [Si-4] FVBUAEGBCNSCDD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 1
- 229910052712 strontium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052720 vanadium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052726 zirconium Inorganic materials 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B81—MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY
- B81C—PROCESSES OR APPARATUS SPECIALLY ADAPTED FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF MICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS
- B81C1/00—Manufacture or treatment of devices or systems in or on a substrate
- B81C1/00015—Manufacture or treatment of devices or systems in or on a substrate for manufacturing microsystems
- B81C1/00261—Processes for packaging MEMS devices
- B81C1/00333—Aspects relating to packaging of MEMS devices, not covered by groups B81C1/00269 - B81C1/00325
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B81—MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY
- B81C—PROCESSES OR APPARATUS SPECIALLY ADAPTED FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF MICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS
- B81C2203/00—Forming microstructural systems
- B81C2203/01—Packaging MEMS
- B81C2203/0136—Growing or depositing of a covering layer
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B81—MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY
- B81C—PROCESSES OR APPARATUS SPECIALLY ADAPTED FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF MICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS
- B81C2203/00—Forming microstructural systems
- B81C2203/01—Packaging MEMS
- B81C2203/0145—Hermetically sealing an opening in the lid
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Micromachines (AREA)
Description
本発明の例は、MEMS部品全般、例えば、可変容量、スイッチ、加速度センサ、圧力センサ、RF(radio frequency)フィルタ、ジャイロスコープ、ミラーデバイスなどに適用される。
まず、本発明の例の前提となる参考例としてのMEMS部品とその問題点について説明する。
次に、最良と思われるいくつかの実施の形態について説明する。
a. 構造
図4は、第1実施の形態に関わるMEMS部品を示している。図5は、図4のV−V線に沿う断面図である。
図4及び図5のMEMS部品に使用する材料、サイズなどの例を説明する。
図4及び図5のMEMS部品の製造方法を説明する。
第1実施の形態によれば、可動部が配置される空洞は、絶縁体、導電体、半導体などの材料から構成される膜により密閉される。これにより、低コスト、高信頼性及び高歩留りのMEMS部品を提供できる。
a. 構造
図12は、第2実施の形態に関わるMEMS部品を示している。図13は、図12のXIII−XIII線に沿う断面図である。
図12及び図13のMEMS部品に使用する材料、サイズなどについては、第1実施の形態で説明した材料、サイズなどをそのまま適用できる。
図12及び図13のMEMS部品の製造方法を説明する。
第2実施の形態によれば、可動部が配置される空洞は、多孔質膜とその上に形成される絶縁層により密閉される。これにより、第1実施の形態よりも工程数が減り、さらなる低コスト、高信頼性及び高歩留りのMEMS部品を提供できる。
第3実施の形態は、第1及び第2実施の形態の改良例である。第3実施の形態では、第1及び第2実施の形態におけるMEMS部品のたわみを抑制するために、MEMS部品の構造を補強する柱を空洞内に設ける。
図18は、第3実施の形態に関わるMEMS部品を示している。図19は、図18のXIX−XIX線に沿う断面図である。
図18乃至図21のMEMS部品に使用する材料、サイズなどについては、第1乃至第3実施の形態で説明した材料、サイズなどをそのまま適用できる。
図20及び図21のMEMS部品の製造方法を説明する。
第3実施の形態によれば、MEMS部品のたわみを抑制するために、MEMS部品の構造を補強する柱を空洞内に設けている。これにより、高信頼性及び高歩留りのMEMS部品の提供できる。
次に、上述の第1乃至第3実施の形態に関わるMEMS部品の変形例について説明する。この変形例の特徴は、空洞の上部に配置される膜の表面が、曲面ではなく、半導体基板の表面に平行な平面となっている点にある。
第1実施の形態では、空洞を覆う膜に開口が設けられ、この開口は、絶縁体、導電体、半導体などの材料により塞がれる。ここで、CVDやスパッタなどの方法で塞ぐ場合、膜の一部が堆積物として空洞内に蓄積され、MEMS部品の動作に影響を与える可能性がある。
図36は、本発明の例に関わる方法が適用されるMEMS部品を示している。
a. 第1例
まず、図37に示すように、熱酸化法を用いて、半導体基板10上に絶縁層(例えば、酸化シリコン)11を形成する。また、CVD法を用いて、絶縁層11上に絶縁層(例えば、酸化シリコン)12を形成する。
まず、図45に示すように、熱酸化法を用いて、半導体基板10上に絶縁層(例えば、酸化シリコン)11を形成する。また、CVD法を用いて、絶縁層11上に絶縁層(例えば、酸化シリコン)12を形成する。
本発明の例の適用例について説明する。
a. 構造
図53及び図54は、本発明の例が適用された圧電タイプ可変容量を示している。
第1乃至第3実施の形態で既に説明したため、ここでは、圧電素子の材料、サイズなどの例について説明する。
・ Pt, Sr, Ru, Cr, Mo, W, Ti, Ta, Al, Cu, Ni などの金属、又は、これら金属のうちの少なくとも1つを含む合金
・ 上記a. の窒化物、酸化物(ex. SrRuO)、又は、化合物
・ 上記a.及びb.から選択された複数の材料の積層
第1及び第2電極17A,19Aは、互いに同じ構造又は同じ材料から構成されていてもよいし、また、互いに異なる構造又は異なる材料から構成されていてもよい。
図53及び図54の可変容量の動作について説明する。
図53及び図54の可変容量の製造方法について説明する。
以上、説明したように、本発明の例を可変容量に適用することにより、MEMS部品としての可変容量の信頼性及び歩留りの向上と製造コストの低下とを同時に実現できる。
本発明の例は、MEMS部品全般、例えば、上述の可変容量に加えて、スイッチ、加速度センサ、圧力センサ、RFフィルタ、ジャイロスコープ、ミラーデバイスなどに適用することにより、これらMEMS部品の性能の向上と製造コストの低下とを同時に実現することができる。
本発明の例は、上述の実施の形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で、各構成要素を変形して具体化できる。また、上述の実施の形態に開示されている複数の構成要素の適宜な組み合せにより種々の発明を構成できる。例えば、上述の実施の形態に開示される全構成要素から幾つかの構成要素を削除してもよいし、異なる実施の形態の構成要素を適宜組み合わせてもよい。
Claims (4)
- 空洞と、
前記空洞の下部に位置する下部電極と、
前記空洞の内部に位置する可動部と、
前記可動部に結合される上部電極と、
前記空洞の上部を覆い、前記可動部の直上に第1の開口を有する第1の膜と、
前記第1の開口を塞ぎ、前記空洞を密閉する材料と、
前記空洞の内部かつ前記第1の膜の下部に位置し、前記可動部と実質的に上下方向で同じレベルに配置される部材とを具備し、
前記空洞の上部から見て、前記第1の開口の位置は、前記可動部と前記部材との間の前記可動部を可動にする第2の開口の位置とオーバーラップせず、かつ、前記第1の開口からは、前記空洞の下部がみえない
ことを特徴とするMEMS技術を使用した半導体装置。 - 前記空洞の内部に位置し、前記第1の膜を支える柱をさらに具備することを特徴とする請求項1に記載のMEMS技術を使用した半導体装置。
- 前記第1の膜の表面は、曲面であることを特徴とする請求項1又は2に記載のMEMS技術を使用した半導体装置。
- 前記第1の膜上にさらに第2の膜を積み重ねることを特徴とする請求項1乃至3のいずれか1項に記載のMEMS技術を使用した半導体装置。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2005157523A JP4791766B2 (ja) | 2005-05-30 | 2005-05-30 | Mems技術を使用した半導体装置 |
US11/341,910 US7582940B2 (en) | 2005-05-30 | 2006-01-30 | Semiconductor device using MEMS technology |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2005157523A JP4791766B2 (ja) | 2005-05-30 | 2005-05-30 | Mems技術を使用した半導体装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2006326806A JP2006326806A (ja) | 2006-12-07 |
JP4791766B2 true JP4791766B2 (ja) | 2011-10-12 |
Family
ID=37462284
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2005157523A Expired - Fee Related JP4791766B2 (ja) | 2005-05-30 | 2005-05-30 | Mems技術を使用した半導体装置 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US7582940B2 (ja) |
JP (1) | JP4791766B2 (ja) |
Families Citing this family (41)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7648229B2 (en) | 2006-08-02 | 2010-01-19 | Seiko Epson Corporation | Liquid jet head and its manufacturing method |
JP4938779B2 (ja) * | 2006-08-25 | 2012-05-23 | 京セラ株式会社 | 微小電子機械機構装置およびその製造方法 |
JP2008213061A (ja) * | 2007-03-01 | 2008-09-18 | Toshiba Corp | 半導体装置及びその製造方法 |
US7994594B2 (en) * | 2007-03-15 | 2011-08-09 | Seiko Epson Corporation | Electronic device, resonator, oscillator and method for manufacturing electronic device |
US8319312B2 (en) | 2007-07-23 | 2012-11-27 | Wispry, Inc. | Devices for fabricating tri-layer beams |
TW200938479A (en) * | 2007-10-22 | 2009-09-16 | Toshiba Kk | Micromachine device and method of manufacturing the same |
US8309388B2 (en) * | 2008-04-25 | 2012-11-13 | Texas Instruments Incorporated | MEMS package having formed metal lid |
JP5374077B2 (ja) * | 2008-06-16 | 2013-12-25 | ローム株式会社 | Memsセンサ |
US7851975B2 (en) * | 2008-09-02 | 2010-12-14 | United Microelectronics Corp. | MEMS structure with metal protection rings |
JP2010098518A (ja) * | 2008-10-16 | 2010-04-30 | Rohm Co Ltd | Memsセンサの製造方法およびmemsセンサ |
JP2010284748A (ja) * | 2009-06-11 | 2010-12-24 | Toshiba Corp | 電気部品 |
FR2947812B1 (fr) * | 2009-07-07 | 2012-02-10 | Commissariat Energie Atomique | Cavite etanche et procede de realisation d'une telle cavite etanche |
US8742872B2 (en) | 2010-03-18 | 2014-06-03 | Panasonic Corporation | MEMS element, and manufacturing method of MEMS element |
FR2963112B1 (fr) * | 2010-07-21 | 2013-02-15 | Commissariat Energie Atomique | Microstructure a parois a propriete optique determinee et procede de realisation de microstructures |
US8535966B2 (en) * | 2010-07-27 | 2013-09-17 | International Business Machines Corporation | Horizontal coplanar switches and methods of manufacture |
US9624096B2 (en) * | 2010-12-24 | 2017-04-18 | Qualcomm Incorporated | Forming semiconductor structure with device layers and TRL |
US9553013B2 (en) | 2010-12-24 | 2017-01-24 | Qualcomm Incorporated | Semiconductor structure with TRL and handle wafer cavities |
US9754860B2 (en) | 2010-12-24 | 2017-09-05 | Qualcomm Incorporated | Redistribution layer contacting first wafer through second wafer |
WO2012087580A2 (en) | 2010-12-24 | 2012-06-28 | Io Semiconductor, Inc. | Trap rich layer for semiconductor devices |
US8481405B2 (en) | 2010-12-24 | 2013-07-09 | Io Semiconductor, Inc. | Trap rich layer with through-silicon-vias in semiconductor devices |
US8536021B2 (en) | 2010-12-24 | 2013-09-17 | Io Semiconductor, Inc. | Trap rich layer formation techniques for semiconductor devices |
US8470628B2 (en) | 2011-06-20 | 2013-06-25 | International Business Machines Corporation | Methods to fabricate silicide micromechanical device |
JP5516904B2 (ja) * | 2011-11-11 | 2014-06-11 | セイコーエプソン株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
US8629036B2 (en) * | 2011-11-11 | 2014-01-14 | International Business Machines Corporation | Integrated semiconductor devices with amorphous silicon beam, methods of manufacture and design structure |
JP5813471B2 (ja) * | 2011-11-11 | 2015-11-17 | 株式会社東芝 | Mems素子 |
JP5516903B2 (ja) * | 2011-11-11 | 2014-06-11 | セイコーエプソン株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
KR101272983B1 (ko) * | 2011-12-20 | 2013-06-11 | 엘지이노텍 주식회사 | 커패시터 |
US9556016B2 (en) * | 2012-08-20 | 2017-01-31 | Robert Bosch Gmbh | Capacitive MEMS sensor and method |
JP2014200857A (ja) | 2013-04-01 | 2014-10-27 | 株式会社東芝 | Mems装置及びその製造方法 |
US9969613B2 (en) * | 2013-04-12 | 2018-05-15 | International Business Machines Corporation | Method for forming micro-electro-mechanical system (MEMS) beam structure |
JP2015056620A (ja) * | 2013-09-13 | 2015-03-23 | 株式会社東芝 | 電子装置 |
US9837935B2 (en) * | 2013-10-29 | 2017-12-05 | Honeywell International Inc. | All-silicon electrode capacitive transducer on a glass substrate |
SG10201805239VA (en) * | 2013-12-19 | 2018-07-30 | Agency Science Tech & Res | Thin film encapsulation of electrodes |
EP2918964B1 (en) * | 2014-03-14 | 2020-05-13 | ABB Schweiz AG | Method, sensor, and printed circuit board for sensing position or motion of a shaft |
US9481572B2 (en) | 2014-07-17 | 2016-11-01 | Texas Instruments Incorporated | Optical electronic device and method of fabrication |
JP6685839B2 (ja) | 2016-05-30 | 2020-04-22 | 株式会社東芝 | ガス検出装置 |
GB2554470A (en) * | 2016-09-26 | 2018-04-04 | Cirrus Logic Int Semiconductor Ltd | MEMS device and process |
CN109474254B (zh) | 2018-10-31 | 2020-12-08 | 武汉衍熙微器件有限公司 | 一种声波器件及其制作方法 |
CN111003684B (zh) * | 2019-03-02 | 2023-06-23 | 天津大学 | 释放孔位于封装空间内的mems器件的封装 |
CN111010110A (zh) * | 2019-03-12 | 2020-04-14 | 天津大学 | 考虑距离的薄膜封装的mems器件组件及电子设备 |
CN111010101A (zh) * | 2019-03-12 | 2020-04-14 | 天津大学 | 带弧形结构的薄膜封装的mems器件组件及电子设备 |
Family Cites Families (26)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5427975A (en) * | 1993-05-10 | 1995-06-27 | Delco Electronics Corporation | Method of micromachining an integrated sensor on the surface of a silicon wafer |
DE19536228B4 (de) * | 1995-09-28 | 2005-06-30 | Infineon Technologies Ag | Mikroelektronischer, integrierter Sensor und Verfahren zur Herstellung des Sensors |
JP4081868B2 (ja) * | 1998-08-10 | 2008-04-30 | 日産自動車株式会社 | 微小装置の製造方法 |
JP3468127B2 (ja) * | 1998-10-13 | 2003-11-17 | 株式会社豊田中央研究所 | 微小容器の製造方法 |
JP2000124469A (ja) * | 1998-10-13 | 2000-04-28 | Toyota Central Res & Dev Lab Inc | 微小密閉容器及びその製造方法 |
JP2000138381A (ja) * | 1998-11-02 | 2000-05-16 | Toyota Central Res & Dev Lab Inc | 密閉容器及びその製造方法 |
US6359374B1 (en) * | 1999-11-23 | 2002-03-19 | Mcnc | Miniature electrical relays using a piezoelectric thin film as an actuating element |
EP1108677B1 (fr) * | 1999-12-15 | 2006-09-27 | Asulab S.A. | Procédé d'encapsulation hermétique in situ de microsystèmes |
DE10017422A1 (de) * | 2000-04-07 | 2001-10-11 | Bosch Gmbh Robert | Mikromechanisches Bauelement und entsprechendes Herstellungverfahren |
US7153717B2 (en) * | 2000-05-30 | 2006-12-26 | Ic Mechanics Inc. | Encapsulation of MEMS devices using pillar-supported caps |
JP2002026022A (ja) * | 2000-07-10 | 2002-01-25 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置の製造方法および半導体装置 |
US6355498B1 (en) * | 2000-08-11 | 2002-03-12 | Agere Systems Guartian Corp. | Thin film resonators fabricated on membranes created by front side releasing |
US6690081B2 (en) * | 2000-11-18 | 2004-02-10 | Georgia Tech Research Corporation | Compliant wafer-level packaging devices and methods of fabrication |
KR100352236B1 (ko) * | 2001-01-30 | 2002-09-12 | 삼성전자 주식회사 | 접지 금속층을 갖는 웨이퍼 레벨 패키지 |
US6815739B2 (en) * | 2001-05-18 | 2004-11-09 | Corporation For National Research Initiatives | Radio frequency microelectromechanical systems (MEMS) devices on low-temperature co-fired ceramic (LTCC) substrates |
US6930364B2 (en) * | 2001-09-13 | 2005-08-16 | Silicon Light Machines Corporation | Microelectronic mechanical system and methods |
JP2003117897A (ja) | 2001-10-11 | 2003-04-23 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | マイクロアクチュエータ |
US20030080839A1 (en) * | 2001-10-31 | 2003-05-01 | Wong Marvin Glenn | Method for improving the power handling capacity of MEMS switches |
US6701779B2 (en) * | 2002-03-21 | 2004-03-09 | International Business Machines Corporation | Perpendicular torsion micro-electromechanical switch |
US20030183916A1 (en) * | 2002-03-27 | 2003-10-02 | John Heck | Packaging microelectromechanical systems |
AU2003286572A1 (en) * | 2002-10-23 | 2004-05-13 | Rutgers, The State University Of New Jersey | Processes for hermetically packaging wafer level microscopic structures |
EP1602124B1 (en) * | 2003-02-25 | 2013-09-04 | IC Mechanics, Inc. | Micromachined assembly with a multi-layer cap defining cavity |
US20040166606A1 (en) * | 2003-02-26 | 2004-08-26 | David Forehand | Low temperature wafer-level micro-encapsulation |
JP4544880B2 (ja) * | 2003-09-25 | 2010-09-15 | 京セラ株式会社 | 微小電気機械式装置の封止方法 |
JP4494130B2 (ja) * | 2004-08-26 | 2010-06-30 | 日本電信電話株式会社 | 静電駆動スイッチの製造方法 |
US7344907B2 (en) * | 2004-11-19 | 2008-03-18 | International Business Machines Corporation | Apparatus and methods for encapsulating microelectromechanical (MEM) devices on a wafer scale |
-
2005
- 2005-05-30 JP JP2005157523A patent/JP4791766B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2006
- 2006-01-30 US US11/341,910 patent/US7582940B2/en not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2006326806A (ja) | 2006-12-07 |
US7582940B2 (en) | 2009-09-01 |
US20060267109A1 (en) | 2006-11-30 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP4791766B2 (ja) | Mems技術を使用した半導体装置 | |
US7655995B2 (en) | Semiconductor device using MEMS technology | |
US8629517B2 (en) | Wafer level packaging | |
US6621137B1 (en) | MEMS device integrated chip package, and method of making same | |
US10138116B2 (en) | Method for integrating complementary metal-oxide-semiconductor (CMOS) devices with microelectromechanical systems (MEMS) devices using a flat surface above a sacrificial layer | |
TWI500573B (zh) | 微電機系統裝置以及其形成之方法 | |
CN112039485B (zh) | 一种薄膜压电声波滤波器及其制造方法 | |
JP5281682B2 (ja) | マイクロ電気機械的装置及びその封緘方法及び製造方法 | |
US7053456B2 (en) | Electronic component having micro-electrical mechanical system | |
US20100295138A1 (en) | Methods and systems for fabrication of mems cmos devices | |
US20120270351A1 (en) | Low temperature bi-cmos compatible process for mems rf resonators and filters | |
US7402907B2 (en) | Semiconductor device and manufacturing method thereof | |
KR100542557B1 (ko) | 박막 공진기와, 박막 공진기의 제조 방법 및 박막공진기를 구비하는 필터 | |
CN112039490A (zh) | 一种薄膜压电声波滤波器及其制造方法 | |
JP2009077159A (ja) | 薄膜圧電共振器及びその製造方法 | |
US11616489B2 (en) | Bulk acoustic wave filter having release hole and fabricating method of the same | |
CN113364423B (zh) | 压电mems谐振器及其形成方法、电子设备 | |
US10494252B2 (en) | MEMS devices and methods of manufacturing the same | |
CN113086939A (zh) | 微机电系统装置、其制法与使用其的整合式微机电系统 | |
US8268660B2 (en) | Process for fabricating micromachine | |
CN113336187A (zh) | Mems器件封装方法及封装结构 | |
CN113472308B (zh) | 谐振器及其形成方法、电子设备 | |
JP4857718B2 (ja) | マイクロマシン混載の電子回路装置、およびマイクロマシン混載の電子回路装置の製造方法 | |
WO2022246749A1 (zh) | 压电mems谐振器及其形成方法、电子设备 | |
JP2009078315A (ja) | 封止構造及びその製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20080408 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20100914 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20100916 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20101115 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20101214 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20110214 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20110315 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20110511 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20110628 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20110722 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140729 Year of fee payment: 3 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |