JP4463473B2 - 前駆体を含有するナノ粒子を用いた金属のパターニング方法 - Google Patents
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- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 title claims description 147
- 239000002184 metal Substances 0.000 title claims description 147
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 100
- 239000002105 nanoparticle Substances 0.000 title description 139
- 239000002243 precursor Substances 0.000 title description 14
- 238000000059 patterning Methods 0.000 title description 11
- 239000003446 ligand Substances 0.000 claims description 82
- 239000002082 metal nanoparticle Substances 0.000 claims description 64
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 claims description 59
- 239000002131 composite material Substances 0.000 claims description 38
- 230000005284 excitation Effects 0.000 claims description 37
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 37
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 claims description 33
- 125000004429 atom Chemical group 0.000 claims description 26
- 229910021645 metal ion Inorganic materials 0.000 claims description 25
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 claims description 24
- 150000003839 salts Chemical class 0.000 claims description 24
- -1 phenylene vinylene chain Chemical group 0.000 claims description 16
- 239000012634 fragment Substances 0.000 claims description 14
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 claims description 13
- KZCOBXFFBQJQHH-UHFFFAOYSA-N octane-1-thiol Chemical compound CCCCCCCCS KZCOBXFFBQJQHH-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 13
- 239000013110 organic ligand Substances 0.000 claims description 12
- 230000005855 radiation Effects 0.000 claims description 12
- 230000009467 reduction Effects 0.000 claims description 11
- WNAHIZMDSQCWRP-UHFFFAOYSA-N dodecane-1-thiol Chemical compound CCCCCCCCCCCCS WNAHIZMDSQCWRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 10
- UJOBWOGCFQCDNV-UHFFFAOYSA-N 9H-carbazole Chemical compound C1=CC=C2C3=CC=CC=C3NC2=C1 UJOBWOGCFQCDNV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- 125000001997 phenyl group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C(*)C([H])=C1[H] 0.000 claims description 7
- 230000005281 excited state Effects 0.000 claims description 6
- 206010073306 Exposure to radiation Diseases 0.000 claims description 5
- IAYPIBMASNFSPL-UHFFFAOYSA-N Ethylene oxide Chemical group C1CO1 IAYPIBMASNFSPL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 125000003118 aryl group Chemical group 0.000 claims description 4
- 125000004432 carbon atom Chemical group C* 0.000 claims description 4
- 125000005730 thiophenylene group Chemical group 0.000 claims description 4
- NGQSLSMAEVWNPU-UHFFFAOYSA-N 1,2-bis(2-phenylethenyl)benzene Chemical compound C=1C=CC=CC=1C=CC1=CC=CC=C1C=CC1=CC=CC=C1 NGQSLSMAEVWNPU-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 125000000217 alkyl group Chemical group 0.000 claims description 3
- CXKWCBBOMKCUKX-UHFFFAOYSA-M methylene blue Chemical compound [Cl-].C1=CC(N(C)C)=CC2=[S+]C3=CC(N(C)C)=CC=C3N=C21 CXKWCBBOMKCUKX-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 3
- 229960000907 methylthioninium chloride Drugs 0.000 claims description 3
- 230000001443 photoexcitation Effects 0.000 claims description 3
- UEXCJVNBTNXOEH-UHFFFAOYSA-N Ethynylbenzene Chemical group C#CC1=CC=CC=C1 UEXCJVNBTNXOEH-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 108091034117 Oligonucleotide Proteins 0.000 claims description 2
- 125000001072 heteroaryl group Chemical group 0.000 claims description 2
- 150000002430 hydrocarbons Chemical group 0.000 claims description 2
- 125000000325 methylidene group Chemical group [H]C([H])=* 0.000 claims description 2
- 125000000951 phenoxy group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C(O*)C([H])=C1[H] 0.000 claims description 2
- 125000000843 phenylene group Chemical group C1(=C(C=CC=C1)*)* 0.000 claims description 2
- 108090000765 processed proteins & peptides Proteins 0.000 claims description 2
- 125000000391 vinyl group Chemical group [H]C([*])=C([H])[H] 0.000 claims description 2
- APQXWKHOGQFGTB-UHFFFAOYSA-N 1-ethenyl-9h-carbazole Chemical group C12=CC=CC=C2NC2=C1C=CC=C2C=C APQXWKHOGQFGTB-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 2
- YTPLMLYBLZKORZ-UHFFFAOYSA-N Thiophene Chemical compound C=1C=CSC=1 YTPLMLYBLZKORZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 2
- DKIDEFUBRARXTE-UHFFFAOYSA-N 3-mercaptopropanoic acid Chemical compound OC(=O)CCS DKIDEFUBRARXTE-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- IXSIGMSPUQSCGY-UHFFFAOYSA-N 8-carbazol-9-yldodecane-1-thiol Chemical compound C1=CC=C2N(C(CCCCCCCS)CCCC)C3=CC=CC=C3C2=C1 IXSIGMSPUQSCGY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- IYEPXFMNOLPDSG-UHFFFAOYSA-N 8-carbazol-9-yloctane-1-thiol Chemical compound C1=CC=C2N(CCCCCCCCS)C3=CC=CC=C3C2=C1 IYEPXFMNOLPDSG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- FERIUCNNQQJTOY-UHFFFAOYSA-M Butyrate Chemical compound CCCC([O-])=O FERIUCNNQQJTOY-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims 1
- VPIAKHNXCOTPAY-UHFFFAOYSA-N Heptane-1-thiol Chemical compound CCCCCCCS VPIAKHNXCOTPAY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 230000008878 coupling Effects 0.000 claims 1
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 claims 1
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 claims 1
- 125000002147 dimethylamino group Chemical group [H]C([H])([H])N(*)C([H])([H])[H] 0.000 claims 1
- 125000001495 ethyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 claims 1
- ANRHNWWPFJCPAZ-UHFFFAOYSA-M thionine Chemical compound [Cl-].C1=CC(N)=CC2=[S+]C3=CC(N)=CC=C3N=C21 ANRHNWWPFJCPAZ-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims 1
- 229930192474 thiophene Natural products 0.000 claims 1
- 239000010408 film Substances 0.000 description 132
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 120
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 89
- HEDRZPFGACZZDS-UHFFFAOYSA-N Chloroform Chemical compound ClC(Cl)Cl HEDRZPFGACZZDS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 78
- 239000000975 dye Substances 0.000 description 74
- WEVYAHXRMPXWCK-UHFFFAOYSA-N Acetonitrile Chemical compound CC#N WEVYAHXRMPXWCK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 63
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 51
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 49
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 45
- CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N Acetone Chemical compound CC(C)=O CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 42
- 239000000463 material Substances 0.000 description 41
- 238000003756 stirring Methods 0.000 description 40
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 39
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 37
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 34
- YMWUJEATGCHHMB-UHFFFAOYSA-N Dichloromethane Chemical compound ClCCl YMWUJEATGCHHMB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 33
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 32
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 31
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 31
- 230000008569 process Effects 0.000 description 30
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 28
- 235000019441 ethanol Nutrition 0.000 description 26
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 24
- 239000000523 sample Substances 0.000 description 24
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 23
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 23
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 23
- 238000003786 synthesis reaction Methods 0.000 description 22
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 21
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 21
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 20
- YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N Toluene Chemical compound CC1=CC=CC=C1 YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 18
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 18
- FOIXSVOLVBLSDH-UHFFFAOYSA-N Silver ion Chemical compound [Ag+] FOIXSVOLVBLSDH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 17
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 17
- 239000011148 porous material Substances 0.000 description 17
- VLKZOEOYAKHREP-UHFFFAOYSA-N n-Hexane Chemical compound CCCCCC VLKZOEOYAKHREP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 15
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 14
- 239000012071 phase Substances 0.000 description 14
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 14
- 229920003227 poly(N-vinyl carbazole) Polymers 0.000 description 13
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 13
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 13
- HOQAPVYOGBLGOC-UHFFFAOYSA-N 1-ethyl-9h-carbazole Chemical compound C12=CC=CC=C2NC2=C1C=CC=C2CC HOQAPVYOGBLGOC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- WYURNTSHIVDZCO-UHFFFAOYSA-N Tetrahydrofuran Chemical compound C1CCOC1 WYURNTSHIVDZCO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- 239000012300 argon atmosphere Substances 0.000 description 12
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- 238000005266 casting Methods 0.000 description 10
- KKFHAJHLJHVUDM-UHFFFAOYSA-N n-vinylcarbazole Chemical group C1=CC=C2N(C=C)C3=CC=CC=C3C2=C1 KKFHAJHLJHVUDM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 10
- XEKOWRVHYACXOJ-UHFFFAOYSA-N Ethyl acetate Chemical compound CCOC(C)=O XEKOWRVHYACXOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N Methanol Chemical compound OC OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 238000005481 NMR spectroscopy Methods 0.000 description 9
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 9
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 9
- 239000002114 nanocomposite Substances 0.000 description 9
- 238000006722 reduction reaction Methods 0.000 description 9
- 239000003153 chemical reaction reagent Substances 0.000 description 8
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 8
- 239000004014 plasticizer Substances 0.000 description 8
- 150000003573 thiols Chemical class 0.000 description 8
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 7
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 7
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 7
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 7
- 239000011259 mixed solution Substances 0.000 description 7
- 229920003229 poly(methyl methacrylate) Polymers 0.000 description 7
- 239000004926 polymethyl methacrylate Substances 0.000 description 7
- 239000000047 product Substances 0.000 description 7
- 238000012552 review Methods 0.000 description 7
- GGCZERPQGJTIQP-UHFFFAOYSA-N sodium;9,10-dioxoanthracene-2-sulfonic acid Chemical compound [Na+].C1=CC=C2C(=O)C3=CC(S(=O)(=O)O)=CC=C3C(=O)C2=C1 GGCZERPQGJTIQP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 238000003917 TEM image Methods 0.000 description 6
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 6
- 238000013500 data storage Methods 0.000 description 6
- 238000011161 development Methods 0.000 description 6
- 230000018109 developmental process Effects 0.000 description 6
- 150000002739 metals Chemical group 0.000 description 6
- 239000000049 pigment Substances 0.000 description 6
- SQGYOTSLMSWVJD-UHFFFAOYSA-N silver(1+) nitrate Chemical compound [Ag+].[O-]N(=O)=O SQGYOTSLMSWVJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 description 6
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 6
- YLQBMQCUIZJEEH-UHFFFAOYSA-N tetrahydrofuran Natural products C=1C=COC=1 YLQBMQCUIZJEEH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 238000013459 approach Methods 0.000 description 5
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 5
- 238000000921 elemental analysis Methods 0.000 description 5
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 description 5
- 238000007540 photo-reduction reaction Methods 0.000 description 5
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 5
- LIVNPJMFVYWSIS-UHFFFAOYSA-N silicon monoxide Chemical compound [Si-]#[O+] LIVNPJMFVYWSIS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- IAZDPXIOMUYVGZ-UHFFFAOYSA-N Dimethylsulphoxide Chemical compound CS(C)=O IAZDPXIOMUYVGZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N Isopropanol Chemical compound CC(C)O KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 150000001356 alkyl thiols Chemical class 0.000 description 4
- 230000005587 bubbling Effects 0.000 description 4
- 230000008859 change Effects 0.000 description 4
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 4
- 238000004320 controlled atmosphere Methods 0.000 description 4
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 4
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 4
- 125000002485 formyl group Chemical group [H]C(*)=O 0.000 description 4
- 230000006870 function Effects 0.000 description 4
- 238000004770 highest occupied molecular orbital Methods 0.000 description 4
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 4
- 239000002086 nanomaterial Substances 0.000 description 4
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 4
- 230000006911 nucleation Effects 0.000 description 4
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 4
- 230000009257 reactivity Effects 0.000 description 4
- 229920006395 saturated elastomer Polymers 0.000 description 4
- 238000000935 solvent evaporation Methods 0.000 description 4
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 4
- 101710134784 Agnoprotein Proteins 0.000 description 3
- UHOVQNZJYSORNB-UHFFFAOYSA-N Benzene Chemical compound C1=CC=CC=C1 UHOVQNZJYSORNB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N Diethyl ether Chemical compound CCOCC RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M Sodium hydroxide Chemical compound [OH-].[Na+] HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 3
- 238000000026 X-ray photoelectron spectrum Methods 0.000 description 3
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 3
- 239000012298 atmosphere Substances 0.000 description 3
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 3
- 238000004364 calculation method Methods 0.000 description 3
- 238000012512 characterization method Methods 0.000 description 3
- 239000003638 chemical reducing agent Substances 0.000 description 3
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 3
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 238000000609 electron-beam lithography Methods 0.000 description 3
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 3
- 238000001914 filtration Methods 0.000 description 3
- 230000031700 light absorption Effects 0.000 description 3
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 3
- 239000007791 liquid phase Substances 0.000 description 3
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 3
- 230000004660 morphological change Effects 0.000 description 3
- 230000007935 neutral effect Effects 0.000 description 3
- 238000010899 nucleation Methods 0.000 description 3
- 238000000879 optical micrograph Methods 0.000 description 3
- 229920006254 polymer film Polymers 0.000 description 3
- 239000002244 precipitate Substances 0.000 description 3
- 239000011541 reaction mixture Substances 0.000 description 3
- 238000002310 reflectometry Methods 0.000 description 3
- 229910001961 silver nitrate Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910001494 silver tetrafluoroborate Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000000527 sonication Methods 0.000 description 3
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 3
- 229920002554 vinyl polymer Polymers 0.000 description 3
- 238000001644 13C nuclear magnetic resonance spectroscopy Methods 0.000 description 2
- VHYFNPMBLIVWCW-UHFFFAOYSA-N 4-Dimethylaminopyridine Chemical compound CN(C)C1=CC=NC=C1 VHYFNPMBLIVWCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- IMNFDUFMRHMDMM-UHFFFAOYSA-N N-Heptane Chemical compound CCCCCCC IMNFDUFMRHMDMM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- OFBQJSOFQDEBGM-UHFFFAOYSA-N Pentane Chemical compound CCCCC OFBQJSOFQDEBGM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000000995 aerosol-assisted chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 238000004220 aggregation Methods 0.000 description 2
- 230000002776 aggregation Effects 0.000 description 2
- 150000001299 aldehydes Chemical class 0.000 description 2
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910003481 amorphous carbon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000003054 catalyst Substances 0.000 description 2
- 210000004027 cell Anatomy 0.000 description 2
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 2
- 238000004581 coalescence Methods 0.000 description 2
- RYTYSMSQNNBZDP-UHFFFAOYSA-N cobalt copper Chemical group [Co].[Cu] RYTYSMSQNNBZDP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 2
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 2
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 2
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 2
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 2
- 238000004090 dissolution Methods 0.000 description 2
- 238000012377 drug delivery Methods 0.000 description 2
- 238000007772 electroless plating Methods 0.000 description 2
- 238000005562 fading Methods 0.000 description 2
- 239000000706 filtrate Substances 0.000 description 2
- 230000004927 fusion Effects 0.000 description 2
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 2
- 230000009477 glass transition Effects 0.000 description 2
- 150000002343 gold Chemical class 0.000 description 2
- PQTCMBYFWMFIGM-UHFFFAOYSA-N gold silver Chemical compound [Ag].[Au] PQTCMBYFWMFIGM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 2
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 description 2
- 238000007654 immersion Methods 0.000 description 2
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004615 ingredient Substances 0.000 description 2
- 238000010884 ion-beam technique Methods 0.000 description 2
- 230000005865 ionizing radiation Effects 0.000 description 2
- 238000004377 microelectronic Methods 0.000 description 2
- 238000004776 molecular orbital Methods 0.000 description 2
- 239000000178 monomer Substances 0.000 description 2
- 239000003921 oil Substances 0.000 description 2
- 238000000399 optical microscopy Methods 0.000 description 2
- 239000012044 organic layer Substances 0.000 description 2
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 2
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 2
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000004038 photonic crystal Substances 0.000 description 2
- 108090000623 proteins and genes Proteins 0.000 description 2
- 238000000197 pyrolysis Methods 0.000 description 2
- 150000005838 radical anions Chemical class 0.000 description 2
- 230000008439 repair process Effects 0.000 description 2
- 238000001878 scanning electron micrograph Methods 0.000 description 2
- 239000013545 self-assembled monolayer Substances 0.000 description 2
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 2
- 150000003378 silver Chemical class 0.000 description 2
- OMOBEQBCAKHIKV-UHFFFAOYSA-M silver;dodecane-1-thiolate Chemical compound [Ag+].CCCCCCCCCCCC[S-] OMOBEQBCAKHIKV-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- 239000007790 solid phase Substances 0.000 description 2
- 239000011877 solvent mixture Substances 0.000 description 2
- 230000003595 spectral effect Effects 0.000 description 2
- 238000010561 standard procedure Methods 0.000 description 2
- 239000007858 starting material Substances 0.000 description 2
- PJANXHGTPQOBST-UHFFFAOYSA-N stilbene Chemical compound C=1C=CC=CC=1C=CC1=CC=CC=C1 PJANXHGTPQOBST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- UMGDCJDMYOKAJW-UHFFFAOYSA-N thiourea Chemical compound NC(N)=S UMGDCJDMYOKAJW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- JOXIMZWYDAKGHI-UHFFFAOYSA-N toluene-4-sulfonic acid Chemical compound CC1=CC=C(S(O)(=O)=O)C=C1 JOXIMZWYDAKGHI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000005406 washing Methods 0.000 description 2
- SCYULBFZEHDVBN-UHFFFAOYSA-N 1,1-Dichloroethane Chemical compound CC(Cl)Cl SCYULBFZEHDVBN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OCJBOOLMMGQPQU-UHFFFAOYSA-N 1,4-dichlorobenzene Chemical compound ClC1=CC=C(Cl)C=C1 OCJBOOLMMGQPQU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AQHUNLVHCVVGTB-UHFFFAOYSA-N 1-carbazol-9-yloctane-1-thiol Chemical compound C1=CC=C2N(C(S)CCCCCCC)C3=CC=CC=C3C2=C1 AQHUNLVHCVVGTB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RZKLKBFAOKJZGF-FQHZWJPGSA-N 11-[2,5-bis[(e)-2-[4-(diethylamino)phenyl]ethenyl]-4-methoxyphenoxy]undecane-1-thiol Chemical compound C1=CC(N(CC)CC)=CC=C1\C=C\C(C(=C1)OC)=CC(OCCCCCCCCCCCS)=C1\C=C\C1=CC=C(N(CC)CC)C=C1 RZKLKBFAOKJZGF-FQHZWJPGSA-N 0.000 description 1
- SIICMIAWZCLZIC-JYFOCSDGSA-N 11-[4-methoxy-2,5-bis[(e)-2-(4-nitrophenyl)ethenyl]phenoxy]undecane-1-thiol Chemical compound SCCCCCCCCCCCOC=1C=C(\C=C\C=2C=CC(=CC=2)[N+]([O-])=O)C(OC)=CC=1\C=C\C1=CC=C([N+]([O-])=O)C=C1 SIICMIAWZCLZIC-JYFOCSDGSA-N 0.000 description 1
- OZAIFHULBGXAKX-UHFFFAOYSA-N 2-(2-cyanopropan-2-yldiazenyl)-2-methylpropanenitrile Chemical compound N#CC(C)(C)N=NC(C)(C)C#N OZAIFHULBGXAKX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229940044192 2-hydroxyethyl methacrylate Drugs 0.000 description 1
- 125000000175 2-thienyl group Chemical group S1C([*])=C([H])C([H])=C1[H] 0.000 description 1
- IWDKJKLKDYDDOG-FLFKKZLDSA-N 4-[(e)-2-[4-[(e)-2-(4-formylphenyl)ethenyl]-5-methoxy-2-(11-sulfanylundecoxy)phenyl]ethenyl]benzaldehyde Chemical compound SCCCCCCCCCCCOC=1C=C(\C=C\C=2C=CC(C=O)=CC=2)C(OC)=CC=1\C=C\C1=CC=C(C=O)C=C1 IWDKJKLKDYDDOG-FLFKKZLDSA-N 0.000 description 1
- SVDQDYUDUAODKD-UHFFFAOYSA-N 4-[2-[4-[2-(4-formylphenyl)ethenyl]-3-(3-hydroxypropoxy)phenyl]ethenyl]benzaldehyde Chemical compound C=1C=C(C=CC=2C=CC(C=O)=CC=2)C(OCCCO)=CC=1C=CC1=CC=C(C=O)C=C1 SVDQDYUDUAODKD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DHHFGQADZVYGIE-UHFFFAOYSA-N 9h-carbazole-1-carboxylic acid Chemical compound C12=CC=CC=C2NC2=C1C=CC=C2C(=O)O DHHFGQADZVYGIE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OZAIFHULBGXAKX-VAWYXSNFSA-N AIBN Substances N#CC(C)(C)\N=N\C(C)(C)C#N OZAIFHULBGXAKX-VAWYXSNFSA-N 0.000 description 1
- 229910001316 Ag alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910001020 Au alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920002165 CarbonCast Polymers 0.000 description 1
- 229910021595 Copper(I) iodide Inorganic materials 0.000 description 1
- 108010010803 Gelatin Proteins 0.000 description 1
- WOBHKFSMXKNTIM-UHFFFAOYSA-N Hydroxyethyl methacrylate Chemical compound CC(=C)C(=O)OCCO WOBHKFSMXKNTIM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000575 Ir alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- BPQQTUXANYXVAA-UHFFFAOYSA-N Orthosilicate Chemical compound [O-][Si]([O-])([O-])[O-] BPQQTUXANYXVAA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AOYBBNFVYSFELM-UHFFFAOYSA-N P(O)(O)O.ClC[Au](C)C Chemical compound P(O)(O)O.ClC[Au](C)C AOYBBNFVYSFELM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 1
- 239000004809 Teflon Substances 0.000 description 1
- 229920006362 Teflon® Polymers 0.000 description 1
- XSQUKJJJFZCRTK-UHFFFAOYSA-N Urea Natural products NC(N)=O XSQUKJJJFZCRTK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PNNSTTVHNHPWGV-UHFFFAOYSA-N [Fe].[Au].[Au] Chemical compound [Fe].[Au].[Au] PNNSTTVHNHPWGV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000000862 absorption spectrum Methods 0.000 description 1
- DHKHKXVYLBGOIT-UHFFFAOYSA-N acetaldehyde Diethyl Acetal Natural products CCOC(C)OCC DHKHKXVYLBGOIT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000002777 acetyl group Chemical class [H]C([H])([H])C(*)=O 0.000 description 1
- 150000001335 aliphatic alkanes Chemical class 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000005428 anthryl group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C2C([H])=C3C(*)=C([H])C([H])=C([H])C3=C([H])C2=C1[H] 0.000 description 1
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 1
- 238000003491 array Methods 0.000 description 1
- 238000010923 batch production Methods 0.000 description 1
- 229910002056 binary alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920000249 biocompatible polymer Polymers 0.000 description 1
- 230000003592 biomimetic effect Effects 0.000 description 1
- 230000033558 biomineral tissue development Effects 0.000 description 1
- 229920001222 biopolymer Polymers 0.000 description 1
- UAIXRPCCYXNJMQ-RZIPZOSSSA-N buprenorphine hydrochlorie Chemical compound [Cl-].C([C@]12[C@H]3OC=4C(O)=CC=C(C2=4)C[C@@H]2[C@]11CC[C@]3([C@H](C1)[C@](C)(O)C(C)(C)C)OC)C[NH+]2CC1CC1 UAIXRPCCYXNJMQ-RZIPZOSSSA-N 0.000 description 1
- 125000000609 carbazolyl group Chemical group C1(=CC=CC=2C3=CC=CC=C3NC12)* 0.000 description 1
- 150000001735 carboxylic acids Chemical class 0.000 description 1
- 150000001768 cations Chemical class 0.000 description 1
- 238000012993 chemical processing Methods 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 239000000084 colloidal system Substances 0.000 description 1
- 239000012230 colorless oil Substances 0.000 description 1
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 1
- 238000010276 construction Methods 0.000 description 1
- 238000010924 continuous production Methods 0.000 description 1
- 239000000599 controlled substance Substances 0.000 description 1
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 1
- 150000001879 copper Chemical class 0.000 description 1
- LSXDOTMGLUJQCM-UHFFFAOYSA-M copper(i) iodide Chemical compound I[Cu] LSXDOTMGLUJQCM-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 239000012792 core layer Substances 0.000 description 1
- 238000012937 correction Methods 0.000 description 1
- 239000012043 crude product Substances 0.000 description 1
- 238000002425 crystallisation Methods 0.000 description 1
- 230000008025 crystallization Effects 0.000 description 1
- 230000002950 deficient Effects 0.000 description 1
- 239000008367 deionised water Substances 0.000 description 1
- 229910021641 deionized water Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000013461 design Methods 0.000 description 1
- 229940117389 dichlorobenzene Drugs 0.000 description 1
- FDSGHYHRLSWSLQ-UHFFFAOYSA-N dichloromethane;propan-2-one Chemical compound ClCCl.CC(C)=O FDSGHYHRLSWSLQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000004177 diethyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 1
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 description 1
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 1
- JXJIVZWWBYQACC-UHFFFAOYSA-N dodecane-1-thiol;silver Chemical compound [Ag].CCCCCCCCCCCCS JXJIVZWWBYQACC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 1
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 1
- 238000003487 electrochemical reaction Methods 0.000 description 1
- 238000009713 electroplating Methods 0.000 description 1
- 239000003480 eluent Substances 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 230000005669 field effect Effects 0.000 description 1
- 238000011049 filling Methods 0.000 description 1
- 239000012530 fluid Substances 0.000 description 1
- 239000011888 foil Substances 0.000 description 1
- 239000000499 gel Substances 0.000 description 1
- 239000008273 gelatin Substances 0.000 description 1
- 229920000159 gelatin Polymers 0.000 description 1
- 235000019322 gelatine Nutrition 0.000 description 1
- 235000011852 gelatine desserts Nutrition 0.000 description 1
- 238000001476 gene delivery Methods 0.000 description 1
- 238000007429 general method Methods 0.000 description 1
- 230000005283 ground state Effects 0.000 description 1
- 238000001093 holography Methods 0.000 description 1
- 239000000017 hydrogel Substances 0.000 description 1
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 1
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000004435 hydrogen atom Chemical group [H]* 0.000 description 1
- 238000011065 in-situ storage Methods 0.000 description 1
- 238000007689 inspection Methods 0.000 description 1
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 1
- 229910052741 iridium Inorganic materials 0.000 description 1
- GKOZUEZYRPOHIO-UHFFFAOYSA-N iridium atom Chemical compound [Ir] GKOZUEZYRPOHIO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AGBQKNBQESQNJD-UHFFFAOYSA-N lipoic acid Chemical compound OC(=O)CCCCC1CCSS1 AGBQKNBQESQNJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 235000019136 lipoic acid Nutrition 0.000 description 1
- 238000001459 lithography Methods 0.000 description 1
- 238000011068 loading method Methods 0.000 description 1
- 230000007774 longterm Effects 0.000 description 1
- 238000004768 lowest unoccupied molecular orbital Methods 0.000 description 1
- 238000013507 mapping Methods 0.000 description 1
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 1
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 1
- 229910001092 metal group alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 1
- 239000002923 metal particle Substances 0.000 description 1
- 238000001465 metallisation Methods 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000000465 moulding Methods 0.000 description 1
- 239000002078 nanoshell Substances 0.000 description 1
- 125000001624 naphthyl group Chemical group 0.000 description 1
- 210000002569 neuron Anatomy 0.000 description 1
- 238000005580 one pot reaction Methods 0.000 description 1
- 238000012634 optical imaging Methods 0.000 description 1
- 125000002524 organometallic group Chemical group 0.000 description 1
- 235000020030 perry Nutrition 0.000 description 1
- 238000010672 photosynthesis Methods 0.000 description 1
- 230000000704 physical effect Effects 0.000 description 1
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 description 1
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 1
- 229920001597 poly(4-chlorostyrene) Polymers 0.000 description 1
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 1
- 238000001556 precipitation Methods 0.000 description 1
- 238000003672 processing method Methods 0.000 description 1
- XUWVIABDWDTJRZ-UHFFFAOYSA-N propan-2-ylazanide Chemical compound CC(C)[NH-] XUWVIABDWDTJRZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 102000004169 proteins and genes Human genes 0.000 description 1
- 239000000376 reactant Substances 0.000 description 1
- 230000001172 regenerating effect Effects 0.000 description 1
- 238000011160 research Methods 0.000 description 1
- 230000002441 reversible effect Effects 0.000 description 1
- 238000010079 rubber tapping Methods 0.000 description 1
- 239000012047 saturated solution Substances 0.000 description 1
- 239000002094 self assembled monolayer Substances 0.000 description 1
- 238000001338 self-assembly Methods 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 239000000741 silica gel Substances 0.000 description 1
- 229910002027 silica gel Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 1
- 239000010944 silver (metal) Substances 0.000 description 1
- UYKQQBUWKSHMIM-UHFFFAOYSA-N silver tungsten Chemical compound [Ag][W][W] UYKQQBUWKSHMIM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NSVHDIYWJVLAGH-UHFFFAOYSA-M silver;n,n-diethylcarbamodithioate Chemical compound [Ag+].CCN(CC)C([S-])=S NSVHDIYWJVLAGH-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 239000000344 soap Substances 0.000 description 1
- 150000003385 sodium Chemical class 0.000 description 1
- 239000012279 sodium borohydride Substances 0.000 description 1
- 229910000033 sodium borohydride Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000003381 solubilizing effect Effects 0.000 description 1
- 239000002195 soluble material Substances 0.000 description 1
- 238000010129 solution processing Methods 0.000 description 1
- 238000000807 solvent casting Methods 0.000 description 1
- 238000004611 spectroscopical analysis Methods 0.000 description 1
- 230000000087 stabilizing effect Effects 0.000 description 1
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 1
- 239000004094 surface-active agent Substances 0.000 description 1
- KUCOHFSKRZZVRO-UHFFFAOYSA-N terephthalaldehyde Chemical compound O=CC1=CC=C(C=O)C=C1 KUCOHFSKRZZVRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QBVXKDJEZKEASM-UHFFFAOYSA-M tetraoctylammonium bromide Chemical compound [Br-].CCCCCCCC[N+](CCCCCCCC)(CCCCCCCC)CCCCCCCC QBVXKDJEZKEASM-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 229960002663 thioctic acid Drugs 0.000 description 1
- 239000002341 toxic gas Substances 0.000 description 1
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 1
- YUYCVXFAYWRXLS-UHFFFAOYSA-N trimethoxysilane Chemical group CO[SiH](OC)OC YUYCVXFAYWRXLS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CYTQBVOFDCPGCX-UHFFFAOYSA-N trimethyl phosphite Chemical compound COP(OC)OC CYTQBVOFDCPGCX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000000297 undecanoyl group Chemical group O=C([*])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- 238000011179 visual inspection Methods 0.000 description 1
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Description
1)マスクを使用し、成膜またはエッチングにより金属のパターンを規定する(Shacham-Diamand, Y., Inberg, A., Sverdlov, Y. & Croitoru, N., マイクロエレクトロニクスおよびマイクロエレクトロメカニカルシステム用途のための無電解銀および銀タングステン薄膜。 Journal of the Electrochemical Society, 147, 3345-3349 (2000));
2)金属フィルムをレーザーアブレーションしてパターンを形成する;
3)蒸気、溶液または固体前駆体からの金属の熱分解成膜を基にしたレーザー直接描画(Auerbach, A., レーザーによる溶液からの導体の成膜について, Journal of the Electrochemical Society, 132,130-132 (1985); Auerbach, A., ポリマーホストに錯化された金属塩を還元することによる光記録, Applied Physics Letters, 45, 939, 941 (1984); Auerbach, A., ホストポリマー中の銅(I)錯体の還元による銅導体, Applied Physics Letters, 47, 669-671 (1985); Auerbach, A., レーザーによるポリマーホスト中に錯化された金属塩を還元する方法, Journal of the Electrochemical Society, 132, 1437-1440 (1985));および
4)ハロゲン化銀系写真フィルムの露光と現像、それに続く無電解および電解めっき(Madou, M. & Florkey, J., マイクロバイオメディカルデバイスのバッチ製造から連続製造まで。 Chemical Reviews, 100, 2679-2691 (2000); M. Madou., マイクロファブリケーションの基礎 (CRC出版, BocaRaton, 1997); Madou, M., Otagawa, T., Tiemey, M. J., Joseph, J. & Oh, S. J., 薄膜および厚膜技術により製造された多層イオンデバイス。 Solid State lonics, 53-6,47-57 (1992))。
Southward, R. E. et al. ポリイミドマトリックス中の(4,4,4-トリフルオロ-l-(2-チエニル)-l,3-ブタンジオナト)銀(I)のインシテュ還元による表面メタライズされたポリマーフィルムの合成。Journal of Materials Research, 14, 2897-2904 (1999);
Southward, R. E. & Thompson, D. W. 逆CVD。メタライズされたポリマーフィルムへの新規な合成アプローチ。Advanced Materials, 11, 1043-1047 (1999);
Gu, S., Atanasova, P., Hampden-Smith, M. J. & Kodas, T. T., 銅−コバルト二元フィルムの化学気相成長。Thin Solid Films, 340, 45-52 (1999);
Jain, S., Gu, S., Hampden-Smifh, M. & Kodas, T. T., 複合材フィルムの合成。Chemical Vapor Deposition, 4, 253-257 (1998);
Gu, S., Yao, X. B., Hampden-Smith, M. J. & Kodas, T. T., 銅−コバルトフィルムの化学気相成長中のCu(hfac)(2)とCo-2(CO)(8)の反応。Chemistry of Materials, 10, 2145-2151 (1998);
Calvert, P. & Rieke, P., ポリマー中およびポリマー中での生物模倣ミネラリゼーション。Chemistry of Materials, 8, 1715-1727 (1996);
Hampden-Smith, M. J. & Kodas, T. T., 金属の化学気相成長。2. 金属の選択CVDの概要。Chemical Vapor Deposition, 1, 39-48 (1995);
Hampden-Smith, M. J. & Kodas, T. T., 金属の化学気相成長。1. CVDプロセスの概要。Chemical Vapor Deposition, 1, 8-23 (1995);
Xu, C. Y., Hampden-Smith, M. J. & Kodas, T. T., 二元合金(Ag(x)Pd(l)-X, Cu(x)Pd(l)-X, Ag(x)Cu(l)-X)フィルムのエアロゾルアシステッド化学気相成長(AACVD)とそれらの組成変化の研究。Chemistry of Materials, 7, 1539-1546 (1995);および
Naik, M. B., Gill. W. N., Wentorf, R. H. & Reeves, R. R., 銅(r)および銅(n)ベータジケトネートを用いた銅のCVD。Thin Solid Films, 262, 60-66 (1995)。
1) Reetz et al およびBedson et al のプロセスは、励起時の金属原子の生成に基づくナノ粒子の成長よりもむしろ、ナノ粒子の融合を含む;
2) 彼らの出発物質は単に安定化したナノ粒子からなるが、一方で我々は安定化したナノ粒子が成分の1つにすぎない複合材料の使用を教示している;
3) 彼らの照射方法は単なる電子ビーム照射であるが、一方で我々は好適な還元剤を用いれば我々の複合材料が広範な種々の励起放射線(電子ビームはそれらの1つにすぎない)に関して良好な前駆体になり得ることを教示している;および
4) 彼らのナノ粒子は安定化可溶化特性を与えるにすぎないリガンドでコートされているが、一方で金属の電子ビームパターニングのための組成物はナノ粒子、金属塩、および励起色素還元剤(これはナノ粒子上のリガンドに対する共有結合によって含まれていてもよい)をベースとする複合材である。
銀粒子の光生成を含む反応種の多光子生成に関して、いくつかの組成物および方法が、B.H. Cumpston, M. Lipson, S.R. Marder, J.W. Perry 「反応種の生成のための、二光子およびより高次の吸収性光学材料」U.S.特許出願60/082,128によって開示されている。U.S.特許出願60/082,128において開示されている方法は、この従来技術の出願が前駆体としての金属ナノ粒子の使用に言及していないため、本発明の方法と異なる。
前記予備核形成した金属ナノ粒子を複合材にして準備し;
放射線への露光により金属イオンを還元することによって金属原子を生成し;
前記金属原子を前記予備核形成した金属ナノ粒子と反応させ、それによって金属ナノ粒子を成長させる
ことを具備した方法を含む。
前記予備核形成した金属ナノ粒子、金属塩、色素およびポリマーマトリックスからフィルムを形成し;
放射線への露光により前記金属塩の金属イオンを還元することによって金属原子を生成し;
前記金属原子を前記予備核形成した金属ナノ粒子と反応させ、それによって金属ナノ粒子を成長させる
ことを具備した方法を含む。
リガンドでコートした金属ナノ粒子;
色素;
金属塩;および
オプションで犠牲ドナー
を具備した金属ナノ粒子含有組成物を含む。
本発明の他の実施形態は、
リガンドでコートした金属ナノ粒子;
色素;
金属塩;および
マトリックス
を具備した金属ナノ粒子含有組成物を含む。
上記の金属ナノ粒子含有組成物を放射線にさらし、それによって前記ナノ粒子の成長をもたらし;そして
連続的なまたは半連続的な金属相を形成する
ことを具備した方法を含む。
本発明は、さらに、
金属ナノ粒子、金属塩、色素およびポリマーマトリックスからフィルムを形成し;そして
前記フィルムを放射線に露光し、それによって導電性金属のパターンを製造する
ことを具備した方法を含む。
クラスIは、リガンドでコートしたナノ粒子自身がマトリックスである組成物である。
クラスIIは、ポリマー、ガラスまたは非常に粘稠な液体がマトリックスであり、ナノ粒子がドーパントである組成物である。
アルキルチオレートでコートした金属ナノ粒子の形成は核形成成長メカニズムを経由して進行することが知られている(Hostetler, M. J. et al., 1.5から5.2nmのコア径をもつアルキルチオレート金クラスター分子:コアサイズの関数としてのコアおよび単分子層の特性。Langmuir, 14, 17-30 (1998))。このメカニズムはAgについて下記に示すように第1の工程として層状のストイキオメトリックな化合物の形成を含み:
nAg+ + nRSH → (AgSR)n + H+
成長を含む第2の工程が続く。第2の工程は銀ゼロ原子の存在に帰すことができる:
(AgSR)n + mAg0 → Agn,(SR)n
ここでn'=n+m
または層状化合物自身の金属イオンを還元する試薬の存在に帰すことができる:
(AgSR)n → Agn(SR)m + m'RSSR
ここで2m'=n-m。
第1のケース(ケース1)は、電子ビームを用いて金属イオンからの金属原子の生成を利用する。電子ビームは直接銀イオンを還元できるか、金属イオンを還元するラジカルアニオンを生成できるか、または分子をイオン化しその後に電子が金属イオンを還元することができる。
ケース1の利点は達成できる金属ライン解像度の汎用性であり、それは数ミクロン(マスクと大きな電子ビームの使用による)から数ナノメーター(たとえば、導電性走査プローブチップの使用による)までの範囲にわたる。図1はケース1の成長プロセスの概略図である。上の図においては、注入した電子が金属イオンを還元し;下の部分においては、注入した電子がラジカルアニオンを生成し、続いてそれが金属イオンを還元する。特に、導電チップによる原子間力顕微鏡(顕微鏡のチップがタッピングモードでフィルムに接近する)を電子のソースとして用いることができる。チップをナノ粒子の表面から数ナノメートル以内に配置すると、チップはナノ粒子フィルムに電子を注入して厚さがわずかに数ナノメーターである金属ラインを生成する。
好ましい例を以下の節で示し、金属の製造方法を説明する。これらの例は決して網羅的なものではなく、当業者にとっては本明細書に開示された発明の基本原理に基づいて他の手法を使用できることは明らかであろう。2つの異なるクラスの組成物を用いて金属の特徴形状を生成することができる。第1のクラスにおいては金属ナノ粒子はそれら自身のマトリックスとして働き、第2のクラスにおいては金属ナノ粒子はホストマトリックス中のドーパントである。
第1の実施形態では、材料は下記のものからなる。
i)1またはそれ以上の種類の有機リガンドでコートした、リガンドでコートした金属ナノ粒子。ある場合には、上述したように有機リガンドの混合物を用いるのが有利である。加えて、(ii)(下記)に記載した材料を、粒子に結合している1またはそれ以上の種類の有機リガンドに結合させてもよい。
iii)金属塩;および
iv)犠牲ドナー、すなわち、分子軌道レベルが上記(ii)に記載された色素のカチオン(金属イオンの光還元によりまたは電子ビーム露光により生成する)を還元するのに適切なエネルギーである分子。このようにして、最初の色素は再生可能で再び金属の還元剤として働くことができる。この成分はホストマトリックス構造体の一部であってもよい。ある場合には、この成分は必ずしも必要ないであろう。
成分(i):55〜100%,全ての値およびそれらの間のサブ値を含み,特に60,65,70,75,80,85,90および95%を含む;
成分(ii):0〜15%,全ての値およびそれらの間のサブ値を含み,特に2,4,6,8,10,12および14%を含む(0はナノ粒子がそれらの外側シェルに色素終端リガンドを持つ場合に当たる);
成分(iii):0〜15%,全ての値およびそれらの間のサブ値を含み,特に2,4,6,8,10,12および14%を含む;
成分(iv):O〜10%,全ての値およびそれらの間のサブ値を含み,特に2,4,6,および8%を含む。
第2の実施形態においては、ある材料がホストマトリックスとして働き、その中に他の成分i)-iv)が分散しているか溶解している:
v)全ての他の成分を溶解するマトリックス。このマトリックスは以下のものでありうる:
a)ポリマー;
b)ガラス;
c)高粘稠の液体;
d)液晶材料もしくはポリマー、またはメゾスコピック相; および
e)多孔質の結晶またはアモルファスの固体。
vi)可塑剤、すなわちポリマーのガラス転移点を下げることができ、それによってその機械的性質を用途により好適にする分子。
両方のケースにおいて、照射源が電子ビームである場合には、成分(ii)は必要ではない。
成分(i):0.05%〜25%,全ての値およびそれらの間のサブ値を含み,特に0.1,0.2,0.5,1,2,3,4,5,10,15および20%を含む;
成分(ii):O〜15%,全ての値およびそれらの間のサブ値を含み,特に2,4,6,8,10,12および14%(0はナノ粒子が外側シェルに色素終端リガンドを有するか、またはホストもしくは可塑剤がサブユニットとして好適な色素を有する);
成分(iii):0〜25%,全ての値およびそれらの間のサブ値を含み,特に5,10,15および20%を含む;
成分(iv):0〜60%,好ましくは20%〜60%,全ての値およびそれらの間のサブ値を含み,特に10,20,30,40および50%を含む;
成分(v):0.5〜99.5%,全ての値およびそれらの間のサブ値を含み,特に10,20,30,40,50,60,70および80%を含む;ならびに
成分(vi):0〜70%,全ての値およびそれらの間のサブ値を含み,特に10,20,30,40,50および60%を含む。
成分(i):金属ナノ粒子
成分(i)の好ましい例は以下のとおりである:
i1)有機リガンドで被覆された、1〜200nm(径)の寸法を有する金属(たとえば、銀、金、銅、およびイリジウム)ナノ粒子(Kang, S. Y. & Kim, K., 一相系および二相系において調製されたドデカンチオール誘導銀ナノ粒子の比較研究。Langmuir, 14, 226-230 (1998); Brust, M., Fink, J., Bethell, D., Schiffrin, D. J. & Kiely, C., 官能基化された金ナノ粒子の合成と反応。Journal of the Chemical Society-Chemical Communications, 1655-1656 (1995); Brust, M., Walker, M., Bethell, D., Schiffrin, D. J. & Whyman, R., 二相液液系におけるチオール誘導金ナノ粒子の合成。Journal of the Chemical Society-Chemical Communications, 801 -802 (1994));
i2)有機リガンドで被覆された金属の合金からなるナノ粒子(Link, S., Burda, C., Wang, Z. L. & El-Sayed, M. A., 金および金−銀合金ナノ粒子の電子動力学:非平衡電子分布の影響および電子-フォトン緩和のサイズ依存性。Journal of Chemical Physics, 111, 1255-1264 (1999); Link, S., Wang, Z. L. & El-Sayed, M. A., 金−銀ナノ粒子の生成およびそれらの組成に関するプラズモン吸収の依存性。Journal of Physical Chemistry B, 103, 3529-3533 (1999));
i3)被覆されていない金属ナノ粒子(第2の実施形態の場合) (Heilmann, A. & Kreibig, U., 低温における埋め込み金属ナノ粒子の光学的性質。European Physical Journal-Applied Physics, 10, 193-202 (2000));および
i4)コアが半導体、金属酸化物、シリケート、ポリマー、またはバイオポリマーのナノ粒子であり、外側シェルが金属である金属ナノシェル(金属部は有機コーティングありまたはなし(第2の実施形態の場合))(Wiggins, J., Carpenter, E. E. & O'Connor, C. J., Au:Fe:Auナノオニオンの現象学的磁気モールディング。Journal of Applied Physics, 87, 5651-5653 (2000); Carpenter, E. E. et al., 金−鉄−金ナノ複合材の合成および磁気特性。Materials Science and Engineering a-Structural Materials Properties Microstructure and Processing, 286, 81-86 (2000))。
部分Aは、金属ナノ粒子表面に結合することができる孤立電子対を有する少なくとも1つの原子をもつ分子またはイオンのフラグメントであるか、または金属ナノ粒子表面に結合することができる不飽和の分子またはイオンのフラグメントであり、かつフラグメントをBに結合する接続点を含む。例として以下のものを含む: -S-, -O-, -O2C-, -S-S-R, -O3S-, -S2C-NR-, -O2C-NR-, P(R1R2)-, N(R1R2)-, O(R1)-, P(OR1)(OR2)O-, およびS2(R)-, ここでR, R1, およびR2は独立して-H, 1〜50の炭素原子を含む直鎖または枝分かれアルキル鎖、フェニルもしくは他のアリール基、およびヘテロ芳香族基からなる群より選択することができる。
明確化のために、クラス(il)に用いられたリガンドの具体例を以下に言及する。
成分(iii)の好ましい例は、あらゆる金属(I)可溶塩であり、銀テトラフルオロボレート(AgBF4); 銀ヘキサフルオロアンチモネート(AgSbF6); 銀ジエチルジチオカルバメート(C3H10NS2Ag); 硝酸銀(AgNO3); 亜リン酸トリメチルヨウ化第一銅(ICuP(CH3)3); および亜リン酸クロロトリメチル金(ClAuP(OCH3)3)を含む。
この成分の主要な要求は、全ての他の成分を溶解し、均質な複合材を形成する能力をもつことである。
成分(v)の好ましい例は、
a)ポリマーa1:ポリ(9-ビニルカルバゾール)
ポリマーa2: ポリ(2-{[11-(9H-カルバゾール-9-イル)ウンデカノイル]オキシ}エチル-2-メチルアクリレート)PCUEMA
ポリマーa4: ポリ(メチルメタクリレート) PMMA;
b)SiOx、有機的に修飾されたSiOx材料、TiOx、(SiOx)n(TiOx)m
c)粘稠な液体ホスト
i)連続的な金属ラインを、パターンの形状に関してほとんど制限なしにマイクロスケールまたはナノスケールの解像度で、三次元パターンに形成することができる。
ii)このプロセスは熱分解プロセスにおいて必要とされるような高温の発生を必要とせず、このためナノスケールのデバイスの集積または熱的に損傷しやすい基板に利用できる。
iii)金属パターンまたは構造体を、広い種類の基板上に製造できる。好ましい基板は、シリコン、ガラスまたはプラスチック基板であり、これらの全てはたとえばインジウム錫酸化物(ITO)で被覆してもよい。さらに、好ましい基板はAu, Ag, Cu, Al, SiOx, ITO, ヒドロゲルまたは生体適合性ポリマーである。
iv)この材料系は、化学気相成長において一般に用いられるような高い毒性の気相有機金属前駆体と対照的に、処理するのが容易で取り扱うのが簡単である。
v)不活性雰囲気を必要としない。
vi)高真空設備を必要としない。
vii)このプロセスはしきい値があるという事実は、試料を周囲の照明および熱条件下で取り扱うことを可能にし、このため試料に並外れた長期安定性(たとえば暗所での8か月の貯蔵寿命)を与える。
したがって、本発明は、下記の例20および21に記載したような低エネルギーおよび上述したような低温を必要とする材料において三次元金属パターンを直接的に描画するのに適した新規なプロセスに関する。使用される金属ナノ粒子の種類および色素の種類に関する組成物の汎用性は、特定用途に適した材料の設計に多くの可能性を提供する。
本発明に基づいて具体化できる多くの可能な用途がある。
光学データ記憶の他の例は、感光性金属ナノ粒子複合材を書き込み可能コンパクトディスク類似の用途に適した光学記録層として用いる場合である。
他の光学用途は、反射偏光子、スイッチャブル光子、およびマイクロミラーを含む。
本発明の第2の組の用途は導電性金属の特徴形状の直接パターニングを用いる。それらは以下のものを含む:電気化学または生物学における用途に適したマイクロ電極アレイのパターニング、たとえばチップ上のセキュリティコードのハード配線およびチップ修復における集積回路相互接続に適した金属配線のパターニング。さらなる用途は以下のものを含む:ナノエレクトロニクス用途に適した、ナノメーターサイズの金属配線、単一電子トランジスタ、および他の部品の製造;多層集積回路における電子部品の3D相互接続;柔軟材料たとえば有機発光ダイオードまたは有機電界効果トランジスタ上のコンタクトの描画;マイクロサージカル用途に適した金属デバイスたとえばニードルおよびステントの製造(McAllister, D. V., Alien, M. G. & Prausnitz, M. R., マイクロ製造された遺伝子・ドラッグデリバリーのためのマイクロニードル。Annual Review of Biomedical Engineering, 2, 289-313 (2000); Polla, D. L. et al., 医療におけるマイクロデバイス。Annual Review of Biomedical Engineering. 2, 551-576 (2000); Santini, J. T., Richards, A. C., Scheldt, R., Cima, M. J. & Langer, R., 制御されたドラッグデリバリーデバイスとしてのマイクロチップ。Angewandte Chemie-International Edition, 39, 2397-2407 (2000); Rymuza, Z., MEMS表面のトライボロジー特性および機械的特性を制御する。パート1:批評的な総説。Microsystem Technologies, 5, 173-180 (1999));ならびにマイクロエレクトロメカニカル構造体(Walker, J. A., テレコミュニケーションネットワークにおけるMEMSの未来。Journal of Micromechanics and Microengineering, 10, R1-R7 (2000); Spearing, S. M., マイクロメカニカルシステム(MEMS)における材料の問題。Acta Materialia, 48, 179-196 (2000); Lofdahl, L. & Gad-el-Hak, M., 乱流および流れの制御におけるMEMS応用。Progress in Aerospace Sciences, 35, 101-203 (1999))。本発明の材料および方法は、ナノスケールで単一分子系の電子デバイスの描画に用いることができる(Quake, S. R. & Scherer, A., 柔軟材料を用いたマイクロ製造からナノ製造まで。Science, 290, 1536-1540 (2000))。
本発明を一般的に説明してきたが、さらなる理解は具体的な例を参照することによって得られる。これらの例は、説明のみの目的で本明細書に示されており、別に明示しない限り限定的であることを意図していない。
実施例の議論
以下の議論はいくつかの重要な実験に関する一連の例を含み、実施例の欄の理解を助けることを意図している。
この議論は主に多光子照射(クラスII、ケース3)によって3D金属パターンを描画する可能性に焦点を合わせている。これは上述した全てのクラスおよびケースについてのよいテストになる。事実、本発明に含まれる多くの工程は記載されている全ての種々のケースに共通している。すなわちそれらは、
1.高度に可溶性のナノ粒子の合成、
2.均一で光学品質のマトリックスの調製、および
3.描画後の加工およびキャラクタリゼーションである。
良好な光学品質をもつ均質なマトリックスを生成するためには、(i)全ての成分を溶解することができる溶媒または溶媒混合物および(ii)全ての成分を固体状態で溶解することができるマトリックス(ポリマー)を見つけることが必要である。好ましい溶媒はクロロホルム、ジクロロメタン、アセトニトリル、アセトン、水、ヘキサン、ヘプタン、ペンタン、トルエン、ジクロロベンゼン、ジクロロエタンおよびこれらの混合物である。体積でクロロホルム/アセトニトリル20/1の溶液はこの目的にために最も良好なものであることがわかっており、ポリマーa1およびa4は広い種々の銀塩を効果的に溶解し、一方でPMMAは銅塩を溶解する能力を示す。より複雑な問題は、有機溶媒および固体マトリックスの両方へのナノ粒子の溶解性である。
ポリビニルカルアゾールは約200℃のTgを有するので、可塑剤を用いてガラス転移点を低下させて室温に近づける。このポリマーに適したよく知られた可塑剤であるエチルカルバゾールを用いている。最もよく用いたフィルムの組成範囲は(全て重量パーセントで)30-50%の可塑剤、3-5%の色素1d、10-15%のAgBF4、0.2-3%のnAg6である。可塑剤の量は全ての値およびそれらの間のサブ値、特に重量で33,36,39,42,45および48%を含む。色素の量は全ての値およびそれらの間のサブ値、特に重量で3.2; 3.4; 3.6; 3.8; 4.0; 4.2; 4.4; 4.6および4.8%を含む。AgBF4の量は全ての値およびそれらの間のサブ値、特に重量で10.5; 11; 11.5; 12, 12.5; 13; 13.5; 14および14.5%を含む。nAg6の量は全ての値およびそれらの間のサブ値、特に重量で0.4; 0.6; 0.8; 1.0; 1.2; 1.4; 1.6; 1.8; 2.0; 2.2; 2.4; 2.6および2.8%を含む。
より複雑な実験を行い、われわれのプロセスをTEM顕微鏡で調べた:3つの同じフィルムは銅グリッドのキャストであり(例11)、それらの2つをナノ秒レーザー(532 nm)による照射にさらし、第1のものを1回のレーザーショット(125 mJ)だけ照射し、第2のものは3回のショットだけ照射した。
近接場励起を含む多くの変形が可能である。この変形の実施可能性を調べるために、描画に要するしきい値パワーを調べ、一光子励起の場合に約108 W/m2(例20)であり二光子励起の場合に約109 W/m2(例21)であることがわかった。パワーのしきい値は近接場描画の場合に得られる値に一致している。
現像工程における重要な問題が解決された。構造体と基板との間に化学結合を与えるために、基板を官能基化する二段階法を開発した。第1の工程において、チオール終端分子の単分子層をガラス基板に形成する。この単分子層はトリメトキシシラン基を介して基板に結合している。第2の工程において、ナノ粒子の単分子層を第1の単分子層上に導入し、粒子をチオールに化学的に結合する。この種の官能基化された基板は、接着性と現像工程における成功が非常に改善された。図8はリガンドでキャップした金属ナノ粒子のチオール官能基化されたガラス基板への付着の模式図である。
銀ナノ粒子を、種々の有機リガンドのコーティングにより合成した。リガンドのいくつかは、励起状態から、銀イオンを中性原子へ還元することができる基を有していた。これらのリガンドの構造を下の模式図に示す。3つの色素リガンドを用いて電子活性および光活性のナノ粒子を合成している。いくつかの実験で用いた粒子の名称とリガンドシェル組成を下の凡例にリストする。
リガンドシェル上に還元性色素をもつナノ粒子(nAg11)と2% wt.の銀塩(AgBF4)を含むフィルム。(F14, F18)
リガンドシェル上に還元性色素をもつナノ粒子(nAg11)で銀塩のないフィルム。(F15, F19)
リガンドシェル上に還元性色素のないナノ粒子(nAg7)と2% wt.の銀塩(AgBF4)のフィルム。(F16, F20)
リガンドシェル上に還元性色素のないナノ粒子(nAg7)で銀塩のないフィルム。(F17, F21)
約20nmの厚さをもつフィルムの反応性を操作電子顕微鏡(SEM)で調べた。フィルム(i)は、連続的な金属の特徴形状に適した効率的な前駆体であることを示した。事実、四角形とラインの組み合わせを、顕微鏡の電子ビームを用いて描画することができた。未反応のフィルムをパターニング後にジクロロメタンで洗い流して、残っている金属のパターンをあらわにすることができた。洗浄前後の構造を図16に示す。図16の左の像はF14に関してSEMを用いて描画およびイメージ化した四角形とラインの例を示す。右の像は未露光のフィルムを除去した後にSEMによりイメージ化した四角形とラインの一部の例を示す。示した全ての他のフィルムは電子ビームパターニングに関して不活性であった。
nAg12と銀塩を含む厚いポリビニルカルバゾール(PVK)フィルム(F22)をキャストして、このような官能基化したナノ粒子をベースとする複合材料が連続的な金属の特徴形状の成長に適した前駆体として機能するかどうかを調べた。フィルムをマイクロ製造ステージ上に搭載し、730nmの光(80mW)で照射した。銀のラインを描画できることがわかり、このラインを光学顕微鏡でイメージ化した(図18)。図18はAgBF4およびnAg12でドープしたPVKフィルム(F22)に描画したラインの透過光学顕微鏡像を示している。スケールバーは30μmである。
例39および40に説明した組成物によるフィルムを、二光子マイクロ製造のためにガラススライド上にキャストした。銀の四角形パターンを、ラスター式のレーザー走査を用いて描画した。これらの四角形の反射率を、He-Neレーザー(632.8nm)で試験した。入射パワーは2mWであり、入射角は約30°であった。描画した銀の四角形は25%の反射率を示したが、未露光のポリマー複合材は3%の反射率を示した。四角形の反射像を、共焦点顕微鏡(514.5nm)および514.5nmの干渉フィルター(走査ヘッドと顕微鏡との間に設置し、蛍光を阻止して反射光を検出器へと通過させる)を用いて撮影し、図19に示す。これは、ポリマーナノ複合材中に埋め込まれた銀の四角形(右)の反射像を示している。
例41で説明したように銅ナノ粒子、銅塩および色素1dを充填したフィルムをキャストし、銅ワイヤのパターンを、二光子励起を用いてマイクロ製造した。同じパターンを、例41で説明した金ナノ粒子複合材でマイクロ製造した。3Dの「丸太の積み重ね」構造体を両方の複合材でうまくマイクロ製造でき、本明細書で説明した方法が一般的で様々な金属に適用できることを証明している。両方の構造体を測定I(V)曲線のプロットである図21(373Ωの抵抗を示している)に示す。
ホログラフィックデータ記憶に適した複合材料を含む金属ナノ粒子の使用を、例43で説明したフィルムを用いて証明している。90°で交差している2本のレーザービーム(光学装置構成について図22を参照のこと)をフォログラフィック露光に用いた。ビームの1つ(像)を広げて解像度試験マスクに通し、他のビームを平面波参照光とした。フォログラフィック露光を、Ar+イオンレーザー(514.5nm)を用いて200mWの全パワーで実施した。露光後に、8%の回折効率で像を再構築し、再構築した像をデジタルカメラを用いてキャプチャーした(図23を参照のこと)。
全ての試薬はAldrichから購入し、受け入れたまま使用した。使用した全ての溶媒は明示しなければ試薬グレードである。
銀ナノ粒子
1種のリガンドでキャップした銀ナノ粒子(nAg1-4)
全ての合成は、下記の手法を用いて行った。
例1
ドデカンチオールでコートした銀ナノ粒子(nAg1)の合成
330mgのAgNO3(約2mmol)を200mlの無水エタノールに0℃において激しい撹拌下で溶解した。58mlのドデカンチオール(2/6mmol)を10mlのエタノールに溶解し、最初の溶液に加えた。NaBH4の飽和エタノール(200ml)溶液を調製し、リガンドの添加から30分後に、非常にゆっくりと(2時間)添加した。この溶液は直ちに黄色になった後、ゆっくりと非常に濃くなった。溶液をさらに2時間撹拌しておいた後、冷蔵庫に入れて凝結させた。
190.65mgの黒色粉末を回収し、収率は71%であった。
2種または3種のリガンドでコートした銀ナノ粒子
合成は2つの異なる手法のうち1つを用いて行った。第1の手法a)はナノ粒子を複数のリガンドの存在中で合成する一段反応を含み、第2の手法b)はナノ粒子がリガンド交換反応を受けて第2の種類のリガンドを導入する二段反応を含む。
340mgのAgNO3(2mmol)を100mlの無水アルコールに0℃において激しい撹拌下で溶解した。10mlの所望のリガンド混合物の溶液を調製した。リガンドのモル比(ηligandA/ηligandB)は1と0.25の間であり、合計量はリガンドのモル数と銀のモル数との間の比が2/9から2/3の間になるように選んだ。リガンドの添加から30分後、NaBH4の飽和エタノール(200ml)溶液を調製し、非常にゆっくりと(2時間かけて)添加した。この溶液は直ちに黄色になった後、ゆっくりと非常に濃くなった。溶液をさらに2時間撹拌しておいた後、冷蔵庫に入れて凝結させた。
いくつかの種類のナノ粒子は冷却しても凝結せず、これらの場合には溶媒を真空下で蒸発させた後、15分間の超音波処理により残渣を水に懸濁させた。この水をフード内に2時間放置して凝結させた後、標準的な手法に従ってろ過した。
収量は30%から75%まで変化した。
オクタンチオール−チオールでコートした銀ナノ粒子(nAg6)の合成。
340mgのAgN03(2mmol)を200mlの無水エタノールに0℃において激しい撹拌下で溶解した。24mlのオクタンチオール(1/6mmol)を10mlのエタノールに156mgのI4(1/2mmol)とともに溶解し、最初の溶液に加えた。NaBH4の飽和エタノール(200ml)溶液を調製し、リガンドの添加から30分後に、非常にゆっくりと(2時間)添加した。この溶液は直ちに黄色になった後、ゆっくりと非常に濃くなった。溶液をさらに2時間撹拌しておいた後、冷蔵庫に入れて凝結させた。
収量:273mgの黒緑色粉末。
b)第2の手法は交換反応であった。
この種の反応は既知の方法に従って行われる(Hostetler, M. J., Templeton, A. C. & Murray, R. W. 単分子膜で保護された金クラスター分子上の位置交換反応の動力学。Langmuir 15, 3782-3789 (1999))。
オクタンチオール−isでコートした銀ナノ粒子(nAg9)。
銀ナノ粒子nAg1上でのリガンド交換反応:オクタンチオールでコートした銀ナノ粒子nAg1(85.4mg)をCH2Cl2中で一晩撹拌することにより溶解した。次に、リガンドI8(14.2mg, 0.024mmol)を添加し、濃茶色の溶液を5日間、光のない状態で撹拌した。CH2Cl2を真空中で除去し、茶色の残渣をEtOH中に分配した。粒子を一晩沈降させると、定量ろ紙でろ過することができ、アセトンで数回洗浄した。
nAg1: C: 22.85, H: 4.62, S: 7.23, Ag: 62.50
オクタンチオール: C: 66.19, H: 11.79, S: 22.07
I8: C: 70.66, H: 6.48, S: 9.81。
元素分析に基づく計算によりリガンドの重量比が約85オクタンチオールおよび15% TMF-I-48であることを示した。計算によるモル比は以下のとおりであった:
nI8/nOctanethiol = 0.043
nAg/nOctanethiol+nI8 = 1.78 in nAg9
nAg/nOctanethiol = 2.25 in nAg1
1H NMR(CDCl3): 1H NMR はリガンドI8のスペクトルを示している。
金ナノ粒子を、Brustの手法に従って調製した(Brust, M., Walker, M., Bethell, D., Schiffrin, D. J. & Whyman, R. 二相液液系におけるチオール誘導金ナノ粒子の合成。Journal of the Chemical Society-Chemical Communications, 801-802 (1994))。
ドデカンチオールでコートされた金ナノ粒子(nAu1)の合成。
352.8mgのHAuC4*3H2O(0.9mmol)を30mlの脱イオン水に溶解し、2.188gのテトラオクチルアンモニウムブロマイド(4mmol)を80mlのトルエンに溶解した。二相を混合し、1時間撹拌した。170mgのドデカンチオール(0.84mmol)を10mlのトルエンに溶解して添加した。10分後、380mgのNaBH4を25mlの水に溶解し、全てを一度に添加した。すぐに有機層は黒色になった。2時間後、有機層を分離し、3回洗浄した。トルエンを真空下で10mlまで減少させ、直ちにエタノールで500mlに希釈し、溶液を冷蔵庫中に一晩入れた。次の日、溶液を定量ろ紙でろ過し、トルエンで複数回洗浄した。
10mgの黒色粉末を収集した。
1種のリガンドでコートした銅ナノ粒子
237mgのCuBF4*H20(1mmol)を100mlの無水エタノール(少なくとも1時間アルゴンバブリングによって脱気した)に0℃において激しい撹拌下でアルゴン雰囲気において溶解した。ある量(2/9ミリモルから2/3ミリモルまで変化する)の選択したリガンドを少量のエタノールに溶解して添加した。溶液は直ちに明るい黄色になった。2時間後、飽和した(100ml)NaBH4の脱気エタノール溶液を調製し、非常にゆっくりと(3時間かけて)添加した。溶液は直ちに濃黄色になった後、ゆっくりと非常に濃くなった。溶液をさらに2時間撹拌しておいた後、冷蔵庫に入れて凝結させた。
例5:
ドデカンチオールでコートした銅ナノ粒子(nCu1)。
228mgのCuBF4*H20(0.96mmol)を100mlの無水エタノール(少なくとも2時間アルゴンバブリングによって脱気した)に0℃において激しい撹拌下でアルゴン雰囲気において溶解した。51mgのオクタンチオール(〜1/3mmol)を少量のエタノールに溶解して添加した。溶液は直ちに明るい黄色になった。2時間後、飽和した(100ml)NaBH4の脱気エタノール溶液を調製し、非常にゆっくりと(3時間)添加した。溶液は直ちに濃黄色になった後、ゆっくりと非常に濃くなった。溶液をさらに2時間撹拌しておいた後、冷蔵庫に入れて凝結させた。
収量は40mgの黒色粉末であった。
2またはそれ以上の種類のリガンドでコートした銅ナノ粒子。
237mgのCuBF4*H20(1mmol) を100mlの無水エタノール(少なくとも1時間アルゴンバブリングによって脱気した)に0℃において激しい撹拌下でアルゴン雰囲気において溶解した。10mlの所望のリガンド混合物の溶液を調製して添加した。
例6:
オクタンチオール-カルバゾールチオールでコートした銅ナノ粒子(nCu3)の合成。
240mgのCuBF4*H20(0.974mmol) を100mlの無水エタノール(少なくとも2時間アルゴンバブリングによって脱気した)に0℃において激しい撹拌下でアルゴン雰囲気において溶解した。76mgのオクタンチオール(〜1/2mmol)および35mgのドデカンチオール(〜1/6mmol)を少量のエタノールに溶解して添加した。溶液は直ちに明るい黄色になった。2時間後、飽和した(100ml)NaBH4の脱気エタノール溶液を調製し、非常にゆっくりと(3時間)添加した。溶液は直ちに黄色になった後、ゆっくりと非常に濃くなった。溶液をさらに2時間撹拌しておいた後、冷蔵庫に入れて凝結させた。
収量は45mgの黒色粉末であった。
色素およびリガンドの合成
例において用いたほとんどの分子およびポリマーを文献の方法に従って調製したが、新規な分子の合成をここで説明する。
4-{2-[4-[2-(4-ホルミルフェニル)ビニル]-2-(3-ヒドロキシプロポキシ)フェニル]ビニル}-ベンズアルデヒド(上記)(200mg, 0.49mmol),リポ酸(100mg, 0.49mmol)およびp-トルエンスルホン酸(20mg, 0.10mmol)の溶液を、一晩、発色団を溶解するのに必要な最小量のCH2Cl2(約2Oml)中で還流した。反応混合物をカラム(Al2O3/CH2Cl2)上に注ぎ、CH2Cl2:エチルアセテート/10:1でフラッシュクロマトグラフした。出発材料を、エチルアルコール(EtOH)を用いて回収した。収量: 90mg(31%)の黄色の固体。
カルバゾール酸(5.0g, 14.23mmol)と2 ヒドロキシエチルメタクリレート(2.0g, 15.37mmol)と4-ジメチルアミオピリジン(0.2g)のTHF (30ml)溶液を、DCC(3.7g, 17.96mmol)に、室温で添加した。反応をこの温度で10時間行った。固体をろ過により除去した。THFを除去した後、粗生成物を、ヘキサン/エチルアセテート(9:1)を溶出液として用いてシリカゲルカラムによって精製した。無色のオイルとしての純粋な生成物を4.2g (63.6%)の量で得た。
C29H37N04 (463.61)についての元素分析: 計算: C, 75.13; H, 8.04; N, 3.02。検出: C, 75.08; H, 7.83; N, 3.28。
カルバゾールモノマー(2.7g, 5.82mmol)およびAIBN(14.3mg, 0.087mmol)を、窒素下で乾燥ベンゼン(5.0ml)に溶解した。反応混合物を液体窒素で冷却した。1回の冷凍−解凍−ポンプのサイクルの後、反応を60℃まで加熱し60時間行った。ポリマーをメタノール中に沈殿させ、ろ過により収集した。ポリマーをTHF溶液として溶解し、メタノール中に沈殿させた。溶解/沈殿/ろ過の順序を2回繰り返した。乾燥後、白色のポリマーを2.65g (98.1%)の収量で得た。
リガンドI4の合成
3.57gの9-カルバゾール-イル-オクタン-l-チオール(〜10mmol)を20mlのジメチルスルホキシド(DMSO)に溶解し、1.52mgのチオ尿素(〜20mmol)を添加し、溶液を激しく撹拌した。2日後、濃NaOH水溶液を滴下して加えた。すぐに赤色の沈殿が形成され、添加の間に沈殿物は再溶解して溶液が赤色になった。pHが11(pH紙を用いて検査)に達した時点で添加を停止した。次に、溶液を、HCl(濃水溶液)を滴下して加えて中和すると、ゆっくりと黄色に変わった。次に、有機物をジエチルエーテル(Et2O)で抽出し、水で3回洗浄した。有機溶媒を真空下で乾燥し、残渣を収集した。
この項では、ナノ複合材試料の処理および調製のいくつかの例を示す。以下に報告した全てのフィルムを試験し、全てのケースにおいて放射線を用いて金属銀ラインをうまく描画できた。
試料を溶媒キャスティングまたはスピンコーティングにより調製した。多くの試料を空気雰囲気でキャストし、いくつかのケースではアルゴン雰囲気で処理を行った。
a)水およびせっけん中での1時間の超音波処理およびDI水による広範囲にわたるリンス
b)スペクトロスコピック級のメタノール中での超音波処理および無水エタノールまたはイソプロパノールによるリンス。
a)KOHの飽和イソプロパノール(試薬)溶液に10分間浸した後、DI水でリンスし、窒素流を用いて乾燥した。
b)75mlのトルエン, 0.5mlのイソプロピルアミドおよび2mlの2-メルカプトプロピルトリメチルシロキサンの溶液を調製し、60℃に1時間保持した。
c)スライドをこの溶液中に60℃で1時間浸した後、ヘキサン(スペクトロフォトメトリック級)でリンスした。
d)試料をヘキサン中に一晩浸漬した。
e)CH2Cl2溶液(2mg/mlのナノ粒子nAg6)を、スライド上での溶媒蒸発により、溶媒キャストした。
f)試料をヘキサン中に一晩浸漬した。
ITO(インジウム錫酸化物)スライドは、単純に、それらに接触させたエタノール中でそれらをリンスすることによって洗浄化した。
溶媒蒸発によるキャスティングのために試料を保持するための取り付け具を作製し、全てのこのようなキャスティングに水平位置に固定したこのプレートつき基板を用い、雰囲気の管理を考慮に入れた。キャスティングに先立って、各々のスライドの下に3mlの試薬級のクロロホルムを配置し、キャスティング液の導入時の溶媒蒸気による雰囲気の飽和を最初に維持した。時計皿を用いて各々のスライドのコンパートメントを閉じた結果、各々のスライドがキャストされる空気の体積は約15cm3であった。
冷凍−解凍−ポンプのサイクルによって溶媒を脱気した。
F1標準100μmフィルム
188.86mgのポリマーa1(ポリ9-ビニルカルバゾール), 89.6mgのエチルカルバゾール, 2.59mgのnAg6, および8.77mgの色素1dを、アルゴン雰囲気下で6ml脱気クロロホルムに溶解し、一晩撹拌しておいた。
F2標準100μmフィルム
660mgのポリマーa1(ポリ9-ビニルカルバゾール), 329mgのエチルカルバゾール, 2.8mgのnAg6, および28mgの色素1dを、アルゴン雰囲気下で6ml脱気クロロホルムに溶解し、一晩撹拌しておいた。
高充填のナノ粒子をもつF3 20μmフィルム
92mgのポリマーa1(ポリ9-ビニルカルバゾール)を5mlのジクロロメタン(DCM)に溶解し, 12mgのAgBF4を5mlのDCMおよび1mlのアセトニトリルに溶解し, 5mgの色素1dを5mlのDCMに溶解し, 5.5mgのnAg1を2mlのクロロホルムに溶解した。全ての溶液を2時間撹拌した後、いっしょに混合した。2mlの溶液を75 X 25mmのガラススライド上にキャストした。
TEM用のF4フィルム
11.5mgのポリマーa1(ポリ9-ビニルカルバゾール), 2.4mgのAgBF4, 2.8mgの色素1d, 1mgのnAg1を10mlのDCMに溶解し;溶液を10倍希釈し、2μlのこの溶液をカーボンでコートした銅グリッド上にキャストした。3つの同じフィルムをこのようにして作った。
異なる種類のナノ粒子をもつFS標準100μmフィルム
648mgのポリマーa1(ポリ9-ビニルカルバゾール), 316mgのエチルカルバゾール, 2.75mgのnAg7, および20.7mgの色素1dを、アルゴン雰囲気下で6ml脱気クロロホルムに溶解し、一晩撹拌しておいた。
F6標準10μmフィルム
64.5mgのポリマーa1(ポリ9-ビニルカルバゾール), 38.1mgのエチルカルバゾール, 1.21mgのnAg6, および3.31mgの色素1dを、、アルゴン雰囲気下で6ml脱気クロロホルムに溶解し、一晩撹拌しておいた。
異なる色素をもつF7標準100μmフィルム
411.16mgのポリマーa1(ポリ9-ビニルカルバゾール), 206.48mgのエチルカルバゾール, 2.28mgのnAg6, および19.72mgの色素2bを、アルゴン雰囲気下で6ml脱気クロロホルムに溶解し、一晩撹拌しておいた。
異なるポリマーをもつF8標準100μmフィルム
95.1mgのポリマーa2(PCUEMA), 0.71mgのnAg6, および1.8mgの色素1dを、アルゴン雰囲気下で1ml脱気クロロホルムに溶解し、一晩撹拌しておいた。
銅生成のためのF9標準100μmフィルム
66.6mgのポリマーa4(ポリメチルメタクリレート), 1.1mgのnCu1, および3.08mgの色素1dを、アルゴン雰囲気下で0.6ml脱気クロロホルムに溶解し、一晩撹拌しておいた。
スピンコートしたフィルム
例17:
F10標準スピンコーテッドフィルム
100mgのポリマーa1(ポリ9-ビニルカルバゾール), 6mgのエチルカルバゾール, 3mgのnAg4, および4.5mgの色素1dを、アルゴン雰囲気下で1ml脱気クロロホルムに溶解し、一晩撹拌しておいた。
例18:
F11標準粘稠液体マトリックスフィルム
ある量のホストc1を、ヒートガンを用いて加熱し、自由に流動するようななるとすぐに、バイアル中にピペットで取り、固定量を秤量した。226mgのホストc1, 2mgのnAg6, および5.77mgの色素1dを、2mlのクロロホルムに溶解し、一晩撹拌しておいた。
クラスIフィルム
例19:
F12標準クラスIフィルム
5.23mgのnAg1, および0.5mgの色素1d, および0.5mgのAgBF4を2mlのクロロホルムに溶解し、一晩撹拌しておいた。
図10は二光子照射(800nm, 120fs)により描画した銀リボンを示す(例19)。
一光子または二光子励起を用いたナノ粒子複合材中の金属描画
全ての描画実験をフェムト秒モードロックTi:サファイアレーザーを用いて行った。具体的には、Millenia(ダイオードでポンプされたYAGレーザー)によってポンプされた
Tsunami(Ti:サファイアレーザー)からなるスペクトル物理系を用いた。平均パルス長は120fsで、バンド幅は〜20nmであった。別に明示しない限り、使用した波長は760nmである。
単一光子励起を用いる描画
単一光子励起を用いて描画する場合、LBOダブリング結晶を用いてレーザー出力光を2倍の周波数にし、結晶偏光子と赤外短波長パス誘電体フィルターの組み合わせを用いて残りの基本光をフィルターにかけた。
例20:
銀の一光子描画についてのしきい値測定
フィルムFl(例8)を、標準的な仕方で、マイクロポジショナーに搭載した。レーザー出力波長を860nm(420mW)に設定し、実験中に変化させなかった。フィルターホイールを装置構成中に配置し、レーザーの平均パワーの連続的かつ制御可能に変化できるようにした。ステージの移動速度を10μm/sに設定した。60倍の対物レンズ(NA 1.4)を用いてビームを試料に合焦した。フィルムのどこにでもラインを描画することができ、挙動はほとんどの場合に一様であった。そこで、二光子実験との比較のために、しきい値をガラス/フィルム界面で計算した。パワーを徐々に減少させ、描画プロセスの成功を光学顕微鏡観測により決定した。描画しきい値は0.09mWであることがわかった。1μmの径をもつ円形ビームスポットを仮定すると、120fsパルスについてしきい値強度はおおよそ108 W/m2であることがわかる。
図11は一光子励起(430 nm)を用いて描画した銀ラインを示し、ラインがはっきりと見える。暗いスポットは、最適なクオリティではないフィルム中の欠陥である。
本明細書において二光子励起可能な光還元試薬として用いた色素は、適度に大きい二光子断面をもち、このため効率的な二光子励起を可能にすることが知られている。これは、高NA合焦系との組み合わせで、マトリックス中に、高解像度ラインを三次元パターンで描画するのを可能にする。
銀の二光子描画についてのしきい値測定
フィルムFl(例8)を、標準的な仕方で、マイクロポジショナーに搭載した。レーザー出力波長を760nm(620mW)に設定し、実験中に変化させなかった。フィルターホイールを装置構成中に配置し、レーザーの平均パワーの連続的かつ制御可能に変化できるようにした。ステージの移動速度を10μm/sに設定した。60倍の対物レンズ(NA 1.4)を用いてビームを試料に合焦した。フィルムのどこにでもラインを描画することができ、挙動はほとんどの場合に一様であったので、構造体をさらに現像する可能性を示すために、しきい値をガラス/フィルム界面で計算した。パワーを徐々に減少させ、描画プロセスの成功を光学顕微鏡観測により決定した。描画しきい値は1.55mWであることがわかった。1μmの径をもつ円形ビームスポットを仮定すると、強度しきい値はおおよそ1.5 109 W/m2であることがわかる。
例22:
多光子描画と現像
フィルムF3(例10)を、標準的な仕方で、マイクロポジショナーに搭載した。レーザー出力波長を800nm(400mW)に設定し、実験中に変化させなかった。描画速度を100gm/sに設定した。用いた顕微鏡の対物レンズは10倍であった。ラインをガラス/フィルム界面に描画した。各々5ラインを含む6組の規則パターンを描画した。各々の組を前のものから30μm離して配置し、ラインは互いに10mm離した;全てのラインは500μm長さであった。描画後にフィルムをDCM入りビーカーに入れ、そこに3日間放置した。これらを行っている間にポリマーは洗い流されラインは基板上にとどまった。
多光子描画と現像
フィルムF2(例9)を、標準的な仕方で、マイクロポジショナーに搭載した。レーザー出力波長を760nm(620mW)に設定し、実験中に変化させなかった。ステージの移動速度を10μm/sに設定した。60倍の対物レンズ(NA 1.4)および液浸油を用いてビームを試料に合焦した。フィルムのどこにでもラインを描画することができ、挙動はほとんどの場合に一様であった。多くの種々のパターンを描画し、最も重要なものは、「かご状」構造であり、13層のラインの組をもち、各々の層は前のものよりも5μm高く、各々の層は20ライン100μm長さで5μm離れており、各々の層は前の層のラインに対して垂直なラインからなる。
図4はポリマーa1マトリックス中に描画した3D構造体(200x200x65μm)の光学透過像(平面図)を示している。描画プロセスは二光子励起(760nm, 120fs)を用いて行った。
図6は複合材フィルム中に二光子描画によって形成された3D金属銀マイクロ構造体のSEM像であり、洗浄によって表面上に自立構造体を生じることが明らかになった。
銅構造体の多光子描画
フィルムF9(例16)を、標準的な仕方で、マイクロポジショナーに搭載した。レーザー出力波長を760nm(620mW)に設定し、実験中に変化させなかった。10倍のレンズを用いて銅の四角形を描画した。結果を光学イメージングにより調べた。
例25:
対照実験, F13
10mgのPVKを10mlのジクロロメタンに溶解し、1mgのAgBF4を同じ溶液に溶解した後、1mgの色素1を加えた。この溶液を75x25mmのガラススライド上にキャストした。
図13は、色素および金属塩を含むが金属ナノ粒子の初期濃度なしのフィルムにおいて金属ナノ粒子の形成がないことを示す対照実験による試料のスペクトルを示す。露光後に金属ナノ粒子の吸収帯がないことに注意されたい。実線はフィルム13のスペクトルを示し、300nm付近の吸収帯はポリマー自身によるものであり、一方426の吸収帯は色素1に特有のものである。破線は30分間照射した同じフィルムを示し、点線は60分間のものである。
XPS
上記(例22)の手法に従って描画した金属銀ラインを、XPSスペクトル観測を用いて分析し、オージェパラメータを測定したところ726.2meVであり、Ag0について作表されている値に完全に一致した。描画したラインの像を、イメージングモードのスペクトロメータで記録できた。
SEM
SEMイメージングのために、構造体を非常に薄い金属層(Au/Ir合金)でコートした。図14は二光子励起を用いて描画した3D金属銀構造体のカマーのSEM写真を示す。描画された多層が明らかである。
以下の実験のために、ナノ秒YAGレーザー(20Hz)の倍波光(532nm)を、単一ショット方式で用いた。アモルファスカーボンでコートした、複合材フィルムつき(推定厚さ50nm)の銅グリッドの1つは用いずに参照例として残し、第2のもので1つのレーザーパルスを受け、第3のもので3つのレーザーパルスを受けた。各パルスの平均エネルギーは120μJであった。参照グリッド中の粒子の平均半径は2.95nmであることがわかり;第2のグリッドでは4.95nmであり、第3のグリッドでは約9.5nmであった。さらに、単位面積あたりのナノ粒子数は増加していないことがわかった。
銀ラインが電気伝導性であることを示す試験を行った。1つの試験では、ボルト−オームメーターのプローブを銀の描画パッド上に接触させ、200mmの距離を隔てて〜80MΩのインピーダンスを測定した。良好な電気的なコンタクトが保証されなかったので、これはこの長さのラインのインピーダンスに関する上限を示す。
銀ナノ粒子をCH2Cl2に溶解して2時間撹拌し、完全溶解を確実にした。色素を加えてアルミホイルでカバーした。4日間撹拌した後、35℃に穏やかに加熱しながら真空中で溶媒を除去した。アセトンを加え、沈殿したナノ粒子を定量ろ紙上に収集し、溶媒が紫外光で蛍光の徴候がなくなるまでアセトンで洗浄した。ナノ粒子を空気中で乾燥し、元素分析によって分析した。
111官能基化ナノ粒子(nAg12):
オクチルチオール/ドデシルチオールで保護した銀ナノ粒子(nAg7)(250mg), 4-((E)-2-{4-[(E)-2-(4-ホルミルフェニル)エテニル]-2-[(11-メルカプトウンデシル)オキシ]-5-メトキシフェニル}エテニル)ベンズアルデヒド(111)(14.1mg, 0.025mmol), CH2Cl2(500ml)。nAg12についての分析値(%)(二重分析): C: 11.78 (11.70), H: 2.07 (2.01), S: 2.76 (2.86), Ag: 76.62 (76.13)。
110官能基化ナノ粒子(nAg11):
オクチルチオール/ドデシルチオールで保護した銀ナノ粒子(nAg7)(150mg), 11-(2,5-ビス{(E)-2-[4-(ジエチルアミノ)フェニル]エテニル}-4-メトキシフェノキシ)ウンデカン-l-チオール(110)(50mg, 0.076mmol), CH2Cl2(300ml)。単離収量: 80.5mg。nAg11についての分析値(%)(二重分析): C: 19.41 (19.45), H: 2.85 (2.76), N: 0.62 (0.62), S: 3.06 (3.24), Ag: 71.10(71.06)。
19官能基化ナノ粒子(nAg10):
オクチルチオール/ドデシルチオールで保護した銀ナノ粒子(nAg7)(150mg), 11-{4-メトキシ -2,5-ビス[(E)-2-(4-ニトロフェニル)エテニル]フェノキシ}-l-ウンデカンチオール(19)(46mg, 0.076mmol), CH2Cl2(300ml)。nAg10についての分析値(%)(二重分析): C: 20.38 (20.40), H: 2.41 (2.26), N: 0.99 (0.96), S: 2.98 (2.86), Ag: 63.92 (63.97)。
19のみ官能基化ナノ粒子(nAg13):
116.5mgの硝酸銀を、0℃で〜75mlのエタノールに溶解した。138mgの19を〜100mlのアセトンと5mlのジクロロメタンに溶解した。色素溶液を硝酸銀溶液に加え、45分間撹拌した。75mlの飽和ホウ化水素ナトリウムのエタノール溶液を4時間かけて滴下して加えた。溶液をさらに3時間撹拌した。溶液を一晩冷蔵庫に貯蔵し、デカントした。沈殿をろ過し、水、アセトン、およびジクロロメタンで洗浄した。146.3mgの黒色粉末を収集した。nAg13についての分析値(%): C :41.00, H :4.10%, N: 2.88%, S: 3.57%, Ag: 37.51%。
例30:
F14色素結合ナノ粒子クラス(i)のフィルム。20nm厚さ
1mgのnAg12を20ccのクロロホルムに溶解し、2日間撹拌しておいた。2mgのAgBF4を10ccのアセトニトリルに溶解し、この溶液の0.1ccをナノ粒子溶液に加えた。0.5ccの混合溶液を25X25mmのITOコートしたガラススライド上にキャストした。
F15色素結合ナノ粒子クラス(ii)のフィルム。20nm厚さ
1mgのnAg12を20ccのクロロホルムに溶解し、2日間撹拌しておいた。
0.5ccの溶液を25X25mmのITOコートしたガラススライド上にキャストしてフィルムを形成した。
F16色素結合ナノ粒子クラス(iii)のフィルム。20nm厚さ
1mgのnAg7を20ccのクロロホルムに溶解し、2日間撹拌しておいた。2mgのAgBF4を10ccのアセトニトリルに溶解し、この溶液の0.1ccをナノ粒子溶液に加えた。0.5ccの混合溶液を25X25mmのITOコートしたガラススライド上にキャストした。
F17色素結合ナノ粒子クラス(vi)のフィルム。20nm厚さ
1mgのnAg7を20ccのクロロホルムに溶解し、2日間撹拌しておいた。0.5ccの溶液を25X25mmのITOコートしたガラススライド上にキャストしてフィルムを形成した。
F18色素結合ナノ粒子クラス(i)のフィルム。サブ単分子膜
1mgのnAg12を20ccのクロロホルムに溶解し、2日間撹拌しておいた。2mgのAgBF4を10ccのアセトニトリルに溶解し、この溶液の0.1ccをナノ粒子溶液に加えた。2ccの混合溶液をクロロホルムで10倍に希釈し、2μlをSi3N4コートしたSi基板(1mm2)上に成膜した。
F19色素結合ナノ粒子クラス(ii)のフィルム。サブ単分子膜
1mgのnAg12を20ccのクロロホルムに溶解し、2日間撹拌しておいた。2ccの溶液をクロロホルムで10倍に希釈し、2μlをSi3N4コートしたSi基板(1mm2)上に成膜した。
F20色素結合ナノ粒子クラス(iii)のフィルム。サブ単分子膜
1mgのnAg7を20ccのクロロホルムに溶解し、2日間撹拌しておいた。2mgのAgBF4を10ccのアセトニトリルに溶解し、この溶液の0.1ccをナノ粒子溶液に加えた。2ccの混合溶液をクロロホルムで10倍に希釈し、2μlをSi3N4コートしたSi基板(1mm2)上に成膜した。
F21色素結合ナノ粒子クラス(iv)のフィルム。サブ単分子膜
1mgのnAg7を20ccのクロロホルムに溶解し、2日間撹拌しておいた。2ccの溶液をクロロホルムで10倍に希釈し、2μlをSi3N4コートしたSi基板(1mm2)上に成膜した。
F22ナノ粒子成長のためのポリマー系フィルム
1mgのnAg12を20ccのクロロホルムに溶解し、2日間撹拌しておいた。200.6mgのPVKおよび89mgのエチルカルバゾールを2ccのナノ粒子溶液に溶解し、1日間撹拌しておいた。210mgのAgBF4を1ccのアセトニトリルに溶解し、この溶液の0.1ccをナノ粒子/ポリマー溶液に加えた。全溶液を25X75mmのガラススライド上にキャストした。
F23反射率のためのフィルム
271mgのPCUEMA, 20.5mgのエチルカルバゾール, 1.67mgのnAg6, および7.16mgの1dを6ccのクロロホルムに溶解し、一晩撹拌しておいた。27mgのAgBF4を0.2ccのアセトニトリルに溶解し、溶液に加えた。この混合溶液を1μmポアフィルターでろ過し、2ccのろ液を25X75mmのガラススライド上にキャストした。
F24導電率のためのフィルム
2mgのnAg6を5ccのクロロホルムに溶解し、1日撹拌しておいた。この混合溶液を1mmポアフィルターでろ過した。21mgのPVK, 9mgのエチルカルバゾール,および1.3mgの1dを0.3ccのナノ粒子溶液に溶解して2時間撹拌しておいた。20mgのAgBF4を0.5ccのアセトニトリルに溶解し、この溶液の0.05ccをポリマーナノ粒子溶液に加えた。この溶液をテーラーメードガラススライド(25X25mm)の半分にキャストし、他の半分をテフロンテープでカバーした。
例41:
F25銅マイクロ製造フィルム
66mgのポリ(メチルメタクリレート)PMMA, 1.1mgのリガンドでコートした銅ナノ粒子nCu1, 5mgのCuP(CH3)3I,および3mgの色素1dを0.6mlの脱気CHCl3に溶解し、アルゴン雰囲気下で25X25mmのガラススライド上にキャストすることにより、フィルムを形成した。
F26銅マイクロ製造フィルム
66mgのPMMA, 1.1mgのリガンドでコートした金ナノ粒子nAu1, 5mgのAuP(CH3)3Br,および3mgの色素1dを0.6mlの脱気CHCl3に溶解し、アルゴン雰囲気下で25X25mmのガラススライド上にキャストすることにより、フィルムを形成した。
F27ホログラフィーのためのフィルム
271mgのPVK, 20.5mgのエチルカルバゾール, 1.67mgのnAg6,および0.8mgの1dを6ccのクロロホルムに溶解し、一晩撹拌しておいた。27mgのAgBF4を0.2ccのアセトニトリルに溶解し、溶液に加えた。この混合溶液を1μmポアフィルターでろ過し、2ccのろ液を25X75mmのガラススライド上にキャストした。
上記の教示を考慮すれば、明らかに本発明の多くの修正および変更が可能である。したがって、添付した特許請求の範囲の範囲内において、本発明は本明細書に具体的に記載したのとは違ったやり方で実施することもできる。
Claims (17)
- 予備核形成した金属ナノ粒子の成長方法であって、
前記予備核形成した金属ナノ粒子であってリガンドを有するものを複合材にして提供し、
放射線を用いた露光により金属イオンを還元することによって金属原子を生成し、
前記金属原子を前記予備核形成した金属ナノ粒子と反応させ、それによって金属ナノ粒子を成長させる
ことを特徴とする方法。 - さらに、少なくとも2つの金属ナノ粒子を合体させることによって金属の連続相を得ることを含むことを特徴とする請求項1に記載の方法。
- 前記金属原子を、電子ビームを使用することによって金属イオンから生成することを特徴とする請求項1に記載の方法。
- 前記金属原子を、分子のレーザー励起によって生成することよって熱を生成し、金属イオンの熱還元を引き起こすことを特徴とする請求項1に記載の方法。
- 前記金属原子を、分子の光励起によって生成することによって前記分子の励起状態を創り出し、前記分子の還元ポテンシャルを増大させ、
前記励起状態にある前記分子によって前記金属イオンを還元して金属原子を得る
ことを特徴とする請求項1に記載の方法。 - 予備核形成した金属ナノ粒子の成長方法であって、
前記予備核形成した金属ナノ粒子であってリガンドを有するもの、金属塩、色素およびポリマーマトリックスからフィルムを形成し、
放射線を用いた露光により前記金属塩の金属イオンを還元することによって金属原子を生成し、
前記金属原子を前記予備核形成した金属ナノ粒子と反応させることによって金属ナノ粒子を成長させる
ことを特徴とする方法。 - 前記金属ナノ粒子を有機リガンドまたは有機リガンドの混合物によって安定化したことを特徴とする請求項1または6に記載の方法。
- 前記有機リガンドは式A-B-Cの分子であることを特徴とする請求項7に記載の方法。
- Aは、金属ナノ粒子表面に結合できる孤立電子対をもつ少なくとも1つの原子をもつ分子もしくはイオンのフラグメントであるか、または金属ナノ粒子表面に結合できる不飽和の分子もしくはイオンのフラグメントであり、フラグメントをBと結合するための接続点を含むことを特徴とする請求項8に記載の方法。
- AおよびCは、各々独立して、 - S-, - O-, - O 2 C-, - S-S-R, - O 3 S-, - S 2 C-NR-, - O 2 C-NR-, P(R 1 R 2 )-, N(R 1 R 2 )-, O(R 1 )-, P(OR 1 )(OR 2 )O-, およびS 2 (R)- からなる群より選択され、
R, R 1 , およびR 2 は独立して-H, 1〜50の炭素原子を含む直鎖または枝分かれアルキル鎖、フェニル基、フェニル基以外のアリール基、およびヘテロ芳香族基からなる群より選択され、
各々のAおよびCは独立してBとの1つの接続点をもつ
ことを特徴とする請求項8に記載の方法。 - Bは2つの接続点をもつ有機フラグメントであり、1つが部分Aと結合し、1つが部分Cと結合することを特徴とする請求項8に記載の方法。
- Bは単結合であることを特徴とする請求項8に記載の方法。
- BおよびCは、各々独立して、1ないし50の炭素原子をもつメチレン鎖、1ないし20のフェニルをもつフェニレン鎖、1ないし20のチオフェニレンをもつチオフェニレン鎖、1ないし20のフェニルビニレンをもつフェニレンビニレン鎖、枝分れ炭化水素鎖、1ないし20のエチレンオキシドをもつエチレンオキシド鎖、1ないし20のビニルカルバゾール単位をもつオリゴ(ビニルカルバゾール)鎖からなる群より選択され、
Bは2つの接続点をもち、
Cは1つの接続点をもつ
ことを特徴とする請求項8に記載の方法。 - CはフラグメントBと結合する1つの接続点をもつ分子フラグメントであることを特徴とする請求項8に記載の方法。
- Cは-H,アリール基、N-カルバゾイル、α-フルオレニル、-SiOR 3 、-SiCl 3 、色素、ドナー-アクセプタ色素、光還元色素、多光子吸収発光団、メチレンブルー、オリゴヌクレオチドストランド、ペプチド鎖からなる群より選択されることを特徴とする請求項14に記載の方法。
- Cはカルバゾール、ビス-スチリルベンゼン、シアニンおよびチオフェンからなる群より選択されることを特徴とする請求項14に記載の方法。
- 前記リガンドA-B-Cは、オクタンチオール、ドデカンチオール、ヘプタンチオール、8-(9H-カルバゾール-9-イル)オクタン-1-チオール、8-(9H-カルバゾール-9-イル)ドデカン-1-チオール、3-メルカプトプロピオン酸、ビス[2-(ジメチルアミノ)エチル]2-メルカプトペンタジオエート、3{2,5-ビス[(E)-2-(4-ホルミル-(フェニル)エテニル]フェノキシ}プロピル-4-(1,2-ジチオラン-3-イル)ブタノエートおよびこれらの混合物からなる群より選択されることを特徴とする請求項14に記載の方法。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US25614800P | 2000-12-15 | 2000-12-15 | |
PCT/US2001/047724 WO2002048432A2 (en) | 2000-12-15 | 2001-12-17 | Method for patterning metal using nanoparticle containing precursors |
Related Child Applications (2)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2007270125A Division JP4870643B2 (ja) | 2000-12-15 | 2007-10-17 | 前駆体を含有するナノ粒子を用いた金属のパターニング方法 |
JP2007270124A Division JP5474290B2 (ja) | 2000-12-15 | 2007-10-17 | 前駆体を含有するナノ粒子を用いた金属のパターニング方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2004531875A JP2004531875A (ja) | 2004-10-14 |
JP4463473B2 true JP4463473B2 (ja) | 2010-05-19 |
Family
ID=22971245
Family Applications (3)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2002550143A Expired - Fee Related JP4463473B2 (ja) | 2000-12-15 | 2001-12-17 | 前駆体を含有するナノ粒子を用いた金属のパターニング方法 |
JP2007270125A Expired - Fee Related JP4870643B2 (ja) | 2000-12-15 | 2007-10-17 | 前駆体を含有するナノ粒子を用いた金属のパターニング方法 |
JP2007270124A Expired - Fee Related JP5474290B2 (ja) | 2000-12-15 | 2007-10-17 | 前駆体を含有するナノ粒子を用いた金属のパターニング方法 |
Family Applications After (2)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2007270125A Expired - Fee Related JP4870643B2 (ja) | 2000-12-15 | 2007-10-17 | 前駆体を含有するナノ粒子を用いた金属のパターニング方法 |
JP2007270124A Expired - Fee Related JP5474290B2 (ja) | 2000-12-15 | 2007-10-17 | 前駆体を含有するナノ粒子を用いた金属のパターニング方法 |
Country Status (7)
Country | Link |
---|---|
US (3) | US7252699B2 (ja) |
EP (1) | EP1368813B1 (ja) |
JP (3) | JP4463473B2 (ja) |
KR (1) | KR100803186B1 (ja) |
AU (2) | AU2002239581B2 (ja) |
CA (1) | CA2430253C (ja) |
WO (1) | WO2002048432A2 (ja) |
Families Citing this family (99)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7005229B2 (en) * | 2002-10-02 | 2006-02-28 | 3M Innovative Properties Company | Multiphoton photosensitization method |
US7265161B2 (en) * | 2002-10-02 | 2007-09-04 | 3M Innovative Properties Company | Multi-photon reactive compositions with inorganic particles and method for fabricating structures |
US7381516B2 (en) * | 2002-10-02 | 2008-06-03 | 3M Innovative Properties Company | Multiphoton photosensitization system |
CA2430253C (en) * | 2000-12-15 | 2011-04-26 | The Arizona Board Of Regents | Method for patterning metal using nanoparticle containing precursors |
US6888150B2 (en) * | 2001-12-13 | 2005-05-03 | Sony International (Europe) Gmbh | Method for defect and conductivity engineering of a conducting nanoscaled structure |
US7601406B2 (en) * | 2002-06-13 | 2009-10-13 | Cima Nanotech Israel Ltd. | Nano-powder-based coating and ink compositions |
US7232650B2 (en) * | 2002-10-02 | 2007-06-19 | 3M Innovative Properties Company | Planar inorganic device |
US6921626B2 (en) * | 2003-03-27 | 2005-07-26 | Kodak Polychrome Graphics Llc | Nanopastes as patterning compositions for electronic parts |
DE10320090A1 (de) | 2003-05-05 | 2004-08-26 | Infineon Technologies Ag | Elektrisches Bauteil mit Leitungen aus karbonisiertem Kunststoff, sowie Verfahren und Vorrichtung zu seiner Herstellung |
KR100718101B1 (ko) * | 2003-10-29 | 2007-05-14 | 삼성에스디아이 주식회사 | 나노 금속 입자를 이용한 전계 발광 소자 |
US7276385B1 (en) * | 2003-11-24 | 2007-10-02 | Kovio, Inc. | Methods of laser repairing a circuit, compositions and equipment for such methods, and structures formed from such methods |
US7998538B2 (en) * | 2003-12-15 | 2011-08-16 | California Institute Of Technology | Electromagnetic control of chemical catalysis |
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JP5501572B2 (ja) | 2008-04-25 | 2014-05-21 | 株式会社ジェイテクト | モーターのローター及び電動パワーステアリング装置 |
JP5501928B2 (ja) | 2010-04-30 | 2014-05-28 | パイロットインキ株式会社 | 筆記具用部材 |
JP5279862B2 (ja) | 2011-03-31 | 2013-09-04 | 信越化学工業株式会社 | ペリクル膜、その製造方法及び該膜を張ったペリクル |
-
2001
- 2001-12-17 CA CA2430253A patent/CA2430253C/en not_active Expired - Fee Related
- 2001-12-17 AU AU2002239581A patent/AU2002239581B2/en not_active Ceased
- 2001-12-17 JP JP2002550143A patent/JP4463473B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2001-12-17 US US10/450,661 patent/US7252699B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2001-12-17 KR KR1020037007986A patent/KR100803186B1/ko not_active IP Right Cessation
- 2001-12-17 WO PCT/US2001/047724 patent/WO2002048432A2/en active Application Filing
- 2001-12-17 AU AU3958102A patent/AU3958102A/xx active Pending
- 2001-12-17 EP EP01987356.1A patent/EP1368813B1/en not_active Expired - Lifetime
-
2007
- 2007-04-18 US US11/736,695 patent/US8779030B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2007-10-17 JP JP2007270125A patent/JP4870643B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2007-10-17 JP JP2007270124A patent/JP5474290B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2009
- 2009-10-23 US US12/605,012 patent/US8557017B2/en not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
WO2002048432A3 (en) | 2002-08-15 |
US7252699B2 (en) | 2007-08-07 |
EP1368813A2 (en) | 2003-12-10 |
JP2008163447A (ja) | 2008-07-17 |
JP4870643B2 (ja) | 2012-02-08 |
EP1368813A4 (en) | 2005-03-23 |
WO2002048432A2 (en) | 2002-06-20 |
EP1368813B1 (en) | 2014-12-03 |
AU2002239581B2 (en) | 2006-09-28 |
US20100132507A1 (en) | 2010-06-03 |
CA2430253C (en) | 2011-04-26 |
US20070190326A1 (en) | 2007-08-16 |
AU3958102A (en) | 2002-06-24 |
CA2430253A1 (en) | 2002-06-20 |
JP2004531875A (ja) | 2004-10-14 |
US8557017B2 (en) | 2013-10-15 |
WO2002048432A9 (en) | 2004-05-06 |
US20040079195A1 (en) | 2004-04-29 |
JP5474290B2 (ja) | 2014-04-16 |
KR20030074659A (ko) | 2003-09-19 |
KR100803186B1 (ko) | 2008-02-14 |
US8779030B2 (en) | 2014-07-15 |
JP2008147168A (ja) | 2008-06-26 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
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Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20041206 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
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|
A521 | Request for written amendment filed |
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|
A131 | Notification of reasons for refusal |
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|
A601 | Written request for extension of time |
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|
A602 | Written permission of extension of time |
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|
A521 | Request for written amendment filed |
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|
A131 | Notification of reasons for refusal |
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|
A521 | Request for written amendment filed |
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|
A131 | Notification of reasons for refusal |
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|
A601 | Written request for extension of time |
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|
A602 | Written permission of extension of time |
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|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20100119 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20100217 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130226 Year of fee payment: 3 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140226 Year of fee payment: 4 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
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LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |