JP4127437B2 - サーモモジュール - Google Patents
サーモモジュール Download PDFInfo
- Publication number
- JP4127437B2 JP4127437B2 JP34009198A JP34009198A JP4127437B2 JP 4127437 B2 JP4127437 B2 JP 4127437B2 JP 34009198 A JP34009198 A JP 34009198A JP 34009198 A JP34009198 A JP 34009198A JP 4127437 B2 JP4127437 B2 JP 4127437B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- heat exchange
- wiring pattern
- element row
- thermo module
- thermomodule
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 52
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 16
- 238000000034 method Methods 0.000 description 15
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 9
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 9
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 8
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 7
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 7
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000005679 Peltier effect Effects 0.000 description 4
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 3
- 230000008646 thermal stress Effects 0.000 description 3
- 229910002909 Bi-Te Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 2
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 2
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 2
- 230000017525 heat dissipation Effects 0.000 description 2
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 2
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000003491 array Methods 0.000 description 1
- PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M copper(1+);methylsulfanylmethane;bromide Chemical compound Br[Cu].CSC PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 238000009713 electroplating Methods 0.000 description 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 1
- 238000005476 soldering Methods 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 230000035882 stress Effects 0.000 description 1
Images
Landscapes
- Cooling Or The Like Of Semiconductors Or Solid State Devices (AREA)
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、サーモモジュールに関し、特に、多様な電源電流電圧仕様に適用可能なサーモモジュールに関する。
【０００２】
【従来の技術】
従来から、ペルチェ効果を応用したサーモモジュールが冷却加熱用熱電装置として使用されている。従来のサーモモジュールは、Ｐ型半導体とＮ型半導体とが直列に複数接続されて構成され、当該直列接続体の両端に印加された電流に応じた冷却加熱機能を発揮していた。
【０００３】
近年、上記のようなサーモモジュールの利用分野が多岐にわたり、これらの利用分野の要求を満たすためには、多種類の電源電流電圧仕様に対応する必要がでてきた。例えば、コンピュータや光通信等の分野では、低電圧電源の利用が主流となっており、サーモモジュールにおいても低電圧で駆動できるものが望まれている。
【０００４】
サーモモジュールの駆動電圧を変化させる方法としては、特開平８−１７８４９８号公報に記載された技術が知られている。当該公報には、２つのサーモモジュールを直列に接続して２４Ｖで駆動し、並列に接続して１２Ｖで駆動する技術が開示されている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
しかし、上記公報に記載された方法では、２つのサーモモジュールを外部で接続する必要があるため、該各モジュールを接続するための配線パターンを予め設けておく必要がある。このような配線パターンの形成には、実装面積の確保が必要であり、高密度実装型の回路に適した方法ではなかった。特に、サーモモジュールやその周辺に配置される回路素子がマイクロオーダーのサイズである場合には、配線パターンの形成自体が困難となるため、上述したような２つのサーモモジュールを外部で接続する方法が適用できない場合があった。
【０００６】
そこで、本発明は、多様な電源電流電圧仕様に適用可能なサーモモジュールを提供することを目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するため、請求項１記載の発明は、一対の熱交換基板（１０）と、各熱交換基板（１０）上に形成された配線パターン（１２）と、一の熱交換基板（１０）の配線パターン（１２）及び他の熱交換基板（１０）の配線パターン（１２）を介して複数の熱電素子（１４）が直列接続された素子列（１６）とを具備するサーモモジュールにおいて、前記配線パターン（１２）を介して複数の前記素子列（１６）が並列接続された並列接続部（１８）を具備し、前記並列接続部（１８）を構成する一の素子列（１６）は、前記各熱交換基板（１０）の外縁に沿って配設され、前記並列接続部（１８）を構成する他の素子列（１６）は、前記一の素子列（１６）の内周に沿って配設されることを特徴とする。
【０００８】
また、請求項２記載の発明は、請求項１記載の発明において、前記熱交換基板（１０）は、前記配線パターン（１６）がメタライジングによって形成されたメタライズ電極基板であることを特徴とする。
【０００９】
また、請求項３記載の発明は、請求項１または請求項２記載の発明において、前記並列接続部（１８）を構成する少なくとも２つの素子列（１６）は、互いに同一の熱電特性を有することを特徴とする。
【００１１】
また、請求項４記載の発明は、請求項１乃至請求項３のいずれかに記載の発明において、熱交換基板（１０）は、前記素子列（１６）を挟持する上下一対の組からなり、前記一対の熱交換基板（１０）は、いずれか一方が他方よりも外部に突出し、該突出した部分に外部電極端子（２０）を有することを特徴とする。
【００１２】
また、請求項５記載の発明は、一対の熱交換基板（１０）と、各熱交換基板（１０）上に形成された配線パターン（１２）と、一の熱交換基板（１０）の配線パターン（１２）及び他の熱交換基板（１０）の配線パターン（１２）を介して複数の熱電素子（１４）が直列接続された素子列（１６）とを具備するサーモモジュールにおいて、複数の前記素子列（１６）と、前記素子列（１６）ごとに独立して設けられた外部電極端子（２０）とを具備し、前記複数の素子列（１６）のうち、一の素子列（１６）は、前記各熱交換基板（１０）の外縁に沿って配設され、前記複数の素子列（１６）のうち、他の素子列（１６）は、前記一の素子列（１６）の内周に沿って配設されることを特徴とする。
【００１３】
また、請求項６記載の発明は、請求項５記載の発明において、前記熱交換基板（１０）は、前記配線パターン（１６）がメタライジングによって形成されたメタライズ電極基板であることを特徴とする。
【００１４】
また、請求項７記載の発明は、請求項５または請求項６記載の発明において、前記一の素子列（１６）の熱電特性と前記他の素子列（１６）の熱電特性が同一であることを特徴とする。
【００１５】
また、請求項８記載の発明は、請求項５乃至請求項７のいずれかに記載の発明において、前記熱交換基板（１０）は、前記素子列（１６）を挟持する上下一対の組からなり、前記一対の熱交換基板（１０）は、いずれか一方が他方よりも外部に突出し、該突出した部分に前記外部電極端子（２０）を有することを特徴とする。
【００１６】
【発明の実施の形態】
（発明の概要）
本発明の特徴は、熱交換基板１０上に形成した配線パターン１２を介して、複数の熱電素子１４が直列接続された素子列１６を並列接続することにある。このような構造により、素子列１６の組み合わせ方を適切に選択すれば、任意の駆動電圧仕様を設定することができる（図１参照）。
【００１７】
（第１の形態）
本発明の第１の形態は、素子列の並列接続に関する発明であり、本発明者は、以下に示すプロセスを通して、この第１の形態を完成させるに至った。
【００１８】
まず、本発明者は、低電圧での駆動を可能にすべく、並列接続という概念に着目し、該並列接続の適用性を検討した。ここで、従来技術のように、単に、モジュール同士を並列接続したのでは、外部配線という問題点が残る。また、ペルチェ効果に関しても、複数モジュールよりは、単一モジュールの方が放熱性・吸熱性に優れており、複数のモジュールを接続する構成は好ましくない。
【００１９】
そこで、本発明者は、モジュール内部での並列接続の実現をさらに検討し、熱交換基板上に形成される配線パターンを利用する構成を見出した。熱交換基板上の配線パターンは、メタライジングによって形成することができるため、微細かつ複雑なパターンが任意に形成可能である。
【００２０】
さらに、本発明者は、このメタライジングの柔軟なパターン形成能力に着目し、単なる並列接続だけでなく、並列接続を組み込んだ直並列回路の形成も可能であることを発見した。任意の直並列回路が形成可能であるということは、任意の電圧で駆動するサーモモジュールが構築可能であることを意味する。このような効果は、従来の直列接続のみの構成では到底期待できないものである。
【００２１】
本発明の第１の形態は、上記観点から構成された発明であり、モジュールの駆動電圧を任意に設定可能とする技術を提供する。
【００２２】
図１は、本発明の第１の形態に係るサーモモジュールの構成を示す概念図である。以下、同図に基づいて、本発明の第１の形態の構成を説明する。
【００２３】
熱交換基板１０は、放熱または吸熱媒体となる部材であり、窒化アルミやアルミナセラミックス等の熱伝導性と絶縁性にすぐれた材料で形成される。この熱交換基板１０は、通常、２枚一組で構成され、上下から熱電素子１４を挟持した構造で配設される。この２枚一組のうち、いずれか一方を他方よりも外部に突出させて、該突出した部分に外部電極端子２０を配設する構造は、本発明の範囲内である。
【００２４】
配線パターン１２は、熱電素子１４を接続する導体パターンであり、メタライジングによって形成する。メタライジングは、絶縁性基板に導体パターンを形成する周知の技術であり、微小サイズのパターニングに適した方法である。メタライジングは、電気めっきやスパッタによるパターン形成方法として公用されている。
【００２５】
熱電素子１４は、Ｐ型半導体とＮ型半導体とを接合して得られた素子対を基礎として形成され、該素子対のＰＮ接合部に電流を流すことによって、ペルチェ効果を奏するものである。熱電素子１４を構成する半導体としては、一般に、Ｂｉ−Ｔｅ系の半導体が用いられる。熱電素子１４が奏したペルチェ効果は、熱交換基板１０を介して、冷却加熱の温度調節に寄与する。
【００２６】
素子列１６は、複数の熱電素子１４が直列に接続されて形成され、サーモモジュールの基本ユニットとなる。本発明では、このような素子列１６を複数組み合わせて、任意の素子回路を構成する。
【００２７】
並列接続部１８は、２以上の素子列１６が配線パターン１２を介して接続された素子グループであり、本発明では、このような並列接続部１８を任意に組み込むことによって、駆動電圧を設定する。
【００２８】
並列接続部１８は、駆動電圧の調整だけでなく、熱電素子１４や配線パターンの断線によって発生する冷却加熱機能停止の予防手段としても効果的である。これは、並列接続部１８を構成する一の素子列１６が断線しても他の素子列１６に電流が流れて、冷却加熱機能が維持されるからである。このような素子列１６の断線は、サーモモジュール駆動時の熱応力によって発生する可能性がある。このような現象は、サーモモジュールのコーナー付近で時折発現する。従って、該コーナー部分に並列接続部１８を設けることは、冷却加熱機能停止の予防に効果的である。例えば、該コーナー部分で素子列１６を並列に接続し、その他の部分は、直列接続で構成した場合には、熱応力の発生によって、該コーナー部分で素子列１６が断線しても、この部分は、並列接続となっているため、冷却加熱機能の停止を防止することができる。
【００２９】
並列接続部１８は、同一の熱電特性を有する素子列１６で構成することが好ましい。これは、各素子列１６に流れる電流が等しくなるため、該各素子列１６を構成する熱電素子１４の使用条件が同じとなり、熱電素子１４の経時変化が各素子列１６で等価になるからである。その結果、駆動電圧の変動や素子列１６の断線等を防止することができる。
【００３０】
好ましくは、同図に示すように、並列接続部１８を構成する一の素子列１６を熱交換基板１０の外縁に沿って配設し、他の素子列１６を前記一の素子列１６の内周に沿って配設する。このような構造により、各素子列１６を同一特性および同一数の熱電素子１４で構成することができ、さらに、熱応力が発生しやすい外側に配設された素子列１６が断線しても熱応力が発生しにくい内側に配設された素子列１６が残るため、冷却機能停止の予防にも効果的である。加えて、熱交換基板１０上に、より多くの熱電素子１４を配置できるという効果も奏する。
【００３１】
外部電極端子２０は、複数の素子列１６からなる回路の外部端子として機能し、同図に示すように、熱交換基板１０の端部に配設される。この外部電極端子２０は、リード、ワイヤーおよび金属バンプ等の周知の電極端子をすべて含む概念である。
【００３２】
上記のように構成されるサーモモジュールは、高密度化や小型化が要求される分野に適する。
【００３３】
以上説明した本発明の第１の形態によれば、熱交換基板１０上に複数の素子列１６が並列接続された並列接続部１８を有するため、駆動電圧の任意設定が可能となる。このような素子列１６の並列接続は、熱交換基板１０上の配線パターン１２を介して行われるため、微小かつ複雑な回路構成にも適用可能である。
【００３４】
（第２の形態）
本発明の第２の形態は、回路構成の変更が可能なサーモモジュールに関する発明であり、本発明者は、以下に示すプロセスを通して、この第２の形態を完成させるに至った。
【００３５】
まず、本発明者は、サーモモジュールを複数の電圧仕様の電源で使用したいというユーザーからの要望に答えるべく、サーモモジュールの回路構成を外部から任意に変更できる構成を検討した。
【００３６】
しかし、回路構成を任意に変更するとはいっても、構造体として安定したサーモモジュールの内部構造を変更することは困難であり、また、好ましい方法ではない。
【００３７】
そこで、本発明者は、素子列の接続は、外部からアクセスできる領域で行うという点を原則として、素子列の接続形態が任意に切り替え可能な構造を検討し、各素子列ごとに外部電極端子を設ける構成を想到した。このような構成は、電子回路に求められる高速な切り替え動作にも適合し、構築できる回路パターンの種類も多岐にわたる。
【００３８】
本発明の第２の形態は、上記観点から構成された発明であり、回路パターンの外部切り替えを可能にする技術を提供する。
【００３９】
図２は、本発明の第２の形態に係るサーモモジュールの構成を示す概念図である。同図に示すように、本発明の第２の形態では、熱交換基板１０上に独立した素子列１６が設けられ、各素子列１６には、それぞれ固有の外部電極端子２０が接続される。
【００４０】
サーモモジュールのユーザーは、外部電極端子２０の接続形態によって、素子列１６の接続形態を決定することができる。例えば、同図に示す２つの素子列１６を並列に接続したい場合には、同図中ａで示した端子（以下、「ａ端子」という。その他の端子についても同様とする）とｂ端子とを接続するとともに、ｃ端子とｄ端子とを接続する。そして、ｅ端子またはｆ端子をａ端子またはｂ端子に接続するとともに、ｇ端子またはｈ端子をｃ端子またはｄ端子に接続する。
【００４１】
また、同図に示す２つの素子列１６を直列に接続したい場合には、ａ端子とｂ端子、ｃ端子とｇ端子、ｄ端子とｈ端子をそれぞれ接続すればよい。その他の構成は、前述した第１の形態に準ずる。
【００４２】
上記のように構成されるサーモモジュールは、複数の電源電圧仕様を有する回路系に適する。
【００４３】
以上説明した本発明の第２の形態によれば、各素子列１６ごとに外部電極端子２０が設けられるため、サーモモジュールの回路構成を外部から容易に変更することができる。
【００４４】
【実施例】
（要約）
セラミック基板３０上にメタライジングによって形成した銅パターン２８を介して、Ｐ型素子２２とＮ型素子２４からなる素子対を直列接続し、セラミック基板３０の外縁に沿って外側回路３４を形成し、該外側回路３４の内側に内側回路３６を形成する。そして、セラミック基板３０の端部で該外側回路３４と内側回路３６とを並列接続する（図４参照）。
【００４５】
（第１の実施例）
図３は、本発明の第１の実施例に係るサーモモジュールの構造を示す斜視図である。以下、同図を用いて、第１の実施例に係るサーモモジュールの構造を説明する。
【００４６】
Ｐ型素子２２およびＮ型素子２４を挟持する上下２枚のセラミック基板３０には、それぞれ、メタライジングによって、銅パターン２８が形成される。この銅パターン２８の表面には、ニッケルメッキおよび金メッキまたは半田メッキが施され、Ｐ型素子２２およびＮ型素子２４との接触が良好に行われる。
【００４７】
Ｐ型素子２２およびＮ型素子２４は、それぞれ、Ｂｉ−Ｔｅ系熱電半導体から構成され、両者ともニッケルメッキおよび金メッキまたは半田メッキが施される。すべてのＰ型素子２２およびＮ型素子２４は、表面実装による自動組み立て工程を経て、銅パターン２８に半田付けされ、同図に示す構造となる。外部電極端子として機能するリード２６は、底面側のセラミック基板３０上に形成された銅パターン２８に接続され、該セラミック基板３０から突出した状態で固定される。
【００４８】
図４は、図３に示すサーモモジュールの回路構造を示すＩＶ−ＩＶ視図である。同図に示すように、底面側のセラミック基板３０上には、板状の銅パターン２８が複数配置され、各銅パターン２８上には、Ｐ型素子２２およびＮ型素子２４が半田付けされる。そして、上面側のセラミック基板３０にも銅パターン２８が同様に形成され、各Ｐ型素子２２およびＮ型素子２４を上下のセラミック基板３０で挟持し、半田付けで固定すると、各Ｐ型素子２２およびＮ型素子２４は、図中の２点鎖線にそって直列接続され、セラミック基板３０上に外側回路３４と内側回路３６が構成される。
【００４９】
外側回路３４と内側回路３６は、セラミック基板３０の端部に形成された配線パターン１２上で相互に接続され、並列回路を構成する。そして、該端部の配線パターン１２には、リード２６が接続される。
【００５０】
外側回路３４を構成するＰ型素子２２およびＮ型素子２４の数と、内側回路３６を構成するＰ型素子２２およびＮ型素子２４の数は、同じであり、両者は、同一の熱電特性を有する。
【００５１】
上記のように構成されたサーモモジュールは、１２ｍｍ×１０ｍｍ程度のサイズを有するマイクロモジュールとして完成した例であるが、４ｍｍ×４ｍｍ乃至２０ｍｍ×２０ｍｍ程度のサイズを有するモジュールを構成することも可能である。
【００５２】
（第２の実施例）
図５は、本発明の第２の実施例に係るサーモモジュールの構造を示す斜視図である。以下、同図を用いて、第２の実施例に係るサーモモジュールの構造を説明する。
【００５３】
同図に示すように、この第２の実施例に係るサーモモジュールには、４本のリード２６が設けられ、その他は、前述した第１の実施例と同様に構成される。
【００５４】
図６は、図５に示すサーモモジュールの回路構成を示すＶＩ−ＶＩ視図である。同図に示すように、第２の実施例に係るサーモモジュールでは、外側回路３４と内側回路３６に対し、独立したリード２６がそれぞれ接続される。
【００５５】
サーモモジュールのユーザーは、このような４本のリード２６にスイッチング回路を接続し、外側回路３４と内側回路３６の接続形態を適宜選択して、この第２の実施例に係るサーモモジュールを使用する。
【００５６】
（第３の実施例）
図７は、本発明の第３の実施例に係るサーモモジュールの構造を示す斜視図である。同図に示すように、この第３の実施例に係るサーモモジュールは、底面側のセラミック基板３０が上面側のセラミック基板３０よりも大きく形成される。そして、底面側のセラミック基板３０の突出した部分にリード２６が配設される。 このような構造により、リード２６を固定するための配線パターン１２にアクセスしやすくなるため、リード２６の取り付けが容易に行える。尚、この構造は、前述した第２の実施例にも適用可能である。
【００５７】
（第４の実施例）
図８は、本発明の第４の実施例に係るサーモモジュールの構造を示す斜視図である。同図に示すように、この第４の実施例に係るサーモモジュールには、リード２６に代えて、柱状のリード柱３２が設けられる。このリード柱３２は、ワイヤーボンディングをする際に好適である。尚、この構造は、前述した第２の実施例にも適用可能である。
【００５８】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明によれば、多様な電源電流電圧仕様に適用可能なサーモモジュールを提供することができる。
【００５９】
また、本発明の第１の形態によれば、熱交換基板１０上に複数の素子列１６が並列接続された並列接続部１８を有するため、駆動電圧の任意設定が可能となる。このような素子列１６の並列接続は、熱交換基板１０上の配線パターン１２を介して行われるため、微小かつ複雑な回路構成にも適用可能である。
【００６０】
また、本発明の第２の形態によれば、各素子列１６ごとに外部電極端子２０が設けられるため、サーモモジュールの回路構成を外部から容易に変更することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の第１の形態に係るサーモモジュールの構成を示す概念図である。
【図２】本発明の第２の形態に係るサーモモジュールの構成を示す概念図である。
【図３】本発明の第１の実施例に係るサーモモジュールの構造を示す斜視図である。
【図４】図３に示すサーモモジュールの回路構造を示すＩＶ−ＩＶ視図である。
【図５】本発明の第２の実施例に係るサーモモジュールの構造を示す斜視図である。
【図６】図５に示すサーモモジュールの回路構成を示すＶＩ−ＶＩ視図である。
【図７】本発明の第３の実施例に係るサーモモジュールの構造を示す斜視図である。
【図８】本発明の第４の実施例に係るサーモモジュールの構造を示す斜視図である。
【符号の説明】
１０…熱交換基板、１２…配線パターン、１４…熱電素子、１６…素子列、１８…並列接続部、２０…外部電極端子、２２…Ｐ型素子、２４…Ｎ型素子、２６…リード、２８…銅パターン、３０…セラミック基板、３２…リード柱、３４…外側回路、３６…内側回路
【発明の属する技術分野】
本発明は、サーモモジュールに関し、特に、多様な電源電流電圧仕様に適用可能なサーモモジュールに関する。
【０００２】
【従来の技術】
従来から、ペルチェ効果を応用したサーモモジュールが冷却加熱用熱電装置として使用されている。従来のサーモモジュールは、Ｐ型半導体とＮ型半導体とが直列に複数接続されて構成され、当該直列接続体の両端に印加された電流に応じた冷却加熱機能を発揮していた。
【０００３】
近年、上記のようなサーモモジュールの利用分野が多岐にわたり、これらの利用分野の要求を満たすためには、多種類の電源電流電圧仕様に対応する必要がでてきた。例えば、コンピュータや光通信等の分野では、低電圧電源の利用が主流となっており、サーモモジュールにおいても低電圧で駆動できるものが望まれている。
【０００４】
サーモモジュールの駆動電圧を変化させる方法としては、特開平８−１７８４９８号公報に記載された技術が知られている。当該公報には、２つのサーモモジュールを直列に接続して２４Ｖで駆動し、並列に接続して１２Ｖで駆動する技術が開示されている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
しかし、上記公報に記載された方法では、２つのサーモモジュールを外部で接続する必要があるため、該各モジュールを接続するための配線パターンを予め設けておく必要がある。このような配線パターンの形成には、実装面積の確保が必要であり、高密度実装型の回路に適した方法ではなかった。特に、サーモモジュールやその周辺に配置される回路素子がマイクロオーダーのサイズである場合には、配線パターンの形成自体が困難となるため、上述したような２つのサーモモジュールを外部で接続する方法が適用できない場合があった。
【０００６】
そこで、本発明は、多様な電源電流電圧仕様に適用可能なサーモモジュールを提供することを目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するため、請求項１記載の発明は、一対の熱交換基板（１０）と、各熱交換基板（１０）上に形成された配線パターン（１２）と、一の熱交換基板（１０）の配線パターン（１２）及び他の熱交換基板（１０）の配線パターン（１２）を介して複数の熱電素子（１４）が直列接続された素子列（１６）とを具備するサーモモジュールにおいて、前記配線パターン（１２）を介して複数の前記素子列（１６）が並列接続された並列接続部（１８）を具備し、前記並列接続部（１８）を構成する一の素子列（１６）は、前記各熱交換基板（１０）の外縁に沿って配設され、前記並列接続部（１８）を構成する他の素子列（１６）は、前記一の素子列（１６）の内周に沿って配設されることを特徴とする。
【０００８】
また、請求項２記載の発明は、請求項１記載の発明において、前記熱交換基板（１０）は、前記配線パターン（１６）がメタライジングによって形成されたメタライズ電極基板であることを特徴とする。
【０００９】
また、請求項３記載の発明は、請求項１または請求項２記載の発明において、前記並列接続部（１８）を構成する少なくとも２つの素子列（１６）は、互いに同一の熱電特性を有することを特徴とする。
【００１１】
また、請求項４記載の発明は、請求項１乃至請求項３のいずれかに記載の発明において、熱交換基板（１０）は、前記素子列（１６）を挟持する上下一対の組からなり、前記一対の熱交換基板（１０）は、いずれか一方が他方よりも外部に突出し、該突出した部分に外部電極端子（２０）を有することを特徴とする。
【００１２】
また、請求項５記載の発明は、一対の熱交換基板（１０）と、各熱交換基板（１０）上に形成された配線パターン（１２）と、一の熱交換基板（１０）の配線パターン（１２）及び他の熱交換基板（１０）の配線パターン（１２）を介して複数の熱電素子（１４）が直列接続された素子列（１６）とを具備するサーモモジュールにおいて、複数の前記素子列（１６）と、前記素子列（１６）ごとに独立して設けられた外部電極端子（２０）とを具備し、前記複数の素子列（１６）のうち、一の素子列（１６）は、前記各熱交換基板（１０）の外縁に沿って配設され、前記複数の素子列（１６）のうち、他の素子列（１６）は、前記一の素子列（１６）の内周に沿って配設されることを特徴とする。
【００１３】
また、請求項６記載の発明は、請求項５記載の発明において、前記熱交換基板（１０）は、前記配線パターン（１６）がメタライジングによって形成されたメタライズ電極基板であることを特徴とする。
【００１４】
また、請求項７記載の発明は、請求項５または請求項６記載の発明において、前記一の素子列（１６）の熱電特性と前記他の素子列（１６）の熱電特性が同一であることを特徴とする。
【００１５】
また、請求項８記載の発明は、請求項５乃至請求項７のいずれかに記載の発明において、前記熱交換基板（１０）は、前記素子列（１６）を挟持する上下一対の組からなり、前記一対の熱交換基板（１０）は、いずれか一方が他方よりも外部に突出し、該突出した部分に前記外部電極端子（２０）を有することを特徴とする。
【００１６】
【発明の実施の形態】
（発明の概要）
本発明の特徴は、熱交換基板１０上に形成した配線パターン１２を介して、複数の熱電素子１４が直列接続された素子列１６を並列接続することにある。このような構造により、素子列１６の組み合わせ方を適切に選択すれば、任意の駆動電圧仕様を設定することができる（図１参照）。
【００１７】
（第１の形態）
本発明の第１の形態は、素子列の並列接続に関する発明であり、本発明者は、以下に示すプロセスを通して、この第１の形態を完成させるに至った。
【００１８】
まず、本発明者は、低電圧での駆動を可能にすべく、並列接続という概念に着目し、該並列接続の適用性を検討した。ここで、従来技術のように、単に、モジュール同士を並列接続したのでは、外部配線という問題点が残る。また、ペルチェ効果に関しても、複数モジュールよりは、単一モジュールの方が放熱性・吸熱性に優れており、複数のモジュールを接続する構成は好ましくない。
【００１９】
そこで、本発明者は、モジュール内部での並列接続の実現をさらに検討し、熱交換基板上に形成される配線パターンを利用する構成を見出した。熱交換基板上の配線パターンは、メタライジングによって形成することができるため、微細かつ複雑なパターンが任意に形成可能である。
【００２０】
さらに、本発明者は、このメタライジングの柔軟なパターン形成能力に着目し、単なる並列接続だけでなく、並列接続を組み込んだ直並列回路の形成も可能であることを発見した。任意の直並列回路が形成可能であるということは、任意の電圧で駆動するサーモモジュールが構築可能であることを意味する。このような効果は、従来の直列接続のみの構成では到底期待できないものである。
【００２１】
本発明の第１の形態は、上記観点から構成された発明であり、モジュールの駆動電圧を任意に設定可能とする技術を提供する。
【００２２】
図１は、本発明の第１の形態に係るサーモモジュールの構成を示す概念図である。以下、同図に基づいて、本発明の第１の形態の構成を説明する。
【００２３】
熱交換基板１０は、放熱または吸熱媒体となる部材であり、窒化アルミやアルミナセラミックス等の熱伝導性と絶縁性にすぐれた材料で形成される。この熱交換基板１０は、通常、２枚一組で構成され、上下から熱電素子１４を挟持した構造で配設される。この２枚一組のうち、いずれか一方を他方よりも外部に突出させて、該突出した部分に外部電極端子２０を配設する構造は、本発明の範囲内である。
【００２４】
配線パターン１２は、熱電素子１４を接続する導体パターンであり、メタライジングによって形成する。メタライジングは、絶縁性基板に導体パターンを形成する周知の技術であり、微小サイズのパターニングに適した方法である。メタライジングは、電気めっきやスパッタによるパターン形成方法として公用されている。
【００２５】
熱電素子１４は、Ｐ型半導体とＮ型半導体とを接合して得られた素子対を基礎として形成され、該素子対のＰＮ接合部に電流を流すことによって、ペルチェ効果を奏するものである。熱電素子１４を構成する半導体としては、一般に、Ｂｉ−Ｔｅ系の半導体が用いられる。熱電素子１４が奏したペルチェ効果は、熱交換基板１０を介して、冷却加熱の温度調節に寄与する。
【００２６】
素子列１６は、複数の熱電素子１４が直列に接続されて形成され、サーモモジュールの基本ユニットとなる。本発明では、このような素子列１６を複数組み合わせて、任意の素子回路を構成する。
【００２７】
並列接続部１８は、２以上の素子列１６が配線パターン１２を介して接続された素子グループであり、本発明では、このような並列接続部１８を任意に組み込むことによって、駆動電圧を設定する。
【００２８】
並列接続部１８は、駆動電圧の調整だけでなく、熱電素子１４や配線パターンの断線によって発生する冷却加熱機能停止の予防手段としても効果的である。これは、並列接続部１８を構成する一の素子列１６が断線しても他の素子列１６に電流が流れて、冷却加熱機能が維持されるからである。このような素子列１６の断線は、サーモモジュール駆動時の熱応力によって発生する可能性がある。このような現象は、サーモモジュールのコーナー付近で時折発現する。従って、該コーナー部分に並列接続部１８を設けることは、冷却加熱機能停止の予防に効果的である。例えば、該コーナー部分で素子列１６を並列に接続し、その他の部分は、直列接続で構成した場合には、熱応力の発生によって、該コーナー部分で素子列１６が断線しても、この部分は、並列接続となっているため、冷却加熱機能の停止を防止することができる。
【００２９】
並列接続部１８は、同一の熱電特性を有する素子列１６で構成することが好ましい。これは、各素子列１６に流れる電流が等しくなるため、該各素子列１６を構成する熱電素子１４の使用条件が同じとなり、熱電素子１４の経時変化が各素子列１６で等価になるからである。その結果、駆動電圧の変動や素子列１６の断線等を防止することができる。
【００３０】
好ましくは、同図に示すように、並列接続部１８を構成する一の素子列１６を熱交換基板１０の外縁に沿って配設し、他の素子列１６を前記一の素子列１６の内周に沿って配設する。このような構造により、各素子列１６を同一特性および同一数の熱電素子１４で構成することができ、さらに、熱応力が発生しやすい外側に配設された素子列１６が断線しても熱応力が発生しにくい内側に配設された素子列１６が残るため、冷却機能停止の予防にも効果的である。加えて、熱交換基板１０上に、より多くの熱電素子１４を配置できるという効果も奏する。
【００３１】
外部電極端子２０は、複数の素子列１６からなる回路の外部端子として機能し、同図に示すように、熱交換基板１０の端部に配設される。この外部電極端子２０は、リード、ワイヤーおよび金属バンプ等の周知の電極端子をすべて含む概念である。
【００３２】
上記のように構成されるサーモモジュールは、高密度化や小型化が要求される分野に適する。
【００３３】
以上説明した本発明の第１の形態によれば、熱交換基板１０上に複数の素子列１６が並列接続された並列接続部１８を有するため、駆動電圧の任意設定が可能となる。このような素子列１６の並列接続は、熱交換基板１０上の配線パターン１２を介して行われるため、微小かつ複雑な回路構成にも適用可能である。
【００３４】
（第２の形態）
本発明の第２の形態は、回路構成の変更が可能なサーモモジュールに関する発明であり、本発明者は、以下に示すプロセスを通して、この第２の形態を完成させるに至った。
【００３５】
まず、本発明者は、サーモモジュールを複数の電圧仕様の電源で使用したいというユーザーからの要望に答えるべく、サーモモジュールの回路構成を外部から任意に変更できる構成を検討した。
【００３６】
しかし、回路構成を任意に変更するとはいっても、構造体として安定したサーモモジュールの内部構造を変更することは困難であり、また、好ましい方法ではない。
【００３７】
そこで、本発明者は、素子列の接続は、外部からアクセスできる領域で行うという点を原則として、素子列の接続形態が任意に切り替え可能な構造を検討し、各素子列ごとに外部電極端子を設ける構成を想到した。このような構成は、電子回路に求められる高速な切り替え動作にも適合し、構築できる回路パターンの種類も多岐にわたる。
【００３８】
本発明の第２の形態は、上記観点から構成された発明であり、回路パターンの外部切り替えを可能にする技術を提供する。
【００３９】
図２は、本発明の第２の形態に係るサーモモジュールの構成を示す概念図である。同図に示すように、本発明の第２の形態では、熱交換基板１０上に独立した素子列１６が設けられ、各素子列１６には、それぞれ固有の外部電極端子２０が接続される。
【００４０】
サーモモジュールのユーザーは、外部電極端子２０の接続形態によって、素子列１６の接続形態を決定することができる。例えば、同図に示す２つの素子列１６を並列に接続したい場合には、同図中ａで示した端子（以下、「ａ端子」という。その他の端子についても同様とする）とｂ端子とを接続するとともに、ｃ端子とｄ端子とを接続する。そして、ｅ端子またはｆ端子をａ端子またはｂ端子に接続するとともに、ｇ端子またはｈ端子をｃ端子またはｄ端子に接続する。
【００４１】
また、同図に示す２つの素子列１６を直列に接続したい場合には、ａ端子とｂ端子、ｃ端子とｇ端子、ｄ端子とｈ端子をそれぞれ接続すればよい。その他の構成は、前述した第１の形態に準ずる。
【００４２】
上記のように構成されるサーモモジュールは、複数の電源電圧仕様を有する回路系に適する。
【００４３】
以上説明した本発明の第２の形態によれば、各素子列１６ごとに外部電極端子２０が設けられるため、サーモモジュールの回路構成を外部から容易に変更することができる。
【００４４】
【実施例】
（要約）
セラミック基板３０上にメタライジングによって形成した銅パターン２８を介して、Ｐ型素子２２とＮ型素子２４からなる素子対を直列接続し、セラミック基板３０の外縁に沿って外側回路３４を形成し、該外側回路３４の内側に内側回路３６を形成する。そして、セラミック基板３０の端部で該外側回路３４と内側回路３６とを並列接続する（図４参照）。
【００４５】
（第１の実施例）
図３は、本発明の第１の実施例に係るサーモモジュールの構造を示す斜視図である。以下、同図を用いて、第１の実施例に係るサーモモジュールの構造を説明する。
【００４６】
Ｐ型素子２２およびＮ型素子２４を挟持する上下２枚のセラミック基板３０には、それぞれ、メタライジングによって、銅パターン２８が形成される。この銅パターン２８の表面には、ニッケルメッキおよび金メッキまたは半田メッキが施され、Ｐ型素子２２およびＮ型素子２４との接触が良好に行われる。
【００４７】
Ｐ型素子２２およびＮ型素子２４は、それぞれ、Ｂｉ−Ｔｅ系熱電半導体から構成され、両者ともニッケルメッキおよび金メッキまたは半田メッキが施される。すべてのＰ型素子２２およびＮ型素子２４は、表面実装による自動組み立て工程を経て、銅パターン２８に半田付けされ、同図に示す構造となる。外部電極端子として機能するリード２６は、底面側のセラミック基板３０上に形成された銅パターン２８に接続され、該セラミック基板３０から突出した状態で固定される。
【００４８】
図４は、図３に示すサーモモジュールの回路構造を示すＩＶ−ＩＶ視図である。同図に示すように、底面側のセラミック基板３０上には、板状の銅パターン２８が複数配置され、各銅パターン２８上には、Ｐ型素子２２およびＮ型素子２４が半田付けされる。そして、上面側のセラミック基板３０にも銅パターン２８が同様に形成され、各Ｐ型素子２２およびＮ型素子２４を上下のセラミック基板３０で挟持し、半田付けで固定すると、各Ｐ型素子２２およびＮ型素子２４は、図中の２点鎖線にそって直列接続され、セラミック基板３０上に外側回路３４と内側回路３６が構成される。
【００４９】
外側回路３４と内側回路３６は、セラミック基板３０の端部に形成された配線パターン１２上で相互に接続され、並列回路を構成する。そして、該端部の配線パターン１２には、リード２６が接続される。
【００５０】
外側回路３４を構成するＰ型素子２２およびＮ型素子２４の数と、内側回路３６を構成するＰ型素子２２およびＮ型素子２４の数は、同じであり、両者は、同一の熱電特性を有する。
【００５１】
上記のように構成されたサーモモジュールは、１２ｍｍ×１０ｍｍ程度のサイズを有するマイクロモジュールとして完成した例であるが、４ｍｍ×４ｍｍ乃至２０ｍｍ×２０ｍｍ程度のサイズを有するモジュールを構成することも可能である。
【００５２】
（第２の実施例）
図５は、本発明の第２の実施例に係るサーモモジュールの構造を示す斜視図である。以下、同図を用いて、第２の実施例に係るサーモモジュールの構造を説明する。
【００５３】
同図に示すように、この第２の実施例に係るサーモモジュールには、４本のリード２６が設けられ、その他は、前述した第１の実施例と同様に構成される。
【００５４】
図６は、図５に示すサーモモジュールの回路構成を示すＶＩ−ＶＩ視図である。同図に示すように、第２の実施例に係るサーモモジュールでは、外側回路３４と内側回路３６に対し、独立したリード２６がそれぞれ接続される。
【００５５】
サーモモジュールのユーザーは、このような４本のリード２６にスイッチング回路を接続し、外側回路３４と内側回路３６の接続形態を適宜選択して、この第２の実施例に係るサーモモジュールを使用する。
【００５６】
（第３の実施例）
図７は、本発明の第３の実施例に係るサーモモジュールの構造を示す斜視図である。同図に示すように、この第３の実施例に係るサーモモジュールは、底面側のセラミック基板３０が上面側のセラミック基板３０よりも大きく形成される。そして、底面側のセラミック基板３０の突出した部分にリード２６が配設される。 このような構造により、リード２６を固定するための配線パターン１２にアクセスしやすくなるため、リード２６の取り付けが容易に行える。尚、この構造は、前述した第２の実施例にも適用可能である。
【００５７】
（第４の実施例）
図８は、本発明の第４の実施例に係るサーモモジュールの構造を示す斜視図である。同図に示すように、この第４の実施例に係るサーモモジュールには、リード２６に代えて、柱状のリード柱３２が設けられる。このリード柱３２は、ワイヤーボンディングをする際に好適である。尚、この構造は、前述した第２の実施例にも適用可能である。
【００５８】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明によれば、多様な電源電流電圧仕様に適用可能なサーモモジュールを提供することができる。
【００５９】
また、本発明の第１の形態によれば、熱交換基板１０上に複数の素子列１６が並列接続された並列接続部１８を有するため、駆動電圧の任意設定が可能となる。このような素子列１６の並列接続は、熱交換基板１０上の配線パターン１２を介して行われるため、微小かつ複雑な回路構成にも適用可能である。
【００６０】
また、本発明の第２の形態によれば、各素子列１６ごとに外部電極端子２０が設けられるため、サーモモジュールの回路構成を外部から容易に変更することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の第１の形態に係るサーモモジュールの構成を示す概念図である。
【図２】本発明の第２の形態に係るサーモモジュールの構成を示す概念図である。
【図３】本発明の第１の実施例に係るサーモモジュールの構造を示す斜視図である。
【図４】図３に示すサーモモジュールの回路構造を示すＩＶ−ＩＶ視図である。
【図５】本発明の第２の実施例に係るサーモモジュールの構造を示す斜視図である。
【図６】図５に示すサーモモジュールの回路構成を示すＶＩ−ＶＩ視図である。
【図７】本発明の第３の実施例に係るサーモモジュールの構造を示す斜視図である。
【図８】本発明の第４の実施例に係るサーモモジュールの構造を示す斜視図である。
【符号の説明】
１０…熱交換基板、１２…配線パターン、１４…熱電素子、１６…素子列、１８…並列接続部、２０…外部電極端子、２２…Ｐ型素子、２４…Ｎ型素子、２６…リード、２８…銅パターン、３０…セラミック基板、３２…リード柱、３４…外側回路、３６…内側回路
Claims (8)
- 一対の熱交換基板（１０）と、各熱交換基板（１０）上に形成された配線パターン（１２）と、一の熱交換基板（１０）の配線パターン（１２）及び他の熱交換基板（１０）の配線パターン（１２）を介して複数の熱電素子（１４）が直列接続された素子列（１６）とを具備するサーモモジュールにおいて、
前記配線パターン（１２）を介して複数の前記素子列（１６）が並列接続された並列接続部（１８）を具備し、
前記並列接続部（１８）を構成する一の素子列（１６）は、
前記各熱交換基板（１０）の外縁に沿って配設され、
前記並列接続部（１８）を構成する他の素子列（１６）は、
前記一の素子列（１６）の内周に沿って配設される
ことを特徴とするサーモモジュール。 - 前記熱交換基板（１０）は、
前記配線パターン（１６）がメタライジングによって形成されたメタライズ電極基板であることを特徴とする請求項１記載のサーモモジュール。 - 前記並列接続部（１８）を構成する少なくとも２つの素子列（１６）は、
互いに同一の熱電特性を有することを特徴とする請求項１または請求項２記載のサーモモジュール。 - 熱交換基板（１０）は、
前記素子列（１６）を挟持する上下一対の組からなり、
前記一対の熱交換基板（１０）は、
いずれか一方が他方よりも外部に突出し、該突出した部分に外部電極端子（２０）を有する
ことを特徴とする請求項１乃至請求項３のいずれかに記載のサーモモジュール。 - 一対の熱交換基板（１０）と、各熱交換基板（１０）上に形成された配線パターン（１２）と、一の熱交換基板（１０）の配線パターン（１２）及び他の熱交換基板（１０）の配線パターン（１２）を介して複数の熱電素子（１４）が直列接続された素子列（１６）とを具備するサーモモジュールにおいて、
複数の前記素子列（１６）と、
前記素子列（１６）ごとに独立して設けられた外部電極端子（２０）とを具備し、
前記複数の素子列（１６）のうち、一の素子列（１６）は、
前記各熱交換基板（１０）の外縁に沿って配設され、
前記複数の素子列（１６）のうち、他の素子列（１６）は、
前記一の素子列（１６）の内周に沿って配設される
ことを特徴とするサーモモジュール。 - 前記熱交換基板（１０）は、
前記配線パターン（１６）がメタライジングによって形成されたメタライズ電極基板であることを特徴とする請求項５記載のサーモモジュール。 - 前記一の素子列（１６）の熱電特性と前記他の素子列（１６）の熱電特性が同一であることを特徴とする請求項５または請求項６記載のサーモモジュール。
- 前記熱交換基板（１０）は、
前記素子列（１６）を挟持する上下一対の組からなり、
前記一対の熱交換基板（１０）は、
いずれか一方が他方よりも外部に突出し、該突出した部分に前記外部電極端子（２０）を有する
ことを特徴とする請求項５乃至請求項７のいずれかに記載のサーモモジュール。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP34009198A JP4127437B2 (ja) | 1998-11-30 | 1998-11-30 | サーモモジュール |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP34009198A JP4127437B2 (ja) | 1998-11-30 | 1998-11-30 | サーモモジュール |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000164945A JP2000164945A (ja) | 2000-06-16 |
| JP4127437B2 true JP4127437B2 (ja) | 2008-07-30 |
Family
ID=18333637
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP34009198A Expired - Lifetime JP4127437B2 (ja) | 1998-11-30 | 1998-11-30 | サーモモジュール |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP4127437B2 (ja) |
Families Citing this family (36)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP4350884B2 (ja) * | 2000-11-02 | 2009-10-21 | 株式会社Ｋｅｌｋ | 熱交換装置 |
| US7587901B2 (en) | 2004-12-20 | 2009-09-15 | Amerigon Incorporated | Control system for thermal module in vehicle |
| JP4951880B2 (ja) * | 2005-06-17 | 2012-06-13 | アイシン精機株式会社 | 熱電変換モジュール |
| US20080087316A1 (en) | 2006-10-12 | 2008-04-17 | Masa Inaba | Thermoelectric device with internal sensor |
| US9105808B2 (en) | 2007-01-10 | 2015-08-11 | Gentherm Incorporated | Thermoelectric device |
| WO2009036077A1 (en) | 2007-09-10 | 2009-03-19 | Amerigon, Inc. | Operational control schemes for ventilated seat or bed assemblies |
| KR20170064568A (ko) | 2008-02-01 | 2017-06-09 | 젠썸 인코포레이티드 | 열전 소자용 응결 센서 및 습도 센서 |
| JP5997899B2 (ja) | 2008-07-18 | 2016-09-28 | ジェンサーム インコーポレイテッドＧｅｎｔｈｅｒｍ Ｉｎｃｏｒｐｏｒａｔｅｄ | 空調されるベッドアセンブリ |
| JP5471526B2 (ja) * | 2010-01-30 | 2014-04-16 | Ｊｆｅスチール株式会社 | 熱電発電装置 |
| CN102297544A (zh) * | 2011-08-26 | 2011-12-28 | 陈志明 | 一种半导体制冷或制热模块及其制作方法 |
| WO2013052823A1 (en) | 2011-10-07 | 2013-04-11 | Gentherm Incorporated | Thermoelectric device controls and methods |
| CN102410657B (zh) * | 2011-10-28 | 2013-12-04 | 杭州澳凌制冷设备有限公司 | 一种半导体致冷器件 |
| US9989267B2 (en) | 2012-02-10 | 2018-06-05 | Gentherm Incorporated | Moisture abatement in heating operation of climate controlled systems |
| DE102012224486A1 (de) * | 2012-12-28 | 2014-04-10 | Behr Gmbh & Co. Kg | Wärmeübertrager |
| CN103398358B (zh) | 2013-06-25 | 2015-10-21 | 陈志明 | 一种低光衰大功率led路灯及其制作方法 |
| JP6193709B2 (ja) * | 2013-09-30 | 2017-09-06 | 日本サーモスタット株式会社 | 熱電変換モジュール |
| US9662962B2 (en) | 2013-11-05 | 2017-05-30 | Gentherm Incorporated | Vehicle headliner assembly for zonal comfort |
| JP6652493B2 (ja) | 2014-02-14 | 2020-02-26 | ジェンサーム インコーポレイテッドＧｅｎｔｈｅｒｍ Ｉｎｃｏｒｐｏｒａｔｅｄ | 伝導性および対流性の温度調節シート |
| GB2531261A (en) | 2014-10-13 | 2016-04-20 | Bae Systems Plc | Optical transmitter |
| GB2531260B (en) * | 2014-10-13 | 2019-08-14 | Bae Systems Plc | Peltier effect heat transfer system |
| US11639816B2 (en) | 2014-11-14 | 2023-05-02 | Gentherm Incorporated | Heating and cooling technologies including temperature regulating pad wrap and technologies with liquid system |
| US11857004B2 (en) | 2014-11-14 | 2024-01-02 | Gentherm Incorporated | Heating and cooling technologies |
| CN107251247B (zh) | 2014-11-14 | 2021-06-01 | 查尔斯·J·柯西 | 加热和冷却技术 |
| JP2017045970A (ja) * | 2015-08-29 | 2017-03-02 | 京セラ株式会社 | 熱電モジュール |
| US20190088847A1 (en) * | 2016-03-22 | 2019-03-21 | Gentherm Incorporated | Distributed thermoelectrics with non-uniform thermal transfer characteristics |
| KR102581613B1 (ko) * | 2016-09-08 | 2023-09-21 | 엘지이노텍 주식회사 | 열전소자 |
| CN107990589A (zh) * | 2017-12-11 | 2018-05-04 | 西华大学 | 一种非常规热电单元 |
| KR102377305B1 (ko) * | 2018-04-04 | 2022-03-22 | 엘지이노텍 주식회사 | 열전소자 |
| US10991869B2 (en) | 2018-07-30 | 2021-04-27 | Gentherm Incorporated | Thermoelectric device having a plurality of sealing materials |
| JPWO2020100749A1 (ja) * | 2018-11-14 | 2021-10-07 | パナソニックＩｐマネジメント株式会社 | 熱電変換モジュール |
| CN113167510A (zh) | 2018-11-30 | 2021-07-23 | 金瑟姆股份公司 | 热电调节系统和方法 |
| US11152557B2 (en) | 2019-02-20 | 2021-10-19 | Gentherm Incorporated | Thermoelectric module with integrated printed circuit board |
| KR102164983B1 (ko) * | 2019-11-08 | 2020-10-13 | 엘지이노텍 주식회사 | 열전소자 |
| KR20210125790A (ko) * | 2020-04-09 | 2021-10-19 | 주식회사 테그웨이 | 열전 모듈 및 이를 포함하는 열전 장치 |
| CN116250387A (zh) * | 2020-09-24 | 2023-06-09 | Lg伊诺特有限公司 | 热电装置 |
| CN117199026A (zh) * | 2023-11-07 | 2023-12-08 | 之江实验室 | 一种散热装置、散热控制方法及装置、电子设备 |
-
1998
- 1998-11-30 JP JP34009198A patent/JP4127437B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2000164945A (ja) | 2000-06-16 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP4127437B2 (ja) | サーモモジュール | |
| US5012325A (en) | Thermoelectric cooling via electrical connections | |
| US5032897A (en) | Integrated thermoelectric cooling | |
| KR100578441B1 (ko) | 파워 전자 장치 | |
| JPS62211941A (ja) | 電力供給用間插板構造体 | |
| US20200136611A1 (en) | High Speed Switching Circuit Configuration | |
| JP2001160632A (ja) | 熱電モジュール | |
| RU2190284C2 (ru) | Двусторонний электронный прибор | |
| JP4013446B2 (ja) | ペルチェモジュールおよびそれを備えた光通信用モジュール | |
| WO2022059250A1 (ja) | 半導体装置 | |
| JP5713526B2 (ja) | 熱電変換モジュールならびに冷却装置、発電装置および温度調節装置 | |
| US7026712B2 (en) | Peltier module with durable power supply lines and exothermic module with built-in cooler | |
| JP4468609B2 (ja) | 半導体装置 | |
| JP3885536B2 (ja) | 熱電装置 | |
| JPH08274228A (ja) | 半導体搭載基板、電力用半導体装置及び電子回路装置 | |
| JP2011086737A (ja) | 熱電変換モジュール | |
| JPH0966689A (ja) | Ｉｃカード | |
| JPH04349686A (ja) | チップキャリア | |
| JP4294965B2 (ja) | 熱電変換モジュール | |
| JPH1065224A (ja) | サーモモジュール | |
| JP4242118B2 (ja) | 熱電変換モジュール | |
| JP2004281451A (ja) | 熱電変換素子 | |
| JPH033262A (ja) | 半導体装置 | |
| JPH0722657A (ja) | サーモモジュール | |
| JP2000349448A (ja) | 回路モジュール、この回路モジュールに用いる多層配線基板、回路部品および半導体パッケージ |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A625 | Written request for application examination (by other person) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A625 Effective date: 20041109 |
|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20070306 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20080205 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20080404 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20080507 |
|
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20080508 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110523 Year of fee payment: 3 |
|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110523 Year of fee payment: 3 |
|
| S533 | Written request for registration of change of name |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313533 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110523 Year of fee payment: 3 |
|
| R360 | Written notification for declining of transfer of rights |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R360 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110523 Year of fee payment: 3 |
|
| R370 | Written measure of declining of transfer procedure |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R370 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110523 Year of fee payment: 3 |
|
| S533 | Written request for registration of change of name |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313533 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110523 Year of fee payment: 3 |
|
| R360 | Written notification for declining of transfer of rights |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R360 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110523 Year of fee payment: 3 |
|
| R370 | Written measure of declining of transfer procedure |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R370 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110523 Year of fee payment: 3 |
|
| S533 | Written request for registration of change of name |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313533 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110523 Year of fee payment: 3 |
|
| R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110523 Year of fee payment: 3 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130523 Year of fee payment: 5 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130523 Year of fee payment: 5 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140523 Year of fee payment: 6 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |