JP4275441B2 - 収差補正器付電子線装置 - Google Patents
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- 230000004075 alteration Effects 0.000 title claims description 128
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 title claims description 35
- 230000005405 multipole Effects 0.000 claims description 54
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims description 19
- 230000005284 excitation Effects 0.000 claims description 10
- 230000008859 change Effects 0.000 claims description 7
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 27
- 238000000034 method Methods 0.000 description 18
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 14
- 239000000523 sample Substances 0.000 description 13
- 230000014509 gene expression Effects 0.000 description 8
- 201000009310 astigmatism Diseases 0.000 description 5
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 5
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 5
- 230000001133 acceleration Effects 0.000 description 4
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 4
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 description 4
- 230000000979 retarding effect Effects 0.000 description 3
- 230000009471 action Effects 0.000 description 2
- 206010010071 Coma Diseases 0.000 description 1
- QCWXUUIWCKQGHC-UHFFFAOYSA-N Zirconium Chemical compound [Zr] QCWXUUIWCKQGHC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 1
- 238000004364 calculation method Methods 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 238000005094 computer simulation Methods 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 230000005672 electromagnetic field Effects 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 230000008569 process Effects 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 1
- 229910052726 zirconium Inorganic materials 0.000 description 1
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/30—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects
- H01J37/317—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects for changing properties of the objects or for applying thin layers thereon, e.g. for ion implantation
- H01J37/3174—Particle-beam lithography, e.g. electron beam lithography
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- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B82—NANOTECHNOLOGY
- B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
- B82Y10/00—Nanotechnology for information processing, storage or transmission, e.g. quantum computing or single electron logic
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- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
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- B82Y40/00—Manufacture or treatment of nanostructures
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/02—Details
- H01J37/04—Arrangements of electrodes and associated parts for generating or controlling the discharge, e.g. electron-optical arrangement or ion-optical arrangement
- H01J37/147—Arrangements for directing or deflecting the discharge along a desired path
- H01J37/1471—Arrangements for directing or deflecting the discharge along a desired path for centering, aligning or positioning of ray or beam
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/02—Details
- H01J37/04—Arrangements of electrodes and associated parts for generating or controlling the discharge, e.g. electron-optical arrangement or ion-optical arrangement
- H01J37/153—Electron-optical or ion-optical arrangements for the correction of image defects, e.g. stigmators
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/26—Electron or ion microscopes; Electron or ion diffraction tubes
- H01J37/261—Details
- H01J37/265—Controlling the tube; circuit arrangements adapted to a particular application not otherwise provided, e.g. bright-field-dark-field illumination
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/26—Electron or ion microscopes; Electron or ion diffraction tubes
- H01J37/28—Electron or ion microscopes; Electron or ion diffraction tubes with scanning beams
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/30—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects
- H01J37/302—Controlling tubes by external information, e.g. programme control
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
- H01J2237/15—Means for deflecting or directing discharge
- H01J2237/1501—Beam alignment means or procedures
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
- H01J2237/153—Correcting image defects, e.g. stigmators
- H01J2237/1534—Aberrations
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
- H01J2237/21—Focus adjustment
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
- H01J2237/248—Components associated with the control of the tube
- H01J2237/2485—Electric or electronic means
- H01J2237/2487—Electric or electronic means using digital signal processors
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
- H01J2237/26—Electron or ion microscopes
- H01J2237/28—Scanning microscopes
- H01J2237/2813—Scanning microscopes characterised by the application
- H01J2237/2817—Pattern inspection
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- H—ELECTRICITY
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- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
- H01J2237/30—Electron or ion beam tubes for processing objects
- H01J2237/317—Processing objects on a microscale
- H01J2237/3175—Lithography
- H01J2237/31793—Problems associated with lithography
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Description
【発明の属する技術分野】
本発明は電子線装置のビームスポットを最小化する技術に関するもので、特に走査形電子顕微鏡(SEM)、測長SEM(CD−SEM)、電子線描画装置等に関する。
【0002】
【従来の技術】
半導体デバイスのパターン寸法を高精度で計測する測長SEMなどの装置では、近年のデバイスパターンの微細化により、3〜1nm程度の分解能を、試料を破壊しないよう加速電圧1kV以下の電子ビームで達成することが必要になっている。このためには電子ビームを試料面上に所望の分解能以下の径で収束させる必要がある。このような低加速の場合、第1に問題となるのが対物レンズの色収差である。この色収差を低減するために、対物レンズの設計を工夫し色収差を小さくすることは、既にいろいろ試みられている。
【0003】
1990年代には電子の加速電圧をVrだけ高くしてより高いエネルギーで対物レンズを通過させる一方、試料に−Vrの電圧を印加して電子を減速し、試料入射時の電子線エネルギーを低いままに抑えるリターディングの手法が行われるようになった。この手法によると、V0を電子銃部での電子加速電圧として、式(1)に示す割合で色収差は減少する。
【0004】
【数1】
しかし、Vrがあまり大きいと試料が電界により破壊されるため、かけられるVrには限界があった。そのほかに放出エネルギー幅の小さい電子源を使えばその分色収差は減るが、現在は電界放出電子銃(放出電子エネルギー幅0.3eV程度)、ショットキー電子銃(0.6eV程度)などが使われており、これらより小さい放出電子エネルギー幅と安定性をもつ電子源が探索されている段階である。
【0005】
このような新しい電子源がまだ実用化されていないので、現在上記の方法による色収差低減は限界にきている。
【0006】
これを解決する方法として、モノクロメーターの使用と収差補正器による色収差低減の二つの方法が注目されている。このうち多極子レンズを組み合わせて収差補正器を構成し対物レンズの収差を打ち消すことができることは1947年にScherzerにより提唱され1970年代にはすでに具体的な構成が非特許文献1、あるいは、非特許文献2に発表されている。最近この技術が電磁界複合型4重4極子/8極子の収差補正器を使い実験的に検証された(非特許文献3)。
【0007】
この型の収差補正器の動作の概略を図4により説明する。収差補正器10は、4極子場と8極子場を重畳して発生させるために、多極子レンズ11、複合型多極子レンズ12、複合型多極子レンズ13、多極子レンズ14から構成される。収差補正器10内では4極子場のために光軸(z軸)に垂直な2方向(x軸、y軸)で各々、収束作用と発散作用が生じて近軸軌道を分離させる。図4では電子ビームの軌道を細線にて模式的に示した。クロスオーバー41より発する電子線は収差補正器10の初段の多極子レンズ11によりx方向の軌道(x軌道)は発散(図中の矢印1つの軌道)、y方向の軌道(y軌道)は収束(図中の矢印2つの軌道)され、分離する。任意の方向の軌道はこれらx軌道、y軌道の線形結合として考えることができる。第2段の複合型多極子レンズ12は4極子電場と、x−y面内で左記4極子電場に比べ光軸に対し45°回転した4極子磁場を発生させることができ、x−y面内で電場、磁場を複合して印加できる。y軌道は複合型多極子レンズ12の中心付近でクロスするように第1段の多極子レンズ11が励起される。このときx軌道は最大に離軸しており、複合型多極子レンズ12の中心でx方向に延びた線状クロスオーバー42を形成する。複合型多極子レンズ12の4極子の励起は第3段の複合型多極子レンズ13の中心付近でx軌道がクロスするように調整されている。このときの線状クロスオーバー43はy方向に伸びた線状をしている。第4段の多極子レンズ14を経て分離したx軌道とy軌道はクロスオーバー44にて一致する。クロスオーバー41がスティグマティックにクロスオーバー44に結像されるように収差補正器10を動作させる。
【0008】
このとき収差補正器10においては、複合型多極子レンズ12を、基準となるエネルギーをもつ入射電子に働く合力を変化させないという拘束条件のもとで、電場と磁場の4極子場の強さの比を変えて励起することができる。この場合、基準とずれたエネルギーをもった電子はその速度が基準となるエネルギーをもつ電子と異なっているので、電場と磁場の強さの比が変わると働く力が変わり軌道がずれる。このずれは光軸から離れているx方向で大きく、多極子場の中心をめがけて通るy方向はほとんど影響されない。複合型多極子レンズ13を通るときはこの関係がx、y逆になる。つまり複合型多極子レンズ12、13において電場と磁場の4極子場の強さの比を変えることによりx方向、y方向、独立に入射エネルギーのずれたものだけ軌道を変えることができる。
【0009】
このことを利用して、収差補正器10であらかじめ、後に続く対物レンズの色収差を相殺する量だけ、エネルギーの高い電子の軌道を外側に、エネルギーの低い電子の軌道を内側にずらしておいて色収差を相殺する。レンズ11から14までの多極子レンズで4極子場に加えて8極子場を発生させることにより、非特許文献3の3.7節に記載のごとく球面収差も補正することが可能である。
【0010】
これらの公知例においては4極子場と8極子場を重畳するために12極子を使っている例が示されている。これらの公知例では収差補正器そのもので生じる高次収差をも低減する観点で電子光学系が構成されているが、微小プローブを形成することが必要であるため、電子線装置に収差補正器を組み込みんだ場合に、装置全体の総合的な軸合わせが困難である。
【0011】
【特許文献1】
特開2000−195453号公報
【非特許文献1】
Optik 33(1971)1〜24ページ
【非特許文献2】
Optik 83(1989)30〜40ページ
【非特許文献3】
Nuclear Instruments and Methods in Physics Research,A 363 (1995),316〜325ページ
【0012】
【発明が解決しようとする課題】
このような収差補正器を電子線装置に導入する場合、収差補正器内の4段の4極子ないし8極子の励起や軸ずれを調整し、同時に装置のその他の部分の電子光学軸まで合わせるのは煩雑で時間がかかる。その理由は試料の2次電子像を観察しても収差補正器単体の軸合わせ不良と収差補正器以外の部分の軸合わせ不良による像の劣化が、渾然一体となり、原因の切り分けがつかないからである。
【0013】
本発明では収差補正の効果が容易に確認でき、その調整手順を短縮でき、使いやすい収差補正器付電子線装置を提供する。
【0014】
【課題を解決するための手段】
本発明の収差補正器付電子線装置においては、電子線装置が備える各レンズおよび収差補正器を制御するコンピュータが、収差補正器を動作させる走査モードと、収差補正器を動作させない走査モードとを持ち、その両モードで対物レンズの物点位置が変わらないように、収差補正器を制御する。あるいはコンデンサーレンズの励磁と収差補正器の動作を連動させることにより、両モードで対物レンズの物点位置が変わらないように、収差補正器を制御する。上記二つのモードでレンズ、偏向器および収差補正器等の連動動作を可能ならしめるため、レンズ、偏向器および収差補正器等の電源をコンピュータで統一的にコントロールするシステムを構築する。
【0015】
このような構成によれば、まず収差補正器を動作させない走査モードにおいて、対物レンズへの入射軸合わせや、フォーカス、非点などのビーム収束に必要な通常の調整が一通り実行できる。引き続き収差補正器を動作させる走査モードに切り替える。このモードでは対物レンズの物点を動かさないので、像倍率やフォーカスは変わらない。この結果、収差補正器が電子ビームに与える効果のみを、この手順の前後での2次電子像や描画パターンの変化から評価することができる。つまり、この段階での各種収差によるプローブ径の増大や変形は、収差補正器の調整の不完全さによるものと切り分けができる。そこで次に収差補正器の各多極子の励起を個別に微調整して、最終的に対物レンズの色収差や球面収差を相殺して最小プローブ径、最良の分解能を得ることができる。収差補正器の調整とそれ以外の対物レンズ軸合わせの調整を独立におこなうことにより軸合わせのプロセスが簡略化され装置全体の調整手順が短縮される。
【0016】
【発明の実施の形態】
図1に本発明が適用される収差補正器付電子線装置の一例の構造の概要を示す。ショットキー電子源1はタングステンの単結晶に、酸素とジルコニウムなどを拡散させショットキー効果を利用する電子源で、その近傍にサプレッサー電極2、引き出し電極3が設けられる。ショットキー電子源1を加熱し、引き出し電極3との間に+2kV程度の電圧を印加することにより、ショットキー電子源1よりショットキー電子を放出させることができる。サプレッサー電極2には負電圧が印加されショットキー電子源1の先端以外から放出される電子を抑制する。引き出し電極3の穴を出た電子は第1陽極4、第2陽極5で形成される静電レンズにより加速、収束される。続いて第1コンデンサーレンズ6、コンデンサー絞り(図示せず)にてビーム径を制限され、第2コンデンサーレンズ7、および上偏向コイル8、下偏向コイル9を通り所望の角度で収差補正器10に入射する。収差補正器10は多極子レンズ11、複合型多極子レンズ12、複合型多極子レンズ13および多極子レンズ14を光軸を共通軸として配置したものである。色収差を補正しようとする場合には光軸に垂直な面内に、多極子レンズ11および14により4極子電場あるいは4極子磁場、複合型多極子レンズ12および13により4極子電場およびx−y面内で左記4極子電場に比べ光軸に対し45°回転した4極子磁場を形成する。これらの場は4極、8極、あるいは12極の電極(磁極を兼ねてもよい)を用いて形成する。色収差だけでなく球面収差まで補正しようとする場合は、上記電極で4極子場の他に8極子場を形成して重畳する。この場合は多極子レンズは8極子や12極子が必要である。収差補正器10により対物レンズ17と相殺する色収差や球面収差を与えられた電子ビームは上走査コイル15、下走査コイル16を経て対物レンズ17にて、試料18上に収束、走査される。
【0017】
走査顕微鏡として使用する場合には、2次電子や反射電子を検出し画像化する機構が取り付けられるが、ここでは図示していない。対物レンズ17は磁界型あるいは電界型あるいは電界磁界複合型の回転対称のレンズが用いられる。電子ビームによる試料破壊を防ぎ、収差を減らすために、試料18と対物レンズ17の間で電子が減速されるようにリターディング電源29にて試料18に電圧をかける場合もある。上に説明した電子線装置の部品はすべて真空容器19に格納され、真空外の各々の電流源や電圧源(20〜29)とコネクターを通じて電気的に繋がっている。真空容器19内の各部品の支持法については簡単のため図示していない。これらの電源をコンピュータ30を通じてコントロールすることにより電子ビームを発生させ、走査など制御することができる。
【0018】
(実施例1)
図2は、本発明の第1の実施例を説明する図である。図1に示す収差補正器付電子線装置の構成を基本として、電子ビーム軌道に着目して、実施例1による制御を説明する。
【0019】
ショットキー電子源1で放出された電子は、最初実線の軌道に沿い、第1陽極4、第2陽極5間で加速され、第1コンデンサーレンズ6、コンデンサー絞り39、第2コンデンサーレンズ7により収束されて収差補正器10に達する(コンデンサーレンズは必ずしも2つ必要ではない)。収差補正器10を動作させない走査モード(OFFモード)においてはx軌道、y軌道は分離せず収差補正器10内を図中の破線の軌道に沿って直進し44の位置にクロスオーバーを形成する。これが対物レンズ17の物点になる。
【0020】
この状態での最高分解能を得るように、対物レンズ17の電流中心を電子ビームが通るよう、対物アライナー38を調整する。この手法は確立されているが厳密には対物レンズ17へ斜め入射になる。この段階で発生する非点収差、像面湾曲収差は非点補正コイル36により補正可能であり、歪曲収差は像ボケの原因にならない。コマ収差、倍率色収差を総合的に見て最小にするような軸合わせをしていると考えられる。さらに、特許文献1に開示されるような方法によれば、対物レンズ17への斜め入射に起因するこれらの収差をなくせるが、球面収差と軸上色収差は最後まで残存している。
【0021】
OFFモードにおいて軸調整を終了させた後、そのままの状態で収差補正器10を動作させる(ONモード)。この状態では、収差補正器10に第2コンデンサーレンズ7により収束されて入射した電子は、図4を参照して説明したように、収差補正器10内でx、y方向で分離し、図2中の実線で記された近軸軌道に沿って進む、このとき収差補正器10は44の位置にクロスオーバーを形成するように各多極子レンズの強さが設定されている。実際にこのようにするために、収差補正器10の各段の4極子場の強さは数値計算により以下のような考え方で決定することができる。ここでは簡単のために多極子レンズ11と複合型多極子レンズ12の間隔および複合型多極子レンズ13と多極子レンズ14の間隔をゼロとし、多極子レンズの電極、磁極形状を双極線型として高次の場は考えず、解析的計算式を明示するが実際はこれらの多極子間距離を有限にし、電極、磁極形状を入力して以下と同様の考え方で計算機シミュレーションにより場を求める。
【0022】
4極子レンズの近軸軌道方程式は、z方向を光軸方向として式(2)および(3)のようにあらわされる。
【0023】
【数2】
ここに、β2は式(4)で表される。
【0024】
【数3】
k(z)はz方向の場の分布、ψ2は4極子磁場の強度、φ2は4極子電場の強度、φは軸上の電位を表し、電極に加える電圧およびコイル電流により決まる。各段についてβi(i=1〜4)を求めればよい。実際には無次元パラメータθi=βiLを求める。ここにLは各電極のZ軸方向の厚み、多極子レンズ11にはθ1、複合型多極子レンズ12にはθ2、複合型多極子レンズ13にはθ3、多極子レンズ14にはθ4が対応する。ここで、第2コンデンサーレンズ7、対物レンズ17、収差補正器10、クロスオーバー44の位置は与えられているものとする。
【0025】
以上の条件で4つの変数(θ1〜θ4)を以下の各式のように計算し各段の4極子の強さを決める。
【0026】
1)収差補正の可能な条件として、図4を参照して説明したように、y軌道が2段目の複合型多極子レンズ12の中心を通ることより式(5)の条件が得られる。
【0027】
【数4】
ここにa×Lは複合型多極子レンズ12と複合型多極子レンズ13間の距離、p×Lは多極子レンズ14下端面を通る光軸に垂直な面とクロスオーバー44間の距離である。
【0028】
2)収差補正器10には円錐形収束ビームが入射するから、x軌道、y軌道の収差補正器10上端面での座標と傾きの関係から式(6)および式(7)の条件が得られる。
【0029】
【数5】
【数6】
3)収差補正器10のON/OFFにかかわらずクロスオーバー44の位置が一定で、その点でx、y軌道が傾きも含めて一致するスティグマティックな結像条件から式(8)が得られる。
【0030】
【数7】
4)以上4つの式より数値的にθ1〜θ4を求め、近軸軌道が決定される。これらの条件では線状クロスオーバー43は複合型多極子13の厳密に中央で形成されるわけではない。解の存在は自明ではない。aやpの値によっては上記4つの式を同時に満たすθ1〜θ4は存在しないこともある。その場合はx軌道とy軌道のクロスオ−バー位置が一致せず、クロスオーバー44でのスティグマティックな結像ができないので収差補正することができないことを意味する。この場合はクロスオーバー44の位置設定をずらしてpの値を変えたり、収差補正器の複合型多極子レンズ12と複合型多極子レンズ13間の距離を変えるなどθ1〜θ4の解が存在するように装置の設計を考慮して対処する。
【0031】
5)上記4)で求まったθ2、θ3の大きさを変えずに、4極子電場と4極子磁場の強さの比を変えて、エネルギーの異なる入射電子線についてクロスオーバー44での色収差によるボケ量を計算し、対物レンズ17の色収差(既知)を相殺するように電場と磁場の強さの比を決める。
【0032】
6)球面収差まで補正する場合は、上記条件で収差補正器10の球面収差を計算し、対物レンズ17の球面収差(既知)を相殺するように、多極子レンズ11〜14各々で8極子場を重畳して補正する。このときθ1〜θ4は変わらないので近軸軌道は変わらない。
【0033】
以上の手順で、図2のような対物レンズ17の物点を一定にしたまま収差補正器10のONモードでの動作条件(各4極子場、8極子場の励起条件)が決定できる。
【0034】
次に、この状態でOFFモードの場合よりも良い分解能が得られなければ、その原因は収差補正器10の調整不足にあるから、例えば、前述した非特許文献3の319ページ、第3節に記載の方法により、収差補正器10の軸合わせ調整をすることにより残存している対物レンズ17の球面収差と色収差を補正して、総合的に最良の分解能が得られる。
【0035】
(実施例2)
図3に本発明の実施例2を示す。この例では収差補正器10のOFFモードの場合は、実施例1と同様、コンデンサーレンズ7を弱励磁で使い(破線)、対物レンズ17の物点となるクロスオーバー44を収差補正器10の後側に結ぶ。第2コンデンサーレンズ7の強励磁/弱励磁の切替と収差補正器10のON/OFFをコンピュータ30により連動させて、ONモードのときは第2コンデンサーレンズ7を強励磁で使い、収差補正器10の前側にクロスオーバー41を形成する(実線)。それを収差補正器10によりクロスオーバー44の位置にスティグマティック結像させて対物レンズ17の物点とする。収差補正器10のONモードの場合、クロスオーバー44までのスポットのトータル倍率が、収差補正器10のOFFモードの場合より小さいことが必要である。さもないと収差補正器10がうまく軸調整できても収束スポット45の径がもともと大きいので分解能が向上しない。
【0036】
このような収差補正器10の使い方では、多極子レンズ11と多極子レンズ14および複合型多極子レンズ12と複合型多極子レンズ13の組が対称性よく励起されるので収差補正器10自体が持つ球面収差が第1の実施例の場合よりも小さくなり球面収差補正をするための8極子場の強度を小さくできる利点がある。
【0037】
【発明の効果】
本発明によれば、収差補正器のON/OFFにかかわらず、対物レンズの結像条件を一定に保てるので、収差補正の効果が容易に確認でき、収差補正器の調整操作が容易に行なえる。装置全体の調整手順を短縮でき、装置稼働率の高い収差補正器付電子線装置を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明が適用される収差補正器付電子線装置の一例の構造の概要を示す図。
【図2】実施例1の収差補正器付電子線装置の電子光学系を説明する図。
【図3】実施例2の収差補正器付電子線装置の電子光学系を説明する図。
【図4】従来の収差補正器内での電子光学系を説明する図。
【符号の説明】
1…ショットキー電子源、2…サプレッサー電極、3…引き出し電極、4…第1陽極、5…第2陽極、6…第1コンデンサーレンズ、7…第2コンデンサーレンズ、8…上偏向コイル、9…下偏向コイル、10…収差補正器、11…多極子レンズ、12…複合型多極子レンズ、13…複合型多極子レンズ、14…多極子レンズ、15…上走査コイル、16…下走査コイル、17…対物レンズ、18…試料、19…真空容器、20…電子銃電源、21…制御電圧源、22…加速電圧源、23…第1コンデンサーレンズ電源、24…第2コンデンサーレンズ電源、25…偏向コイル電源、26…収差補正器電源、27…走査コイル電源、28…対物レンズ電源、29…リターディング電源、30…コンピュータ、35…非点補正コイル電源、36…非点補正コイル、37…対物アライナー電源、38…対物アライナー、39…コンデンサー絞り、40…クロスオーバー、41…クロスオーバー、42…線状クロスオーバー、43…線状クロスオーバー、44…クロスオーバー、45…収束スポット。
Claims (7)
- 試料に対して電子ビームを走査する電子光学系を備えた走査電子顕微鏡において、
該電子光学系は、
前記電子ビームを発生する電子銃と、前記電子ビームを前記試料表面に収束させる対物レンズと、該対物レンズに入射する電子ビームの色収差又は球面収差を相殺する、4極、8極、あるいは12極の電極の多極子レンズが多段に積層された収差補正器とを備え、
更に、前記電子光学系を制御するコンピュータを備え、
当該コンピュータは、前記収差補正器を動作させて前記電子ビームを走査させる第1の走査モードと、前記収差補正器を動作させずに前記電子ビームを走査させる第2の走査モードの両方で、前記電子光学系を制御できることを特徴とする走査電子顕微鏡。 - 試料に対して電子ビームを走査する電子光学系を備えた走査電子顕微鏡において、
該電子光学系は、
電子銃と、対物レンズと、前記電子銃と対物レンズの間に配置されるコンデンサーレンズと、前記対物レンズとコンデンサーレンズの間に配置される、4極、8極、あるいは12極の電極の多極子レンズが多段に積層された色収差又は球面収差補正器とを備え、
前記各レンズおよび収差補正器を制御するコンピュータとを備え、
該コンピュータは、
前記収差補正器を動作させる走査モードと、収差補正器を動作させない走査モードとの2つのモードで前記収差補正器を動作させることを特徴とする走査電子顕微鏡。 - 請求項2に記載の走査電子顕微鏡において、
前記コンデンサーレンズの励磁の強さの切替と前記収差補正器のON/OFFとを連動させることにより、いずれのモードでも対物レンズの物点位置が実質的に変わらないように、前記各レンズおよび収差補正器を制御することを特徴とする走査電子顕微鏡。 - 請求項1または2に記載の走査電子顕微鏡において、
前記コンピュータは、前記いずれの走査モードでも、前記対物レンズの物点位置が実質的に変わらないように、前記収差補正器を制御することを特徴とする走査電子顕微鏡。 - 請求項1または2に記載の走査電子顕微鏡において、
前記電子銃を動作させる電子銃電源と、前記収差補正器を動作させる収差補正器電源と、前記対物レンズを動作させる対物レンズ電源とを備え、
前記コンピュータは、前記各電源を制御することにより、前記第1の走査モードと第2の走査モードとを実現させることを特徴とする走査電子顕微鏡。 - 請求項1から5のいずれか1項に記載の走査電子顕微鏡において、
前記電子ビームの走査により発生する2次電子または反射電子を検出して、画像表示する機購を備えたことを特徴とする走査電子顕微鏡。 - 請求項1から6のいずれか1項に記載の走査電子顕微鏡を備えたことを特徴とする測長SEM。
Priority Applications (6)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2003094285A JP4275441B2 (ja) | 2003-03-31 | 2003-03-31 | 収差補正器付電子線装置 |
US10/754,581 US6982427B2 (en) | 2003-03-31 | 2004-01-12 | Electron beam apparatus with aberration corrector |
NL1025272A NL1025272C2 (nl) | 2003-03-31 | 2004-01-16 | Toestel werkend met een elektronenbundel en correctie van daarbij optredende aberratie. |
US11/220,548 US7199365B2 (en) | 2003-03-31 | 2005-09-08 | Electron beam apparatus with aberration corrector |
US11/655,946 US7375323B2 (en) | 2003-03-31 | 2007-01-22 | Electron beam apparatus with aberration corrector |
US12/153,068 US7825377B2 (en) | 2003-03-31 | 2008-05-13 | Electron beam apparatus with aberration corrector |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2003094285A JP4275441B2 (ja) | 2003-03-31 | 2003-03-31 | 収差補正器付電子線装置 |
Related Child Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2006088092A Division JP4291827B2 (ja) | 2006-03-28 | 2006-03-28 | 走査電子顕微鏡又は測長semの調整方法 |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2004303547A JP2004303547A (ja) | 2004-10-28 |
JP2004303547A5 JP2004303547A5 (ja) | 2006-05-18 |
JP4275441B2 true JP4275441B2 (ja) | 2009-06-10 |
Family
ID=32985426
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2003094285A Expired - Fee Related JP4275441B2 (ja) | 2003-03-31 | 2003-03-31 | 収差補正器付電子線装置 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (4) | US6982427B2 (ja) |
JP (1) | JP4275441B2 (ja) |
NL (1) | NL1025272C2 (ja) |
Families Citing this family (32)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4275441B2 (ja) * | 2003-03-31 | 2009-06-10 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | 収差補正器付電子線装置 |
JP4276929B2 (ja) * | 2003-11-18 | 2009-06-10 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | 荷電粒子線色収差補正装置および該収差補正装置を搭載した荷電粒子線装置 |
JP2006059513A (ja) * | 2004-07-22 | 2006-03-02 | Kuresutetsuku:Kk | 電子ビーム照射装置および描画装置 |
GB0425290D0 (en) * | 2004-11-17 | 2004-12-15 | Eastham Derek A | Focussing masks |
JP4652830B2 (ja) * | 2005-01-26 | 2011-03-16 | キヤノン株式会社 | 収差調整方法、デバイス製造方法及び荷電粒子線露光装置 |
JP4657740B2 (ja) | 2005-01-26 | 2011-03-23 | キヤノン株式会社 | 荷電粒子線光学系用収差測定装置、該収差測定装置を具備する荷電粒子線露光装置及び該装置を用いたデバイス製造方法 |
JP2006216299A (ja) * | 2005-02-02 | 2006-08-17 | Jeol Ltd | 荷電粒子線装置及び荷電粒子線装置における収差補正器の軸合わせ方法 |
JP2006216396A (ja) * | 2005-02-04 | 2006-08-17 | Hitachi High-Technologies Corp | 荷電粒子線装置 |
US20090212213A1 (en) * | 2005-03-03 | 2009-08-27 | Ebara Corporation | Projection electron beam apparatus and defect inspection system using the apparatus |
JP4931359B2 (ja) * | 2005-03-22 | 2012-05-16 | 株式会社荏原製作所 | 電子線装置 |
WO2006101116A1 (ja) * | 2005-03-22 | 2006-09-28 | Ebara Corporation | 電子線装置 |
JP4708854B2 (ja) * | 2005-05-13 | 2011-06-22 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | 荷電粒子線装置 |
US8067732B2 (en) | 2005-07-26 | 2011-11-29 | Ebara Corporation | Electron beam apparatus |
US7405402B1 (en) | 2006-02-21 | 2008-07-29 | Kla-Tencor Technologies Corporation | Method and apparatus for aberration-insensitive electron beam imaging |
JP2007287495A (ja) * | 2006-04-18 | 2007-11-01 | Jeol Ltd | 2レンズ光学系走査型収差補正集束イオンビーム装置及び3レンズ光学系走査型収差補正集束イオンビーム装置及び2レンズ光学系投影型収差補正イオン・リソグラフィー装置並びに3レンズ光学系投影型収差補正イオン・リソグラフィー装置 |
JP2007335125A (ja) | 2006-06-13 | 2007-12-27 | Ebara Corp | 電子線装置 |
JP4881661B2 (ja) * | 2006-06-20 | 2012-02-22 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | 荷電粒子線装置 |
US7659507B2 (en) * | 2006-10-02 | 2010-02-09 | Jeol Ltd. | Automatic method of axial adjustments in electron beam system |
JP4899158B2 (ja) * | 2007-02-23 | 2012-03-21 | 独立行政法人産業技術総合研究所 | 荷電粒子線用収差補正レンズ |
WO2008113079A1 (en) * | 2007-03-15 | 2008-09-18 | Multibeam Systems, Inc. | Charged particle optics with azimuthally-varying third-order aberrations for generation of shaped beams |
JP4977509B2 (ja) * | 2007-03-26 | 2012-07-18 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | 走査電子顕微鏡 |
JP5078431B2 (ja) * | 2007-05-17 | 2012-11-21 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | 荷電粒子ビーム装置、その収差補正値算出装置、及びその収差補正プログラム |
DE102008062450B4 (de) * | 2008-12-13 | 2012-05-03 | Vistec Electron Beam Gmbh | Anordnung zur Beleuchtung eines Substrats mit mehreren individuell geformten Partikelstrahlen zur hochauflösenden Lithographie von Strukturmustern |
US8129693B2 (en) | 2009-06-26 | 2012-03-06 | Carl Zeiss Nts Gmbh | Charged particle beam column and method of operating same |
DE102009052392A1 (de) * | 2009-11-09 | 2011-12-15 | Carl Zeiss Nts Gmbh | SACP-Verfahren und teilchenoptisches System zur Ausführung eines solchen Verfahrens |
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DE102011076893A1 (de) * | 2011-06-01 | 2012-12-06 | Carl Zeiss Nts Gmbh | Verfahren und Teilchenstrahlgerät zum Fokussieren eines Teilchenstrahls |
US9275817B2 (en) * | 2012-04-09 | 2016-03-01 | Frederick Wight Martin | Particle-beam column corrected for both chromatic and spherical aberration |
JP2017004590A (ja) * | 2013-09-20 | 2017-01-05 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | 荷電粒子線装置 |
US10524508B2 (en) | 2016-11-15 | 2020-01-07 | Rai Strategic Holdings, Inc. | Induction-based aerosol delivery device |
US10354832B2 (en) * | 2017-06-07 | 2019-07-16 | Kla-Tencor Corporation | Multi-column scanning electron microscopy system |
KR20240097977A (ko) * | 2017-09-29 | 2024-06-27 | 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. | 하전 입자 빔 검사를 위한 샘플 사전-충전 방법들 및 장치들 |
Family Cites Families (14)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
GB1463748A (en) * | 1973-09-03 | 1977-02-09 | Jeol Ltd | Electron beam apparatus |
JPS6180744A (ja) | 1984-09-27 | 1986-04-24 | Hitachi Ltd | イオンマイクロビ−ム装置 |
JPH1131470A (ja) | 1997-07-08 | 1999-02-02 | Nikon Corp | 電子光学系 |
DE19828741A1 (de) * | 1998-06-27 | 1999-12-30 | Leo Elektronenmikroskopie Gmbh | Elektronenmikroskop mit einem abbildenden magnetischen Energiefilter |
JP3654022B2 (ja) | 1998-12-25 | 2005-06-02 | 株式会社日立製作所 | 荷電粒子線装置 |
US6252412B1 (en) * | 1999-01-08 | 2001-06-26 | Schlumberger Technologies, Inc. | Method of detecting defects in patterned substrates |
JP2002184336A (ja) | 2000-12-12 | 2002-06-28 | Hitachi Ltd | 荷電粒子線顕微鏡装置、荷電粒子線応用装置、荷電粒子線顕微方法、荷電粒子線検査方法、及び電子顕微鏡装置 |
JP3645198B2 (ja) * | 2001-06-15 | 2005-05-11 | 独立行政法人理化学研究所 | 電子顕微鏡及びその焦点位置制御方法 |
JP4032111B2 (ja) | 2001-07-19 | 2008-01-16 | 独立行政法人産業技術総合研究所 | 荷電粒子ビーム装置 |
US6723997B2 (en) * | 2001-10-26 | 2004-04-20 | Jeol Ltd. | Aberration corrector for instrument utilizing charged-particle beam |
US7015481B2 (en) * | 2003-02-14 | 2006-03-21 | Jeol Ltd. | Charged-particle optical system |
JP4275441B2 (ja) * | 2003-03-31 | 2009-06-10 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | 収差補正器付電子線装置 |
JP4276929B2 (ja) * | 2003-11-18 | 2009-06-10 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | 荷電粒子線色収差補正装置および該収差補正装置を搭載した荷電粒子線装置 |
JP4620981B2 (ja) * | 2004-08-10 | 2011-01-26 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | 荷電粒子ビーム装置 |
-
2003
- 2003-03-31 JP JP2003094285A patent/JP4275441B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2004
- 2004-01-12 US US10/754,581 patent/US6982427B2/en not_active Expired - Lifetime
- 2004-01-16 NL NL1025272A patent/NL1025272C2/nl not_active IP Right Cessation
-
2005
- 2005-09-08 US US11/220,548 patent/US7199365B2/en not_active Expired - Fee Related
-
2007
- 2007-01-22 US US11/655,946 patent/US7375323B2/en not_active Expired - Fee Related
-
2008
- 2008-05-13 US US12/153,068 patent/US7825377B2/en not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20040188635A1 (en) | 2004-09-30 |
US7375323B2 (en) | 2008-05-20 |
US7199365B2 (en) | 2007-04-03 |
JP2004303547A (ja) | 2004-10-28 |
US20090008551A1 (en) | 2009-01-08 |
US7825377B2 (en) | 2010-11-02 |
NL1025272A1 (nl) | 2004-10-01 |
US6982427B2 (en) | 2006-01-03 |
US20060016991A1 (en) | 2006-01-26 |
US20070114409A1 (en) | 2007-05-24 |
NL1025272C2 (nl) | 2005-04-08 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20060328 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20060328 |
|
RD02 | Notification of acceptance of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7422 Effective date: 20060328 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20080304 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20080819 |
|
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Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20081016 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20081118 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20090119 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20090210 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20090304 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120313 Year of fee payment: 3 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120313 Year of fee payment: 3 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130313 Year of fee payment: 4 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130313 Year of fee payment: 4 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |