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JP3745959B2 - シリコン薄膜パターンの形成方法 - Google Patents

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Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、化学気相成長（ＣＶＤ）法によりシリコン薄膜を形成する方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
従来より、集積回路や薄膜トランジスタ等の製造工程では、モノシランガスやジシランガスを用いて、化学気相成長（ＣＶＤ）法によりシリコン薄膜を形成することが行われている。通常、ポリシリコン薄膜は熱ＣＶＤ法により、アモルファスシリコン薄膜はプラズマＣＶＤ法により成膜されている。そして、所定パターンのシリコン薄膜を得るために、基板全面にシリコン薄膜を成膜した後、レジストを用いたフォトリソグラフィーとエッチングで不要な部分を除去するパターニング工程を行っている。
【０００３】
しかしながら、上述のＣＶＤ法による成膜工程とパターニング工程とでシリコン薄膜パターンを形成する方法には、以下の問題点がある。
▲１▼毒性および反応性が高いガス状の水素化ケイ素を用いるため、圧力容器や真空装置が必要である。▲２▼特にプラズマＣＶＤ法では、複雑で高価な高周波発生装置や真空装置等が必要である。▲３▼パターニング工程はプロセスが複雑であり、原料の使用効率も低く、レジストやエッチング液等、大量の廃棄物が発生する。▲４▼ＣＶＤ装置は高価であり、しかも真空系やプラズマ系に多大のエネルギーを消費するため、成膜コストが高い。
【０００４】
これに対して、近年、真空装置を使用せずにシリコン薄膜を形成する方法が提案されている。例えば、特開平９―２３７９２７号公報には、アルキル基を含有するポリシランの溶液を基板上に塗布した後、ポリシランを熱分解してシリコン膜を遊離させる方法が開示されている。しかしながら、この方法では、原料のポリシランを構成する炭素がシリコン薄膜に残存するため、電気特性に優れたシリコン薄膜が得られないという問題がある。
【０００５】
これに対して、特開２０００−１２４６５号公報には、膜形成面に液体原料が塗布された第１のシリコン膜被形成体と、第２のシリコン膜被形成体とを、互いの膜形成面同士を対向させて配置することにより、第１のシリコン膜被形成体と第２のシリコン膜被形成体の両方の膜形成面に、一度にシリコン膜を形成する方法が開示されている。液体原料としては、炭素を含まない珪素化合物である、一般式Ｓｉn Ｈ2n+2或いはＳｉn Ｈ2n（３≦ｎ≦７）で表されるシランの液状体を使用している。
【０００６】
この方法では、第１のシリコン膜被形成体の膜形成面には、塗布されている液体原料の分解反応によってシリコン膜を形成し、第２のシリコン膜被形成体の膜形成面には、第１のシリコン膜被形成体の膜形成面上の液体原料の気化物の分解反応によってシリコン膜を形成すると記載されている。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、上記いずれの公報に記載の方法でも、所定パターンのシリコン薄膜を得るためには、薄膜形成後にパターニング工程を行う必要がある。
本発明は、このような従来技術の問題点に着目してなされたものであり、シリコン薄膜を、原料液体を用いた真空装置が不要なＣＶＤ法で形成する方法において、少量の原料液体で基板の一部にシリコン薄膜を形成することができる方法、さらには、薄膜形成後にパターニング工程を行わなくても所定パターンのシリコン薄膜が得られる方法を提供することを課題とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】
上記課題を解決するために、本発明は、基板上の一部分または複数部分に、珪素と水素とで構成される環状シランおよび／またはその誘導体からなる珪素化合物を含む液体を配置し、この液体から珪素化合物を気化させて薄膜形成面に供給し、化学気相成長法でシリコン薄膜を形成することを特徴とするシリコン薄膜の形成方法を提供する。
【０００９】
この方法によれば、薄膜形成面に部分的に（液体配置位置の近傍にのみ）シリコン薄膜を形成することができる。また、前記液体の配置位置を、薄膜形成面の素子形成領域の近傍のみとすることにより、薄膜形成面の素子形成領域とその近傍にのみシリコン薄膜が形成される。そのため、大面積の基板の極一部にのみシリコン薄膜を形成する場合でも、薄膜原料の使用量を極少量にすることができる。
【００１０】
本発明の方法で使用可能な前記珪素化合物（珪素と水素とで構成される環状シランおよび／またはその誘導体）としては、シクロペンタシラン、シリルシクロペンタシラン、シクロヘキサシラン、シリルシクロヘキサシラン、シクロヘプタシラン、１，１'−ビスシクロブタシラン、１，１'−ビスシクロペンタシラン、１，１'−ビスシクロヘキサシラン、１，１'−ビスシクロヘプタシラン、１，１'−シクロブタシリルシクロペンタシラン、１，１'−シクロブタシリルシクロヘキサラン、１，１'−シクロブタシリルシクロヘプタシラン、１，１'−シクロペンタシリルシクロヘキサシラン、１，１'−シクロペンタシリルシクロヘプタシタン、１，１'−シクロヘキサシリルシクロヘプタシラン、スピロ［２，２］ペンタシラン、スピロ［３，３］ヘプタシラン、スピロ［４，４］ノナシラン、スピロ［４，５］デカシラン、スピロ［４，６］ウンデカシラン、スピロ［５，５］ウンデカシラン、スピロ［５，６］ドデカシラン、スピロ［６，６］トリデカシラン等が挙げられる。
【００１１】
本発明の方法において使用する珪素化合物を含む液体としては、下記の化学式（１）で表されるシクロペンタシランおよび／または下記の化学式（２）で表されるシリルシクロペンタシランが有機溶剤に溶解している溶液を用いることが好ましい。
【００１２】
【化１】
Figure 0003745959
【００１３】
本発明の方法においては、薄膜形成面を前記基板の液体配置面とすることにより、シリコン薄膜を形成する基板のみを用いて、液体配置のためのダミーの基板を用いずに、この基板に本発明の方法によりシリコン薄膜を形成することができる。
本発明の方法においては、液体を配置する第１基板と薄膜を形成する第２基板とを、第１基板の液体配置面と第２基板の薄膜形成面とを対向させて配置し、第１基板上の一部分または複数部分に配置された液体から珪素化合物を気化させて、第２基板の薄膜形成面に供給することにより、第１基板の液体配置部分と対向する第２基板の薄膜形成面の部分にシリコン薄膜を形成することができる。
【００１４】
この２枚の基板を用いる方法においては、第２基板を、薄膜形成面が珪素化合物の気化物を分解可能な温度になるように加熱し、この加熱によって第２基板から放射された熱で、第１基板を前記液体から珪素化合物が気化する温度に加熱することにより、２枚の基板を用いる方法にかかるコストを低減することができる。
【００１５】
本発明の方法においては、液体配置工程を行う前に、化学気相成長に対して活性な領域と不活性な領域とを薄膜形成面に形成することにより、シリコン薄膜を選択成長させることが好ましい。
化学気相成長に対して活性な領域と不活性な領域の形成は、ヒドロキシル基（ＯＨ基）が存在している薄膜形成面に、一般式ＲＳｉＸ3 （Ｒは、アルキル基の末端側の水素がフッ素で置換されているフルオロアルキル基、Ｘは加水分解されてＯＨ基となり得る基であって、アルコキシ基またはハロゲン基）で表されるシラン誘導体を用いて自己組織化膜を形成した後、この自己組織化膜にフォトマスクを介した紫外線照射または必要な部分への電子線照射を行い、化学気相成長に対して活性な領域とする部分の自己組織化膜を除去することにより行うことが好ましい。これにより、薄膜形成後のパターニング工程を行わずに、所定パターンのシリコン薄膜を得ることができる。
【００１６】
本発明において「自己組織化膜」とは、膜形成面の構成原子と結合可能な官能基が直鎖分子に結合されている化合物を、気体または液体の状態で膜形成面と共存させることにより、前記官能基が膜形成面に吸着して膜形成面の構成原子と結合し、直鎖分子を外側に向けて形成された単分子膜である。この単分子膜は、化合物の膜形成面に対する自発的な化学吸着によって形成されることから、自己組織化膜と称される。
【００１７】
なお、自己組織化膜については、Ａ．Ｕｌｍａｎ著の「Ａｎ Ｉｎｔｒｏｄｕｃｔｉｏｎ ｔｏ Ｕｌｔｒａｔｈｉｎ Ｏｒｇａｎｉｃ Ｆｉｌｍ ｆｒｏｍＬａｎｇｍｕｉｒ−Ｂｌｏｄｇｅｔｔ ｔｏ Ｓｅｌｆ−Ａｓｓｅｍｂｌｙ」（Ａｃａｄｅｍｉｃ Ｐｒｅｓｓ Ｉｎｃ．Ｂｏｓｔｏｎ，１９９１）の第３章に詳細に記載されている。
【００１８】
ヒドロキシル基が存在している薄膜形成面に気体または液体の前記シラン誘導体（ＲＳｉＸ3 ）を共存させると、先ず、Ｘが空気中の水分で加水分解されてフルオロアルキルシラノール（ＲＳｉ（ＯＨ）3 ）となる。このシラノールのヒドロキシル基と膜形成面のヒドロキシル基との脱水反応によってシロキサン結合が生じ、フルオロアルキル基（Ｒ）を外側に向けた単分子膜（自己組織化膜）が膜形成面に形成される。この自己組織化膜の表面は、フルオロアルキル基の存在によって不活性な状態（表面エネルギーが低く、反応性が低い状態）となる。
【００１９】
一般式ＲＳｉＸ3 で表されるシラン誘導体としては、（ヘプタデカフルオロ−１，１，２，２−テトラヒドロ）デシル−トリエトキシシラン、（ヘプタデカフルオロ−１，１，２，２−テトラヒドロ）デシル−トリメトキシシラン、（トリデカフルオロ−１，１，２，２−テトラヒドロ）オクチル−トリメトキシシラン、（トリデカフルオロ−１，１，２，２−テトラヒドロ）オクチル−トリエトキシシシラン等のフルオロアルキルアルコキシシランを使用することが好ましい。
【００２０】
したがって、前述の方法で自己組織化膜が除去された薄膜形成面の部分は、化学気相成長に対して活性な領域となり、薄膜形成面の自己組織化膜が残っている部分は、化学気相成長に対して不活性な領域となる。
本発明の方法においては、珪素化合物の気化工程を基板の液体配置面と平行に、不活性ガス（窒素ガス等）、水素ガス、または不活性ガスと水素ガスの混合ガスを流しながら行うことが好ましい。これにより、シリコン薄膜を形成する基板面に液体を配置する場合には、配置された液体からの気化物を液体配置位置の周囲に容易に向かわせることができる。２枚の基板を使用して、第１基板に配置された液体からの気化物を第２基板に向かわせる場合には、第２基板に向かう気化物の量を制御することができる。これにより、形成されるシリコン薄膜の膜厚を制御することができる。
【００２１】
本発明の方法においては、液体配置工程はインクジェット法で行なうことが好ましい。
本発明の方法において、基板（液体配置と薄膜形成の両方がなされる基板、液体配置のみがなされる第１基板、薄膜形成のみがなされる第２基板）としては、シリコン（Ｓｉ）ウエハ、石英板、ガラス板、プラスチックフィルム、金属板等が挙げられる。これらの基板の表面に、半導体膜、金属膜、誘電体膜、有機膜等が形成されているものを、基板として用いてもよい。
【００２２】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施形態について説明する。
図１を用いて本発明の方法の第１実施形態を説明する。
先ず、ガラス基板１の薄膜形成面１１に紫外線を照射して、薄膜形成面１１をクリーニングした。紫外線の照射条件は、紫外線の波長１７２ｎｍ、照度１０ｍＷ／ｃｍ2 、照射時間１０分とした。これにより、ガラス基板１の薄膜形成面１１は、全面にヒドロキシル基が存在する状態となる。
【００２３】
次に、この状態のガラス基板１を密閉空間内に入れ、この密閉空間内に、液状の（トリデカフルオロ−１，１，２，２−テトラヒドロ）オクチル−トリエトキシシラン（以下、「ＦＡＳ１３」と称する。）を０．５ミリリットル入れた蓋のない容器を置いて、室温で４８時間放置した。ＦＡＳ１３の化学式（示性式）は、ＣＦ3 （ＣＦ2 ）5 （ＣＨ2 ）2 Ｓｉ（ＯＣ2 Ｈ5 ）3 である。
【００２４】
これにより、密閉空間内は、容器内から気化したＦＡＳ１３の雰囲気となり、ＦＡＳ１３のエトキシ基が加水分解されて生じたシラノールのヒドロキシル基と、ガラス基板１の薄膜形成面１１のヒドロキシル基との脱水反応によってシロキサン結合が生じた。その結果、４８時間放置後に取り出したガラス基板１の薄膜形成面１１の全面に、フルオロアルキル基（ＣＦ3 （ＣＦ2 ）5 （ＣＨ2 ）2 −）が外側に向いた状態で単分子膜（自己組織化膜）３０が形成されていた。そのため、この単分子膜３０の表面は化学気相成長に対して不活性な状態になっている。図１（ａ）はこの状態を示す。
【００２５】
次に、図１（ｂ）に示すように、線状の紫外線遮蔽部６１と紫外線透過部６２とが交互に配置された、ラインアンドスペースと称されるパターンが形成されているフォトマスク６を用意し、このフォトマスク６を介して単分子膜３０に紫外線２を照射した。
紫外線の照射条件は、紫外線の波長１７２ｎｍ、照度１０ｍＷ／ｃｍ2 、照射時間１０分とした。また、フォトマスク６のラインアンドスペースのライン幅（紫外線遮蔽部６１をなす線の幅）は３０μｍ、ライン間隔（紫外線透過部６２をなす線の幅）は２０μｍとした。フォトマスク６は石英基板にクロムパターンを形成することにより作製した。この石英基板の波長１７２ｎｍの紫外線透過率は約６０％である。
【００２６】
これにより、単分子膜３０の紫外線透過部６２の真下に配置されていた部分が除去されて、線状の開口部３１を有する単分子膜パターン３０ａが、ガラス基板１の薄膜形成面１１に形成された。図１（ｃ）はこの状態を示す。
この単分子膜パターン３０ａの開口部３１には、ガラス基板１の薄膜形成面１１が露出している。この露出面１１ａにはヒドロキシル基が存在しており、この露出面１１ａは化学気相成長に対して活性な状態にある。また、薄膜形成面１１の単分子膜が残っている部分（単分子膜パターン３０ａの表面）は化学気相成長に対して不活性な状態にある。そのため、この単分子膜パターン３０ａにより、ガラス基板１の薄膜形成面１１に、化学気相成長に対して活性な領域と不活性な領域が形成された。
【００２７】
次に、原料液体として、トルエン１００ｇに、シクロペンタシラン８ｇとシリルシクロペンタシラン１ｇを溶解させた溶液（以下、この溶液を「シクロシラン溶液」と称する。）を用意した。次に、単分子膜パターン３０ａが形成されたガラス基板１を窒素雰囲気中に配置し、シクロシラン溶液を、単分子膜パターン３０ａの多数の開口部３１に、一つ置きにインクジェット法により吐出して、液滴５を配置した。図１（ｄ）はこの状態を示す。
【００２８】
次に、この状態で、ガラス基板１の薄膜形成面（液体配置面でもある）１１と平行に窒素ガスを流しながら、ガラス基板１を３５０℃に加熱して１０分間保持した。
これにより、シクロシラン溶液からなる液滴５の一部が気化して気体状のシクロペンタシランおよびシリルシクロペンタシランとなり、この気体が、単分子膜パターン３０ａの液滴５が配置されていない開口部３１内に供給された。そして、この気体が熱により分解されて前記開口部３１内にシリコンが堆積し、図１（ｅ）に示すように、前記開口部３１内にシリコン薄膜５０が形成された。単分子膜パターン３０ａの表面（単分子膜残存部）には、シリコン薄膜５０が形成されなかった。シリコン薄膜５０の膜厚は２０ｎｍであった。
【００２９】
なお、液滴５が配置された開口部３１内では、気化しなかったシクロシラン溶液中のシクロペンタシランおよびシリルシクロペンタシランが熱分解されて、厚さが５０ｎｍのシリコン膜５１が形成された。
図２を用いて本発明の方法の第２実施形態を説明する。
２枚のガラス基板７，８を用意し、両ガラス基板の一方の面に、ＦＡＳ１３を用い第１実施形態と同じ方法で、単分子膜（自己組織化膜）からなるパターン３０ａ，３０ｂを形成した。すなわち、第１基板８の液体配置面８１と第２基板７の薄膜形成面７１に、それぞれ向かい合わせた時に同じ形状となる単分子膜パターン３０ａ，３０ｂを形成した。
【００３０】
ただし、フォトマスクとしては、直径５０μｍの円形の紫外線透過部が５ｍｍピッチで格子状に配列しているものを用いた。そのため、単分子膜パターン３０ａ，３０ｂも、円形の開口部３１が格子状に配列された形状である。また、フォトマスクの四隅に位置合わせ用のマークを形成し、これらのマークを単分子膜パターン３０ａ，３０ｂに転写した。
【００３１】
次に、第１基板８を、窒素ガス雰囲気内に、単分子膜パターン３０ａが形成されている面（液体配置面）８１を上側にして置き、単分子膜パターン３０ａの全ての開口部３１内に、インクジェット法により第１実施形態と同じ液体（シクロシラン溶液）を吐出して、液滴５を配置した。
次に、第２基板７を、単分子膜パターン３０ｂが形成されている薄膜形成面７１を下側に向けて、第１基板８の上方に所定の間隔（例えば１ｍｍ）を開けて平行に配置した。この配置の際に、各基板８，７の単分子膜パターン３０ａ，３０ｂに形成されている位置合わせ用のマークを合わせて、第２基板７の単分子膜パターン３０ｂの薄膜形成面７１が露出している開口部３１と、第１基板８の単分子膜パターン３０ａの液滴５が配置されている開口部３１とを合わせた。図２（ａ）はこの状態を示す。
【００３２】
次に、図２（ｂ）に示すように、この状態で、両基板７，８の間に基板面と平行に窒素ガスを流しながら、第２基板７を４５０℃に加熱して１０分間保持した。これにより、第１基板８は第２基板７から放射された熱で間接的に加熱され、第１基板８上のシクロシラン溶液からなる液滴５から一部が気化して、第２基板７の単分子膜パターン３０ｂの開口部３１内に供給される。
【００３３】
その結果、液滴５から気化した気体状のシクロペンタシランおよびシリルシクロペンタシランは、熱により分解されて、第２基板７の単分子膜パターン３０ｂの開口部３１内にシリコンが堆積し、図２（ｃ）に示すように、この開口部３１内にシリコン薄膜５０が形成された。単分子膜パターン３０ｂの表面（単分子膜残存部）にはシリコン薄膜５０が形成されなかった。シリコン薄膜５０の膜厚は５０ｎｍであった。
【００３４】
なお、第１基板８の開口部３１内の液滴５の温度は、シクロペンタシランおよびシリルシクロペンタシランの分解温度に達しなかったが、シクロシラン溶液の溶剤は全て蒸発した。そのため、第１基板８の開口部３１内には、液滴５から気化しなかったシクロペンタシランおよびシリルシクロペンタシランからなる油状物５３が残った。
【００３５】
以上のように、第１および２の実施形態の方法によれば、シクロシラン溶液を基板上に部分的に配置して気化させることにより、少量の原料液体で基板の一部に、ＣＶＤ法により容易にシリコン薄膜を形成することができる。また、液体の配置をインクジェット法で行っているため、液体の配置が簡単にしかも精度よくできる。さらに、シクロシラン溶液を配置する前に、薄膜形成面に単分子膜パターンを形成して、単分子膜パターンの開口部にシリコン薄膜を選択成長させているため、薄膜形成後のパターニング工程を行わずにシリコン薄膜パターンを得ることができる。
【００３６】
特に、第２実施形態の方法によれば、２枚の基板７，８を対向配置して、各液滴５からの気化物を単分子膜パターン３０ｂの各開口部３１に向かわせているため、第１実施形態の方法と比較して、一つの開口部３１内での膜厚の均一性と、複数の開口部３１間での膜厚の均一性が高くなる。
また、第１基板８にも単分子膜パターン３０ａを形成することにより、液体配置面８１に液滴の配置領域（開口部３１）を形成して、各開口部３１内に液滴５を配置しているため、このような領域の形成を行わない場合と比較して、原料の使用量をより少なくすることができる。また、液滴配置の位置精度を高くすることができる。
【００３７】
さらに、第２基板７のみを直接加熱し、この第２基板７から放射された熱で、第１基板８を間接的に加熱しているため、加熱にかかるコストを低減することができる。
【００３８】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明の方法によれば、少量の原料液体で基板の一部にシリコン薄膜を形成することができる。
特に、請求項７の方法によれば、シリコン薄膜形成後のパターニング工程を行わずに所定パターンのシリコン薄膜を得ることができる。
【００３９】
特に、請求項９の方法によれば、液体の配置が精度良く簡単にできる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の第１実施形態の方法を説明する図である。
【図２】本発明の第２実施形態の方法を説明する図である。
【符号の説明】
１ ガラス基板
１１ 薄膜形成面
１１ａ 薄膜形成面の露出面
２ 紫外線
３０ 単分子膜（自己組織化膜）
３０ａ 単分子膜パターン
３０ｂ 単分子膜パターン
３１ 開口部
５ 液滴
５０ シリコン薄膜
５１ シリコン膜
５３ 油状物
６ フォトマスク
６１ 紫外線遮蔽部
６２ 紫外線透過部
７ ガラス基板（第２基板）
８ ガラス基板（第１基板）

Claims (9)

  1. 基板上の一部分または複数部分に、珪素と水素とで構成される環状シランまたはその誘導体からなる珪素化合物を含む液体を配置し、該液体から珪素化合物を気化させて当該気体を前記基板上の他の部分に供給し、化学気相成長法でシリコン薄膜を形成することを特徴とするシリコン薄膜パターンの形成方法。
  2. 液体を配置する第１基板と薄膜を形成する第２基板とを、前記第１基板の液体配置面と前記第２基板の薄膜形成面とを対向させて配置し、前記第１基板上の一部分または複数部分に配置された珪素と水素とで構成される環状シランまたはその誘導体からなる珪素化合物を含む液体から珪素化合物を気化させて、前記液体が配置された領域の近傍にある前記第２基板の薄膜形成面の一部分または複数部分に供給し、化学気相成長法でシリコン薄膜を形成することを特徴とするシリコン薄膜パターンの形成方法。
  3. 液体を配置する第１基板と薄膜を形成する第２基板とを、前記第１基板の液体配置面と前記第２基板の薄膜形成面とを対向させて配置し、前記薄膜形成面が珪素化合物の気化物を分解可能な温度になるように第２基板を加熱し、該第２基板から放射された熱で前記液体から前記珪素化合物が気化する温度になるように前記第１基板を加熱し、前記第１基板上の一部分または複数部分に配置された珪素と水素とで構成される環状シランまたはその誘導体からなる珪素化合物を含む液体から前記珪素化合物を気化させて、前記第２基板の薄膜形成面に供給し、化学気相成長法でシリコン薄膜を形成することを特徴とするシリコン薄膜パターンの形成方法。
  4. 請求項１乃至３のいずれかに記載のシリコン薄膜パターンの形成方法であって、
    前記珪素化合物を含む液体として、シクロペンタシランまたはシリルシクロペンタシランが有機溶剤に溶解している溶液を用いることを特徴とするシリコン薄膜パターンの形成方法。
  5. 請求項１乃至４のいずれかに記載のシリコン薄膜パターンの形成方法であって、
    前記基板の液体配置面に液体を配置する前に、前記化学気相成長に対して活性な領域と不活性な領域とを前記薄膜形成面に形成することにより、シリコン薄膜を選択成長させることを特徴とするシリコン薄膜パターンの形成方法。
  6. 液体を配置する第１基板と薄膜を形成する第２基板とを、化学気相成長に対して活性な領域と不活性な領域とを前記第２基板の薄膜形成面に形成した後、前記第１基板の液体配置面と前記第２基板の薄膜形成面とを対向させて配置し、前記第１基板上の一部分または複数部分に配置された珪素と水素とで構成される環状シランまたはその誘導体からなる珪素化合物を含む液体から珪素化合物を気化させて、前記第２基板の前記薄膜形成面に供給し、化学気相成長法でシリコン薄膜を形成することを特徴とするシリコン薄膜パターンの形成方法。
  7. 請求項５又は６に記載のシリコン薄膜パターンの形成方法であって、
    ヒドロキシル基が存在している前記薄膜形成面に、一般式ＲＳｉＸ3 （Ｒは、アルキル基の末端側の水素がフッ素で置換されているフルオロアルキル基、Ｘはアルコキシ基またはハロゲン基）で表されるシラン誘導体を用いて自己組織化膜を形成した後、該自己組織化膜にフォトマスクを介した紫外線照射または必要な部分への電子線照射を行い、前記化学気相成長に対して活性な領域とする部分の前記自己組織化膜を除去することにより、前記化学気相成長に対して活性な領域と不活性な領域の形成を行うことを特徴とするシリコン薄膜パターンの形成方法。
  8. 請求項１乃至７のいずれかに記載のシリコン薄膜パターンの形成方法であって、
    前記珪素化合物の気化工程を、前記基板の液体配置面と平行に、不活性ガス、水素ガス、または不活性ガスと水素ガスの混合ガスを流しながら行うことを特徴とするシリコン薄膜パターンの形成方法。
  9. 請求項１乃至８のいずれかに記載のシリコン薄膜パターンの形成方法であって、
    前記基板の液体配置面に液体を配置する工程はインクジェット法で行なうことを特徴とするシリコン薄膜パターンの形成方法。
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