JP4267245B2 - 解像度以下の補助フィーチャとして罫線ラダー・バーを利用した光近接補正方法 - Google Patents

Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明はフォトリソグラフィに関し、より詳細には、光近接効果を補正し、処理性能全体を高めるように機能する、解像度以下の光近接補正（「ＯＰＣ」）フィーチャを有するフォトマスク（「マスク」）の設計および製造に関する。本発明はまた、一般に、
放射線の投影ビームを供給するための放射システムと、
所望のパターンに従って投影ビームにパターンを付ける働きをするパターニング手段（例えばマスク）を支持するための支持構造と、
基板を保持するための基板テーブルと、
パターンを付けされたビームを基板のターゲット部分に投影するための投影システムと、
を備えるリソグラフィ投影装置におけるそのようなマスクの使用に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
リソグラフィ装置は、例えば集積回路（ＩＣ）の製造で使用することができる。そのような場合、マスクは、ＩＣの個々の層に対応する回路パターンを生成することができ、このパターンを、放射線感光材料（レジスト）の層で被覆されている基板（シリコン・ウェハ）上のターゲット部分（例えば１つまたは複数のダイを備える）にイメージすることができる。一般に、単一のウェハが、１度に１つずつ投影システムによって連続的に放射される隣接ターゲット部分の回路網全体を含んでいる。１つのタイプのリソグラフィ投影装置では、各ターゲット部分が、マスク・パターン全体を一括してターゲット部分に露光することによって照射される。そのような装置は、一般にウェハ・ステッパと呼ばれる。代替装置（一般にステップ・アンド・スキャン装置と呼ばれる）では、所与の基準方向（「スキャン」方向）に投影ビーム下でマスク・パターンを漸次スキャンし、それと同時にこの方向に平行に、または反平行に基板テーブルを同期してスキャンすることによって各ターゲット部分が照射される。一般に、投影システムが倍率Ｍ（通常、＜１）を有するので、基板テーブルがスキャンされる速度Ｖは、マスク・テーブルがスキャンされる速度のＭ倍となる。ここに記述したリソグラフィ・デバイスに関するより多くの情報は、例えば参照により本明細書に組み込む米国特許第６０４６７９２号から得ることができる。
【０００３】
リソグラフィ投影装置を使用する製造プロセスでは、マスク・パターンが、放射線感光材料（レジスト）の層によって少なくとも部分的に覆われた基板にイメージされる。このイメージ・ステップの前に、基板にプライミング、レジスト・コーティング、ソフト・ベークなど様々な処置を施すことができる。露光後に、露光後ベーク（ＰＥＢ）、現像、ハード・ベーク、およびイメージされたフィーチャの測定／検査など他の処置を基板に施すこともできる。この一連の処置は、デバイス、例えばＩＣの個々の層にパターンを付すための基礎として使用される。次いで、そのようなパターンが付された層に、エッチング、イオン注入（ドーピング）、メタライゼーション、酸化、化学機械研磨など様々なプロセスを施すことができる。これらは全て、個々の層を完成させるためのものである。複数の層が必要な場合、手順全体、またはその変形が、それぞれの新たな層ごとに繰り返されなければならない。最終的に、デバイスの列（アレイ）が基板（ウェハ）上に存在することになる。次いで、これらのデバイスを、ダイシングやソーイングなどの技法によって互いに分離し、個々のデバイスを、例えばキャリアに取り付けたり、あるいはピンに接続したりすることができる。そのようなプロセスに関する他の情報は、例えば参照により本明細書に組み込むＰｅｔｅｒ ｖａｎ Ｚａｎｔの著書「Ｍｉｃｒｏｃｈｉｐ Ｆａｂｒｉｃａｔｉｏｎ：Ａ Ｐｒａｃｔｉｃａｌ Ｇｕｉｄｅ ｔｏ Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ Ｐｒｏｃｅｓｓｉｎｇ」，Ｔｈｉｒｄ Ｅｄｉｔｉｏｎ， ＭｃＧｒａｗ Ｈｉｌｌ Ｐｕｂｌｉｓｈｉｎｇ Ｃｏ．，１９９７，ＩＳＢＮ０−０７−０６７２５０−４から得ることができる。
【０００４】
話を簡単にするために、投影システムを本明細書では以後「レンズ」と呼ぶ場合がある。しかし、この用語は、例えば屈折光学系、反射光学系、反射屈折光学系を含む様々なタイプの投影システムを包含するものとして広く解釈すべきである。放射システムは、放射線の投影ビームを方向付けし、成形し、または制御するために、前記設計タイプのいずれかに準じて動作する構成要素も含むことができ、そのような構成要素もまた、以下で総称して、または個別に「レンズ」と呼ぶ。さらに、リソグラフィ装置は、２つ以上の基板テーブル（および／または２つ以上のマスク・テーブル）を有するタイプのものであってよい。そのような「多段」装置では、追加のテーブルを並列に使用することができ、あるいは１つまたは複数のテーブルに関して予備ステップを行い、その一方で１つまたは複数の他のテーブルを露光することができる。二段リソグラフィ装置が、例えば、参照により本明細書に組み込む米国特許第５９６９４４１号およびＷＯ９８／４０７９１号に記載されている。
【０００５】
上で参照したフォトリソグラフィ・マスクは、シリコン・ウェハ上に集積すべき回路構成要素に対応した幾何パターンを備える。そのようなマスクを作成するために使用されるパターンは、ＣＡＤ（コンピュータ援用設計）プログラムを使用して生成され、このプロセスはしばしばＥＤＡ（電子設計自動化）と呼ばれる。ほとんどのＣＡＤプログラムが、一組の所与の設計規則に従って機能マスクを作成する。これらの規則は、処理および設計限界によって設定される。例えば、設計規則は、回路デバイス（ゲート、コンデンサなど）間、または相互接続線間の空間公差を定義しており、それによって回路デバイスまたは線路が、望ましくない形で互いに相互作用することがないようになされている。設計規則限界は通常、「臨界寸法」（ＣＤ）と呼ばれる。回路の臨界寸法は、線路の最小幅または２つの線路間の最小空間によって定義することができる。したがって、ＣＤは、設計された回路全体のサイズおよび密度を決定する。
【０００６】
当然、集積回路製造の目標の１つは、（マスクによって）ウェハ上に元の回路設計を忠実に再現することである。別の目標は、できるだけ広い半導体ウェハ表面積を使用することである。しかし、集積回路のサイズが縮小され、その密度が増すにつれて、対応するマスク・パターンのＣＤが光学露光ツールの解像度限界に近づく。露光ツールの解像度は、露光ツールがウェハ上で繰返し露光することができる最小フィーチャによって定義される。この露光機器の解像度値は、しばしば、多くの先進ＩＣ回路設計においてＣＤを制限する。
【０００７】
回路レイアウトの臨界寸法がより小さくなり、露光ツールの解像度値に近づくと、マスク・パターンと、フォトレジスト層上に現像される実際の回路パターンとの対応関係が大幅に低くなる可能性がある。マスクと実際の回路パターンとの差の程度および量は、回路フィーチャ相互の近接度に応じて決まる。したがって、パターン転写の問題は、「近接効果」と呼ばれる。
【０００８】
近接効果の重要な問題を克服する助けとなるように、サブリソグラフィ・フィーチャをマスク・パターンに加えるいくつかの技法が使用される。サブリソグラフィ・フィーチャは、露光ツールの解像度未満の寸法を有し、したがってフォトレジスト層に転写されない。その代わり、サブリソグラフィ・フィーチャは、元のマスク・パターンと相互作用して、近接効果を補償し、それによって最終的に転写される回路パターンを改善する。
【０００９】
そのようなサブリソグラフィ・フィーチャの例として、米国特許第５８２１０１４号（参照より本明細書に組み込む）に開示されているスキャッタリング・バー（拡散バー）およびアンチスキャッタリング・バーがあり、これらをマスク・パターンに追加して、近接効果によって生じるマスク・パターン内のフィーチャ間のずれを低減する。より具体的には、解像度以下の補助フィーチャ、またはスキャッタリング・バーが、光近接効果を補正するための手段として使用され、また、処理ウィンドウ全体を大きくするのに効果的であるものとして示されている（すなわち、フィーチャが隣接フィーチャに対して分離されているか、または高密度で詰まっているかに関わらず、特定のＣＤを有するフィーチャを常に印刷することができる）。’０１４特許に記載されているように、一般的に、光近接補正は、あまり高密度でなく分離されたフィーチャに関して、これらのフィーチャの近くにスキャッタリング・バーを配置することによって焦点深度を改善することによって行われる。スキャッタリング・バーは、（分離された、またはあまり高密度でないフィーチャの）実効パターン密度をより高密度に変更するように機能し、それによって、分離されたフィーチャまたはあまり高密度でないフィーチャの印刷に関する望ましくない近接効果を打ち消す。ただし、スキャッタリング・バーそれ自体がウェハ上に印刷されないことが重要である。したがって、これは、スキャッタリング・バーのサイズを、イメージ・システムの解像度未満に維持する必要がある。
【００１０】
したがって、光リソグラフィの限界が高められてサブ波長にまで及ぶにつれて、スキャッタリング・バーなどの補助フィーチャをより小さくして、イメージ・システムの解像度未満に維持しなければならない。しかし、イメージ・システムは、より小さな波長およびより高い開口数へと移っていくので、解像度以下スキャッタリング・バーを十分に小さくしてフォトマスクを製造する能力が重要な問題および大きな課題となる。さらに、スキャッタリング・バーのサイズが縮小されるので、近接効果を低減させる能力が小さくなる。スキャッタ・バーを使用することにより生じる問題のいくつかは、例えば、隣接する主フィーチャ間の空間寸法により、設計内でスキャッタ・バーを含むことができる能力が制限されることによるものである。
【００１１】
さらに、主要マスク・フィーチャの周波数の高調波に一致する周波数で補助フィーチャが位置決めされるときに利点が生まれることが、本出願の発明者によって判明している。これは、主フィーチャ周波数の整数倍で補助フィーチャが位置決めされていることを表す。単一スキャッタ・バー解決策では、スキャッタ・バーは通常、主フィーチャ間の中央に配置されている。しかし、そのような配置は、スキャッタ・バーが印刷されないように十分小さくすることができないので、高密度フィーチャでは問題を提示する。さらに、半分離フィーチャに関して、単一スキャッタ・バーの影響が通常は不十分であり、それにより複数のスキャッタ・バーを主フィーチャ間の空間領域内に位置決めする必要がある。そのような場合には、外側スキャッタ・バーと主フィーチャとの間の離隔距離が非常に小さいので、望ましい周波数解決策が実用的でない。
【００１２】
したがって、典型的な解決策は、主フィーチャ間の空間内部に、均等に間隔を空けて配置された複数のスキャッタ・バーを配置するものである。しかし、そのような解決策に関して問題がある。例えば、得られるスキャッタ・バーの周波数がしばしばイメージ限界を超え、それによりスキャッタ・バーの０次回折の効果以外の効果が全てなくなってしまうことである。さらに、スキャッタ・バーが、高密度主フィーチャの周波数に合致する周波数で配置されている場合に、望ましくないことに、修正された照明技法を利用するとスキャッタ・バーが印刷される可能性が高まってしまう。
【００１３】
より具体的には、ＯＰＣ補助フィーチャとして従来技術のスキャッタ・バーを使用する図である図１に示されるように、主フィーチャ１０間の開いた空間内に複数のスキャッタ・バー１１が配置されているとき、スキャッタ・バーの周波数は、ピッチではなく主フィーチャの空間幅に準じている。スキャッタ・バー周波数は、主フィーチャの周波数とは一致しないが、通常、イメージング・システムの回折限界を超えている。そのため、１次回折エネルギーがスキャッタ・バーから収集されず、スキャッタ・バー周波数が不合理なものとなる。例えば、図１を参照すると、２４８ｎｍの波長および０．７０ＮＡ対物レンズを使用して１：５の線：空間デューティ比を有する１５０ｎｍ主フィーチャが示されており、１８７．５ｎｍピッチで配置された６０ｎｍのスキャッタ・バー・サイズによって、主フィーチャ１０間に均等に間隔を空けて配置された３つのスキャッタ・バー１１が得られる。スキャッタ・バーに関して得られるｋ₁は、解像度の式によって定義され（ｋ₁＝ｐＮＡ／２λ、ここでｐはピッチであり、ＮＡは対物レンズの開口数であり、λは露光波長である）、すなわち０．２７であり、それにより０．９５以下のσ値を使用するときに１次回折のレンズ取得を効果的になくする。０次回折収集のみを用いて、主フィーチャ間の空間全体が、バー幅（ｂ）およびバー・ピッチ（ｐ_b）の関数として強度の低下を受ける。すなわち、
空間低下強度＝［（ｐ_b−ｂ）／ｐ_b］²＝（０．６８）²＝０．４６…（１）
この結果は、空間伝送が同様に低下する場合に期待される。主フィーチャの回折エネルギーが低減され、それによりマスク上の他のフィーチャの露光量により近く合致するマスク露光量を見込むことができるより低い強度を有するイメージが生じる。しかし、他の値での強度低下の制御は、スキャッタ・バーのバー幅およびピッチ値の制限により、複数のスキャッタ・バー補助フィーチャでは困難になる。
【００１４】
したがって、複数のスキャッタ・バーＯＰＣ補助フィーチャの使用に関連する前述の問題をなくする、フォトマスク内にＯＰＣ補助フィーチャを提供する方法が求められている。
【００１５】
【発明が解決しようとする課題】
したがって、本発明の一目的は、設計自由度を改善すること、特に空間強度低下の量に対する制御を改善することを見込むＯＰＣ補助フィーチャを有するフォトリソグラフィ・マスクを形成する方法を提供することである。さらに、本発明の一目的は、実質的に主フィーチャの周波数の調波である周波数成分を導入することができるＯＰＣ補助フィーチャを提供することである。
【００１６】
【課題を解決するための手段】
より具体的には、本発明によれば、マスクに形成されたパターンを基板上に光学的に転送し、かつ光近接効果を打ち消すためのフォトリソグラフィ・マスクが提供される。このフォトリソグラフィ・マスクは、基板上に印刷する複数の解像可能フィーチャであって、それぞれが第１の方向に延びる長手方向軸線を有する解像可能フィーチャと、複数の解像可能フィーチャのうちの２つの間に配設されたラダー・バーと呼ばれる一対の解像不可能な光近接補正フィーチャであって、第２の方向に延びる長手方向軸線を有する解像不可能光近接補正フィーチャとを含み、複数の解像可能フィーチャの長手方向軸線の第１の方向が、解像不可能光近接補正フィーチャの長手方向軸線の第２の方向に垂直になっている。
【００１７】
以下にさらに詳細に説明するように、本発明は、既知のＯＰＣ補助フィーチャに勝る大きな利点を有する。例えば、本発明のラダー・バー補助フィーチャの大きな利点の１つは、ラダー・バーのサイズおよびラダー・バーのピッチを単に変えることによって、強度低下値を簡単に、かつ大幅に変えて、イメージング性能を最適化することができることである。これが可能なのは、１つには、主フィーチャに対するラダー・バーの向きにより、ラダー・バーのピッチおよびサイズが主フィーチャ間の空間によってもはや制限されないためである。さらに、ラダー・バー補助フィーチャのグループの幅を適切に選択することにより、主縁部の軸線に沿って、かつ主フィーチャ縁部間でラダー・バーの実効周波数成分を制御することができ、かつ２次回折成分の大きさの増大を最小限に抑え、それにより、ラダー・バー補助フィーチャが印刷される可能性を低下させることができる。
【００１８】
本発明の追加の利点は、本発明の例示実施形態の以下の詳細な説明から当業者に明らかになろう。
【００１９】
本明細書では、ＩＣ製造での本発明の使用に特に言及する場合があるが、本発明が多くの他の可能な適用例も有することをはっきりと理解されたい。例えば、集積光学系、磁区メモリ用の誘導および検出パターン、液晶表示パネル、薄膜磁気ヘッドなどの製造に使用することができる。そのような代替適用例の文脈では、この本文における用語「焦点板」、「ウェハ」、または「ダイ」の使用を、より一般的な用語「マスク」、「基板」、および「ターゲット部分」でそれぞれ置き代えられるものとみなすべきであることを当業者は理解されよう。
【００２０】
また、本明細書では、用語「放射線」および「ビーム」を、紫外放射線（例えば波長が３６５、２４８、１９３、１５７、または１２６ｎｍのもの）やＥＵＶ（例えば５〜２０ｎｍの波長を有する極紫外放射線）を含むあらゆるタイプの電磁放射線を包含するものとして使用する。
【００２１】
本明細書で使用する用語「マスク」は、基板のターゲット部分に形成するパターンに対応してパターンを付けた断面を入射放射線ビームに与えるために使用することができる一般的なパターニング手段を表すものと広く解釈することができる。用語「光バルブ」をこの文脈で使用することもできる。従来のマスク（透過または反射、二元、位相、ハイブリッドなど）に加え、他のそのようなパターニング手段の例としては、次のようなものが挙げられる。
・プログラム可能ミラー・アレイ。そのようなデバイスの一例は、粘弾性制御層および反射表面を有するマトリックス・アドレス可能な表面である。そのような装置の背後にある基本原理は、（例えば）反射表面のアドレスされた領域が入射光を回折光として反射し、アドレスされていない領域が入射光を非回折光として反射することである。適切なフィルタを使用して、前記非回折光を反射ビームからフィルタ除去し、後に回折光のみを残すことができる。このようにすると、マトリックス・アドレス可能表面のアドレス指定パターンに従ってビームにパターンを付けられるようになる。必要なマトリックス・アドレス指定は、適切な電子手段を使用して行うことができる。そのようなミラー・アレイに関するより多くの情報は、例えば参照により本明細書に組み込む米国特許第５２９６８９１号および米国特許第５５２３１９３号から得ることができる。
・プログラム可能ＬＣＤアレイ。そのような構成の一例は、参照により本明細書に組み込む米国特許第５２２９８７２号に与えられている。
【００２２】
本発明自体を、他の目的および利点と共に、以下の詳細な説明および添付概略図面を参照してより良く理解することができる。
【００２３】
【発明の実施の形態】
本発明の光近接補正技法によれば、印刷する主フィーチャの長手方向軸線に実質的に垂直な長手方向軸線をそれぞれが有する解像不可能ラダー・バー補助フィーチャが、解像度以下補助フィーチャとして利用される。以下に詳細に説明するように、本発明のラダー・バー補助フィーチャの使用は、とりわけ設計自由度の改善を見込み、特に、空間強度低下の量に対する制御の改善およびイメージ制御の改善を見込む。さらに、主フィーチャ縁部の軸線に沿った、かつ主フィーチャ縁部間でのラダー・バー補助フィーチャの実効周波数成分の制御を見込んでいる。
【００２４】
図２に、本発明のラダー・バー補助フィーチャ（ラダー・バーとも呼ぶ）の第１の実施形態を利用する例示マスクを図示する。図２を参照すると、複数のラダー・バー補助フィーチャ２２が、主フィーチャ２１間に配置されている。重要な点は、長手方向軸線が主フィーチャ２１の長手方向軸線に垂直に延びるように各ラダー・バー補助フィーチャ２２が位置決めされていることである。図示したように、ラダー・バー補助フィーチャ２２は互いに平行に延びている。さらに、所与の実施形態のラダー・バー補助フィーチャの長さは、実質的に主フィーチャ２１縁部間の空間の長さ全体にラダー・バー２２が延びるような長さである。図２に示した実施形態では、ラダー・バー２２は、主フィーチャ２１の縁部に接触していない。しかし、ラダー・バー２２が主フィーチャの縁部に接触していてもよいことに留意されたい。
【００２５】
さらに、スキャッタ・バーと同様に、各ラダー・バー補助フィーチャ２２は、印刷されないように解像度以下になっている。すなわち、（「Ｘ」方向の）ラダー・バー・サイズの長さ、およびラダー・バー・ピッチ（ｐ_b）を考慮して決まる各バー補助フィーチャのサイズ（ｂ）は、ラダー・バー補助フィーチャを解像度以下に維持するものでなければならない。すなわち、バー・ピッチがイメージング・ツールの解像度限界を超えていなければならず、つまりλ／（σ＋１）ＮＡ未満でなければならない。ここで、λは露光波長であり、σは部分コヒーレンス係数であり、ＮＡは対物レンズの開口数である。「Ｙ」方向でのラダー・バーのサイズは、ラダー・バーが印刷されることがないように十分小さく、それでも式（１）によって定義される空間強度の低下がもたらされるように十分大きく保持すべきである。所与のマスク設計に関するラダー・バー補助フィーチャの最適なセッティングおよび／またはサイジングは、実験に基づく方法によって、かつ／またはシミュレーションによって決定することができることに留意されたい。さらに、ラダー・バー補助フィーチャは、暗線の主フィーチャと共に使用する際は不透明にすることができ、明空間フィーチャと共に使用する際は透明にすることができることに留意されたい。
【００２６】
解像度以下ラダー・バー補助フィーチャが存在することにより、主フィーチャの縁部、および主フィーチャ端部に沿った主フィーチャ回折の制御をできるようになる。より具体的には、主フィーチャの縁部間にラダー・バー補助フィーチャ２２を配置することによって、主要な回折次数、すなわち０次回折、１次回折、および２次回折を以下の式を利用して求めることができる。
０次の大きさ＝［（ｐ_b−ｂ）／Ｐ_b］（ｓ／ｐ）…（２）
１次の大きさ＝［（ｐ_b−ｂ）／Ｐ_b］｜（ｓ／ｐ）ｓｉｎｃ（ｓ／ｐ）｜…（３）
２次の大きさ＝［（ｐ_b−ｂ）／Ｐ_b］｜（ｓ／ｐ）ｓｉｎｃ（２ｓ／ｐ）｜…（４）
ここでｓは主フィーチャ２１間の空間（すなわち幅）であり、ｐは主フィーチャ間のピッチであり、ｐ_bはバー・ピッチ（「Ｙ」方向）であり、ｂはバー・サイズ（「Ｙ」方向）である。前述の式は「Ｘ」方向での回折次数に関連しており、ラダー・バーの幅は、バーが「Ｘ」方向で開口全体にわたって延在するようなものになっていると想定していることに留意されたい。
【００２７】
ＯＰＣ補助フィーチャを有さない例示的マスクに対応する仮想イメージを図５（ａ）に図示し、図５（ｂ）は、図５（ａ）で利用されたのと同じであり、しかし本発明のラダー・バー補助フィーチャを含むように修正されているマスクの仮想イメージである。具体的には、図５（ａ）は、２４８ｎｍの波長（λ）、０．７０のレンズ瞳孔ＮＡ、および０．８５の部分コヒーレンス値（σ）を利用して、線：空間が１：５のデューティ比を有する１５０ｎｍ主フィーチャ（半分離フィーチャ）をイメージした結果を図示する。照明システムの回折限界ピッチは１９２ｎｍである。図５（ａ）のイメージは、最良合焦（５１）および３００ｎｍ焦点ずれ（５２）に対応する。図５（ａ）に示されるように、得られるアイソフォーカル（等焦点）変曲点は約０．８であり、これは、線：空間が１：１のデューティ比を有するマスク・フィーチャに対応するアイソフォーカル変曲点の値よりもかなり大きい（１：１のデューティ比では、得られるアイソフォーカル変曲点は０．３４程度である）。アイソフォーカル変曲点は、実質的に焦点ずれがなく（すなわち最良合焦で）印刷されるか、焦点ずれ３００ｎｍで印刷されるかに関わらず、イメージが最小損失で印刷される位置に対応することに留意されたい。高密度および半分離フィーチャに関連するアイソフォーカル変曲点の位置のばらつきは、共通の処理ウィンドウを用いてこれらのフィーチャを印刷するのを困難にする。したがって、そのような高密度および半分離フィーチャが同じマスク上に含まれているとき、半分離フィーチャに関連するアイソフォーカル変曲点を低下し、それによりプロセス・オーバラップを改善することが望まれる。
【００２８】
図５（ｂ）は、ラダー・バー補助フィーチャがマスクに加えられることを除いて、図５（ａ）のイメージを生成するために利用されるのと同じマスクに対応する。利用されるラダー・バー補助フィーチャは、サイズが６０ｎｍ（図２の寸法「ｂ」）であり、ピッチｐ_bが１８５ｎｍである。さらに、ラダー・バー補助フィーチャは、ラダー・バーが主フィーチャ間に開いた空間全体にわたって延在するような長さを有する。上述したように、照明に利用されるイメージング・システムの回折限界ピッチが１９２ｎｍであるので、ラダー・バー補助フィーチャのピッチは、イメージング・システムのピッチ限界を十分に下回り、そのためラダー・バー補助フィーチャは印刷されない。ラダー・バー補助フィーチャの前述の構成／寸法により、ラダー・バー補助フィーチャの周波数により０次回折項のみが収集される。したがって、上述の式（１）を利用すると、得られる主フィーチャ間の強度低下が（０．６７６）²、すなわち４６％となる。
【００２９】
ラダー・バー補助フィーチャの重要な利点の１つは、ラダー・バーのサイズおよびラダー・バーのピッチを変えるだけで、強度低下値を簡単かつ大幅に変えて（例えばこの例で得られる４６％値前後）、イメージング性能を最適化できるようにすることであることに留意されたい。これが可能なのは、１つには、主フィーチャに対するラダー・バーの向きにより、ラダー・バーのピッチおよびサイズが主フィーチャ間の空間によってもはや制限されないためである。ＯＰＣフィーチャとして含むことができるラダー・バーの数を定義するのは主フィーチャの長さ（図２の「Ｙ」方向）である。対照的に、主フィーチャ間に含むことができるスキャッタ・バーの数は、フィーチャ間の空間によって制限され、実用的には、スキャッタ・バーを解像度以下に維持しながら主フィーチャ間に複数のスキャッタ・バーを収容するのはかなり困難である。
【００３０】
再び図５（ｂ）に戻ると、図示したように、前述のラダー・バー補助フィーチャの使用により、有利には、線：空間が１：５のデューティ比を有するフィーチャに関するアイソフォーカル変曲点が０．４未満の値まで低下し、この値は、線：空間が１：１のデューティ比を有するフィーチャのアイソフォーカル変曲点にかなり近い。線：空間が１：５のデューティ比を有するフィーチャに関するアイソフォーカル変曲点の位置の低下により、これらの半分離フィーチャおよび高密度フィーチャを共通の処理ウィンドウを用いて印刷することができる。
【００３１】
上述したように、本発明のラダー・バー補助フィーチャを利用して、主フィーチャの端部での光近接効果を制御し、あるいは補正することもできる。これは、ラダー・バー補助フィーチャが主フィーチャの端部に関して位置決めされる場所を制御することによって達成することができる。図４は、ラダー・バー補助フィーチャを利用してライン端部短縮を補償する例示的マスクを示す。図４に示されているように、ラダー・バー補助フィーチャ４２は、主フィーチャ４１の端部を超えて延在し、それによりライン端部短縮の発生を防止している。
【００３２】
本発明の第２の実施形態によれば、主フィーチャ間に配設されたラダー・バー補助フィーチャの長さを変えることができる。以下にさらに詳細に説明するように、ラダー・バー補助フィーチャの長さを変えることによって、追加のイメージ制御を提供する、ラダー・バー補助フィーチャの周波数成分を導入することができる。
【００３３】
図３に、本発明のラダー・バー補助フィーチャの第２の実施形態を利用する例示的マスクを示す。図３に示されるように、ラダー・バー補助フィーチャ３２は、主フィーチャ３１間の空間全体にわたっては延在せず、各ラダー・バー補助フィーチャの長さは等しい。その結果、ラダー・バー補助フィーチャをグループ３３と見なすことができ、このグループは、主フィーチャ３１間に繰返し配設されるときに特有のサイズおよび周波数を有する。図３には、２つの主フィーチャ３１間に配設されたグループ３３を１つだけ例示する。ラダー・バー補助フィーチャの長さがグループ３３の幅を決定することに留意されたい。
【００３４】
グループ３３の幅を制御することによって、グループ３３に関連する周波数成分を導入することができ、この周波数成分は、好ましくは主フィーチャの周波数の高調波であり、有利には、対応する１次および２次回折成分の低下を伴わずに０次回折成分を低下する働きをする。したがって、この追加の周波数成分によってイメージ制御を改善することができる。これに対し、本発明の第１の実施形態では、ラダー・バー補助フィーチャが実質的に主フィーチャ間の空間全体にわたって延びるように配設されており、そのような周波数成分が主フィーチャ方向に沿って導入されることはない。したがって、第１の実施形態では、式（２）、（３）、および（４）によって示される全ての回折次数の低下が生じる。
【００３５】
０次、１次、および２次の回折成分の大きさに対してラダー・バー・グループの幅が及ぼす効果は、図６に示される例示的マスクに関して計算される。図６を参照すると、マスク電場６０が、主フィーチャ６１と、ラダー・バー補助フィーチャのグループ６２とに関して例示されており、各一対の主フィーチャ６１間にグループが１つ配設されている。上述したように、マスク・フィーチャ６１間の空間内部にラダー・バー補助フィーチャ・グループ６２を導入することによって、マスク電場に関する主要回折次数が修正される。具体的には、明開口を有する不透明主フィーチャに関して、主要回折次数の大きさは以下のようになる。
【数１】

ここで、ｓは主フィーチャ空間幅であり、ｐは主フィーチャ・ピッチであり、ｇはラダー・バー補助フィーチャ・グループの幅であり、Ｉｇは、結果として得られるラダー・バー補助フィーチャ・グループのグループ強度であり、これは上述の式（１）を利用して計算することができる。
【００３６】
前述の式からわかるように、主要回折次数の修正は特有なものであり、グループ化されたラダー・バー補助フィーチャのパラメータに応じている。図７（ａ）〜（ｃ）に、グループ化ラダー・バー補助フィーチャが主要回折次数に影響を及ぼす様子を例示する。０次の大きさの値が、結果として得られる０次の値に対して正規化された１次および２次の大きさの値と共にプロットされている。図７（ａ）〜（ｃ）に例示されるイメージは、線：空間が１：２．５のデューティ比を有するフィーチャを備えるマスクに対応し、グループ化ラダー・バー補助フィーチャは、ゼロから、実質的に主フィーチャ間の空間全体までの範囲の幅を有する。分数幅０は、グループ・ラダー・バー補助フィーチャが存在しないことを表し、幅１は、（本発明の第１の実施形態のように）ラダー・バー補助フィーチャが実質的に主フィーチャ間の空間全体を占有していることを表す。さらに、所与の実施形態では、ラダー・バー補助フィーチャのグループの伝送値を、０％〜１００％（すなわち補助フィーチャが存在しない）の間で変えることができる。
【００３７】
図７（ａ）〜７（ｃ）を参照すると、ラダー・バー補助フィーチャが、第１の実施形態（すなわち図７（ａ）〜７（ｃ）のプロットの右側）のように実質的に主フィーチャ間の空間全体を占有する場合に、正規化された１次回折値と２次回折値が同じであることがわかる。図７（ａ）〜（ｃ）のプロットの左側は、スキャッタ・バー解決策に対応し、０伝送値および小さな分数幅を有する。スキャッタ・バーのサイズが増大し、スキャッタ・バーが印刷される点まで２次回折成分の大きさが増大すると、スキャッタ・バー技法で問題が生じることに留意されたい。０．３幅スキャッタ・バーがレジスト中に印刷されることが示されている。スキャッタ・バーの幅に関する実用的な限界は、０．１５〜０．２分数幅程度である。しかし、スキャッタ・バーとは異なり、図７（ｃ）に示されるように、グループ化ラダー・バー補助フィーチャの幅を調節することによって、大きな２次効果により生じる印刷可能性の問題を軽減することができ、そのため、ラダー・バー補助フィーチャの使用は実行可能な解決策となる。より具体的には、図７（ｃ）に示されるように、ラダー・バー補助フィーチャ６２のグループの幅を適切に選択することによって、２次回折成分の大きさの増大を最小限に抑えることができ、それによりラダー・バー補助フィーチャが印刷される可能性が低下する。
【００３８】
図８は、グループ化ラダー・バー補助フィーチャの効果を例示する仮想イメージである。例示されたイメージは、線：空間が１：５のデューティ比を有する１５０ｎｍフィーチャを備えるマスクに対応し、グループ化ラダー・バー補助フィーチャが、主フィーチャ間の空間幅の２／３、すなわち５００ｎｍのグループ幅を有する。前の例と同様に、ラダー・バー補助フィーチャのピッチは１８５ｎｍであり、これは、イメージング・システムのピッチ制限を十分に下回り（すなわち、ラダー・バー補助フィーチャは解像度以下であり）、バーの幅サイズは６０ｎｍである。図８のイメージは、最良合焦８１で取られたイメージ、および３００ｎｍの焦点ずれ８２で取られたイメージに対応する。図８のイメージを生成するために利用されるマスクの形状により、グループ内のラダー・バー補助フィーチャの０次回折のみが集められる。これはそのピッチが解像度の回折限界を下回るからであり、その結果、（０．７８）²、すなわち０．６１、すなわち６１％の主フィーチャ間の強度低下をもたらす。前述のことは、以下の式（８）を利用して計算される。
空間低下強度
＝［（（ｐ_b−ｂ）／ｐ_b）（ｇ／ｓ）＋（ｓ−ｇ）／ｓ］²＝０．６１…（８）
ここでｐ_bはラダー・バー・ピッチであり、ｂはラダー・バーの幅であり、ｓは主フィーチャ空間幅であり、ｇはラダー・バー補助フィーチャ・グループの幅である。本発明の重要な態様の１つは、ラダー・バー補助フィーチャのグループの幅を調節することによって、またはラダー・バー補助フィーチャのピッチおよびサイズを調節することによって、この伝送低下値をより高く、またはより低く簡単に変更できることであることに留意されたい。
【００３９】
図５（ｂ）に記載したイメージと比べると、図８に記載したイメージの結果は、可変幅を有するグループ化ラダー・バー補助フィーチャを利用することによって得られる大きな改善を明らかにする。より具体的には、図５（ｂ）の最良合焦イメージに関するイメージ・コントラストは０．３７であり、図８のイメージに関するイメージ・コントラストは０．６８であり、
イメージ・コントラスト
＝（Ｉｍｉｎ−Ｉｍａｘ）／（Ｉｍｉｎ＋Ｉｍａｘ）…（９）
であり、ここでＩｍｉｎおよびＩｍａｘは最小および最大の強度である。図５（ｂ）の全空間幅ラダー・バー補助フィーチャのアイソフォーカル変曲点は０．７８であり、０．４４である図８のグループ化ラダー・バー補助フィーチャの値よりも低いが、これは、イメージ・コントラストの損失によって相殺されることに留意されたい。重要なことに、変化する幅を有するグループ化ラダー・バー補助フィーチャを利用することによって、この兼ね合いを制御することができ、より広いグループがより低いアイソフォーカル強度をもたらすことができ、より狭いグループがより大きなコントラストをもたらすことができる。
【００４０】
図９は、本発明のラダー・バーＯＰＣ補助フィーチャを利用する例示的マスク・レイアウトを示す。図９に図示されるマスク・レイアウトは、主線フィーチャ９１の２次元適用を表し、主線フィーチャ９１間に配設されたラダー・バー補助フィーチャ９２のグループを有する。さらに、この例示的マスクは、従来技術のスキャッタ・バー９３の使用も例示する。そのようなＯＰＣ補正フィーチャの使用は、様々なフィーチャ・サイズおよびピッチ値にわたるプロセス・オーバラップに関する大きな改善を提供することができる。
【００４１】
上述したように、本発明は、公知のＯＰＣ補助フィーチャに勝る大きな利点を提供する。例えば、本発明のラダー・バー補助フィーチャの重要な利点の１つは、ラダー・バーのサイズおよびラダー・バーのピッチを単に変えることによって、強度低下値を簡単かつ大幅に変えられ、イメージング性能を最適にできることである。これが可能なのは、１つには、主フィーチャに対するラダー・バーの向きにより、ラダー・バーのピッチおよびサイズが主フィーチャ間の空間によってはもはや制限されないためである。さらに、ラダー・バー補助フィーチャのグループの幅を適切に選択することによって、２次回折成分の大きさの増大を最小限に抑えることができ、それによりラダー・バー補助フィーチャが印刷される可能性が低下する。
【００４２】
本発明の多数の変形が可能であることにも留意されたい。例えば、ラダー・バー補助フィーチャを、四極子照明などオフ軸照明技法と共に利用することができる。さらに、上で留意したように、得られるイメージをさらに最適化することを可能にするためにラダー・バー補助フィーチャの伝送％を変えることもできる。
【００４３】
図１０に、本発明によって設計されたマスクと共に使用するのに適したリソグラフィ投影装置を概略的に示す。この装置は、以下のものを備える。
放射線の投影ビームＰＢを供給するための放射システムＥｘ、ＩＬ。この特定の場合には、放射システムは放射線源ＬＡも備える。
マスクＭＡ（例えば焦点板）を保持するためのマスク・ホルダを備え、アイテムＰＬに関してマスクを正確に位置決めするための第１の位置決め手段に接続された第１の対象物テーブル（マスク・テーブル）ＭＴ。
基板Ｗ（例えばレジスト被覆シリコン・ウェハ）を保持するための基板ホルダを備え、アイテムＰＬに関して基板を正確に位置決めするための第２の位置決め手段に接続された第２の対象物テーブル（基板テーブル）ＷＴ。
基板Ｗのターゲット部分Ｃ（例えば、１つまたは複数のダイを備える）にマスクＭＡの照射部分をイメージするための投影システム（「レンズ」）ＰＬ（例えば、屈折、反射、または反射屈折光学系）。
【００４４】
本明細書で示すように、この装置は、透過性タイプの（すなわち透過性マスクを有する）ものである。しかし一般には、例えば反射性タイプの（反射性マスクを有する）ものであってもよい。別法として、この装置は、マスクの使用に対する代替として別の種類のパターニング手段を採用することもできる。例として、プログラム可能ミラー・アレイやＬＣＤマトリックスを挙げられる。
【００４５】
放射線源ＬＡ（例えば、水銀ランプやエキシマ・レーザ）は放射線ビームを発生する。このビームは、直接的に、または例えばビーム拡大器Ｅｘなどの調整手段を横切った後に、照明システム（照明器）ＩＬに供給される。照明器ＩＬは、ビームの強度分布の外側および／または内側放射範囲（一般にそれぞれσ外側およびσ内側と呼ばれる）を設定するための調節手段ＡＭを備えることができる。さらに、一般には、積分器ＩＮや集光レンズＣＯなど様々な他の構成要素も備える。このようにして、マスクＭＡに衝突するビームＰＢが、その断面で所望の均一性および強度分布を有するようにしている。
【００４６】
図１０に関して、放射線源ＬＡは、（例えば放射線源ＬＡが水銀ランプであるときにしばしばそうであるように）リソグラフィ投影装置のハウジング内部にある場合があり、しかしリソグラフィ投影装置から離れていて、生成する放射線ビームが（例えば適切な方向付けミラーによって）装置内に導かれる場合もあることに留意されたい。この後者のシナリオは、放射線源ＬＡがエキシマ・レーザ（例えばＫｒＦ、ＡｒＦ、またはＦ₂レージング）であるときにしばしばそうである。本発明はこれら両方のシナリオを包含する。
【００４７】
ビームＰＢはその後、マスク・テーブルＭＴ上に保持されているマスクＭＡに交差する。ビームＰＢは、マスクＭＡを横切ると、レンズＰＬを通過し、レンズＰＬが、基板Ｗのターゲット部分ＣにビームＰＢを合焦する。第２の位置決め手段（および干渉計測定手段ＩＦ）によって、基板テーブルＷＴを、例えばビームＰＢの経路内に様々なターゲット部分Ｃを位置決めするように正確に移動することができる。同様に、第１の位置決め手段を使用して、例えばマスク・ライブラリからマスクＭＡを機械的に検索した後、またはスキャン中に、ビームＰＢの経路に関してマスクＭＡを正確に位置決めすることができる。一般に、対象物テーブルＭＴ、ＷＴの移動は、図２０には明示していない長ストローク・モジュール（粗い位置決め）と短ストローク・モジュール（精密位置決め）とを用いて実現される。しかし、（ステップ・アンド・スキャン・ツールと異なり）ウェハ・ステッパの場合には、マスク・テーブルＭＴを短ストローク・アクチュエータにのみ接続すること、または固定することができる。
【００４８】
図示したツールは、２つの異なるモードで使用することができる。
ステップ・モードでは、マスク・テーブルＭＴが本質的に静止して保たれ、マスク・イメージ全体が、ターゲット部分Ｃに１度に（すなわちただ１回の「フラッシュ」で）投影される。次いで、基板テーブルＷＴがｘおよび／またはｙ方向にシフトされ、それにより別のターゲット部分ＣをビームＰＢによって照射することができる。
スキャン・モードでは、所与のターゲット部分Ｃがただ１回の「フラッシュ」で露光されない点を除き、本質的に同じシナリオが適用される。１回のフラッシュで露光するのではなく、マスク・テーブルＭＴが速度ｖで所与の方向（いわゆる「スキャン方向」、例えばｙ方向）に移動可能であり、それにより投影ビームＰＢがマスク・イメージ全体にわたってスキャンするようになっている。それと並行して、基板テーブルＷＴが、速度Ｖ＝Ｍｖで同方向または逆方向に同時に移動される。ここでＭはレンズＰＬの倍率である（典型的にはＭ＝１／４または１／５）。このようにすると、解像度を損なわずに、比較的大きなターゲット部分Ｃを露光することができる。
【００４９】
本発明のいくつかの特定の実施形態を開示したが、本発明を、本発明の精神または本質的な特徴を逸脱することなく他の形式で実施することもできることに留意されたい。したがって、これらの実施形態は、全ての点で例示とみなすべきであり、限定とみなすべきではなく、本発明の範囲は頭記の特許請求の範囲によって指示され、したがって特許請求の範囲の等価形態の意味および範囲に入る全ての変更を本発明に含むものとする。
【図面の簡単な説明】
【図１】スキャッタ・バーと呼ばれる従来技術の補助フィーチャを利用する例示的マスクを示す図である。
【図２】本発明のラダー・バー補助フィーチャの第１の実施形態を利用する例示的マスクを示す図である。
【図３】本発明のラダー・バー補助フィーチャの第２の実施形態を利用する例示的マスクを示す図である。
【図４】本発明のラダー・バー補助フィーチャを利用する例示的マスクを示す図である。
【図５（ａ）】補助フィーチャを有さないマスクに対応する仮想イメージを示す図である。
【図５（ｂ）】図５（ａ）で利用されるのと同じであり、しかし本発明のラダー・バー補助フィーチャを含むように修正されたマスクの仮想イメージである。
【図６】本発明のラダー・バー補助フィーチャを備える例示的マスクを示す図である。
【図７（ａ）】本発明のラダー・バー補助フィーチャが主要回折次数（すなわち０次、１次、２次）に影響を与える様子を示す図である。
【図７（ｂ）】本発明のラダー・バー補助フィーチャが主要回折次数（すなわち０次、１次、２次）に影響を与える様子を示す図である。
【図７（ｃ）】本発明のラダー・バー補助フィーチャが主要回折次数（すなわち０次、１次、２次）に影響を与える様子を示す図である。
【図８】グループ化ラダー・バー補助フィーチャの効果を示す仮想イメージである。
【図９】本発明のラダー・バー補助フィーチャを利用する例示的マスク・レイアウトを示す図である。
【図１０】本発明によって設計したマスクと共に使用するのに適したリソグラフィ投影装置の概略図である。

Claims (11)

1. マスクに形成されたパターンを基板上に光学的に転写するためのフォトリソグラフィ・マスクであって、
   前記基板上に印刷される複数の解像可能フィーチャであって、それぞれが第１の方向に延びる長手方向軸線を有する解像可能フィーチャと、
   前記複数の解像可能フィーチャのうちの２つの間に配置される一対の解像不可能な光近接補正フィーチャであって、第２の方向に延びる長手方向軸線を有する解像不可能な光近接補正フィーチャと
   を有するフォトリソグラフィ・マスクにおいて、
   前記複数の解像可能フィーチャの長手方向軸線の前記第１の方向が、前記一対の解像不可能な光近接補正フィーチャの長手方向軸線の前記第２の方向に垂直であること、
   前記一対の解像不可能な光近接補正フィーチャが、前記複数の解像可能フィーチャのうちの前記２つの解像可能フィーチャを離隔している空間の幅より小さい長さ寸法と、ピッチとを有していること、および
   前記一対の解像不可能な光近接補正フィーチャの前記長さ寸法が、前記解像可能フィーチャの２次回折成分の増大を最小限にするよう選択されていることを特徴とするフォトリソグラフィ・マスク。
2. 前記解像不可能光近接補正フィーチャの対が、前記複数の解像可能フィーチャのうちの前記２つの解像可能フィーチャの間に複数配置されており、該解像不可能光学フィーチャの対が、第２の方向に延びる長手方向軸線をそれぞれ有している請求項１に記載のフォトリソグラフィ・マスク。
3. 前記複数の解像可能フィーチャのうちの前記２つの解像可能フィーチャの間に配置された解像不可能な光近接補正フィーチャの前記複数の対の全てが、補正フィーチャの単一グループを形成するように、実質的に同じ長さを有している請求項２に記載のフォトリソグラフィ・マスク。
4. 前記マスクがさらに、補正フィーチャの前記単一グループを複数有しており、該補正フィーチャの複数の単一グループのそれぞれが、前記解像可能フィーチャの特定の一対の間に配置されている請求項３に記載のフォトリソグラフィ・マスク。
5. リソグラフィ露光装置を用いてフォトリソグラフィ・マスクから基板上にリソグラフィ・パターンを転写する方法であって、
   それぞれが第１の方向に延びる長手方向軸線を有する、前記基板上に印刷する複数の解像可能フィーチャを形成する段階と、
   第２の方向に延びる長手方向軸線を有する、前記複数の解像可能フィーチャのうちの２つの間に配設された一対の解像不可能な光近接補正フィーチャを形成する段階と
   を含むリソグラフィ・パターン転写方法において、
   前記複数の解像可能フィーチャの前記長手方向軸線の前記第１の方向が、前記一対の解像不可能光近接補正フィーチャの前記長手方向軸線の前記第２の方向に垂直であること、および
   前記一対の解像不可能な光近接補正フィーチャが、前記複数の解像可能フィーチャのうちの前記２つの解像可能フィーチャを離隔している空間の幅未満の長さ寸法と、ピッチを有し、該一対の解像不可能な光近接補正フィーチャの長さ寸法が、前記解像可能フィーチャの２次回折成分の増大を最小限に抑えるように調節されることを特徴とするリソグラフィ・パターン転写方法。
6. 前記解像不可能な光近接補正フィーチャの対が、前記複数の解像可能フィーチャのうちの前記２つの解像可能フィーチャの間に複数配設されており、前記解像不可能光学フィーチャの対がそれぞれ、第２の方向に延びる長手方向軸線を有している請求項５に記載のリソグラフィ・パターン転写方法。
7. 前記複数の解像可能フィーチャのうちの前記２つの解像可能フィーチャの間に配設された前記解像不可能な光近接補正フィーチャの前記複数の対の全てが、補正フィーチャの単一グループを形成するように、実質的に同じ長さを有している請求項６に記載のリソグラフィ・パターン転写方法。
8. 前記マスクがさらに、補正フィーチャの前記単一グループを複数有しており、補正フィーチャの前記複数の単一グループがそれぞれ、前記解像可能フィーチャの特定の一対の間に配設されている請求項７に記載のリソグラフィ・パターン転写方法。
9. （ａ）放射線感光材料の層によって少なくとも部分的に覆われた基板を提供する段階と、
   （ｂ）放射システムを使用して放射線の投影ビームを提供する段階と、
   （ｃ）マスク上のパターンを使用して、投影ビームの断面にパターンを与える段階と、
   （ｄ）パターン付けされた前記放射線のビームを前記放射線感光材料の層のターゲット部分に投影する段階と
   を含むデバイス製造方法であって、
   段階（ｃ）で使用するマスクが、
   それぞれが第１の方向に延びる長手方向軸線を有する、前記基板上に印刷する複数の解像可能フィーチャと、
   第２の方向に延びる長手方向軸線を有する、前記複数の解像可能フィーチャのうちの２つの間に配設された一対の解像不可能光近接補正フィーチャと
   を有していること、
   前記複数の解像可能フィーチャの前記長手方向軸線の前記第１の方向が、前記一対の解像不可能光近接補正フィーチャの前記長手方向軸線の前記第２の方向に垂直であること、
   前記一対の解像不可能な光近接補正フィーチャが、前記複数の解像可能フィーチャのうちの前記２つの解像可能フィーチャを離隔している空間の幅より小さい長さ寸法と、ピッチとを有していること、および
   前記一対の解像不可能な光近接補正フィーチャの前記長さ寸法が、前記解像可能フィーチャの２次回折成分の増大を最小限にするよう選択されていること
   を特徴とするデバイス製造方法。
10. 基板上にリソグラフィ・パターンを転写するためのマスクを形成する方法であって、
    それぞれが第１の方向に延びる長手方向軸線を有する、前記基板上に印刷する複数の解像可能フィーチャを形成する段階と、
    第２の方向に延びる長手方向軸線を有する、前記複数の解像可能フィーチャのうちの２つの間に配設された一対の解像不可能な光近接補正フィーチャを形成する段階と
    を含むマスク形成方法において、
    前記複数の解像可能フィーチャの長手方向軸線の前記第１の方向が、前記一対の解像不可能な光近接補正フィーチャの長手方向軸線の前記第２の方向に垂直であること、および
    前記一対の解像不可能な光近接補正フィーチャが、前記複数の解像可能フィーチャのうちの前記２つの解像可能フィーチャを離隔している空間の幅未満の長さ寸法、およびピッチを有し、前記一対の解像不可能な光近接補正フィーチャの前記長さ寸法が、前記解像可能フィーチャの２次回折成分の増大を最小限に抑えるように調節されること
    を特徴とするマスク形成方法。
11. 基板上にリソグラフィ・パターンを転写するためのマスクを形成する方法であって、
    それぞれが第１の方向に延びる長手方向軸線を有する、前記基板上に印刷する複数の解像可能フィーチャを形成する段階と、
    第２の方向に延びる長手方向軸線を有する、前記複数の解像可能フィーチャのうちの２つの間に配設された一対の解像不可能な光近接補正フィーチャを形成する段階と
    を含むマスク形成方法において、
    前記複数の解像可能フィーチャの長手方向軸線の前記第１の方向が、前記一対の解像不可能な光近接補正フィーチャの長手方向軸線の前記第２の方向に垂直であること、および
    前記一対の解像不可能な光近接補正フィーチャが、前記複数の解像可能フィーチャのうちの前記２つの解像可能フィーチャを離隔している空間の幅未満の長さ寸法を有し、前記一対の解像不可能な光近接補正フィーチャの前記長さ寸法は、該一対の解像不可能な光近接補正フィーチャが、実質的に前記複数の解像可能フィーチャの周波数成分の高調波である周波数成分を有するように調節されること
    を特徴とするマスク形成方法。

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