JP4428995B2 - 金属膜のエッチング液組成物 - Google Patents
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- 238000005530 etching Methods 0.000 title claims description 93
- 239000000203 mixture Substances 0.000 title claims description 34
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 title description 30
- 239000002184 metal Substances 0.000 title description 30
- QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N Acetic acid Chemical compound CC(O)=O QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 41
- GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N Nitric acid Chemical compound O[N+]([O-])=O GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 28
- 229910017604 nitric acid Inorganic materials 0.000 claims description 28
- NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N Phosphoric acid Chemical compound OP(O)(O)=O NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 24
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 23
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 23
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 17
- 229910001868 water Inorganic materials 0.000 claims description 17
- 229910000838 Al alloy Inorganic materials 0.000 claims description 14
- 150000003839 salts Chemical class 0.000 claims description 14
- -1 alkyl sulfate esters Chemical class 0.000 claims description 13
- 229910000147 aluminium phosphate Inorganic materials 0.000 claims description 12
- 239000004094 surface-active agent Substances 0.000 claims description 12
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims description 11
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 6
- 150000008051 alkyl sulfates Chemical class 0.000 claims description 5
- HZAXFHJVJLSVMW-UHFFFAOYSA-N 2-Aminoethan-1-ol Chemical compound NCCO HZAXFHJVJLSVMW-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- GSEJCLTVZPLZKY-UHFFFAOYSA-N Triethanolamine Chemical compound OCCN(CCO)CCO GSEJCLTVZPLZKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 125000000218 acetic acid group Chemical class C(C)(=O)* 0.000 claims 1
- 239000002253 acid Substances 0.000 claims 1
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 claims 1
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 claims 1
- 239000010408 film Substances 0.000 description 51
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 42
- 230000000740 bleeding effect Effects 0.000 description 15
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 8
- 230000003746 surface roughness Effects 0.000 description 8
- 239000011259 mixed solution Substances 0.000 description 7
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- LSNNMFCWUKXFEE-UHFFFAOYSA-M Bisulfite Chemical compound OS([O-])=O LSNNMFCWUKXFEE-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 5
- USIUVYZYUHIAEV-UHFFFAOYSA-N diphenyl ether Chemical compound C=1C=CC=CC=1OC1=CC=CC=C1 USIUVYZYUHIAEV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 5
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 3
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 3
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 description 3
- DDFHBQSCUXNBSA-UHFFFAOYSA-N 5-(5-carboxythiophen-2-yl)thiophene-2-carboxylic acid Chemical compound S1C(C(=O)O)=CC=C1C1=CC=C(C(O)=O)S1 DDFHBQSCUXNBSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N Hydrochloric acid Chemical compound Cl VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- DEJFCQKCJXVXGI-UHFFFAOYSA-N O.CC(O)=O.O[N+]([O-])=O.OP(O)(O)=O Chemical compound O.CC(O)=O.O[N+]([O-])=O.OP(O)(O)=O DEJFCQKCJXVXGI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 125000003342 alkenyl group Chemical group 0.000 description 2
- 239000002585 base Substances 0.000 description 2
- 125000004432 carbon atom Chemical group C* 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- VLTRZXGMWDSKGL-UHFFFAOYSA-N perchloric acid Chemical compound OCl(=O)(=O)=O VLTRZXGMWDSKGL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 1
- 230000000996 additive effect Effects 0.000 description 1
- 229910052783 alkali metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000000217 alkyl group Chemical group 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- XMPZTFVPEKAKFH-UHFFFAOYSA-P ceric ammonium nitrate Chemical compound [NH4+].[NH4+].[Ce+4].[O-][N+]([O-])=O.[O-][N+]([O-])=O.[O-][N+]([O-])=O.[O-][N+]([O-])=O.[O-][N+]([O-])=O.[O-][N+]([O-])=O XMPZTFVPEKAKFH-UHFFFAOYSA-P 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- QBEGYEWDTSUVHH-UHFFFAOYSA-P diazanium;cerium(3+);pentanitrate Chemical compound [NH4+].[NH4+].[Ce+3].[O-][N+]([O-])=O.[O-][N+]([O-])=O.[O-][N+]([O-])=O.[O-][N+]([O-])=O.[O-][N+]([O-])=O QBEGYEWDTSUVHH-UHFFFAOYSA-P 0.000 description 1
- 238000004090 dissolution Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 1
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 1
- 150000004027 organic amino compounds Chemical class 0.000 description 1
- 231100000614 poison Toxicity 0.000 description 1
- 159000000000 sodium salts Chemical class 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- 239000003440 toxic substance Substances 0.000 description 1
- 125000005270 trialkylamine group Chemical group 0.000 description 1
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-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23F—NON-MECHANICAL REMOVAL OF METALLIC MATERIAL FROM SURFACE; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL; MULTI-STEP PROCESSES FOR SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL INVOLVING AT LEAST ONE PROCESS PROVIDED FOR IN CLASS C23 AND AT LEAST ONE PROCESS COVERED BY SUBCLASS C21D OR C22F OR CLASS C25
- C23F1/00—Etching metallic material by chemical means
- C23F1/10—Etching compositions
- C23F1/14—Aqueous compositions
- C23F1/16—Acidic compositions
- C23F1/20—Acidic compositions for etching aluminium or alloys thereof
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
- C09K13/00—Etching, surface-brightening or pickling compositions
- C09K13/04—Etching, surface-brightening or pickling compositions containing an inorganic acid
- C09K13/08—Etching, surface-brightening or pickling compositions containing an inorganic acid containing a fluorine compound
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/31—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques; After treatment of these layers; Selection of materials for these layers
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- H01L21/321—After treatment
- H01L21/3213—Physical or chemical etching of the layers, e.g. to produce a patterned layer from a pre-deposited extensive layer
- H01L21/32133—Physical or chemical etching of the layers, e.g. to produce a patterned layer from a pre-deposited extensive layer by chemical means only
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- Chemical & Material Sciences (AREA)
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- Mechanical Engineering (AREA)
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- Inorganic Chemistry (AREA)
- ing And Chemical Polishing (AREA)
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Description
これらのうち、りん酸系のエッチング液が、安定かつ安価であって、また下層の絶縁膜に対して影響が少なく、エッチングの制御性に優れるため多用されている。
以上のように、テーパー角が小さく、表面荒れのない、高い平滑性を有した高品質なエッチング面を有するテーパー形状を形成するとともに、エッチング溶液滲み痕が生じないエッチング液組成物は未だ開発されていない。
また、本発明は、アルキル硫酸エステルの塩が、アルキル硫酸エステルとトリエタノールアミンまたはモノエタノールアミンとの塩である、前記エッチング液組成物に関する。
さらに、本発明は、界面活性剤の濃度が、0.001〜10質量%である、前記エッチング液組成物に関する。
また、本発明は、りん酸、硝酸、酢酸および水を含む、前記エッチング液組成物に関する。
さらに、本発明は、金属膜が、アルミニウムまたはアルミニウム合金膜である、前記エッチング液組成物に関する。
また、本発明の金属膜エッチング液組成物は、硝酸の濃度が高いにもかかわらず、エッチング溶液滲み痕が発生しない。
さらにかかる界面活性剤を含む本発明のエッチング液組成物は、TSCA(米国の有害物質規制法;the Toxic Substances Control Act)に該当せず、安全性の高いものである。
本発明のエッチング液組成物は、アルキル硫酸エステルまたはパーフルオロアルケニルフェニルエーテルスルホン酸及びそれらの塩からなる群から選択される1種または2種以上の界面活性剤を含有する。
これらの塩としては、ナトリウム塩などのアルカリ金属塩であってもよいが、半導体基板を汚染する点を考慮すると、有機アミノ化合物との塩が好ましい。
特に、アルキル硫酸エステル塩は、アルキル硫酸エステルとトリエタノールアミンまたはモノエタノールアミンとの塩がより好ましい。
本発明のエッチング液組成物に使用されるアルキル硫酸エステルおよびその塩のアルキル基は、直鎖状または分枝鎖状のアルキル基であり、炭素数は、8〜18が好ましく、さらに好ましくは、12〜14である。
各成分の濃度は、アルミニウム又はアルミニウム合金膜のエッチングレートが十分な範囲で決定することができる。りん酸の濃度は、好ましくは、30.0〜60.0質量%、さらに好ましくは45.0〜60.0質量%であり、硝酸の濃度は、好ましくは、10.0〜40.0質量%、さらに好ましくは15.0〜30.0質量%であり、酢酸の濃度は、好ましくは、1.0〜20.0質量%、さらに好ましくは2.0〜15.0質量%である。
表1に使用したエッチング液組成物の成分と組成比および該エッチング液を使用して以下の項目について、以下の方法により測定評価した結果を示す。
(アルミニウム膜エッチングレート)
500nmの膜厚のアルミニウム膜上にレジストパターンを形成した基板を、エッチング液組成物に42.5℃、1分間浸漬処理し、水洗、乾燥後、レジストを剥離し、触針式膜厚計によりエッチング量を測定した。
Si基板上に下地膜、アルミニウム膜を形成した基板を、エッチング液に42.5℃、エッチングレートから算出されるジャストエッチング時間の1.2倍の時間で浸漬処理し、水洗、乾燥後レジスト剥離したものについて、電子顕微鏡観察を行い形成されたテーパー形状のテーパー角を測定した。
Si基板上に下地膜、アルミニウム膜を形成した基板を、エッチング液に42.5℃、エッチングレートから算出されるジャストエッチング時間の1.2倍の時間で浸漬処理し、水洗、乾燥後レジスト剥離したものについて、電子顕微鏡観察を行いアルミニウム膜のエッチング面の表面荒れおよびエッチング溶液滲み痕を評価した。
トリエタノールアミンアルキルサルフェートまたはパーフルオロアルケニルフェニルエーテルスルホン酸をりん酸、硝酸、酢酸および水の混合液に添加することにより、添加しない場合と比べエッチングレートが抑制され、角度の小さい安定したテーパー形状を形成でき、さらに表面荒れ並びにエッチング溶液滲み痕が生じることがない。また、これらのエッチング液組成物は、TSCA非該当であり、安全性にも優れる。
硝酸、酢酸の組成比を高めることにより角度の小さいテーパー形状を形成できるが、エッチングレートが高く、制御が難しく、表面荒れが生じ、また、エッチング溶液滲み痕が生じた。
Claims (3)
- アルミニウムまたはアルミニウム合金膜をエッチングするエッチング液組成物であって、アルキル硫酸エステルまたはパーフルオロアルケニルフェニルエーテルスルホン酸及びそれらの塩からなる群から選択される1種または2種以上の界面活性剤、りん酸、硝酸、酢酸及び水を含有し、該界面活性剤濃度が0.001〜10質量%、該りん酸濃度が30.0〜60.0質量%、該硝酸濃度が10.0質量%〜40.0質量%、該酢酸濃度が1.0〜20.0質量%であることを特徴とする、前記エッチング液組成物。
- アルキル硫酸エステルの塩が、アルキル硫酸エステルとトリエタノールアミンまたはモノエタノールアミンとの塩である、請求項1に記載のエッチング液組成物。
- 請求項1または2に記載のエッチング液組成物を用いて、アルミニウムまたはアルミニウム合金膜をエッチングする方法。
Priority Applications (7)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2003404439A JP4428995B2 (ja) | 2003-12-03 | 2003-12-03 | 金属膜のエッチング液組成物 |
TW093136040A TWI374949B (en) | 2003-12-03 | 2004-11-23 | Etching solution composition for metal films |
KR1020040098312A KR101127564B1 (ko) | 2003-12-03 | 2004-11-27 | 금속막의 에칭액 조성물 |
SG200407134A SG112086A1 (en) | 2003-12-03 | 2004-12-01 | Etching solution composition for metal films |
US11/001,737 US20050136672A1 (en) | 2003-12-03 | 2004-12-02 | Etching solution composition for metal films |
CNB2004100983108A CN100572602C (zh) | 2003-12-03 | 2004-12-03 | 金属膜的蚀刻液组合物 |
US12/352,020 US8557711B2 (en) | 2003-12-03 | 2009-01-12 | Etching solution composition for metal films |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2003404439A JP4428995B2 (ja) | 2003-12-03 | 2003-12-03 | 金属膜のエッチング液組成物 |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2005162893A JP2005162893A (ja) | 2005-06-23 |
JP2005162893A5 JP2005162893A5 (ja) | 2007-01-25 |
JP4428995B2 true JP4428995B2 (ja) | 2010-03-10 |
Family
ID=34674849
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2003404439A Expired - Lifetime JP4428995B2 (ja) | 2003-12-03 | 2003-12-03 | 金属膜のエッチング液組成物 |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US20050136672A1 (ja) |
JP (1) | JP4428995B2 (ja) |
KR (1) | KR101127564B1 (ja) |
CN (1) | CN100572602C (ja) |
SG (1) | SG112086A1 (ja) |
TW (1) | TWI374949B (ja) |
Families Citing this family (13)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4428995B2 (ja) * | 2003-12-03 | 2010-03-10 | 関東化学株式会社 | 金属膜のエッチング液組成物 |
KR100688533B1 (ko) * | 2005-02-15 | 2007-03-02 | 삼성전자주식회사 | 공정산포,전압 및 온도에 덜민감한 저항-커패시터 발진회로 |
US20080116170A1 (en) * | 2006-11-17 | 2008-05-22 | Sian Collins | Selective metal wet etch composition and process |
JP5363713B2 (ja) | 2007-07-19 | 2013-12-11 | 三洋半導体製造株式会社 | エッチング液組成物 |
US7790624B2 (en) * | 2008-07-16 | 2010-09-07 | Global Foundries Inc. | Methods for removing a metal-comprising material from a semiconductor substrate |
JP2010163661A (ja) * | 2009-01-16 | 2010-07-29 | Sanyo Handotai Seizo Kk | エッチング液組成物 |
CN101792907A (zh) * | 2010-04-01 | 2010-08-04 | 江阴市江化微电子材料有限公司 | 一种铝钼蚀刻液 |
KR102091541B1 (ko) * | 2014-02-25 | 2020-03-20 | 동우 화인켐 주식회사 | 유기 발광 표시 장치의 제조 방법 |
CN104118871B (zh) * | 2014-07-31 | 2017-02-15 | 无锡格菲电子薄膜科技有限公司 | 一种石墨烯生长衬底的复合刻蚀液及其刻蚀方法 |
KR102456079B1 (ko) * | 2014-12-24 | 2022-11-21 | 삼성디스플레이 주식회사 | 산화물 제거용 세정 조성물 및 이를 이용한 세정 방법 |
CN107587135A (zh) * | 2016-07-08 | 2018-01-16 | 深圳新宙邦科技股份有限公司 | 一种钼铝钼蚀刻液 |
JP6751326B2 (ja) * | 2016-09-16 | 2020-09-02 | キオクシア株式会社 | 基板処理装置および半導体装置の製造方法 |
CN107286939A (zh) * | 2017-06-19 | 2017-10-24 | 江阴润玛电子材料股份有限公司 | 一种半导体芯片用镍银腐蚀液 |
Family Cites Families (28)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5832200B2 (ja) * | 1982-03-15 | 1983-07-11 | 株式会社 ネオス | 含フツ素界面活性剤およびその製法 |
JPS6156284A (ja) | 1984-08-28 | 1986-03-20 | Asahi Glass Co Ltd | 金属のエツチング用組成物 |
SU1308647A1 (ru) | 1985-07-10 | 1987-05-07 | Предприятие П/Я А-1785 | Состав защитной добавки " нтарь" дл эмульсионного травлени |
JPH01301869A (ja) | 1988-05-27 | 1989-12-06 | Dai Ichi Kogyo Seiyaku Co Ltd | ニッチング促進添加剤 |
JP2894717B2 (ja) | 1989-03-15 | 1999-05-24 | 日産化学工業株式会社 | 低表面張力硫酸組成物 |
US4895617A (en) | 1989-05-04 | 1990-01-23 | Olin Corporation | Etchant solution for photoresist-patterned metal layers |
JP2994119B2 (ja) * | 1991-11-13 | 1999-12-27 | サンスター株式会社 | 起泡性洗浄剤 |
JPH0641770A (ja) * | 1992-07-27 | 1994-02-15 | Daikin Ind Ltd | シリコンウエハ表面の処理方法 |
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JP3870292B2 (ja) * | 2002-12-10 | 2007-01-17 | 関東化学株式会社 | エッチング液組成物とそれを用いた反射板の製造方法 |
JP4428995B2 (ja) | 2003-12-03 | 2010-03-10 | 関東化学株式会社 | 金属膜のエッチング液組成物 |
-
2003
- 2003-12-03 JP JP2003404439A patent/JP4428995B2/ja not_active Expired - Lifetime
-
2004
- 2004-11-23 TW TW093136040A patent/TWI374949B/zh not_active IP Right Cessation
- 2004-11-27 KR KR1020040098312A patent/KR101127564B1/ko not_active IP Right Cessation
- 2004-12-01 SG SG200407134A patent/SG112086A1/en unknown
- 2004-12-02 US US11/001,737 patent/US20050136672A1/en not_active Abandoned
- 2004-12-03 CN CNB2004100983108A patent/CN100572602C/zh not_active Expired - Fee Related
-
2009
- 2009-01-12 US US12/352,020 patent/US8557711B2/en active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
TWI374949B (en) | 2012-10-21 |
US20090124091A1 (en) | 2009-05-14 |
KR20050053493A (ko) | 2005-06-08 |
SG112086A1 (en) | 2005-06-29 |
CN100572602C (zh) | 2009-12-23 |
KR101127564B1 (ko) | 2012-03-26 |
TW200519228A (en) | 2005-06-16 |
JP2005162893A (ja) | 2005-06-23 |
US8557711B2 (en) | 2013-10-15 |
US20050136672A1 (en) | 2005-06-23 |
CN1651608A (zh) | 2005-08-10 |
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A977 | Report on retrieval |
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A131 | Notification of reasons for refusal |
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A521 | Request for written amendment filed |
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A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
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|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
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FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
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S533 | Written request for registration of change of name |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313533 |
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FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20121225 Year of fee payment: 3 |
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R360 | Written notification for declining of transfer of rights |
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FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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R360 | Written notification for declining of transfer of rights |
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R371 | Transfer withdrawn |
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R350 | Written notification of registration of transfer |
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FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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