[go: up one dir, main page]
More Web Proxy on the site http://driver.im/

JP3830478B2 - 基板の搬送システム及び基板の搬送方法 - Google Patents

基板の搬送システム及び基板の搬送方法 Download PDF

Info

Publication number
JP3830478B2
JP3830478B2 JP2003330737A JP2003330737A JP3830478B2 JP 3830478 B2 JP3830478 B2 JP 3830478B2 JP 2003330737 A JP2003330737 A JP 2003330737A JP 2003330737 A JP2003330737 A JP 2003330737A JP 3830478 B2 JP3830478 B2 JP 3830478B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
substrate
storage container
door
load lock
lock chamber
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
JP2003330737A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2004007014A (ja
Inventor
亘晃 大矢
守 大久保
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Tokyo Electron Ltd
Original Assignee
Tokyo Electron Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Tokyo Electron Ltd filed Critical Tokyo Electron Ltd
Priority to JP2003330737A priority Critical patent/JP3830478B2/ja
Publication of JP2004007014A publication Critical patent/JP2004007014A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP3830478B2 publication Critical patent/JP3830478B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Images

Landscapes

  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)

Description

本発明は、基板の搬送システム及び基板の搬送方法に関する。
従来の半導体基板製造工程及び液晶基板製造工程では、製造工程をクリーンルーム内に設けることにより塵・コンタミに対する対策を行って来た。最近の半導体や液晶の微細加工すなわち、高密度の集積化は、従来のデザイン・ルール以上の細かなパターン、例えば0.35μm巾のパターンを、基板上にエッチング工程や成膜工程の繰り返しにより形成することで達成され、従来以上にゴミの最小許容サイズの微細化と単位体積あたりの粒子数の許容個数すなわちクリーン度のクラスの縮小化を要求している。
このため、工場に要求されるクリーンルームのクリーン度は、クラス10からクラス1となり、これを達成するクリーンルームの建設・維持は非常に高額となり、これが製品である半導体や液晶基板のコストアップの原因となっていた。これに対し、必要とされるクリーン度、例えばクラス1乃至10を、製造装置内の局所的な部分において達成し、製造装置の置かれる外部環境は、穏やかなクリーン度、例えばクラス1000で運用しようという提案がなされている。
しかし、この為には、製造対象となる基板、例えば半導体ウエハや液晶基板用ガラス板等は、各製造工程における装置間においては、前記穏やかなクリーン度例えばクラス1000中を搬送されねばならず、この間のゴミ対策が求められていた。
これに対し、特許文献1「粒子濾過システムを有する可搬式コンテナ」、特許文献2「一貫した制御を行うためのコンピュータ援助離散移動システム」、特許文献3「シール式の標準インターフェイス装置」、特許文献4「ボックスドア作動式の保持器」、特許文献5「標準機械的インターフェイス装置用マニピュレータ」、特許文献6「ラッチ機構を備えたシール可能且つ輸送可能な容器」、特許文献7「情報を有する物品追跡機能を備えた処理システム」の以上の公報には、処理対象となる基板をカセットに収納して、更にこのカセットと気密なシール機構を持つコンテナ内に収納して、このコンテナ内をクリーン化することで、局所的クリーン化を行った上で、製造装置間を前記コンテナごと搬送し、前記製造装置においては、前記コンテナからカセットごと基板を製造装置内に移し換えて、前記搬送中のゴミ対策、クリーン化の問題を解決する技術が述べられている。
しかしながら、前記公報に述べられたカセットごと基板を製造装置に取り込む方法は、製造装置内に前記カセットを載置しているポッドの底部にあたる載置台を真下に下げて、カセットを取り込む搬送機構や前記カセットのどの位置に基板が収納され、どの位置が空かを検出するインデックサーの機構を、従来の製造装置に付加しなければならないという製造装置のコスト・アップの問題を持っている。更に、真下方向に載置台を移動させるため、この容量分の製造装置に専有床面積の増大をもたらす。
更に、基板処理装置や、基板製造装置が複数の基板を同時に処理室に導入して処理するバッチ式処理方法から、一枚ごとに基板を処理室へ導入して処理する枝葉式処理方法に変わろうとしており、前記カセットごと複数枚、例えば25枚の基板を装置内に取り込んでも、処理は枝葉ごとに行うということで、大部分のカセット内の基板は、待機している時間が長く有効な手法でないという問題がある。
特開平1−222429号公報 特開平3−67304号公報 特表昭61−502994号公報 特表昭63−503259号公報 特表昭63−500691号公報 特表平4−505234号公報 特表平5−50275号公報
本発明の目的は、工程間の基板搬送を局所的にクリーン化して、ゴミ対策を行うとともに、枚葉ごとに処理する処理装置に適した基板の搬送システム及び基板の搬送方法を提供することにある。
上記目的を達成するために本発明は、第1発明として、真空保持され、基板を処理する処理室と、その側方に接続されたロードロック室とを有する基板処理装置において、前記ロードロック室を介して前記処理室に基板を搬送する搬送システムであって、複数の基板を収納して搬送可能な収納容器と、前記収納容器の側壁に設けられた開閉可能な扉と、前記扉と前記収納容器との間を気密にシールし前記収納容器の内外の雰囲気を隔離する気密シールと、前記基板処理装置の前記ロードロック室の前記処理室側とは反対側に隣接して設けられ、前記扉を介して前記収納容器と気密に接続し、前記扉を開いた際に前記基板処理装置と前記収納容器とを連通させる接続手段と、前記接続手段と前記ロードロック室との間に設けられたゲートバルブと、前記接続手段に設けられ、前記収納容器が前記接続手段に接続した状態で、前記気密シールに対して前記扉を移動させて密着させるアームと、前記ロードロック室に設けられ、基板を前記収納容器と前記処理室との間で搬送する搬送手段とを備え、前記収納室が前記接続手段に連結され、前記ゲートバルブおよび前記扉が開いて前記基板処理装置と前記収納容器とが連通した状態で、前記搬送手段により、前記収納容器内の基板を水平状態で枚様ごとに、前記基板処理装置の前記処理室内へ搬送可能となり前記ゲートバルブを閉じ、かつ前記アームにより前記扉を閉じて前記扉前記気密シールに密着させた状態で、前記収納容器が前記基板処理装置から分離可能となることを特徴とする基板の搬送システムを提供する。
第2発明として、前記扉が閉じられた際に前記扉と前記収納容器とをロックして前記収納容器の気密状態を保持するロック機構と、前記ロック機構をオン・オフするロック機構オン・オフ手段とをさらに備えることを特徴とする基板の搬送システムを提供する。
発明として、第1または第2の発明において、前記収納容器への複数の基板の収納は、これらの複数の基板を収納するカセットを、前記収納容器内へ収納することを特徴とする基板の搬送システムを提供する。
発明として、第1から第3発明のいずれかにおいて、前記基板は、半導体ウエハ又は液晶基板であることを特徴とする基板の搬送システムを提供する。
発明として、第1から第4発明のいずれかにおいて、前記収納容器は、N2 ガス又はArガス又はXeガスのいずれかの雰囲気により、大気圧よりも陽圧に設定されていることを特徴とする基板の搬送システムを提供する。
発明として、第1から第4発明のいずれかにおいて、前記収納容器内は、クリーンエアにより、大気圧よりも陽圧に設定されていることを特徴とする基板の搬送システムを提供する。
発明として、第1から第6発明のいずれかにおいて、前記扉の開閉は、前記半導体処理装置からの指令により開閉されることを特徴とする基板の搬送システムを提供する。
発明として、第1から第7発明のいずれかにおいて、前記収納容器内のクリーン度は、搬送中はクラス0.1乃至クラス1に設定されていることを特徴とする基板の搬送システムを提供する。
発明として、第1から第8発明のいずれかにおいて、前記収納容器内と前記基板処理装置のロードロック室とが連通した際には、前記収納容器内のクリーン度は、前記ロードロック室内のクリーン度により決定されることを特徴とする基板の搬送システムを提供する。
10発明として、第発明において、前記連通時のロードロック室内のクリーン度は、クラス1乃至クラス10に設定されていることを特徴とする基板搬送システムを提供する。
11発明として、真空保持され、基板を処理する処理室と、その側方に接続されたロードロック室とを有する基板処理装置において、前記ロードロック室を介して前記処理室に基板を搬送する基板搬送方法であって、気密シールを介して扉が設けられた収納容器内に複数の基板を収納し、前記扉を閉じて前記気密シールにより前記収納容器の内外の雰囲気を隔離した状態で収納容器を搬送する第1の工程と、前記基板処理装置の前記ロードロック室の前記処理室側とは反対側にゲートバルブを介して隣接して設けられた接続手段に前記収納容器を前記扉を介して気密状態で接続する第2の工程と、その状態で前記接続手段に設けられたアームにより前記扉を開き、かつ前記ゲートバルブを開いて、前記収納容器と前記基板処理装置とを連通する第の工程と、前記ロードロック室に設けられた基板搬送手段により前記収納容器内に収納された基板を枚葉ごとに取り出して、前記処理室に搬送する第の工程と、前記処理室において予め定められた処理が行われた後、前記基板搬送手段により処理後の基板を枚葉ごとに前記収納容器に収納する第5の工程と、その後、前記ゲートバルブを閉じるとともに、前記アームにより前記気密シールに対して前記扉を移動させて密着させる第6工程と、前記扉が前記気密シールに密着された状態で前記収納容器を前記基板処理装置から分離して搬送する第7工程とを備えたことを特徴とする基板の搬送方法を提供する。
以上の様に構成された基板の搬送システム及び基板の搬送方法によれば、製造工程間の基板搬送を局所的にクリーン化した収納容器を用いてゴミ対策を行い、製造装置との接続に際しては、製造装置に設けられた基板搬送手段で枝葉ごとに基板を収納容器から取り出すことが出来、製造装置に接続された前記収納容器を前記製造装置の真空排気に際しては、同じ真空排気の空間として連通した基板の収納場所として使用することが出来る。
本発明の基板の搬送システムによれば、各基板処理装置間で基板が搬送される際には、局所的にクリーンな環境を収納容器内に実現して、基板のクリーン度を保つとともに、各基板製造装置に、前記収納容器が接続された際には、前記収納容器側壁から水平方向に枚葉ごとに基板を挿入して処理を行うことが出来る。したがって、各基板処理装置に、複数の基板をカセットごと搬入する機構や、スペースを省略でき、前記収納容器を前記基板製造装置と連通した気密な空間として使用することが出来るので、搬送されて来た前記収納容器内の基板のクリーン度を保ちつつ、前記収納容器を前記基板処理装置のカセット室として機能させる基板の搬送システムを提供できる。
本発明の基板の搬送システム及び基板の搬送方法の一実施例を図面を用いて説明する。本発明の対象となる基板としては、例えば半導体基板製造工程や、半導体検査工程で取り扱われる半導体ウエハや、液晶表示装置の製造工程や検査工程で取り扱われる液晶表示基板がある。これらの基板は、通常シリコン基板に半導体素子や電子回路が形成され製品化されるが、基板の材質としては、シリコン以外にクリスタル、石英、合成石英、ガラス等の透明材質が用いられることもある。更に、半導体を形成することの可能な材質であれば、各種の誘導体、例えばポリイミドを基板として用いることも可能であり、上記の基板の上に酸化膜や窒化膜等の絶縁膜を形成して、半導体素子や電子回路を形成するベースの基板として製造対象とすることができる。
第1図は、本願発明の基板の搬送システムを、一実施例として半導体製造装置に適用した概念図である。最初に、この実施例の構成について説明を行う。
第1図は、全体として半導体製造装置1とこれに接続された状態の収納容器2とから構成されている。半導体製造装置1は、処理室3とロードロック室4とから構成されている。処理室3とロードロック室4は、ゲートバルブ5により連結されている。
ロードロック室4と収納容器2とは、これらの間に設けられたゲードバルブ6からなるクラスターツール構造と、このゲートバルブに連結された接続手段7と、前記収納容器2の側壁面に設けられた扉8とを介して連結可能に設けられている。
次に、以上の構成部分の詳細な構成の説明を行う。半導体製造装置4は、基板に対して、エッチング処理又は成膜処理を行う装置である。処理室3は、気密な処理容器9内により構成され、この容器9内には被処理基板11を載置する載置台10が設けられている。
前記処理容器9は、金属材料例えばアルミニウム又はSiCにより形成され、前記アルミニウムにより形成された内壁は研磨されたのち表面に酸化膜が形成されており、基板11の処理中に前記処理容器9の壁面よりゴミ、特に重金属が処理容器9の内に出て来て、基板11の表面に付着し、基板11に形成される半導体の不良原因となることを防止するように構成されている。更に前記処理容器9は、電気的に接地されている。前記載置台10は、アルミニウムの基台に表面に静電チャックのための絶縁層、例えば石英、ポリイミド樹脂、セラミックスを貼り合わせして、前記基板11を載置する構成となっている。
前記載置台のアルミニウム基台には、高周波電源に、例えば100KHz〜500KHzが、マッチング回路13を介して印加される様に構成されて、下部電極の働きを行う。更に、前記載置台10には、基板11を吸着し保持する静電チャックが設けられている。
この載置台10の載置面に対向してシャワーヘッド14が設けられ、このシャワーヘッドには、前記基板11の処理を行う複数のプロセスガスを供給する複数のガス供給手段15が、それぞれに接続された配管途中の開閉バルブ16を介して接続されている。前記シャワーヘッド14の内部には、前記複数のプロセスガスを混合するバッフル板とミックスチャー室とが設けられている。
更に、このシャワーヘッド14には、導電性材料や半導電性材料、例えばアルミナウム、シリコン等で構成された上部電極が設けられ、外部に設けられた高周波電源17、例えば13.56MHがマッチング回路18を介して供給される様に構成されている。前記処理容器9の底面にはも排気口19が開口され、外部に設けられた排気手段20、例えばロータリーポンプとターボ分子ポンプとの組み合わせにより、前記処理容器9内を数Torr〜1×10-8Torrの所定の真空度に真空排気するように構成されている。
前記シャワーヘッド14を介して、前記下部電極10の上に載置された基板10の被処理面に、プロセスガスが面内均一に供給され、前記上部電極14と前記下部電極10の間に高周波が印加されるとプラズマが生起され、前記基板10を所定のプロセス、例えばエッチングを行う様に構成されている。
以上の様に構成された処理室3と隣接するロードロック室4とは、被処理体の搬入時自動的に開くゲートバルブ5で連結可能に設けられており、次にこのロードロック室4の構成について説明する。
このロードロック室4は気密な構造を有しており、内部には基板11を搬送し、隣接した前記処理室3の前記載置台10上に前記基板11を載置する搬送手段21が設けられている。前記搬送手段21の基板11を保持するアーム22の保持方法には、真空吸着による方法あるいは静電チャックを利用する方法がある。
前記ロードロック室4内の真空度が、例えば1×10-6Torr〜大気圧の真空がある時には、静電チャックが適し、10×10-1Torr〜大気圧力以上であれば、真空吸着をそれぞれ用いることが出来る。前記搬送手段21は、前記ロードロック室4の底部に磁気レールによりシールされ、回転・上下動X軸又はY軸駆動可能な駆動軸をもって外部に設けられた駆動手段23と連結されている。
この駆動手段23の駆動力により、前記搬送手段21は、前進・後退・回転・上下の動きを行うように構成されている。更に、前記ロードロック室4内へは、外部に設けられたガス供給手段24より不活性ガス、例えばN2 、Xe、Ar又はクリーンエアが、開閉バルブ25を介して前記ロードロック室4内に設けられたフィルター26より供給される様に構成されている。
このフィルター26は、ガスのシャワーヘッドと同様の細かな穴を多数開口したものや、更に細かな焼結体に形成された多孔質体を用いることが出来る。焼結体の具体例としては、ガライ状繊維の炭素、SiC等を高温で焼結して構成されたものが用いられる。このフィルター26を、ガス供給口の先端に設ける目的は、不活性ガス又はクリーンエアの供給がフィルターでゆるやかに行われるまので、ロードロック室4内のホコリのまき上げを防止し、前記搬送手段21が搬送中の基板11より発生するコンタミが、ロードロック室4内の底部に積もったものを拡散して、他の基板11の上に落下させるクロスコンタミを防止することにある。更に、このフィルターの先に供給ガスを衝突させるじゃま板を設けることも前記目的を達成するのに有効である。
前記ロードロック室4の底部には、排気口27を介して排気手段28、例えばロータリーポンプが設けられている。この排気手段28により、前記ロードロック室4は、大気圧から所定の真空度、例えば数10Torr〜1×10-5Torrに真空排気される。
更にロードロック室4は、アルミニウムで形成され、内壁は研磨され、酸化膜コーティングされ、壁面からのガス放出や重金属の析出が防止されている。以上の様に構成されたロードロック室4と隣接する接続手段7とは、ゲートバルブ6を介して連通可能に設けられ、前記接続手段7には、前記収納容器2が接続可能に設けられている。
次に、前記接続手段7と前記収納容器2の構成について説明する。前記ロードロック室4の側壁に設けられ、開閉可能なゲートバルブ6には、前記収納容器2に設けられた扉8が接続可能な通路である前記接続手段7が設けられている。この接続手段7には、前記ロードロック室4内に設けられた前記搬送手段7が基板11を保持して搬送可能な空間が通路として設けられている。
前記接続手段7は、気密に構成されており、前記収納容器2が、前記ゲートバルブ6と前記扉8との開口により形成される前記収納容器2内と前記ロードロック室4内とに股がって形成される連通空間を外部から隔離し、気密なクリーン空間を形成する様に構成されている。
前記収納容器2は、気密な構造をしており、内部には、複数の基板を収納可能なカセット29とこのカセット29を保持する保持手段30とが設けられている。前記収納容器2の側壁例えば側壁面には、開閉可能で、閉じた状態で気密な機構を有する前記扉8が設けられている。前記扉8の大きさは、収納されたカセット内の全ウエハを搬出入できる大きさが望ましい。ここでは、収納容器2内に1カセット収納した状態のみ説明しているが、2個でも3個でも4個それ以上でもよい。
前記収納容器2は、前記半導体製造装置1とは切り離して、内部のクリーン度を保って搬送可能な構造となっており、その構造の詳細については後述する。勿論収納容器2内は、この容器2の搬送に際して不活性ガス例えばN2 ,Xe,Arを充満させた常圧状態でもよいし、前記不活性ガスによる真空雰囲気でもよい。
以上の様に構成された基板の搬送システムについて、次にその動作について説明する。複数の基板11を収納したカセット29を内部に保持した収納容器2は、その扉8を閉じて内部のクリーン度を、例えばクラス1に保った状態で、自動搬送ロボットにより搬送されて来て、半導体製造装置1のロードロック室4に隣接して設けられた接続手段7に隣接して載置される。
ロードロック室4内の雰囲気は、排気手段28により真空排気された後、開閉バルブ31は閉じられ、次にガス供給手段24より、N2 ガスが所定の圧力に到着するまで、前記ロードロック室4内に供給される。ゲートバルブ6及び扉8が開口し、前記ロードロック室4と前記収納容器2が連通し、内部が共通のN2 雰囲気とされる。次に、ロードロック室4内の搬送手段21が移動し、前記収納容器2内のカセット29より基板11を取り出し、前記ロードロック室4内へ搬送する。
次に、ゲートバルブ6が閉口し、ロードロック室4内が所定の真空度、例えば1×10-3Torrへ真空排気される。次に、ゲートバルブ5が開口し、前記搬送手段21の保持する基板11は、前記処理室3内の載置台10の上に移載される。
搬送手段21がロードロック室内へ退避した後、ゲートバルブ5は閉口し、前記処理室3内は所定の真空度まで真空排気される。次に、プロセスガスが処理室3内に供給され、高周波電圧が上下電極14、10に印加され、プラズマが生起され、前記基板11に対し所定のプロセスが実行される。
プロセスの終了した処理室3内は、プラズマを停止し、真空排気し、不活性ガス雰囲気に置換された後、ゲートバルブ5を開口して、前記基板11を搬送手段21よりロードロック室4内に搬出する。
更に、ゲートバルブ5を閉じて、ロードロック室内をN2 ガス雰囲気に置換した後、ゲートバルブ6を開けて、前記搬送手段21により前記基板11は、収納容器2内に保持されたカセット29の所定のスロットに戻される。以上の様に基板の搬送システムは動作し、この動作を順次枝葉ごとにカセット29より取り出して繰り返すことで、カセット29内のすべての基板11についての処理を行う。
この一連の処理が終了すると、ゲートバルブ6は閉じられ、半導体製造装置1は気密な状態に戻されるとともに、収納容器2の扉8も閉じられて、前記収納容器2は気密なN2 雰囲気が保たれる。
次に、処理の終了した複数の基板11を収納した前記収納容器2は、図示しない自動搬送ロボットにより保持され、次の工程の半導体製造装置又は半導体検査装置へと搬送されてゆく。
以上の様に動作する基板の搬送システムは、工場内のこの搬送システムの設けられる外部環境であるクリーンルームを、クリーン度がクラス100乃至1000程度の比較的安価な建設コストのクリーンルームとすることが出来、それに対して、前記搬送システムの基板の収納容器内を局所的なクリーン度がクラス0.1乃至1程度の比較的クリーン度の高い内部環境を実現して、基板の搬送中の清浄化を行い、又前記半導体製造装置と前記収納容器との接続に際しては、連通される装置内のクリーン度をクラス1乃至10程度の前記半導体製造装置内のクリーン度に一致させることで、全工程を通して基板を外部環境のゴミ、ホコリ、コンタミから保護して清浄雰囲気に置いて、一連の処理を行うことが出来る。
次に、図2、図3を用いて図1で示した本願発明の搬送システムの一実施例の主要部を説明する。図2は、前記収納容器2の詳細な構造を示す縦断面図である。図1と同じ構成部分については、同一の番号を付与し、説明を省略する。
前記収納容器2の底部には、位置決め凹部50が設けられ、前記収納容器2を図示を省略した自動搬送ロボット(AGV)51の載置手段52に設けられた位置決め凸部53に位置決めされ、搬送中の位置ずれをなくす様に構成されている。同様の位置決め凸部が各半導体製造装置又は半導体検査装置の前記収納容器2の載置位置に設けられ、位置固定されている。
前記収納容器2の上部には、マニアルによるこの収納容器2の搬送が可能な様にアーム54が設けられるとともに、側部には、この収納容器2を他の自動搬送ロボットが挟んで搬送できる様な図示しない凸部が設けられている。
前記収納容器2は、材質がアルミニウム等の金属又は、SiC又はプラスチックにより形成され、気密に構成されており、内部にカセット29を収納可能な空間が設けられ、このカセット29は、側面に設けられた前記扉8を介して、この収納容器2内へ搬送・搬出される。前記カセット29には、複数の基板11が水平に載置されている。この基板の載置方法並びに搬入・搬出装置の好適な例が、特公平4−47976号公報「ウエハ検出装置」に述べられている。前記カセット29の底部には、前記収納容器2内に設けられた保持手段55との位置合わせが可能な位置合わせ手段56が、例えば機械的な凹凸の組み合わせとして設けられ、前記カセットが前記収納容器2内の所定位置に位置決めされるとともに、前記収納容器2の搬送中のカセット29の位置ずれが発生することを防止している。
更に、前記収納容器の側壁には、開閉可能な扉8が、扉の回転中心57を中心に回転可能な様に設けられている。扉8の開口位置Aと扉口位置Bとの間の移動の方法については、詳しく後述する。扉8は、Aの開口位置において、扉8の上部の前記収納容器2の内部側に設けられた永久磁石59(マグネット)と、これに対向した位置に設けられた電磁石60とが、扉8の開口に、気密を維持する時や、搬送時に引き合って錠を掛けるマグネット錠が設けられている。
前記電磁石60は、配線61を介して、前記収納容器2に設けられると共に、搬送される制御システム62により、ON/OFFが制御される様に構成されている。更に、扉8の閉口位置Aでは、シール機構63、例えばゴムのOリングが働き、前記収納容器2内と外部とを隔離し、内部のクリーン度を、例えばクラス1に保つ様に働く様に構成されている。
前記収納容器2の上部には、開口64を有する開閉バルブ65が配管により、前記収納容器2内のフィルター66に接続されている。前記開閉バルブ65は、前記収納容器2内へクリーンエア又は不活性ガスを供給する時に開けられ、その他の時には閉じられる様に、前記制御システム62により制御されている。このクリーンエア又は不活性ガスは、外部にも独立して設けられた気体供給手段67よりバルブ68を介して、開口を有する接続部67へ送られる。この接続部167は、前記開口64に接続可能であり、このクリーンエア又は不活性ガスの前記収納容器2内への供給は、自動搬送ロボット51による搬送に先立って行われる。
次に、前記収納容器2の側面下側には、排気口69を介してバルブ70が接続され、このバルブ70には開口71が設けられている。前記バルブ70は、前記収納容器2内の真空排気を行う時に開けられ、その他の時には閉じられる様に、前記収納容器2に設けられた制御システム62により制御されている。
この真空排気は、外部に独立して設けられた排気手段72により、バルブ73を介して接続された開口を有する排続部74に接続された時、行われる様に構成されている。
以上の様に、収納容器2は構成されている。次に、この収納容器2の動作について説明を行う。複数の未処理の基板11を収納した収納容器2の扉8は閉じられ、気密な状態とされる。前記収納容器の内部は、所定の真空度まで真空引きされた後、クリーンエア又は不活性ガスを導入され、所定の真空度に維持される。排気手段72及び気体供給手段67から切り離された前記収納容器2は、自動搬送ロボット51(AGV)により搬送され、所定の半導体製造装置1に接続される。次に、前記半導体製造装置1のロードロック室との開口、連通、処理のプロセスについては、前述の通りである。
次に、第3図を用いて前記収納容器2と半導体製造装置1のロードロック室4に隣接して設けられた接続手段7との連通の方法と、前記収納容器2に設けられた扉の開閉の方法と、前記収納容器2と外部との光通信の方法について説明を行う。第3図は、前記収納容器2が接続手段7に接続された状態を示す縦断面図である。第1図、第2図と同じ構成部分には、同じ番号を付与し、説明を省略する。
収納容器2は、半導体製造装置1に設けられた上下動可能な載置手段100に、自動半導体ロボット51(AGV)により移載される。前記収納容器2の扉8は、開口位置Aで、接続手段7の開口部に接続され、この接続手段7と、前記収納容器2の側壁とは気密シール101、101、例えばメタル・リングにより気密を保って接続される。前記収納容器2の上部に設けられた制御システム62は、これと対向配置され、前記接続手段7に設けられた情報読み/書き装置102と光に通信を行うことが出来る様に構成されている。
前記制御システム62の詳しい構成については後述する。前記情報読み/書き装置102は、常時光信号を発し、これに応答が制御システム62より光通信として所定の信号コードが返されれば、収納容器2が接続されたとして、前記情報読み/書き装置102に電気的に接続された半導体製造装置の制御システム103に信号を送る構成となっている。この制御システム103は、これに対して扉8の開口信号を、情報読み/書き装置102を介して、光信号として前記制御システム62に伝えると、この制御システム62は、扉8をロックしているマグネットロックでる電磁石60をOFFして、前記扉8を開口可能とする様に構成されている。
更に、接続手段7の底側の壁には、磁気シール手段でシールされ、気密な前記接続手段7をアーム104が容器の内部と外部とを結び付ける形で設けられている。アームは、外部に設けられた駆動機構105により駆動され、回転、上下動される様に構成されている。前記アーム104の前記接続手段7の内部には、フック105が設けられ、前記収納容器2の前記扉8を開口位置Aで挟持して、開口位置Bまで、アーム104の駆動により移動させる様に構成されている。
更に、前記情報読み/書き装置102は、光通信により前記制御システム62内の記憶装置より収納されている基板11に関する情報を入手して、前記半導体製造装置の制御システム103へ伝える。この制御システム103は、前記情報に基づいて、前記ロードロック室4内の前記搬送手段21を制御して、前記カセット2に載置された基板11を枝葉ごとに取り出して、前記処理室3へ搬送する。一連の処理の終了した基板11を収納した収納容器2に対しては、前記半導体製造装置の制御システム103は、情報読み/書き手段102を介して光通信により前記制御システム62に処理の終了を伝達すると、この制御システム62は、前記電磁石60をONする。同時に、前記半導体製造装置の制御システム103は、駆動機構105に信号にする指令を出して、前記アーム104を駆動させて、前記扉8を開口位置Aで移動させて、前記収納容器2を気密な状態とする。
次にフック105が、前記アーム58の挟持を解除し、前記収納容器2を前記接続手段7から切り離し可能とする。次に、前記自動搬送ロボット51(AGV)が、前記収納容器2の側面に設けられた図示しない凸部を挟持して搬送し、次の製造工程又は検査工程へ、前記収納容器2を搬送する。以上の様に、収納容器2は構成され、扉8の開閉と、外部との光通信が行われる。
次に図4を用いて、前記収納容器2に設けられた前記制御システム62について説明を行う。図4は、前記収納容器2の前記制御システム62と半導体製造装置例における、情報読み/書き装置102及び制御システム103のブロックを示す図である。図1、図2、図3と同じ構成部分には、同一の番号を付与して説明を省略する。破線で示す収納容器2に設けられた制御システム62は、演算用CPU、制御用プログラムとデータの記憶されたROM201、読み/書きデータ収納用RAM202、これらの電子回路に常時電源を供給する電源203、光通信制御用(プロトコル)LSI20、このLSIにより光通信モジュール206を駆動するI/O205と、更に前記扉のマグネット錠を開閉している電磁石60をON/OFFするI/O207とにより構成されている。
前記制御システム62に対向配置された半導体製造装置側の情報読み/書き装置102には、光通信モジュール208、これを駆動するI/O209、光通信用LSI(プロトコル)210が設けられている。
以上の様に構成された光通信システムの動作について、次に説明を行う。前記収納容器2に設けられた制御システム62は、外部の情報読み/書き装置102と光通信により非接触で通信を行うので、電気的接続をコネクターの接続等のメカ部分で行う場合に比べて、ホコリ、チリが発生せず、等に重金属のゴミの発生がなく、半導体製造の工程には適している。
又、電子回路のバックアップ電源203を備えているので、常に制御システムを活性化して、アクティブな状態に維持できるので、外部との通信制御に適している。更に、気密な容器の内部の雰囲気を設定する複数のバルブ65、70を、外部からの光通信に基づいてCPU200の指定でI/O211が行うので、自動化に適した構成となっている。
更に、気密な収納容器2内の内部に設けられた扉8の開閉を行うマグネット錠の制御を、電磁石60をON/OFFする制御を、CPU200の板金により行う構成となっているので、外部からの光通信で前記マグネットの開閉を指令することができる。以上の様に光通信システムは動作する。
以上述べて来た実施例によれば、基板を収納して製造装置間を搬送する搬送システムにおいて、局所的なクリーンな空間内に常に基板を置くことが出来、外部の搬送空間をクリーン度の低い低コストなクリーンルームで構成することが可能となる。更に、この基板の搬送システムは、枝葉処理に対応して枝葉ごとに取り出し、取り込みが可能な構成であるので、カセットごと、基板を製造装置へ移載する搬送装置が必要なく、更に、前記カセットを製造装置内に収納する新たな空間を設ける必要がなく、製造装置の専有床面積を小さくしてコストダウンを達成することができる。
更に、本発明の実施例として、製造装置への接続を述べたが、複数の収納容器2を並べて収納するストッカーと、製造装置との間の搬送システムにも適用することができる。更に、収納容器2内の圧力は、製造工程に最適な設定を行うことができ、例えばN2 雰囲気で減圧して予め接続するロードロック室の圧力、例えば1×10-3Torrに一致させて搬送することも可能である。
逆に、N2 雰囲気を大気圧よりも陽圧に設定して、大気の前記収納容器2内への混入を防止、ロードロック室との接続に先立ってこの収納容器2を減圧して、大気圧により近づけた後、ロードロック室と連通することも可能である。更に、N2 ガスの外に、プロセスに最適な、例えばCO2 ガス、Xeガス、Arガス等の所望のガス雰囲気に、前記収納容器を設定し、搬送中の基板表面に形成された膜質の管理、反応促進を行うことも可能である。
本願発明の一実施例である基板の搬送システムの概念図である。 本願発明の一実施例である基板の搬送システムの主要部を示す縦断面図である。 本願発明の一実施例である基板の搬送システムの主要部を示す縦断面図である。 本願発明の一実施例である基板の搬送システムの光通信に関するブロック図である。
符号の説明
1 半導体製造装置
2 収納容器
3 処理室
4 ロードロック室
7 接続手段
8 扉
11 基板
29 カセット
60 電磁石
62 制御システム
63 シール機構
101 気密シール

Claims (11)

  1. 真空保持され、基板を処理する処理室と、その側方に接続されたロードロック室とを有する基板処理装置において、前記ロードロック室を介して前記処理室に基板を搬送する搬送システムであって、
    複数の基板を収納して搬送可能な収納容器と、
    前記収納容器の側壁に設けられた開閉可能な扉と、
    前記扉と前記収納容器との間を気密にシールし前記収納容器の内外の雰囲気を隔離する気密シールと、
    前記基板処理装置の前記ロードロック室の前記処理室側とは反対側に隣接して設けられ、前記扉を介して前記収納容器と気密に接続し、前記扉を開いた際に前記基板処理装置と前記収納容器とを連通させる接続手段と、
    前記接続手段と前記ロードロック室との間に設けられたゲートバルブと、
    前記接続手段に設けられ、前記収納容器が前記接続手段に接続した状態で、前記気密シールに対して前記扉を移動させて密着させるアームと、
    前記ロードロック室に設けられ、基板を前記収納容器と前記処理室との間で搬送する搬送手段
    を備え、
    前記収納室が前記接続手段に連結され、前記ゲートバルブおよび前記扉が開いて前記基板処理装置と前記収納容器とが連通した状態で、前記搬送手段により、前記収納容器内の基板を水平状態で枚様ごとに、前記基板処理装置の前記処理室内へ搬送可能となり前記ゲートバルブを閉じ、かつ前記アームにより前記扉を閉じて前記扉前記気密シールに密着させた状態で、前記収納容器が前記基板処理装置から分離可能となることを特徴とする基板の搬送システム。
  2. 前記扉が閉じられた際に前記扉と前記収納容器とをロックして前記収納容器の気密状態を保持するロック機構と、前記ロック機構をオン・オフするロック機構オン・オフ手段とをさらに備えることを特徴とする請求項1に記載の基板の搬送システム。
  3. 前記収納容器への複数の基板の収納は、これらの複数の基板を収納するカセットを、前記収納容器内へ収納することを特徴とする請求項1または請求項2に記載の基板の搬送システム。
  4. 前記基板は、半導体ウエハ又は液晶基板であることを特徴とする請求項1から請求項3のいずれか1項に記載の基板の搬送システム。
  5. 前記収納容器は、N2ガス又はArガス又はXeガスのいずれかの雰囲気により、大気圧よりも陽圧に設定されていることを特徴とする請求項1から請求項4のいずれか1項に記載の基板の搬送システム。
  6. 前記収納容器内は、クリーンエアにより、大気圧よりも陽圧に設定されていることを特徴とする請求項1から請求項4のいずれか1項に記載の基板の搬送システム。
  7. 前記扉の開閉は、前記半導体処理装置からの指令により開閉されることを特徴とする請求項1から請求項6のいずれか1項に記載の基板の搬送システム。
  8. 前記収納容器内のクリーン度は、前記収納容器の搬送中はクラス0.1乃至クラス1に設定されていることを特徴とする請求項1から請求項7のいずれか1項に記載の基板の搬送システム。
  9. 前記収納容器内と前記基板処理装置のロードロック室とが連通した際には、前記収納容器内のクリーン度は、前記ロードロック室内のクリーン度により決定されることを特徴とする請求項1から請求項8のいずれか1項に記載の基板の搬送システム。
  10. 前記連通時のロードロック室内のクリーン度は、クラス1乃至クラス10に設定されていることを特徴とする請求項に記載の基板の搬送システム。
  11. 真空保持され、基板を処理する処理室と、その側方に接続されたロードロック室とを有する基板処理装置において、前記ロードロック室を介して前記処理室に基板を搬送する基板搬送方法であって、
    気密シールを介して扉が設けられた収納容器内に複数の基板を収納し、前記扉を閉じて前記気密シールにより前記収納容器の内外の雰囲気を隔離した状態で収納容器を搬送する第1の工程と、
    前記基板処理装置の前記ロードロック室の前記処理室側とは反対側にゲートバルブを介して隣接して設けられた接続手段に前記収納容器を前記扉を介して気密状態で接続する第2の工程と
    その状態で前記接続手段に設けられたアームにより前記扉を開き、かつ前記ゲートバルブを開いて、前記収納容器と前記基板処理装置とを連通する第の工程と、
    前記ロードロック室に設けられた基板搬送手段により前記収納容器内に収納された基板を枚葉ごとに取り出して、前記処理室に搬送する第の工程と、
    前記処理室において予め定められた処理が行われた後、前記基板搬送手段により処理後の基板を枚葉ごとに前記収納容器に収納する第5の工程と、
    その後、前記ゲートバルブを閉じるとともに、前記アームにより前記気密シールに対して前記扉を移動させて密着させる第6工程と、
    前記扉が前記気密シールに密着された状態で前記収納容器を前記基板処理装置から分離して搬送する第7工程と
    を備えたことを特徴とする基板の搬送方法。
JP2003330737A 2003-09-22 2003-09-22 基板の搬送システム及び基板の搬送方法 Expired - Fee Related JP3830478B2 (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2003330737A JP3830478B2 (ja) 2003-09-22 2003-09-22 基板の搬送システム及び基板の搬送方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2003330737A JP3830478B2 (ja) 2003-09-22 2003-09-22 基板の搬送システム及び基板の搬送方法

Related Parent Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP34797093A Division JPH07183354A (ja) 1993-12-24 1993-12-24 基板の搬送システム及び基板の搬送方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2004007014A JP2004007014A (ja) 2004-01-08
JP3830478B2 true JP3830478B2 (ja) 2006-10-04

Family

ID=30439100

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2003330737A Expired - Fee Related JP3830478B2 (ja) 2003-09-22 2003-09-22 基板の搬送システム及び基板の搬送方法

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP3830478B2 (ja)

Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4744175B2 (ja) * 2005-03-31 2011-08-10 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置
US8353986B2 (en) 2005-03-31 2013-01-15 Tokyo Electron Limited Substrate processing apparatus
JP4123249B2 (ja) 2005-06-20 2008-07-23 日新イオン機器株式会社 真空処理装置およびその運転方法

Also Published As

Publication number Publication date
JP2004007014A (ja) 2004-01-08

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI688034B (zh) 裝載埠及裝載埠的氣氛置換方法
JP3880343B2 (ja) ロードポート、基板処理装置および雰囲気置換方法
KR100785871B1 (ko) 기판 이송 장치 및 기판 이송 방법
US5752796A (en) Vacuum integrated SMIF system
US11107722B2 (en) Thin-plate substrate holding finger and transfer robot provided with said finger
US11227784B2 (en) Thin plate substrate-holding device and transfer robot provided with this holding device
JP3955724B2 (ja) 半導体集積回路装置の製造方法
US6120229A (en) Substrate carrier as batchloader
JP2000286319A (ja) 基板搬送方法および半導体製造装置
JPH07183354A (ja) 基板の搬送システム及び基板の搬送方法
US20210327737A1 (en) Transport device having local purge function
JP3236724B2 (ja) 真空処理装置
JP3830478B2 (ja) 基板の搬送システム及び基板の搬送方法
EP0626724B1 (en) System for transferring wafer
KR20020071467A (ko) 기판 처리 장치
JP3662154B2 (ja) 基板処理システム
JP3160691B2 (ja) 処理装置
JPH06349931A (ja) 処理システム
JP2767142B2 (ja) 真空処理装置用ユニット
JP2003174072A (ja) 基板移載装置及び基板移載方法
JP2005347667A (ja) 半導体製造装置
JP2002353290A (ja) カセット搬送方法及びカセット搬送システム
JP2006261699A (ja) 半導体集積回路装置の製造方法
JPH03135021A (ja) 処理装置

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20031021

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20050111

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20050301

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20050502

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20051018

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20051219

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20060627

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20060711

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120721

Year of fee payment: 6

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees