JPH1131673A - 基板洗浄装置および基板洗浄方法 - Google Patents
基板洗浄装置および基板洗浄方法Info
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- JPH1131673A JPH1131673A JP9184701A JP18470197A JPH1131673A JP H1131673 A JPH1131673 A JP H1131673A JP 9184701 A JP9184701 A JP 9184701A JP 18470197 A JP18470197 A JP 18470197A JP H1131673 A JPH1131673 A JP H1131673A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 基板上のパーティクルを確実に除去すること
が可能な基板洗浄装置および基板洗浄方法を提供する。 【解決手段】 基板Ｗの裏面外周部を吸引保持する回転
保持部１上に基板Ｗを吸着保持し、表面に純水を回転塗
布して薄い純水膜を形成する。冷却ノズル１６から回転
保持部１の裏面に液体窒素を吐出して回転保持部１を冷
却し、さらに、基板Ｗを間接的に冷却し、水膜を凍結さ
せて氷膜を形成する。純水供給ノズル１２から高圧の純
水を吐出し、パーティクルを含む氷膜を基板Ｗから剥離
して除去する。パーティクルは氷膜とともに基板Ｗから
除去される。
が可能な基板洗浄装置および基板洗浄方法を提供する。 【解決手段】 基板Ｗの裏面外周部を吸引保持する回転
保持部１上に基板Ｗを吸着保持し、表面に純水を回転塗
布して薄い純水膜を形成する。冷却ノズル１６から回転
保持部１の裏面に液体窒素を吐出して回転保持部１を冷
却し、さらに、基板Ｗを間接的に冷却し、水膜を凍結さ
せて氷膜を形成する。純水供給ノズル１２から高圧の純
水を吐出し、パーティクルを含む氷膜を基板Ｗから剥離
して除去する。パーティクルは氷膜とともに基板Ｗから
除去される。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体ウエハ、液
晶表示装置用ガラス基板、フォトマスク用基板等の基板
を洗浄する基板洗浄装置および基板洗浄方法に関する。
晶表示装置用ガラス基板、フォトマスク用基板等の基板
を洗浄する基板洗浄装置および基板洗浄方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体ウエハや液晶表示装置用ガラス基
板等の基板の表面に付着した塵埃等のパーティクルを洗
浄する方法として、ブラシスクラブ法と呼ばれる方法が
一般に採用されている。この方法は、基板支持台上に基
板を載置して回転させ、基板の表面に洗浄水を供給しな
がらナイロン等のブラシで基板の表面を擦ってパーティ
クルを除去するものである。
板等の基板の表面に付着した塵埃等のパーティクルを洗
浄する方法として、ブラシスクラブ法と呼ばれる方法が
一般に採用されている。この方法は、基板支持台上に基
板を載置して回転させ、基板の表面に洗浄水を供給しな
がらナイロン等のブラシで基板の表面を擦ってパーティ
クルを除去するものである。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記の
ブラシスクラブ法は、例えば半導体ウエハの酸化膜上に
付着したパーティクルを除去する場合、ブラシと酸化膜
との摩擦により静電気が生じ、この静電気により一旦は
除去されたパーティクルが半導体ウエハ上に再付着して
しまうという不都合がある。
ブラシスクラブ法は、例えば半導体ウエハの酸化膜上に
付着したパーティクルを除去する場合、ブラシと酸化膜
との摩擦により静電気が生じ、この静電気により一旦は
除去されたパーティクルが半導体ウエハ上に再付着して
しまうという不都合がある。
【０００４】また、ブラシと酸化膜との摩擦により生じ
た静電気によりブラシにもパーティクルが付着する。そ
して、パーティクルが付着したブラシを使用して次の半
導体ウエハの表面洗浄を行うと、ブラシのパーティクル
が半導体ウエハに付着して半導体ウエハを汚染するとい
う不都合もある。
た静電気によりブラシにもパーティクルが付着する。そ
して、パーティクルが付着したブラシを使用して次の半
導体ウエハの表面洗浄を行うと、ブラシのパーティクル
が半導体ウエハに付着して半導体ウエハを汚染するとい
う不都合もある。
【０００５】さらに、半導体ウエハとの摩擦によりブラ
シの毛等から塵埃が発生し、ブラシ自体がパーティクル
の発生源になるという不都合も生じる。
シの毛等から塵埃が発生し、ブラシ自体がパーティクル
の発生源になるという不都合も生じる。
【０００６】さらには、ブラシスクラブ法の場合には
０．２μｍ程度の比較的大きなパーティクルの除去は容
易であるが、０．１μｍ以下の微細なパーティクルにつ
いてはパーティクルがブラシの隙間を素通りするために
その除去が困難になる。
０．２μｍ程度の比較的大きなパーティクルの除去は容
易であるが、０．１μｍ以下の微細なパーティクルにつ
いてはパーティクルがブラシの隙間を素通りするために
その除去が困難になる。
【０００７】一方、ブラシスクラブ法に代わる方法とし
て、氷の微粒子や炭酸ガス等の微粒子を基板表面に吹き
つけて、その衝突による運動エネルギを利用してパーテ
ィクルを粉砕、除去する方法が提案されている。しかし
ながら、この方法では氷や炭酸ガス等の温度や圧力の制
御が必要となり、そのための設備が大型化する。また、
微粒子が基板表面に衝突することにより基板にダメージ
が発生する。
て、氷の微粒子や炭酸ガス等の微粒子を基板表面に吹き
つけて、その衝突による運動エネルギを利用してパーテ
ィクルを粉砕、除去する方法が提案されている。しかし
ながら、この方法では氷や炭酸ガス等の温度や圧力の制
御が必要となり、そのための設備が大型化する。また、
微粒子が基板表面に衝突することにより基板にダメージ
が発生する。
【０００８】本発明の目的は、基板上のパーティクルを
確実に除去することが可能な基板洗浄装置および基板洗
浄方法を提供することである。
確実に除去することが可能な基板洗浄装置および基板洗
浄方法を提供することである。
【０００９】
【課題を解決するための手段および発明の効果】第１の
発明に係る基板洗浄装置は、基板を保持して回転駆動さ
れる回転保持部と、回転保持部を氷点下に冷却する冷却
手段と、冷却された回転保持部上の基板の表面に形成さ
れる氷膜を除去する除去手段とを備えたものである。
発明に係る基板洗浄装置は、基板を保持して回転駆動さ
れる回転保持部と、回転保持部を氷点下に冷却する冷却
手段と、冷却された回転保持部上の基板の表面に形成さ
れる氷膜を除去する除去手段とを備えたものである。
【００１０】第１の発明に係る基板洗浄装置において
は、冷却手段が回転保持部を氷点下に冷却することによ
り回転保持部上の基板が間接的に冷却され、パーティク
ルが付着した基板の表面に氷膜が形成される。そして、
除去手段によって氷膜を除去することによりパーティク
ルが氷膜とともに基板表面から除去される。これによ
り、微細なパーティクルも氷膜とともに基板表面から除
去され、基板の表面を清浄な状態に洗浄することができ
る。
は、冷却手段が回転保持部を氷点下に冷却することによ
り回転保持部上の基板が間接的に冷却され、パーティク
ルが付着した基板の表面に氷膜が形成される。そして、
除去手段によって氷膜を除去することによりパーティク
ルが氷膜とともに基板表面から除去される。これによ
り、微細なパーティクルも氷膜とともに基板表面から除
去され、基板の表面を清浄な状態に洗浄することができ
る。
【００１１】第２の発明に係る基板洗浄装置は、第１の
発明に係る基板洗浄装置の構成において、冷却手段が、
回転保持部に氷点下の冷却媒体を吐出する冷却媒体吐出
ノズルを含むものである。
発明に係る基板洗浄装置の構成において、冷却手段が、
回転保持部に氷点下の冷却媒体を吐出する冷却媒体吐出
ノズルを含むものである。
【００１２】冷却媒体吐出ノズルから氷点下の冷却媒体
を回転保持部に吐出することにより回転保持部が氷点下
に冷却される。これにより、回転保持部上の基板が間接
的に氷点下に冷却され、その表面にパーティクルを包み
込むように氷膜が形成される。したがって、氷膜を基板
から除去することによりパーティクルを基板表面から除
去することができる。
を回転保持部に吐出することにより回転保持部が氷点下
に冷却される。これにより、回転保持部上の基板が間接
的に氷点下に冷却され、その表面にパーティクルを包み
込むように氷膜が形成される。したがって、氷膜を基板
から除去することによりパーティクルを基板表面から除
去することができる。
【００１３】第３の発明に係る基板洗浄装置は、第２の
発明に係る基板洗浄装置の構成において、回転保持部が
水平姿勢で基板を回転させるものであり、冷却媒体吐出
ノズルは、回転保持部の下方に移動可能に設けられたも
のである。
発明に係る基板洗浄装置の構成において、回転保持部が
水平姿勢で基板を回転させるものであり、冷却媒体吐出
ノズルは、回転保持部の下方に移動可能に設けられたも
のである。
【００１４】冷却媒体吐出ノズルを移動させて回転保持
部に冷却媒体を吐出することにより回転保持部全体を迅
速に氷点下に冷却することができる。これにより、基板
の表面に氷膜を迅速にかつ均一に形成することができ
る。
部に冷却媒体を吐出することにより回転保持部全体を迅
速に氷点下に冷却することができる。これにより、基板
の表面に氷膜を迅速にかつ均一に形成することができ
る。
【００１５】第４の発明に係る基板洗浄装置は、第２ま
たは第３の発明に係る基板洗浄装置の構成において、冷
却手段の冷却媒体吐出ノズルから吐出する冷却媒体を貯
蔵する貯蔵部と、回転保持部の周囲を取り囲み、排出口
が設けられたカップと、回転保持部に吐出された冷却媒
体をカップの排出口から回収して貯蔵部に導く回収管路
と、回収管路中に設けられ、冷却媒体の温度を氷点下に
再調整する温度調整部とをさらに備えたものである。
たは第３の発明に係る基板洗浄装置の構成において、冷
却手段の冷却媒体吐出ノズルから吐出する冷却媒体を貯
蔵する貯蔵部と、回転保持部の周囲を取り囲み、排出口
が設けられたカップと、回転保持部に吐出された冷却媒
体をカップの排出口から回収して貯蔵部に導く回収管路
と、回収管路中に設けられ、冷却媒体の温度を氷点下に
再調整する温度調整部とをさらに備えたものである。
【００１６】この場合、回転保持部に吐出された冷却媒
体は回収管路を通り温度調整部において氷点下に温度調
整された後、貯蔵部に回収され、さらに繰り返して使用
される。これにより、冷却媒体を経済的にかつ効率的に
利用して回転保持部の冷却を行うことができる。
体は回収管路を通り温度調整部において氷点下に温度調
整された後、貯蔵部に回収され、さらに繰り返して使用
される。これにより、冷却媒体を経済的にかつ効率的に
利用して回転保持部の冷却を行うことができる。
【００１７】第５の発明に係る基板洗浄装置は、第１〜
第４のいずれかの発明に係る基板洗浄装置の構成におい
て、回転保持部に保持された基板の表面に氷膜を形成す
るための水分を供給する水分供給手段をさらに備えたも
のである。
第４のいずれかの発明に係る基板洗浄装置の構成におい
て、回転保持部に保持された基板の表面に氷膜を形成す
るための水分を供給する水分供給手段をさらに備えたも
のである。
【００１８】水分供給手段により基板の表面に水分が供
給される。冷却手段は回転保持部を介して基板を間接的
に冷却し、供給された水分を凍結して氷膜を形成するこ
とができる。そして、氷膜を除去することにより基板の
表面のパーティクルを氷膜とともに除去し、基板の表面
を洗浄することができる。
給される。冷却手段は回転保持部を介して基板を間接的
に冷却し、供給された水分を凍結して氷膜を形成するこ
とができる。そして、氷膜を除去することにより基板の
表面のパーティクルを氷膜とともに除去し、基板の表面
を洗浄することができる。
【００１９】第６の発明に係る基板洗浄装置は、第５の
発明に係る基板洗浄装置の構成において、水分供給手段
が、基板の表面に純水を供給する純水供給ノズルを含む
ものである。
発明に係る基板洗浄装置の構成において、水分供給手段
が、基板の表面に純水を供給する純水供給ノズルを含む
ものである。
【００２０】これにより、基板の表面の純水を冷却する
ことにより氷膜を形成し、この氷膜を除去して基板の表
面を洗浄することができる。
ことにより氷膜を形成し、この氷膜を除去して基板の表
面を洗浄することができる。
【００２１】第７の発明に係る基板洗浄装置は、第１〜
第６のいずれかの発明に係る基板洗浄装置の構成におい
て、除去手段が、氷膜に液体を吐出する液体吐出ノズル
を含むものである。
第６のいずれかの発明に係る基板洗浄装置の構成におい
て、除去手段が、氷膜に液体を吐出する液体吐出ノズル
を含むものである。
【００２２】液体吐出ノズルが氷膜に対して液体を吐出
すると、液体の衝突圧により氷膜が基板の表面から剥離
され外方に除去される。これにより、パーティクルを含
む氷膜を除去して基板の表面を清浄にすることができ
る。
すると、液体の衝突圧により氷膜が基板の表面から剥離
され外方に除去される。これにより、パーティクルを含
む氷膜を除去して基板の表面を清浄にすることができ
る。
【００２３】第８の発明に係る基板洗浄装置は、第１〜
第７のいずれかの発明に係る基板洗浄装置の構成におい
て、回転保持部が、水平姿勢で回転駆動される円板状部
材と、円板状部材の表面に設けられ、基板の裏面の周縁
部を吸引保持する吸引保持部とを含むものである。
第７のいずれかの発明に係る基板洗浄装置の構成におい
て、回転保持部が、水平姿勢で回転駆動される円板状部
材と、円板状部材の表面に設けられ、基板の裏面の周縁
部を吸引保持する吸引保持部とを含むものである。
【００２４】この場合、円板状部材が基板の裏面に近接
配置され、吸引保持部により基板の裏面周縁部が保持さ
れる。回転保持部が冷却手段により冷却されると、基板
は吸引保持部を通してあるいは円板状部材の表面から間
接的に冷却され、基板の表面に氷膜が形成される。特
に、冷却媒体吐出ノズルから冷却媒体を吐出する場合に
は、冷却媒体が円板状部材に吐出され、基板に直接吐出
することが防止される。これにより、基板に結露が生じ
ることが防止される。
配置され、吸引保持部により基板の裏面周縁部が保持さ
れる。回転保持部が冷却手段により冷却されると、基板
は吸引保持部を通してあるいは円板状部材の表面から間
接的に冷却され、基板の表面に氷膜が形成される。特
に、冷却媒体吐出ノズルから冷却媒体を吐出する場合に
は、冷却媒体が円板状部材に吐出され、基板に直接吐出
することが防止される。これにより、基板に結露が生じ
ることが防止される。
【００２５】第９の発明に係る基板洗浄方法は、回転保
持部に保持された基板の表面を洗浄する基板洗浄方法で
あって、回転保持部を氷点下に冷却して基板の表面に氷
膜を形成する工程と、氷膜を基板から除去する工程とを
備えたものである。
持部に保持された基板の表面を洗浄する基板洗浄方法で
あって、回転保持部を氷点下に冷却して基板の表面に氷
膜を形成する工程と、氷膜を基板から除去する工程とを
備えたものである。
【００２６】第９の発明に係る基板洗浄方法において
は、回転保持部を冷却することにより基板を氷点下に冷
却して基板の表面に氷膜を形成する。氷膜は基板上のパ
ーティクルを含んで形成される。そして、この氷膜を基
板から除去することによりすべてのパーティクルを氷膜
とともに基板の表面から除去して基板の表面を清浄な状
態にすることができる。これにより、基板にダメージを
与えることなくすべてパーティクルを基板の表面から除
去することができる。
は、回転保持部を冷却することにより基板を氷点下に冷
却して基板の表面に氷膜を形成する。氷膜は基板上のパ
ーティクルを含んで形成される。そして、この氷膜を基
板から除去することによりすべてのパーティクルを氷膜
とともに基板の表面から除去して基板の表面を清浄な状
態にすることができる。これにより、基板にダメージを
与えることなくすべてパーティクルを基板の表面から除
去することができる。
【００２７】第１０の発明に係る基板洗浄方法は、第９
の発明に係る基板洗浄方法の構成において、回転保持部
に冷却媒体を吐出することによって回転保持部に保持さ
れた基板を間接的に冷却するものである。
の発明に係る基板洗浄方法の構成において、回転保持部
に冷却媒体を吐出することによって回転保持部に保持さ
れた基板を間接的に冷却するものである。
【００２８】これにより、基板に直接冷却媒体が吐出さ
れることにより基板に結露が生じることが防止され、基
板の表面に均一に氷膜を形成することができる。
れることにより基板に結露が生じることが防止され、基
板の表面に均一に氷膜を形成することができる。
【００２９】第１１の発明に係る基板洗浄方法は、第１
０の発明に係る基板洗浄方法の構成において、回転保持
部に冷却媒体を吐出する前に、基板の表面に純水を供給
して基板の表面に純水の膜を形成するものである。
０の発明に係る基板洗浄方法の構成において、回転保持
部に冷却媒体を吐出する前に、基板の表面に純水を供給
して基板の表面に純水の膜を形成するものである。
【００３０】基板の表面に純水の膜を形成することによ
りパーティクルの周囲を純水で包み込むことができる。
そして、この状態で回転保持部を冷却することにより純
水の膜を凍結してパーティクルを含む均一な氷膜を形成
することができる。
りパーティクルの周囲を純水で包み込むことができる。
そして、この状態で回転保持部を冷却することにより純
水の膜を凍結してパーティクルを含む均一な氷膜を形成
することができる。
【００３１】第１２の発明に係る基板洗浄方法は、第９
〜第１１のいずれかの発明に係る基板洗浄方法の構成に
おいて、氷膜を除去する工程が、氷膜の表面に液体を吐
出して氷膜を基板の表面から除去するものである。
〜第１１のいずれかの発明に係る基板洗浄方法の構成に
おいて、氷膜を除去する工程が、氷膜の表面に液体を吐
出して氷膜を基板の表面から除去するものである。
【００３２】氷膜に液体を吐出すると、液体の衝突圧に
より氷膜が基板の表面から剥離され外方に除去される。
これにより、パーティクルを含む氷膜が基板の表面から
除去され、基板の表面が清浄な状態に洗浄される。
より氷膜が基板の表面から剥離され外方に除去される。
これにより、パーティクルを含む氷膜が基板の表面から
除去され、基板の表面が清浄な状態に洗浄される。
【００３３】第１３の発明に係る基板洗浄方法は、第１
２の発明に係る基板洗浄方法の構成において、液体が高
圧の純水であるものである。
２の発明に係る基板洗浄方法の構成において、液体が高
圧の純水であるものである。
【００３４】高圧の純水を氷膜に吐出することにより基
板の表面から瞬時に氷膜を除去することができる。
板の表面から瞬時に氷膜を除去することができる。
【００３５】
【発明の実施の形態】図１は、本発明の実施例における
基板洗浄装置の概略断面図である。また、図２は図１の
基板洗浄装置における回転保持部の一部切欠き平面図、
図３は図２のＸ−Ｘ線断面図である。
基板洗浄装置の概略断面図である。また、図２は図１の
基板洗浄装置における回転保持部の一部切欠き平面図、
図３は図２のＸ−Ｘ線断面図である。
【００３６】図１において、基板洗浄装置は、基板Ｗを
水平姿勢で保持して回転する回転保持部１を備える。回
転保持部１はモータ３の回転軸２の先端に取り付けら
れ、鉛直軸の周りで回転駆動される。回転軸２は内部に
中空部４を有し、スリーブ５内に挿入されている。
水平姿勢で保持して回転する回転保持部１を備える。回
転保持部１はモータ３の回転軸２の先端に取り付けら
れ、鉛直軸の周りで回転駆動される。回転軸２は内部に
中空部４を有し、スリーブ５内に挿入されている。
【００３７】回転保持部１は円板状部材６からなる。円
板状部材６の裏面中心部には円筒状の軸取り付け部６ａ
が設けられ、この軸取り付け部６ａにモータ３の回転軸
２が嵌合している。また、円板状部材６の表面外周部に
は環状に突出した吸引保持部７が形成されている。
板状部材６の裏面中心部には円筒状の軸取り付け部６ａ
が設けられ、この軸取り付け部６ａにモータ３の回転軸
２が嵌合している。また、円板状部材６の表面外周部に
は環状に突出した吸引保持部７が形成されている。
【００３８】図２に示すように、円板状部材６の内部に
は、中心部から外周部に延びる複数の放射状通路８が形
成されている。複数の放射状通路８はモータ３の回転軸
２の中空部４に連通している。
は、中心部から外周部に延びる複数の放射状通路８が形
成されている。複数の放射状通路８はモータ３の回転軸
２の中空部４に連通している。
【００３９】吸引保持部７には環状吸引口９が形成され
ている。環状吸引口９は放射状通路８に連通している。
吸引保持部７は円板状部材６の表面から突出しており、
これにより基板Ｗの裏面の周縁部を支持する。
ている。環状吸引口９は放射状通路８に連通している。
吸引保持部７は円板状部材６の表面から突出しており、
これにより基板Ｗの裏面の周縁部を支持する。
【００４０】モータ３の回転軸２内の中空部４は、真空
ポンプ等の吸引手段（図示せず）に接続され、その吸引
手段により回転軸２内の中空部４、円板状部材６内の放
射状通路８および吸引保持部７の環状吸引口９を通して
基板Ｗの裏面の周縁部が吸引される。これにより、基板
Ｗの周縁部が吸引保持部７に吸着保持される。なお、環
状吸引口９は基板Ｗの直線切欠部やノッチ部に干渉しな
い程度に基板Ｗの外周縁から内側の部分を吸引保持す
る。
ポンプ等の吸引手段（図示せず）に接続され、その吸引
手段により回転軸２内の中空部４、円板状部材６内の放
射状通路８および吸引保持部７の環状吸引口９を通して
基板Ｗの裏面の周縁部が吸引される。これにより、基板
Ｗの周縁部が吸引保持部７に吸着保持される。なお、環
状吸引口９は基板Ｗの直線切欠部やノッチ部に干渉しな
い程度に基板Ｗの外周縁から内側の部分を吸引保持す
る。
【００４１】回転保持部１に保持された基板Ｗの周囲を
取り囲むように飛散防止用のカップ１１が設けられてい
る。このカップ１１の上部側には開口部が設けられ、下
部には排液口１４および複数の排気口（図示せず）が設
けられている。
取り囲むように飛散防止用のカップ１１が設けられてい
る。このカップ１１の上部側には開口部が設けられ、下
部には排液口１４および複数の排気口（図示せず）が設
けられている。
【００４２】また、カップ１１の側面には孔部１１ａが
設けられ、この孔部１１ａを通して冷却媒体を円板状部
材６の裏面に吐出する冷却ノズル１６が円板状部材６の
下方に配設されている。この冷却ノズル１６は、エアシ
リンダ１７により矢印Ｒで示すように円板状部材６の半
径方向に移動可能に設けられている。なお、冷却ノズル
１６を移動させるために、エアシリンダ１７の代わりに
モータを用いてもよい。
設けられ、この孔部１１ａを通して冷却媒体を円板状部
材６の裏面に吐出する冷却ノズル１６が円板状部材６の
下方に配設されている。この冷却ノズル１６は、エアシ
リンダ１７により矢印Ｒで示すように円板状部材６の半
径方向に移動可能に設けられている。なお、冷却ノズル
１６を移動させるために、エアシリンダ１７の代わりに
モータを用いてもよい。
【００４３】冷却ノズル１６には、冷却媒体貯蔵タンク
１８からフィルタ１９、開閉弁１５を通して冷却媒体が
供給される。冷却媒体としては、液体窒素あるいは極低
温の窒素ガスが用いられる。冷却媒体貯蔵タンク１８か
ら冷却用ノズル１６に至る管路には保冷材が設けられて
おり、これにより管路内を通る冷却媒体の温度上昇を防
止している。また、フィルタ１９は、冷却媒体中に生じ
るパーティクルが冷却ノズル１６から吐出されて円板状
部材６に付着することを防止する。冷却ノズル１６は、
円板状部材６の裏面全体を迅速に冷却するために複数個
設けてもよく、あるいはノズル口をスリット状に形成し
てもよい。
１８からフィルタ１９、開閉弁１５を通して冷却媒体が
供給される。冷却媒体としては、液体窒素あるいは極低
温の窒素ガスが用いられる。冷却媒体貯蔵タンク１８か
ら冷却用ノズル１６に至る管路には保冷材が設けられて
おり、これにより管路内を通る冷却媒体の温度上昇を防
止している。また、フィルタ１９は、冷却媒体中に生じ
るパーティクルが冷却ノズル１６から吐出されて円板状
部材６に付着することを防止する。冷却ノズル１６は、
円板状部材６の裏面全体を迅速に冷却するために複数個
設けてもよく、あるいはノズル口をスリット状に形成し
てもよい。
【００４４】カップ１１の排液口１４に導かれた冷却媒
体は回収管路２２を通り低温化処理部２１に導かれる。
低温下処理部２１は回収した冷却媒体を極低温に再処理
し、冷却媒体貯蔵タンク１８に供給する。これにより、
冷却媒体の回収経路が構成される。
体は回収管路２２を通り低温化処理部２１に導かれる。
低温下処理部２１は回収した冷却媒体を極低温に再処理
し、冷却媒体貯蔵タンク１８に供給する。これにより、
冷却媒体の回収経路が構成される。
【００４５】カップ１１の外部には、回転保持部１上の
基板Ｗに純水を供給する純水供給ノズル１２が配置され
ている。純水供給ノズル１２はカップ１１の外部の待機
位置と回転保持部１上の所定位置との間を移動可能に構
成されており、基板Ｗの表面に純水を吐出する。
基板Ｗに純水を供給する純水供給ノズル１２が配置され
ている。純水供給ノズル１２はカップ１１の外部の待機
位置と回転保持部１上の所定位置との間を移動可能に構
成されており、基板Ｗの表面に純水を吐出する。
【００４６】さらに、カップ１１の外部には、基板Ｗの
表面を洗浄するためのブラシアーム（図示せず）が配置
されている。ブラシアームはカップ１１外部の待機位置
と回転保持部１上の所定位置との間を移動可能に設けら
れている。
表面を洗浄するためのブラシアーム（図示せず）が配置
されている。ブラシアームはカップ１１外部の待機位置
と回転保持部１上の所定位置との間を移動可能に設けら
れている。
【００４７】制御部２０は、モータ３の回転数、開閉弁
１３による純水供給ノズル１２からの純水の吐出タイミ
ング、エアシリンダ１７による冷却ノズル１６の移動、
開閉弁１５による冷却ノズル１６からの冷却媒体の吐出
タイミングを制御する。
１３による純水供給ノズル１２からの純水の吐出タイミ
ング、エアシリンダ１７による冷却ノズル１６の移動、
開閉弁１５による冷却ノズル１６からの冷却媒体の吐出
タイミングを制御する。
【００４８】図２および図３に示すように、円板状部材
６には複数の貫通孔１３が設けられている。各貫通孔１
３の上面には、ゴム等の伸縮性材料からなる閉塞用シー
ト部材１５が取り付けられている。各貫通孔１３の下方
におけるカップ１１の底面には、開閉自在な蓋を有する
孔が設けられている。
６には複数の貫通孔１３が設けられている。各貫通孔１
３の上面には、ゴム等の伸縮性材料からなる閉塞用シー
ト部材１５が取り付けられている。各貫通孔１３の下方
におけるカップ１１の底面には、開閉自在な蓋を有する
孔が設けられている。
【００４９】カップ１１の孔の下方には、昇降ピン１４
が昇降自在に設けられている。基板Ｗの搬入時および搬
出時には、昇降ピン１４が上昇し、カップ１１の孔（図
示せず）および円板状部材６の貫通孔１３を貫通して基
板Ｗの裏面に当接する。このとき、閉塞用シート部材１
５が伸縮性を有するので、昇降ピン１４が閉塞用シート
部材１５を伸長させて基板Ｗを上方に持ち上げることが
できる。この閉塞用シート部材１５により、パーティク
ルが円板状部材６の貫通孔１３を通して基板Ｗの裏面に
付着することが防止される。
が昇降自在に設けられている。基板Ｗの搬入時および搬
出時には、昇降ピン１４が上昇し、カップ１１の孔（図
示せず）および円板状部材６の貫通孔１３を貫通して基
板Ｗの裏面に当接する。このとき、閉塞用シート部材１
５が伸縮性を有するので、昇降ピン１４が閉塞用シート
部材１５を伸長させて基板Ｗを上方に持ち上げることが
できる。この閉塞用シート部材１５により、パーティク
ルが円板状部材６の貫通孔１３を通して基板Ｗの裏面に
付着することが防止される。
【００５０】ここで、冷却ノズル１６が本発明の冷却手
段および冷却媒体吐出ノズルに相当し、冷却媒体貯留タ
ンク１８が貯蔵部に相当し、回収管路２２が回収管路に
相当し、冷温化処理部２１が温度調整部に相当する。ま
た、純水供給ノズル１２が本発明の除去手段、水分供給
手段および純水供給ノズルに相当する。
段および冷却媒体吐出ノズルに相当し、冷却媒体貯留タ
ンク１８が貯蔵部に相当し、回収管路２２が回収管路に
相当し、冷温化処理部２１が温度調整部に相当する。ま
た、純水供給ノズル１２が本発明の除去手段、水分供給
手段および純水供給ノズルに相当する。
【００５１】次に、基板洗浄装置の洗浄動作について説
明する。図４は基板洗浄装置の洗浄動作を示すフローチ
ャートであり、（ａ）は主に回転保持部１の動作を示
し、（ｂ）は主に基板の洗浄動作を示している。また、
図６は、基板の洗浄状態の模式図である。
明する。図４は基板洗浄装置の洗浄動作を示すフローチ
ャートであり、（ａ）は主に回転保持部１の動作を示
し、（ｂ）は主に基板の洗浄動作を示している。また、
図６は、基板の洗浄状態の模式図である。
【００５２】まず、基板Ｗが外部に設けられた基板搬送
装置により回転保持部１に搬送され（ステップＳ１）、
回転保持部１の吸引保持部７により基板Ｗの裏面の外周
部が吸着保持される。図６（ａ）に示すように、搬送さ
れた基板Ｗの表面上にはパーティクル２５が付着してい
るものとする。（ステップＳ２）。
装置により回転保持部１に搬送され（ステップＳ１）、
回転保持部１の吸引保持部７により基板Ｗの裏面の外周
部が吸着保持される。図６（ａ）に示すように、搬送さ
れた基板Ｗの表面上にはパーティクル２５が付着してい
るものとする。（ステップＳ２）。
【００５３】次に、モータ３が低速回転を行い、回転保
持部１および基板Ｗが低速で回転される（ステップＳ
３）。
持部１および基板Ｗが低速で回転される（ステップＳ
３）。
【００５４】純水供給ノズル１２が回転保持部１上に移
動され、基板Ｗの表面に純水が一定量吐出される（ステ
ップＳ４，Ｓ５）。図６（ｂ）に示すように、基板Ｗ上
に吐出された純水は、基板Ｗの回転によって全面に薄く
引き伸ばされ、パーティクル２５を含む純水膜２６が形
成される（ステップＳ６）。
動され、基板Ｗの表面に純水が一定量吐出される（ステ
ップＳ４，Ｓ５）。図６（ｂ）に示すように、基板Ｗ上
に吐出された純水は、基板Ｗの回転によって全面に薄く
引き伸ばされ、パーティクル２５を含む純水膜２６が形
成される（ステップＳ６）。
【００５５】この状態で開閉弁１５が開放され、冷却ノ
ズル１６から冷却媒体２７が円板状部材６の裏面に吐出
される（ステップＳ７）。これにより、円板状部材６お
よび基板Ｗが急速に氷点下に冷却され、基板Ｗの表面の
純水膜２６が凍結し、図６（ｂ）に示すように、薄い氷
膜２８が形成される。氷膜２８は膜厚が厚くなる程、基
板Ｗの表面からの剥離が困難となる。このため、氷膜２
８を比較的薄く形成することが好ましい（ステップＳ
８）。氷膜２８が形成されると、開閉弁１５を閉じ、冷
却媒体２７の供給を停止する（ステップＳ９）。
ズル１６から冷却媒体２７が円板状部材６の裏面に吐出
される（ステップＳ７）。これにより、円板状部材６お
よび基板Ｗが急速に氷点下に冷却され、基板Ｗの表面の
純水膜２６が凍結し、図６（ｂ）に示すように、薄い氷
膜２８が形成される。氷膜２８は膜厚が厚くなる程、基
板Ｗの表面からの剥離が困難となる。このため、氷膜２
８を比較的薄く形成することが好ましい（ステップＳ
８）。氷膜２８が形成されると、開閉弁１５を閉じ、冷
却媒体２７の供給を停止する（ステップＳ９）。
【００５６】次に、モータ３の回転数を上昇し、基板Ｗ
を高速で回転させる（ステップＳ１０）。そして、高速
で回転している基板Ｗの表面に純水供給ノズル１２から
純水２９を噴出し（ステップＳ１１）、氷膜２８を基板
Ｗの表面から瞬間的に剥離させる。純水は基板Ｗの中心
部から外周部側に向かい高圧で噴出することが望まし
い。これにより、パーティクル２５を含む氷膜２８が基
板Ｗの表面から剥離され、基板外方へ飛散される。純水
の温度は、零度に近い低温であることが好ましい。温度
が高い場合には、氷膜２８が溶け易くなり、パーティク
ル２５を基板Ｗの表面から完全に除去することが困難に
なるからである（ステップＳ１２）。
を高速で回転させる（ステップＳ１０）。そして、高速
で回転している基板Ｗの表面に純水供給ノズル１２から
純水２９を噴出し（ステップＳ１１）、氷膜２８を基板
Ｗの表面から瞬間的に剥離させる。純水は基板Ｗの中心
部から外周部側に向かい高圧で噴出することが望まし
い。これにより、パーティクル２５を含む氷膜２８が基
板Ｗの表面から剥離され、基板外方へ飛散される。純水
の温度は、零度に近い低温であることが好ましい。温度
が高い場合には、氷膜２８が溶け易くなり、パーティク
ル２５を基板Ｗの表面から完全に除去することが困難に
なるからである（ステップＳ１２）。
【００５７】氷膜２８が基板Ｗの表面から除去される
と、モータ３の回転数を低下し、基板Ｗを低速回転する
（ステップＳ１３）。この際、純水供給ノズル１２から
は、引き続き純水が基板Ｗの表面に供給される。そし
て、ブラシアームを基板Ｗ上に移動させてブラシスクラ
ブ洗浄により基板Ｗの表面を洗浄する。なお、このブラ
シスクラブ洗浄に代えて、高圧水による基板洗浄、ある
いはメガソニック洗浄と呼ばれる超音波洗浄等を行って
もよい。また、基板Ｗの表面が清浄であれば、この洗浄
工程を省略してもよい（ステップＳ１４）。
と、モータ３の回転数を低下し、基板Ｗを低速回転する
（ステップＳ１３）。この際、純水供給ノズル１２から
は、引き続き純水が基板Ｗの表面に供給される。そし
て、ブラシアームを基板Ｗ上に移動させてブラシスクラ
ブ洗浄により基板Ｗの表面を洗浄する。なお、このブラ
シスクラブ洗浄に代えて、高圧水による基板洗浄、ある
いはメガソニック洗浄と呼ばれる超音波洗浄等を行って
もよい。また、基板Ｗの表面が清浄であれば、この洗浄
工程を省略してもよい（ステップＳ１４）。
【００５８】次に、モータ３の回転数を上昇し、基板Ｗ
を高速回転する（ステップＳ１５）。同時に基板Ｗの表
面への純水の供給を停止し、基板Ｗの高速回転により、
振り切り乾燥を行う（ステップＳ１６）。
を高速回転する（ステップＳ１５）。同時に基板Ｗの表
面への純水の供給を停止し、基板Ｗの高速回転により、
振り切り乾燥を行う（ステップＳ１６）。
【００５９】基板Ｗの乾燥が終了すると、モータ３を停
止し（ステップＳ１７）、さらに基板Ｗの吸着を解除す
る（ステップＳ１８）。そして、洗浄済の基板Ｗを外部
に搬出する（ステップＳ１９）。
止し（ステップＳ１７）、さらに基板Ｗの吸着を解除す
る（ステップＳ１８）。そして、洗浄済の基板Ｗを外部
に搬出する（ステップＳ１９）。
【００６０】以上の工程により、基板Ｗ上のパーティク
ル２５が除去され、基板Ｗの表面が清浄にされる。
ル２５が除去され、基板Ｗの表面が清浄にされる。
【００６１】なお、上記のステップＳ１１，１２に示す
氷膜２８の除去工程では、純水に代えてアルコールを氷
膜２８に噴出してもよい。例えば、融点の低いメタノー
ルを−２０℃まで冷却して吐出してもよい。これによ
り、氷膜２８を溶かすことなく基板Ｗの表面から剥離す
ることができる。
氷膜２８の除去工程では、純水に代えてアルコールを氷
膜２８に噴出してもよい。例えば、融点の低いメタノー
ルを−２０℃まで冷却して吐出してもよい。これによ
り、氷膜２８を溶かすことなく基板Ｗの表面から剥離す
ることができる。
【００６２】なお、上記の基板洗浄工程において、カッ
プ１１からの排気量は、通常のブラシスクラブ処理の場
合に比べて大きくすることが望ましい。これにより、回
転保持部１に吐出される冷却媒体がカップ１１外に漏洩
することを防止することができる。
プ１１からの排気量は、通常のブラシスクラブ処理の場
合に比べて大きくすることが望ましい。これにより、回
転保持部１に吐出される冷却媒体がカップ１１外に漏洩
することを防止することができる。
【００６３】さらに、上記の基板洗浄処理では、基板Ｗ
の裏面には回転保持部１の円板状部材６が近接してい
る。このため、冷却媒体が直接基板Ｗの裏面に吹き掛け
られることが防止され、基板Ｗに結露が生じることが防
止されるとともに、基板Ｗ表面から剥離される氷膜２８
が基板Ｗの裏面に回り込んで付着することが防止され
る。
の裏面には回転保持部１の円板状部材６が近接してい
る。このため、冷却媒体が直接基板Ｗの裏面に吹き掛け
られることが防止され、基板Ｗに結露が生じることが防
止されるとともに、基板Ｗ表面から剥離される氷膜２８
が基板Ｗの裏面に回り込んで付着することが防止され
る。
【００６４】なお、回転保持部１としては、図１〜図３
に示す基板Ｗの裏面外周部を吸着保持するもののみなら
ず、基板Ｗの裏面中央部を吸着保持する従来の吸引式の
回転保持部（吸引式スピンチャック）や基板Ｗの外周端
縁をピン状部材で支持するメカ式の回転保持部（メカ式
スピンチャック）等を用いてもよい。この場合には、冷
却ノズル１６から吐出される冷却媒体は回転保持部にの
み吐出されるように調整される。
に示す基板Ｗの裏面外周部を吸着保持するもののみなら
ず、基板Ｗの裏面中央部を吸着保持する従来の吸引式の
回転保持部（吸引式スピンチャック）や基板Ｗの外周端
縁をピン状部材で支持するメカ式の回転保持部（メカ式
スピンチャック）等を用いてもよい。この場合には、冷
却ノズル１６から吐出される冷却媒体は回転保持部にの
み吐出されるように調整される。
【００６５】図５は基板洗浄処理の他の例を示すフロー
チャートである。図５に示す基板洗浄工程は、図４に示
す基板洗浄工程に対し、回転保持部１の冷却開始のタイ
ミングが異なり、他の工程は同一である。そこで、図５
においては、同一の工程には図４と同一のステップ番号
を付加し、再度の説明を省略する。
チャートである。図５に示す基板洗浄工程は、図４に示
す基板洗浄工程に対し、回転保持部１の冷却開始のタイ
ミングが異なり、他の工程は同一である。そこで、図５
においては、同一の工程には図４と同一のステップ番号
を付加し、再度の説明を省略する。
【００６６】ステップＳ４において、低速で回転されて
いる基板Ｗの表面に純水供給ノズル１２から純水の吐出
を開始する。そして、純水を供給している間に、冷却ノ
ズル１６から冷却媒体を回転保持部１の裏面に吐出し、
回転保持部１および基板Ｗの冷却処理を開始する（ステ
ップＳ２０）。その後、純水が基板Ｗの全面に引き伸ば
された状態で純水の吐出を停止する（ステップＳ２
５）。これにより、基板Ｗの表面に薄い氷膜２８が形成
される（ステップＳ８）。
いる基板Ｗの表面に純水供給ノズル１２から純水の吐出
を開始する。そして、純水を供給している間に、冷却ノ
ズル１６から冷却媒体を回転保持部１の裏面に吐出し、
回転保持部１および基板Ｗの冷却処理を開始する（ステ
ップＳ２０）。その後、純水が基板Ｗの全面に引き伸ば
された状態で純水の吐出を停止する（ステップＳ２
５）。これにより、基板Ｗの表面に薄い氷膜２８が形成
される（ステップＳ８）。
【００６７】このように、純水を吐出しつつ回転保持部
１の冷却処理を開始しても基板Ｗの全面に氷膜２８を形
成することができる。さらに、これ以降の処理は図４に
示す場合と同様である。
１の冷却処理を開始しても基板Ｗの全面に氷膜２８を形
成することができる。さらに、これ以降の処理は図４に
示す場合と同様である。
【００６８】なお、上記の実施例において、図４（ｂ）
のステップＳ４〜Ｓ６および図５（ｂ）のステップＳ
４，Ｓ５に示す純水膜２６の形成工程は省略してもよ
い。すなわち、基板Ｗの周囲の雰囲気中には水分が含ま
れている。このため、冷却媒体２７により回転保持部１
を冷却することにより、雰囲気中の水分が基板Ｗの表面
に氷結して氷膜２８を形成することも可能である。
のステップＳ４〜Ｓ６および図５（ｂ）のステップＳ
４，Ｓ５に示す純水膜２６の形成工程は省略してもよ
い。すなわち、基板Ｗの周囲の雰囲気中には水分が含ま
れている。このため、冷却媒体２７により回転保持部１
を冷却することにより、雰囲気中の水分が基板Ｗの表面
に氷結して氷膜２８を形成することも可能である。
【００６９】また、上記の純水を吐出する工程（図４
（ｂ）および図５（ｂ）のステップＳ４）に代えて、ミ
ストを含んだ空気を基板Ｗの表面に吹きつけてもよい。
これにより、基板Ｗの表面にミスト分が付着する。そし
て、これを冷却することにより基板Ｗの表面に氷膜２８
を形成することができる。
（ｂ）および図５（ｂ）のステップＳ４）に代えて、ミ
ストを含んだ空気を基板Ｗの表面に吹きつけてもよい。
これにより、基板Ｗの表面にミスト分が付着する。そし
て、これを冷却することにより基板Ｗの表面に氷膜２８
を形成することができる。
【００７０】なお、上記実施例においては、純水供給ノ
ズル１２を用いて純水膜２６の形成、氷膜２８の除去お
よびブラシスクラブ洗浄を行う例について説明したが、
それぞれ異なるノズルを用いて純水あるいはアルコール
等の他の液体を供給してもよい。
ズル１２を用いて純水膜２６の形成、氷膜２８の除去お
よびブラシスクラブ洗浄を行う例について説明したが、
それぞれ異なるノズルを用いて純水あるいはアルコール
等の他の液体を供給してもよい。
【図１】本発明の実施例における基板洗浄装置の概略断
面図である。
面図である。
【図２】図１の基板洗浄装置における回転保持部の一部
切欠き平面図である。
切欠き平面図である。
【図３】図２のＸ−Ｘ線断面図である。
【図４】基板洗浄装置の洗浄動作を示すフローチャート
である。
である。
【図５】基板洗浄装置の洗浄動作の他の例を示すフロー
チャートである。
チャートである。
【図６】基板の洗浄状態の模式図である。
１ 回転保持部 ２ 回転軸 ３ モータ ６ 円板状部材 ７ 吸引保持部 １１ カップ １１ａ 孔部 １２ 純水供給ノズル １４ 排液口 １６ 冷却ノズル １７ シリンダ １８ 冷却媒体貯蔵タンク ２１ 低温化処理部 ２２ 回収管路
Claims (13)
- 【請求項１】 基板を保持して回転駆動される回転保持
部と、 前記回転保持部を氷点下に冷却する冷却手段と、 冷却された前記回転保持部上の前記基板の表面に形成さ
れる氷膜を除去する除去手段とを備えたことを特徴とす
る基板洗浄装置。 - 【請求項２】 前記冷却手段は、前記回転保持部に氷点
下の冷却媒体を吐出する冷却媒体吐出ノズルを含むこと
を特徴とする請求項１記載の基板洗浄装置。 - 【請求項３】 前記回転保持部は水平姿勢で基板を回転
させるものであり、前記冷却媒体吐出ノズルは、前記回
転保持部の下方に移動可能に設けられたことを特徴とす
る請求項２記載の基板洗浄装置。 - 【請求項４】 前記冷却手段の前記冷却媒体吐出ノズル
から吐出する冷却媒体を貯蔵する貯蔵部と、 前記回転保持部の周囲を取り囲み、排出口が設けられた
カップと、 前記回転保持部に吐出された前記冷却媒体を前記カップ
の前記排出口から回収して前記貯蔵部に導く回収管路
と、 前記回収管路中に設けられ、前記冷却媒体の温度を氷点
下に再調整する温度調整部とをさらに備えたことを特徴
とする請求項２または３に記載の基板洗浄装置。 - 【請求項５】 前記回転保持部に保持された前記基板の
表面に前記氷膜を形成するための水分を供給する水分供
給手段をさらに備えたことを特徴とする請求項１〜４の
いずれかに記載の基板洗浄装置。 - 【請求項６】 前記水分供給手段は、前記基板の表面に
純水を供給する純水供給ノズルを含むことを特徴とする
請求項５記載の基板洗浄装置。 - 【請求項７】 前記除去手段は、前記氷膜に液体を吐出
する液体吐出ノズルを含むことを特徴とする請求項１〜
６のいずれかに記載の基板洗浄装置。 - 【請求項８】 前記回転保持部は、 水平姿勢で回転駆動される円板状部材と、 前記円板状部材の表面に設けられ、前記基板の裏面の周
縁部を吸引保持する吸引保持部とを含むことを特徴とす
る請求項１〜７のいずれかに記載の基板洗浄装置。 - 【請求項９】 回転保持部に保持された基板の表面を洗
浄する基板洗浄方法であって、 回転保持部を氷点下に冷却して基板の表面に氷膜を形成
する工程と、 前記氷膜を前記基板から除去する工程とを備えたことを
特徴とする基板洗浄方法。 - 【請求項１０】 前記氷膜を形成する工程は、 前記回転保持部に冷却媒体を吐出することによって前記
回転保持部に保持された基板を間接的に冷却することを
特徴とする請求項９記載の基板洗浄方法。 - 【請求項１１】 前記回転保持部に冷却媒体を吐出する
前に、前記基板の表面に純水を供給して前記基板の表面
に純水の膜を形成することを特徴とする請求項１０記載
の基板洗浄方法。 - 【請求項１２】 前記氷膜を除去する工程は、 前記氷膜の表面に液体を吐出して氷膜を前記基板の表面
から除去することを特徴とする請求項９〜１１のいずれ
かに記載の基板洗浄方法。 - 【請求項１３】 前記液体が高圧の純水であることを特
徴とする請求項１２記載の基板洗浄方法。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9184701A JPH1131673A (ja) | 1997-07-10 | 1997-07-10 | 基板洗浄装置および基板洗浄方法 |
| KR1019980011866A KR19990013348A (ko) | 1997-07-10 | 1998-04-03 | 기판 세정 장치 및 기판 세정 방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9184701A JPH1131673A (ja) | 1997-07-10 | 1997-07-10 | 基板洗浄装置および基板洗浄方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1131673A true JPH1131673A (ja) | 1999-02-02 |
Family
ID=16157871
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9184701A Pending JPH1131673A (ja) | 1997-07-10 | 1997-07-10 | 基板洗浄装置および基板洗浄方法 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH1131673A (ja) |
| KR (1) | KR19990013348A (ja) |
Cited By (20)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007165528A (ja) * | 2005-12-13 | 2007-06-28 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板処理装置および基板処理方法 |
| JP2007281358A (ja) * | 2006-04-11 | 2007-10-25 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板処理方法および基板処理装置 |
| JP2008028008A (ja) * | 2006-07-19 | 2008-02-07 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板処理装置、基板処理システムおよび基板処理方法 |
| JP2008071875A (ja) * | 2006-09-13 | 2008-03-27 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板処理装置、液膜凍結方法および基板処理方法 |
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