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JP4784495B2 - 光学多層膜ミラーおよびそれを備えたファブリペロー干渉計 - Google Patents

光学多層膜ミラーおよびそれを備えたファブリペロー干渉計 Download PDF

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JP4784495B2 JP2006319779A JP2006319779A JP4784495B2 JP 4784495 B2 JP4784495 B2 JP 4784495B2 JP 2006319779 A JP2006319779 A JP 2006319779A JP 2006319779 A JP2006319779 A JP 2006319779A JP 4784495 B2 JP4784495 B2 JP 4784495B2
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Description

本発明は、高反射帯域が広い光学多層膜ミラーおよびそれを備えたファブリペロー干渉計に関するものである。
従来、特許文献1において、光学多層膜を用いて高反射ミラーを構成したファブリペロー干渉計が提案されている。ファブリペロー干渉計は、下側ミラーと上側ミラーとを有し、これら下側ミラーと上側ミラーが例えばエアギャップを介して対向配置された構造とされる。そして、特許文献1では、下側のミラーを基板の上にシリコン酸化膜とPoly−Si層を交番的に積層することにより形成すると共に、上側のミラーをシリコン層と酸化物層を交番的に積層することにより形成することで、光学多層膜を用いた高反射ミラーを実現している。
特許第3457373号公報
しかしながら、特許文献1に示すように光学多層膜を用いて高反射ミラーを構成する場合、図12(a)に示す反射率の波長依存性の特性図から分かるように、光学多層膜は反射率の波長依存性が大きいため、ミラーの高反射な帯域が狭くなる。そして、図12(b)に示す波長とFP透過率との関係を示した図に表されるように、ファブリペロー干渉計の分光帯域はミラーの高反射領域に対応しているため、高反射帯域が狭いミラーで形成するファブリペロー干渉計では分光帯域が狭くなるという問題がある。
本発明は上記点に鑑みて、高反射帯域が広い光学多層膜ミラーおよびそれを備えたファブリペロー干渉計を提供することを目的とする。
上記問題を解決するために、本発明者らは以下の検討を行った。
高屈折率と低屈折率の膜を積層した光学多層膜により形成される光学多層膜ミラーでは、高反射帯域は高屈折率nHと低屈折率nLの屈折率比(n比)に依存する。この光学多層膜ミラーの高屈折率帯域の屈折率比依存性(n比(nH/nL)に対する帯域ΔW)は、図13のような特性となり、n比を大きくすればするほど帯域ΔWが拡大する。したがって、例えば、図12(a)に示したように、ミラーの高反射帯域の波長が3〜9μmとなる場合を考えてみると、その帯域ΔWは6μm以上となり、n比は約3.3以上が必要になる。
ここで、半導体工程で使える材料で、尚且つ3〜9μmの波長に対して透明な高屈折率材料としては、Ge(屈折率=4)、Si(屈折率=3.45)がある。一方、低屈折率な材料としては、SiO2(屈折率=1.44)、SiN(屈折率=2)がある。しかしながら、ここに示した高屈折率材料と低屈折率材料との組み合わせでは、高n比を達成することができない。
そこで、本発明者らは、SiO2(屈折率=1.44)よりもさらに屈折率の低い材料、例えば空気(屈折率=1)や真空などを低屈折率材料として採用することで、高n比(例えば、n比3.4以上)を得ることが可能となり、高反射帯域が広い光学多層膜ミラーを得ることできると結論付けた。
しかしながら、空気や真空のような低屈折率材料を積層膜の一部として採用する場合、その低屈折率材料の層の機械的な強度が不足し、低屈折率材料の上層に配置される膜が反る等の問題が懸念される。
そこで、本発明では、下側ミラー(M1)は、基板の上に形成された第1屈折率の第1高屈折率膜(3)と、第1高屈折率膜のうち該下側ミラーと対応する場所に配置され、第1屈折率よりも低い第2屈折率の第1低屈折率層(4)と、第1低屈折率層を覆うように形成された第2高屈折率膜(5)とを有すると共に、第1低屈折率層を貫通して第1高屈折率膜まで達し、第2高屈折率膜のうち第1低屈折率層の上面を覆う部分を支える補強部(5a)を有して構成され、上側ミラー(M2)は、基板の上に形成された第1屈折率の第3高屈折率膜(7)と、第3高屈折率膜のうち該上側ミラーと対応する場所に配置され、第2屈折率の第2低屈折率層(8)と、第2低屈折率層を覆うように形成された第4高屈折率膜(9)とを有すると共に、第2低屈折率層を貫通して第3高屈折率膜まで達し、第4高屈折率膜のうち第2低屈折率層の上面を覆う部分を支える補強部(9a)を有して構成されていることを特徴としている。
このように、下側ミラーには、第2高屈折率膜のうち第1低屈折率層の上面を覆う部分を支える補強部を設け、上側ミラーには、第4高屈折率膜のうち第2低屈折率層の上面を覆う部分を支える補強部を設けるようにしている。このため、第1、第2低屈折率層の機械的な強度が不足しても、各補強部により、第2、第4高屈折率膜が反る等の問題が発生しないようにすることができる。したがって、例えば、第1〜第4高屈折率膜や第1、第2低屈折率層の材料の選択により、高n比を達成した場合にも、第2、第4高屈折率膜が反る等の問題が発生しないため、高反射帯域が広い光学多層膜ミラーを備えたファブリペロー干渉計とすることが可能となる。
このような構成では、第1、第2低屈折率層は、気体、液体、真空、ゾルもしくはゲルのいずれか1つの形態により構成される。例えば、第1、第2低屈折率層を空気とすることができる。
また、上記構成において、下側ミラーでは、第1低屈折率層を貫通して第2高屈折率膜が第1高屈折率膜まで達するようにし、第2高屈折率膜のうち第1低屈折率層の上面に位置する部分から第1高屈折率膜まで達している部分(5a)にて該下側ミラーの補強部を構成することができる。同様に、上側ミラーでは、第2低屈折率層を貫通して第4高屈折率膜が第3高屈折率膜まで達するようにし、第4高屈折率膜のうち第2低屈折率層の上面に位置する部分から第3高屈折率膜まで達している部分(9a)にて上側ミラーの補強部を構成することができる。
このように、第2高屈折率膜や第4高屈折率膜の一部により補強部を構成すれば、構造の簡略化を図ることが可能になる。これにより、例えば、光学多層膜ミラーを製造する際に、補強部のみを形成するために必要な工程を無くすことができる。
この場合、下側ミラーでは、第1低屈折率層が複数個に分割されることで細分化されるようにし、第2高屈折率膜のうち細分化された第1低屈折率層の側面に位置する部分にて、該下側ミラーの補強部を構成することができる。同様に、上側ミラーでは、第2低屈折率層が複数個に分割されることで細分化されるようにし、第4高屈折率膜のうち細分化された第2低屈折率層の側面に位置する部分にて、該上側ミラーの補強部を構成することができる。
これらの構造では、下側ミラーの補強部と上側ミラーの補強部の上面レイアウトを一致させると好ましい。このように、これらの上面レイアウトを一致させると、上側ミラーのミラーとして働く部分を透過した光が下側ミラーのミラーとして働く部分に効率的に入射されるようにできる。
例えば、下側ミラーにおいて、第1低屈折率層を上面形状が同じ多角形に分割して複数個に細分化する場合、上側ミラーにおいても、第2低屈折率層を上面形状が第1低屈折率層と同じ多角形に分割して複数個に細分化することで、下側ミラーの補強部と上側ミラーの補強部の上面レイアウトを一致させることができる。
この場合、例えば、第1低屈折率層および第2低屈折率層を多角錐台形状とすることができる。このように、第1低屈折率層および第2低屈折率層を多角錐台形状とすれば、前記第2高屈折率膜のうち前記第1低屈折率層の側面に位置する部分を前記第1高屈折率膜に対して傾斜した形状にできる。これにより、補強部に対してかかる応力を低減でき、第2、第4高屈折率膜の反りを抑制することが可能となる。この場合、第2高屈折率膜のうち第1低屈折率層の側面に位置する部分が第1高屈折率膜に対して為す角度を45°とすることで、その効果を最も得ることが可能となる。同様に、第1低屈折率層および第2低屈折率層を多角柱形状としても良い。
また、このように第1低屈折率層および第2低屈折率層の上面形状を多角形に細分化する場合、これらを六角形で細分化し、細分化された第1低屈折率層および第2低屈折率層がハニカム状に配置されるようにすると良い。このようなハニカム状にすると、光学多層膜ミラーとされる領域の面積に対してミラーとして働く部分の面積、つまり面積効率が良いため、他の多角錐台状や多角柱状とする場合よりも好ましい。
この場合、下側ミラーには、細分化された第1低屈折率層の隣接し合う3つを1組として、該1組の第1低屈折率層が形作る六角形の3つの角部が集中する点に1つのみ、第2高屈折率膜を貫通し、第1低屈折率層に繋がる孔(M1b)が形成されるようにし、上側ミラーにも、細分化された第2低屈折率層の隣接し合う3つを1組として、該1組の第2低屈折率層が形作る六角形の3つの角部が集中する点に1つのみ、第4高屈折率膜および第3高屈折率膜を貫通し、第2低屈折率層に繋がる孔(M2b)が形成されるようにすると、少ない孔数で全ての第1、第2低屈折率層に繋がる孔を構成することが可能となる。
また、この場合、下側ミラーの孔と上側ミラーの孔の上面レイアウトが一致していないようにすると好ましい。このようにすれば、上側ミラーの孔から入り込んだ光を下側ミラーのミラーとして働かない部分にて遮断、散乱させることが可能となる。
このような下側ミラーの孔や上側ミラーの孔は、上面形状を円形とすることができる。その場合、各孔の直径が該下側ミラーの補強部の幅よりも大きくされるようにすれば、各孔が第1、第2低屈折率層に繋がるような構成とすることが可能となる。
なお、上記第1〜第4高屈折率膜と第1、第2低屈折率層は、それぞれ第1屈折率とそれよりも低い第2屈折率の材質で構成されることになるが、第1屈折率と第2屈折率の比が3.4以上となる高n比のものに上記構造を採用すると、より広い高反射率の光学多層膜ミラーとすることが可能となる。例えば、第1〜第4高屈折率膜はGeまたはSiで構成し、上述したように第1、第2低屈折率層を空気で構成することができる。
以上、本発明を光学多層膜ミラーの発明として記載したが、本発明をこのような光学多層膜ミラーを備えたファブリペロー干渉計として把握することも可能である。すなわち、上述した特徴を有する光学多層膜ミラーを備え、第1、第2高屈折率膜が下側ミラーとなる領域よりも外周においても形成されており、かつ、第3、第4高屈折率膜が上側ミラーとなる領域よりも外周においても形成されることでメンブレン(Men)が構成され、さらに、下側ミラーに備えられる第2高屈折率膜に対して電圧を印加する第1電極(11)と、上側ミラーに備えられる第4高屈折率膜に対して電圧を印加する第2電極(12)と、を有し、第1電極および第2電極の電位に基づいて発生する静電引力により上側ミラーと下側ミラーとの間隔が変化するように構成されたファブリペロー干渉計とすることができる。
この場合、第2高屈折率膜のうちの下側ミラーとなる領域の外周部および下側ミラーの補強部と対応する領域にのみ不純物がドーピングされた配線部を構成し、この配線部と第1電極とを接続すると共に、第4高屈折率膜のうちの上側ミラーとなる領域の外周および上側ミラーの補強部と対応する領域にのみ不純物がドーピングされた配線部を構成し、この配線部と第2電極とを接続すると好ましい。これは、不純物がドーピングされると光が吸収されるためであり、ミラーとして働く部分には不純物が導入されない方が好ましい。なお、配線部を構成するものではないが、第1低屈折率層に繋がる孔(M1b)が形成された位置において、不要な光の透過を阻止するために、第1高屈折率膜のうち第1低屈折率層に繋がる孔と対応する場所に不純物をドーピングすることも可能である。
また、第3、第4高屈折率膜のうち、上側ミラーの外周の位置に、ギャップに繋がる孔(13)を形成することで、ギャップを形成する際のエッチング時に、この孔を通じてエッチングを行うことが可能となる。
この場合、第3、第4高屈折率膜のうち、上側ミラーの外周の位置に形成された孔を複数個形成し、該複数個の孔同士のピッチが等しくなるようにすると良い。このようにすれば、均一な量エッチングを行えば良いため、効率良くメンブレンMenを作成することが可能となる。例えば、第3、第4高屈折率膜のうち、上側ミラーの外周の位置に形成された孔が、光学多層膜ミラーを中心として、同ピッチで配置された複数の同心円の円上に配置されるようにすると良い。さらに、上側ミラーの外周の位置だけでなく、上側ミラーの内部に形成される孔(M2b)、つまり第2低屈折率層に繋がる孔に関しても、外周に形成される孔とピッチを等しくすると好ましい。
なお、上記各手段の括弧内の符号は、後述する実施形態に記載の具体的手段との対応関係を示すものである。
以下、本発明の実施形態について図に基づいて説明する。なお、以下の各実施形態相互において、互いに同一もしくは均等である部分には、図中、同一符号を付してある。
(第1実施形態)
本発明の第1実施形態について説明する。図1は、本発明の第1実施形態が適用された光学多層膜ミラーを有するファブリペロー干渉計の模式的な断面構成を示したものである。また、図2は、図1に示すファブリペロー干渉計のうちの光学多層ミラーの上面レイアウトを示した図である。ファブリペロー干渉計には、メンブレンMenの中央位置において、下側ミラーM1と上側ミラーM2とがエアギャップAgを介して対向配置された光学積層膜ミラーが備えられているが、図2は、このうちの下側ミラーM1と上側ミラーM2それぞれの上面レイアウトを示したものである。また、図3は、図1とは別断面において、光学多層ミラーを部分的に拡大した断面図であり、図2(a)、(b)のA−A断面およびB−B断面と対応している。以下、これらの図を参照して、本実施形態のファブリペロー干渉計について説明する。
図1に示すように、例えばシリコン基板からなる半導体基板1の表面全面に、シリコン酸化膜等で構成された絶縁膜2が形成されている。この絶縁膜2を介して、半導体基板1上の全面にPoly−Si等で構成された第1屈折率の第1高屈折率膜3が形成されている。
第1高屈折率膜3のうち、光学積層膜ミラーとなる領域には、例えば空気層で構成された第1屈折率よりも低い第2屈折率の第1低屈折率層4が形成されている。そして、この第1低屈折率層4の上を含めて第1高屈折率膜3の表面には、例えばPoly−Si等で構成された第1屈折率の第2高屈折率膜5が積層されている。すなわち、第1低屈折率層4は、第1高屈折率膜3と第2高屈折率膜5の間に挟まれた構成とされている。
第1低屈折率層4は、第2高屈折率膜5によって上面が覆われると共に側面が囲まれた構造となっている。第2高屈折率膜5のうち、第1低屈折率層4の側面を囲む部分5aは第1低屈折率層4の補強部として機能するものであり、機械的な強度が不足する第1低屈折率層4の変形を抑制する。具体的には、本実施形態の場合、第1低屈折率層4は複数個に細分化されるように分割されており、図2(a)に示すように、分割されたそれぞれの上面形状が六角形状を為し、複数の第1低屈折率層4がハニカム(蜂の巣)状に配置されている。すなわち、第2高屈折率膜5のうち第1低屈折率層4の上面および側面を囲む部分5aと第1高屈折率膜3とにより六角錐台状の空間が形成され、この空間内が第1低屈折率層4とされている。
そして、第2高屈折率膜5のうち六角錐台の側面に位置する部分5aが第1低屈折率層4の補強部となる。この第2高屈折率膜5の補強部は、図3の断面において、第1高屈折率膜3に対して傾斜しており、その角度が45°とされている。このように、補強部を傾斜させることにより、補強部に対してかかる応力、例えば第2高屈折率膜5のうちの六角錐台の上面に位置する部分の自重により掛かる応力が低減され、第2高屈折率膜5の反りを抑制することが可能となる。特に、その角度を45°とすることで、その効果を最も得ることが可能となる。
このような第1、第2高屈折率膜3、5および第1低屈折率層4により、下側ミラーM1が構成されており、第2高屈折率膜5のうち第1低屈折率層4の上面に位置する部分において光を透過させると共に、第2高屈折率膜5のうち第1低屈折率層4の側面に位置する部分5aにおいて光を透過させない(あまり透過させない)ようになっている。このうち、光を透過させる部分それぞれがミラーM1aとなる。すなわち、細分化された複数個の第1低屈折率層4それぞれによるミラーM1aの集合体により下側ミラーM1が構成される。
図2(a)に示すように、各ミラーM1aを構成する六角形(すなわち、第1低屈折率層4の上面にて構成する六角形)の相対する2つの角を結ぶ対角線の長さL1は、隣接するミラーM1aの間隔(すなわち、第2高屈折率膜5のうちの補強部を構成する部分5aの幅)L2よりも大きくされている。さらに、角を結ぶ対角線だけでなく、各ミラーM1aを構成する六角形の相対する2辺の間の距離も間隔L2より大きくされている。
また、図2(a)に示すように、隣接する3つのミラーM1aを1組として、各組それぞれに1つずつの孔M1bが形成されている。各孔M1bは、各組を構成する3つのミラーM1aの3つの角部、つまり各ミラーM1aを形作る六角形の3つの角部が集中する点において、図3に示すように第2高屈折率膜5が部分的に除去されることで形成されており、この孔M1bにて第1低屈折率層4が配置される空間とエアギャップAgとが連通させられている。このような配置とすることで、少ない孔数で全ての第1低屈折率層4に繋がる孔M1bとすることが可能となる。
なお、第2高屈折率膜5や第1高屈折率膜3には、図示しないが不純物がドーピングされた拡散層による配線層が備えられており、下側ミラーM1用の電極(以下、下部電極という)11への電圧がこの配線層を通じて印加されることで、第2高屈折率膜5および第1高屈折率膜3の電位を調整できるようになっている。
さらに、第2高屈折率膜5の上面には、下側ミラーM1およびその周辺を避けるように、例えばシリコン酸化膜で構成された絶縁膜6が形成されている。そして、この絶縁膜6の表面および下側ミラーM1やその周辺と対向する位置までほぼ全域に渡って、第1屈折率の第3高屈折率膜7および第4高屈折率膜9が形成されていると共に、その中央位置において第2屈折率の第2低屈折率層8が形成されている。これらのうち、絶縁膜6の表面ではない領域、すなわち下側ミラーM1やその周辺と対向する位置がメンブレンMenとなる。なお、メンブレンMenは、実際には図1に示す断面図よりも広い範囲とされ、下側ミラーM1および上側ミラーM2にて構成される光学多層膜ミラーは、メンブレンMenの一部の領域にのみ形成されているが、図1では便宜上、縮尺を変えた図としてある。
具体的には、第3高屈折率膜7のうち、光学積層膜ミラーとなる領域には、例えば空気層で構成された第2低屈折率層8が形成されている。そして、この第2低屈折率層8の上を含めて第3高屈折率膜7の表面には、例えばPoly−Si等で構成された第4高屈折率膜9が積層されている。すなわち、第2低屈折率層8は、第3高屈折率膜7と第4高屈折率膜9の間に挟まれた構成とされている。
第2低屈折率層8は、第4高屈折率膜9によって上面が覆われると共に側面が囲まれた構造となっている。第4高屈折率膜9のうち、第2低屈折率層8の側面を囲む部分9aは第2低屈折率層8の補強部として機能するものであり、機械的な強度が不足する第2低屈折率層8の変形を抑制する。具体的には、本実施形態の場合、第2低屈折率層8は複数個に細分化されるように分割されており、図2(b)に示すように、分割されたそれぞれの上面形状が六角形状を為し、複数の第2低屈折率層8がハニカム(蜂の巣)状に配置されている。すなわち、第4高屈折率膜9のうち第2低屈折率層8の上面および側面を囲む部分9aと第3高屈折率膜7とにより六角錐台状の空間が形成され、この空間内が第2低屈折率層8とされている。
そして、第4高屈折率膜9のうち六角錐台の側面に位置する部分9aが第2低屈折率層8の補強部となる。この第4高屈折率膜9の補強部は、図3の断面において、第3高屈折率膜7に対する傾斜しており、その角度が45°とされている。このように、補強部を傾斜させることにより、補強部に対してかかる応力、例えば第4高屈折率膜9のうちの六角錐台の上面に位置する部分の自重により掛かる応力が低減され、第4高屈折率膜9の反りを抑制することが可能となる。特に、その角度を45°とすることで、その効果を最も得ることが可能となる。
このような第3、第4高屈折率膜7、9および第2低屈折率層8により、上側ミラーM2が構成されており、第4高屈折率膜9のうち第2低屈折率層8の上面に位置する部分において光を透過させると共に、第4高屈折率膜9のうち第2低屈折率層8の側面に位置する部分9aにおいて光を透過させない(あまり透過させない)ようになっている。このうち、光を透過させる部分それぞれがミラーM2aとなる。すなわち、細分化された複数個の第2低屈折率層8それぞれによるミラーM2aの集合体により上側ミラーM2が構成される。
このように構成される上側ミラーM2は、下側ミラーM1と上面レイアウトが一致させられている。すなわち、図2(a)、(b)に示されるように、第2低屈折率層8および第4高屈折率膜9のハニカム状の上面レイアウトは、第1低屈折率層4および第2高屈折率膜5のハニカム状の上面レイアウトと同様となっている。これにより、上側ミラーM2のミラーとして働く部分を透過した光が下側ミラーM1のミラーとして働く部分に効率的に入射されるようにできる。
そして、図2(b)に示すように、各ミラーM2aを構成する六角形(すなわち、第2低屈折率層8の上面にて構成する六角形)の相対する2つの角を結ぶ対角線の長さL3は、隣接するミラーM2aの間隔(すなわち、第4高屈折率膜9のうちの補強部を構成する部分9aの幅)L4よりも大きくされている。さらに、角を結ぶ対角線だけでなく、各ミラーM2aを構成する六角形の相対する2辺の間の距離も間隔L4より大きくされている。これにより、補強部の面積が大きくなり過ぎることで、光学多層膜ミラーとされる領域の面積に対してミラーとして働く部分の面積、つまり面積効率が悪くなることを防止することができる。
また、図2(b)に示すように、隣接する3つのミラーM2aを1組として、各組それぞれに1つずつの孔M2bが形成されている。具体的には、隣接する3つのミラーM2aを1組として、各組それぞれに1つずつの孔M2bが形成されている。各孔M2bは、各組を構成する3つのミラーM2aの3つの角部、つまり各ミラーM2aを形作る六角形の3つの角部が集中する点において、第3、第4高屈折率膜7、9が部分的に除去されることで形成されており、この孔M2bにて第2低屈折率層8が配置される空間と上側ミラーM2よりも上部の空間やエアギャップAgとが連通させられている。このような配置とすることで、少ない孔数で全ての第2低屈折率層8に繋がる孔M2bとすることが可能となる。この上側ミラーM2に形成された孔M2bも、図2(b)もしくは図3に示されるように、下側ミラーM1の孔M1bと対応する位置に形成されている。
なお、第4高屈折率膜9や第3高屈折率膜7には、図示しないが不純物がドーピングされた拡散層による配線層が備えられており、上側ミラーM2用の電極(以下、上部電極という)12への電圧がこの配線層を通じて印加されることで、第4高屈折率膜9および第3高屈折率膜7の電位を調整できるようになっている。
さらに、絶縁膜6および第3、第4高屈折率膜7、9のうち、メンブレンMenよりも外周の位置には、第2高屈折率膜5に達する開口部10が形成されている。この開口部10にはAu/Cr等により構成された下部電極11が形成されており、第2高屈折率膜5に形成された不純物の拡散層よりなる図示しない配線部とオーミック接触させられている。同様に、第4高屈折率膜9の表面のうち、メンブレンMenよりも外周の位置にも、Au/Cr等により構成された上部電極12が形成されており、第4高屈折率膜9に形成された不純物の拡散層よりなる図示しない配線部とオーミック接触させられている。なお、これら第2高屈折率膜5や第4高屈折率膜9に形成された配線部は、下側ミラーM1や上側ミラーM2の外周部や下側ミラーM1や上側ミラーM2のうち補強部となる部分のみに不純物がドーピングされることで構成されるようにすると好ましい。これは、不純物がドーピングされると光が吸収されるためであり、ミラーとして働く部分には不純物が導入されない方が好ましい。
なお、配線部を構成するものではないが、第1低屈折率層4に繋がる孔M1bが形成された位置において、不要な光の透過を阻止するために、第1高屈折率膜3のうち第1低屈折率層4に繋がる孔M1bと対応する場所に不純物をドーピングすることも可能である。
そして、メンブレンMenの内部において、第3、第4高屈折率膜7、9を貫通し、エアギャップAgと外部とを連通させる孔13が形成された構造とされている。
以上のような構造により、本実施形態のファブリペロー干渉計が構成されている。続いて、このような構造のファブリペロー干渉計の製造方法について、図4および図5に示すファブリペロー干渉計の製造工程図を参照して説明する。
〔図4(a)に示す工程〕
まず、シリコン基板などで構成される半導体基板1を用意する。そして、この半導体基板1の表面全面に、例えばシリコン酸化膜からなる絶縁膜2とPoly−Si等で構成された第1高屈折率膜3をデポジションすると共に、第1高屈折率膜3の表面全面に例えばシリコン酸化膜など、第1、第2高屈折率膜3、5とエッチング選択比の高い材料で構成された犠牲膜20をデポジションする。このとき、犠牲膜20の膜厚は、上述した第1低屈折率層4の厚み相当とする。その後、犠牲膜20の表面にレジスト21を配置したのち、レジスト21のうち第1低屈折率層4の形成予定位置と対応する部分のみを残るように開口部21aを形成し、この状態でウェットエッチング(等方性エッチング)を行うと共に、必要に応じてドライエッチング(異方性エッチング)を行うことで、犠牲膜20を六角錐台形状とする。その後、レジスト21を除去する。
〔図4(b)に示す工程〕
犠牲膜20および第1高屈折率膜3のうち犠牲膜20で覆われていない部分の表面全面にPoly−Si等で構成された第2高屈折率膜5をデポジションする。このとき、犠牲膜20が六角錐台形状を為しているため、第2高屈折率膜5のうち犠牲膜20の上に配置された部分に関しては、その形状が受け継がれ、六角錐台形状となる。
続いて、第2高屈折率膜5の表面にレジスト22を配置したのち、図4(b)とは別断面において、レジスト22のうち下側ミラーM1の孔M1bと対応する部分に開口部22aを設ける。そして、レジスト22をマスクとしたドライエッチング(異方性エッチング)を行うことにより、孔M1bを開口させる。このとき、第2高屈折率膜5の形状が六角錐台形状を受け継いだものとなっているため、孔M1bを形成したときに、第1高屈折率膜3と犠牲膜20との境界部近傍に残渣が発生し難くなる。
その後、レジスト22を除去したのち、配線部形成領域が開口するマスク(図示せず)を用いて不純物をイオン注入する。
〔図4(c)に示す工程〕
第2高屈折率膜5の表面全面に、例えばシリコン酸化膜からなる絶縁膜6をデポジションする。このとき、絶縁膜6の膜厚は、エアギャップAgの大きさ、つまり下側ミラーM1と上側ミラーM2との間の間隔分の厚さとされる。なお、この絶縁膜6の材質は特に限定されないが、犠牲膜20の材質と同じであるのが好ましい。また、絶縁膜6の厚さによっては、絶縁膜6の表面に第2高屈折率膜5の凹凸形状が残った状態になるが、残っていても構わない。
〔図5(a)に示す工程〕
絶縁膜6の表面全面に、例えばPoly−Siからなる第3高屈折率膜7をデポジションすると共に、第2高屈折率膜7の表面全面に例えばシリコン酸化膜など、第3、第4高屈折率膜7、9とエッチング選択比の高い材料で構成された犠牲膜23をデポジションする。このとき、犠牲膜23の膜厚は、上述した第2低屈折率層8の厚み相当とする。その後、犠牲膜23の表面にレジスト24を配置したのち、レジスト24のうち第2低屈折率層8の形成予定位置と対応する部分のみを残るように開口部24aを形成し、この状態でウェットエッチング(等方性エッチング)を行うと共に、必要に応じてドライエッチング(異方性エッチング)を行うことで、犠牲膜23を六角錐台形状とする。その後、レジスト24を除去する。
〔図5(b)に示す工程〕
犠牲膜23および第3高屈折率膜7のうち犠牲膜23で覆われていない部分の表面全面にPoly−Si等で構成された第4高屈折率膜9をデポジションする。このとき、犠牲膜23が六角錐台形状を為しているため、第4高屈折率膜9のうち犠牲膜23の上に配置された部分に関しては、その形状が受け継がれ、六角錐台形状となる。
続いて、配線部形成領域が開口するマスク(図示せず)を用いて不純物をイオン注入したのち、そのマスクを除去する。
さらに、第4高屈折率膜9の表面にレジスト25を配置したのち、レジスト25のうち上側ミラーM2の孔M2bと対応する部分に開口部25a(図5(b)とは別断面)および開口部10や孔13と対応する部分に開口部25bを設ける。そして、レジスト25をマスクとしたドライエッチング(異方性エッチング)を行うことにより、孔M2bおよび孔13を開口させると共に、開口部10の一部を形成する。
〔図5(c)に示す工程〕
続いて、レジスト25を除去したのち、第4高屈折率膜9をマスクとした異方性エッチングを行う。これにより、絶縁膜6が部分的に除去されて開口部10が形成される。このとき、第4高屈折率膜9のうち、メンブレンMenの位置する部分にマスクを配置した状態で異方性エッチングを行うことで、孔M2bや孔13を通じて絶縁膜6が除去されないようにしても構わないが、除去しておくと、メンブレンMenを構成するためにメンブレンMenの下方の絶縁膜6を除去する際に除去し易くなる。
その後、開口部10を覆うために用いたマスクを除去した後、メタルマスク等を用いてAu/Crを蒸着し、開口部10内に下部電極11を形成すると共に、メンブレンMenの外周部に上部電極12を形成し、必要に応じてこれらを研削、研磨する。さらに、上側ミラーM2の孔M2bおよびその外周に位置する孔13を通じて、さらには下側ミラーM1の孔1bを通じて、絶縁膜6や第1、第2低屈折率層4、8が配置される空間に存在する犠牲膜20、23をエッチングする。このとき、必要に応じて図示しないマスクにより開口部10を覆うことで、開口部10において露出している絶縁膜6が除去されないようにしても良い。このエッチングにより、絶縁膜6のうちメンブレンMenの下部に位置する部分が除去されることでエアギャップAgが形成されると共に、第1、第2低屈折率層4、8が構成される。
このような製造方法により、図1に示した本実施形態の光学多層膜ミラーを有するファブリペロー干渉計が完成する。
このような光学多層膜ミラーを有するファブリペロー干渉計では、下部電極11と上部電極12とに対して印加する電圧を変化させると、下側ミラーM1と上側ミラーM2との間の静電引力が変わり、これらの間隔、つまりエアギャップAgの高さが変化する。したがって、下側ミラーM1と上側ミラーM2との間隔を調整することにより、広い高反射帯域での分光が可能となる。
以上説明したように、本実施形態の光学多層膜ミラーを有するファブリペロー干渉計では、第2、第4高屈折率膜5、9の壁面、つまり第1、第2低屈折率層4、8を貫通して第2、第4高屈折率膜5、9のうち第1、第2低屈折率層4、8の上面を覆う部分を支えるような補強部を設けているため、第1、第2低屈折率層4、8の機械的な強度が不足しても、それにより第2、第4高屈折率膜5、9が反る等の問題が発生しないようにすることができる。したがって、第1〜第4高屈折率膜3、5、7、9を例えば3〜9μmの波長帯域に対して透明な高屈折率材料であるGe(屈折率=4)やSi(屈折率=3.45)によって構成し、さらに、第1、第2低屈折率層4、8をSiO2(屈折率=1.44)よりもさらに屈折率の低い材料、例えば空気(屈折率=1)や真空などにより構成することで、高n比(例えば、3.4以上)を達成した場合にも、第2、第4高屈折率膜5、9が反る等の問題が発生しないため、高反射帯域が広い光学多層膜ミラーを備えたファブリペロー干渉計とすることが可能となる。
また、本実施形態のファブリペロー干渉計においては、下側ミラーM1では、第1低屈折率層4を貫通して第2高屈折率膜5が第1高屈折率膜3まで達するようにし、第2高屈折率膜5のうち第1低屈折率層4の上面に位置する部分から第1高屈折率膜3まで達している部分5aにて補強部を構成している。同様に、上側ミラーM2では、第2低屈折率層8を貫通して第4高屈折率膜9が第3高屈折率膜7まで達するようにし、第4高屈折率膜9のうち第2低屈折率層8の上面に位置する部分から第3高屈折率膜7まで達している部分9aにて補強部を構成している。このような構成とすれば、光学多層膜ミラーの構造の簡略化を図ることが可能になる。これにより、例えば、光学多層膜ミラーを製造する際に、補強部のみを形成するために必要な工程を無くすことができる。
また、上述した特許文献1のファブリペロー干渉計の場合、3〜9μmの波長帯域を分光しようとした場合、帯域を分割して分光せねばならず、分割数の数だけ干渉計が必要となり装置が大型になる。また、分割した領域ごとに干渉計の設計および駆動を最適化する必要があり、工程や駆動制御のためのコストが増大する。これに対し、本実施形態のファブリペロー干渉計部の場合には、高反射帯域を広くできるため、このような問題も発生しない。
なお、高反射膜の形成法としてはメタル膜の蒸着が一般的であるが、メタルは1μm以上の赤外光領域では吸収係数が増大するため、3〜10μm帯域で使用する透過型デバイスへの適用には不向きである。しかしながら、本実施形態のように、メタルを使用しないで高反射膜(下側ミラーM1および上側ミラーM2)を形成できるため、透過型デバイスとして好適に使用することができる。
(第2実施形態)
本発明の第2実施形態について説明する。本実施形態のファブリペロー干渉計は、第1実施形態に対して孔M1b、M2bの構成を変更したものであり、その他に関しては第1実施形態と同様であるため、異なる部分についてのみ説明する。
図6は、本実施形態のファブリペロー干渉計のうちの光学多層ミラーの上面レイアウトを示した図である。図7は、本実施形態のファブリペロー干渉計に備えられた光学多層ミラーを部分的に拡大した断面図であり、図6(a)、(b)のC−C断面およびD−D断面と対応している。
これらの図に示すように、本実施形態では、上側ミラーM2に形成された孔M2bが下側ミラーM1の孔M1bと一致しない位置、つまり、ずらした位置に形成されている。
第1実施形態のように、上側ミラーM2に形成された孔M2bが下側ミラーM1の孔M1bと対応する位置に形成されている場合、孔M1b、M2bを通じて光が入り込む可能性がある。
しかしながら、本実施形態のように、上側ミラーM2に形成された孔M2bが下側ミラーM1の孔M1bに対してずらした位置に形成されるようにすれば、孔M2bから入り込んだ光を下側ミラーM1のミラーとして働かない部分にて遮断、散乱させることが可能となる。これにより、より精度の高いファブリペロー干渉計とすることが可能となる。
(第3実施形態)
本発明の第3実施形態について説明する。本実施形態のファブリペロー干渉計は、第1実施形態に対して第1、第2高屈折率膜3、5の間の構造を変更したものであり、その他に関しては第1実施形態と同様であるため、異なる部分についてのみ説明する。
図8は、本実施形態のファブリペロー干渉計の模式的な断面構成を示したものである。この図に示されるように、本実施形態のファブリペロー干渉計では、下側ミラーM1以外の領域において、第1、第2高屈折率膜3、5の間に犠牲膜20を残したものである。メンブレンMenの下部の位置する第1、第2高屈折率膜3、5は、下側ミラーM1となる領域以外はあまりファブリペロー干渉計の作動に影響を及ぼさない。このため、このような領域において、第1、第2高屈折率膜3、5の間に犠牲膜20を残した状態としても構わない。
(第4実施形態)
本発明の第4実施形態について説明する。本実施形態のファブリペロー干渉計は、第1実施形態に対して下側ミラーM1および上側ミラーM2の形状を変えたものであり、その他に関しては第1実施形態と同様であるため、異なる部分についてのみ説明する。
図9は、本実施形態のファブリペロー干渉計の模式的な断面構成を示したものである。この図に示されるように、本実施形態のファブリペロー干渉計では、第1、第2低屈折率層4、8を六角柱状にしている。そして、第2、第4高屈折率膜5、9の形状もそれに対応した形状とされている。このような形状であっても、第2、第4高屈折率膜5、9のうち第1、第2低屈折率層4、8の側面に位置する部分を補強部とすることができるため、高反射帯域が広い光学多層膜ミラーを備えたファブリペロー干渉計とすることが可能となる。
ただし、補強部に掛かる応力や、下側ミラーM1の孔M1bをエッチングにて形成する際の残渣を考慮に入れると、上記第1実施形態のように、第1、第2低屈折率層4、8を六角錐台状とするのが好ましい。
(第5実施形態)
本発明の第5実施形態について説明する。本実施形態のファブリペロー干渉計は、第1実施形態に対して上側ミラーM2の外周において第3、第4高屈折率膜7、9に形成される孔13の配置を特定するものであり、その他に関しては第1実施形態と同様であるため、異なる部分についてのみ説明する。
図10は、本実施形態のファブリペロー干渉計の模式的な上面レイアウトを示したものである。この図に示されるように、上側ミラーM2の外周において第3、第4高屈折率膜7、9に形成される孔13は、複数の同じサイズのもので構成されており、上側ミラーM2の外周において、上側ミラーM2を中心とした等ピッチの同心円上に配置されている。そして、同じ円内において隣接配置される各孔13同士のピッチ、および、隣接する円に配置される各孔13の最短ピッチが、ほぼ上側ミラーM2内部に形成される孔M2b同士のピッチと同じにされている。
このような構成とされることで、各孔13や孔M2bを通じて絶縁膜6をエッチングする際に、メンブレンMenの端まで短時間でエッチングできるため、長いエッチング時間を必要としなくても、大面積のメンブレンMenを構成することが可能となる。また、各孔13や孔M2bを通じて均一な量エッチングを行えば良いため、効率良くメンブレンMenを作成することが可能となる。
(他の実施形態)
上記第1〜第3実施形態では、第1、第2低屈折率層4、8を六角錐台状としており、第4実施形態では、第1、第2低屈折率層4、8を六角柱状としているが、これらは単なる一例であり、他の多角錐台状や多角柱状であっても構わない。ただし、六角錐台状や六角柱状の場合、光学多層膜ミラーとされる領域の面積に対してミラーとして働く部分の面積、つまり面積効率が良いため、他の多角錐台状や多角柱状とする場合よりも好ましい。
また、上記第4実施形態では、第1、第2低屈折率層4、8が細分化された状態としているが、光学多層膜ミラーとされる領域において、第1、第2高屈折率膜3、5の間や第3、第4高屈折率膜7、9の間にそれぞれ第1、第2低屈折率層4、8を1つのみ備えるようにし、第1、第2低屈折率層4、8に部分的に貫通するように、補強部が備えられたような構造であっても構わない。
さらに、上記実施形態では、補強部を第2、第4高屈折率膜5、9の一部によって構成した場合について説明したが、第2、第4高屈折率膜5、9とは異なる材質のもので構成しても良い。図11は、第2、第4高屈折率膜5、9とは異なる材質で補強部を構成した場合の一例を示した図である。この図に示すように、メタル層30、31にて下側ミラーM1や上側ミラーM2の補強部が構成されている。メタル層30、31は、第1、第2低屈折率層4、8の高さと同等とされており、第1、第2低屈折率層4、8の上部およびメタル層30、31の上部が第2、第4高屈折率膜5、9にて覆われるような構造とされている。このように、第2、第4高屈折率膜5、9とは異なる材質で補強部を構成することもできる。
なお、このような構造は、図4(a)や図5(a)に示す工程を行った後、メタル層30、31を構成するメタル膜を犠牲膜20、23および第1、第3高屈折率膜3、7の表面に配置し、さらにメタル膜を平坦化して犠牲膜20、23と同じ高さにすることで、メタル層30、31を形成すれば、残りは第1実施形態で示した工程を実施することで形成することが可能となる。
また、上記第1〜第5実施形態では、第1、第2低屈折率層4、8を空気層で構成する場合について説明したが、真空もしくは屈折率が1.44よりも小さな材料で構成されるようにしても良い。例えば、第1、第2低屈折率層4、8を真空とするのであれば、図5(c)の工程の後にファブリペロー干渉計を真空装置内に導入した状態で密封容器内に組み付けられるようにする等により行える。また、屈折率が1.44よりも小さな材料とする場合、そのような材料の液体、気体、ゾルもしくはゲルを図5(c)の工程後に、孔M1b、M2bや孔13を通じて充填すればよい。この場合、第1実施形態などでエアギャップAgとされていた部分が屈折率が1.44よりも小さな材料で構成されたギャップとなる。なお、このような液体、気体、ゲルやゾルが充填されたとしても、下部電極11と上部電極12への電圧印加に基づいて下側ミラーM1と上側ミラーM2との間隔を調整できるため、ファブリペロー干渉計による分光を行うことができる。
また、上記実施形態では、下側ミラーおよび上側ミラーを備えた光学多層膜ミラーを例に挙げて説明したが、少なくとも1つのミラーを有した光学多層膜ミラーに関して、第1屈折率の第1高屈折率膜と、第1高屈折率膜のうちミラーなる部分と対応する場所に配置され、第1屈折率よりも低い第2屈折率の第1低屈折率層と、第1低屈折率層を覆うように形成された第2高屈折率膜とを有すると共に、第1低屈折率層を貫通して第1高屈折率膜まで達し、第2高屈折率膜のうち第1低屈折率層の上面を覆う部分を支える補強部を有した構成とすることも可能である。
本発明の第1実施形態が適用された光学多層膜ミラーを有するファブリペロー干渉計の模式的な断面図である。 図1に示すファブリペロー干渉計のうちの光学多層ミラーの上面レイアウトを示した図である。 図1とは別断面において、光学多層ミラーを部分的に拡大した断面図である。 図1に示すファブリペロー干渉計の製造工程図である。 図4に続くファブリペロー干渉計の製造工程図である。 本発明の第2実施形態が適用されたファブリペロー干渉計のうちの光学多層ミラーの上面レイアウトを示した図である。 図6に示す光学多層ミラーを部分的に拡大した断面図である。 本発明の第3実施形態が適用された光学多層膜ミラーを有するファブリペロー干渉計の模式的な断面図である。 本発明の第4実施形態が適用された光学多層膜ミラーを有するファブリペロー干渉計の模式的な断面図である。 本発明の第5実施形態が適用されたファブリペロー干渉計の上面レイアウトを示した図である。 他の実施形態で示す第2、第4高屈折率膜5、9とは異なる材質で補強部を構成した場合の一例を示したファブリペロー干渉計の模式的な断面図である。 (a)は、反射率の波長依存性の特性図、(b)は、波長とFP透過率との関係を示した特性図である。 光学多層膜ミラーの高屈折率帯域の屈折率比依存性を示したグラフである。
符号の説明
1…半導体基板、2…絶縁膜、3…第1高屈折率膜、4…低屈折率層、5…高屈折率膜、6…絶縁膜、7…高屈折率膜、8…低屈折率層、9…高屈折率膜、9a…補強部となる部分、10…開口部、11…下部電極、12…上部電極、13…孔、20,23…犠牲膜、21、22、24,25…レジスト、30、31…メタル層、Ag…エアギャップ、M1…下側ミラー、M1a…ミラー、M1b…孔、M2…上側ミラー、M2a…ミラー、M2b…孔、Men…メンブレン。

Claims (20)

  1. 基板(1)上に下側ミラー(M1)が配置されると共に、該下側ミラーと対応する位置において、該下側ミラーからギャップ(Ag)を介して配置された上側ミラー(M2)とを有してなる光学多層膜ミラーであって、
    前記下側ミラーは、前記基板の上に形成された第1屈折率の第1高屈折率膜(3)と、前記第1高屈折率膜のうち該下側ミラーと対応する場所に配置され、前記第1屈折率よりも低い第2屈折率の第1低屈折率層(4)と、前記第1低屈折率層を覆うように形成された第2高屈折率膜(5)とを有すると共に、前記第1低屈折率層を貫通して前記第1高屈折率膜まで達し、前記第2高屈折率膜のうち前記第1低屈折率層の上面を覆う部分を支える補強部(5a)を有して構成され、
    前記上側ミラーは、前記基板の上に形成された第1屈折率の第3高屈折率膜(7)と、前記第3高屈折率膜のうち該上側ミラーと対応する場所に配置され、前記第2屈折率の第2低屈折率層(8)と、前記第2低屈折率層を覆うように形成された第4高屈折率膜(9)とを有すると共に、前記第2低屈折率層を貫通して前記第3高屈折率膜まで達し、前記第4高屈折率膜のうち前記第2低屈折率層の上面を覆う部分を支える補強部(9a)を有して構成され
    前記下側ミラーでは、前記第1低屈折率層を貫通して前記第2高屈折率膜が前記第1高屈折率膜まで達しており、該下側ミラーの前記補強部は、前記第2高屈折率膜のうち前記第1低屈折率層の上面に位置する部分から前記第1高屈折率膜まで達している部分(5a)にて構成され、
    前記上側ミラーでは、前記第2低屈折率層を貫通して前記第4高屈折率膜が前記第3高屈折率膜まで達しており、該上側ミラーの前記補強部は、前記第4高屈折率膜のうち前記第2低屈折率層の上面に位置する部分から前記第3高屈折率膜まで達している部分(9a)にて構成されていることを特徴とする光学多層膜ミラー。
  2. 前記第1、第2低屈折率層は、気体、液体、真空、ゾルもしくはゲルのいずれか1つの形態により構成されていることを特徴とする請求項1に記載の光学多層膜ミラー。
  3. 前記第1、第2低屈折率層は、空気であることを特徴とする請求項1に記載の光学多層膜ミラー。
  4. 前記下側ミラーでは、前記第1低屈折率層が複数個に分割されることで細分化されており、前記第2高屈折率膜のうち細分化された前記第1低屈折率層の側面に位置する部分にて、該下側ミラーの前記補強部が構成されており、
    前記上側ミラーでは、前記第2低屈折率層が複数個に分割されることで細分化されており、前記第4高屈折率膜のうち細分化された前記第2低屈折率層の側面に位置する部分にて、該上側ミラーの前記補強部が構成されていることを特徴とする請求項1ないし3のいずれか1つに記載の光学多層膜ミラー。
  5. 前記下側ミラーの前記補強部と前記上側ミラーの前記補強部は、上面レイアウトが一致していることを特徴とする請求項に記載の光学多層膜ミラー。
  6. 前記下側ミラーでは、前記第1低屈折率層は上面形状が同じ多角形に分割されて複数個に細分化され、
    前記上側ミラーでは、前記第2低屈折率層は上面形状が前記第1低屈折率層と同じ多角形に分割されて複数個に細分化されていることを特徴とする請求項に記載の光学多層膜ミラー。
  7. 前記第1低屈折率層および前記第2低屈折率層は、多角錐台形状とされていることを特徴とする請求項に記載の光学多層膜ミラー。
  8. 前記第2高屈折率膜のうち前記第1低屈折率層の側面に位置する部分が前記第1高屈折率膜に対して為す角度が45°であり、前記第4高屈折率膜のうち前記第2低屈折率層の側面に位置する部分が前記第3高屈折率膜に対して為す角度が45°であることを特徴とする請求項に記載の光学多層膜ミラー。
  9. 前記第1低屈折率層および前記第2低屈折率層は、多角柱形状とされていることを特徴とする請求項に記載の光学多層膜ミラー。
  10. 前記第1低屈折率層および前記第2低屈折率層は、上面形状が六角形に細分化されており、該細分化された前記第1低屈折率層および前記第2低屈折率層がハニカム状に配置されていることを特徴とする請求項ないしのいずれか1つに記載の光学多層膜ミラー。
  11. 前記下側ミラーには、前記細分化された前記第1低屈折率層の隣接し合う3つを1組として、該1組の前記第1低屈折率層が形作る六角形の3つの角部が集中する点に1つのみ、前記第2高屈折率膜を貫通し、前記第1低屈折率層に繋がる孔(M1b)が形成されており、
    前記上側ミラーには、前記細分化された前記第2低屈折率層の隣接し合う3つを1組として、該1組の前記第2低屈折率層が形作る六角形の3つの角部が集中する点に1つのみ、前記第4高屈折率膜および前記第3高屈折率膜を貫通し、前記第2低屈折率層に繋がる孔(M2b)が形成されていることを特徴とする請求項10に記載の光学多層膜ミラー。
  12. 前記下側ミラーの前記孔と前記上側ミラーの前記孔は、上面レイアウトが一致していないことを特徴とする請求項11に記載の光学多層膜ミラー。
  13. 前記下側ミラーの前記孔は上面形状が円形を成しており、該孔の直径は、該下側ミラーの前記補強部の幅よりも大きくされ、
    前記上側ミラーの前記孔は上面形状が円形を成しており、該孔の直径は、該上側ミラーの前記補強部の幅よりも大きくされていることを特徴とする請求項11または12に記載の光学多層膜ミラー。
  14. 前記第1屈折率の前記第2屈折率に対する比が3.4以上であることを特徴とする請求項1ないし13のいずれか1つに記載の光学多層膜ミラー。
  15. 前記第1〜第4高屈折率膜はGeまたはSiにて構成されていることを特徴とする請求項1ないし14のいずれか1つに記載の光学多層膜ミラー。
  16. 請求項1ないし15のいずれか1つに記載の光学多層膜ミラーを備え、前記第1、第2高屈折率膜が前記下側ミラーとなる領域よりも外周にも形成されており、かつ、前記第3、第4高屈折率膜が前記上側ミラーとなる領域よりも外周にも形成されることでメンブレン(Men)が構成されており、
    前記下側ミラーに備えられる前記第2高屈折率膜に対して電圧を印加する第1電極(11)と、
    前記上側ミラーに備えられる前記第4高屈折率膜に対して電圧を印加する第2電極(12)と、を有し、
    前記第1電極および前記第2電極の電位に基づいて発生する静電引力により前記上側ミラーと前記下側ミラーとの間隔が変化するように構成されたファブリペロー干渉計。
  17. 前記第2高屈折率膜には、該第2高屈折率膜のうちの前記下側ミラーとなる領域の外周部および前記下側ミラーの前記補強部と対応する領域にのみ不純物がドーピングされた配線部とされ、該配線部と前記第1電極とが接続されており、
    前記第4高屈折率膜には、該第4高屈折率膜のうちの前記上側ミラーとなる領域の外周および前記上側ミラーの前記補強部と対応する領域にのみ不純物がドーピングされた配線部とされ、該配線部と前記第2電極とが接続されていることを特徴とする請求項16に記載のファブリペロー干渉計。
  18. 前記第3、第4高屈折率膜のうち、前記上側ミラーの外周の位置に、前記ギャップに繋がる孔(13)が形成されていることを特徴とする請求項16または17に記載のファブリペロー干渉計。
  19. 前記第3、第4高屈折率膜のうち、前記上側ミラーの外周の位置に形成された前記孔は、複数個形成されており、該複数個の孔同士のピッチが等しくされていることを特徴とする請求項18に記載のファブリペロー干渉計。
  20. 前記第3、第4高屈折率膜のうち、前記上側ミラーの外周の位置に形成された前記孔は、前記光学多層膜ミラーを中心として、同ピッチで配置された複数の同心円の円上に配置されていることを特徴とする請求項19に記載のファブリペロー干渉計。
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