[go: up one dir, main page]
More Web Proxy on the site http://driver.im/

JP4742706B2 - 半導体装置及びその製造方法 - Google Patents

半導体装置及びその製造方法 Download PDF

Info

Publication number
JP4742706B2
JP4742706B2 JP2005197440A JP2005197440A JP4742706B2 JP 4742706 B2 JP4742706 B2 JP 4742706B2 JP 2005197440 A JP2005197440 A JP 2005197440A JP 2005197440 A JP2005197440 A JP 2005197440A JP 4742706 B2 JP4742706 B2 JP 4742706B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
chip
stage
semiconductor chip
lead
hole
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
JP2005197440A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2007019154A (ja
Inventor
利尚 鈴木
博 斉藤
昌良 大村
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Yamaha Corp
Original Assignee
Yamaha Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Yamaha Corp filed Critical Yamaha Corp
Priority to JP2005197440A priority Critical patent/JP4742706B2/ja
Priority to KR1020077023360A priority patent/KR20070116097A/ko
Priority to TW095108588A priority patent/TWI303094B/zh
Priority to EP06729094A priority patent/EP1860694A1/en
Priority to US11/908,590 priority patent/US20090230487A1/en
Priority to PCT/JP2006/305060 priority patent/WO2006098339A1/ja
Publication of JP2007019154A publication Critical patent/JP2007019154A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP4742706B2 publication Critical patent/JP4742706B2/ja
Expired - Fee Related legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805Shape
    • H01L2224/4809Loop shape
    • H01L2224/48091Arched
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481Disposition
    • H01L2224/48135Connecting between different semiconductor or solid-state bodies, i.e. chip-to-chip
    • H01L2224/48137Connecting between different semiconductor or solid-state bodies, i.e. chip-to-chip the bodies being arranged next to each other, e.g. on a common substrate
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481Disposition
    • H01L2224/48151Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48245Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
    • H01L2224/48247Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/73Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
    • H01L2224/732Location after the connecting process
    • H01L2224/73251Location after the connecting process on different surfaces
    • H01L2224/73265Layer and wire connectors

Landscapes

  • Measuring Fluid Pressure (AREA)

Description

この発明は、音圧センサチップや圧力センサチップ等の半導体チップを備える半導体装置及びその製造方法に関する。
従来、シリコンマイクや圧力センサ等の半導体装置では、音圧センサチップや圧力センサチップ等のように、可動部分を有する半導体チップを回路基板の表面に実装している(例えば、特許文献1参照。)。このため、この種の半導体装置では、半導体チップを中空空間に配すると共に外部空間と連通させる必要がある。この従来の半導体装置では、半導体チップを搭載した回路基板の表面にカバーを被せて前記中空空間を形成している。このカバーには、外部空間と連通する開口部が形成されている。
ところで、音圧センサチップや圧力センサチップ等の半導体チップは、可動部分として音響等の圧力変動を検出するダイヤフラムを備えている。この種の半導体チップを回路基板の表面に配した状態においては、ダイヤフラムと回路基板の表面との間に空間が形成されることになる。ここで、ダイヤフラムを振動させて前記圧力変動を正しく検出するためには、前記空間として十分な大きさを確保する必要があり、また、前記空間の大きさは、半導体チップの特性に応じて変更する必要がある。従来の半導体装置では、回路基板の表面から窪んだ凹部を形成することで、前記空間を確保している。
特表2004―537182号公報
しかしながら、上記従来の半導体装置においては、半導体チップの特性に応じて回路基板に形成される凹部のサイズを変更する必要があるため、回路基板の製造が面倒となり、半導体装置の製造効率が低下すると共に、半導体装置の製造コストが増加する虞がある。
この発明は、上述した事情に鑑みてなされたものであって、製造効率の向上及び製造コストの削減を図ることができる半導体装置及びその製造方法を提供することを目的としている。
上記課題を解決するために、この発明は以下の手段を提案している。
請求項1に係る発明は、厚さ方向に貫通するチップ用貫通孔を形成した略板状のステージ部と、ダイヤフラムを有すると共に、当該ダイヤフラムを前記チップ用貫通孔に対向させた状態で、当該チップ用貫通孔を覆うように前記ステージ部の一方の表面に固定された半導体チップと、前記ステージ部の周囲に配されると共に前記半導体チップに電気接続されたリードと、前記半導体チップを覆うように、前記ステージ部の一方の表面に配されたチップ被覆蓋体と、前記リードを外方に露出させた状態で、前記チップ被覆蓋体を介して前記半導体チップとの間に中空の第1の空洞部を設けるように、前記ステージ部、前記リード及び前記チップ被覆蓋体を一体的に固定した樹脂モールド部とを備え、前記チップ用貫通孔が前記ステージ部の他方の表面側から前記樹脂モールド部の外方に連通するように、前記樹脂モールド部に中空の第2の空洞部が形成されていることを特徴とする半導体装置を提案している。
本発明に係る半導体装置によれば、上述した半導体チップが、ダイヤフラムを備える音圧センサチップや圧力センサチップ等からなる場合には、音響等の圧力変動が外方から開口部、第2の空洞部及びステージ部のチップ用貫通孔を介してダイヤフラムに到達した際に、この圧力変動に基づいて半導体チップのダイヤフラムが振動することで、前記圧力変動を検出することができる。
そして、チップ被覆蓋体及びステージ部により画定される第1の空洞部の容積は、ステージ部の設計を変更することなく、チップ被覆蓋体のみの形状や大きさに応じて容易に変更することができる。したがって、第1の空洞部の容積を十分に確保することができ、ダイヤフラムの振動に基づく第1の空洞部の圧力変化を小さく抑えることができる。このため、半導体チップのダイヤフラムは、第1の空洞部の圧力変化の影響を受けることなく、外方からの音響等の圧力振動に対して正しく振動することができる。
請求項2に係る発明は、請求項1に記載の半導体装置において、前記第2の空洞部が、前記ステージ部の他方の表面を覆うステージ被覆蓋体により形成され、該ステージ被覆蓋体が、前記第2の空洞部を前記樹脂モールド部の外方に露出させる開口部を備えることを特徴とする半導体装置を提案している。
この発明に係る半導体装置によれば、ステージ被覆蓋体の形状を変えるだけで、半導体装置の製造コストを増加させることなく、ステージ部や半導体チップに対する開口部の位置を容易に変更することができる。そして、半導体チップ及びチップ用貫通孔が開口部を介して外方に直接露出しないように、チップ用貫通孔及び開口部をステージ部の厚さ方向に重ねないように相互にズラして配することで、外方から塵埃や水滴が開口部を介して第2の空洞部に侵入しても、これら塵埃や水滴が直接半導体チップに到達することを容易に防止できる。
請求項3に係る発明は、厚さ方向に貫通するチップ用貫通孔を形成した略板状のステージ部と、ダイヤフラムを有すると共に、当該ダイヤフラムを前記チップ用貫通孔に対向させた状態で、当該チップ用貫通孔を覆うように前記ステージ部の一方の表面に固定された半導体チップと、前記ステージ部の周囲に配されると共に前記半導体チップに電気接続されたリードと、前記半導体チップを覆うように、前記ステージ部の一方の表面に配されたチップ被覆蓋体と、前記チップ用貫通孔を含んで前記ステージ部の他方の表面を覆うように、前記ステージ部の他方の表面に配されたステージ被覆蓋体と、前記リードを外方に露出させた状態で、前記チップ被覆蓋体を介して前記半導体チップとの間に中空の第1の空洞部を設けるように、かつ、前記ステージ被覆蓋体を介して前記他方の表面との間に中空の第2の空洞部を設けるように、前記ステージ部、前記リード、前記チップ被覆蓋体及び前記ステージ被覆蓋体を一体的に固定した樹脂モールド部とを備え、前記チップ被覆蓋体が、前記第1の空洞部を前記樹脂モールド部の外方に露出させる開口部を備えることを特徴とする半導体装置を提案している。
本発明に係る半導体装置によれば、ステージ被覆蓋体及びステージ部により画定される第2の空洞部の容積は、ステージ部の設計を変更することなく、ステージ被覆蓋体のみの形状や大きさに応じて容易に変更することができる。したがって、第2の空洞部の容積を十分に確保することができ、半導体チップのダイヤフラムの振動に基づく第2の空洞部の圧力変化を小さく抑えることができる。このため、ダイヤフラムは、第2の空洞部の圧力変化の影響を受けることなく、外方からの音響等の圧力振動に対して正しく振動することができる。
また、チップ被覆蓋体の形状を変えるだけで、半導体装置の製造コストを増加させることなく、ステージ部や半導体チップに対する開口部の位置を容易に変更することができる。このため、半導体チップが開口部を介して外方に直接露出しないように、半導体チップ及び開口部をステージ部の厚さ方向に重ねないように相互にズラして配することで、外方から塵埃や水滴が開口部を介して第1の空洞部に侵入しても、これら塵埃や水滴が直接半導体チップに到達することを容易に防止できる。
請求項4に係る発明は、請求項1から請求項3のいずれか1項に記載の半導体装置において、前記ステージ部及び前記チップ被覆蓋体が導電性を有し、前記半導体チップが、前記ステージ部と電気的に絶縁された状態で前記ステージ部の一方の表面に固定され、前記チップ被覆蓋体が、前記ステージ部と電気的に接続されていることを特徴とする半導体装置を提案している。
本発明に係る半導体装置によれば、導電性を有するステージ部及びチップ被覆蓋体が、半導体チップを取り囲むため、半導体装置の外方側において発生した電気的なノイズが、樹脂モールド部に侵入しても、ステージ部及びチップ被覆蓋体においてノイズが第1の空洞部内に侵入することを防いで、半導体チップに到達することを確実に防止できる。
請求項5に係る発明は、請求項4に記載の半導体装置において、前記半導体チップに対向する前記チップ被覆蓋体の内面に、電気的な絶縁材料からなるチップ絶縁部が設けられていることを特徴とする半導体装置を提案している。
本発明に係る半導体装置によれば、チップ被覆蓋体と半導体チップとの間にチップ絶縁部を設けることにより、導電性を有するチップ被覆蓋体が、半導体チップや半導体チップから延びるワイヤー等の電気配線と直接触れるなどして電気的に導通することを防ぐことができるため、半導体装置の電気回路がショートすることを防止できる。
請求項6に係る発明は、請求項2又は請求項3に記載の半導体装置において、前記ステージ部及び前記ステージ被覆蓋体が導電性を有し、前記半導体チップが前記ステージ部と電気的に絶縁された状態で、前記ステージ部の一方の表面に固定され、該ステージ被覆蓋体が、前記ステージ部と電気的に接続されていることを特徴とする半導体装置を提案している。
本発明に係る半導体装置によれば、導電性を有するステージ部及びステージ被覆蓋体が、ステージ部の厚さ方向に重ねて配されることになるため、半導体装置の外方側において発生した電気的なノイズが、ステージ部の他方の表面側から樹脂モールド部に侵入しても、ステージ部及びステージ被覆蓋体においてノイズが第1の空洞部内に侵入することを防いで、半導体チップに到達することを確実に防止できる。
請求項7に係る発明は、請求項1から請求項6のいずれか1項に記載の半導体装置において、前記半導体チップと前記リードとの電気接続が、前記半導体チップから、前記厚さ方向に前記ステージ部を貫通し、前記樹脂モールド部を介して前記リードまで到達する電気配線手段により構成されていることを特徴とする半導体装置を提案している。
また、請求項8に係る発明は、請求項7に記載の半導体装置において、前記ステージ部に、その厚さ方向に貫通する配線用貫通孔が形成され、前記電気配線手段が、前記ステージ部に対して電気的に絶縁した状態で前記配線用貫通孔を介して前記ステージ部の一方の表面及び他方の表面に露出するように、前記ステージ部に固定された挿通端子部と、前記半導体チップ及び前記挿通端子部を相互に電気接続する第1のワイヤーと、前記リード及び前記挿通端子部を相互に電気接続する第2のワイヤーとを備えることを特徴とする半導体装置を提案している。
これらの発明に係る半導体装置によれば、リードが、半導体チップを配した第1の空洞部の外方側に配されていても、半導体チップとリードとをワイヤーや挿通端子部からなる電気配線手段により相互に電気的に接続することができる。なお、この半導体装置を製造する際には、予め電気配線手段により半導体チップとリードとを相互に電気接続した状態で、チップ被覆蓋体をステージ部の一方の表面に配置し、その後に樹脂モールド部を形成すればよい。
請求項9に係る発明は、請求項1から請求項6のいずれか1項に記載の半導体装置において、前記リードが、前記第1の空洞部に露出して配されていることを特徴とする半導体装置を提案している。
本発明に係る半導体装置によれば、半導体チップとリードとの電気接続をワイヤーにより行っても、ワイヤーは第1の空洞部に配されることになるため、ワイヤーが樹脂モールド部に触れることはない。このため、半導体装置の製造において、溶融した樹脂を用いて樹脂モールド部を形成する際に、ワイヤーが溶融樹脂の流れに押されて変形することを確実に防止することができる。
請求項10に係る発明は、ダイヤフラムを有する半導体チップを一方の表面に載置する略板状のステージ部と、その周囲に配されるリードとを一体的につなぎ合わせた金属製薄板からなり、前記ステージ部にその厚さ方向に貫通するチップ用貫通孔を形成したリードフレームを用意するフレーム準備工程と、前記ダイヤフラムが前記チップ用貫通孔と前記厚さ方向に重なるように、前記半導体チップを前記ステージ部の一方の表面に接着するチップ接着工程と、前記半導体チップと前記リードを相互に電気接続する配線工程と、前記半導体チップを覆うように、前記ステージ部の一方の表面にチップ被覆蓋体を配し、該チップ被覆蓋体及び前記ステージ部により前記半導体チップを内包した中空の第1の空洞部を形成するチップ蓋体配置工程と、前記リードを外方に露出させると共に前記チップ用貫通孔を前記他方の表面から外方に連通させるように、前記ステージ部、前記リード及び前記チップ被覆蓋体を一体的に固定する樹脂モールド部を形成するモールド工程とを備えることを特徴とする半導体装置の製造方法を提案している。
本発明に係る半導体装置の製造方法によれば、第1の空洞部の容積は、チップ蓋体配置工程において載置するチップ被覆蓋体の形状や大きさに応じて容易に変更することができる。したがって、この第1の空洞部の容積を十分に確保することができ、半導体チップのダイヤフラムの振動に基づく第1の空洞部の圧力変化を小さく抑えることができる。このため、半導体チップのダイヤフラムは、第1の空洞部の圧力変化の影響を受けることなく、外方からの音響等の圧力振動に対して正しく振動することができる。
また、半導体チップを配するステージ部、これに形成されるチップ用貫通孔、リードや配線用貫通孔は、フレーム準備工程において、金属製薄板にプレス加工等を施すだけで形成することができるため、従来のように回路基板を使用する場合と比較して、半導体装置を安価に製造することができる。
請求項11に係る発明は、ダイヤフラムを有する半導体チップを一方の表面に載置する略板状のステージ部と、その周囲に配されるリードとを一体的につなぎ合わせた金属製薄板からなり、前記ステージ部にその厚さ方向に貫通するチップ用貫通孔を形成したリードフレームを用意するフレーム準備工程と、前記ダイヤフラムが前記チップ用貫通孔と前記厚さ方向に重なるように、前記半導体チップを前記ステージ部の一方の表面に接着するチップ接着工程と、前記半導体チップと前記リードを相互に電気接続する配線工程と、前記半導体チップを覆うように、前記ステージ部の一方の表面にチップ被覆蓋体を配し、該チップ被覆蓋体及び前記ステージ部により前記半導体チップを内包した中空の第1の空洞部を形成するチップ蓋体配置工程と、前記チップ用貫通孔を含んで前記ステージ部の他方の表面を覆うように、該他方の表面にステージ被覆蓋体を配し、該ステージ被覆蓋体及び前記ステージ部により中空の第2の空洞部を形成するステージ蓋体配置工程と、前記リードを外方に露出させると共に前記チップ被覆蓋体に形成された開口部を介して前記第1の空洞部を外方に露出させるように、前記ステージ部、前記リード、前記チップ被覆蓋体及び前記ステージ被覆蓋体を一体的に固定する樹脂モールド部を形成するモールド工程とを備えることを特徴とする半導体装置の製造方法を提案している。
本発明に係る半導体装置の製造方法によれば、第2の空洞部の容積は、ステージ蓋体配置工程において載置するステージ被覆蓋体の形状や大きさに応じて容易に変更することができる。したがって、この第2の空洞部の容積を十分に確保することができ、半導体チップのダイヤフラムの振動に基づく第2の空洞部の圧力変化を小さく抑えることができる。このため、半導体チップのダイヤフラムは、第2の空洞部の圧力変化の影響を受けることなく、外方からの音響等の圧力振動に対して正しく振動することができる。
また、チップ被覆蓋体の形状を変えるだけで、半導体装置の製造コストを増加させることなく、ステージ部や半導体チップに対する開口部の位置を容易に変更することができる。このため、半導体チップが開口部を介して外方に直接露出しないように、半導体チップ及び開口部をステージ部の厚さ方向に重ねないように相互にズラして配することで、外方から塵埃や水滴が開口部を介して第1の空洞部に侵入しても、これら塵埃や水滴が直接半導体チップに到達することを容易に防止できる。
また、半導体チップを配するステージ部、これに形成されるチップ用貫通孔、リードや配線用貫通孔は、フレーム準備工程において、金属製薄板にプレス加工等を施すだけで形成することができるため、従来のように回路基板を使用する場合と比較して、半導体装置を安価に製造することができる。
請求項12に係る発明は、請求項10又は請求項11に記載の半導体装置の製造方法において、前記チップ蓋体配置工程において、前記リードが前記第1の空洞部に露出するように、前記チップ被覆蓋体を配することを特徴とする半導体装置の製造方法を提案している。
本発明の半導体装置の製造方法によれば、配線工程において、半導体チップとリードとをワイヤー等により直接電気接続しても、ワイヤーも半導体チップと共に第1の空洞部内に配することができる。すなわち、配線工程を容易に行うことができるため、半導体装置の製造効率の向上を図ることができる。
請求項13に係る発明は、ダイヤフラムを有する半導体チップを一方の表面に載置する略板状のステージ部と、その周囲に配されるリードとを一体的につなぎ合わせた金属製薄板からなり、前記ステージ部にその厚さ方向に貫通するチップ用貫通孔及び配線用貫通孔を形成したリードフレームを用意するフレーム準備工程と、前記ダイヤフラムが前記チップ用貫通孔と前記厚さ方向に重なるように、前記半導体チップを前記ステージ部の一方の表面に接着するチップ接着工程と、前記配線用貫通孔を介して前記ステージ部の両面から露出するように、導電性を有する挿通端子部を前記ステージ部に取り付ける端子部取付工程と、前記半導体チップ及び前記挿通端子部を相互に電気接続する第1の配線工程と、前記半導体チップを覆うように、前記ステージ部の一方の表面にチップ被覆蓋体を配し、該チップ被覆蓋体及び前記ステージ部により前記半導体チップを内包した中空の第1の空洞部を形成するチップ蓋体配置工程と、前記リード及び前記挿通端子部を相互に電気接続する第2の配線工程と、前記リードを外方に露出させると共に前記チップ用貫通孔を前記他方の表面から外方に連通させるように、前記ステージ部、前記リード及び前記チップ被覆蓋体を一体的に固定する樹脂モールド部を形成するモールド工程とを備えることを特徴とする半導体装置の製造方法を提案している。
本発明に係る半導体装置の製造方法によれば、第1の空洞部の容積は、チップ蓋体配置工程において載置するチップ被覆蓋体の形状や大きさに応じて容易に変更することができる。したがって、この第1の空洞部の容積を十分に確保することができ、半導体チップのダイヤフラムの振動に基づく第1の空洞部の圧力変化を小さく抑えることができる。このため、半導体チップのダイヤフラムは、第1の空洞部の圧力変化の影響を受けることなく、外方からの音響等の圧力振動に対して正しく振動することができる。
また、半導体チップを配するステージ部やリード、チップ用貫通孔、配線用貫通孔は、フレーム準備工程において、金属製薄板にプレス加工等を施すだけで形成することができるため、従来のように回路基板を使用する場合と比較して、半導体装置を安価に製造することができる。
さらに、チップ接着工程からチップ蓋体配置工程までは、ステージ部の一の表面を上に向けた状態で実施し、その後、ステージ部の他方の表面を上に向けた状態で第2の配線工程を実施すればよいため、半導体装置を簡便に製造することができる。
請求項14に係る発明は、ダイヤフラムを有する半導体チップを一方の表面に載置する略板状のステージ部と、その周囲に配されるリードとを一体的につなぎ合わせた金属製薄板からなり、前記ステージ部にその厚さ方向に貫通するチップ用貫通孔及び配線用貫通孔を形成したリードフレームを用意するフレーム準備工程と、前記ダイヤフラムが前記チップ用貫通孔と前記厚さ方向に重なるように、前記半導体チップを前記ステージ部の一方の表面に接着するチップ接着工程と、前記配線用貫通孔を介して前記ステージ部の両面から露出するように、導電性を有する挿通端子部を前記ステージ部に取り付ける端子部取付工程と、前記半導体チップ及び前記挿通端子部を相互に電気接続する第1の配線工程と、前記半導体チップを覆うように、前記ステージ部の一方の表面にチップ被覆蓋体を配し、該チップ被覆蓋体及び前記ステージ部により前記半導体チップを内包した中空の第1の空洞部を形成するチップ蓋体配置工程と、前記リード及び前記挿通端子部を相互に電気接続する第2の配線工程と、前記チップ用貫通孔を含んで前記ステージ部の他方の表面を覆うように、該他方の表面にステージ被覆蓋体を配し、該ステージ被覆蓋体及び前記ステージ部により中空の第2の空洞部を形成するステージ蓋体配置工程と、前記リードを外方に露出させると共に前記チップ被覆蓋体に形成された開口部を介して前記第1の空洞部を外方に露出させるように、前記ステージ部、前記リード、前記チップ被覆蓋体及びステージ被覆蓋体を一体的に固定する樹脂モールド部を形成するモールド工程とを備えることを特徴とする半導体装置の製造方法を提案している。
本発明に係る半導体装置の製造方法によれば、第2の空洞部の容積は、ステージ蓋体配置工程において載置するステージ被覆蓋体の形状や大きさに応じて容易に変更することができる。したがって、この第2の空洞部の容積を十分に確保することができ、半導体チップのダイヤフラムの振動に基づく第2の空洞部の圧力変化を小さく抑えることができる。このため、半導体チップのダイヤフラムは、第2の空洞部の圧力変化の影響を受けることなく、外方からの音響等の圧力振動に対して正しく振動することができる。
また、チップ被覆蓋体の形状を変えるだけで、半導体装置の製造コストを増加させることなく、ステージ部や半導体チップに対する開口部の位置を容易に変更することができる。このため、半導体チップが開口部を介して外方に直接露出しないように、半導体チップ及び開口部をステージ部の厚さ方向に重ねないように相互にズラして配することで、外方から塵埃や水滴が開口部を介して第1の空洞部に侵入しても、これら塵埃や水滴が直接半導体チップに到達することを容易に防止できる。
また、半導体チップを配するステージ部、これに形成されるチップ用貫通孔、リードや配線用貫通孔は、フレーム準備工程において、金属製薄板にプレス加工等を施すだけで形成することができるため、従来のように回路基板を使用する場合と比較して、半導体装置を安価に製造することができる。
また、チップ接着工程からチップ蓋体配置工程までは、ステージ部の一の表面を上に向けた状態で実施し、その後、ステージ部の他方の表面を上に向けた状態で第2の配線工程を実施すればよいため、半導体装置を簡便に製造することができる。
請求項1,請求項3,請求項10,請求項11,請求項13及び請求項14に係る発明によれば、チップ被覆蓋体やステージ被覆蓋体のみの形状や大きさに応じて、第1の空洞部や第2の空洞部の大きさを容易に変更することができる、すなわち、半導体チップの特性に応じた半導体装置の設計変更を容易に行うことができるため、半導体装置の製造効率の向上及び半導体装置の製造コストの削減を容易に図ることができる。
また、請求項2,請求項3,請求項11及び請求項14に係る発明によれば、開口部を備えるステージ被覆蓋体により第2の空洞部を形成したり、開口部を備えるチップ被覆蓋体により第1の空洞部を形成することにより、半導体装置の製造コストを増加させることなく、半導体チップ及びチップ用貫通孔が開口部を介して外方に直接露出しないように、チップ用貫通孔及び開口部をステージ部の厚さ方向に重ねないように相互にズラして配することができる。したがって、外方から塵埃や水滴が開口部を介して第2の空洞部や第1の空洞部に侵入しても、これら塵埃や水滴が直接半導体チップに到達することを容易に防止できる。
また、請求項4に係る発明によれば、導電性を有するステージ部及び前記チップ被覆蓋体により、半導体装置の外方側において発生した電気的なノイズが半導体チップに到達することを確実に防ぐため、ノイズに基づく半導体チップの誤作動を確実に防止することができる。
また、請求項5に係る発明によれば、チップ被覆蓋体と半導体チップとの間にチップ絶縁部を設けることにより、導電性を有するチップ被覆蓋体が、半導体チップや半導体チップから延びるワイヤー等の電気配線と電気的に導通することを防ぐことができるため、半導体装置の電気回路がショートすることを防止できる。
また、請求項6に係る発明によれば、導電性を有するステージ部及びステージ被覆蓋体により、半導体装置の外方側において発生した電気的なノイズが、ステージ部の他方の表面側から半導体チップに到達することを確実に防ぐため、ノイズに基づく半導体チップの誤作動を確実に防止することができる。
また、請求項7及び請求項8に係る発明によれば、電気配線手段により半導体チップから延びるワイヤー等の配線をステージ部の厚さ方向に貫通させると共に、樹脂モールド部を介してリードに到達させることで、リードが、半導体チップを配した第1の空洞部の外方側に配されていても、半導体チップとリードとをワイヤーにより相互に電気的に接続することができる。
また、請求項9に係る発明によれば、半導体チップとリードとの間に配されたワイヤーが溶融樹脂に触れることを防いで、ワイヤーの変形を防止することができるため、半導体チップとリードとをワイヤーにより接続しても、半導体チップとリードとの電気的な接続を容易に確保することができる。
また、請求項10,請求項11,請求項13及び請求項14に係る発明によれば、半導体チップを配するステージ部、これに形成されるチップ用貫通孔、リードや配線用貫通孔は、フレーム準備工程において、金属製薄板に例えばプレス加工等を施すだけで形成することができるため、半導体装置を安価に製造することができる。
また、請求項12に係る発明によれば、チップ蓋体配置工程において、リードを第1の空洞部に露出させておくことにより、配線工程において、半導体チップとリードとをワイヤー等により直接電気接続できるため、半導体装置の製造効率の向上を図ることができる。
また、請求項13及び請求項14に係る発明によれば、チップ接着工程からチップ蓋体配置工程までは、ステージ部の一の表面を上に向けた状態で実施し、その後、ステージ部の他方の表面を上に向けた状態で第2の配線工程を実施すればよいため、半導体装置を簡便に製造することができる。
図1から図5は、本発明の一実施形態を示している。図1〜3に示すように、半導体装置1は、略板状に形成された金属製のステージ部3と、ステージ部3の周囲に配された複数の金属製のリード5,6と、ステージ部3の裏面(一の表面)3aに配された半導体チップ7、IC9及び貫通電極11と、ステージ部3の裏面3aに配されたチップ被覆蓋体13と、ステージ部3の表面(他方の表面)3bに配されたステージ被覆蓋体15と、ステージ部3、リード5,6、チップ被覆蓋体13及びステージ被覆蓋体15を一体的に固定する樹脂モールド部17とを備えている。
ステージ部3は、平面視略矩形状に形成されており、ステージ部3の厚さ方向に貫通して形成された複数のチップ用貫通孔3c及び配線用貫通孔3dを備えている。
複数のリード5,6は、ステージ部3の表面3b及び裏面3aに沿う方向に並べて配置されており、その先端部は樹脂モールド部17の側部から突出している。なお、特に図示はしていないが、各リード5,6の先端部をステージ部3の厚さ方向に延ばすように形成し、半導体装置1が所謂QFP(Quad Flat Package)として構成されるようにしてもよい。また、一部のリード6は、ステージ部3に連結されており、他のリード5は、ステージ部3との間に隙間を介して配されている。そして、これら他のリード5の一部は、貫通電極11及びIC9を介して後述する半導体チップ7に電気的に接続されている。
半導体チップ7は、ステージ部3のチップ用貫通孔3cを覆うように、電気的な絶縁性を有する絶縁性接着剤18aを介してステージ部3の裏面3aに接着固定されている。すなわち、半導体チップ7はステージ部3に対して電気的に絶縁されている。この半導体チップ7は、音響を電気信号に変換する所謂音圧センサチップであり、半導体チップ7に到達する音響に応じて振動するダイヤフラム7aを備えている。このダイヤフラム7aは、チップ用貫通孔3cに対向するようにステージ部3の裏面3aに沿って配されている。
貫通電極11は、導電性材料から形成された複数の挿通端子部19、及び、電気的な絶縁材料から形成され、各挿通端子部19を周囲から支持する絶縁支持ブロック21を備えている。この貫通電極11は、配線用貫通孔3dを塞ぐように、半導体チップ7と同様に、絶縁性接着剤18bを介してステージ部3の裏面3aに接着固定されている。複数の挿通端子部19は、ステージ部3の裏面3a側だけでなく、配線用貫通孔3dを介してステージ部3の表面3b側にも露出しており、配線用貫通孔3dを介してワイヤー(第2のワイヤー)23により複数のリード5と電気的に接続されている。
IC9は、半導体チップ7を駆動制御するためのものであり、半導体チップ7と貫通電極11との間に位置するように、半導体チップ7と同様に、絶縁性接着剤18cを介してステージ部3の裏面3aに接着固定されている。このIC9は、複数のワイヤー(第1のワイヤー)25により半導体チップ7及び貫通電極11の各挿通端子部19と電気的に接続されている。
これらIC9、貫通電極11及びワイヤー23,25により、半導体チップ7とリード5とを電気接続する電気配線手段27が構成されている。
チップ被覆蓋体13は、半導体チップ7、IC9及び貫通電極11を覆うように、ステージ部3の裏面3aに配されている。このチップ被覆蓋体13は、ステージ部3の裏面3aから厚さ方向に離間した位置に配される略板状の上端壁部29と、上端壁部29の周縁からステージ部3の裏面3aに向けて突出する側壁部31とを備えている。すなわち、チップ被覆蓋体13は、これら上端壁部29及び側壁部31により側壁部31の先端部側に開口する略凹状に形成されている。
したがって、側壁部31の先端部をステージ部3の裏面3aに配した状態においては、ステージ部3の裏面3aと、上端壁部29及び側壁部31の内面とにより中空の第1の空洞部33が画定される。なお、この状態において、上端壁部29及び側壁部31の内面は、第1の空洞部33に配された半導体チップ7やワイヤー25等に触れないように位置している。
このチップ被覆蓋体13は、導電性材料から形成されると共に、第1の空洞部33に面する上端壁部29及び側壁部31の内面に電気的な絶縁材料からなる絶縁性ペースト(チップ絶縁部)35を塗布して構成されている。また、チップ被覆蓋体13は、ステージ部3と電気的に接続されている。したがって、半導体チップ7及びIC9は、導電性を有するチップ被覆蓋体13及びステージ部3によって電気的にも囲繞されることになる。また、絶縁性ペースト35により第1の空洞部33に配された半導体チップ7、IC9、貫通電極11及びワイヤー25がチップ被覆蓋体13と電気的に導通することを防止することができる。
ステージ被覆蓋体15は、チップ用貫通孔3cを覆うようにステージ部3の表面3bに配されている。このステージ被覆蓋体15は、ステージ部3の表面3bから厚さ方向に離間した位置に配される略板状の上端壁部37と、上端壁部37の周縁からステージ部3の表面3bに向けて突出する側壁部39と、上端壁部37からステージ部3の表面3bから離間する方向に突出する略筒状の開口部41とを備えている。すなわち、このステージ被覆蓋体15は、これら上端壁部37及び側壁部39により側壁部39の先端部側に開口する略凹状に形成されている。
したがって、側壁部39の先端部をステージ部3の表面3bに配した状態においては、ステージ部3の表面3bと、上端壁部37及び側壁部39の内面とにより中空の第2の空洞部43が画定されることになる。
略筒状の開口部41は、第2の空洞部43を樹脂モールド部17の外方に露出させる役割を果たしており、半導体チップ7が、チップ用貫通孔3c、第2の空洞部43及び開口部41を介して外方に連通する位置に配されることになる。すなわち、チップ用貫通孔3cや半導体チップ7は、ステージ被覆蓋体15の開口部41から直接外方に露出しないように、開口部41とステージ部3の厚さ方向に重ならないようにズラして配されている。
また、ステージ被覆蓋体15は、チップ被覆蓋体13と同様に、導電性材料から形成されると共に、ステージ部3と電気的に接続されている。したがって、第2の空洞部43は、導電性を有するステージ被覆蓋体15及びステージ部3によって電気的にも囲繞されることになる。
次に、以上のように構成された半導体装置1の製造方法について説明する。
はじめに、薄板状の金属板にプレス加工もしくはエッチング加工、あるいはこの両方の加工を施すことにより、図4に示すように、ステージ部3及び複数のリード5,6が一体的につなぎ合わされたリードフレーム51を形成する(フレーム準備工程)。すなわち、複数のリード5,6は、ステージ部3を囲繞して形成された矩形枠部53によってつなぎ合わされており、電気接続用のリード5及びステージ部3は、この矩形枠部53及び連結用のリード6を介して相互につながっている。
また、このフレーム準備工程においては、ステージ部3の厚さ方向に貫通するチップ用貫通孔3c及び配線用貫通孔3dが、前述のプレス加工やエッチング加工によってステージ部3やリード5,6、矩形枠部53と同時に形成される。
次いで、図5に示すように、半導体チップ7がチップ用貫通孔3cとステージ部3の厚さ方向に重なるように、絶縁性接着剤18aを介して半導体チップ7をステージ部3の裏面3aに接着固定する(チップ接着工程)。
また、半導体チップ7と同様に、絶縁性接着剤18bを介して貫通電極11をステージ部3の裏面3aに接着固定する(端子部取付工程)。この際、貫通電極11は、その挿通端子部19がステージ部3の配線用貫通孔3dを介してステージ部3の両面3a,3bから露出している。また、配線用貫通孔3dは貫通電極11により完全に塞がれている。この端子部取付工程は、チップ接着工程の前後に行ってもよいし、同時に行うとしても構わない。
さらに、上述の半導体チップ7や貫通電極11と同様に、IC9も絶縁性接着剤18cを介してステージ部3の裏面3aに接着する。このIC9の接着は、チップ接着工程や端子部取付工程の前後に行ってもよいし、同時に行うとしても構わない。
そして、半導体チップ7とIC9との間、及び、IC9と貫通電極11との間にそれぞれワイヤー25を配して、IC9を介して半導体チップ7と貫通電極11の挿通端子部19とを電気的に接続する(第1の配線工程)。さらに、半導体チップ7、IC9及び貫通電極11を覆うように、チップ被覆蓋体13をステージ部3の裏面3aにチップ被覆蓋体13を配し、チップ被覆蓋体13及びステージ部3により半導体チップ7を内包した中空の第1の空洞部33を形成する(チップ蓋体配置工程)。
これらチップ接着工程、端子部取付工程、第1の配線工程及びチップ蓋体配置工程は、ステージ部3の裏面3aを上に向けた状態で行われる。
その後、図6に示すように、ステージ部3の表面3bを上に向けた状態で、ワイヤボンディングにより配線用貫通孔3dを介して複数のリード5と挿通端子部19との間にワイヤー23を配して、リード5と貫通電極11とを電気的に接続する(第2の配線工程)。
また、チップ用貫通孔3cを含んでステージ部3の表面3bを覆うように、ステージ部3の表面3bにステージ被覆蓋体15を配し、ステージ被覆蓋体15及びステージ部3により中空の第2の空洞部43を形成する(ステージ蓋体配置工程)。このステージ蓋体配置工程は、第2の配線工程の前に行ってもよいし、第2の配線工程の後に行うとしても構わない。
その後、ステージ部3の表面3b側及び裏面3a側に樹脂モールド部形成用の一対の金型E,Fを配し、これら一対の金型E、Fの表面E1,F1によりリード5,6の先端部及び矩形枠部53を挟み込む。ステージ部3の裏面3a側に配される一方の金型Eは、表面E1から窪んだ凹部E2を有しており、ステージ部3の表面3b側に配される他方の金型Fは、表面F1から窪んだ凹部F2を有している。
この一対の金型E,Fによる挟み込み状態においては、チップ被覆蓋体13が一方の金型Eの凹部E2に収容されると共に、その上端壁部29の一部が凹部E2の底面E3から突出して形成された突起部E4に当接する。この際、チップ被覆蓋体13は一方の金型Eの突起部E4によりステージ部3の裏面3aに押し付けられる。
また、この状態においては、ステージ被覆蓋体15が他方の金型Fの凹部F2に収容されると共に、その開口部41の先端が凹部F2の底面F3に当接して、この凹部F2の底面F3により開口部41が塞がれる。この際には、ステージ被覆蓋体15が他方の金型Fによってステージ部3の表面3bに押し付けられる。
なお、これら一対の金型E,Fによりリード5,6及び矩形枠部53を挟み込む際には、チップ被覆蓋体13と一方の金型Eとの隙間、及び、ステージ被覆蓋体15と他方の金型Fとの隙間に、樹脂モールド部を形成する樹脂と各金型E,Fとの離型性を良好とする薄膜状の樹脂製シート(不図示)を配しておくことが好ましい。この樹脂製シートは、例えばフッ素樹脂から形成される。
その後、一対の金型E,Fにより形成される樹脂形成空間に、エポキシ樹脂等の熱硬化樹脂を溶融した状態で注入し、ステージ部3、チップ被覆蓋体13、ステージ被覆蓋体15及びリード5,6を一体的に固定する樹脂モールド部17を形成する(モールド工程)。
このモールド工程においては、一方の金型Eの突起部E4がチップ被覆蓋体13をステージ部3の裏面3aに押し付けるため、チップ被覆蓋体13とステージ部3の裏面3aとの隙間を確実に塞ぐことができる。また、他方の金型Fの底面F3がステージ被覆蓋体15の開口部41をステージ部3の表面3bに押し付けるため、ステージ被覆蓋体15とステージ部3の表面3bとの隙間、及び、ステージ被覆蓋体15の開口部41と他方の金型Fの底面F3との隙間を確実に塞ぐことができる。
以上のことから、樹脂形成空間に注入された溶融樹脂が第1の空洞部33及び第2の空洞部43に流入することを防止できる。また、配線用貫通孔3dも貫通電極11により完全に塞がれているため、溶融樹脂が配線用貫通孔3dを介して第1の空洞部33に流れ込むこともない。
なお、このモールド工程では、溶融樹脂を樹脂形成空間に充填した後に、樹脂を加熱して硬化させることで、図1〜3に示すように、樹脂モールド部17が形成されることになる。最後に、矩形枠部53を切り落として樹脂モールド部17の外方に突出するリード5,6を個々に切り分けることで、半導体装置1の製造が終了する。
以上のように製造された半導体装置1を携帯電話機等の各種電子機器に搭載する場合には、例えば、樹脂モールド部17から外方に突出するリード5,6と電子機器の他の電子部品や電気部品とを相互に電気接続する。
この半導体装置1において、音響等の圧力変動が開口部41、第2の空洞部43及びステージ部3のチップ用貫通孔3cを介して半導体チップ7のダイヤフラム7aに到達した際には、この圧力変動に基づいてダイヤフラム7aが振動することで、前記圧力変動を検出することができる。
上記の半導体装置1及びその製造方法によれば、第1の空洞部33の容積は、ステージ部3の形状や大きさを変更させることなく、チップ蓋体配置工程において載置するチップ被覆蓋体13のみの形状や大きさに応じて容易に変更することができる。したがって、この第1の空洞部33の容積を十分に確保することができ、半導体チップ7のダイヤフラム7aの振動に基づく第1の空洞部33の圧力変化を小さく抑えることができる。このため、半導体チップ7のダイヤフラム7aは、第1の空洞部33の圧力変化の影響を受けることなく、外方からの音響等の圧力振動に対して正しく振動することができる。
また、半導体チップ7の特性に応じた半導体装置1の設計変更も容易に行うことができるため、半導体装置1の製造効率の向上及び半導体装置1の製造コスト削減を容易に図ることができる。
また、上記の半導体装置1によれば、開口部41を備えるステージ被覆蓋体15により第2の空洞部43を形成することにより、チップ用貫通孔3cや半導体チップ7に対する開口部41の位置を容易に変えることができる。すなわち、半導体装置1の製造コストを増加させることなく、チップ用貫通孔3c及び開口部41をステージ部3の厚さ方向に重ねないように相互にズラして配することができる。したがって、外方から塵埃や水滴が開口部41を介して第2の空洞部43に侵入しても、これら塵埃や水滴が直接半導体チップ7に到達することを容易に防止できる。
さらに、導電性を有するステージ部3及びチップ被覆蓋体13が、半導体チップ7を取り囲むため、半導体装置1の外方側において発生した電気的なノイズが、樹脂モールド部17に侵入しても、ステージ部3及びチップ被覆蓋体13においてノイズが第1の空洞部33内に侵入することを防いで、半導体チップ7に到達することを確実に防止できる。
また、導電性を有するステージ部3及びステージ被覆蓋体15が、ステージ部3の厚さ方向に重ねて配されるため、半導体装置1の外方側において発生した電気的なノイズが、ステージ部3の表面3b側から樹脂モールド部17に侵入しても、ステージ部3及びステージ被覆蓋体15においてノイズが第1の空洞部33内に侵入することを防いで、半導体チップ7に到達することを確実に防止できる。
以上のことから、このノイズに基づく半導体チップ7の誤作動を確実に防止することができる
さらに、チップ被覆蓋体13の内面に絶縁性ペースト35を塗布することにより、導電性を有するチップ被覆蓋体13が、半導体チップ7や半導体チップ7から延びるワイヤー25等の電気配線と電気的に導通することを防ぐことができるため、半導体装置1の電気回路がショートすることを防止できる。
また、配線用貫通孔3d及び貫通電極11を介して、半導体チップ7及びリード5から各々延びるワイヤー25,23を相互に電気的に接続することにより、リード5が半導体チップ7を配した第1の空洞部33の外方側に配されていても、半導体チップ7とリード5とを相互に電気的に接続することができる。
さらに、半導体装置1の製造方法によれば、半導体チップ7を配するステージ部3やリード5、チップ用貫通孔3c、配線用貫通孔3dは、フレーム準備工程において、金属製薄板にプレス加工やエッチング加工を施すだけで形成することができるため、従来のように回路基板を使用する場合と比較して、半導体装置1を安価に製造することができる。
また、チップ接着工程からチップ蓋体配置工程までは、ステージ部3の裏面3aを上に向けた状態で実施し、その後、ステージ部3の表面3bを上に向けた状態で第2の配線工程を実施すればよいため、半導体装置1を簡便に製造することができる。
なお、上記の実施の形態において、貫通電極11は、絶縁性接着剤18bを介してステージ部3の裏面3aに接着固定としたが、これに限ることはなく、少なくとも配線用貫通孔3dを塞ぐように、ステージ部3に対して電気的に絶縁された状態で固定されていればよい。すなわち、例えば、貫通電極11はステージ部3の表面3bに接着されるとしても構わない。
また、例えば、図7に示すように、貫通電極61は配線用貫通孔3dに隙間無く挿通して固定されるとしても構わない。なお、この構成の場合でも、各挿通端子部62は周囲から絶縁支持ブロック63により支持されているため、ステージ部3に接触することがない、すなわち、ステージ部3に対して電気的に絶縁されることになる。この構成の場合には、配線用貫通孔3dを容易かつ確実に塞ぐことができると共に、ステージ部3に対する貫通電極61の位置決めを容易に行うことができる。
また、図7に示すように、各ワイヤー23,25の端部をボンディングする各挿通端子部62の接続面62a,62bがステージ部3の表面3bや裏面3aから突出した位置に配されている場合には、挿通端子部62の接続面62a,62bからこれと同一平面をなす絶縁支持ブロック63の端面63a,63bに渡って導電性メッキ65を施してもよい。この場合には、導電性メッキ65により各ワイヤー23,25の接着面積を拡大させることができる。したがって、ワイヤー23,25を接着するためのワイヤーボンダーの位置決めを高精度に行うことなく、各ワイヤー23,25を容易に接着することができる。
さらに、複数のリード5,6は、樹脂モールド部17の側部から外方に突出して構成されるとしたが、これに限ることはない。例えば、図8に示すように、複数のリード67は、樹脂モールド部17の下面17aから直接露出して構成されるとしても構わない、すなわち、半導体装置69を所謂QFN(Quad Flat Non-lead)として構成するとしてもよい。
また、ステージ部3の表面3bにはステージ被覆蓋体15が配されるとしたが、これに限ることはなく、少なくともチップ用貫通孔3cがステージ部3の表面3bから樹脂モールド部17の外方に連通するように、第2の空洞部が形成されていればよい。すなわち、例えば、図9に示すように、チップ用貫通孔3cを外方に露出させる孔71を樹脂モールド部17に形成し、この孔71により第2の空洞部73が構成されるとしても構わない。
ここで、第2の空洞部73は、例えば、ステージ部3の表面3bに当接する突起を樹脂モールド部形成用の金型に設けておくことにより、形成することができる。この構成の場合には、上記実施形態のように、ステージ被覆蓋体15やステージ蓋体配置工程が不要となるため、半導体装置74の製造効率向上を図ることができる。
なお、この第2の空洞部73を構成する孔71の内面に導電性材料を形成する場合には、外方において発生したノイズが樹脂モールド部17を介して半導体チップ7に到達することを防止できる。
さらに、チップ被覆蓋体13は、ステージ部3の裏面3a側に開口する略凹状に形成されているとしたが、例えばこれに加えて、図10に示すように、上端壁部29よりもステージ部3の裏面3aからさらに離間する方向に延びる突起部75を一体的に形成して、チップ被覆蓋体77を構成するとしてもよい。なお、この突起部75の先端部は、ステージ部3の裏面3aと同方向を向く樹脂モールド部17の下面17aから外方に露出する。
この構成の場合には、上記実施形態と同様にモールド工程において、一対の金型E、Fによりステージ部3の厚さ方向から挟み込む際に、突起部75を一方の金型Eの底面E3に当接させることができる(図6参照)。このため、一方の金型Eによりチップ被覆蓋体77をステージ部3の裏面3aに押さえつけることができる。すなわち、上記実施形態のように、一方の金型Eに上端壁部29を押さえるための突起部E4を形成する必要が無くなり、一方の金型Eを安価に製造することができる。
また、この状態においては、突起部75により上端壁部29と一方の金型Eの底面E3との間に隙間が形成されるため、上端壁部29全体を樹脂モールド部17の内部に埋設することができる。
さらに、上記構成において、各突起部75をチップ被覆蓋体77の上端壁部29に対して弾性変形可能としておくことにより、一方の金型Eによるチップ被覆蓋体77の押さえつけ力を適度な大きさに制御することができる。
また、電気配線手段27は、IC9、貫通電極11及びワイヤー23,25とから構成されるとしたが、これに限ることはなく、少なくとも半導体チップ7とリード5とを電気接続する構成であればよい。すなわち、例えば、図11〜13に示すように、リード81が第1の空洞部83に露出するように配されるとしても構わない。
ただし、上記構成の場合には、各リード81とステージ部87との隙間、及び、相互に隣り合うリード81,81間の隙間から、第1の空洞部83に樹脂が入り込まないようにする必要がある。具体的には、例えば、ステージ被覆蓋体89に各リード81とステージ部87との隙間を覆う被覆部91を一体的に形成すると共に、被覆部91及びチップ被覆蓋体93の側壁部95の先端部を相互に当接させて相互に隣り合うリード81,81間の隙間を埋めればよい。
特に、ポリイミドテープを介して被覆部91及びチップ被覆蓋体93の側壁部95の先端部を相互に当接させる場合には、ポリイミドテープを変形させることによって各リード81間の隙間を確実に埋めることができ、第1の空洞部83への樹脂の流入を確実に防ぐことができる。また、ポリイミドテープは絶縁性を有するため、チップ被覆蓋体93及びステージ被覆蓋体89とリード81とを電気的に絶縁することも可能となる。
そして、この構成の場合には、上記実施形態のように貫通電極11を使用することなく、IC9とリード81とをワイヤー85により直接電気接続することができる。
また、この構成の場合には、前述のワイヤー85が第1の空洞部83に配されるため、ワイヤー85が樹脂モールド部17に触れることがない。このため、モールド工程において溶融樹脂により樹脂モールド部17を形成する際に、ワイヤー85が溶融樹脂の流れに押されて変形することを確実に防止できる。したがって、半導体チップ7とリード81との電気的な接続を容易に確保することができる。
さらに、第1の配線工程において、半導体チップ7とIC9とをワイヤー25により電気接続すると共に、IC9とリード81とをワイヤー85により直接電気接続することができるため、上記実施形態のように、第2の配線工程を行う必要が無くなり、半導体装置97の製造効率の向上を図ることができる。
なお、この構成の半導体装置97を製造する際には、上記実施形態の製造方法のチップ蓋体載置工程において、リード81が第1の空洞部83に露出するようにチップ被覆蓋体93を配すると共に、ステージ蓋体配置工程において、リード81が被覆部91に覆われるようにステージ被覆蓋体89を配すればよい。
なお、図11〜13に示す上記構成においては、ステージ被覆蓋体89に被覆部91が形成されるとしたが、これに限ることはなく、少なくとも第1の空洞部83に溶融樹脂が入り込まないように半導体装置97が構成されていればよい。すなわち、例えば、リード81及びステージ部87の表面(他方の表面)87bに各リード81とステージ部87との隙間を塞ぐ絶縁性の目隠しシールを貼り付けるとしても構わない。この構成の場合には、図9に示す半導体装置の構成に適用することで、ステージ被覆蓋体89やステージ蓋体配置工程を不要とすることもできる。
また、上記実施形態においては、半導体チップ7を内包する第1の空洞部33が外方に対して密閉されるとしたが、例えば、図14に示すように、第1の空洞部101を外方に露出するとしても構わない。
すなわち、ステージ部3の裏面3aに配するチップ被覆蓋体103は、その上端壁部105からステージ部3の裏面3aから離間する方向に突出する略筒状の開口部107を備えるとしてもよい。この開口部107は、第1の空洞部101を樹脂モールド部17の外方に露出させる役割を果たしている。また、この開口部107は、半導体チップ7が直接外方に露出しないように、半導体チップ7とステージ部3の厚さ方向に重ならない位置に形成されている。
この構成においては、音響等の圧力変動が開口部107及び第1の空洞部101を介して半導体チップ7のダイヤフラム7aに到達した際に、この圧力変動に基づいてダイヤフラム7aが振動することで、前記圧力変動を検出することができる。したがって、ステージ部3の表面3bに配されるステージ被覆蓋体109は、第2の空洞部111を外方に対して密閉させるように構成しても構わない。すなわち、このステージ被覆蓋体109に上記実施形態と同様の開口部を形成する必要が無くなる。
なお、この半導体装置115を製造する際には、モールド工程において開口部107から第1の空洞部101に溶融樹脂が流入しないように、樹脂モールド部形成用の金型により開口部107を塞げばよい。
この構成の場合でも、上記実施形態の場合と同様に、ステージ被覆蓋体109のみの形状や大きさに応じて、密閉された第2の空洞部111の大きさを容易に変更することができるため、半導体装置115の製造効率の向上や半導体装置115の製造コスト削減を容易に図ることができる。
また、開口部107を備えるチップ被覆蓋体103によって第1の空洞部101を形成することにより、半導体装置115の製造コストを増加させることなく、半導体チップ7が開口部107を介して外方に直接露出しないように、半導体チップ7及び開口部107をステージ部3の厚さ方向に重ねないように相互にズラして配することができる。したがって、外方から塵埃や水滴が開口部107を介して第1の空洞部101に侵入しても、これら塵埃や水滴が直接半導体チップ7に到達することを容易に防止できる。
なお、この半導体装置115の場合でも、図13に示す半導体装置と同様に、リード5を第1の空洞部101に露出させたり、ステージ被覆蓋体109に被覆部を形成することで、配線用貫通孔3dを形成したり貫通電極11を使用することなく、半導体チップ7とリード5とを電気的に接続することができる。また、この場合には、上記実施形態のように第2の配線工程を行う必要も無くなるため、半導体装置115の製造効率の向上を図ることもできる。
さらに、上記実施形態において、チップ被覆蓋体13やステージ被覆蓋体15は、導電性材料から形成され、その内面に絶縁性ペースト35を塗布して構成されるとしたが、これに限ることはなく、少なくともステージ部3と電気的に接続されるように導電性を有していればよい。
したがって、チップ被覆蓋体13やステージ被覆蓋体15は、例えば、導電性材料から形成されると共に、その外面に絶縁性ペーストを塗布して構成されるとしてもよい。また、チップ被覆蓋体13やステージ被覆蓋体15は、例えば、電気的な絶縁材料から形成されると共に、その外面若しくは内面に導電性を有するペーストを塗布したり、その内面側や外面側に絶縁性を有する別体の蓋体(チップ絶縁部)を配して構成されるとしても構わない。
なお、半導体チップ7やIC9、貫通電極11、ワイヤー25とチップ被覆蓋体13との電気的な絶縁性を確保する場合には、少なくともチップ被覆蓋体13の内面側が絶縁性を有していることが望ましい。
また、上記実施形態において、ステージ部3やリード5,6、リードフレーム51は金属製であるとしたが、これに限ることはなく、少なくとも導電性を有していればよい。また、第1の空洞部33へのノイズの侵入防止を考慮しない場合には、ステージ部3は電気的な絶縁材料から形成されるとしても構わない。そして、ステージ部3が絶縁材料からなる場合には、半導体チップ7やIC9、貫通電極11をステージ部3に接着する際に導電性を有する接着剤を使用するとしてもよい。
さらに、半導体チップ7は、ダイヤフラム7aを備えた音圧センサチップからなるとしたが、これに限ることはなく、少なくとも半導体チップ7を構成するダイヤフラム7aのような可動部分を有していればよい。したがって、半導体チップは、例えば、半導体装置1の外部空間の圧力や圧力変化を計測する圧力センサチップであってもよいし、加速度を検知する加速度センサチップであっても構わない。
以上、本発明の実施形態について図面を参照して詳述したが、具体的な構成はこの実施形態に限られるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲の設計変更等も含まれる。
この発明の一実施形態に係る半導体装置をステージ部の裏面から見た状態を示す概略平断面図である。 図1の半導体装置をステージ部の表面から見た状態を示す概略平断面図である。 図1の半導体装置の概略側断面図である。 図1の半導体装置の製造方法に使用するリードフレームを示す概略平面図である。 図1の半導体装置の製造方法を示す概略側断面図である。 図1の半導体装置の製造方法を示す概略側断面図である。 この発明の他の実施形態に係る半導体装置に使用する貫通電極を示す概略側断面図である。 この発明の他の実施形態に係る半導体装置を示す概略側断面図である。 この発明の他の実施形態に係る半導体装置を示す概略側断面図である。 この発明の他の実施形態に係る半導体装置を示す概略側断面図である。 この発明の他の実施形態に係る半導体装置をステージ部の表面から見た状態を示す概略平断面図である。 図11の半導体装置をステージ部の裏面から見た状態を示す概略平断面図である。 図11の半導体装置の概略側断面図である。 この発明の他の実施形態に係る半導体装置を示す概略側断面図である。
符号の説明
1,69,74,97,115・・・半導体装置、3,87・・・ステージ部、3a・・・裏面(一方の表面)、3b,87b・・・表面(他方の表面)、3c・・・チップ用貫通孔、3d・・・配線用貫通孔、5,67,81・・・リード、7・・・半導体チップ、13,77,93,103・・・チップ被覆蓋体、15,89,109・・・ステージ被覆蓋体、17・・・樹脂モールド部、19,62・・・挿通端子部、23・・・ワイヤー(第2のワイヤー)、25・・・ワイヤー(第1のワイヤー)、27・・・電気配線手段、33,83,101・・・第1の空洞部、35・・・絶縁性ペースト(チップ絶縁部)、41・・・開口部、43,73,111・・・第2の空洞部、51・・・リードフレーム、107・・・開口部

Claims (14)

  1. 厚さ方向に貫通するチップ用貫通孔を形成した略板状のステージ部と、
    ダイヤフラムを有すると共に、当該ダイヤフラムを前記チップ用貫通孔に対向させた状態で、当該チップ用貫通孔を覆うように前記ステージ部の一方の表面に固定された半導体チップと、
    前記ステージ部の周囲に配されると共に前記半導体チップに電気接続されたリードと、
    前記半導体チップを覆うように、前記ステージ部の一方の表面に配されたチップ被覆蓋体と、
    前記リードを外方に露出させた状態で、前記チップ被覆蓋体を介して前記半導体チップとの間に中空の第1の空洞部を設けるように、前記ステージ部、前記リード及び前記チップ被覆蓋体を一体的に固定した樹脂モールド部とを備え、
    前記チップ用貫通孔が前記ステージ部の他方の表面側から前記樹脂モールド部の外方に連通するように、前記樹脂モールド部に中空の第2の空洞部が形成されていることを特徴とする半導体装置。
  2. 前記第2の空洞部が、前記ステージ部の他方の表面を覆うステージ被覆蓋体により形成され、
    該ステージ被覆蓋体が、前記第2の空洞部を前記樹脂モールド部の外方に露出させる開口部を備えることを特徴とする請求項1に記載の半導体装置。
  3. 厚さ方向に貫通するチップ用貫通孔を形成した略板状のステージ部と、
    ダイヤフラムを有すると共に、当該ダイヤフラムを前記チップ用貫通孔に対向させた状態で、当該チップ用貫通孔を覆うように前記ステージ部の一方の表面に固定された半導体チップと、
    前記ステージ部の周囲に配されると共に前記半導体チップに電気接続されたリードと、
    前記半導体チップを覆うように、前記ステージ部の一方の表面に配されたチップ被覆蓋体と、
    前記チップ用貫通孔を含んで前記ステージ部の他方の表面を覆うように、前記ステージ部の他方の表面に配されたステージ被覆蓋体と、
    前記リードを外方に露出させた状態で、前記チップ被覆蓋体を介して前記半導体チップとの間に中空の第1の空洞部を設けるように、かつ、前記ステージ被覆蓋体を介して前記他方の表面との間に中空の第2の空洞部を設けるように、前記ステージ部、前記リード、前記チップ被覆蓋体及び前記ステージ被覆蓋体を一体的に固定した樹脂モールド部とを備え、
    前記チップ被覆蓋体が、前記第1の空洞部を前記樹脂モールド部の外方に露出させる開口部を備えることを特徴とする半導体装置。
  4. 前記ステージ部及び前記チップ被覆蓋体が導電性を有し、
    前記半導体チップが、前記ステージ部と電気的に絶縁された状態で前記ステージ部の一方の表面に固定され、
    前記チップ被覆蓋体が、前記ステージ部と電気的に接続されていることを特徴とする請求項1から請求項3のいずれか1項に記載の半導体装置。
  5. 前記半導体チップに対向する前記チップ被覆蓋体の内面に、電気的な絶縁材料からなるチップ絶縁部が設けられていることを特徴とする請求項4に記載の半導体装置。
  6. 前記ステージ部及び前記ステージ被覆蓋体が導電性を有し、
    前記半導体チップが前記ステージ部と電気的に絶縁された状態で、前記ステージ部の一方の表面に固定され、
    該ステージ被覆蓋体が、前記ステージ部と電気的に接続されていることを特徴とする請求項2又は請求項3に記載の半導体装置。
  7. 前記半導体チップと前記リードとの電気接続が、前記半導体チップから、前記厚さ方向に前記ステージ部を貫通し、前記樹脂モールド部を介して前記リードまで到達する電気配線手段により構成されていることを特徴とする請求項1から請求項6のいずれか1項に記載の半導体装置。
  8. 前記ステージ部に、その厚さ方向に貫通する配線用貫通孔が形成され、
    前記電気配線手段が、前記ステージ部に対して電気的に絶縁した状態で前記配線用貫通孔を介して前記ステージ部の一方の表面及び他方の表面に露出するように、前記ステージ部に固定された挿通端子部と、前記半導体チップ及び前記挿通端子部を相互に電気接続する第1のワイヤーと、前記リード及び前記挿通端子部を相互に電気接続する第2のワイヤーとを備えることを特徴とする請求項7に記載の半導体装置。
  9. 前記リードが、前記第1の空洞部に露出して配されていることを特徴とする請求項1から請求項6のいずれか1項に記載の半導体装置。
  10. ダイヤフラムを有する半導体チップを一方の表面に載置する略板状のステージ部と、その周囲に配されるリードとを一体的につなぎ合わせた金属製薄板からなり、前記ステージ部にその厚さ方向に貫通するチップ用貫通孔を形成したリードフレームを用意するフレーム準備工程と、
    前記ダイヤフラムが前記チップ用貫通孔と前記厚さ方向に重なるように、前記半導体チップを前記ステージ部の一方の表面に接着するチップ接着工程と、
    前記半導体チップと前記リードを相互に電気接続する配線工程と、
    前記半導体チップを覆うように、前記ステージ部の一方の表面にチップ被覆蓋体を配し、該チップ被覆蓋体及び前記ステージ部により前記半導体チップを内包した中空の第1の空洞部を形成するチップ蓋体配置工程と、
    前記リードを外方に露出させると共に前記チップ用貫通孔を前記他方の表面から外方に連通させるように、前記ステージ部、前記リード及び前記チップ被覆蓋体を一体的に固定する樹脂モールド部を形成するモールド工程とを備えることを特徴とする半導体装置の製造方法。
  11. ダイヤフラムを有する半導体チップを一方の表面に載置する略板状のステージ部と、その周囲に配されるリードとを一体的につなぎ合わせた金属製薄板からなり、前記ステージ部にその厚さ方向に貫通するチップ用貫通孔を形成したリードフレームを用意するフレーム準備工程と、
    前記ダイヤフラムが前記チップ用貫通孔と前記厚さ方向に重なるように、前記半導体チップを前記ステージ部の一方の表面に接着するチップ接着工程と、
    前記半導体チップと前記リードを相互に電気接続する配線工程と、
    前記半導体チップを覆うように、前記ステージ部の一方の表面にチップ被覆蓋体を配し、該チップ被覆蓋体及び前記ステージ部により前記半導体チップを内包した中空の第1の空洞部を形成するチップ蓋体配置工程と、
    前記チップ用貫通孔を含んで前記ステージ部の他方の表面を覆うように、該他方の表面にステージ被覆蓋体を配し、該ステージ被覆蓋体及び前記ステージ部により中空の第2の空洞部を形成するステージ蓋体配置工程と、
    前記リードを外方に露出させると共に前記チップ被覆蓋体に形成された開口部を介して前記第1の空洞部を外方に露出させるように、前記ステージ部、前記リード、前記チップ被覆蓋体及び前記ステージ被覆蓋体を一体的に固定する樹脂モールド部を形成するモールド工程とを備えることを特徴とする半導体装置の製造方法。
  12. 前記チップ蓋体配置工程において、前記リードが前記第1の空洞部に露出するように、前記チップ被覆蓋体を配することを特徴とする請求項10又は請求項11に記載の半導体装置の製造方法。
  13. ダイヤフラムを有する半導体チップを一方の表面に載置する略板状のステージ部と、その周囲に配されるリードとを一体的につなぎ合わせた金属製薄板からなり、前記ステージ部にその厚さ方向に貫通するチップ用貫通孔及び配線用貫通孔を形成したリードフレームを用意するフレーム準備工程と、
    前記ダイヤフラムが前記チップ用貫通孔と前記厚さ方向に重なるように、前記半導体チップを前記ステージ部の一方の表面に接着するチップ接着工程と、
    前記配線用貫通孔を介して前記ステージ部の両面から露出するように、導電性を有する挿通端子部を前記ステージ部に取り付ける端子部取付工程と、
    前記半導体チップ及び前記挿通端子部を相互に電気接続する第1の配線工程と、
    前記半導体チップを覆うように、前記ステージ部の一方の表面にチップ被覆蓋体を配し、該チップ被覆蓋体及び前記ステージ部により前記半導体チップを内包した中空の第1の空洞部を形成するチップ蓋体配置工程と、
    前記リード及び前記挿通端子部を相互に電気接続する第2の配線工程と、
    前記リードを外方に露出させると共に前記チップ用貫通孔を前記他方の表面から外方に連通させるように、前記ステージ部、前記リード及び前記チップ被覆蓋体を一体的に固定する樹脂モールド部を形成するモールド工程とを備えることを特徴とする半導体装置の製造方法。
  14. ダイヤフラムを有する半導体チップを一方の表面に載置する略板状のステージ部と、その周囲に配されるリードとを一体的につなぎ合わせた金属製薄板からなり、前記ステージ部にその厚さ方向に貫通するチップ用貫通孔及び配線用貫通孔を形成したリードフレームを用意するフレーム準備工程と、
    前記ダイヤフラムが前記チップ用貫通孔と前記厚さ方向に重なるように、前記半導体チップを前記ステージ部の一方の表面に接着するチップ接着工程と、
    前記配線用貫通孔を介して前記ステージ部の両面から露出するように、導電性を有する挿通端子部を前記ステージ部に取り付ける端子部取付工程と、
    前記半導体チップ及び前記挿通端子部を相互に電気接続する第1の配線工程と、
    前記半導体チップを覆うように、前記ステージ部の一方の表面にチップ被覆蓋体を配し、該チップ被覆蓋体及び前記ステージ部により前記半導体チップを内包した中空の第1の空洞部を形成するチップ蓋体配置工程と、
    前記リード及び前記挿通端子部を相互に電気接続する第2の配線工程と、
    前記チップ用貫通孔を含んで前記ステージ部の他方の表面を覆うように、該他方の表面にステージ被覆蓋体を配し、該ステージ被覆蓋体及び前記ステージ部により中空の第2の空洞部を形成するステージ蓋体配置工程と、
    前記リードを外方に露出させると共に前記チップ被覆蓋体に形成された開口部を介して前記第1の空洞部を外方に露出させるように、前記ステージ部、前記リード、前記チップ被覆蓋体及びステージ被覆蓋体を一体的に固定する樹脂モールド部を形成するモールド工程とを備えることを特徴とする半導体装置の製造方法。
JP2005197440A 2005-03-16 2005-07-06 半導体装置及びその製造方法 Expired - Fee Related JP4742706B2 (ja)

Priority Applications (6)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2005197440A JP4742706B2 (ja) 2005-07-06 2005-07-06 半導体装置及びその製造方法
KR1020077023360A KR20070116097A (ko) 2005-03-16 2006-03-14 반도체 장치, 반도체 장치의 제조 방법, 및 덮개 프레임
TW095108588A TWI303094B (en) 2005-03-16 2006-03-14 Semiconductor device, method for manufacturing semiconductor device, and cover frame
EP06729094A EP1860694A1 (en) 2005-03-16 2006-03-14 Semiconductor device, semiconductor device manufacturing method and cover frame
US11/908,590 US20090230487A1 (en) 2005-03-16 2006-03-14 Semiconductor device, semiconductor device manufacturing method and lid frame
PCT/JP2006/305060 WO2006098339A1 (ja) 2005-03-16 2006-03-14 半導体装置、半導体装置の製造方法、および蓋体フレーム

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2005197440A JP4742706B2 (ja) 2005-07-06 2005-07-06 半導体装置及びその製造方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2007019154A JP2007019154A (ja) 2007-01-25
JP4742706B2 true JP4742706B2 (ja) 2011-08-10

Family

ID=37756073

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2005197440A Expired - Fee Related JP4742706B2 (ja) 2005-03-16 2005-07-06 半導体装置及びその製造方法

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP4742706B2 (ja)

Families Citing this family (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102010039599A1 (de) 2010-08-20 2012-02-23 Robert Bosch Gmbh Sensormodul zur Aufnahme eines Drucksensorchips und zur Montage in einem Sensorgehäuse
JP5494403B2 (ja) * 2010-10-07 2014-05-14 株式会社デンソー センサ装置およびその製造方法
JP5732286B2 (ja) 2011-03-16 2015-06-10 ルネサスエレクトロニクス株式会社 半導体装置の製造方法
JP5879866B2 (ja) * 2011-09-26 2016-03-08 日本電気株式会社 中空封止構造の製造方法
JP5964858B2 (ja) 2011-11-30 2016-08-03 京セラ株式会社 撮像素子収納用パッケージおよび撮像装置

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH09304211A (ja) * 1996-05-15 1997-11-28 Omron Corp 静電容量型圧力センサのパッケージング構造およびパッケージング方法
JP2000031349A (ja) * 1998-03-17 2000-01-28 Denso Corp 半導体装置およびその製造方法
JP2002077346A (ja) * 2000-09-01 2002-03-15 Taiyo Yuden Co Ltd 携帯通信端末器
JP2003125495A (ja) * 2001-10-09 2003-04-25 Citizen Electronics Co Ltd エレクトレットコンデンサマイクロフォン

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH09304211A (ja) * 1996-05-15 1997-11-28 Omron Corp 静電容量型圧力センサのパッケージング構造およびパッケージング方法
JP2000031349A (ja) * 1998-03-17 2000-01-28 Denso Corp 半導体装置およびその製造方法
JP2002077346A (ja) * 2000-09-01 2002-03-15 Taiyo Yuden Co Ltd 携帯通信端末器
JP2003125495A (ja) * 2001-10-09 2003-04-25 Citizen Electronics Co Ltd エレクトレットコンデンサマイクロフォン

Also Published As

Publication number Publication date
JP2007019154A (ja) 2007-01-25

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR100966681B1 (ko) 반도체 장치, 리드 프레임 및 그 마이크로폰 패키지
US8902604B2 (en) Component support and assembly having a MEMS component on such a component support
US20090230487A1 (en) Semiconductor device, semiconductor device manufacturing method and lid frame
CN104254045A (zh) 用于麦克风组件的预制模及其制造方法
US20090072334A1 (en) Semiconductor device, pre-mold package, and manufacturing method therefor
JP2009164475A (ja) マイクロフォンパッケージ、リードフレーム、モールド基板及びマイクロフォンパッケージの実装構造
JP4049160B2 (ja) 蓋体フレーム、半導体装置、及びその製造方法
JP2009038053A (ja) 半導体センサ装置
JP2007258670A (ja) 半導体装置
WO2010001505A1 (ja) 電子部品
JP4779614B2 (ja) 半導体装置
JP4742706B2 (ja) 半導体装置及びその製造方法
CN109495831B (zh) 一种mems麦克风的封装结构及其制造方法
US8174834B2 (en) Molded housing used in force fit method
JP2008066983A (ja) マイクロフォンパッケージ
JP2009005077A (ja) 半導体装置及びその製造方法
JP2008014875A (ja) 半導体装置及びその製造方法
JP2007199049A (ja) 半導体装置
KR20060044222A (ko) 가스센서용 초소형 패키지 및 그 제조방법
JP4049167B2 (ja) 蓋体フレーム、半導体装置、及びその製造方法
JP6032171B2 (ja) モールドパッケージの製造方法
JP4609477B2 (ja) 半導体装置
JP4609478B2 (ja) 蓋体フレーム及びその製造方法
JP2010040656A (ja) 半導体パッケージ、半導体装置及びその製造方法、並びにマイクロフォンパッケージ
JP4049176B2 (ja) 半導体装置及びその製造方法

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20080521

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20110125

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20110323

A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20110412

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20110425

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140520

Year of fee payment: 3

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees