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JP3863729B2 - 表示装置 - Google Patents

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JP3863729B2
JP3863729B2 JP2001095258A JP2001095258A JP3863729B2 JP 3863729 B2 JP3863729 B2 JP 3863729B2 JP 2001095258 A JP2001095258 A JP 2001095258A JP 2001095258 A JP2001095258 A JP 2001095258A JP 3863729 B2 JP3863729 B2 JP 3863729B2
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みちる 千田
良一 横山
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Sanyo Electric Co Ltd
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Description

【0001】
【発明の属する技術分野】
本発明は表示装置に関し、特に携帯可能な表示装置に用いて好適な表示装置に関する。
【0002】
【従来の技術】
近年、携帯可能な表示装置、例えば携帯テレビ、携帯電話等が市場ニーズとして要求されている。かかる要求に応じて表示装置の小型化、軽量化、省消費電力化に対応すべく研究開発が盛んに行われている。
【0003】
図6に従来例に係る液晶表示装置の一表示画素の回路構成図を示す。絶縁性基板(不図示)上に、ゲート信号線51、ドレイン信号線61とが交差して形成されており、その交差部近傍に両信号線51、61に接続された画素選択薄膜トランジスタ72が設けられている。以下、薄膜トランジスタをTFTと略す。画素選択TFT72のソース11sは液晶21の表示電極80に接続されている。
【0004】
また、表示電極80の電圧を1フィールド期間、保持するための補助容量85が設けられており、この補助容量85の一方の端子86は画素選択TFT72のソース11sに接続され、他方の電極87には各表示画素に共通の電位が印加されている。
【0005】
ここで、ゲート信号線51に走査信号(Hレベル)が印加されると、画素選択TFT72はオン状態となり、ドレイン信号線61からアナログ映像信号が表示電極80に伝達されると共に、補助容量85に保持される。表示電極80に印加された映像信号電圧が液晶21に印加され、その電圧に応じて液晶21が配向することにより液晶表示を得ることができる。
【0006】
したがって、動画像、静止画像に関係なく液晶表示を行うことができる。かかる液晶表示装置に静止画像を表示する場合は、例えば携帯電話の液晶表示部の一部に携帯電話を駆動するためのバッテリの残量表示として、乾電池の画像を表示する。
【0007】
しかしながら、上述した構成の液晶表示装置においては、静止画像を表示する場合であっても、動画像を表示する場合と同様に、走査信号で画素選択TFT72をオン状態にして、映像信号を各表示画素に再書き込みする必要が生じていた。
【0008】
そのため、走査信号及び映像信号等の駆動信号を発生するためのドライバ回路、及びドライバ回路の動作タイミングを制御するための各種信号を発生する外部LSIは常時動作するため、常に大きな電力を消費していた。このため、限られた電源しか備えていない携帯電話等では、その使用可能時間が短くなるという欠点があった。
【0009】
これに対して、各表示画素にスタティック型メモリを備えた液晶表示装置が特開平8−194205号に開示されている。同公報の一部を引用して説明すると、この液晶表示装置は、図7に示すように、2段インバータINV1,INV2を正帰還させた形のメモリ、即ちスタティック型メモリをデジタル映像信号の保持回路として用いることにより、消費電力を低減するものである。
【0010】
ここで、スタティック型メモリに保持された2値デジタル映像信号に応じて、スイッチ素子24は参照線Vrefと表示電極80との間の抵抗値を制御し、液晶21のバイアス状態を調整している。一方、共通電極には交流信号Vcomを入力する。本装置は理想上、静止画像のように表示画像に変化がなければ、メモリへのリフレッシュは不要である。
【0011】
【発明が解決しようとする課題】
上述したように、デジタル映像信号を保持するための保持回路(スタティック型メモリ)を備えた液晶表示装置では、低階調度の静止画像を表示すると共に、消費電力を低減するのに適している。
【0012】
しかしながら、上述した構成の液晶表示装置は以下の問題点を有していた。この問題点について図8を参照しながら説明する。いま、画素選択TFT72のソース11sが「L(ロウ)」レベルであり、インバータINV1の出力ノードに「H(ハイ)」レベルが保持されているとする。
【0013】
この保持状態から、外部回路よりドレイン信号線61に「H」を出力し、スタティック型メモリに「H」の書き込みを行う場合、インバータINV2のNチャネル型TFTがオンしているので、図8(a)の破線で示すように、ドレイン信号線61→画素選択TFT72→Nチャネル型TFTの経路で電流が流れる。つまり、「H」レベルと「L」レベルの引っ張り合いが起こり、「H」の低下により誤書き込みが生じるおそれがある。「H」のデータを正常に書き込むためには、画素選択TFT72のソース11sの電位がインバータINV1のしきい値電圧より高いという条件を満足しなければならないが、上記の電流経路が存在するために画素選択TFT72のソース11sが低下することによりこの条件を満足しないおそれがある。
【0014】
同様の問題は、INV1の出力ノードに「L」レベルが保持されている場合も生じる(図8(b)を参照)。この保持状態から、外部回路よりドレイン信号線61に「L」を出力し、スタティック型メモリに「L」の書き込みを行う場合、インバータINV2のPチャネル型TFTがオンしているので、図の破線で示すように、Pチャネル型TFT→画素選択TFT72→ドレイン信号線61の経路で電流が流れる。「L」のデータを正常に書き込むためには、画素選択TFT72のソース11sの電位がインバータINV1のしきい値電圧より低いという条件を満足しなければならないが、上記の電流経路が存在するために画素選択TFT72のソース11sが上昇することによりこの条件を満足しないおそれがある。
【0015】
しかしながら、従来、保持回路の第1及び第2のインバータ回路を構成するPチャネル型TFT及びNチャネル型TFTのサイズL、W(Lはチャネル長、Wはチャネル長)は同一に設計され(例えば、L/W=12/2)ていたため、第1及び第2のインバータ回路のしきい値は同じであった。
【0016】
このため、低い電源電圧VDD下で保持回路110に映像信号データを書き込む場合、Pチャネル型TFTのようにしきい値Vthやオン電流Ion等の特性がばらつくデバイスを用いると、上述した書き込みの条件を満たせず、書き込みが行えなかったり、書き込み時間が長くなるという不具合を生じていた。
【0017】
そこで、本発明は上述した従来技術の課題に鑑みて為されたものであり、表示画素内に設けられ、映像信号データを保持する保持回路への書き込みを円滑に行えるようにすることを目的とする。
【0018】
【課題を解決するための手段】
本願に開示される発明のうち、主なものは以下の通りである。
【0019】
本発明の表示装置は、基板上の一方向に配置された複数のゲート信号線と、ゲート線と交差する方向に配置された複数のドレイン信号線と、ゲート信号線からの走査信号により表示画素を選択する画素選択トランジスタと、表示画素内に配置され、画素選択トランジスタを通してドレイン信号線から入力される映像信号を保持する保持回路とを備え、保持回路に保持された映像信号に応じて表示を行う表示装置であって、保持回路はドレイン信号線からの映像信号が入力される第1のインバータ回路と、第1のインバータ回路の出力を入力に正帰還する第2のインバータ回路と、から成り、第1のインバータ回路のしきい値VT1を前記第2のインバータ回路のしきい値VT2より小さく設定した。
【0020】
いま、第1のインバータ回路の出力ノードに「H」レベルが保持されており、ドレイン信号線から保持回路に「H」の書き込みを行う場合を考えると、前述したように、「H」レベルと「L」レベルの引っ張り合いが起こり、第1のインバータ回路の入力電位が低下するが、本発明によれば、第1のインバータ回路のしきい値VT1は第2のインバータ回路2のしきい値VT2に比して低く設定されているので、保持回路の保持ループがすみやかに形成され、映像信号データの書き込みを高速にかつ確実に行うことができる。
【0021】
また、本発明の好ましい実施態様は次のとおりである。
【0022】
(A)第1及び第2のインバータ回路はCMOS型インバータ回路であって、第1のインバータ回路のPチャネル型トランジスタのL/W(Lはチャネル長、Wはチャネル幅)を第2のインバータ回路のPチャネル型トランジスタのL/W(Lはチャネル長、Wはチャネル幅)より大きくした。
【0023】
(B)第1及び第2のインバータ回路はCMOS型インバータ回路であって、第1のインバータ回路のNチャネル型トランジスタのL/W(Lはチャネル長、Wはチャネル幅)を第2のインバータ回路のNチャネル型トランジスタのL/W(Lはチャネル長、Wはチャネル幅)より小さくした。
【0024】
【発明の実施の形態】
本発明の第1の実施形態に係る表示装置について図1の回路構成図を参照しながら説明する。本実施形態は液晶表示装置に応用した場合に対応する。
【0025】
絶縁性基板(不図示)上に、ゲート信号線51、ドレイン信号線61とが交差して形成されており、その交差部近傍に両信号線51、61に接続された画素選択薄膜TFT72が設けられている。
【0026】
保持回路110は、正帰還ループを構成する第1及び第2のインバータ回路INV1,INV2から成る。第1のインバータ回路INV1の入力には、画素選択TFT72のソース11sが接続され、その出力は第2のインバータ回路INV2に入力されている。そして第2のインバータ回路INV2の出力は、第1のインバータ回路INV1の入力に接続されている。
【0027】
第1のインバータ回路INV1は、CMOS型インバータ回路であって、電源電圧VDDと接地電圧VSSの間に縦列に接続されたPチャネル型のTFTQP1とNチャネル型のTFTQN1から成る。第2のインバータ回路INV2は、同様にCMOS型インバータ回路であって、電源電圧VDDと接地電圧VSSの間に縦列に接続されたPチャネル型のTFTQP2とNチャネル型のTFTQN2から成る。
【0028】
本実施形態によれば、デジタル映像信号を保持する保持回路110への書き込みを円滑に行えるようにするため、以下の構成を採用した。
【0029】
第1の構成は、第1のインバータ回路INV1のしきい値VT1は前記第2のインバータ回路INV2のしきい値VT2より小さく設定されている。そのようなしきい値の設定を行うために、第1のインバータ回路INV1のPチャネル型TFTQP1のL/W(例えば、L/W=12μm/2μm)を第2のインバータ回路INV2のPチャネル型TFTQP2のL/W(例えば、L/W=10μm/2μm)より大きくした。また、第1のインバータ回路INV1のNチャネル型TFTQN1のL/W(例えば、L/W=10μm/5μm)を第2のインバータ回路INV2のNチャネル型TFTQN2のL/W(例えば、L/W=12μm/2μm)より小さくした。
【0030】
いま、第1のインバータ回路INV1の出力ノードに「H」レベルが保持されており、ドレイン信号線61から保持回路110に「H」の書き込みを行う場合を考えると、前述したように、「H」レベルと「L」レベルの引っ張り合いが起こり、第1のインバータ回路INV1の入力電位が低下するが、第1のインバータ回路INV1のしきい値VT1は低く設定されているので、保持回路110に供給される電源電圧VDDが低くても、入力電位がVT1より高いという書き込み条件を満足しやすい。
【0031】
これにより第1のインバータ回路INV1の出力は「H」から「L」にすみやかに反転する。また、第2のインバータ回路INV2のしきい値VT2は相対的に高く設定されているので、第1のインバータ回路INV1の出力が「H」から「L」に反転するのを受けて、第2のインバータ回路INV2の出力は「L」から「H」に反転しやすくなる。こうして、保持回路110の新たな保持ループがすみやかに形成されるので、映像信号データの書き込みを高速にかつ確実に行うことができる。
【0032】
画素選択TFT72がNチャネル型である場合、ドレイン信号線61から「H」のデジタル映像信号を書き込む際に、画素選択TFT72のしきい値Vtn分の電圧ロスが生じるため、書き込み条件は厳しくなり、上述した構成は特に有効である。また、反対に、第1のインバータ回路INV1の出力ノードに「L」レベルが保持されており、ドレイン信号線61から保持回路110に「L」の書き込みを行う場合には、そのような電圧ロスは生じない。したがって、第1のインバータ回路INV1のしきい値VT1を低く設定した場合の弊害は生じない。
【0033】
第2の構成は、第2のインバータ回路INV2の出力抵抗は画素選択TFT72のオン抵抗より大きく設定されており、後述するようにドレイン信号線61からの映像信号データに応じて第1のインバータ回路INV1が反転動作可能に構成されている。
【0034】
具体的には、第2のインバータ回路INV2のNチャネル型TFTQN2のオン抵抗を画素選択TFT72のオン抵抗より大きく設定されている。そのようなオン抵抗の設定のためには、例えば、Nチャネル型TFTQN2のL/W(Lはチャネル長、Wはチャネル幅)は、画素選択TFT72のL/Wより大きくすればよい。
【0035】
第1のインバータ回路の出力ノードに「H」レベルが保持されており、ドレイン信号線から「H」レベルのデジタル映像信号が入力された場合、ドレイン信号線61からNチャネル型TFTQN2への電流経路が生じるが、かかる構成によれば、第1のインバータ回路INV1の入力電位である、画素選択TFT72のソース11sの電位が、第1のインバータ回路INV1のしきい値電圧以上となるように、オン抵抗の設定がされるので、かかるデジタル映像信号は正確に書き込まれ、かつ保持される。
【0036】
また同様に、第2のインバータ回路INV2のPチャネル型TFTQP2のオン抵抗は、画素選択TFT72のオン抵抗より大きく設定されている。そのようなオン抵抗の設定のためには、例えば、Pチャネル型TFTQP2のL/W(Lはチャネル長、Wはチャネル幅)は、画素選択TFT72のL/Wより大きくすればよい。
【0037】
第1のインバータ回路INV1の出力ノードに「L」レベルが保持されており、ドレイン信号線61から「L」レベルのデジタル映像信号が入力される場合、第2のインバータ回路INV2のPチャネル型TFTQP2からドレイン信号線への電流経路が生じるが、かかる構成によれば、第1のインバータ回路INV1の入力電位である、画素選択TFT72のソース11sの電位が、第1のインバータ回路INV1のしきい値電圧以下となるように、オン抵抗の設定がされるので、かかる映像信号は正確に書き込まれ、かつ保持される。
【0038】
保持回路110に保持された2値のデジタル映像信号は、相補的な出力信号D,*Dとして、信号選択回路120の信号選択TFT121,122のゲートに印加されている。信号選択回路120は出力信号D,*Dに応じて信号A,信号Bのいずれかを選択して液晶21の表示電極に印加する。信号選択TFT121,122はNチャネル型TFTである。
【0039】
次に、上述した構成の装置の動作を説明する。ゲート信号線51からの走査信号Gが「H」に立ち上がり、画素選択TFT72がオンする。そして、ドレイン信号線61からのデジタル映像信号が画素選択TFT72を介して保持回路110に書き込まれる。ここで、ドレイン信号線61からのデジタル映像信号を切り換える時に、レベルの引っ張り合いが起こっても、上述した構成により誤書き込みが防止される。
【0040】
次に、本発明の第2の実施形態に係る表示装置について図2、図3を参照しながら説明する。本実施形態は液晶表示装置に応用した場合に対応する。図2は、一表示画素200の構成を示す回路図であり、図3はこの表示画素200を含む表示装置の全体回路図である。本表示装置は、アナログ映像信号に応じた表示(フルカラーの動画像)を行うアナログ表示モードと、保持回路110で保持したデジタル映像信号に応じた表示(静止画像)を行うデジタル表示モードとを選択可能な液晶表示装置である。
【0041】
絶縁基板10(不図示)上に、走査信号を供給するゲートドライバ50に接続された複数のゲート信号線51が一方向に配置されており、これらのゲート信号線51と交差する方向に複数のドレイン信号線61が配置されている。
【0042】
ドレイン信号線61には、ドレインドライバ60から出力されるサンプリングパルスのタイミングに応じて、サンプリングトランジスタSP1,SP2,…,SPnがオンし、データ信号線62のデータ信号(アナログ映像信号又はデジタル映像信号)が供給される。
【0043】
液晶表示パネル100は、ゲート信号線51からの走査信号により選択されると共に、ドレイン信号線61からのデータ信号が供給される複数の表示画素200がマトリックス状に配置されて構成されている。
【0044】
以下、表示画素200の詳細な構成について説明する。ゲート信号線51とドレイン信号線61の交差部近傍には、Pチャネル型TFT41及びNチャネル型42から成る回路選択回路40が設けられている。TFT41,42の両ドレインはドレイン信号線61に接続されると共に、それらの両ゲートは回路選択信号線88に接続されている。TFT41,42は、回路選択信号線88からの選択信号に応じていづれか一方がオンする。また、後述するように回路選択回路40と対を成して、回路選択回路43が設けられている。
【0045】
これにより、後述するアナログ表示モード(フルカラー動画像対応)とデジタル表示モード(低消費電力、静止画像対応)とを選択して切換えることが可能となる。また、回路選択回路40に隣接して、Nチャネル型TFT71及びNチャネル型TFT72から成る画素選択回路70が配置されている。画素選択TFT71,72はそれぞれ回路選択回路40の回路選択TFT41,42と縦列に接続されると共に、それらの両ゲートにはゲート信号線51が接続されている。TFT71,72はゲート信号線51からの走査信号に応じて両方が同時にオンするように構成されている。
【0046】
また、アナログ映像信号を保持するための補助容量85が設けられている。補助容量85の一方の電極86はTFT71のソース71sに接続されている。他方の電極87は共通の補助容量線SCLに接続され、バイアス電圧Vscが供給されている。TFT70のゲートが開いてアナログ映像信号が液晶21に印加されると、その信号は1フィールド期間保持されなければならないが、液晶21のみではその信号の電圧は時間経過とともに次第に低下してしまう。そうすると、表示むらとして現れてしまい良好な表示が得られなくなる。そこで、その電圧を1フィールド期間保持するために補助容量85を設けている。
【0047】
この補助容量85と液晶21との間には、回路選択回路43のPチャネル型TFT44が設けられ、回路選択回路43のTFT41と同時にオンオフするように構成されている。また、画素選択回路70のTFT72と液晶21の表示電極80との間には、保持回路110、信号選択回路120が設けられている。
【0048】
保持回路110は、図2に示したように、正帰還ループを構成する第1及び第2のインバータ回路INV1,INV2から成る。第1のインバータ回路INV1の入力には、画素選択TFT72のソース11sが接続され、その出力は第2のインバータ回路INV2に入力されている。そして第2のインバータ回路INV2の出力は、第1のインバータ回路INV1の入力に接続されている。
【0049】
デジタル表示モードにおいては、回路選択信号線88の電位が「H」となり、かつゲート信号線51の走査信号が「H」となると、保持回路110は書き込み可能となる。
【0050】
デジタル映像信号を保持する保持回路110への書き込みを円滑に行えるようにするため、第1の実施形態と同様な以下の構成を採用した。第1の構成は、第1のインバータ回路INV1のしきい値VT1は前記第2のインバータ回路INV2のしきい値VT2より小さく設定されている。詳細な構成については第1の実施形態と同様なので説明を省略する。
【0051】
また第2の構成は、第2のインバータ回路INV2の出力抵抗は画素選択TFT72のオン抵抗より大きく設定されており、後述するようにドレイン信号線61からのデジタル映像信号に応じて第1のインバータ回路INV1が反転動作可能に構成されている。
【0052】
具体的には、第2のインバータ回路INV2のNチャネル型TFTQN2のオン抵抗を画素選択TFT72及び回路選択TFT42の合成オン抵抗より大きく設定されている。そのようなオン抵抗の設定のためには、例えば、Nチャネル型TFTQN2のL/W(Lはチャネル長、Wはチャネル幅)は、画素選択TFT72のL/Wと回路選択TFT42のL/Wの和よりより大きくすればよい。
【0053】
第1のインバータ回路の出力ノードに「H」レベルが保持されており、ドレイン信号線から「H」レベルのデジタル映像信号が入力された場合、ドレイン信号線61から、画素選択TFT72及び回路選択TFT42を経由して、Nチャネル型TFTQN2への電流経路が生じるが、かかる構成によれば、第1のインバータ回路INV1の入力電位が、第1のインバータ回路INV1のしきい値電圧以上となるように、オン抵抗の設定がされるので、かかるデジタル映像信号は正確に書き込まれ、かつ保持される。
【0054】
また同様に、第2のインバータ回路INV2のPチャネル型TFTQP2のオン抵抗は、画素選択TFT72と回路選択TFT42の合成オン抵抗より大きく設定されている。そのようなオン抵抗の設定のためには、例えば、Pチャネル型TFTQP2のL/W(Lはチャネル長、Wはチャネル幅)は、画素選択TFT72のL/Wと回路選択TFT42のL/Wより大きくすればよい。
【0055】
第1のインバータ回路INV1の出力ノードに「L」レベルが保持されており、ドレイン信号線61から「L」レベルのデジタル映像信号が入力される場合、第2のインバータ回路INV2のPチャネル型TFTから、画素選択TFT72及び回路選択TFT42を経由して、ドレイン信号線への電流経路が生じるが、かかる構成によれば、第1のインバータ回路INV1の入力電位が、第1のインバータ回路INV1のしきい値電圧以下となるように、オン抵抗の設定がされるので、かかる映像信号は正確に書き込まれ、かつ保持される。
【0056】
信号選択回路120は、保持回路110に保持されたデジタル映像信号に応じて信号を選択する回路であって、2つのNチャネル型TFT121、122で構成されている。TFT121、122のゲートには保持回路110からの相補的な出力信号がそれぞれ印加されているので、TFT121、122は相補的にオンオフする。
【0057】
ここで、TFT122がオンすると交流駆動信号(信号B)が選択され、TFT121がオンするとその対向電極信号VCOM(信号A)が選択され、回路選択回路43のTFT45を介して、液晶21に電圧を印加する表示電極80に供給される。
【0058】
次に、表示画素200の周辺回路について説明すると、表示画素200の絶縁性基板10とは別基板の外付け回路基板90には、ドライバスキャン用LSI91が設けられている。この外付け回路基板90のドライバスキャン用LSI91から垂直スタート信号STVがゲートドライバ50に入力され、水平スタート信号STHがドレインドライバ60に入力される。また映像信号がデータ線62に入力される。
【0059】
次に、図2乃至図4を参照しながら、上述した構成の表示装置の駆動方法について説明する。図4は、液晶表示装置がデジタル表示モードに選択された場合のタイミング図である。
(1)アナログ表示モードの場合
モード切換信号MDに応じて、アナログ表示モードが選択されると、データ信号線62にアナログ映像信号が出力される状態に設定されると共に、回路選択信号線88が「L」となり、回路選択回路40,43のTFT41,44がオンする。
【0060】
また、水平スタート信号STHに基づくサンプリング信号に応じてサンプリングトランジスタSPがオンしデータ信号線62のアナログ映像信号がドレイン信号線61に供給される。
【0061】
また、垂直スタート信号STVに基づいて、走査信号がゲート信号線51に供給される。走査信号に応じて、TFT71がオンすると、ドレイン信号線61からアナログ映像信号Sigが表示電極80に伝達されると共に、補助容量85に保持される。表示電極80に印加された映像信号電圧が液晶21に印加され、その電圧に応じて液晶21が配向することにより液晶表示を得ることができる。
【0062】
このアナログ表示モードでは、フルカラーの動画像を表示するのに好適である。ただし、外付け回路基板90のLSI91、各ドライバ50,60にはそれらを駆動するために、絶えず電力が消費されている。
(2)デジタル表示モード
モード切換信号MDに応じて、デジタル表示モードが選択されると、データ信号線62にデジタル映像信号が出力される状態に設定されると共に、回路選択信号線88の電位が「H」となり、保持回路110が動作可能な状態になる。また、回路選択回路40,43のTFT41,44がオフすると共に、TFT42,45がオンする。
【0063】
また、外付け回路基板90のドライバスキャン用LSI91から、ゲートドライバ50及びドレインドライバ60にスタート信号STV,STHがそれぞれ入力される。それに応じてサンプリング信号が順次発生し、それぞれのサンプリング信号に応じてサンプリングトランジスタSP1,SP2,…,SPnが順にオンしてデジタル映像信号Sigをサンプリングして各ドレイン信号線61に供給する。
【0064】
ここで第1行、即ち走査信号G1が印加されるゲート信号線51について説明する。まず、走査信号G1によってゲート信号線51に接続された各表示画素P11、P12、…P1nの各TFTが1水平走査期間オンする。
【0065】
第1行第1列の表示画素P11に注目すると、サンプリング信号SP1によってサンプリングしたデジタル映像信号S11がドレイン信号線61に入力される。そして走査信号G1が「H」になり、TFT70がオン状態になっているため、そのドレイン信号D1が保持回路110に書き込まれる。
【0066】
この書き込み時には、データを書き換える場合に、レベル引っ張り合いが起こるが、上述した構成によれば、誤書き込みが防止される。
【0067】
この保持回路110で保持された信号は、信号選択回路120に入力されて、この信号選択回路120で信号A又は信号Bを選択して、その選択した信号が表示電極80に印加され、その電圧が液晶21に印加される。こうしてゲート信号線51から最終行のゲート信号線51まで走査することにより、1画面分(1フィールド期間)の書き込みが終了する。
【0068】
その後、保持回路110に保持されたデータに基づく表示(静止画像の表示)を行う。なお、このデジタル表示モード時には、ゲートドライバ50並びにドレインドライバ60及び外付けのドライバスキャン用LSI91への電圧供給を停止しそれらの駆動を止める。保持回路110には常に電圧VDD,VSSを供給して駆動し、また対向電極電圧を対向電極32に、各信号A及びBを信号選択回路120に供給する。
【0069】
即ち、保持回路110にこの保持回路を駆動するためのVDD、VSSを供給し、対向電極には対向電極電圧VCOM(信号A)を印加し、液晶表示パネル100がノーマリーホワイト(NW)の場合には、信号Aには対向電極32と同じ電位の電圧を印加し、信号Bには液晶を駆動するための交流電圧(例えば60Hz)を印加するのみである。そうすることにより、1画面分を保持して静止画像として表示することができる。また他のゲートドライバ50、ドレインドライバ60及び外付けLSI91には電圧が印加されていない状態である。
【0070】
このとき、ドレイン信号線61にデジタル映像信号で「H(ハイ)」が保持回路110に入力された場合には、信号選択回路120において第1のTFT121には「L」が入力されることになるので第1のTFT121はオフとなり、他方の第2のTFT122には「H」が入力されることになるので第2のTFT122はオンとなる。
【0071】
そうすると、信号Bが選択されて液晶には信号Bの電圧が印加される。即ち、信号Bの交流電圧が印加され、液晶が電界によって立ち上がるため、NWの表示パネルでは表示としては黒表示として観察できる。
【0072】
ドレイン信号線61にデジタル映像信号で「L」が保持回路110に入力された場合には、信号選択回路120において第1のTFT121には「H」が入力されることになるので第1のTFT121はオンとなり、他方の第2のTFT122には「L」が入力されることになるので第2のTFT122はオフとなる。そうすると、信号Aが選択されて液晶には信号Aの電圧が印加される。即ち、対向電極32と同じ電圧が印加されるため、電界が発生せず液晶は立ち上がらないため、NWの表示パネルでは表示としては白表示として観察できる。
【0073】
このように、1画面分を書き込みそれを保持することにより静止画像として表示できるが、その場合には、各ドライバ50,60及びLSI91の駆動を停止するので、その分、低消費電力化することができる。
【0074】
上述したように、本発明の実施形態によれば、1つの液晶表示パネル100でフルカラーの動画像表示(アナログ表示モードの場合)と、デジタル階調表示(デジタル表示モードの場合)という2種類の表示に対応することができる。また、保持回路110の書き込み時の誤動作を防止することができる。
【0075】
また、上述の実施形態ではアナログ表示モードとデジタル表示モードを選択可能な表示装置について説明したが、本発明はデジタル映像信号を書き込み、保持する回路110を備え、その保持信号に応じて画像表示を行う表示装置に広く適用することができるものである。
【0076】
また、本発明の表示装置は、液晶表示装置の中でも特に、反射型液晶表示装置に適用することが好ましい。そこで、この反射型液晶表示装置のデバイス構造について図5を参照しながら説明する。
【0077】
図5に示すように、一方の絶縁性基板10上に、多結晶シリコンから成り島化された半導体層11上にゲート絶縁膜12を形成し、半導体層11の上方であってゲート絶縁膜12上にゲート電極13を形成する。
【0078】
ゲート電極13の両側に位置する下層の半導体層11には、ソース11s及びドレイン11dが形成されている。ゲート電極13及びゲート絶縁膜12上には層間絶縁膜14を堆積し、そのドレイン11dに対応した位置及びソース11sに対応した位置にコンタクトホール15が形成されており、そのコンタクトホール15を介してドレイン11dはドレイン電極16に接続されており、ソース11sは層間絶縁膜14上に設けた平坦化絶縁膜17に設けたコンタクトホール18も介して表示電極19に接続されている。
【0079】
平坦化絶縁膜17上に形成された各表示電極19はアルミニウム(Al)等の反射材料から成っている。各表示電極19及び平坦化絶縁膜17上には液晶21を配向するポリイミド等から成る配向膜20が形成されている。
【0080】
他方の絶縁性基板30上には、赤(R)、緑(G)、青(B)の各色を呈するカラーフィルタ31、ITO(Indium Tin Oxide)等の透明導電性膜から成る対向電極32、及び液晶21を配向する配向膜33が順に形成されている。カラー表示としない場合にはカラーフィルタ31は不要である。
【0081】
こうして形成された一対の絶縁性基板10,30の周辺を接着性シール材によって接着し、それによって形成された空隙に液晶21を充填して、反射型液晶表示装置が完成する。
【0082】
図中点線矢印で示すように、観察者1側から入射した外光は、対向電極基板30から順に入射し、表示電極19によって反射されて、観察者1側に出射し、表示を観察者1が観察することができる。
【0083】
このように、反射型液晶表示装置は外光を反射させて表示を観察する方式であり、透過型の液晶表示装置のように、観察者側と反対側にいわゆるバックライトを用いる必要が無いため、そのバックライトを点灯させるための電力を必要としない。従って、本発明の表示装置として、バックライト不要で低消費電力化に適した反射型液晶表示装置であることが好ましい。
【0084】
上述の実施の形態においては、1画面の全ドットスキャン期間には、対向電極電圧及び信号A及びBの電圧は印加している場合について示したが、本発明はそれに限定されるものではなく、この期間においてもこれらの各電圧を印加しなくても良い。しかしながら消費電力を低減させるためには、好ましくは印加しない方が良い。
【0085】
また、上述の実施の形態においては、デジタル表示モードにおいて、1ビットのデジタルデータ信号を入力した場合について説明したが、本発明はそれに限定されるものではなく、複数ビットのデジタルデータ信号の場合でも適用することが可能である。
【0086】
そうすることにより、多階調の表示を行うことができる。その際、入力するビット数に応じた保持回路及び信号選択回路の数にする必要がある。
【0087】
また、上述の実施の形態においては、静止画像を液晶表示パネルの一部に表示する場合を説明したが、本願はそれに限定されるものではなく、全表示画素に静止画を表示することも可能であり、本願発明の特有の効果を奏するものである。
【0088】
上述の実施の形態においては、反射型液晶表示装置の場合について説明したが、1画素内でTFT、保持回路、信号選択回路及び信号配線を除く領域に透明電極を配置することにより、透過型液晶表示装置にも用いることができる。また、透過型液晶表示装置に用いた場合にも、1画面を表示した後に、ゲートドライバ50並びにドレインドライバ60及び外付けのドライバスキャン用LSI91への電圧供給を停止することにより、その分の消費電力の低減を図ることができる。
【0089】
【発明の効果】
本発明の表示装置によれば、保持回路を構成する第1のインバータ回路のしきい値を第2のインバータ回路のしきい値より小さく設定したので、ドレイン信号線から画素選択トランジスタを通して映像信号を円滑に書き込むことができる。
【0090】
これにより、表示装置に供給される電源電圧が低い場合であっても、映像信号の誤書き込みや、書き込み速度の低下を防止できる。結果として、表示装置の低電圧化が可能になるため、低消費電力の表示装置を実現することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の第1の実施形態に係る液晶表示装置の一表示画素を示す回路構成図である。
【図2】本発明の第2の実施形態に係る液晶表示装置の一表示画素を示す回路構成図である。
【図3】本発明の第2の実施形態に係る表示装置を液晶表示装置に応用した場合の装置全体の回路構成図である。
【図4】液晶表示装置がデジタル表示モードに選択された場合のタイミング図である。
【図5】反射射型液晶表示装置の断面図である。
【図6】従来例に係る液晶表示装置の回路構成図である。
【図7】従来例に係る液晶表示装置の他の回路構成図である。
【図8】従来例に係る液晶表示装置の問題点を示す回路構成図である。
【符号の説明】
21 液晶
40 回路選択回路
41,42 回路選択TFT
43 回路選択回路
50 ゲートドライバ
51 ゲート信号線
60 ドレインドライバ
61 ドレイン信号線
62 データ信号線
70 画素選択回路
71,72 画素選択TFT
80 表示電極
85 補助容量
88 回路選択信号線
100 液晶表示パネル
110 保持回路
120 信号選択回路
200 表示画素

Claims (7)

  1. 基板上の一方向に配置された複数のゲート信号線と、前記ゲート線と交差する方向に配置された複数のドレイン信号線と、前記ゲート信号線からの走査信号により表示画素を選択する画素選択トランジスタと、前記表示画素内に配置され、前記画素選択トランジスタを通して前記ドレイン信号線から入力される映像信号を保持する保持回路とを備え、前記保持回路に保持された映像信号に応じて表示を行う表示装置であって、
    前記保持回路は前記ドレイン信号線からの映像信号が入力される第1のインバータ回路と、該第1のインバータ回路の出力を入力に正帰還する第2のインバータ回路と、から成り、前記第1のインバータ回路のしきい値を前記第2のインバータ回路のしきい値より小さく設定したことを特徴とする表示装置。
  2. 前記第1及び第2のインバータ回路はCMOS型インバータ回路であって、前記第1のインバータ回路のPチャネルトランジスタのL/W(Lはチャネル長、Wはチャネル幅)を前記第2のインバータ回路のPチャネルトランジスタのL/W(Lはチャネル長、Wはチャネル幅)より大きくしたことを特徴とする請求項1に記載の表示装置。
  3. 前記第1及び第2のインバータ回路はCMOS型インバータ回路であって、前記第1のインバータ回路のNチャネルトランジスタのL/W(Lはチャネル長、Wはチャネル幅)を前記第2のインバータ回路のNチャネルトランジスタのL/W(Lはチャネル長、Wはチャネル幅)より小さくしたことを特徴とする請求項2に記載の表示装置。
  4. 前記画素選択トランジスタはNチャネル型トランジスタであることを特徴とする請求項3に記載の表示装置。
  5. 基板上の一方向に配置された複数のゲート信号線と、前記ゲート線と交差する方向に配置された複数のドレイン信号線と、前記ゲート信号線からの走査信号により表示画素を選択する画素選択トランジスタと、
    前記表示画素内に配置された表示電極と、
    前記表示画素毎に配置され、前記ドレイン信号線から入力される映像信号を表示電極に逐次供給する第1の表示回路と、
    前記表示画素に対応して配置され、前記画素選択トランジスタを通してドレイン信号線から入力される映像信号を保持する保持回路を有し、該保持回路が保持した信号に応じた電圧信号を前記表示電極に供給する第2の表示回路と、
    前記画素選択トランジスタと縦列に接続され、回路選択信号に応じて前記第1及び第2の表示回路のいずれかを選択する回路選択トランジスタと、を備え、
    さらに前記保持回路は前記ドレイン信号線からの映像信号が入力される第1のインバータ回路と、該第1のインバータ回路の出力を入力に正帰還する第2のインバータ回路とを有し、前記第1のインバータ回路のしきい値を前記第2のインバータ回路のしきい値より小さく設定したことを特徴とする表示回路。
  6. 前記第1及び第2のインバータ回路はCMOS型インバータ回路であって、前記第1のインバータ回路のPチャネルトランジスタのL/W(Lはチャネル長、Wはチャネル幅)を前記第2のインバータ回路のPチャネルトランジスタのL/W(Lはチャネル長、Wはチャネル幅)より大きくしたことを特徴とする請求項5に記載の表示装置。
  7. 前記第1及び第2のインバータ回路はCMOS型インバータ回路であって、前記第1のインバータ回路のNチャネルトランジスタのL/W(Lはチャネル長、Wはチャネル幅)を前記第2のインバータ回路のNチャネルトランジスタのL/W(Lはチャネル長、Wはチャネル幅)より小さくしたことを特徴とする請求項6に記載の表示装置。
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