JP4618557B2 - 軟磁性合金圧密体及びその製造方法 - Google Patents
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Description
このような事情から、双方の欠点を無くした軟磁性材料として、高い飽和磁束密度と高い電気抵抗率とを併有する複合軟磁性材料が開発されている。
また、常温での成形が困難な合金については、絶縁性のバインダーと金属粒子を混合して射出成形やプレス成形する製品が実用化されている。
しかしながら、これらは密度が低く、良好な磁気特性が得られないという問題があり、熱間成形による高密度化と絶縁膜の絶縁性維持が望まれている。
しかしながら、これら高合金鋼は金属であるため、上述したように金属酸化物と比較して電気抵抗率が低く、使用時の発熱量が多いという問題があり、モーターに使用した場合には、発熱によるロスが生じ、効率が低下することが知られている。
また、無機絶縁物を被覆した金属粉末を熱間成型する製造方法が提案されている(特許文献2参照。)。
更に、金属ガラス粉末に絶縁処理を施し、加圧成形して得られる圧粉磁心が提案されている(特許文献3参照。)。
このような問題に対し、特許文献3に記載の従来技術においては、金属ガラスを用いることにより低温での圧密化に成功しているが、用いる原料粉末の配合により密度がばらついたり、皮膜同士の密着性が悪く十分な強度が得られない等の問題が生じることがあった。
まず、従来から電気抵抗の高抵抗化の指標として一般的に用いられている直流抵抗と、渦電流による発熱量の相関について調査した。
その結果、これらは一対一の相関関係にはなく、電気抵抗が劣っていても渦電流による発熱が抑制される場合があることを見出した。これは、直流抵抗が測定器両端子間の直線的な電気の導通に対する指標であるのに対し、渦電流による発熱量は、交番磁場方向に垂直な断面における環状の電気の導通に支配されるものであるためと推定される。
したがって、材料組織において、粒子が環状に短絡している状態を阻止するか又は可能な限り曲率が小さい環状の短絡に抑制することが渦電流による発熱を抑制するために効果的な手法であると推測される。
そこで、材料組織と渦電流による発熱量の相関について調査した。
その結果、絶縁物で被覆した粉末と被覆していない粉末とを混合しても、その配合比(体積率)によっては、電気抵抗が劣化しても渦電流による発熱などいわゆる渦電流損失が増大しない範囲があることを見出し、本発明を完成するに至った。
更に、この絶縁物で被覆していない粉末を所定の配合比(体積率)で混在させることによって、強度が向上することも見出した。
r A /r B <1…(1)
の関係を満足すると共に、該非晶質合金粉末Bのガラス転移温度を基準として、該非晶質合金粉末Aのガラス転移温度が10K以上低いことを特徴とする。
また、本発明の軟磁性合金圧密体は、少なくとも1種の非晶質合金粉末を加圧成形処理して成り、該非晶質合金粉末は、該非晶質合金粉末の全体積を基準として、50〜99体積%の非晶質合金粉末がその表面に絶縁物被膜を有しており、且つ1〜50体積%の非晶質合金粉末がその表面に絶縁物被膜を有していない軟磁性合金圧密体であって、該非晶質合金粉末は、異なる粒度分布を有する該表面に絶縁物被膜を有していない非晶質合金粉末Aと該表面に絶縁物被膜を有している非晶質合金粉末Bとから成り、該非晶質合金粉末Aの平均粒径(r A )と該非晶質合金粉末Bの平均粒径(r B )とが次式(2)
0.05≦r A /r B ≦0.3…(2)
の関係を満足すると共に、該非晶質合金粉末Bのガラス転移温度を基準として、該非晶質合金粉末Aのガラス転移温度が10K以上低いことを特徴とする。
(1)非晶質合金粉末の全体積を基準として、非晶質合金粉末の表面に絶縁物被膜を有していない粉末及び非晶質合金粉末の表面に絶縁物被膜を有している粉末を、それぞれの含有率が1〜50体積%及び50〜99体積%となるように混合する工程
(2)(1)工程で得られた粉末を加圧成形処理する工程
上述の如く、本発明の軟磁性合金圧密体は、少なくとも1種の非晶質合金粉末を加圧成形処理して成るものである。
かかる非晶質合金粉末は、当該非晶質合金粉末の全体積を基準として、50〜99体積%の非晶質合金粉末がその表面に絶縁物被膜を有しており、且つ1〜50体積%の非晶質合金粉末がその表面に絶縁物被膜を有していない。
このような構成とすることにより、優れた強度を有し、且つ渦電流損失を低減し得る軟磁性合金圧密体となる。
これは、絶縁物被膜の膜厚が不必要に厚い場合には所望の強度が得られず、所望の強度を得るためには膜厚を薄く保つことが有効であり、上述の如く絶縁物被膜を有していない非晶質合金粉末を混在させることにより、絶縁物被膜を有していない非晶質合金粉末の界面における絶縁物被膜の膜厚は、絶縁物被膜を有している非晶質合金粉末同士の界面における絶縁物被膜の膜厚の半分になり、好適な膜厚が形成され易いためと考えられる。また、強度をより向上させるためには、表面に絶縁物被膜を有していない非晶質合金粉末の割合を5体積%以上とすることが好ましく、10体積%以上とすることが更に好ましい。
なお、放電プラズマ焼結装置を用いると、適度な導電性と局所的な高電気抵抗を有するため、効率的に軟磁性合金圧密体を作製することができる。
このような工程を経ない場合、即ち成形温度が含有される非晶質合金粉末のガラス転移温度未満であると、非晶質合金粉末の特徴である良好な成形性が十分に発揮されず、高い強度が得られにくい。
平均プレス歪速度が1S−1を超えると絶縁物被膜の変形が非晶質合金粉末の変形に追随できずに被膜の破損が大きくないし多くなり、また非晶質合金粉末の変形抵抗自体が大きくなり金型と加圧成形処理装置(例えば、プラズマ放電焼結装置。)の負担が大きくなることがある一方、平均プレス歪速度が0.0001S−1未満のように過度に遅すぎると生産性が損われることがある。
これは、一般に、軟磁性体は、保磁力が低いほど透磁率が高くなり、そして、非晶質合金粉末を用いた軟磁性合金圧密体は、非晶質合金粉末の平均粒径が5μmより小さくなると、混在する粒径が大きい粒子との接触面積が不足し、十分な強度向上効果が得られないことがあり、400μmを超えると、混在する極度に粒径が大きい粒子の空隙が大きくなり、密度向上効果が得られないことがある。
そこで、上述したようにガラス転移領域の広い非晶質合金粉末を用いることにより、変形が容易であるため、より緻密化させることができる。
ΔTx=Tx−Tg…(3)
(式中のTxは結晶化開始温度、Tgはガラス転移温度を示す。)で表される過冷却液体領域の温度間隔ΔTxが20K以上であるFe、Ni又はCo、及びこれらの任意の組合わせに係る金属元素を主成分とする非晶質合金粉末を用いることが好適である。
典型的には、Ni、Co及びSiを含有したFe基合金、いわゆる鉄心材料を好適に用いることができる。
なお、非晶質合金粉末としては含有成分やその組成が異なる複数の非晶質合金粉末を混在させたものを用いてもよい。また、本発明においては、第3種以上の非晶質合金粉末を含んでいてもよい。
rA/rB<1…(1)
の関係を満足することが好ましく、次式(2)
0.05≦rA/rB≦0.3…(2)
の関係を満足することがより好ましく、上記式(2)において、その上限値が0.25であることが更に好ましく、0.20であることが特に好ましい。
上述したように、用いる原料粉末は非晶質(ガラス)合金であるので、酸化物と比較して変形が容易であり、比較的緻密化が進行するが、各粉末の変形量が過剰となると透磁率が低くなることがある。
そこで、密度を向上させ得るという観点から、非晶質合金粉末Aの平均粒径(rA)と非晶質合金粉末Bの平均粒径(rB)とが上記式(1)の関係を満足し、粉末の特性に応じた粒度分布を有することが好ましく、更には、それぞれの粉末の過剰な変形を抑制し得るという観点から上記式(2)の関係を満足することが好ましい。
このときは、絶縁物被膜を有していない粒径の小さいものが絶縁物被膜を有する粒径が大きいものの隙間に分散するので、軟磁性合金圧密体の全体に分散した状態となり、絶縁性を維持しつつ、密度を向上させることができる。
このとき、平均粒径が相対的に小さい非晶質合金粉末Aは、平均粒径が相対的に大きい非晶質合金粉末Bの隙間に分散して、密度を向上させつつ非晶質合金粉末B同士の接合を補助するような構造を形成する。このとき、上記のようなガラス転移温度の関係を有する場合には、加圧成形処理の際に非晶質合金粉末Aが優先的に変形して、非晶質合金粉末Bと密着し、密度を向上させつつ絶縁物被膜の膜厚を薄い状態のままの接触面積を拡大させることができる。また、非晶質合金粉末Bの絶縁物被膜の破損を抑制することもできる。
このような工程を経た軟磁性合金圧密体は、加圧成形処理の際に、非晶質合金粉末Aを非晶質合金粉末Bに優先して変形させることが可能となる。
上述の如く、本発明の軟磁性合金圧密体の製造方法は、上記本発明の軟磁性合金圧密体を製造する方法であって、(1)非晶質合金粉末の全体積を基準として、非晶質合金粉末の表面に絶縁物被膜を有していない粉末及び非晶質合金粉末の表面に絶縁物被膜を有している粉末を、それぞれの含有率が1〜50体積%及び50〜99体積%となるように混合する工程、(2)(1)工程で得られた粉末を加圧成形処理する工程、を含む製造方法である。
このような製造方法により作製された軟磁性合金圧密体は、優れた強度を有し、且つ渦電流損失を低減し得るものとなる。
次いで、この絶縁物前駆体を被覆担持した非晶質合金粉末を加熱して、絶縁物前駆体を焼成する。絶縁物前駆体は焼成中に、化学反応と溶解により絶縁物被膜に変化する。
鉄(Fe)、ガリウム(Ga)、ホウ素(B)ケイ素(Si)、鉄(Fe)−炭素(C)合金、鉄(Fe)−リン(P)合金を所定量秤量し、高周波溶解炉を用いてアルゴン(Ar)ガス中で溶解した。そして、組成がFe76Ga4P9.5C4B4Si2.5となるインゴットを作製した。
得られたインゴットをアルゴン雰囲気、減圧(10−3Pa)下で溶解し、Arガスで噴霧してガスアトマイズを行なった。
ガスアトマイズによって得られた粉末は、X線解析の結果、急冷された非晶質合金粉末となっていた。
得られた粉末は、平均粒径の±20%以内におさまるように篩を用いて分級した。なお、粒度は、レーザ回折方式粒度分布測定装置で測定して決定した。また、ガラス転移温度は、示差走査熱量分析(DSC解析)により白金坩堝を用いてAr気流中で測定して決定した。
平均粒径が225μm、ガラス転移温度が465℃の非晶質合金粉末10g当たり、5mLのポリシザラン溶液(アクアミカ社製)を塗布し、ドライヤーで乾燥し、100℃で1時間保持して、絶縁物である酸化ケイ素(SiO2)の被膜を有する非晶質合金粉末を得た。
一方、平均粒径が45μm、ガラス転移温度が440℃の非晶質合金粉末を用意し、それぞれの含有率が75体積%及び25体積%となるように混合した。なお、2種類の粉末の比重が同等とみなせたので、ここでは質量により測定した(以下の実施例及び比較例において同様。)。
この混合した粉末3gを秤量して、プレス面が外径30mm、内径20mmである円環状の金型に充填し、1.6MA/mの磁場中で、成形温度は室温、成形圧力は0.05GPaで仮成形した。
得られた仮成形体を真空中でプラズマ放電焼結法により下記の要領で加圧成形処理して、本例の軟磁性合金圧密体を得た。
具体的には、一定の成形圧力0.05GPaを保持しつつ、昇温速度25℃/分で室温から450℃まで昇温した。次いで、成形温度450℃で1分間保持した。更に、徐々に荷重を大きくして0.5GPaまで5秒で到達させた。この間の平均プレス歪速度は0.1S−1であった。しかる後、荷重負荷を開放して冷却し、本例の軟磁性合金圧密体を得た(寸法:外径30mm、内径20mm、厚み4mm)。なお、冷却中も室温になるまで真空を保持した。
平均粒径が380μm、ガラス転移温度が465℃の非晶質合金粉末10g当たり、5mLのポリシザラン溶液(アクアミカ社製)を塗布し、ドライヤーで乾燥し、100℃で1時間保持して、絶縁物である酸化ケイ素(SiO2)の被膜を有する非晶質合金粉末を得た。
一方、平均粒径が5μm、ガラス転移温度が440℃の非晶質合金粉末を用意し、それぞれの含有率が55体積%及び45体積%となるように混合して用いた以外は、実施例1と同様の操作を繰り返し、本例の軟磁性合金圧密体を得た。
平均粒径が150μm、ガラス転移温度が465℃の非晶質合金粉末10g当たり、5mLのポリシザラン溶液(アクアミカ社製)を塗布し、ドライヤーで乾燥し、100℃で1時間保持して、絶縁物である酸化ケイ素(SiO2)の被膜を有する非晶質合金粉末を得た。
一方、平均粒径が20μm、ガラス転移温度が440℃の非晶質合金粉末を用意し、それぞれの含有率が80体積%及び20体積%となるように混合して用いた以外は、実施例1と同様の操作を繰り返し、本例の軟磁性合金圧密体を得た。
平均粒径が225μm、ガラス転移温度が470℃の非晶質合金粉末10g当たり、5mLのポリシザラン溶液(アクアミカ社製)を塗布し、ドライヤーで乾燥し、100℃で1時間保持して、絶縁物である酸化ケイ素(SiO2)の被膜を有する非晶質合金粉末を得た。
一方、平均粒径が45μm、ガラス転移温度が435℃の非晶質合金粉末を用意し、それぞれの含有率が90体積%及び10体積%となるように混合して用い、仮成形処理を実施せず、加圧成形処理における成形温度を465℃とし、且つ平均歪速度を0.05S−1とした以外は、実施例1と同様の操作を繰り返し、本例の軟磁性合金圧密体を得た。
平均粒径が75μm、ガラス転移温度が465℃の非晶質合金粉末10g当たり、5mLのポリシザラン溶液(アクアミカ社製)を塗布し、ドライヤーで乾燥し、100℃で1時間保持して、絶縁物である酸化ケイ素(SiO2)の被膜を有する非晶質合金粉末を得た。
一方、平均粒径が8μm、ガラス転移温度が440℃の非晶質合金粉末を用意し、それぞれの含有率が75体積%及び25体積%となるように混合して用い、加圧成形処理における平均歪速度を0.3S−1とした以外は、実施例1と同様の操作を繰り返し、本例の軟磁性合金圧密体を得た。
平均粒径が150μm、ガラス転移温度が465℃の非晶質合金粉末10g当たり、5mLのポリシザラン溶液(アクアミカ社製)を塗布し、ドライヤーで乾燥し、100℃で1時間保持して、絶縁物である酸化ケイ素(SiO2)の被膜を有する非晶質合金粉末を得た。
一方、平均粒径が20μm、ガラス転移温度が440℃の非晶質合金粉末及び平均粒径が8μm、ガラス転移温度が440℃の非晶質合金粉末を用意し、それぞれの含有率が75体積%、15体積%及び10体積%となるように混合して用い、加圧成形処理における平均歪速度を0.3S−1とした以外は、実施例1と同様の操作を繰り返し、本例の軟磁性合金圧密体を得た。
平均粒径が225μm、ガラス転移温度が465℃の非晶質合金粉末10g当たり、5mLのポリシザラン溶液(アクアミカ社製)を塗布し、ドライヤーで乾燥し、100℃で1時間保持して、絶縁物である酸化ケイ素(SiO2)の被膜を有する非晶質合金粉末を得た。
一方、平均粒径が75μm、ガラス転移温度が440℃の非晶質合金粉末を用意し、それぞれの含有率が75体積%及び25体積%となるように混合して用い、加圧成形処理における平均歪速度を0.005S−1とした以外は、実施例1と同様の操作を繰り返し、本例の軟磁性合金圧密体を得た。
平均粒径が75μm、ガラス転移温度が465℃の非晶質合金粉末10g当たり、5mLのポリシザラン溶液(アクアミカ社製)を塗布し、ドライヤーで乾燥し、100℃で1時間保持して、絶縁物である酸化ケイ素(SiO2)の被膜を有する非晶質合金粉末を得た。
一方、平均粒径が75μm、ガラス転移温度が465℃の非晶質合金粉末を用意し、それぞれの含有率が80体積%及び20体積%となるように混合して用い、加圧成形処理における平均歪速度を0.05S−1とした以外は、実施例1と同様の操作を繰り返し、本例の軟磁性合金圧密体を得た。
平均粒径が225μm、ガラス転移温度が465℃の非晶質合金粉末及び平均粒径が45μm、ガラス転移温度が440℃の非晶質合金粉末を用意し、それぞれの含有率が75体積%及び25体積%となるように混合して用いた以外は、実施例1と同様の操作を繰り返し、本例の軟磁性合金圧密体を得た。
平均粒径が225μm、ガラス転移温度が465℃の非晶質合金粉末10g当たり、5mLのポリシザラン溶液(アクアミカ社製)を塗布し、ドライヤーで乾燥し、100℃で1時間保持して、絶縁物である酸化ケイ素(SiO2)の被膜を有する非晶質合金粉末を得た。
一方、平均粒径が45μm、ガラス転移温度が440℃の非晶質合金粉末10g当たり、5mLのポリシザラン溶液(アクアミカ社製)を塗布し、ドライヤーで乾燥し、100℃で1時間保持して、絶縁物である酸化ケイ素(SiO2)の被膜を有する非晶質合金粉末を得た。それぞれの含有率が75体積%及び25体積%となるように混合して用いた以外は、実施例1と同様の操作を繰り返し、本例の軟磁性合金圧密体を得た。
平均粒径が225μm、ガラス転移温度が465℃の非晶質合金粉末10g当たり、5mLのポリシザラン溶液(アクアミカ社製)を塗布し、ドライヤーで乾燥し、100℃で1時間保持して、絶縁物である酸化ケイ素(SiO2)の被膜を有する非晶質合金粉末を得た。これのみを用いた以外は、実施例1と同様の操作を繰り返し、本例の軟磁性合金圧密体を得た。
平均粒径が20μm、ガラス転移温度が465℃の非晶質合金粉末10g当たり、5mLのポリシザラン溶液(アクアミカ社製)を塗布し、ドライヤーで乾燥し、100℃で1時間保持して、絶縁物である酸化ケイ素(SiO2)の被膜を有する非晶質合金粉末を得た。これのみを用いた以外は、実施例1と同様の操作を繰り返し、本例の軟磁性合金圧密体を得た。
上記各例の軟磁性合金圧密体の仕様及び作製条件を表1に示す。
上記各例の軟磁性合金圧密体の渦電流損失及び密度を下記の要領で測定した。得られた結果を表2に示す。
周波数1kHz、飽和磁束密度1Tの条件下で測定した。表中の結果は、比較例1の渦電流損失を基準値(100)としたときの相対値である。
軟磁性合金圧密体の寸法及び質量から算出した。
プレス面が10mm×10mmである金型に混合した粉末を4g充填し、上記各例と同様の操作を行い、各例の軟磁性合金圧密体(寸法:10mm×10mm×5mm)を得た。得られた軟磁性合金圧密体から2mm×3mm×10mmの試験片をプレス面と平行に切り出し、3点曲げ試験に供し、抗折強度を測定した。得られた結果を表2に併記する。
更に、表1及び表2より、実施例1〜3及び実施例5〜7は、抗折強度が250MPa以上であり、渦電流損失が低減され得ることから、特に、電気自動車やハイブリッド車等のモーターの磁心として好適に用いることができることが分かる。
なお、実施例4からは、二種類の粉末粒子のガラス転移温度の差が大きいものを用いた方が強度がより向上することが分かり、比較例5からは、混合する粉末粒子の平均粒径が異なる方が密度が向上し易いことが分かる。
Claims (8)
- 少なくとも1種の非晶質合金粉末を加圧成形処理して成る軟磁性合金圧密体において、
上記非晶質合金粉末は、該非晶質合金粉末の全体積を基準として、50〜99体積%の非晶質合金粉末がその表面に絶縁物被膜を有しており、且つ1〜50体積%の非晶質合金粉末がその表面に絶縁物被膜を有していない軟磁性合金圧密体であって、
上記非晶質合金粉末は、異なる粒度分布を有する上記表面に絶縁物被膜を有していない非晶質合金粉末Aと上記表面に絶縁物被膜を有している非晶質合金粉末Bとから成り、該非晶質合金粉末Aの平均粒径(r A )と該非晶質合金粉末Bの平均粒径(r B )とが次式(1)
r A /r B <1…(1)
の関係を満足し、
上記非晶質合金粉末Bのガラス転移温度を基準として、上記非晶質合金粉末Aのガラス転移温度が10K以上低いことを特徴とする軟磁性合金圧密体。 - 少なくとも1種の非晶質合金粉末を加圧成形処理して成る軟磁性合金圧密体において、
上記非晶質合金粉末は、該非晶質合金粉末の全体積を基準として、50〜99体積%の非晶質合金粉末がその表面に絶縁物被膜を有しており、且つ1〜50体積%の非晶質合金粉末がその表面に絶縁物被膜を有していない軟磁性合金圧密体であって、
上記非晶質合金粉末は、異なる粒度分布を有する上記表面に絶縁物被膜を有していない非晶質合金粉末Aと上記表面に絶縁物被膜を有している非晶質合金粉末Bとから成り、該非晶質合金粉末Aの平均粒径(r A )と該非晶質合金粉末Bの平均粒径(r B )とが次式(2)
0.05≦r A /r B ≦0.3…(2)
の関係を満足し、
上記非晶質合金粉末Bのガラス転移温度を基準として、上記非晶質合金粉末Aのガラス転移温度が10K以上低いことを特徴とする軟磁性合金圧密体。 - 上記加圧成形処理の成形温度が、上記少なくとも1種の非晶質合金粉末のガラス転移温度以上であることを特徴とする請求項1又は2に記載の軟磁性合金圧密体。
- 上記加圧成形処理の平均プレス歪速度が、0.0001〜1S−1であることを特徴とする請求項1〜3のいずれか1つの項に記載の軟磁性合金圧密体。
- 上記非晶質合金粉末は、その平均粒径が5〜400μmであることを特徴とする請求項1〜4のいずれか1つの項に記載の軟磁性合金圧密体。
- 上記非晶質合金粉末の全体積を基準として、上記非晶質合金粉末Aの含有率が30体積%以下であることを特徴とする請求項1〜5のいずれか1つの項に記載の軟磁性合金圧密体。
- 上記加圧成形処理の成形温度が、上記非晶質合金粉末Aのガラス転移温度以上であり且つ上記非晶質合金粉末Aの結晶化開始温度以下であると共に、上記加圧成形処理の平均プレス歪速度が0.0001〜1S−1であることを特徴とする請求項1〜6のいずれか1つの項に記載の軟磁性合金圧密体。
- 請求項1〜7のいずれか1つの項に記載の軟磁性合金圧密体の製造方法であって、下記の工程(1)及び(2)
(1)非晶質合金粉末の全体積を基準として、非晶質合金粉末の表面に絶縁物被膜を有していない粉末及び非晶質合金粉末の表面に絶縁物被膜を有している粉末を、それぞれの含有率が1〜50体積%及び50〜99体積%となるように混合する工程、
(2)(1)工程で得られた粉末を加圧成形処理する工程、
を含むことを特徴とする軟磁性合金圧密体の製造方法。
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