JP4401834B2 - 露光装置及び位置合わせ方法 - Google Patents
露光装置及び位置合わせ方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP4401834B2 JP4401834B2 JP2004084615A JP2004084615A JP4401834B2 JP 4401834 B2 JP4401834 B2 JP 4401834B2 JP 2004084615 A JP2004084615 A JP 2004084615A JP 2004084615 A JP2004084615 A JP 2004084615A JP 4401834 B2 JP4401834 B2 JP 4401834B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- substrate
- alignment
- photomask
- detecting
- mark
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 8
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 48
- 238000004364 calculation method Methods 0.000 claims description 3
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 7
- 230000005484 gravity Effects 0.000 description 6
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 3
- 230000002950 deficient Effects 0.000 description 2
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 1
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 238000004088 simulation Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70691—Handling of masks or workpieces
- G03F7/70775—Position control, e.g. interferometers or encoders for determining the stage position
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70483—Information management; Active and passive control; Testing; Wafer monitoring, e.g. pattern monitoring
- G03F7/70591—Testing optical components
- G03F7/706—Aberration measurement
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70691—Handling of masks or workpieces
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/708—Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
- G03F7/7085—Detection arrangement, e.g. detectors of apparatus alignment possibly mounted on wafers, exposure dose, photo-cleaning flux, stray light, thermal load
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F9/00—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically
- G03F9/70—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically for microlithography
- G03F9/7003—Alignment type or strategy, e.g. leveling, global alignment
- G03F9/7023—Aligning or positioning in direction perpendicular to substrate surface
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F9/00—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically
- G03F9/70—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically for microlithography
- G03F9/7073—Alignment marks and their environment
- G03F9/7084—Position of mark on substrate, i.e. position in (x, y, z) of mark, e.g. buried or resist covered mark, mark on rearside, at the substrate edge, in the circuit area, latent image mark, marks in plural levels
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Environmental & Geological Engineering (AREA)
- Epidemiology (AREA)
- Public Health (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Length Measuring Devices By Optical Means (AREA)
Description
そのため、フォトマスクと基板側に位置合わせのためのマークを形成しておき、該マークに基づいて位置合わせをするのが普通である。通常はフォトマスクと基板側にそれぞれ複数のマークを設け、該マークの重心を求めて該重心を一致させることにより位置合わせを行っている。
本発明は上記従来技術の問題を解決することを目的とする。
図1はプリント配線基板を製造するための露光装置であり、フォトレジストを施された基板Wはプラテン3上に載置され、移動機構2によりXYZ及びθ方向に移動可能になっている。
また、プラテン3を移動させるのではなくフォトマスクMを移動させることも可能であり、更に両者を移動させるように構成することも可能である。
CCDカメラ4、4の画像信号は演算制御装置1に送られ、演算制御装置1は移動機構2を制御して、位置合わせのためにプラテン3を移動させるように構成されている。
このような状況で従来技術のようにマスク重心と基板重心を一致させても、(C)に示すようにP2点において3/4△しか修正されない。
従って、もし規格値が3/4△未満であった場合、このプリント基板Wは位置合わせをして露光したものの、不良基板となってしまう。
なお、N回の位置合わせは計算によるシミュレーションで行うことが望ましい。
<ステップ1>
最初に、一次的な位置合わせを行い、基板マーク10とマスクマーク20とがCCDカメラ4の視野に入るように設定する(S1)。
基板WとマスクMの位置合わせを行い、P1、P2、P3、P4における基板マーク10とマスクマーク20のずれDpを検出する(S2)。この中の最大値MDpを記憶する(S3)。
ステップ2をN回繰り返し(S4)、N個の最大値MDpを検出し、その中の最小値MDpminを求める(S5)。
これらの検出は検出装置7において行われる。
MDpmin<所定値か否か判別/判定装置8において判別し(S6)、所定値以下であれば、該最小値MDpminを検出したn回目の位置合わせの位置が最適位置と判定する(S7)。
所定値以下でなければ、該基板Wは不良品と判定する(S8)。
図4は、マスクマーク20を中心としてそのずれDの許容範囲(D公差)内に基板マーク10が位置する状態を示している。
本発明においては、基板Wが伸びた場合も(A)、縮んだ場合も(C)、D公差内に入り、また標準な場合には(B)ほぼ公差の中央部に位置し、常に最適な位置合わせが行えることがわかる。
Claims (4)
- 被露光対象である基板の複数の位置P点に設けられ、該基板と露光すべきパターンを描いたフォトマスクとを位置合わせするための複数の基板マークと、
前記複数の基板マークのそれぞれに対応して前記フォトマスクに設けられた複数のマスクマークと、
前記基板とフォトマスクとの位置合わせを行い、その時の各P点における前記各基板マークと対応するマスクマークの位置のずれDpを検出する手段と、
前記ずれDpの最大値MDpを検出する手段と、
前記位置合わせをN回繰り返し、各回の最大値MDpを検出する手段と、
前記N個の最大値MDpの中の最小値MDminを検出する手段と、
該最小値MDminが所定値以下か否か判別する手段と、
前記判別する手段により所定値以下と判別されたら、該MDminが得られたn回目の位置合わせ位置を最も適当な位置合わせ位置と判定する手段と、
を備えたことを特徴とする露光装置。 - 前記N回の位置合わせを計算により行う手段を更に備えた、
請求項1に記載の露光装置。 - 被露光対象である基板の複数の位置P点に設けられ、該基板と露光すべきパターンを描いたフォトマスクとを位置合わせするための複数の基板マークと、前記複数の基板マークのそれぞれに対応して前記フォトマスクに設けられた複数のマスクマークと、に基づいて位置合わせを行う位置合わせ方法であって、
前記基板とフォトマスクとの位置合わせを行い、その時の各P点における前記各基板マークと対応するマスクマークの位置のずれDpを検出するステップと、
前記ずれDpの最大値MDpを検出するステップと、
前記位置合わせをN回繰り返し、各回の最大値MDpを検出するステップと、
前記N個の最大値MDpの中の最小値MDminを検出するステップと、
該最小値MDminが所定値以下か否か判別するステップと、
前記判別する手段により所定値以下と判別されたら、該MDminが得られたn回目の位置合わせ位置を最も適当な位置合わせ位置と判定するステップと、
を有する位置合わせ方法。 - 前記N回の位置合わせを計算により行う、
請求項3に記載の位置合わせ方法。
Priority Applications (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2004084615A JP4401834B2 (ja) | 2004-03-23 | 2004-03-23 | 露光装置及び位置合わせ方法 |
TW094104615A TW200532399A (en) | 2004-03-23 | 2005-02-17 | Exposure device and positioning method |
KR1020050014531A KR101089839B1 (ko) | 2004-03-23 | 2005-02-22 | 노광장치 및 위치맞춤 방법 |
CNB2005100590781A CN100552544C (zh) | 2004-03-23 | 2005-03-21 | 曝光装置和定位方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2004084615A JP4401834B2 (ja) | 2004-03-23 | 2004-03-23 | 露光装置及び位置合わせ方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2005274687A JP2005274687A (ja) | 2005-10-06 |
JP4401834B2 true JP4401834B2 (ja) | 2010-01-20 |
Family
ID=35046471
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2004084615A Expired - Lifetime JP4401834B2 (ja) | 2004-03-23 | 2004-03-23 | 露光装置及び位置合わせ方法 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP4401834B2 (ja) |
KR (1) | KR101089839B1 (ja) |
CN (1) | CN100552544C (ja) |
TW (1) | TW200532399A (ja) |
Families Citing this family (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP5055095B2 (ja) * | 2007-11-06 | 2012-10-24 | 株式会社ヤチヨ・コーポレイション | 測定装置及び測定方法 |
JP5633021B2 (ja) * | 2009-06-29 | 2014-12-03 | 株式会社ブイ・テクノロジー | アライメント方法、アライメント装置及び露光装置 |
JP5757857B2 (ja) * | 2011-12-27 | 2015-08-05 | 新光電気工業株式会社 | 配線基板の加工位置の補正方法 |
JP7019975B2 (ja) * | 2017-06-21 | 2022-02-16 | 株式会社ニコン | 位置合わせ方法、位置合わせ装置およびプログラム |
Family Cites Families (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2001083714A (ja) | 1999-09-10 | 2001-03-30 | Hitachi Electronics Eng Co Ltd | 露光装置の基板位置合わせ機構 |
JP2001109169A (ja) * | 1999-10-13 | 2001-04-20 | Nikon Corp | 露光装置、露光方法およびマスク |
JP4508354B2 (ja) | 2000-04-28 | 2010-07-21 | キヤノン株式会社 | 走査露光装置および走査露光方法 |
-
2004
- 2004-03-23 JP JP2004084615A patent/JP4401834B2/ja not_active Expired - Lifetime
-
2005
- 2005-02-17 TW TW094104615A patent/TW200532399A/zh unknown
- 2005-02-22 KR KR1020050014531A patent/KR101089839B1/ko active IP Right Grant
- 2005-03-21 CN CNB2005100590781A patent/CN100552544C/zh active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR101089839B1 (ko) | 2011-12-05 |
TW200532399A (en) | 2005-10-01 |
CN100552544C (zh) | 2009-10-21 |
CN1673860A (zh) | 2005-09-28 |
KR20060043068A (ko) | 2006-05-15 |
JP2005274687A (ja) | 2005-10-06 |
TWI347500B (ja) | 2011-08-21 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US6218200B1 (en) | Multi-layer registration control for photolithography processes | |
KR100519252B1 (ko) | 오버레이 마크, 오버레이 마크 형성방법 및 오버레이측정방법 | |
WO2007049640A1 (ja) | 露光方法及び露光装置 | |
TWI443476B (zh) | 動態晶圓對位方法及曝光掃瞄系統 | |
US6420077B1 (en) | Contact hole model-based optical proximity correction method | |
JP2005148531A (ja) | 基板伸縮に対応したプリント配線基板用露光装置 | |
JP4401834B2 (ja) | 露光装置及び位置合わせ方法 | |
JP2009098467A (ja) | 露光装置 | |
TW202419985A (zh) | 基於相關關係的套刻鍵標定心系統及其方法 | |
JP2009014864A (ja) | 露光装置、露光方法、及び表示用パネル基板の製造方法 | |
TW201504768A (zh) | 基板上的圖案化方法 | |
JP4342844B2 (ja) | 露光装置 | |
JP2005062706A (ja) | 露光装置 | |
JP2007194357A (ja) | 重ね合わせマークおよびその製造方法 | |
KR20050066889A (ko) | 마스크 정렬 및 오버레이 정렬을 위한 마크 시스템 | |
KR100375290B1 (ko) | 웨이퍼 패턴 오차의 요인 해석 방법 및 사진 제판용마스크의 제조 장치 | |
JP3814982B2 (ja) | 重ね合わせ精度測定方法及び測定機 | |
TWI596426B (zh) | 檢測底片誤差的方法及其系統 | |
JP2008010793A (ja) | 露光位置マークの位置ずれ検出方法 | |
KR100611069B1 (ko) | 얼라인 마크를 이용하여 오버레이 보정 및 정렬 보정을수행하는 방법 | |
KR20050037675A (ko) | 노광 장치의 정렬 상태를 보정하기 위한 방법 | |
KR20010108541A (ko) | 반도체 공정에서의 오버레이 패턴 측정 방법 | |
JP2004031542A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
JP2005338357A (ja) | プリント配線板の製造方法および装置 | |
KR100532761B1 (ko) | 오버레이 측정 마크의 형성 방법 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20061113 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20090615 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20090623 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20090717 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20091020 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20091028 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 4401834 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20121106 Year of fee payment: 3 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20151106 Year of fee payment: 6 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
EXPY | Cancellation because of completion of term |