JP4449119B2 - Positive photosensitive resin precursor composition - Google Patents

Description

【０００８】
(式中Ｒ¹は少なくとも２個以上の炭素原子を有する２価から８価の有機基、Ｒ²は、少なくとも２個以上の炭素原子を有する２価から６価の有機基、Ｒ³は水素、または炭素数１から２０までの有機基を示す。ｎは１０から１０００００までの整数、ｍは０から２までの整数、ｐ、ｑは０から４までの整数を示す。ただしｐ+ｑ＞０である。）
【０００９】
【化９】

【００１０】
（式中Ｒ⁴、Ｒ⁵、Ｒ⁷、Ｒ⁸は、水素原子、炭素数１〜４から選ばれるアルキル基、アルコキシル基、カルボキシル基、エステル基のいずれかを示す。Ｒ⁶は水酸基、水素原子、炭素数１〜７から選ばれるアルキル基、ヒドロキシベンジル基のいずれかを示す。各Ｒ⁴、各Ｒ⁵、は各々同じでも異なっていてもよい。また各Ｒ⁶は同じでも異なっていてもよく、Ｒ⁶の少なくとも１つは水酸基である。α、β、γ、δは０〜３の整数を表す。ただし、α＋γ≦５、β＋δ≦５、α＋β＞０である。ｘは１〜３の整数を示す。）
（ａ）一般式（１）で表される構造単位を主成分とするポリマーと、（ｄ）一般式（３）で表されるナフトキノンジアジド化合物を含有することを特徴とするポジ型感光性樹脂前駆体組成物である。
【００１１】
【化１０】

【００１２】
（式中、Ｒ⁹、Ｒ¹⁰、Ｒ¹²、Ｒ¹³は、水素原子、炭素数１〜８から選ばれるアルキル基、アルコキシル基、カルボキシル基、エステル基のいずれかを示す。Ｒ¹¹は水酸基、水素原子、炭素数１〜８から選ばれるアルキル基、−ＯＱを示す。Ｒ¹¹の少なくとも１つは−ＯＱである。Ｑは５−ナフトキノンジアジドスルホニル基、４−ナフトキノンジアジドスルホニル基のいずれかを表す。各Ｒ⁹、各Ｒ¹⁰、は各々同じでも異なっていてもよい。また各Ｒ¹¹は同じでも異なっていてもよい。ａ、ｂ、ｃ、ｄは０〜３の整数を表す。ただし、ａ＋ｃ≦５、ｂ＋ｄ≦５、ａ＋ｂ＞０である。ｙは１〜３の整数を示す。）
【００１３】
【発明の実施の形態】
本発明における一般式（１）で表される構造単位を主成分とするポリマーとは、加熱あるいは適当な触媒により、イミド環、オキサゾール環、その他の環状構造を有するポリマーとなり得るものである。環構造となることで、耐熱性、耐溶剤性が飛躍的に向上する。
【００１４】
上記一般式（１）は、水酸基を有したポリアミド酸を表しており、この水酸基の存在のために、アルカリ水溶液に対する溶解性が水酸基を有さないポリアミド酸よりも良好になる。特に、水酸基の中でもフェノール性の水酸基がアルカリ水溶液に対する溶解性より好ましい。また、フッ素原子を一般式（１）中に１０重量％以上有することで、アルカリ水溶液で現像する際に、膜の界面に撥水性が適度に出るために、界面のしみこみなどが抑えられる。しかしながら、フッ素原子含有量が２０重量％を越えると、アルカリ水溶液に対する溶解性が低下すること、熱処理により環状構造にしたポリマーの耐有機溶媒性が低下すること、発煙硝酸に対する溶解性が低下するために好ましくない。このように、フッ素原子は１０重量％以上２０重量％以下含まれることが好ましい。
【００１５】
上記一般式（１）中、Ｒ¹は酸二無水物の構造成分を表しており、この酸二無水物は芳香族環を含有し、かつ、水酸基を１個〜４個有した、少なくとも２個以上の炭素原子を有する２価〜８価の有機基であることが好ましく、炭素数６〜３０の３価または４価の有機基がさらに好ましい。
【００１６】
具体的には、一般式（４）に示されるような構造のものが好ましく、この場合、Ｒ¹⁴、Ｒ¹⁶は得られるポリマーの耐熱性より芳香族環を含んだものが好ましく、その中でも特に好ましい構造としてトリメリット酸、トリメシン酸、ナフタレントリカルボン酸残基のようなものを挙げることができる。またＲ¹⁵は炭素数３〜２０より選ばれる水酸基を有した３価〜６価の有機基が好ましい。さらに、水酸基はアミド結合と隣り合った位置にあることが好ましい。このような例として、フッ素原子を含んだ、ビス（３−アミノ−４−ヒドロキシフェニル）ヘキサフルオロプロパン、ビス（３−ヒドロキシ−４−アミノフェニル）ヘキサフルオロプロパン、フッ素原子を含まない、ビス（３−アミノ−４−ヒドロキシフェニル）プロパン、ビス（３−ヒドロキシ−４−アミノフェニル）プロパン、３，３’−ジアミノ−４，４’−ジヒドロキシビフェニル、３，３’−ジアミノ−４，４’−ジヒドロキシビフェニル、２，４−ジアミノ−フェノール、２，５−ジアミノフェノール、１，４−ジアミノ−２，５−ジヒドロキシベンゼンのアミノ基が結合したものなどを挙げることができる。
【００１７】
また、Ｒ¹⁷、Ｒ¹⁸は水素、および／または炭素数１〜２０までの有機基が良い。炭素数２０以上になるとアルカリ現像液に対する溶解性が低下する。ｏ、ｓは１または２をあらわしており、ｒは１〜４までの整数を表している。ｒが５以上になると、得られる耐熱性樹脂膜の特性が低下する。
【００１８】
一般式（１）のＲ¹（ＣＯＯＲ³）ｍ（ＯＨ）ｐが一般式（４）で表される化合物の中で、好ましい化合物を例示すると下記に示したような構造のものが挙げられるが、これらに限定されない。
【００１９】
【化１１】

【００２０】
また、アルカリに対する溶解性、感光性能、耐熱性を損なわない範囲で、水酸基を有していないテトラカルボン酸、ジカルボン酸で変性することもできる。この例としては、ピロメリット酸、ベンゾフェノンテトラカルボン酸、ビフェニルテトラカルボン酸、ジフェニルエーテルテトラカルボン酸、ジフェニルスルホンテトラカルボン酸などの芳香族テトラカルボン酸やそのカルボキシル基２個をメチル基やエチル基にしたジエステル化合物、ブタンテトラカルボン酸、シクロペンタンテトラカルボン酸などの脂肪族のテトラカルボン酸やそのカルボキシル基２個をメチル基やエチル基にしたジエステル化合物、テレフタル酸、イソフタル酸、ジフェニルエーテルジカルボン酸、ナフタレンジカルボン酸などの芳香族ジカルボン酸、アジピン酸などの脂肪族ジカルボン酸などを挙げることができる。これらは、酸成分の５０モル％以下の変性が好ましいが、さらに好ましくは３０モル％以下である。５０モル％以上の変性を行うと、アルカリに対する溶解性、感光性が損なわれる恐れがある。
【００２１】
上記一般式（１）中、Ｒ²はジアミンの構造成分を表している。この中で、Ｒ²の好ましい例としては、得られるポリマーの耐熱性より芳香族を有し、かつ水酸基を有するものが好ましく、具体的な例としてはフッ素原子を有した、ビス（アミノ−ヒドロキシ−フェニル）ヘキサフルオロプロパン、フッ素原子を有さない、ジアミノジヒドロキシピリミジン、ジアミノジヒドロキシピリジン、ヒドロキシ−ジアミノ−ピリミジン、ジアミノフェノール、ジヒドロキシベンチジンなどの化合物や一般式（５）、（６）、（７）に示す構造のものをあげることができる。
【００２２】
この中で、一般式（５）のＲ¹⁹、Ｒ²¹、一般式（６）のＲ²³、一般式（７）のＲ²⁶は、得られるポリマーの耐熱性より芳香族環、水酸基を有した有機基が好ましい。一般式（５）のＲ²⁰、一般式（６）のＲ²²、Ｒ²⁴、一般式（７）のＲ²⁵は、得られるポリマーの耐熱性より芳香族環を有した有機基が好ましい。また一般式（５）のｔ、ｕは１あるいは２の整数を示し、一般式（６）のｖ、一般式（７）のｗは１〜４までの整数を示す。
【００２３】
一般式（１）のＲ²（ＯＨ）ｑを一般式（５）で表される具体例を下記に示す。
【００２４】
【化１２】

【００２５】
また、一般式（１）のＲ²（ＯＨ）ｑを一般式（６）で表される具体例を下記に示す。
【００２６】
【化１３】

【００２７】
一般式（１）のＲ²（ＯＨ）ｑを一般式（７）で表される具体例を下記に示す。
【００２８】
【化１４】

【００２９】
一般式（５）において、Ｒ¹⁹、Ｒ²¹は炭素数２〜２０より選ばれる水酸基を有した３価〜４価の有機基を示しており、得られるポリマーの耐熱性より芳香族環を有したものが好ましい。具体的にはヒドロキシフェニル基、ジヒドロキシフェニル基、ヒドロキシナフチル基、ジヒドロキシナフチル基、ヒドロキシビフェニル基、ジヒドロキシビフェニル基、ビス（ヒドロキシフェニル）ヘキサフルオロプロパン基、ビス（ヒドロキシフェニル）プロパン基、ビス（ヒドロキシフェニル）スルホン基、ヒドロキシジフェニルエーテル基、ジヒドロキシジフェニルエーテル基などを表す。また、ヒドロキシシクロヘキシル基、ジヒドロキシシクロヘキシル基などの脂肪族の基も使用することができる。Ｒ²⁰は炭素数２〜３０までの２価の有機基を表している。得られるポリマーの耐熱性よりは芳香族を有した２価の基がよく、このような例としてはフェニル基、ビフェニル基、ジフェニルエーテル基、ジフェニルヘキサフルオロプロパン基、ジフェニルプロパン基、ジフェニルスルホン基などをあげることができるが、これ以外にも脂肪族のシクロヘキシル基なども使用することができる。
【００３０】
一般式（６）において、Ｒ²²、Ｒ²⁴は炭素数２〜２０までの２価の有機基を表している。得られるポリマーの耐熱性よりは芳香族を有した２価の基がよく、このような例としてはフェニル基、ビフェニル基、ジフェニルエーテル基、ジフェニルヘキサフルオロプロパン基、ジフェニルプロパン基、ジフェニルスルホン基などをあげることができるが、これ以外にも脂肪族のシクロヘキシル基なども使用することができる。Ｒ²³は、炭素数３〜２０より選ばれる水酸基を有した３価〜６価の有機基を示しており、得られるポリマーの耐熱性より芳香族環を有したものが好ましい。具体的にはヒロドキシフェニル基、ジヒドロキシフェニル基、ヒドロキシナフチル基、ジヒドロキシナフチル基、ヒドロキシビフェニル基、ジヒドロキシビフェニル基、ビス（ヒドロキシフェニル）ヘキサフルオロプロパン基、ビス（ヒドロキシフェニル）プロパン基、ビス（ヒドロキシフェニル）スルホン基、ヒドロキシジフェニルエーテル基、ジヒドロキシジフェニルエーテル基などを表す。また、ヒドロキシシクロヘキシル基、ジヒドロキシシクロヘキシル基などの脂肪族の基も使用することができる。
【００３１】
一般式（７）においてＲ²⁵は炭素数２〜２０より選ばれる２価の有機基を表している。得られるポリマーの耐熱性から芳香族を有した２価の基がよく、このような例としてはフェニル基、ビフェニル基、ジフェニルエーテル基、ジフェニルヘキサフルオロプロパン基、ジフェニルプロパン基、ジフェニルスルホン基などをあげることができるが、これ以外にも脂肪族のシクロヘキシル基なども使用することができる。Ｒ²⁶は炭素数３〜２０より選ばれる水酸基を有した３価〜６価の有機基を示しており、得られるポリマーの耐熱性より芳香族環を有したものが好ましい。具体的にはヒドロキシフェニル基、ジヒドロキシフェニル基、ヒドロキシナフチル基、ジヒドロキシナフチル基、ヒドロキシビフェニル基、ジヒドロキシビフェニル基、ビス（ヒドロキシフェニル）ヘキサフルオロプロパン基、ビス（ヒドロキシフェニル）プロパン基、ビス（ヒドロキシフェニル）スルホン基、ヒドロキシジフェニルエーテル基、ジヒドロキシジフェニルエーテル基などを表す。また、ヒドロキシシクロヘキシル基、ジヒドロキシシクロヘキシル基などの脂肪族の基も使用することができる。
【００３２】
また、１〜４０モル％の範囲の、他のジアミン成分を用いて変性することもできる。これらの例としては、フェニレンジアミン、ジアミノジフェニルエーテル、アミノフェノキシベンゼン、ジアミノジフェニルメタン、ジアミノジフェニルスルホン、ビス（トリフルオロメチル）ベンチジン、ビス（アミノフェノキシフェニル）プロパン、ビス（アミノフェノキシフェニル）スルホンあるいはこれらの芳香族環にアルキル基やハロゲン原子で置換した化合物などを挙げることができる。このような例として、フェニレンジアミン、ジアミノジフェニルエーテル、アミノフェノキシベンゼン、ジアミノジフェニルメタン、ジアミノジフェニルスルホン、ビス（トリフルオロメチル）ベンチジン、ビス（アミノフェノキシフェニル）プロパン、ビス（アミノフェノキシフェニル）スルホンあるいはこれらの芳香族環にアルキル基やハロゲン原子で置換した化合物など、脂肪族のシクロヘキシルジアミン、メチレンビスシクロヘキシルアミンなどが挙げられる。このようなジアミン成分を４０モル％以上共重合すると得られるポリマーの耐熱性が低下する。
【００３３】
一般式（１）のＲ³は水素、または炭素数１〜２０の有機基を表している。得られるポジ型感光性樹脂前駆体溶液の安定性からは、Ｒ³は有機基が好ましいが、アルカリ水溶液の溶解性より見ると水素が好ましい。本発明においては、水素原子とアルキル基を混在させることができる。このＲ³の水素と有機基の量を制御することで、アルカリ水溶液に対する溶解速度が変化するので、この調整により適度な溶解速度を有したポジ型感光性樹脂前駆体組成物を得ることができる。好ましい範囲は、Ｒ³の１０％〜９０％が水素原子であることである。Ｒ³の炭素数が２０を越えるとアルカリ水溶液に溶解しなくなる。以上よりＲ³は、炭素数１〜１６までの炭化水素基を少なくとも１つ以上含有し、その他は水素原子であることが好ましい。
【００３４】
また一般式（１）のｍはカルボキシル基の数を示しており、０〜２までの整数を示している。一般式（１）のｎは本発明のポリマーの構造単位の繰り返し数を示しており、１０〜１０００００の範囲であることが好ましい。
【００３５】
ポリアミド酸と類似の耐熱性高分子前駆体としてポリヒドロキシアミドをポリアミド酸の代わりに使用することも出来る。このようなポリヒドロキシアミドの製造方法としては、ビスアミノフェノール化合物とジカルボン酸を縮合反応させることで得ることが出来る。具体的には、ジシクロヘキシルカルボジイミド（ＤＣＣ）のような脱水縮合剤と酸を反応させ、ここにビスアミノフェノール化合物を加える方法やピリジンなどの３級アミンを加えたビスアミノフェノール化合物の溶液にジカルボン酸ジクロリドの溶液を滴下するなどがある。
【００３６】
ポリヒドロキシアミドを使用する場合、ポリヒドロキシアミドの溶液にナフトキノンジアジドスルホン酸エステルのような感光剤を加えることで、紫外線で露光した部分をアルカリ水溶液で除去できるポジ型の感光性耐熱性樹脂前駆体組成物を得ることが出来る。
【００３７】
さらに、基板との接着性を向上させるために、耐熱性を低下させない範囲で 一般式（１）のＲ¹、Ｒ²にシロキサン構造を有する脂肪族の基を共重合してもよい。具体的には、ジアミン成分として、ビス（３−アミノプロピル）テトラメチルジシロキサン、ビス（ｐ−アミノ−フェニル）オクタメチルペンタシロキサンなどを１〜１０モル％共重合したものなどがあげられる
本発明のポジ型感光性樹脂組成物は一般式（１）で表される構造単位のみからなるものであっても良いし、他の構造単位との共重合体あるいはブレンド体であっても良い。その際、一般式（１）で表される構造単位を９０モル％以上含有していることが好ましい。共重合あるいはブレンドに用いられる構造単位の種類および量は最終加熱処理によって得られるポリイミド系ポリマの耐熱性を損なわない範囲で選択することが好ましい。
【００３８】
本発明の耐熱性樹脂前駆体は公知の方法により合成される。例えば、低温中でテトラカルボン酸２無水物とジアミン化合物を反応させる方法、テトラカルボン酸２無水物とアルコールとによりジエステルを得、その後アミンと縮合剤の存在下で反応させる方法、テトラカルボン酸２無水物とアルコールとによりジエステルを得、その後残りのジカルボン酸を酸クロリド化し、アミンと反応させる方法などで合成することができる。
【００３９】
本発明における一般式（２）で表されたフェノール性水酸基を有する化合物としては、たとえば、ＢｉｓＲＳ−２Ｐ、ＢｉｓＰＧ−２６Ｘ、ＢｉｓＲＳ−３Ｐ、ＢｉｓＯＣ−ＯＣＨＰ、ＢｉｓＰＣ−ＯＣＨＰ、Ｂｉｓ２５Ｘ−ＯＣＨＰ、Ｂｉｓ２６Ｘ−ＯＣＨＰ、ＢｉｓＯＣＨＰ−ＯＣ、Ｂｉｓ２３６Ｔ−ＯＣＨＰ、メチレントリス−ＦＲ−ＣＲ、ＢｉｓＲＳ−２６Ｘ、ＢｉｓＲＳ−ＯＣＨＰ（以上、商品名、本州化学工業社製）、ＢＩＲ−ＯＣ、ＢＩＰ−ＰＣ、ＢＩＲ−ＰＣ、ＢＩＲ−ＰＴＢＰ、ＢＩＲ−ＰＣＨＰ、ＢＩＰ−ＢＩＯＣ−Ｆ、４ＰＣ、ＢＩＲ−ＢＩＰＣ−Ｆ、ＴＥＰ−ＢＩＰ−Ａ（以上、商品名、旭有機材工業社製）が挙げられる。
【００４０】
一般式（２）のＲ⁴、Ｒ⁵、Ｒ⁷、Ｒ⁸は水素原子、炭素数１〜４から選ばれるアルキル基、アルコキシル基、カルボキシル基、エステル基のいずれかを示す。なかでもＲ⁴、Ｒ⁵は、メチル基、水素原子が好ましい。また、Ｒ⁷、Ｒ⁸は水酸基、水素原子、シクロヘキシル基が好ましい。一般式（２）のＲ⁶は水酸基、水素原子、炭素数１〜７から選ばれるアルキル基、ヒドロキシベンジル基のいずれかを示す。なかでもＲ⁶は少なくとも１つが水酸基であり、それ以外の場合は水素原子、メチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、シクロへキシル基、ヒドロキシベンジル基であることが好ましい。Ｒ⁴、Ｒ⁵、Ｒ⁶、Ｒ⁷、Ｒ⁸が上記以外の場合は、アルカリに対する溶解促進効果よりも、溶解阻害効果が大きくなる故、好ましくない。さらに好ましいフェノール性水酸基を有する化合物としては、たとえば、ＢｉｓＲＳ−２Ｐ、ＢｉｓＲＳ−３Ｐ、ＢｉｓＰ−ＯＣＨＰ、メチレントリス−ＦＲ−ＣＲ、ＢｉｓＲＳ−２６Ｘ、ＢＩＰ−ＰＣ、ＢＩＲ−ＰＣ、ＢＩＲ−ＢＩＰＣ−Ｆ等が挙げられる。このフェノール性水酸基を有する化合物を添加することで、得られる樹脂組成物は、露光前はアルカリ現像液にほとんど溶解せず、露光すると容易にアルカリ現像液に溶解するために、現像による膜減りが少なく、かつ短時間で現像が容易になる。また一般式（２）のα、β、γ、δは０〜３の整数を表し、α＋γ≦５、β＋δ≦５、α＋β＞０である。ｘは１〜３の整数を示す。
【００４１】
このようなフェノール性水酸基を有する化合物の添加量としては、ポリマー１００重量部に対して、好ましくは１から５０重量部であり、さらに好ましくは３から４０重量部の範囲である。
【００４２】
本発明に添加されるナフトキノンジアジド化合物としては、フェノール性水酸基を有した化合物にナフトキノンジアジドのスルホン酸がエステルで結合した化合物が好ましい。ここで用いられるフェノール性水酸基を有する化合物は、本発明に用いる一般式（２）で表されるフェノール性水酸基を有する化合物と同じでも、異なるものであってもいい。例えば一般式（２）に該当しないような化合物としては、ナフトール、テトラヒドロキシベンゾフェノン、没食子酸メチルエステル、ビスフェノールＡ、メチレンビスフェノール、ＴｒｉｓＰ−ＨＡＰ（商品名、本州化学工業社製）、ＢｉｓＰ−ＡＰ（商品名、本州化学工業社製）などの化合物に４−ナフトキノンジアジドスルホン酸あるいは５−ナフトキノンジアジドスルホン酸をエステル結合で導入したものが好ましいものとして例示することが出来るが、これ以外の化合物を使用することもできる。
【００４３】
さらに本発明におけるナフトキノンジアジド化合物としては、一般式（３）に該当するものが好ましい。たとえば、ＢｉｓＲＳ−２Ｐ、ＢｉｓＰＧ−２６Ｘ、ＢｉｓＯＣ−ＯＣＨＰ、ＢｉｓＰ−ＯＣＨＰ、ＢｉｓＰＣ−ＯＣＨＰ、Ｂｉｓ２５Ｘ−ＯＣＨＰ、Ｂｉｓ２６Ｘ−ＯＣＨＰ、ＢｉｓＯＣＨＰ−ＯＣ、Ｂｉｓ２３６Ｔ−ＯＣＨＰ、メチレントリス−ＦＲ−ＣＲ、ＢｉｓＲＳ−２６Ｘ、ＢｉｓＲＳ−ＯＣＨＰ（以上、商品名、本州化学工業社製）、ＢＩＲ−ＯＣ、ＢＩＰ−ＰＣ、ＢＩＲ−ＰＣ、ＢＩＲ−ＰＴＢＰ、ＢＩＲ−ＰＣＨＰ、ＢＩＰ−ＢＩＯＣ−Ｆ、４ＰＣ、ＢＩＲ−ＢＩＰＣ−Ｆ（以上、商品名、旭有機材工業社製）等のフェノール性水酸基を有する化合物の５−ナフトキノンジアジドスルホニルエステル化合物または、４−ナフトキノンジアジドスルホニルエステル化合物が挙げられる。
【００４４】
一般式（３）のＲ⁹、Ｒ¹⁰、Ｒ¹²、Ｒ¹³は水素原子、炭素数１〜８から選ばれるアルキル基、アルコキシル基、エステル基のいずれかを示している。なかでもＲ⁹、Ｒ¹⁰はメチル基、水素原子が好ましく、Ｒ¹²、Ｒ¹³は水酸基、水素原子、シクロヘキシル基が好ましい。またＲ¹¹は水酸基、水素原子、炭素数１〜８から選ばれるアルキル基、−ＯＱを示しており、なかでもＲ¹¹は少なくとも１つが−ＯＱであり、それ以外の場合は水酸基、水素原子、メチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、シクロへキシル基が好ましい。また、Ｒ⁹、Ｒ¹⁰、Ｒ¹¹、Ｒ¹²、Ｒ¹³が各々上記以外の場合は、ナフトキノンジアジド化合物が感光後、アルカリ現像液に溶解する際に、置換基による溶解阻害効果が大きくなる故、感度低下を招く場合がある。さらに好ましいフェノール性水酸基を有する化合物の５−ナフトキノンジアジドスルホニルエステル化合物または、４−ナフトキノンジアジドスルホニルエステル化合物としては、たとえば、ＢｉｓＲＳ−２Ｐ、ＢｉｓＰ−ＯＣＨＰ、ＢｉｓＲＳ−ＯＣＨＰ、メチレントリス−ＦＲ−ＣＲ、ＢｉｓＯＣＨＰ−ＯＣ、ＢＩＰ−ＰＣ、ＢＩＲ−ＰＣ、ＢＩＲ−ＢＩＰＣ−Ｆ等の５−ナフトキノンジアジドスルホニルエステル化合物または、４−ナフトキノンジアジドスルホニルエステル化合物等が挙げられる。また、一般式（３）のａ、ｂ、ｃ、ｄは０〜３の整数を表し、ａ＋ｃ≦５、ｂ＋ｄ≦５、ａ＋ｂ＞０である。ｙは１〜３の整数を示す。
【００４５】
４−ナフトキノンジアジドスルホニルエステル化合物は水銀灯のｉ線領域に吸収を持っており、ｉ線露光に適しており、５−ナフトキノンジアジドスルホニルエステル化合物は水銀灯のｇ線領域まで吸収が伸びており、ｇ線露光に適している。本発明においては、４−ナフトキノンジアジドスルホニルエステル化合物、５−ナフトキノンジアジドスルホニルエステル化合物のどちらも好ましく使用することが出来るが、露光する波長によって４−ナフトキノンジアジドスルホニル、エステル化合物、５−ナフトキノンジアジドスルホニルエステル化合物を選択することが好ましい。また、同一分子中に４−ナフトキノンジアジドスルホニル基、５−ナフトキノンジアジドスルホニル基を併用した、ナフトキノンジアジドスルホニルエステル化合物を得ることもできるし、４−ナフトキノンジアジドスルホニルエステル化合物と５−ナフトキノンジアジドスルホニルエステル化合物を混合して使用することもできる。
【００４６】
本発明のナフトキノンジアジド化合物は、フェノール性水酸基を有する化合物と、キノンジアジドスルホン酸化合物とのエステル化反応によって、合成することが可能であって、公知の方法により合成することができる。
【００４７】
このようなナフトキノンジアジドを使用することで解像度、感度、残膜率が向上する。また、ナフトキノンジアジド化合物の分子量が１５００以上になると、その後の熱処理においてナフトキノンジアジド化合物が十分に熱分解しないために、得られる膜の耐熱性が低下する、機械特性が低下する、接着性が低下するなどの問題が生じる可能性がある。このような観点より見ると、好ましいナフトキノンジアジド化合物の分子量は３００〜１５００である。さらに好ましくは、３５０〜１２００である。また、このようなナフトキノンジアジド化合物の添加量としては、ポリマー１００重量部に対して、好ましくは１から５０重量部であり、さらに好ましくは３から４０重量部の範囲である。
【００４８】
このような構造のものを添加することで、現像後の未露光部の膜減りが大幅に低下し、良好なパターンを短い現像時間で得ることが出来る。
【００４９】
また、一般式（３）におけるＲ１１の水酸基である割合は、０〜３／４が好ましく、さらに好ましくは１／４〜３／４である。３／４より大きくなると、親水性が増加するために、アルカリ現像液に未露光部が溶解し、パターンを得られない恐れがある。
【００５０】
本発明に利用されるナフトキノンジアジド化合物は、一般式（３）で表される構造のみであっても良いし、他の構造との混合体であっても良い。
【００５１】
また、必要に応じて上記、感光性耐熱性前駆体組成物と基板との塗れ性を向上させる目的で界面活性剤、乳酸エチルやプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテートなどのエステル類、エタノールなどのアルコール類、シクロヘキサノン、メチルイソブチルケトンなどのケトン類、テトラヒドロフラン、ジオキサンなどのエ−テル類を混合しても良い。また、２酸化ケイ素、２酸化チタンなどの無機粒子、あるいはポリイミドの粉末などを添加することもできる。
【００５２】
さらにシリコンウエハーなどの下地基板との接着性を高めるために、シランカップリング剤、チタンキレート剤などを感光性耐熱性樹脂前駆体組成物のワニスに０．５から１０重量％添加したり、下地基板をこのような薬液で前処理したりすることもできる。
【００５３】
ワニスに添加する場合、メチルメタクリロキシジメトキシシラン、３−アミノプロピルトリメトキシシラン、などのシランカップリング剤、チタンキレート剤、アルミキレート剤をワニス中のポリマーに対して０．５から１０重量％添加する。
【００５４】
基板を処理する場合、上記で述べたカップリング剤をイソプロパノール、エタノール、メタノール、水、テトラヒドロフラン、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノメチルエーテル、乳酸エチル、アジピン酸ジエチルなどの溶媒に０．５から２０重量％溶解させた溶液をスピンコート、浸漬、スプレー塗布、蒸気処理などで表面処理をする。場合によっては、その後５０℃から３００℃までの温度をかけることで、基板と上記カップリング剤との反応を進行させる。
【００５５】
次に、本発明の感光性耐熱性前駆体組成物を用いて耐熱性樹脂パターンを形成する方法について説明する。
【００５６】
感光性耐熱性前駆体組成物を基板上に塗布する。基板としてはシリコンウエハー、セラミックス類、ガリウムヒ素などが用いられるが、これらに限定されない。塗布方法としてはスピンナを用いた回転塗布、スプレー塗布、ロールコーティングなどの方法がある。また、塗布膜厚は、塗布手法、組成物の固形分濃度、粘度などによって異なるが通常、乾燥後の膜厚が、０．１から１５０μｍになるように塗布される。
【００５７】
次に感光性耐熱性前駆体組成物を塗布した基板を乾燥して、感光性耐熱性前駆体組成物皮膜を得る。乾燥はオーブン、ホットプレート、赤外線などを使用し、５０度から１５０度の範囲で１分から数時間行うのが好ましい。
【００５８】
次に、この感光性耐熱性前駆体組成物皮膜上に所望のパターンを有するマスクを通して化学線を照射し、露光する。露光に用いられる化学線としては紫外線、可視光線、電子線、Ｘ線などがあるが、本発明では水銀灯のｉ線（３６５ｎｍ）、ｈ線（４０５ｎｍ）、ｇ線（４３６ｎｍ）を用いるのが好ましい。
【００５９】
耐熱性樹脂のパタ−ンを形成するには、露光後、現像液を用いて露光部を除去することによって達成される。現像液としては、テトラメチルアンモニウムの水溶液、ジエタノールアミン、ジエチルアミノエタノール、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、炭酸ナトリウム、炭酸カリウム、トリエチルアミン、ジエチルアミン、メチルアミン、ジメチルアミン、酢酸ジメチルアミノエチル、ジメチルアミノエタノール、ジメチルアミノエチルメタクリレート、シクロヘキシルアミン、エチレンジアミン、ヘキサメチレンジアミンなどのアルカリ性を示す化合物の水溶液が好ましい。また場合によっては、これらのアルカリ水溶液にＮ−メチル−２−ピロリドン、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド、ジメチルスルホキシド、γ−ブチロラクロン、ジメチルアクリルアミドなどの極性溶媒、メタノール、エタノール、イソプロパノールなどのアルコール類、乳酸エチル、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテートなどのエステル類、シクロペンタノン、シクロヘキサノン、イソブチルケトン、メチルイソブチルケトンなどのケトン類などを単独あるいは数種を組み合わせたものを添加してもよい。現像後は水にてリンス処理をする。ここでもエタノール、イソプロピルアルコールなどのアルコール類、乳酸エチル、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテートなどのエステル類などを水に加えてリンス処理をしても良い。
【００６０】
現像後、２００度から５００度の温度を加えて耐熱性樹脂皮膜に変換する。この加熱処理は温度を選び、段階的に昇温するか、ある温度範囲を選び連続的に昇温しながら５分から５時間実施する。一例としては、１３０度、２００度、３５０度で各３０分づつ熱処理する。あるいは室温より４００度まで２時間かけて直線的に昇温するなどの方法が挙げられる。
【００６１】
本発明による感光性耐熱性前駆体組成物により形成した耐熱性樹脂皮膜は、半導体のパッシベーション膜、半導体素子の保護膜、高密度実装用多層配線の層間絶縁膜などの用途に用いられる。
【００６２】
【実施例】
以下実施例および技術をあげて本発明を説明するが、本発明はこれらの例によって限定されるものではない。なお、実施例中の感光性耐熱性樹脂前駆体組成物の評価は以下の方法により行った。
【００６３】
感光性ポリイミド前駆体膜の作製
６インチシリコンウエハー上に、感光性耐熱性樹脂前駆体組成物（以下ワニスと呼ぶ）をプリベーク後の膜厚が７μｍとなるように塗布し、ついでホットプレート（東京エレクトロン社製Ｍａｒｋ−７）を用いて、１２０℃で３分プリベークすることにより、感光性ポリイミド前駆体膜を得た。
【００６４】
膜厚の測定方法
大日本スクリーン製造社製ラムダエースＳＴＭ−６０２を使用し、屈折率１．６４で測定を行った。
露光
露光機（ＧＣＡ社製ｉ線ステッパーＤＳＷ−８０００）に、パターンの切られたレチクルをセットし、露光時間を変化させ（３６５ｎｍの強度）てｉ線露光を行った。
現像
東京エレクトロン社製Ｍａｒｋ−７の現像装置を用い、５０回転で水酸化テトラメチルアンモニウムの２．３８％水溶液を１０秒間噴霧した。この後、０回転で６０秒間静置し、４００回転で水にてリンス処理、３０００回転で１０秒振り切り乾燥した。
【００６５】
残膜率の算出
残膜率は以下の式に従って算出した。
残膜率（％）＝現像後の膜厚÷プリベーク後の膜厚×１００
感度の算出
露光、現像後、５０μｍのライン・アンド・スペースパターン（１Ｌ／１Ｓ）を１対１の幅に形成する露光時間（以下、これを最適露光時間という）を求めた。
解像度の算出
露光、現像後、５０μｍのライン・アンド・スペースパターン（１Ｌ／１Ｓ）を１対１の幅に形成する最適露光時間における最小のパターン寸法を解像度とした。
【００６６】
収縮率の算出
作製された感光性ポリイミド前駆体膜を、光洋リンドバーグ（株）社製イナートオーブンＩＮＨ−２１ＣＤを用いて、窒素気流下（酸素濃度２０ｐｐｍ以下）、１４０℃で３０分、その後３５０℃まで１時間で昇温して３５０℃で１時間熱処理をし、キュア膜を作製した。収縮率は以下の式に従って算出した。
収縮率（％）＝（プリベーク後の膜厚−キュア後の膜厚）÷プリベーク後の膜厚×１００。
【００６７】
合成例１ ヒドロキシル基含有酸無水物の合成
乾燥窒素気流下、２，２−ビス（３−アミノ−４−ヒドロキシフェニル）ヘキサフルオロプロパン（ＢＡＨＦ）１８．３ｇ（０．０５モル）とアリルグリシジルエーテル３４．２ｇ（０．３モル）をガンマブチロラクトン１００ｇに溶解させ、−１５℃に冷却した。ここにガンマブチロラクトン５０ｇに溶解させた無水トリメリット酸クロリド２２．１ｇ（０．１１モル）を反応液の温度が０℃を越えないように滴下した。滴下終了後、０℃で４時間反応させた。この溶液をロータリーエバポレーターで濃縮して、トルエン１ｌに投入して酸無水物（１）を得た。
【００６８】
【化１５】

【００６９】
合成例２ ヒドロキシル基含有ジアミン化合物（１）の合成
ＢＡＨＦ１８．３ｇ（０．０５モル）をアセトン１００ｍｌ、プロピレンオキシド１７．４ｇ（０．３モル）に溶解させ、−１５℃に冷却した。ここに４−ニトロベンゾイルクロリド２０．４ｇ（０．１１モル）をアセトン１００ｍｌに溶解させた溶液を滴下した。滴下終了後、−１５℃で４時間反応させ、その後室温に戻した。析出した白色固体をろ別し、５０℃で真空乾燥した。
【００７０】
固体３０ｇを３００ｍｌのステンレスオートクレーブに入れ、メチルセルソルブ２５０ｍｌに分散させ、５％パラジウム−炭素を２ｇ加えた。ここに水素を風船で導入して、還元反応を室温で行った。約２時間後、風船がこれ以上しぼまないことを確認して反応を終了させた。反応終了後、ろ過して触媒であるパラジウム化合物を除き、ロータリーエバポレーターで濃縮し、ジアミン化合物（１）を得た。得られた固体をそのまま反応に使用した。
【００７１】
【化１６】

【００７２】
合成例３ ヒドロキシル基含有ジアミン（２）の合成
２−アミノ−４−ニトロフェノール１５．４ｇ（０．１モル）をアセトン５０ｍｌ、プロピレンオキシド３０ｇ（０．３４モル）に溶解させ、−１５℃に冷却した。ここにイソフタル酸クロリド１１．２ｇ（０．０５５モル）をアセトン６０ｍｌに溶解させた溶液を徐々に滴下した。滴下終了後、−１５℃で４時間反応させた。その後、室温に戻して生成している沈殿をろ過で集めた。
【００７３】
この沈殿をＧＢＬ２００ｍｌに溶解させて、５％パラジウム−炭素３ｇを加えて、激しく攪拌した。ここに水素ガスを入れた風船を取り付け、室温で水素ガスの風船がこれ以上縮まない状態になるまで攪拌を続け、さらに２時間水素ガスの風船を取り付けた状態で攪拌した。攪拌終了後、ろ過でパラジウム化合物を除き、溶液をロータリーエバポレーターで半量になるまで濃縮した。ここにエタノールを加えて、再結晶を行い、目的の化合物の結晶を得た。
【００７４】
【化１７】

【００７５】
合成例４ ヒドロキシル基含有ジアミン（３）の合成
２−アミノ−４−ニトロフェノール１５．４ｇ（０．１モル）をアセトン１００ｍｌ、プロピレンオキシド１７．４ｇ（０．３モル）に溶解させ、−１５℃に冷却した。ここに４−ニトロベンゾイルクロリド２０．４ｇ（０．１１モル）をアセトン１００ｍｌに溶解させた溶液を徐々に滴下した。滴下終了後、−１５℃で４時間反応させた。その後、室温に戻して生成している沈殿をろ過で集めた。この後、合成例２と同様にして目的の化合物の結晶を得た。
【００７６】
【化１８】

【００７７】
合成例５ キノンジアジド化合物（１）の合成
乾燥窒素気流下、ＢｉｓＲＳ−２Ｐ（商品名、本州化学工業社製）１６．１０ｇ（０．０５モル）と５−ナフトキノンジアジドスルホニル酸クロリド２６．８６ｇ（０．１モル）を１，４−ジオキサン４５０ｇに溶解させ、室温にした。ここに、１，４−ジオキサン５０ｇと混合させたトリエチルアミン１０．１２ｇを系内が３５℃以上にならないように滴下した。滴下後３０℃で２時間攪拌した。トリエチルアミン塩を濾過し、ろ液を水に投入させた。その後、析出した沈殿をろ過で集めた。この沈殿を真空乾燥機で乾燥させ、キノンジアジド化合物（１）を得た。
【００７８】
【化１９】

【００７９】
合成例６ キノンジアジド化合物（２）の合成
乾燥窒素気流下、ＢｉｓＰ−ＯＣＨＰ（商品名、本州化学工業社製）、１９．４０ｇ（０．０５モル）と５−ナフトキノンジアジドスルホニル酸クロリド２６．８６ｇ（０．１モル）を１，４−ジオキサン４５０ｇに溶解させ、室温にした。ここに、１，４−ジオキサン５０ｇと混合させたトリエチルアミン１０．１２ｇを用い、合成例５と同様にしてキノンジアジド化合物（２）を得た。
【００８０】
【化２０】

【００８１】
合成例７ キノンジアジド化合物（３）の合成
乾燥窒素気流下、ＢｉｓＲＳ−ＯＣＨＰ（商品名、本州化学工業社製）、２１．０１ｇ（０．０５モル）と５−ナフトキノンジアジドスルホニル酸クロリド４０．２８６ｇ（０．１５モル）を１，４−ジオキサン４５０ｇに溶解させ、室温にした。ここに、１，４−ジオキサン５０ｇと混合させたトリエチルアミン１５．１８ｇを用い、合成例５と同様にしてキノンジアジド化合物（３）を得た。
【００８２】
【化２１】

【００８３】
合成例８ キノンジアジド化合物（４）の合成
乾燥窒素気流下、ＢｉｓＰＧ−２６Ｘ（商品名、本州化学工業社製）、１９．７１ｇ（０．０５モル）と５−ナフトキノンジアジドスルホニル酸クロリド１３．５６ｇ（０．０５モル）と４−ナフトキノンジアジドスルホニル酸クロリド１３．１４ｇ（０．０５モル）を１，４−ジオキサン４５０ｇに溶解させ、室温にした。ここに、１，４−ジオキサン５０ｇと混合させたトリエチルアミン１０．１２ｇを系内が３５℃以上にならないように滴下した。滴下後３０℃で２時間攪拌した。トリエチルアミン塩を濾過し、ろ液を水に投入させた。その後、析出した沈殿をろ過で集めた。この沈殿を真空乾燥機で乾燥させ、キノンジアジド化合物（４）を得た。
【００８４】
【化２２】

【００８５】
合成例９ キノンジアジド化合物（５）の合成
乾燥窒素気流下、ＢＩＲ−ＰＣ（商品名、旭有機材工業社製）１７．６２ｇ（０．０５モル）と５−ナフトキノンジアジドスルホニル酸クロリド２６．８６ｇ（０．１モル）を１，４−ジオキサン４５０ｇに溶解させ、室温にした。ここに、１，４−ジオキサン５０ｇと混合させたトリエチルアミン１０．１２ｇを用い、合成例５と同様にしてキノンジアジド化合物（５）を得た。
【００８６】
【化２３】

【００８７】
合成例１０ キノンジアジド化合物（６）の合成
乾燥窒素気流下、ＢＩＲ−ＰＴＢＰ（商品名、旭有機材工業社製）１９．７２ｇ（０．０５モル）と４−ナフトキノンジアジドスルホニル酸クロリド２６．８６ｇ（０．１モル）を１，４−ジオキサン４５０ｇに溶解させ、室温にした。ここに、１，４−ジオキサン５０ｇと混合させたトリエチルアミン１０．１２ｇを用い、合成例５と同様にしてキノンジアジド化合物（６）を得た。
【００８８】
【化２４】

【００８９】
合成例１１ キノンジアジド化合物（７）の合成
乾燥窒素気流下、ＢＩＲ−ＢＩＰＣ−Ｆ（商品名、旭有機材工業社製）２３．６２ｇ（０．０５モル）と５−ナフトキノンジアジドスルホニル酸クロリド４０．２９ｇ（０．１５モル）を１，４−ジオキサン４５０ｇに溶解させ、室温にした。ここに、１，４−ジオキサン５０ｇと混合させたトリエチルアミン１５．１８ｇを用い、合成例５と同様にしてキノンジアジド化合物（７）を得た。
【００９０】
【化２５】

【００９１】
合成例１２ キノンジアジド化合物（８）の合成
乾燥窒素気流下、２−ナフトール７．２１ｇ（０．０５モル）と５−ナフトキノンジアジドスルホニル酸クロリド１３．４３ｇ（０．０５モル）を１，４−ジオキサン４５０ｇに溶解させ、室温にした。ここに、１，４−ジオキサン５０ｇと混合させたトリエチルアミン５．０６ｇを用い、合成例５と同様にしてキノンジアジド化合物（８）を得た。
【００９２】
【化２６】

【００９３】
合成例１３ キノンジアジド化合物（９）の合成
乾燥窒素気流下、TrisP-HAP（商品名、本州化学工業社製）、１５．３１ｇ（０．０５モル）と５−ナフトキノンジアジドスルホニル酸クロリド４０．２８ｇ（０．１５モル）を１，４−ジオキサン４５０ｇに溶解させ、室温にした。ここに、１，４−ジオキサン５０ｇと混合させたトリエチルアミン１５．１８ｇを用い、合成例５と同様にしてキノンジアジド化合物（９）を得た。
【００９４】
【化２７】

【００９５】
合成例１４ キノンジアジド化合物（１０）の合成
乾燥窒素気流下、４−イソプロピルフェノール６．８１ｇ（０．０５モル）と５−ナフトキノンジアジドスルホニル酸クロリド１３．４３ｇ（０．０５モル）を１，４−ジオキサン４５０ｇに溶解させ、室温にした。ここに、１，４−ジオキサン５０ｇと混合させたトリエチルアミン５．０６ｇを用い、合成例５と同様にしてキノンジアジド化合物（１０）を得た。
【００９６】
【化２８】

【００９７】
合成例１５ キノンジアジド化合物（１１）の合成
乾燥窒素気流下、ビスフェノールＡ １１．４１ｇ（０．０５モル）と５−ナフトキノンジアジドスルホニル酸クロリド２６．８６ｇ（０．１モル）を１，４−ジオキサン４５０ｇに溶解させ、室温にした。ここに、１，４−ジオキサン５０ｇと混合させたトリエチルアミン１０．１２ｇを用い、合成例５と同様にしてキノンジアジド化合物（１１）を得た。
【００９８】
【化２９】

【００９９】
実施例１
乾燥窒素気流下、４，４’−ジアミノフェニルエーテル５．０１ｇ（０．０２５モル）、１，３−ビス（３−アミノプロピル）テトラメチルジシロキサン１．２４ｇ（０．００５モル）をＮ−メチル−２−ピロリドン（ＮＭＰ）５０ｇに溶解させた。ここに合成例１で得られたヒドロキシ基含有酸無水物２１．４ｇ（０．０３モル）をＮＭＰ１４ｇとともに加えて、２０℃で１時間反応させ、次いで５０℃で４時間反応させた。その後、Ｎ、Ｎ−ジメチルホルムアミドジメチルアセタール７．１４ｇ（０．０６モル）をＮＭＰ５ｇで希釈した溶液を１０分かけて滴下した。滴下後、５０℃で３時間攪拌した。
【０１００】
得られた溶液４０．０ｇに合成例１２で得られたキノンジアジド化合物（８）２．０ｇ、本発明で使用されるフェノール性水酸基を有する化合物ＢｉｓＲＳ−２Ｐ（商品名、本州化学工業社製）１．０ｇを加えて感光性ポリイミド前駆体組成物のワニスＡを得た。得られたワニスを用いて前記のように、シリコンウエハー上に感光性ポリイミド前駆体膜を作製、露光、現像し、ワニスの感度、残膜率、解像度、収縮率について評価を行った。
【０１０１】
実施例２
乾燥窒素気流下、合成例２で得られたヒドロキシル基含有ジアミン（１）１５．１ｇ（０．０２５モル）をＮ−メチル−２−ピロリドン（ＮＭＰ）５０ｇに溶解させた。ここに合成例１で得られたヒドロキシ基含有酸無水物１７．５ｇ（０．０２５モル）をピリジン３０ｇとともに加えて、６０℃で６時間反応させた。反応終了後、溶液を水２ｌに投入して、ポリマー固体の沈殿をろ過で集めた。ポリマー固体を８０℃の真空乾燥機で２０時間乾燥した。
【０１０２】
このようにして得たポリマーの固体１０ｇを計り、合成例１３で得られたキノンジアジド化合物（９）２ｇ、本発明で使用されるフェノール性水酸基を有する化合物ＢｉｓＰＧ−２６Ｘ（商品名、本州化学工業社製）２．０ｇ、ビニルトリメトキシシラン１ｇとをガンマブチロラクトン３０ｇに溶解させて感光性ポリイミド前駆体組成物のワニスＢを得た。得られたワニスを用いて前記のように、シリコンウエハー上に感光性ポリイミド前駆体膜を作製、露光、現像し、ワニスの感度、残膜率、解像度、収縮率について評価を行った。
【０１０３】
実施例３
乾燥窒素気流下、合成例３で得られたヒドロキシル基含有ジアミン化合物（２）１７．０ｇ（０．０４５モル）、１，３−ビス（３−アミノプロピル）テトラメチルジシロキサン１．２４ｇ（０．００５モル）をＮＭＰ５０ｇに溶解させた。ここに３，３’，４，４’−ジフェニルエーテルテトラカルボン酸無水物１２．４ｇ（０．０４モル）をＮＭＰ２１ｇとともに加えて、２０℃で１時間反応させ、次いで５０℃で２時間反応させた。ここに無水マレイン酸０．９８ｇ（０．０１モル）を加え、５０℃で２時間攪拌後、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミドジエチルアセタール１４．７ｇ（０．１モル）をＮＭＰ５ｇで希釈した溶液を１０分かけて滴下した。滴下後、５０℃で３時間攪拌した。
【０１０４】
得られた溶液３０ｇに合成例１４で得られたキノンジアジド化合物（１０）１．６ｇ、本発明で使用されるフェノール性水酸基を有する化合物ＢｉｓＲＳ−３Ｐ（商品名、本州化学工業社製）０．８ｇを溶解させて感光性ポリイミド前駆体組成物のワニスＣを得た。得られたワニスを用いて前記のように、シリコンウエハー上に感光性ポリイミド前駆体膜を作製、露光、現像し、ワニスの感度、残膜率、解像度、収縮率について評価を行った。
【０１０５】
実施例４
乾燥窒素気流下、合成例４で得られたヒドロキシル基含有ジアミン化合物（３）６．０８ｇ（０．０２５モル）と４，４’−ジアミノジフェニルエーテル４．５１ｇ（０．０２２５モル）と１，３−ビス（３−アミノプロピル）テトラメチルジシロキサン０．６２ｇ（０．００２５モル）をＮＭＰ７０ｇに溶解させた。ヒドロキシル基含有酸無水物２４．９９ｇ（０．０３５モル）、３，３’，４，４’−ビフェニルテトラカルボン酸２無水物４．４１ｇ（０．０１５モル）を室温でＮＭＰ２５ｇとともに加え、そのまま室温で１時間、その後５０℃で２時間攪拌した。ついで、グリシジルメチルエーテル１７．６ｇ（０．２モル）をＮＭＰ１０ｇで希釈した溶液を加え、７０℃で６時間攪拌した。
【０１０６】
このポリマー溶液４０ｇに合成例１５で得られたキノンジアジド化合物（１１）２．５ｇ、本発明で使用されるフェノール性水酸基を有する化合物ＢｉｓＰ−ＯＣＨＰ（商品名、本州化学工業社製）２．０ｇを溶解させて感光性ポリイミド前駆体組成物のワニスＤを得た。得られたワニスを用いて前記のように、シリコンウエハー上に感光性ポリイミド前駆体膜を作製、露光、現像し、ワニスの感度、残膜率、解像度、収縮率について評価を行った。
【０１０７】
実施例５
実施例３で得られたポリマー溶液５０ｇに実施例１で用いたキノンジアジド化合物（８）２．５ｇ、本発明で使用されるフェノール性水酸基を有する化合物ＢＩＲ−ＰＣ（商品名、旭有機材工業社製）２．０ｇを溶解させて感光性ポリイミド前駆体組成物のワニスＥを得た。得られたワニスを用いて前記のように、シリコンウエハー上に感光性ポリイミド前駆体膜を作製、露光、現像し、ワニスの感度、残膜率、解像度、収縮率について評価を行った。
【０１０８】
実施例６
実施例１で得られたポリマー溶液４０ｇに実施例２で用いたキノンジアジド化合物（９）２．０ｇ、本発明で使用されるフェノール性水酸基を有する化合物ＢＩＲ−ＰＴＢＰ（商品名、旭有機材工業社製）２．０ｇを溶解させて感光性ポリイミド前駆体組成物のワニスＦを得た。得られたワニスを用いて前記のように、シリコンウエハー上に感光性ポリイミド前駆体膜を作製、露光、現像し、ワニスの感度、残膜率、解像度、収縮率について評価を行った。
【０１０９】
実施例７
実施例４で得られたポリマー溶液４０ｇに実施例２で用いたキノンジアジド化合物（９）２．０ｇ、本発明で使用されるフェノール性水酸基を有する化合物ＢＩＲ−ＢＩＰＣ−Ｆ（商品名、旭有機材工業社製）２．０ｇを溶解させて感光性ポリイミド前駆体組成物のワニスＧを得た。得られたワニスを用いて前記のように、シリコンウエハー上に感光性ポリイミド前駆体膜を作製、露光、現像し、ワニスの感度、残膜率、解像度、収縮率について評価を行った。
【０１１０】
実施例８
乾燥窒素気流下、２，２−ビス（３−アミノ−４−ヒドロキシフェニル）ヘキサフルオロプロパン１８．３ｇ（０．０５モル）をＮ−メチル−２−ピロリドン（ＮＭＰ）５０ｇ、グリシジルメチルエーテル２６．４ｇ（０．３モル）に溶解させ、溶液の温度を−１５℃まで冷却した。ここにジフェニルエーテルジカルボン酸ジクロリド７．３８ｇ（０．０２５モル）、イソフタル酸ジクロリド５．０８ｇ（０．０２５モル）をガンマブチロラクトン２５ｇに溶解させた溶液を内部の温度が０℃を越えないように滴下した。滴下終了後、６時間−１５℃で攪拌を続けた。
【０１１１】
反応終了後、溶液を水３ｌに投入して白色の沈殿を集めた。この沈殿をろ過で集めて、水で３回洗浄した後、８０℃の真空乾燥機で２０時間乾燥した。
【０１１２】
このようにして得られたポリマー粉体１０．０ｇにキノンジアジド化合物（９）２．０ｇ、本発明で使用されるフェノール性水酸基を有する化合物ＢｉｓＲＳ−２Ｐ（商品名、本州化学工業社製）１．０ｇをＮＭＰ３０ｇに溶解させて感光性ポリベンゾオキサゾール前駆体組成物のワニスＨを得た。得られたワニスを用いて前記のように、シリコンウエハー上に感光性ポリベンゾオキサゾール前駆体膜を作製、露光、現像し、ワニスの感度、残膜率、解像度、収縮率について評価を行った。
【０１１３】
比較例１
実施例１と同様に合成したポリイミド前駆体溶液４０ｇに実施例１で用いたキノンジアジド化合物（８）２．０ｇを溶解させて感光性ポリイミド前駆体組成物のワニスＩを得た。得られたワニスを用いて前記のように、シリコンウエハー上に感光性ポリイミド前駆体膜を作製、露光、現像し、ワニスの感度、残膜率、解像度、収縮率について評価を行った。
【０１１４】
比較例２
実施例１と同様に合成したポリイミド前駆体溶液４０ｇに実施例１で用いたキノンジアジド化合物（８）２．０ｇ、ＴｒｉｓＰ−ＰＡ（商品名、本州化学工業社製）１．０ｇを溶解させて感光性ポリイミド前駆体組成物のワニスＪを得た。得られたワニスを用いて前記のように、シリコンウエハー上に感光性ポリイミド前駆体膜を作製、露光、現像し、ワニスの感度、残膜率、解像度、収縮率について評価を行った。
【０１１５】
比較例３
実施例３と同様に合成したポリイミド前駆体溶液３０ｇに実施例３で用いたキノンジアジド化合物（１０）１．６ｇ、ＢｉｓＰ−ＡＰ（商品名、本州化学工業社製）０．８ｇを溶解させて感光性ポリイミド前駆体組成物のワニスＫを得た。得られたワニスを用いて前記のように、シリコンウエハー上に感光性ポリイミド前駆体膜を作製、露光、現像し、ワニスの感度、残膜率、解像度、収縮率について評価を行った。
【０１１６】
実施例９
乾燥窒素気流下、合成例２で得られたジアミン化合物（１）５７．４ｇ（０．０９５モル）、１，３−ビス（３−アミノプロピル）テトラメチルジシロキサン１．２４ｇ（０．００５モル）をＧＢＬ３５０ｇに溶解させた。ここに３，３’，４，４’−ベンゾフェノンテトラカルボン酸二無水物３２．２ｇ（０．１モル）をＧＢＬ４０ｇとともに加えて、２０℃で１時間反応させ、次いで５０℃で４時間反応させた。得られた溶液に合成例５で得られたキノンジアジド化合物（１）２０．０ｇをＧＢＬ１０ｇと共に加えて感光性ポリイミド前駆体組成物のワニスＬを得た。
【０１１７】
得られたワニスを用いて前記のように、シリコンウエハー上に感光性ポリイミド前駆体膜を作製、露光、現像し、ワニスの感度、残膜率、解像度について評価を行った。
【０１１８】
実施例１０
乾燥窒素気流下、合成例３で得られたジアミン化合物（２）１５．１ｇ（０．０２５モル）と４，４’−ジアミノジフェニルエーテル４．５ｇ（０．０２２５モル）と１，３−ビス（３−アミノプロピル）テトラメチルジシロキサン０．６２ｇ（０．００２５モル）をＧＢＬ１００ｇに溶解させた。ここに３，３’，４，４’−ベンゾフェノンテトラカルボン酸二無水物１６．１ｇ（０．０５０モル）を室温でＧＢＬ３３ｇとともに加え、そのまま室温で１時間、その後５０℃で４時間反応させた。このポリマー溶液５０ｇに合成例６で得られたキノンジアジド化合物（２）７．６ｇを溶解させて感光性ポリイミド前駆体組成物のワニスＭを得た。
【０１１９】
得られたワニスを用いて前記のように、シリコンウエハー上に感光性ポリイミド前駆体膜を作製、露光、現像し、ワニスの感度、残膜率、解像度について評価を行った。
【０１２０】
実施例１１
ジアミン化合物（１）のかわりに合成例４で得られたジアミン化合物（３）２３．０ｇ（０．０９５モル）を用いた他は、実施例９と同様にしてポリマーを得、このポリマー溶液５０ｇに合成例７で得られたキノンジアジド化合物（３）９．５ｇを溶解させて感光性ポリイミド前駆体組成物のワニスＮを得た。
【０１２１】
得られたワニスを用いて前記のように、シリコンウエハー上に感光性ポリイミド前駆体膜を作製、露光、現像し、ワニスの感度、残膜率、解像度について評価を行った。
【０１２２】
実施例１２
乾燥窒素気流下、４，４’−ジアミノジフェニルエーテル１９．０ｇ（０．０９５モル）、１，３−ビス（３−アミノプロピル）テトラメチルジシロキサン１．２４ｇ（０．００５モル）をＧＢＬ３５０ｇに溶解させた。ここに合成例１で得られた酸無水物（１）７１．４ｇ（０．１モル）をＧＢＬ４０ｇとともに加えて、２０℃で１時間反応させ、次いで５０℃で４時間反応させた。このポリマー溶液５０ｇに合成例８で得られたキノンジアジド化合物（４）２０．０ｇをＧＢＬ１０ｇと共に加えて感光性ポリイミド前駆体組成物のワニスＯを得た。
【０１２３】
得られたワニスを用いて前記のように、シリコンウエハー上に感光性ポリイミド前駆体膜を作製、露光、現像し、ワニスの感度、残膜率、解像度について評価を行った。
【０１２４】
実施例１３
実施例３で得られたポリマー溶液５０ｇに合成例５で得られたキノンジアジド化合物（１）３．６ｇ、合成例１３で得られたキノンジアジド化合物（９）４．０ｇを溶解させて感光性ポリイミド前駆体組成物のワニスＰを得た。得られたワニスを用いて前記のように、シリコンウエハー上に感光性ポリイミド前駆体膜を作製、露光、現像し、ワニスの感度、残膜率、解像度について評価を行った。
【０１２５】
実施例１４
実施例１０で得られたポリマー溶液５０ｇに合成例９で得られたキノンジアジド化合物（５）７．６ｇを溶解させて感光性ポリイミド前駆体組成物のワニスＱを得た。得られたワニスを用いて前記のように、シリコンウエハー上に感光性ポリイミド前駆体膜を作製、露光、現像し、ワニスの感度、残膜率、解像度について評価を行った。
【０１２６】
実施例１５
実施例３で得られたポリマー溶液５０ｇに合成例１０で得られたキノンジアジド化合物（６）３．６ｇ、合成例１３で得られたキノンジアジド化合物（９）４．０ｇを溶解させて感光性ポリイミド前駆体組成物のワニスＲを得た。得られたワニスを用いて前記のように、シリコンウエハー上に感光性ポリイミド前駆体膜を作製、露光、現像し、ワニスの感度、残膜率、解像度について評価を行った。
【０１２７】
実施例１６
実施例４で得られたポリマー溶液５０ｇに合成例１１で得られたキノンジアジド化合物（７）７．６ｇを溶解させて感光性ポリイミド前駆体組成物のワニスＳを得た。得られたワニスを用いて前記のように、シリコンウエハー上に感光性ポリイミド前駆体膜を作製、露光、現像し、ワニスの感度、残膜率、解像度について評価を行った。
【０１２８】
実施例１７
実施例８で得られたポリマー粉体１０．０ｇに合成例５で得られたキノンジアジド化合物（１）２．０ｇをＮ−メチル−２−ピロリドン（ＮＭＰ）３０ｇに溶解させて感光性ポリベンゾオキサゾール前駆体組成物のワニスＴを得た。得られたワニスを用いて前記のように、シリコンウエハー上に感光性ポリイミド前駆体膜を作製、露光、現像し、ワニスの感度、残膜率、解像度について評価を行った。
【０１２９】
比較例４
実施例９で得られたポリマー１０ｇと合成例１３で得られたキノンジアジド化合物（９）２ｇをＧＢＬ４５ｇに溶解させて感光性ポリイミド前駆体組成物のワニスＵを得た。得られたワニスを用いて前記のように、シリコンウエハー上に感光性ポリイミド前駆体膜を作製、露光、現像し、ワニスの感度、残膜率、解像度について評価を行った。
【０１３０】
比較例５
実施例１０で得られたポリマー１０ｇと合成例１５で得られたキノンジアジド化合物（１１）２ｇをＧＢＬ４５ｇに溶解させて感光性ポリイミド前駆体組成物のワニスＶを得た。得られたワニスを用いて前記のように、シリコンウエハー上に感光性ポリイミド前駆体膜を作製、露光、現像し、ワニスの感度、残膜率、解像度について評価を行った。
【０１３１】
比較例６
実施例１２の酸無水物（１）のかわりに３，３’，４，４’ーベンゾフェノンテトラカルボン酸二無水物３２．２ｇ（０．１モル）を用い、実施例１２と同様にポリマーを合成した。
【０１３２】
このポリマー溶液５０ｇに合成例１３で得られたキノンジアジド化合物（９）１０．０ｇ、合成例１５で得られたナフトキノンジアジド化合物（１１）１０．０ｇをＧＢＬ１０ｇと共に加えて感光性ポリイミド前駆体組成物のワニスＷを得た。得られたワニスを用いて前記のように、シリコンウエハー上に感光性ポリイミド前駆体膜を作製、露光、現像し、ワニスの感度、残膜率、解像度について評価を行った。
【０１３３】
実施例１〜８、比較例１〜３の評価結果については以下の表１に、実施例９〜１７、比較例４〜６の評価結果については表２に示した。また、実施例１〜８、比較例２、３で使用したフェノール性水酸基を有する化合物を下記に示した。
【０１３４】
【化３０】

【０１３５】
【表１】

【０１３６】
【表２】

【０１３７】
【発明の効果】
本発明によれば、アルカリ水溶液で現像でき、解像度、感度、残膜率、キュア後の収縮率の優れたポジ型の感光性樹脂前駆体組成物を得ることができる。[0001]
BACKGROUND OF THE INVENTION
The present invention relates to a positive photosensitive polyimide precursor composition suitable for a surface protective film, an interlayer insulating film and the like of a semiconductor element, wherein a portion exposed to ultraviolet rays is dissolved in an alkaline aqueous solution.
[0002]
[Prior art]
As the positive heat-resistant resin precursor composition in which the exposed portion is dissolved by alkali development, naphthoquinonediazide is added to polyamic acid (Japanese Patent Laid-Open No. 52-13315), and soluble polyimide having a hydroxyl group is naphthoic. Known are quinonediazide added (JP-A-64-60630) and naphthoquinonediazide added to a polyamide having a hydroxyl group (JP-A-56-27140).
[0003]
However, in the case where naphthoquinone diazide is added to normal polyamic acid, the solubility of the carboxyl group of the polyamic acid is higher than the dissolution inhibiting effect of naphthoquinone diazide on alkali, so the desired pattern cannot be obtained in most cases. There was a point. Therefore, in order to control the alkali solubility of the polyamic acid, a polyamic acid derivative in which the carboxyl group of the polyamic acid is protected with an ester group has been developed. However, when naphthoquinone diazide is added to this polyamic acid derivative, the dissolution inhibition effect of naphthoquinone diazide on alkali becomes very large. In most cases, the desired pattern can be obtained, but the sensitivity is greatly reduced. There is a problem. On the other hand, addition of compounds having various phenolic hydroxyl groups to the polyamic acid derivative added with naphthoquinonediazide was studied. However, in this case, an increase in sensitivity can be easily achieved, but in the curing process for forming the polyimide film, the compound scatters, and there is a problem such as increasing the shrinkage rate after curing. There was a problem in achieving both.
[0004]
In view of the above drawbacks, the present invention adds a compound having a specific phenolic hydroxyl group to the polyimide precursor and the naphthoquinonediazide compound, so that the resulting resin composition is almost dissolved in an alkali developer before exposure. Therefore, it was easily dissolved in an alkaline developer when exposed to light, so that it was found that there was little film loss due to development and that it could be developed in a short time, and that the shrinkage after curing could be kept low, leading to the invention. is there.
[0005]
[Problems to be solved by the invention]
In the present invention, by adding a compound having a phenolic hydroxyl group having a specific structure to the polyimide precursor and the naphthoquinone diazide compound, the film thickness of the unexposed part due to development is small, and development can be performed in a short time. Another object of the present invention is to provide a positive heat-resistant resin composition having a low shrinkage after curing.
[0006]
[Means for Solving the Problems]
The present invention includes (a) a polymer having a structural unit represented by general formula (1) as a main component, (b) a compound having a phenolic hydroxyl group represented by general formula (2), and (c) an ester. A positive photosensitive resin precursor composition comprising a quinonediazide compound,
[0007]
[Chemical 8]

[0008]
(Where R ¹ Is a divalent to octavalent organic group having at least 2 carbon atoms, R ² Is a divalent to hexavalent organic group having at least 2 carbon atoms, R ^Three Represents hydrogen or an organic group having 1 to 20 carbon atoms. n is an integer from 10 to 100,000, m is an integer from 0 to 2, and p and q are integers from 0 to 4. However, p + q> 0. )
[0009]
[Chemical 9]

[0010]
(Where R ^Four , R ^Five , R ⁷ , R ⁸ Represents a hydrogen atom, an alkyl group selected from 1 to 4 carbon atoms, an alkoxyl group, a carboxyl group, or an ester group. R ⁶ Represents a hydroxyl group, a hydrogen atom, an alkyl group selected from 1 to 7 carbon atoms, or a hydroxybenzyl group. Each R ^Four , Each R ^Five , May be the same or different. Each R ⁶ May be the same or different, R ⁶ At least one of these is a hydroxyl group. α, β, γ, and δ represent integers of 0 to 3. However, α + γ ≦ 5, β + δ ≦ 5, and α + β> 0. x shows the integer of 1-3. )
A positive photosensitive resin comprising: (a) a polymer having a structural unit represented by general formula (1) as a main component; and (d) a naphthoquinonediazide compound represented by general formula (3). It is a precursor composition.
[0011]
[Chemical Formula 10]

[0012]
(Wherein R ⁹ , R ^Ten , R ¹² , R ¹³ Represents any of a hydrogen atom, an alkyl group selected from 1 to 8 carbon atoms, an alkoxyl group, a carboxyl group, and an ester group. R ¹¹ Represents a hydroxyl group, a hydrogen atom, an alkyl group selected from 1 to 8 carbon atoms, or -OQ. R ¹¹ At least one of is -OQ. Q represents either a 5-naphthoquinone diazide sulfonyl group or a 4-naphthoquinone diazide sulfonyl group. Each R ⁹ , Each R ^Ten , May be the same or different. Each R ¹¹ May be the same or different. a, b, c, and d represent an integer of 0 to 3. However, a + c ≦ 5, b + d ≦ 5, and a + b> 0. y shows the integer of 1-3. )
[0013]
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION
The polymer having the structural unit represented by the general formula (1) in the present invention as a main component can be a polymer having an imide ring, an oxazole ring, or other cyclic structure by heating or an appropriate catalyst. With the ring structure, the heat resistance and solvent resistance are dramatically improved.
[0014]
The general formula (1) represents a polyamic acid having a hydroxyl group, and the presence of the hydroxyl group makes the solubility in an alkaline aqueous solution better than that of a polyamic acid having no hydroxyl group. In particular, among the hydroxyl groups, phenolic hydroxyl groups are more preferable than solubility in an aqueous alkali solution. In addition, when the fluorine atom is contained in the general formula (1) by 10% by weight or more, water repellency appears moderately at the interface of the film when developing with an alkaline aqueous solution, so that the penetration of the interface can be suppressed. However, if the fluorine atom content exceeds 20% by weight, the solubility in an alkaline aqueous solution is reduced, the organic solvent resistance of the polymer having a cyclic structure by heat treatment is reduced, and the solubility in fuming nitric acid is reduced. It is not preferable. Thus, the fluorine atom is preferably contained in an amount of 10% by weight to 20% by weight.
[0015]
In the general formula (1), R ¹ Represents a structural component of an acid dianhydride, and the acid dianhydride contains an aromatic ring and has 1 to 4 hydroxyl groups and has at least 2 carbon atoms and is divalent to It is preferably an octavalent organic group, more preferably a trivalent or tetravalent organic group having 6 to 30 carbon atoms.
[0016]
Specifically, a structure as shown in the general formula (4) is preferable. In this case, R ¹⁴ , R ¹⁶ In view of the heat resistance of the obtained polymer, those containing an aromatic ring are preferred. Among them, particularly preferred structures include trimellitic acid, trimesic acid, naphthalene tricarboxylic acid residues and the like. Also R ¹⁵ Is preferably a trivalent to hexavalent organic group having a hydroxyl group selected from 3 to 20 carbon atoms. Furthermore, the hydroxyl group is preferably located adjacent to the amide bond. As such an example, bis (3-amino-4-hydroxyphenyl) hexafluoropropane, bis (3-hydroxy-4-aminophenyl) hexafluoropropane containing a fluorine atom, bis ( 3-amino-4-hydroxyphenyl) propane, bis (3-hydroxy-4-aminophenyl) propane, 3,3′-diamino-4,4′-dihydroxybiphenyl, 3,3′-diamino-4,4 ′ Examples include dihydroxybiphenyl, 2,4-diamino-phenol, 2,5-diaminophenol, and 1,4-diamino-2,5-dihydroxybenzene having an amino group bonded thereto.
[0017]
R ¹⁷ , R ¹⁸ Is preferably hydrogen and / or an organic group having 1 to 20 carbon atoms. When the number of carbon atoms is 20 or more, the solubility in an alkali developer decreases. o and s represent 1 or 2, and r represents an integer of 1 to 4. When r is 5 or more, the properties of the resulting heat-resistant resin film deteriorate.
[0018]
R in the general formula (1) ¹ (COOR ^Three ) Among the compounds in which m (OH) p is represented by the general formula (4), examples of preferred compounds include those shown below, but are not limited thereto.
[0019]
Embedded image

[0020]
Moreover, it can also modify | denature with the tetracarboxylic acid and dicarboxylic acid which do not have a hydroxyl group in the range which does not impair the solubility with respect to an alkali, photosensitive performance, and heat resistance. Examples of this include aromatic tetracarboxylic acids such as pyromellitic acid, benzophenone tetracarboxylic acid, biphenyl tetracarboxylic acid, diphenyl ether tetracarboxylic acid, and diphenylsulfone tetracarboxylic acid, and two carboxyl groups thereof as methyl or ethyl groups. Diester compounds, aliphatic tetracarboxylic acids such as butanetetracarboxylic acid and cyclopentanetetracarboxylic acid, diester compounds in which two carboxyl groups are methyl or ethyl groups, terephthalic acid, isophthalic acid, diphenyl ether dicarboxylic acid, naphthalene dicarboxylic acid Examples thereof include aromatic dicarboxylic acids such as acids, and aliphatic dicarboxylic acids such as adipic acid. These are preferably modified by 50 mol% or less of the acid component, more preferably 30 mol% or less. If the modification is performed at 50 mol% or more, the solubility in alkali and the photosensitivity may be impaired.
[0021]
In the general formula (1), R ² Represents a structural component of diamine. In this, R ² As a preferable example, those having aromaticity and hydroxyl group are preferable from the heat resistance of the obtained polymer, and specific examples include bis (amino-hydroxy-phenyl) hexafluoropropane having a fluorine atom. , Having no fluorine atom, compounds such as diaminodihydroxypyrimidine, diaminodihydroxypyridine, hydroxy-diamino-pyrimidine, diaminophenol, dihydroxybenzidine, and structures of the general formulas (5), (6), (7) Can give.
[0022]
In this, R of general formula (5) ¹⁹ , R ^{twenty one} , R in general formula (6) ^{twenty three} , R in general formula (7) ²⁶ Is preferably an organic group having an aromatic ring or a hydroxyl group in view of the heat resistance of the resulting polymer. R in the general formula (5) ²⁰ , R in general formula (6) ^{twenty two} , R ^{twenty four} , R in general formula (7) ^{twenty five} Is preferably an organic group having an aromatic ring from the heat resistance of the resulting polymer. Moreover, t and u of General formula (5) show the integer of 1 or 2, v of General formula (6) and w of General formula (7) show the integer of 1-4.
[0023]
R in the general formula (1) ² Specific examples in which (OH) q is represented by the general formula (5) are shown below.
[0024]
Embedded image

[0025]
Further, R in the general formula (1) ² Specific examples in which (OH) q is represented by the general formula (6) are shown below.
[0026]
Embedded image

[0027]
R in the general formula (1) ² Specific examples in which (OH) q is represented by the general formula (7) are shown below.
[0028]
Embedded image

[0029]
In the general formula (5), R ¹⁹ , R ^{twenty one} Represents a trivalent to tetravalent organic group having a hydroxyl group selected from 2 to 20 carbon atoms, and those having an aromatic ring are preferred from the heat resistance of the resulting polymer. Specifically, hydroxyphenyl group, dihydroxyphenyl group, hydroxynaphthyl group, dihydroxynaphthyl group, hydroxybiphenyl group, dihydroxybiphenyl group, bis (hydroxyphenyl) hexafluoropropane group, bis (hydroxyphenyl) propane group, bis (hydroxyphenyl) ) Represents a sulfone group, a hydroxydiphenyl ether group, a dihydroxydiphenyl ether group, and the like. In addition, aliphatic groups such as a hydroxycyclohexyl group and a dihydroxycyclohexyl group can also be used. R ²⁰ Represents a divalent organic group having 2 to 30 carbon atoms. A divalent group having an aromatic is better than the heat resistance of the obtained polymer, and examples thereof include a phenyl group, a biphenyl group, a diphenyl ether group, a diphenylhexafluoropropane group, a diphenylpropane group, and a diphenylsulfone group. In addition, an aliphatic cyclohexyl group can also be used.
[0030]
In the general formula (6), R ^{twenty two} , R ^{twenty four} Represents a divalent organic group having 2 to 20 carbon atoms. A divalent group having an aromatic is better than the heat resistance of the obtained polymer, and examples thereof include a phenyl group, a biphenyl group, a diphenyl ether group, a diphenylhexafluoropropane group, a diphenylpropane group, and a diphenylsulfone group. In addition, an aliphatic cyclohexyl group can also be used. R ^{twenty three} Represents a trivalent to hexavalent organic group having a hydroxyl group selected from 3 to 20 carbon atoms, and those having an aromatic ring are preferred from the heat resistance of the resulting polymer. Specifically, hydroxyphenyl group, dihydroxyphenyl group, hydroxynaphthyl group, dihydroxynaphthyl group, hydroxybiphenyl group, dihydroxybiphenyl group, bis (hydroxyphenyl) hexafluoropropane group, bis (hydroxyphenyl) propane group, bis ( (Hydroxyphenyl) sulfone group, hydroxydiphenyl ether group, dihydroxydiphenyl ether group and the like. In addition, aliphatic groups such as a hydroxycyclohexyl group and a dihydroxycyclohexyl group can also be used.
[0031]
In general formula (7), R ^{twenty five} Represents a divalent organic group selected from 2 to 20 carbon atoms. From the heat resistance of the resulting polymer, an aromatic divalent group is preferable, and examples thereof include a phenyl group, a biphenyl group, a diphenyl ether group, a diphenylhexafluoropropane group, a diphenylpropane group, and a diphenylsulfone group. In addition, an aliphatic cyclohexyl group or the like can also be used. R ²⁶ Represents a trivalent to hexavalent organic group having a hydroxyl group selected from 3 to 20 carbon atoms, and those having an aromatic ring are preferred from the heat resistance of the resulting polymer. Specifically, hydroxyphenyl group, dihydroxyphenyl group, hydroxynaphthyl group, dihydroxynaphthyl group, hydroxybiphenyl group, dihydroxybiphenyl group, bis (hydroxyphenyl) hexafluoropropane group, bis (hydroxyphenyl) propane group, bis (hydroxyphenyl) ) Represents a sulfone group, a hydroxydiphenyl ether group, a dihydroxydiphenyl ether group, and the like. In addition, aliphatic groups such as a hydroxycyclohexyl group and a dihydroxycyclohexyl group can also be used.
[0032]
Moreover, it can also modify | denature using the other diamine component of the range of 1-40 mol%. Examples of these include phenylenediamine, diaminodiphenyl ether, aminophenoxybenzene, diaminodiphenylmethane, diaminodiphenylsulfone, bis (trifluoromethyl) benzidine, bis (aminophenoxyphenyl) propane, bis (aminophenoxyphenyl) sulfone or their aromatics. Examples include compounds in which an aromatic group is substituted with an alkyl group or a halogen atom. Examples include phenylenediamine, diaminodiphenyl ether, aminophenoxybenzene, diaminodiphenylmethane, diaminodiphenylsulfone, bis (trifluoromethyl) benzidine, bis (aminophenoxyphenyl) propane, bis (aminophenoxyphenyl) sulfone or their fragrances. Examples thereof include aliphatic cyclohexyldiamine, methylenebiscyclohexylamine, and the like, such as compounds in which an aromatic ring is substituted with an alkyl group or a halogen atom. When such a diamine component is copolymerized in an amount of 40 mol% or more, the heat resistance of the resulting polymer is lowered.
[0033]
R in the general formula (1) ^Three Represents hydrogen or an organic group having 1 to 20 carbon atoms. From the stability of the obtained positive photosensitive resin precursor solution, R ^Three Is preferably an organic group, but hydrogen is preferred from the viewpoint of the solubility of an alkaline aqueous solution. In the present invention, a hydrogen atom and an alkyl group can be mixed. This R ^Three By controlling the amounts of hydrogen and organic groups, the dissolution rate with respect to the aqueous alkaline solution is changed, and by this adjustment, a positive photosensitive resin precursor composition having an appropriate dissolution rate can be obtained. The preferred range is R ^Three Is 10% to 90% of hydrogen atoms. R ^Three When the number of carbons exceeds 20, it will not dissolve in the alkaline aqueous solution. R from above ^Three Contains at least one hydrocarbon group having 1 to 16 carbon atoms, and the others are preferably hydrogen atoms.
[0034]
Moreover, m of General formula (1) has shown the number of the carboxyl group, and has shown the integer from 0-2. In the general formula (1), n represents the number of repeating structural units of the polymer of the present invention, and is preferably in the range of 10 to 100,000.
[0035]
Polyhydroxyamide can be used in place of polyamic acid as a heat-resistant polymer precursor similar to polyamic acid. Such a polyhydroxyamide can be obtained by a condensation reaction of a bisaminophenol compound and a dicarboxylic acid. Specifically, a dehydrating condensing agent such as dicyclohexylcarbodiimide (DCC) is reacted with an acid, and a bisaminophenol compound is added thereto, or a solution of a bisaminophenol compound added with a tertiary amine such as pyridine is added to a dicarboxylic acid. For example, a solution of dichloride is dropped.
[0036]
When using polyhydroxyamide, a positive photosensitive heat-resistant resin precursor that can be removed with an alkaline aqueous solution by adding a photosensitizer such as naphthoquinonediazide sulfonate to the polyhydroxyamide solution. A composition can be obtained.
[0037]
Furthermore, in order to improve the adhesion to the substrate, R in the general formula (1) is within a range that does not decrease the heat resistance. ¹ , R ² An aliphatic group having a siloxane structure may be copolymerized. Specific examples of the diamine component include those obtained by copolymerizing 1 to 10 mol% of bis (3-aminopropyl) tetramethyldisiloxane, bis (p-amino-phenyl) octamethylpentasiloxane, and the like.
The positive photosensitive resin composition of the present invention may be composed only of the structural unit represented by the general formula (1), or may be a copolymer or blend with other structural units. . In that case, it is preferable to contain 90 mol% or more of the structural unit represented by General formula (1). The type and amount of structural units used for copolymerization or blending are preferably selected within a range that does not impair the heat resistance of the polyimide polymer obtained by the final heat treatment.
[0038]
The heat resistant resin precursor of the present invention is synthesized by a known method. For example, a method of reacting tetracarboxylic dianhydride and a diamine compound at a low temperature, a method of obtaining a diester by tetracarboxylic dianhydride and alcohol, and then reacting in the presence of an amine and a condensing agent, tetracarboxylic acid 2 It can be synthesized by a method in which a diester is obtained with an anhydride and an alcohol, and then the remaining dicarboxylic acid is acid chlorideed and reacted with an amine.
[0039]
Examples of the compound having a phenolic hydroxyl group represented by the general formula (2) in the present invention include BisRS-2P, BisPG-26X, BisRS-3P, BisOC-OCHP, BisPC-OCHP, Bis25X-OCHP, Bis26X-OCHP. , BisOCHP-OC, Bis236T-OCHP, Methylenetris-FR-CR, BisRS-26X, BisRS-OCHP (trade name, manufactured by Honshu Chemical Industry Co., Ltd.), BIR-OC, BIP-PC, BIR-PC, BIR- PTBP, BIR-PCHP, BIP-BIOC-F, 4PC, BIR-BIPC-F, TEP-BIP-A (above, trade name, manufactured by Asahi Organic Materials Co., Ltd.) can be mentioned.
[0040]
R in the general formula (2) ^Four , R ^Five , R ⁷ , R ⁸ Represents a hydrogen atom, an alkyl group selected from 1 to 4 carbon atoms, an alkoxyl group, a carboxyl group, or an ester group. Above all, R ^Four , R ^Five Is preferably a methyl group or a hydrogen atom. R ⁷ , R ⁸ Is preferably a hydroxyl group, a hydrogen atom, or a cyclohexyl group. R in the general formula (2) ⁶ Represents a hydroxyl group, a hydrogen atom, an alkyl group selected from 1 to 7 carbon atoms, or a hydroxybenzyl group. Above all, R ⁶ Is preferably a hydroxyl group, and in other cases, a hydrogen atom, a methyl group, a tert-butyl group, a cyclohexyl group or a hydroxybenzyl group is preferred. R ^Four , R ^Five , R ⁶ , R ⁷ , R ⁸ In cases other than the above, the dissolution inhibiting effect is greater than the dissolution promoting effect on alkali, which is not preferable. More preferable compounds having a phenolic hydroxyl group include, for example, BisRS-2P, BisRS-3P, BisP-OCHP, methylenetris-FR-CR, BisRS-26X, BIP-PC, BIR-PC, BIR-BIPC-F, and the like. Is mentioned. By adding this compound having a phenolic hydroxyl group, the resulting resin composition is hardly dissolved in an alkali developer before exposure, and is easily dissolved in an alkali developer upon exposure. Development is easy in a short time. In the general formula (2), α, β, γ, and δ represent integers of 0 to 3, and α + γ ≦ 5, β + δ ≦ 5, and α + β> 0. x shows the integer of 1-3.
[0041]
The addition amount of the compound having a phenolic hydroxyl group is preferably 1 to 50 parts by weight, more preferably 3 to 40 parts by weight with respect to 100 parts by weight of the polymer.
[0042]
The naphthoquinone diazide compound added to the present invention is preferably a compound in which a sulfonic acid of naphthoquinone diazide is bonded to a compound having a phenolic hydroxyl group with an ester. The compound having a phenolic hydroxyl group used here may be the same as or different from the compound having a phenolic hydroxyl group represented by the general formula (2) used in the present invention. For example, compounds that do not correspond to the general formula (2) include naphthol, tetrahydroxybenzophenone, gallic acid methyl ester, bisphenol A, methylene bisphenol, TrisP-HAP (trade name, manufactured by Honshu Chemical Industry Co., Ltd.), BisP-AP ( Examples of preferred compounds include 4-naphthoquinone diazide sulfonic acid or 5-naphthoquinone diazide sulfonic acid introduced by an ester bond to a compound such as a trade name, manufactured by Honshu Chemical Industry Co., Ltd., but other compounds are used. You can also
[0043]
Furthermore, as a naphthoquinone diazide compound in this invention, what corresponds to General formula (3) is preferable. For example, BisRS-2P, BisPG-26X, BisOC-OCHP, BisP-OCHP, BisPC-OCHP, Bis25X-OCHP, Bis26X-OCHP, BisOCHP-OC, Bis236T-OCHP, Methylenetris-FR-CR, BisRS-26X, BisRS -OCHP (trade name, manufactured by Honshu Chemical Industry Co., Ltd.), BIR-OC, BIP-PC, BIR-PC, BIR-PTBP, BIR-PCHP, BIP-BIOC-F, 4PC, BIR-BIPC-F (above 5-naphthoquinone diazide sulfonyl ester compounds or 4-naphthoquinone diazide sulfonyl ester compounds of compounds having a phenolic hydroxyl group such as, trade name, manufactured by Asahi Organic Materials Co., Ltd.).
[0044]
R in general formula (3) ⁹ , R ^Ten , R ¹² , R ¹³ Represents one of a hydrogen atom, an alkyl group selected from 1 to 8 carbon atoms, an alkoxyl group, and an ester group. Above all, R ⁹ , R ^Ten Is preferably a methyl group or a hydrogen atom, R ¹² , R ¹³ Is preferably a hydroxyl group, a hydrogen atom, or a cyclohexyl group. Also R ¹¹ Represents a hydroxyl group, a hydrogen atom, an alkyl group selected from 1 to 8 carbon atoms, -OQ, and in particular, R ¹¹ Is at least one -OQ, and in other cases, a hydroxyl group, a hydrogen atom, a methyl group, a tert-butyl group, and a cyclohexyl group are preferred. R ⁹ , R ^Ten , R ¹¹ , R ¹² , R ¹³ In cases other than those described above, when the naphthoquinone diazide compound is dissolved in an alkaline developer after exposure, the effect of inhibiting dissolution by the substituent is increased, which may lead to a decrease in sensitivity. More preferable examples of the 5-naphthoquinone diazide sulfonyl ester compound or the 4-naphthoquinone diazide sulfonyl ester compound having a phenolic hydroxyl group include BisRS-2P, BisP-OCHP, BisRS-OCHP, Methylenetris-FR-CR, BisOCHP. Examples thereof include 5-naphthoquinone diazide sulfonyl ester compounds such as —OC, BIP-PC, BIR-PC, and BIR-BIPC-F, and 4-naphthoquinone diazide sulfonyl ester compounds. In the general formula (3), a, b, c, and d represent integers of 0 to 3, and a + c ≦ 5, b + d ≦ 5, and a + b> 0. y shows the integer of 1-3.
[0045]
The 4-naphthoquinone diazide sulfonyl ester compound has absorption in the i-line region of the mercury lamp and is suitable for i-line exposure, and the 5-naphthoquinone diazide sulfonyl ester compound has absorption extended to the g-line region of the mercury lamp. Suitable for exposure. In the present invention, both a 4-naphthoquinone diazide sulfonyl ester compound and a 5-naphthoquinone diazide sulfonyl ester compound can be preferably used. It is preferred to select a compound. Further, a naphthoquinone diazide sulfonyl ester compound in which 4-naphthoquinone diazide sulfonyl group and 5-naphthoquinone diazide sulfonyl group are used in the same molecule can be obtained, or 4-naphthoquinone diazide sulfonyl ester compound and 5-naphthoquinone diazide sulfonyl ester compound. Can also be used in combination.
[0046]
The naphthoquinonediazide compound of the present invention can be synthesized by an esterification reaction between a compound having a phenolic hydroxyl group and a quinonediazidesulfonic acid compound, and can be synthesized by a known method.
[0047]
By using such naphthoquinonediazide, resolution, sensitivity, and remaining film rate are improved. Further, when the molecular weight of the naphthoquinone diazide compound is 1500 or more, the naphthoquinone diazide compound is not sufficiently thermally decomposed in the subsequent heat treatment, so that the heat resistance of the obtained film is lowered, the mechanical properties are lowered, and the adhesiveness is lowered. May cause problems. From this point of view, the molecular weight of the preferred naphthoquinonediazide compound is 300-1500. More preferably, it is 350-1200. The amount of such naphthoquinonediazide compound added is preferably 1 to 50 parts by weight, more preferably 3 to 40 parts by weight, based on 100 parts by weight of the polymer.
[0048]
By adding a material having such a structure, the film loss in the unexposed area after development is significantly reduced, and a good pattern can be obtained in a short development time.
[0049]
Moreover, 0-3 / 4 is preferable and, as for the ratio which is the hydroxyl group of R11 in General formula (3), More preferably, it is 1 / 4-3 / 4. If it exceeds 3/4, the hydrophilicity increases, so that the unexposed area is dissolved in the alkali developer, and the pattern may not be obtained.
[0050]
The naphthoquinone diazide compound used in the present invention may be only the structure represented by the general formula (3), or may be a mixture with other structures.
[0051]
If necessary, for the purpose of improving the wettability between the photosensitive heat-resistant precursor composition and the substrate, surfactants, esters such as ethyl lactate and propylene glycol monomethyl ether acetate, alcohols such as ethanol, Ketones such as cyclohexanone and methyl isobutyl ketone, and ethers such as tetrahydrofuran and dioxane may be mixed. In addition, inorganic particles such as silicon dioxide and titanium dioxide, or polyimide powder can be added.
[0052]
Further, in order to improve the adhesion to the base substrate such as a silicon wafer, 0.5 to 10% by weight of a silane coupling agent, a titanium chelating agent or the like is added to the varnish of the photosensitive heat-resistant resin precursor composition. The substrate can be pretreated with such a chemical solution.
[0053]
When added to the varnish, 0.5 to 10% by weight of a silane coupling agent such as methylmethacryloxydimethoxysilane or 3-aminopropyltrimethoxysilane, titanium chelating agent, or aluminum chelating agent is added to the polymer in the varnish. To do.
[0054]
When processing a substrate, the coupling agent described above is added to a solvent such as isopropanol, ethanol, methanol, water, tetrahydrofuran, propylene glycol monomethyl ether acetate, propylene glycol monomethyl ether, ethyl lactate, diethyl adipate, and the like in an amount of 0.5 to 20. Surface treatment is performed by spin coating, dipping, spray coating, steam treatment, etc. on the solution in which the weight% is dissolved. In some cases, the reaction between the substrate and the coupling agent is allowed to proceed by applying a temperature from 50 ° C. to 300 ° C.
[0055]
Next, a method for forming a heat resistant resin pattern using the photosensitive heat resistant precursor composition of the present invention will be described.
[0056]
A photosensitive heat resistant precursor composition is applied onto a substrate. A silicon wafer, ceramics, gallium arsenide, or the like is used as the substrate, but is not limited thereto. Examples of the application method include spin coating using a spinner, spray coating, and roll coating. The coating film thickness varies depending on the coating method, the solid content concentration of the composition, the viscosity, and the like, but is usually applied so that the film thickness after drying is 0.1 to 150 μm.
[0057]
Next, the substrate coated with the photosensitive heat-resistant precursor composition is dried to obtain a photosensitive heat-resistant precursor composition film. Drying is preferably performed using an oven, a hot plate, infrared rays, or the like at a range of 50 to 150 degrees for 1 minute to several hours.
[0058]
Next, the photosensitive heat-resistant precursor composition film is exposed to actinic radiation through a mask having a desired pattern. As the actinic radiation used for exposure, there are ultraviolet rays, visible rays, electron beams, X-rays and the like. In the present invention, it is preferable to use i-ray (365 nm), h-ray (405 nm), and g-ray (436 nm) of a mercury lamp. .
[0059]
Formation of the heat-resistant resin pattern is achieved by removing the exposed portion using a developer after exposure. Developers include tetramethylammonium aqueous solution, diethanolamine, diethylaminoethanol, sodium hydroxide, potassium hydroxide, sodium carbonate, potassium carbonate, triethylamine, diethylamine, methylamine, dimethylamine, dimethylaminoethyl acetate, dimethylaminoethanol, dimethyl An aqueous solution of a compound showing alkalinity such as aminoethyl methacrylate, cyclohexylamine, ethylenediamine, hexamethylenediamine and the like is preferable. In some cases, these alkaline aqueous solutions may contain polar solvents such as N-methyl-2-pyrrolidone, N, N-dimethylformamide, N, N-dimethylacetamide, dimethylsulfoxide, γ-butyrolaclone, dimethylacrylamide, methanol, ethanol, Alcohols such as isopropanol, esters such as ethyl lactate and propylene glycol monomethyl ether acetate, ketones such as cyclopentanone, cyclohexanone, isobutyl ketone, and methyl isobutyl ketone may be added singly or in combination. Good. After development, rinse with water. Here, alcohols such as ethanol and isopropyl alcohol, and esters such as ethyl lactate and propylene glycol monomethyl ether acetate may be added to water for rinsing treatment.
[0060]
After development, a temperature of 200 ° C. to 500 ° C. is applied to convert to a heat resistant resin film. This heat treatment is carried out for 5 minutes to 5 hours by selecting the temperature and raising the temperature stepwise, or selecting a certain temperature range and continuously raising the temperature. As an example, heat treatment is performed for 30 minutes at 130 degrees, 200 degrees, and 350 degrees. Alternatively, a method such as linearly raising the temperature from room temperature to 400 degrees over 2 hours can be mentioned.
[0061]
The heat-resistant resin film formed from the photosensitive heat-resistant precursor composition according to the present invention is used for applications such as a semiconductor passivation film, a protective film for semiconductor elements, and an interlayer insulating film for multilayer wiring for high-density mounting.
[0062]
【Example】
Hereinafter, the present invention will be described with reference to examples and techniques, but the present invention is not limited to these examples. In addition, evaluation of the photosensitive heat resistant resin precursor composition in an Example was performed with the following method.
[0063]
Preparation of photosensitive polyimide precursor film
A photosensitive heat-resistant resin precursor composition (hereinafter referred to as varnish) was applied onto a 6-inch silicon wafer so that the film thickness after pre-baking was 7 μm, and then a hot plate (Mark-7 manufactured by Tokyo Electron Ltd.) was applied. A photosensitive polyimide precursor film was obtained by pre-baking at 120 ° C. for 3 minutes.
[0064]
Measuring method of film thickness
Measurement was performed at a refractive index of 1.64 using Lambda Ace STM-602 manufactured by Dainippon Screen Mfg.
exposure
The reticle from which the pattern was cut was set in an exposure machine (i-line stepper DSW-8000 manufactured by GCA), and the exposure time was changed (intensity of 365 nm) to perform i-line exposure.
developing
Using a Mark-7 developing device manufactured by Tokyo Electron Ltd., a 2.38% aqueous solution of tetramethylammonium hydroxide was sprayed for 10 seconds at 50 revolutions. Then, it was allowed to stand for 60 seconds at 0 rotation, rinsed with water at 400 rotation, and shaken and dried for 10 seconds at 3000 rotation.
[0065]
Calculation of remaining film ratio
The remaining film rate was calculated according to the following formula.
Residual film ratio (%) = film thickness after development / film thickness after pre-baking × 100
Sensitivity calculation
After exposure and development, an exposure time for forming a 50 μm line-and-space pattern (1L / 1S) in a one-to-one width (hereinafter referred to as optimum exposure time) was determined.
Resolution calculation
After exposure and development, the resolution was defined as the minimum pattern size in the optimum exposure time for forming a 50 μm line-and-space pattern (1L / 1S) in a 1: 1 width.
[0066]
Calculation of shrinkage
The produced photosensitive polyimide precursor film was subjected to an inert oven INH-21CD manufactured by Koyo Lindberg Co., Ltd. under nitrogen flow (oxygen concentration 20 ppm or less) at 140 ° C. for 30 minutes, and then to 350 ° C. in 1 hour. The temperature was raised and heat treatment was performed at 350 ° C. for 1 hour to produce a cured film. The shrinkage rate was calculated according to the following formula.
Shrinkage rate (%) = (film thickness after pre-baking−film thickness after curing) / film thickness after pre-baking × 100.
[0067]
Synthesis Example 1 Synthesis of hydroxyl group-containing acid anhydride
Under a dry nitrogen stream, 18.3 g (0.05 mol) of 2,2-bis (3-amino-4-hydroxyphenyl) hexafluoropropane (BAHF) and 34.2 g (0.3 mol) of allyl glycidyl ether were gamma. It was dissolved in 100 g of butyrolactone and cooled to -15 ° C. To this, 22.1 g (0.11 mol) of trimellitic anhydride chloride dissolved in 50 g of gamma butyrolactone was added dropwise so that the temperature of the reaction solution did not exceed 0 ° C. After completion of dropping, the reaction was carried out at 0 ° C. for 4 hours. This solution was concentrated by a rotary evaporator and charged into 1 l of toluene to obtain an acid anhydride (1).
[0068]
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[0069]
Synthesis Example 2 Synthesis of hydroxyl group-containing diamine compound (1)
18.3 g (0.05 mol) of BAHF was dissolved in 100 ml of acetone and 17.4 g (0.3 mol) of propylene oxide, and cooled to -15 ° C. A solution prepared by dissolving 20.4 g (0.11 mol) of 4-nitrobenzoyl chloride in 100 ml of acetone was added dropwise thereto. After completion of dropping, the mixture was reacted at −15 ° C. for 4 hours and then returned to room temperature. The precipitated white solid was filtered off and vacuum dried at 50 ° C.
[0070]
30 g of the solid was placed in a 300 ml stainless steel autoclave, dispersed in 250 ml of methyl cellosolve, and 2 g of 5% palladium-carbon was added. Hydrogen was introduced here with a balloon and the reduction reaction was carried out at room temperature. After about 2 hours, the reaction was terminated by confirming that the balloons did not squeeze any more. After completion of the reaction, the catalyst was filtered to remove the palladium compound, and the mixture was concentrated with a rotary evaporator to obtain a diamine compound (1). The obtained solid was used for the reaction as it was.
[0071]
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[0072]
Synthesis Example 3 Synthesis of hydroxyl group-containing diamine (2)
15.4 g (0.1 mol) of 2-amino-4-nitrophenol was dissolved in 50 ml of acetone and 30 g (0.34 mol) of propylene oxide, and cooled to -15 ° C. A solution prepared by dissolving 11.2 g (0.055 mol) of isophthalic acid chloride in 60 ml of acetone was gradually added dropwise thereto. After completion of dropping, the reaction was carried out at −15 ° C. for 4 hours. Thereafter, the precipitate formed by returning to room temperature was collected by filtration.
[0073]
This precipitate was dissolved in 200 ml of GBL, 3 g of 5% palladium-carbon was added, and the mixture was vigorously stirred. A balloon filled with hydrogen gas was attached thereto, and stirring was continued until the balloon of hydrogen gas did not contract any further at room temperature, and further stirred for 2 hours with the balloon of hydrogen gas attached. After completion of the stirring, the palladium compound was removed by filtration, and the solution was concentrated to half by a rotary evaporator. Ethanol was added thereto and recrystallization was performed to obtain crystals of the target compound.
[0074]
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[0075]
Synthesis Example 4 Synthesis of hydroxyl group-containing diamine (3)
2-Amino-4-nitrophenol (15.4 g, 0.1 mol) was dissolved in acetone (100 ml) and propylene oxide (17.4 g, 0.3 mol), and cooled to -15 ° C. A solution prepared by dissolving 20.4 g (0.11 mol) of 4-nitrobenzoyl chloride in 100 ml of acetone was gradually added dropwise thereto. After completion of dropping, the reaction was carried out at −15 ° C. for 4 hours. Thereafter, the precipitate formed by returning to room temperature was collected by filtration. Thereafter, the target compound crystal was obtained in the same manner as in Synthesis Example 2.
[0076]
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[0077]
Synthesis Example 5 Synthesis of quinonediazide compound (1)
Under a dry nitrogen stream, BisRS-2P (trade name, manufactured by Honshu Chemical Industry Co., Ltd.) 16.10 g (0.05 mol) and 5-naphthoquinone diazide sulfonyl chloride 26.86 g (0.1 mol) were added to 1,4-dioxane. Dissolved in 450 g and brought to room temperature. Here, 10.12 g of triethylamine mixed with 50 g of 1,4-dioxane was added dropwise so that the temperature in the system would not be 35 ° C. or higher. It stirred at 30 degreeC after dripping for 2 hours. The triethylamine salt was filtered and the filtrate was poured into water. Thereafter, the deposited precipitate was collected by filtration. This precipitate was dried with a vacuum dryer to obtain a quinonediazide compound (1).
[0078]
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[0079]
Synthesis Example 6 Synthesis of quinonediazide compound (2)
Under a dry nitrogen stream, BisP-OCHP (trade name, manufactured by Honshu Chemical Industry Co., Ltd.), 19.40 g (0.05 mol) and 26.86 g (0.1 mol) of 5-naphthoquinonediazidesulfonyl acid chloride were added to 1,4- Dissolved in 450 g of dioxane and brought to room temperature. A quinonediazide compound (2) was obtained in the same manner as in Synthesis Example 5 using 10.12 g of triethylamine mixed with 50 g of 1,4-dioxane.
[0080]
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[0081]
Synthesis Example 7 Synthesis of quinonediazide compound (3)
Under a dry nitrogen stream, BisRS-OCHP (trade name, manufactured by Honshu Chemical Industry Co., Ltd.), 21.01 g (0.05 mol) and 5-naphthoquinonediazidesulfonyl acid chloride 40.286 g (0.15 mol) were added to 1,4- Dissolved in 450 g of dioxane and brought to room temperature. A quinonediazide compound (3) was obtained in the same manner as in Synthesis Example 5 using 15.18 g of triethylamine mixed with 50 g of 1,4-dioxane.
[0082]
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[0083]
Synthesis Example 8 Synthesis of quinonediazide compound (4)
Under a dry nitrogen stream, BisPG-26X (trade name, manufactured by Honshu Chemical Industry Co., Ltd.), 19.71 g (0.05 mol), 5-naphthoquinone diazide sulfonyl chloride 13.56 g (0.05 mol) and 4-naphthoquinone diazide 13.14 g (0.05 mol) of sulfonyl chloride was dissolved in 450 g of 1,4-dioxane and brought to room temperature. Here, 10.12 g of triethylamine mixed with 50 g of 1,4-dioxane was added dropwise so that the temperature in the system would not be 35 ° C. or higher. It stirred at 30 degreeC after dripping for 2 hours. The triethylamine salt was filtered and the filtrate was poured into water. Thereafter, the deposited precipitate was collected by filtration. This precipitate was dried with a vacuum dryer to obtain a quinonediazide compound (4).
[0084]
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[0085]
Synthesis Example 9 Synthesis of quinonediazide compound (5)
Under a dry nitrogen stream, 17.62 g (0.05 mol) of BIR-PC (trade name, manufactured by Asahi Organic Materials Co., Ltd.) and 26.86 g (0.1 mol) of 5-naphthoquinone diazide sulfonyl chloride were added to 1,4- Dissolved in 450 g of dioxane and brought to room temperature. A quinonediazide compound (5) was obtained in the same manner as in Synthesis Example 5 using 10.12 g of triethylamine mixed with 50 g of 1,4-dioxane.
[0086]
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[0087]
Synthesis Example 10 Synthesis of quinonediazide compound (6)
Under a dry nitrogen stream, 19.72 g (0.05 mol) of BIR-PTBP (trade name, manufactured by Asahi Organic Materials Co., Ltd.) and 26.86 g (0.1 mol) of 4-naphthoquinonediazidesulfonyl acid chloride were added to 1,4- Dissolved in 450 g of dioxane and brought to room temperature. A quinonediazide compound (6) was obtained in the same manner as in Synthesis Example 5 using 10.12 g of triethylamine mixed with 50 g of 1,4-dioxane.
[0088]
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[0089]
Synthesis Example 11 Synthesis of quinonediazide compound (7)
In a dry nitrogen stream, 23.62 g (0.05 mol) of BIR-BIPC-F (trade name, manufactured by Asahi Organic Materials Co., Ltd.) and 40.29 g (0.15 mol) of 5-naphthoquinonediazidesulfonyl acid chloride were Dissolved in 450 g of 4-dioxane and brought to room temperature. A quinonediazide compound (7) was obtained in the same manner as in Synthesis Example 5 using 15.18 g of triethylamine mixed with 50 g of 1,4-dioxane.
[0090]
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[0091]
Synthesis Example 12 Synthesis of quinonediazide compound (8)
Under a dry nitrogen stream, 7.21 g (0.05 mol) of 2-naphthol and 13.43 g (0.05 mol) of 5-naphthoquinone diazidesulfonyl chloride were dissolved in 450 g of 1,4-dioxane and brought to room temperature. A quinonediazide compound (8) was obtained in the same manner as in Synthesis Example 5 using 5.06 g of triethylamine mixed with 50 g of 1,4-dioxane.
[0092]
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[0093]
Synthesis Example 13 Synthesis of quinonediazide compound (9)
Under a dry nitrogen stream, TrisP-HAP (trade name, manufactured by Honshu Chemical Industry Co., Ltd.), 15.31 g (0.05 mol) and 5-naphthoquinonediazidesulfonyl acid chloride 40.28 g (0.15 mol) were added to 1,4- Dissolved in 450 g of dioxane and brought to room temperature. A quinonediazide compound (9) was obtained in the same manner as in Synthesis Example 5 using 15.18 g of triethylamine mixed with 50 g of 1,4-dioxane.
[0094]
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[0095]
Synthesis Example 14 Synthesis of quinonediazide compound (10)
Under a dry nitrogen stream, 6.81 g (0.05 mol) of 4-isopropylphenol and 13.43 g (0.05 mol) of 5-naphthoquinonediazide sulfonyl chloride were dissolved in 450 g of 1,4-dioxane and brought to room temperature. A quinonediazide compound (10) was obtained in the same manner as in Synthesis Example 5 using 5.06 g of triethylamine mixed with 50 g of 1,4-dioxane.
[0096]
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[0097]
Synthesis Example 15 Synthesis of quinonediazide compound (11)
Under a dry nitrogen stream, 11.41 g (0.05 mol) of bisphenol A and 26.86 g (0.1 mol) of 5-naphthoquinone diazidesulfonyl acid chloride were dissolved in 450 g of 1,4-dioxane and brought to room temperature. A quinonediazide compound (11) was obtained in the same manner as in Synthesis Example 5 using 10.12 g of triethylamine mixed with 50 g of 1,4-dioxane.
[0098]
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[0099]
Example 1
Under a dry nitrogen stream, 5.01 g (0.025 mol) of 4,4′-diaminophenyl ether and 1.24 g (0.005 mol) of 1,3-bis (3-aminopropyl) tetramethyldisiloxane were added to N—. It was dissolved in 50 g of methyl-2-pyrrolidone (NMP). To this, 21.4 g (0.03 mol) of the hydroxy group-containing acid anhydride obtained in Synthesis Example 1 was added together with 14 g of NMP, and reacted at 20 ° C. for 1 hour, and then reacted at 50 ° C. for 4 hours. Thereafter, a solution obtained by diluting 7.14 g (0.06 mol) of N, N-dimethylformamide dimethylacetal with 5 g of NMP was added dropwise over 10 minutes. After dropping, the mixture was stirred at 50 ° C. for 3 hours.
[0100]
2.0 g of the quinonediazide compound (8) obtained in Synthesis Example 12 was added to 40.0 g of the obtained solution, and the compound BisRS-2P having a phenolic hydroxyl group used in the present invention (trade name, manufactured by Honshu Chemical Industry Co., Ltd.) 1 0.0g was added and the varnish A of the photosensitive polyimide precursor composition was obtained. Using the obtained varnish, a photosensitive polyimide precursor film was prepared on a silicon wafer, exposed and developed as described above, and the varnish sensitivity, remaining film rate, resolution, and shrinkage rate were evaluated.
[0101]
Example 2
Under a dry nitrogen stream, 15.1 g (0.025 mol) of the hydroxyl group-containing diamine (1) obtained in Synthesis Example 2 was dissolved in 50 g of N-methyl-2-pyrrolidone (NMP). 17.5 g (0.025 mol) of the hydroxy group-containing acid anhydride obtained in Synthesis Example 1 was added thereto together with 30 g of pyridine, and the mixture was reacted at 60 ° C. for 6 hours. After completion of the reaction, the solution was poured into 2 liters of water, and the polymer solid precipitate was collected by filtration. The polymer solid was dried in a vacuum dryer at 80 ° C. for 20 hours.
[0102]
10 g of the polymer solid thus obtained was weighed, 2 g of the quinonediazide compound (9) obtained in Synthesis Example 13, and the compound BisPG-26X having a phenolic hydroxyl group used in the present invention (trade name, Honshu Chemical Industry Co., Ltd.) Manufactured) 2.0 g and 1 g of vinyltrimethoxysilane were dissolved in 30 g of gamma butyrolactone to obtain varnish B of a photosensitive polyimide precursor composition. Using the obtained varnish, a photosensitive polyimide precursor film was prepared on a silicon wafer, exposed and developed as described above, and the varnish sensitivity, remaining film rate, resolution, and shrinkage rate were evaluated.
[0103]
Example 3
Under a dry nitrogen stream, 17.0 g (0.045 mol) of the hydroxyl group-containing diamine compound (2) obtained in Synthesis Example 3 and 1.24 g of 1,3-bis (3-aminopropyl) tetramethyldisiloxane (0 0.005 mol) was dissolved in 50 g of NMP. To this, 12.4 g (0.04 mol) of 3,3 ′, 4,4′-diphenyl ether tetracarboxylic anhydride was added together with 21 g of NMP, and reacted at 20 ° C. for 1 hour, and then reacted at 50 ° C. for 2 hours. . To this, 0.98 g (0.01 mol) of maleic anhydride was added, stirred for 2 hours at 50 ° C., and then a solution obtained by diluting 14.7 g (0.1 mol) of N, N-dimethylformamide diethyl acetal with 5 g of NMP was added. It was added dropwise over a period of minutes. After dropping, the mixture was stirred at 50 ° C. for 3 hours.
[0104]
To 30 g of the obtained solution, 1.6 g of the quinonediazide compound (10) obtained in Synthesis Example 14, 0.8 g of a compound BisRS-3P having a phenolic hydroxyl group used in the present invention (trade name, manufactured by Honshu Chemical Industry Co., Ltd.) Was dissolved to obtain a varnish C of a photosensitive polyimide precursor composition. Using the obtained varnish, a photosensitive polyimide precursor film was prepared on a silicon wafer, exposed and developed as described above, and the varnish sensitivity, remaining film rate, resolution, and shrinkage rate were evaluated.
[0105]
Example 4
Under a dry nitrogen stream, 6.08 g (0.025 mol) of the hydroxyl group-containing diamine compound (3) obtained in Synthesis Example 4 and 4.51 g (0.0225 mol) of 4,4′-diaminodiphenyl ether and 1,3 -0.62 g (0.0025 mol) of bis (3-aminopropyl) tetramethyldisiloxane was dissolved in 70 g of NMP. Add 24.99 g (0.035 mol) of hydroxyl group-containing acid anhydride and 4.41 g (0.015 mol) of 3,3 ′, 4,4′-biphenyltetracarboxylic dianhydride together with 25 g of NMP at room temperature. The mixture was stirred at room temperature for 1 hour and then at 50 ° C. for 2 hours. Then, a solution obtained by diluting 17.6 g (0.2 mol) of glycidyl methyl ether with 10 g of NMP was added and stirred at 70 ° C. for 6 hours.
[0106]
To 40 g of this polymer solution, 2.5 g of the quinonediazide compound (11) obtained in Synthesis Example 15 and 2.0 g of a compound BisP-OCHP having a phenolic hydroxyl group used in the present invention (trade name, manufactured by Honshu Chemical Industry Co., Ltd.) It was made to melt | dissolve and the varnish D of the photosensitive polyimide precursor composition was obtained. Using the obtained varnish, a photosensitive polyimide precursor film was prepared on a silicon wafer, exposed and developed as described above, and the varnish sensitivity, remaining film rate, resolution, and shrinkage rate were evaluated.
[0107]
Example 5
50 g of the polymer solution obtained in Example 3, 2.5 g of the quinonediazide compound (8) used in Example 1, and the compound BIR-PC having a phenolic hydroxyl group used in the present invention (trade name, Asahi Organic Materials Co., Ltd.) Manufactured) 2.0 g was dissolved to obtain a varnish E of a photosensitive polyimide precursor composition. Using the obtained varnish, a photosensitive polyimide precursor film was prepared on a silicon wafer, exposed and developed as described above, and the varnish sensitivity, remaining film rate, resolution, and shrinkage rate were evaluated.
[0108]
Example 6
To 40 g of the polymer solution obtained in Example 1, 2.0 g of the quinonediazide compound (9) used in Example 2, and the compound BIR-PTBP having a phenolic hydroxyl group used in the present invention (trade name, Asahi Organic Materials Co., Ltd.) Manufactured) 2.0 g was dissolved to obtain a varnish F of a photosensitive polyimide precursor composition. Using the obtained varnish, a photosensitive polyimide precursor film was prepared on a silicon wafer, exposed and developed as described above, and the varnish sensitivity, remaining film rate, resolution, and shrinkage rate were evaluated.
[0109]
Example 7
2.0 g of the quinonediazide compound (9) used in Example 2 and 40 g of the polymer solution obtained in Example 4 and the compound BIR-BIPC-F having a phenolic hydroxyl group used in the present invention (trade name, Asahi Organic Materials) 2.0 g of Kogyo Co., Ltd. was dissolved to obtain a varnish G of a photosensitive polyimide precursor composition. Using the obtained varnish, a photosensitive polyimide precursor film was prepared on a silicon wafer, exposed and developed as described above, and the varnish sensitivity, remaining film rate, resolution, and shrinkage rate were evaluated.
[0110]
Example 8
In a dry nitrogen stream, 18.3 g (0.05 mol) of 2,2-bis (3-amino-4-hydroxyphenyl) hexafluoropropane, 50 g of N-methyl-2-pyrrolidone (NMP), and glycidyl methyl ether 26. 4 g (0.3 mol) was dissolved, and the temperature of the solution was cooled to −15 ° C. A solution prepared by dissolving 7.38 g (0.025 mol) of diphenyl ether dicarboxylic acid dichloride and 5.08 g (0.025 mol) of isophthalic acid dichloride in 25 g of gamma butyrolactone was added dropwise so that the internal temperature did not exceed 0 ° C. did. After completion of the dropwise addition, stirring was continued for 6 hours at -15 ° C.
[0111]
After completion of the reaction, the solution was poured into 3 l of water to collect a white precipitate. This precipitate was collected by filtration, washed three times with water, and then dried in a vacuum dryer at 80 ° C. for 20 hours.
[0112]
The thus obtained polymer powder (10.0 g) is mixed with a quinonediazide compound (9) (2.0 g) and a phenolic hydroxyl group-containing compound BisRS-2P (trade name, manufactured by Honshu Chemical Industry Co., Ltd.). 0 g was dissolved in 30 g of NMP to obtain a varnish H of a photosensitive polybenzoxazole precursor composition. Using the obtained varnish, a photosensitive polybenzoxazole precursor film was prepared on a silicon wafer as described above, exposed and developed, and evaluated for varnish sensitivity, remaining film rate, resolution, and shrinkage rate.
[0113]
Comparative Example 1
In 40 g of a polyimide precursor solution synthesized in the same manner as in Example 1, 2.0 g of the quinonediazide compound (8) used in Example 1 was dissolved to obtain a varnish I of a photosensitive polyimide precursor composition. Using the obtained varnish, a photosensitive polyimide precursor film was prepared on a silicon wafer, exposed and developed as described above, and the varnish sensitivity, remaining film rate, resolution, and shrinkage rate were evaluated.
[0114]
Comparative Example 2
Photosensitivity was obtained by dissolving 2.0 g of the quinonediazide compound (8) used in Example 1 and 1.0 g of TrisP-PA (trade name, manufactured by Honshu Chemical Industry Co., Ltd.) in 40 g of the polyimide precursor solution synthesized in the same manner as in Example 1. The varnish J of the conductive polyimide precursor composition was obtained. Using the obtained varnish, a photosensitive polyimide precursor film was prepared on a silicon wafer, exposed and developed as described above, and the varnish sensitivity, remaining film rate, resolution, and shrinkage rate were evaluated.
[0115]
Comparative Example 3
Photosensitivity was obtained by dissolving 1.6 g of the quinonediazide compound (10) used in Example 3 and 0.8 g of BisP-AP (trade name, manufactured by Honshu Chemical Industry Co., Ltd.) in 30 g of the polyimide precursor solution synthesized in the same manner as in Example 3. Varnish K of the conductive polyimide precursor composition was obtained. Using the obtained varnish, a photosensitive polyimide precursor film was prepared on a silicon wafer, exposed and developed as described above, and the varnish sensitivity, remaining film rate, resolution, and shrinkage rate were evaluated.
[0116]
Example 9
Under a dry nitrogen stream, 57.4 g (0.095 mol) of the diamine compound (1) obtained in Synthesis Example 2 and 1.24 g (0.005 mol) of 1,3-bis (3-aminopropyl) tetramethyldisiloxane. ) Was dissolved in 350 g of GBL. 3,3 ', 4,4'-benzophenonetetracarboxylic dianhydride (32.2 g, 0.1 mol) was added thereto together with 40 g of GBL, and reacted at 20 ° C for 1 hour, and then reacted at 50 ° C for 4 hours. It was. To the obtained solution, 20.0 g of the quinonediazide compound (1) obtained in Synthesis Example 5 was added together with 10 g of GBL to obtain a varnish L of a photosensitive polyimide precursor composition.
[0117]
As described above, a photosensitive polyimide precursor film was prepared on a silicon wafer, exposed and developed using the obtained varnish, and the varnish sensitivity, remaining film ratio, and resolution were evaluated.
[0118]
Example 10
Under a dry nitrogen stream, 15.1 g (0.025 mol) of the diamine compound (2) obtained in Synthesis Example 3, 4.5 g (0.0225 mol) of 4,4′-diaminodiphenyl ether, and 1,3-bis ( 0.62 g (0.0025 mol) of 3-aminopropyl) tetramethyldisiloxane was dissolved in 100 g of GBL. To this, 16.1 g (0.050 mol) of 3,3 ′, 4,4′-benzophenonetetracarboxylic dianhydride was added together with 33 g of GBL at room temperature, and allowed to react at room temperature for 1 hour and then at 50 ° C. for 4 hours. . In 50 g of this polymer solution, 7.6 g of the quinonediazide compound (2) obtained in Synthesis Example 6 was dissolved to obtain a varnish M of a photosensitive polyimide precursor composition.
[0119]
Using the obtained varnish, a photosensitive polyimide precursor film was prepared on a silicon wafer, exposed and developed as described above, and the varnish sensitivity, remaining film ratio, and resolution were evaluated.
[0120]
Example 11
A polymer was obtained in the same manner as in Example 9 except that 23.0 g (0.095 mol) of the diamine compound (3) obtained in Synthesis Example 4 was used instead of the diamine compound (1), and 50 g of this polymer solution was obtained. Then, quinonediazide compound (3) 9.5 g obtained in Synthesis Example 7 was dissolved to obtain varnish N of a photosensitive polyimide precursor composition.
[0121]
Using the obtained varnish, a photosensitive polyimide precursor film was prepared on a silicon wafer, exposed and developed as described above, and the varnish sensitivity, remaining film ratio, and resolution were evaluated.
[0122]
Example 12
Under a dry nitrogen stream, 19.0 g (0.095 mol) of 4,4′-diaminodiphenyl ether and 1.24 g (0.005 mol) of 1,3-bis (3-aminopropyl) tetramethyldisiloxane were dissolved in 350 g of GBL. I let you. 71.4 g (0.1 mol) of the acid anhydride (1) obtained in Synthesis Example 1 was added together with 40 g of GBL, and reacted at 20 ° C. for 1 hour, and then reacted at 50 ° C. for 4 hours. To 50 g of this polymer solution, 20.0 g of the quinonediazide compound (4) obtained in Synthesis Example 8 was added together with 10 g of GBL to obtain a varnish O of a photosensitive polyimide precursor composition.
[0123]
Using the obtained varnish, a photosensitive polyimide precursor film was prepared on a silicon wafer, exposed and developed as described above, and the varnish sensitivity, remaining film ratio, and resolution were evaluated.
[0124]
Example 13
Photopolymer polyimide precursor by dissolving 3.6 g of the quinonediazide compound (1) obtained in Synthesis Example 5 and 4.0 g of the quinonediazide compound (9) obtained in Synthesis Example 13 in 50 g of the polymer solution obtained in Example 3. A body composition varnish P was obtained. Using the obtained varnish, a photosensitive polyimide precursor film was prepared on a silicon wafer, exposed and developed as described above, and the varnish sensitivity, remaining film ratio, and resolution were evaluated.
[0125]
Example 14
In 50 g of the polymer solution obtained in Example 10, 7.6 g of the quinonediazide compound (5) obtained in Synthesis Example 9 was dissolved to obtain a varnish Q of a photosensitive polyimide precursor composition. As described above, a photosensitive polyimide precursor film was prepared on a silicon wafer, exposed and developed using the obtained varnish, and the varnish sensitivity, remaining film ratio, and resolution were evaluated.
[0126]
Example 15
Photopolymer polyimide precursor by dissolving 3.6 g of the quinonediazide compound (6) obtained in Synthesis Example 10 and 4.0 g of the quinonediazide compound (9) obtained in Synthesis Example 13 in 50 g of the polymer solution obtained in Example 3. A body composition varnish R was obtained. Using the obtained varnish, a photosensitive polyimide precursor film was prepared on a silicon wafer, exposed and developed as described above, and the varnish sensitivity, remaining film ratio, and resolution were evaluated.
[0127]
Example 16
In 50 g of the polymer solution obtained in Example 4, 7.6 g of the quinonediazide compound (7) obtained in Synthesis Example 11 was dissolved to obtain a varnish S of a photosensitive polyimide precursor composition. Using the obtained varnish, a photosensitive polyimide precursor film was prepared on a silicon wafer, exposed and developed as described above, and the varnish sensitivity, remaining film ratio, and resolution were evaluated.
[0128]
Example 17
A photosensitive polybenzoxazole was prepared by dissolving 2.0 g of the quinonediazide compound (1) obtained in Synthesis Example 5 in 30 g of N-methyl-2-pyrrolidone (NMP) in 10.0 g of the polymer powder obtained in Example 8. Varnish T of the precursor composition was obtained. Using the obtained varnish, a photosensitive polyimide precursor film was prepared on a silicon wafer, exposed and developed as described above, and the varnish sensitivity, remaining film ratio, and resolution were evaluated.
[0129]
Comparative Example 4
Varnish U of the photosensitive polyimide precursor composition was obtained by dissolving 10 g of the polymer obtained in Example 9 and 2 g of the quinonediazide compound (9) obtained in Synthesis Example 13 in 45 g of GBL. Using the obtained varnish, a photosensitive polyimide precursor film was prepared on a silicon wafer, exposed and developed as described above, and the varnish sensitivity, remaining film ratio, and resolution were evaluated.
[0130]
Comparative Example 5
Varnish V of the photosensitive polyimide precursor composition was obtained by dissolving 10 g of the polymer obtained in Example 10 and 2 g of the quinonediazide compound (11) obtained in Synthesis Example 15 in 45 g of GBL. Using the obtained varnish, a photosensitive polyimide precursor film was prepared on a silicon wafer, exposed and developed as described above, and the varnish sensitivity, remaining film ratio, and resolution were evaluated.
[0131]
Comparative Example 6
In place of the acid anhydride (1) of Example 12, 32.2 g (0.1 mol) of 3,3 ′, 4,4′-benzophenonetetracarboxylic dianhydride was used and the polymer was prepared in the same manner as in Example 12. Synthesized.
[0132]
To 50 g of this polymer solution, 10.0 g of the quinonediazide compound (9) obtained in Synthesis Example 13 and 10.0 g of the naphthoquinonediazide compound (11) obtained in Synthesis Example 15 are added together with 10 g of GBL to prepare a photosensitive polyimide precursor composition. Varnish W was obtained. Using the obtained varnish, a photosensitive polyimide precursor film was prepared on a silicon wafer, exposed and developed as described above, and the varnish sensitivity, remaining film ratio, and resolution were evaluated.
[0133]
The evaluation results of Examples 1 to 8 and Comparative Examples 1 to 3 are shown in Table 1 below, and the evaluation results of Examples 9 to 17 and Comparative Examples 4 to 6 are shown in Table 2. Moreover, the compound which has the phenolic hydroxyl group used in Examples 1-8 and Comparative Examples 2 and 3 was shown below.
[0134]
Embedded image

[0135]
[Table 1]

[0136]
[Table 2]

[0137]
【The invention's effect】
According to the present invention, it is possible to obtain a positive photosensitive resin precursor composition that can be developed with an aqueous alkali solution and has excellent resolution, sensitivity, remaining film rate, and shrinkage after curing.

Claims (6)

(A) a polymer having a structural unit represented by general formula (1) as a main component, (b) a compound having a phenolic hydroxyl group represented by general formula (2), and (c) an esterified quinonediazide compound. A positive photosensitive resin precursor composition comprising:

(Wherein R ¹ is a divalent to octavalent organic group having at least 2 carbon atoms, R ² is a divalent to hexavalent organic group having at least 2 carbon atoms, and R ³ is hydrogen. Or an organic group having 1 to 20 carbon atoms, n is an integer from 10 to 100,000, m is an integer from 0 to 2, p and q are integers from 0 to 4, provided that p + q> 0.)

(Wherein R ⁴ , R ⁵ , R ⁷ and R ⁸ are each a hydrogen atom, an alkyl group selected from 1 to 4 carbon atoms, an alkoxyl group, a carboxyl group or an ester group. R ⁶ is a hydroxyl group or hydrogen. An atom, an alkyl group selected from 1 to 7 carbon atoms, or a hydroxybenzyl group, each R ⁴ and each R ⁵ may be the same or different, and each R ⁶ may be the same or different. In general, at least one of R ⁶ is a hydroxyl group, α, β, γ, and δ represent integers of 0 to 3. However, α + γ ≦ 5, β + δ ≦ 5, and α + β> 0, and x is 1 to 3. Indicates an integer.) A positive photosensitive resin comprising: (a) a polymer having a structural unit represented by general formula (1) as a main component; and (d) a naphthoquinonediazide compound represented by general formula (3). Precursor composition.

(In the formula, R ⁹ , R ¹⁰ , R ¹² and R ¹³ are each a hydrogen atom, an alkyl group selected from 1 to 8 carbon atoms, an alkoxyl group, a carboxyl group or an ester group. R ¹¹ is a hydroxyl group, A hydrogen atom, an alkyl group selected from 1 to 8 carbon atoms, and —OQ, wherein at least one of R ¹¹ is —OQ, Q represents either a 5-naphthoquinonediazidosulfonyl group or a 4-naphthoquinonediazidesulfonyl group; Each R ⁹ and each R ¹⁰ may be the same or different, and each R ¹¹ may be the same or different, a, b, c, and d represent an integer of 0 to 3. A + c ≦ 5, b + d ≦ 5, and a + b> 0, y represents an integer of 1 to 3.) The positive photosensitive resin precursor composition according to claim 1, wherein R ¹ (COOR ³ ) m (OH) p in the general formula (1) is represented by the general formula (4).

(R ¹⁴ and R ¹⁶ represent a divalent to tetravalent organic group selected from 2 to 20 carbon atoms, and R ¹⁵ represents a trivalent to hexavalent organic group having a hydroxyl group selected from 3 to 20 carbon atoms. R ¹⁷ and R ¹⁸ represent hydrogen and / or an organic group having 1 to 20 carbon atoms, o, s represents an integer from 0 to 2, and r represents an integer from 1 to 4. The positive photosensitive resin precursor composition according to claim 1 or 2, wherein R ² (OH) q in the general formula (1) is represented by the general formula (5).

(R ¹⁹ and R ²¹ represent a trivalent to tetravalent organic group having a hydroxyl group selected from 2 to ²⁰ carbon atoms, and R ²⁰ represents a divalent organic group selected from 2 to 30 carbon atoms. , U represents an integer of 1 or 2.) The positive photosensitive resin precursor composition according to claim 1 or 2, wherein R ² (OH) q in the general formula (1) is represented by the general formula (6).

(R ²² and R ²⁴ represent a divalent organic group having 2 to 20 carbon atoms, and R ²³ represents a trivalent to hexavalent organic group having a hydroxyl group selected from 3 to 20 carbon atoms. Represents an integer of 1 to 4.) The positive photosensitive resin precursor composition according to claim 1, wherein R ² (OH) q in the general formula (1) is represented by the general formula (7).

(R ²⁵ represents a divalent organic group selected from 2 to 20 carbon atoms, R ²⁶ represents a trivalent to 6 valent organic group having a hydroxyl group selected from 3 to 20 carbon atoms. Integers up to 4 are shown.)