JP4622580B2 - 成膜方法及び有機化合物層 - Google Patents
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また、選択的に隔壁が撥液性になることが難しかった。
請求項2に係る発明は、前記第一成膜工程は、前記電極のうち露出している部分全面に前記第一溶液を塗布していることを特徴とする。
請求項3に係る発明は、前記第一溶液及び前記第二溶液の少なくともいずれか一方は、撥液性を示す隔壁により仕切られていることを特徴とする。
請求項4に係る発明は、有機化合物層を成膜する成膜方法において、電極表面を親液化処理する電極親液化工程と、有機化合物を含有した第一溶液を前記電極上に塗布して第一有機化合物層を成膜する第一成膜工程と、前記第一有機化合物層上に、前記有機化合物を含有した第二溶液を塗布して前記第一有機化合物層と同一の材料からなり、前記第一有機化合物層より厚い第二有機化合物層を成膜する第二成膜工程と、を有することを特徴とする。
請求項5に係る発明は、前記第一成膜工程は、前記電極のうち露出している部分全面に前記第一溶液を塗布していることを特徴とする。
請求項6に係る発明は、前記第一溶液及び前記第二溶液の少なくともいずれか一方は、撥液性を示す隔壁により仕切られていることを特徴とする。
請求項7に係る発明は、第一有機化合物層の厚さは、前記電極の平均表面粗さ以上、平均表面粗さの2倍以下であることを特徴とする。
請求項8に係る発明は、前記第一成膜工程はスピンコート法により行われることを特徴とする。
請求項9に係る発明は、前記隔壁は導電性であり、前記隔壁に選択的に撥液性導電層を被膜することで、前記撥液性を示す隔壁を形成することを特徴とする。
請求項10に係る発明は、前記撥液性導通層はトリアジル化合物であることを特徴とする。
請求項11に係る発明は、前記隔壁は、電荷輸送層となる前記第一溶液及び前記第二溶液を仕切る隔壁であることを特徴とする。
請求項12に係る発明は、前記隔壁は、有機EL素子の一方の電極に電圧を印加する電圧ラインであることを特徴とする。
請求項13に係る発明は、前記一方の電極は透明電極であることを特徴とする。
請求項14に記載の発明は、請求項1から13の何れか一項に記載の成膜方法により成膜したことを特徴とする。
図1は、第一実施形態におけるエレクトロルミネッセンスディスプレイパネル1の平面図であり、図2は、図1の切断線II−IIに沿った面の矢視断面図であり、図3は、図1の切断線III−IIIに沿った面の矢視断面図である。
まず、基板2に対して気相成長法(例えば、スパッタリング、イオンプレーティング、真空蒸着等のPVD法やCVD法)、フォトリソグラフィー法及びエッチング法を順に行うことによって、基板2上に複数の画素電極3をパターニングする。画素電極3をITOとした場合、EB(Electron Beam)蒸着、スパッタリング、HDAP(Highly Dense Arc Plasma)イオンプレーティングで成膜したときの表面の平均粗さRaはそれぞれ10.5nm、4.1nm、0.8nmであった。次に、ポリイミド等の感光性樹脂を塗布してパターニングすることによって垂直方向に長尺となる複数の隔壁7を形成する。
[第二実施形態]
図4は、第二実施形態におけるアクティブマトリクス駆動エレクトロルミネッセンスディスプレイパネル101の一部構成を示す平面図であり、図5は、図4の状態のアクティブマトリクス駆動エレクトロルミネッセンスディスプレイパネル101の一部を切断線V−Vに沿った矢視断面図である。図6〜図10は、それぞれ図5以降のエレクトロルミネッセンスディスプレイパネル101の各製造工程を示す図4の切断線V−Vに沿った矢視断面図である。
そして1つの画素では、所定のトランジスタTrのソース又はドレイン26が露出するように保護絶縁膜32及び平坦化膜33にコンタクトホールが形成され、このコンタクトホールに導電層34が埋設されている。各画素の平坦化膜33上には、導電層34と接続された画素電極36が形成されている。画素電極36における垂直方向の周縁には下地絶縁層35が重なるように形成されている。つまり、隣接する二本の下地絶縁層35は、間に配置される画素電極36の中央を露出するようにそれぞれ左右両側に沿って垂直方向に連続して設けられている。そして、下地絶縁層35上には、下地絶縁層35に沿って垂直方向に延在する隔壁37が成膜されている。隔壁37は、銅、金、銀の少なくとも一種を含む導電材料からなっている。
次いで図6に示すように、導電性高分子であるPEDOT(ポリチオフェン)及びドーパントであるPSS(ポリスチレンスルホン酸)0.1wt%〜10wt%を溶剤(純水若しくはアルコール又は純水とアルコールの両方)に溶解した電荷輸送性溶液39をニードルによる滴下法、液滴吐出法(インクジェット法)、スピンコート法、ディップコート法の少なくともいずれかによって、画素電極36上に被覆させる。このとき、電荷輸送性溶液39は、下地絶縁層35にまで乗り上げる可能性があるが、隔壁37の表面に被膜された撥液性導通層38によってはじかれるので隔壁37を乗り越えて隣の画素に漏れてしまうことはない。
図12に示すような基板102を用いた。この基板102の一方の面には、ITOの電極103をべた一面に成膜し、電極103の上には、突条となる複数の隔壁107を平行とするように形成した。
また上記各実施形態では、正孔輸送層となる電荷輸送性溶液をPEDOT/PSSの溶液としたが、画素電極表面の撥液性が失われると、画素電極上で局在化してしまうものであればその他の正孔輸送性材料であってもよい。
また上記各実施形態では、画素電極上に形成した電荷輸送性溶液を塗布して形成される電荷輸送層を正孔輸送層としたが、画素電極表面の撥液性が失われると、画素電極上で局在化してしまうものであればこれに限らず電子輸送層であってもよい。このとき、画素電極はカソードとして機能し、対向電極がアノードとして機能する。
また上記各実施形態では、画素電極表面の撥液性が失われると、画素電極上で局在化してしまうものであれば画素電極上に形成した電荷輸送層を発光層としてもよい。
2 基板
3 画素電極
4 正孔輸送層
4a 第一正孔輸送層
4b 第二正孔輸送層
7 隔壁
11 有機EL素子
37 隔壁
36 画素電極
38 撥液性導通層
40 第一正孔輸送層
42 第二正孔輸送層
43 正孔輸送層
101 エレクトロルミネッセンスディスプレイパネル
Claims (14)
- 有機化合物層を成膜する成膜方法において、
前記有機化合物を含有した第一溶液を親液化処理された電極上に塗布し、乾燥してなる第一有機化合物層を成膜する第一成膜工程と、
前記第一有機化合物層上に、前記有機化合物を含有した第二溶液を塗布し、前記第一有機化合物層と同一の材料からなる第二有機化合物層を成膜する第二成膜工程と、
を有し、
前記第一有機化合物層は、第二有機化合物層より薄いことを特徴とする成膜方法。 - 前記第一成膜工程は、前記電極のうち露出している部分全面に前記第一溶液を塗布していることを特徴とする請求項1に記載の成膜方法。
- 前記第一溶液及び前記第二溶液の少なくともいずれか一方は、撥液性を示す隔壁により仕切られていることを特徴とする請求項1又は2に記載の成膜方法。
- 有機化合物層を成膜する成膜方法において、
電極表面を親液化処理する電極親液化工程と、
有機化合物を含有した第一溶液を前記電極上に塗布して第一有機化合物層を成膜する第一成膜工程と、
前記第一有機化合物層上に、前記有機化合物を含有した第二溶液を塗布して前記第一有機化合物層と同一の材料からなり、前記第一有機化合物層より厚い第二有機化合物層を成膜する第二成膜工程と、
を有することを特徴とする成膜方法。 - 前記第一成膜工程は、前記電極のうち露出している部分全面に前記第一溶液を塗布していることを特徴とする請求項4に記載の成膜方法。
- 前記第一溶液及び前記第二溶液の少なくともいずれか一方は、撥液性を示す隔壁により仕切られていることを特徴とする請求項4又は5に記載の成膜方法。
- 第一有機化合物層の厚さは、前記電極の平均表面粗さ以上、平均表面粗さの2倍以下であることを特徴とする請求項1から6の何れか一項に記載の成膜方法。
- 前記第一成膜工程はスピンコート法により行われることを特徴とする請求項1から7の何れか一項に記載の成膜方法。
- 前記隔壁は導電性であり、前記隔壁に選択的に撥液性導電層を被膜することで、前記撥液性を示す隔壁を形成することを特徴とする請求項3又は6に記載の成膜方法。
- 前記撥液性導通層はトリアジル化合物であることを特徴とする請求項9に記載の成膜方法。
- 前記隔壁は、電荷輸送層となる前記第一溶液及び前記第二溶液を仕切る隔壁であることを特徴とする請求項9又は10に記載の成膜方法。
- 前記隔壁は、有機EL素子の一方の電極に電圧を印加する電圧ラインであることを特徴とする請求項9から11の何れか一項に記載の成膜方法。
- 前記一方の電極は透明電極であることを特徴とする請求項12に記載の成膜方法。
- 請求項1から13の何れか一項に記載の成膜方法により成膜したことを特徴とする有機化合物層。
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