JP4767138B2 - 基板処理装置、液膜凍結方法および基板処理方法 - Google Patents
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Description
また、この発明にかかる基板処理装置の第2態様は、液膜が形成された基板表面を上方に向けた状態で基板を略水平姿勢で保持する基板保持手段と、液膜を構成する液体の凝固点より低い温度を有する冷却ガスを基板保持手段に保持された基板の表面に向けて局部的に吐出する冷却ガス吐出手段と、冷却ガス吐出手段を基板表面に沿って基板に対して相対移動させる相対移動機構とを備え、冷却ガス吐出手段から冷却ガスを吐出させながら相対移動機構により冷却ガス吐出手段を基板に対して相対移動させることで基板表面の全面に凍結膜を生成し、冷却ガス吐出手段は第1方向に延びるスリット状の吐出口を有し、該吐出口から帯状に冷却ガスを吐出し、吐出口は第1方向において基板表面の平面サイズと同等以上の長さを有し、相対移動機構は、冷却ガス吐出手段を基板表面に対向させながら第1方向と略直交し、かつ基板表面に略平行に延びる第2方向に基板に対して相対移動させることを特徴としている。
また、この発明にかかる液膜凍結方法の第2態様は、液膜が形成された基板表面を上方に向けた状態で基板を略水平姿勢で保持しながら液膜を構成する液体の凝固点より低い温度を有する冷却ガスを、基板表面の平面サイズと同等以上の長さの吐出口を有する冷却ガス吐出手段から基板の表面に向けて局部的に吐出させて液膜を凍結させる冷却ガス吐出工程と、冷却ガス吐出工程に並行して、冷却ガス吐出手段を基板表面に沿って基板に対して相対移動させて、液膜が凍結した領域が広げられて基板表面の全面に凍結膜を生成する相対移動工程とを備えたことを特徴としている。
図1はこの発明にかかる基板処理装置の一実施形態を示す図である。また、図2は図1の基板処理装置の制御構成を示すブロック図である。この基板処理装置は半導体ウエハ等の基板Wの表面Wfに付着しているパーティクル等の汚染物質を除去するための洗浄処理に用いられる枚葉式の基板処理装置である。より具体的には、微細パターンが形成された基板表面Wfに液膜を形成した後、該液膜を凍結させてから凍結後の液膜(凍結膜)を基板表面Wfから除去することにより、基板Wに対して一連の洗浄処理(液膜形成+液膜凍結+膜除去)を施す装置である。
図7はこの発明にかかる基板処理装置の第2実施形態を示す図である。この第2実施形態にかかる基板処理装置が第1実施形態と大きく相違する点は、基板表面Wfのみならず、基板裏面Wbにも凍結膜(裏面側凍結膜)を生成している点である。なお、その他の構成および動作は基本的に第1実施形態と同様であるため、ここでは同一符号を付して説明を省略する。
上記第1および第2実施形態では、基板Wを回転させながら冷却ガス吐出ノズル3を基板Wの回転中心位置Pcと基板Wの端縁位置Peとの間で移動させることで、冷却ガス吐出ノズル3を基板Wに対して相対移動させているが、冷却ガス吐出ノズルを基板Wに対して相対移動させるための構成はこれに限定されない。例えば図8に示すように、基板Wを回転させることなく、冷却ガス吐出ノズルを基板Wに対して相対移動させてもよい(第3実施形態)。
図9はこの発明にかかる基板処理装置の第4実施形態を示す図である。この第4実施形態にかかる基板処理装置が第3実施形態と大きく相違する点は、基板表面Wfのみならず、基板裏面Wbにも凍結膜(裏面側凍結膜)を生成している点である。なお、その他の構成および動作は基本的に第3実施形態と同様であるため、ここでは同一符号を付して説明を省略する。
なお、本発明は上記した実施形態に限定されるものではなく、その趣旨を逸脱しない限りにおいて上述したもの以外に種々の変更を行うことが可能である。例えば上記実施形態では、処理チャンバー1内で基板表面Wfに液体(DIW)を供給して基板表面Wfに液膜を形成しているが、予め基板表面Wfに液膜が形成された基板Wを処理チャンバー1に搬入してもよい。
2…スピンチャック(基板保持手段)
3,30…冷却ガス吐出ノズル(冷却ガス吐出手段)
5…二流体ノズル(膜除去手段)
6…薬液吐出ノズル(膜除去手段)
7…DIW吐出ノズル(第2液膜形成手段)
11b…裏面側液膜
11f…表面側液膜
13b…裏面側凍結膜
13f…表面側凍結膜
22…チャック回転機構(回転手段)
27…処理液ノズル(裏面側液膜形成手段、膜除去手段)
30a…(スリット状の)吐出口
31…第1の回動モータ(駆動手段、相対移動機構)
37…ノズル駆動機構(相対移動機構)
97…ノズル(第1液膜形成手段、膜除去手段)
W…基板
Wb…基板裏面
Wf…基板表面
X…第1方向
Y…第2方向
Claims (13)
- 基板表面に形成された液膜を凍結させる機能を有する基板処理装置において、
液膜が形成された基板表面を上方に向けた状態で基板を略水平姿勢で保持する基板保持手段と、
前記液膜を構成する液体の凝固点より低い温度を有する冷却ガスを前記基板保持手段に保持された前記基板の表面に向けて局部的に吐出する冷却ガス吐出手段と、
前記冷却ガス吐出手段を前記基板表面に沿って前記基板に対して相対移動させる相対移動機構と、
前記基板保持手段に保持された前記基板を回転させる回転手段と
を備え、
前記冷却ガス吐出手段から前記冷却ガスを吐出させながら前記相対移動機構により前記冷却ガス吐出手段を前記基板に対して相対移動させることで前記基板表面の全面に凍結膜を生成し、
前記相対移動機構は、前記冷却ガス吐出手段を前記基板表面に対向させながら駆動して前記基板の回転中心位置と前記基板の端縁位置とを結ぶ軌跡に沿って移動させる駆動手段を有する
ことを特徴とする基板処理装置。 - 前記基板表面に前記液膜を形成する機能を有する請求項1記載の基板処理装置であって、
前記回転手段により回転される前記基板の表面に前記液体を供給して前記基板表面に前記液膜を形成する第1液膜形成手段をさらに備える基板処理装置。 - 基板表面に形成された液膜を凍結させる機能を有する基板処理装置において、
液膜が形成された基板表面を上方に向けた状態で基板を略水平姿勢で保持する基板保持手段と、
前記液膜を構成する液体の凝固点より低い温度を有する冷却ガスを前記基板保持手段に保持された前記基板の表面に向けて局部的に吐出する冷却ガス吐出手段と、
前記冷却ガス吐出手段を前記基板表面に沿って前記基板に対して相対移動させる相対移動機構と
を備え、
前記冷却ガス吐出手段から前記冷却ガスを吐出させながら前記相対移動機構により前記冷却ガス吐出手段を前記基板に対して相対移動させることで前記基板表面の全面に凍結膜を生成し、
前記冷却ガス吐出手段は第1方向に延びるスリット状の吐出口を有し、該吐出口から帯状に前記冷却ガスを吐出し、
前記吐出口は前記第1方向において前記基板表面の平面サイズと同等以上の長さを有し、
前記相対移動機構は、前記冷却ガス吐出手段を前記基板表面に対向させながら前記第1方向と略直交し、かつ前記基板表面に略平行に延びる第2方向に前記基板に対して相対移動させることを特徴とする基板処理装置。 - 前記基板表面に前記液膜を形成する機能を有する請求項3記載の基板処理装置であって、
前記基板に対して前記第2方向に沿って相対移動自在に、しかも前記冷却ガス吐出手段に対して前記第2方向の下流側に配置され、前記基板表面に前記液体を前記第1方向に沿って帯状に供給して前記基板表面に前記液膜を形成する第2液膜形成手段をさらに備え、
前記相対移動機構は前記第2液膜形成手段を前記基板表面に沿って前記基板に対して相対移動させる基板処理装置。 - 前記相対移動機構は前記第2液膜形成手段と前記冷却ガス吐出手段とを所定の離間距離だけ離間したまま一体的に移動させる請求項4記載の基板処理装置。
- 前記基板保持手段に保持された前記基板の裏面に裏面側液膜を形成する裏面側液膜形成手段をさらに備え、
前記冷却ガス吐出手段から前記冷却ガスを吐出させながら前記相対移動機構により前記冷却ガス吐出手段を前記基板に対して相対移動させることで、前記基板表面側に形成された前記液膜を凍結させて表面側凍結膜を生成すると同時に前記裏面側液膜を凍結させて裏面側凍結膜を生成する請求項1ないし5のいずれかに記載の基板処理装置。 - 前記基板から前記凍結膜を除去する膜除去手段をさらに備える請求項1ないし6のいずれかに記載の基板処理装置。
- 前記冷却ガス吐出手段と前記膜除去手段とは同一の処理チャンバー内に収容される請求項7記載の基板処理装置。
- 基板表面に形成された液膜を凍結させる液膜凍結方法において、
液膜が形成された基板表面を上方に向けた状態で基板を略水平姿勢で保持しながら前記基板を回転させるとともに、前記液膜を構成する液体の凝固点より低い温度を有する冷却ガスを冷却ガス吐出手段から回転する前記基板の表面に向けて局部的に吐出させて前記液膜を凍結させる冷却ガス吐出工程と、
前記冷却ガス吐出工程に並行して、前記冷却ガス吐出手段を前記基板表面に沿って、しかも前記基板の回転中心位置と前記基板の端縁位置を結ぶ軌跡に沿って、回転する前記基板に対して相対移動させて、液膜が凍結した領域が前記基板の回転中心位置から前記基板の端縁位置に広げられて前記基板表面の全面に凍結膜を生成する相対移動工程と
を備えたことを特徴とする液膜凍結方法。 - 基板表面に形成された液膜を凍結させる液膜凍結方法において、
液膜が形成された基板表面を上方に向けた状態で基板を略水平姿勢で保持しながら前記液膜を構成する液体の凝固点より低い温度を有する冷却ガスを、前記基板表面の平面サイズと同等以上の長さの吐出口を有する冷却ガス吐出手段から前記基板の表面に向けて局部的に吐出させて前記液膜を凍結させる冷却ガス吐出工程と、
前記冷却ガス吐出工程に並行して、前記冷却ガス吐出手段を前記基板表面に沿って前記基板に対して相対移動させて、液膜が凍結した領域が広げられて前記基板表面の全面に凍結膜を生成する相対移動工程と
を備えたことを特徴とする液膜凍結方法。 - 請求項9または10記載の液膜凍結方法により前記液膜を凍結させる液膜凍結工程と、
前記液膜凍結工程後に前記基板表面から前記凍結膜を除去する膜除去工程と
を備えたことを特徴とする基板処理方法。 - 前記膜除去工程は前記凍結膜が融解しないうちに実行開始される請求項11記載の基板処理方法。
- 前記膜除去工程が前記基板表面に処理液を供給して前記凍結膜を除去する請求項11または12記載の基板処理方法であって、
前記液膜凍結工程と前記膜除去工程とを所定回数だけ繰り返し実行する基板処理方法。
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TW096117265A TWI369728B (en) | 2006-09-13 | 2007-05-15 | Substrate processing apparatus, liquid film freezing method and substrate processing method |
KR1020070067309A KR100877276B1 (ko) | 2006-09-13 | 2007-07-05 | 기판처리장치, 액막동결방법 및 기판처리방법 |
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US11/837,575 US8029622B2 (en) | 2006-09-13 | 2007-08-13 | Substrate processing apparatus, liquid film freezing method and substrate processing method |
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Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US10486203B2 (en) | 2016-03-23 | 2019-11-26 | Toshiba Memory Corporation | Substrate production method, substrate processing apparatus, and substrate production system |
US10692715B2 (en) | 2016-08-09 | 2020-06-23 | Toshiba Memory Corporation | Method for cleaning substrate and substrate processing apparatus |
US11651953B2 (en) | 2016-08-09 | 2023-05-16 | Kioxia Corporation | Method for cleaning substrate and cleaning device |
Families Citing this family (35)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4877783B2 (ja) * | 2006-11-28 | 2012-02-15 | 大日本スクリーン製造株式会社 | 裏面洗浄装置、基板処理装置および裏面洗浄方法 |
US8567420B2 (en) | 2008-03-31 | 2013-10-29 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Cleaning apparatus for semiconductor wafer |
JP4707730B2 (ja) * | 2008-03-31 | 2011-06-22 | 株式会社東芝 | 半導体ウェーハの洗浄装置、及び半導体ウェーハの洗浄方法 |
JP5114278B2 (ja) * | 2008-04-16 | 2013-01-09 | 大日本スクリーン製造株式会社 | 基板処理方法および基板処理装置 |
JP5243165B2 (ja) * | 2008-09-25 | 2013-07-24 | 大日本スクリーン製造株式会社 | 基板洗浄方法および基板洗浄装置 |
JP5185046B2 (ja) * | 2008-09-29 | 2013-04-17 | 大日本スクリーン製造株式会社 | 基板洗浄装置 |
JP5222110B2 (ja) * | 2008-11-21 | 2013-06-26 | 大日本スクリーン製造株式会社 | 基板処理装置 |
JP5409413B2 (ja) * | 2010-01-26 | 2014-02-05 | 日本パイオニクス株式会社 | Iii族窒化物半導体の気相成長装置 |
US20110180113A1 (en) * | 2010-01-28 | 2011-07-28 | Chin-Cheng Chien | Method of wafer cleaning and apparatus of wafer cleaning |
TWI421927B (zh) * | 2010-03-09 | 2014-01-01 | Dainippon Screen Mfg | 基板清洗方法及基板清洗裝置 |
JP5647845B2 (ja) | 2010-09-29 | 2015-01-07 | 株式会社Screenホールディングス | 基板乾燥装置及び基板乾燥方法 |
JP5627393B2 (ja) * | 2010-10-28 | 2014-11-19 | 大日本スクリーン製造株式会社 | 基板処理方法および基板処理装置 |
TWI480937B (zh) | 2011-01-06 | 2015-04-11 | Screen Holdings Co Ltd | 基板處理方法及基板處理裝置 |
TWI563550B (en) * | 2011-01-06 | 2016-12-21 | Screen Holdings Co Ltd | Substrate processing method and substrate processing apparatus |
JP5715831B2 (ja) | 2011-01-20 | 2015-05-13 | 株式会社Screenホールディングス | 基板処理方法および基板処理装置 |
JP5912325B2 (ja) * | 2011-07-28 | 2016-04-27 | 株式会社Screenホールディングス | 基板処理装置および基板処理方法 |
CN103187340B (zh) * | 2011-12-28 | 2016-08-03 | 斯克林集团公司 | 基板处理装置以及基板处理方法 |
JP5865073B2 (ja) * | 2011-12-28 | 2016-02-17 | 株式会社Screenホールディングス | 基板処理装置および基板処理方法 |
KR101344921B1 (ko) * | 2012-03-28 | 2013-12-27 | 세메스 주식회사 | 기판처리장치 및 방법 |
JP6090837B2 (ja) | 2012-06-13 | 2017-03-08 | 株式会社Screenホールディングス | 基板処理装置および基板処理方法 |
US8691022B1 (en) * | 2012-12-18 | 2014-04-08 | Lam Research Ag | Method and apparatus for processing wafer-shaped articles |
TWI563560B (en) * | 2013-07-16 | 2016-12-21 | Screen Holdings Co Ltd | Substrate processing apparatus and substrate processing method |
US10622329B2 (en) * | 2014-10-27 | 2020-04-14 | Asm Technology Singapore Pte Ltd | Bond head cooling apparatus |
US20160172184A1 (en) * | 2014-12-16 | 2016-06-16 | United Microelectronics Corp. | Method for cleaning a wafer |
JP6464808B2 (ja) * | 2015-02-23 | 2019-02-06 | セイコーエプソン株式会社 | 液体噴射装置 |
JP6467260B2 (ja) * | 2015-03-24 | 2019-02-06 | 株式会社Screenホールディングス | 基板処理方法および基板処理装置 |
JP6811619B2 (ja) | 2017-01-12 | 2021-01-13 | 株式会社Screenホールディングス | 基板処理方法および基板処理装置 |
CN107159668B (zh) * | 2017-07-25 | 2019-06-18 | 重庆华瑞玻璃有限公司 | 一种玻璃自动清洗装置 |
JP2019046986A (ja) * | 2017-09-04 | 2019-03-22 | 株式会社Screenホールディングス | 基板処理装置および基板処理方法 |
JP6986422B2 (ja) * | 2017-11-14 | 2021-12-22 | 株式会社デンソーテン | 気体噴射装置および気体噴射システム |
US11227778B2 (en) * | 2019-08-12 | 2022-01-18 | Nanya Technology Corporation | Wafer cleaning apparatus and operation method of the same |
KR102316239B1 (ko) * | 2019-10-17 | 2021-10-25 | 세메스 주식회사 | 기판 처리 장치 및 방법 |
CN111522160B (zh) * | 2020-05-29 | 2023-03-21 | 广东华中科技大学工业技术研究院 | 一种采用雾化冷冻和智能定位的液晶屏贴合装备 |
TWI789842B (zh) * | 2020-09-11 | 2023-01-11 | 日商芝浦機械電子裝置股份有限公司 | 基板處理裝置 |
CN114823283A (zh) * | 2022-03-18 | 2022-07-29 | 广州新锐光掩模科技有限公司 | 一种去除微小颗粒的冷冻清洗方法及装置 |
Family Cites Families (29)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS62169420A (ja) | 1986-01-22 | 1987-07-25 | Hitachi Tokyo Electron Co Ltd | 表面処理方法および装置 |
US4817652A (en) * | 1987-03-26 | 1989-04-04 | Regents Of The University Of Minnesota | System for surface and fluid cleaning |
US4962776A (en) | 1987-03-26 | 1990-10-16 | Regents Of The University Of Minnesota | Process for surface and fluid cleaning |
JPH03145130A (ja) | 1989-10-17 | 1991-06-20 | Applied Materials Inc | 物体表面から汚染粒子を除去する装置及び方法 |
JPH03261142A (ja) | 1990-03-12 | 1991-11-21 | Fujitsu Ltd | 半導体基板洗浄方法 |
JPH0479422A (ja) | 1990-07-18 | 1992-03-12 | Nec Corp | 送信制御回路 |
JPH04134822A (ja) | 1990-09-27 | 1992-05-08 | Oki Electric Ind Co Ltd | 半導体素子の製造方法 |
JPH0479422U (ja) * | 1990-11-21 | 1992-07-10 | ||
JP3654923B2 (ja) | 1994-02-28 | 2005-06-02 | 野村マイクロ・サイエンス株式会社 | ウェハの保管方法及びその輸送方法 |
JPH08262388A (ja) | 1995-03-27 | 1996-10-11 | Toshiba Electron Eng Corp | 洗浄方法およびその装置 |
JP3504023B2 (ja) | 1995-05-26 | 2004-03-08 | 株式会社ルネサステクノロジ | 洗浄装置および洗浄方法 |
JP3330002B2 (ja) * | 1995-11-30 | 2002-09-30 | 大日本スクリーン製造株式会社 | 回転式基板乾燥方法および回転式基板乾燥装置 |
JP3343013B2 (ja) * | 1995-12-28 | 2002-11-11 | 大日本スクリーン製造株式会社 | 基板洗浄方法及びその装置 |
US5997653A (en) * | 1996-10-07 | 1999-12-07 | Tokyo Electron Limited | Method for washing and drying substrates |
JP3501598B2 (ja) * | 1996-10-16 | 2004-03-02 | キヤノン株式会社 | レーザー加工方法、インクジェット記録ヘッド及びインクジェット記録ヘッド製造装置 |
JPH1131673A (ja) * | 1997-07-10 | 1999-02-02 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板洗浄装置および基板洗浄方法 |
JPH11111658A (ja) | 1997-10-06 | 1999-04-23 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板処理装置および基板処理方法 |
JPH11340185A (ja) | 1998-05-28 | 1999-12-10 | Fujitsu Vlsi Ltd | 基板処理装置および基板処理システム |
DE19916345A1 (de) * | 1999-04-12 | 2000-10-26 | Steag Electronic Systems Gmbh | Verfahren und Vorrichtung zum Reinigen von Substraten |
JP3322853B2 (ja) | 1999-08-10 | 2002-09-09 | 株式会社プレテック | 基板の乾燥装置および洗浄装置並びに乾燥方法および洗浄方法 |
US6705331B2 (en) * | 2000-11-20 | 2004-03-16 | Dainippon Screen Mfg., Co., Ltd. | Substrate cleaning apparatus |
US6444582B1 (en) * | 2001-02-05 | 2002-09-03 | United Microelectronics Corp. | Methods for removing silicon-oxy-nitride layer and wafer surface cleaning |
US6783599B2 (en) * | 2001-07-19 | 2004-08-31 | International Business Machines Corporation | Method of cleaning contaminants from the surface of a substrate |
JP4349606B2 (ja) | 2002-03-25 | 2009-10-21 | 大日本スクリーン製造株式会社 | 基板洗浄方法 |
JP3993048B2 (ja) * | 2002-08-30 | 2007-10-17 | 大日本スクリーン製造株式会社 | 基板処理装置 |
US6864458B2 (en) * | 2003-01-21 | 2005-03-08 | Applied Materials, Inc. | Iced film substrate cleaning |
JP4494840B2 (ja) * | 2003-06-27 | 2010-06-30 | 大日本スクリーン製造株式会社 | 異物除去装置、基板処理装置および基板処理方法 |
JP2006332396A (ja) * | 2005-05-27 | 2006-12-07 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板処理方法および基板処理装置 |
KR100917593B1 (ko) | 2007-08-09 | 2009-09-17 | 대화제약 주식회사 | 덱시부프로펜염의 제조방법 |
-
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- 2007-08-13 US US11/837,575 patent/US8029622B2/en not_active Expired - Fee Related
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US10486203B2 (en) | 2016-03-23 | 2019-11-26 | Toshiba Memory Corporation | Substrate production method, substrate processing apparatus, and substrate production system |
US10692715B2 (en) | 2016-08-09 | 2020-06-23 | Toshiba Memory Corporation | Method for cleaning substrate and substrate processing apparatus |
US11264233B2 (en) | 2016-08-09 | 2022-03-01 | Kioxia Corporation | Method for cleaning substrate and substrate processing apparatus |
US11651953B2 (en) | 2016-08-09 | 2023-05-16 | Kioxia Corporation | Method for cleaning substrate and cleaning device |
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