JP3486357B2 - 光学用ポリイミド基板 - Google Patents
光学用ポリイミド基板Info
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Description
【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、光学基板用ポリイ
ミド及び光学用ポリイミド基板に関する。 【0002】 【従来の技術】低損失光ファイバの開発による光通信シ
ステムの実用化に伴い、種々の光通信用部品の開発が望
まれている。また、これらの光部品を高密度に実装する
光配線技術、特に光導波路技術の確立が望まれている。 【0003】一般に、光導波路材料には、光損失が小さ
い、光導波路の作製が容易、コアとクラッドの屈折率差
を制御できる、耐熱性に優れている、などの条件が要求
される。光導波路材料としてこれまでに最も検討されて
いるのが石英系材料である。光ファイバで実証済のよう
に石英は光透過性が極めて良好であるため光導波路とし
た場合も波長が1.3μmにおいて0.1dB/cm以
下の低光損失化が達成されている。しかしその光導波路
作製には長時間を必要とする、作製時に高温が必要であ
る、大面積化が困難であるなどの製造上の問題がある。 【0004】これに対してポリメチルメタクリレートな
どのプラスチック光学材料は低い温度で光導波路形成が
可能であり、低価格が期待できるなどの長所がある一
方、耐熱性、耐湿性に劣るという欠点がある。またポリ
イミドはプラスチックの中で最も耐熱性に優れている
が、従来のポリイミドは光透過性に劣るという問題があ
った。 【0005】そこで本発明者らは光透過性に優れたポリ
イミド光学材料の研究を行ってきた。本発明者らは特開
平3−72528で光透過性に優れたフッ素化ポリイミ
ドを明らかにしている。さらに特開平4−8734では
このフッ素化ポリイミドを共重合することにより例えば
光導波路の形成に必要な屈折率制御が可能であることを
明らかにしている。またこのフッ素化ポリイミドを用い
た光導波路については特開平4−9807、同4−23
5505、同4−235506で明らかにしている。こ
のように光透過性に優れたポリイミドで耐熱性に優れた
プラスチック光導波路が実現されている。 【0006】しかしながらポリイミド光導波路において
も幾つかの問題がある。例えばポリイミドは耐熱性に優
れている反面、化学構造中の芳香族環が配向し易いとい
う面を持っている。これは光学材料としてみた場合、複
屈折を発現し易いということである。複屈折自体は、光
学材料としてはある場合は好ましい特性であり、ある場
合は好ましくない特性となる。また光導波路用材料とし
てみた場合も同じことがいえる。例えば直線偏光の偏波
面を保存しながら導波させたい場合は複屈折があった方
が良いが、無偏波の光を導波させたい場合は複屈折を持
たない方が良い。このように複屈折をいかようにも制御
できることが期待されている。 【0007】本発明者らのこれまでの検討により、この
うち低複屈折ポリイミド膜については基板の熱膨張係数
とポリイミドの熱膨張係数を合わせること、すなわち基
板としてポリイミド基板を用いることにより低複屈折ポ
リイミド膜が実現することを見いだし、特開平9−15
608で明らかにしている。しかし現在光学用ポリイミ
ド基板およびそれに用いるポリイミドとして製造・販売
されているものがないのが現状である。その理由として
はどのポリイミドが光学基板用として最適なのかが明ら
かになっていないこと、また光導波路材料であるフッ素
化ポリイミドを用いて光学用ポリイミド基板を製造する
と高価になるなどの問題点があるためと考えられる。 【0008】 【発明が解決しようとする課題】本発明は光学基板用と
して要求される性能を満足するポリイミド及びそれを用
いた光学用ポリイミド基板を提供することを目的として
いる。 【0009】 【課題を解決するための手段】本発明者らは、上記の目
的を達成するため、光学基板用ポリイミドの化学構造と
特性の関係について検討し、本発明を達成するに至っ
た。 【0010】本発明を概要すれば、本発明の光学用ポリ
イミド基板は、 【0011】 【化2】 【0012】 [式中、Ar1は芳香環を有する4価の
有機基を表し、R1およびR2はアルキル基、アルコキ
シ基を表す。]で表される繰り返し単位からなるポリイ
ミドを用いて製造した光学用ポリイミド基板であって、
該ポリイミドのガラス転移点が300℃以上で、かつ熱
膨張率が60ppm以上であることを特徴とする。 【0013】 【0014】以下、本発明についてより詳細に説明す
る。 【0015】 【発明の実施の形態】光学基板用ポリイミドに要求され
る特性を鋭意検討した結果、次のことが明らかになっ
た。すなわち一つは光学基板用ポリイミドは300℃以
上のガラス転移温度を持つことが必要であること、そし
てもう一つは60ppm以上の熱膨張係数を持つことが
必要であることの二つである。ここでその根拠について
説明する。 【0016】まず300℃以上のガラス転移温度を持つ
必要性について説明する。光学基板用ポリイミドは、こ
れを用いて光学用ポリイミド基板を製造するものである
が、この光学用ポリイミド基板上に通常ポリイミド膜を
作製することを想定している。従ってそのためにはポリ
アミド酸からポリイミドへの熱イミド化の温度に耐える
必要がある。イミド化は、ポリアミド酸の種類によって
も異なるが120℃〜200℃の間で起こると言われて
おり、ポリイミド膜の安定性から考えて通常300℃以
上の温度でキュアしている。従って光学用ポリイミド基
板は300℃のキュアに耐える必要がある。300℃の
キュアに耐えるということはポリイミドが300℃で熱
分解しないことは言うに及ばず、ガラス転移温度が30
0℃以上必要であるということである。一方、下限を限
定し、上限を限定しなかった理由は、ガラス転移温度は
いくら高くても光学用ポリイミド基板の性能には直接関
係がないからである。 【0017】またもう一つの60ppm以上の熱膨張係
数を持つ必要性について説明する。本発明の光学用ポリ
イミド基板上に作製する光部品の主なものとしてポリイ
ミド光導波路を想定している。ポリイミド光導波路は、
光透過性の観点からフッ素化ポリイミドが、さらに導波
路の偏波依存性を起こさせないために、フッ素化ポリイ
ミドの中で複屈折が小さいものが現在用いられており、
また今後も用いられるものと考えられる。現在用いられ
ている光導波路用フッ素化ポリイミドは、2,2−ビス
(3,4−ジカルボキシフェニル)ヘキサフルオロプロ
パン二無水物(以下6FDAと略記する)と2,2′−
ビス(トリフルオロメチル)−4,4′−ジアミノビフ
ェニル(以下TFDBを略記する)から製造されるフッ
素化ポリイミド(以下6FDA/TFDBと略記す
る)、6FDAと4,4′−ジアミノジフェニルエーテ
ル(以下ODAと略記する)から製造されるフッ素化ポ
リイミド(以下6FDA/ODAと略記する)及び6F
DAとTFDB、ODAの共重合体などである。 【0018】ちなみに6FDA/TFDAの熱膨張係数
は82ppm、6FDA/ODAは61ppmである。
従ってこれらと同様の熱膨張係数を有する光学基板用ポ
リイミドを用いて光学用ポリイミド基板を作製すれば、
光学用ポリイミド基板上に作製したポリイミド光導波路
の偏波依存性は非常に小さいことが期待できる。このよ
うなことから光学基板用ポリイミドの熱膨張係数は60
ppm以上必要であるのである。一方下限を限定し、上
限を限定しなかった理由は、もし100ppmの光学基
板用ポリイミドが実現したら、共重合、ブレンドなどの
手法により60ppm〜100ppmまでのポリイミド
を既存の技術で十分実現できるからである。 【0019】これらの二つの要求性能を満足するポリイ
ミドについて鋭意検討した結果 【0020】 【化3】 【0021】に示すポリイミドが要求性能を満足するこ
とが明らかとなった。本発明は特定のジアミンを用いて
ポリイミドを製造したことに特徴があり、具体的なジア
ミンの例としては次のようなものがある。2,2′−ジ
メチルベンジジン、3,3′−ジメチルベンジジン、
3,3′−ジメトキシベンジジン、2,2′−ジメトキ
シベンジジン、3,3′−ジエトキシベンジジン、2,
2′−ジエトキシベンジジン、3,3′,5,5′−テ
トラメチルベンジジン、2,2′−ビス(トリフルオロ
メチル)−4,4′−ジアミノビフェニル、3,3′−
ビス(トリフルオロメトキシ)ベンジジン、2,2′−
(ビストリフルオロ)メトキシベンジジン、3,3′−
ビス(ペンタフルオロ)エトキシベンジジン、2,2′
−ビス(ペンタフルオロ)エトキシベンジジンなどが挙
げられる。またジアミンの相手方の酸二無水物としては
次のテトラカルボン酸の二無水物などが挙げられる。 【0022】(トリフルオロメチル)ピロメリット酸、
ジ(トリフルオロメチル)ピロメリット酸、ジ(ヘプタ
フルオロプロピル)ピロメリット酸、ペンタフルオロエ
チルピロメリット酸、ビス{3,5−ジ(トリフルオロ
メチル)フェノキシ}ピロメリット酸、3,4,3′,
4′−ビフェニルテトラカルボン酸、3,3′,4,
4′−テトラカルボキシジフェニルエーテル、2,
3′,3,4′−テトラカルボキシジフェニルエーテ
ル、3,3′,4,4′−ベンゾフェノンテトラカルボ
ン酸、2,3,6,7−テトラカルボキシナフタレン、
1,4,5,7−テトラカルボキシナフタレン、1,
4,5,6−テトラカルボキシナフタレン、3,3′,
4,4′−テトラカルボキシジフェニルメタン、3,
3′,4,4′−テトラカルボキシジフェニルスルホ
ン、2,2−ビス(3,4−ジカルボキシフェニル)プ
ロパン、2,2−ビス(3,4−ジカルボキシフェニ
ル)ヘキサフルオロプロパン、5,5′−ビス(トリフ
ルオロメチル)−3,3′,4,4′−テトラカルボキ
シビフェニル、2,2′,5,5′−テトラキス(トリ
フルオロメチル)−3,3′,4,4′−テトラカルボ
キシビフェニル、5,5′−ビス(トリフルオロメチ
ル)−3,3′,4,4′−テトラカルボキシジフェニ
ルエーテル、5,5′−ビス(トリフルオロメチル)−
3,3′,4,4′−テトラカルボキシベンゾフェノ
ン、ビス{(トリフルオロメチル)ジカルボキシフェノ
キシ}ベンゼン、ビス{(トリフルオロメチル)ジカル
ボキシフェノキシ}(トリフルオロメチル)ベンゼン、
ビス(ジカルボキシフェノキシ)(トリフルオロメチ
ル)ベンゼン、ビス(ジカルボキシフェノキシ)ビス
(トリフルオロメチル)ベンゼン、ビス(ジカルボキシ
フェノキシ)テトラキス(トリフルオロメチル)ベンゼ
ン、3,4,9,10−テトラカルボキシペリレン、
2,2−ビス{4−(3,4−ジカルボキシジフェノキ
シ)フェニル}プロパン、ブタンテトラカルボン酸、シ
クロペンタンテトラカルボン酸、2,2−ビス{4−
(3,4−ジカルボキシフェノキシ)フェニル}ヘキサ
フルオロプロパン、ビス{(トリフルオロメチル)ジカ
ルボキシフェノキシ}ビフェニル、ビス{(トリフルオ
ロメチル)ジカルボキシフェノキシ}ビス(トリフルオ
ロメチル)ビフェニル、ビス{(トリフルオロメチル)
ジカルボキシフェノキシ}ジフェニルエーテル、ビス
(ジカルボキシフェノキシ)ビス(トリフルオロメチ
ル)ビフェニル、ビス(3,4−ジカルボキシフェニ
ル)ジメチルシラン、1,3−ビス(3,4−ジカルボ
キシフェニル)テトラメチルジシロキサン、ジフルオロ
ピロメリット酸、1,4−ビス(3,4−ジカルボキシ
トリフルオロフェノキシ)テトラフルオロベンゼン、
1,4−ビス(3,4−ジカルボキシトリフルオロフェ
ノキシ)オクタフルオロビフェニルなどである。 【0023】ただ具体的には得られるポリイミドのガラ
ス転移温度と熱膨張係数を測定して好適なものを選択す
る必要がある。また上記のジアミン、酸二無水物は単独
でも良いし複数のものを混在させても良い。すなわち共
重合という手法でポリイミドの分子構造の一部に本発明
で特定したジアミンから得られる化学構造が存在すれば
良い。但しこれも得られた共重合ポリイミドのガラス転
移温度と熱膨張係数を測定して好適なものを選択する必
要がある。 【0024】光学用ポリイミド基板は汎用材料として使
用されるためコストを如何に抑えるかも産業上必要にな
ってくるが、その場合フッ素が入ったポリイミドよりフ
ッ素が入らないポリイミドのほうが良い。例えばジアミ
ンとして2,2′−ジメチルベンジジン(DMDB−2
2と略記する)、3,3′−ジメチルベンジジン(DM
DB−33と略記する)などがコスト面からは好まし
い。 【0025】ポリイミドの製造は通常のポリイミドの製
造方法が適用できる。すなわちジアミンと酸二無水物を
極性溶媒中で重合させ、ポリアミド酸溶液を製造した後
加熱イミド化または化学的イミド化を行い、ポリイミド
とする。また溶媒を用いない真空蒸着重合法でも良い。 【0026】光学用ポリイミド基板の製造は、ポリアミ
ド酸溶液や、ポリイミドが溶媒に可溶な場合はポリイミ
ド溶液を使用し、キャスト法などによりポリイミド基板
を製造できる。またポリイミド粉末を高温・高圧力で成
型する方法も適用できる。すなわち高分子材料を用いて
基板を製造する既存の技術が適用できる。 【0027】製造した光学基板の表面が平滑でない場合
は、表面研磨を施したほうがよい。表面の平滑性として
は平均表面粗さで100nm以下、できれば50nm以
下がよい。 【0028】 【実施例】以下いくつかの実施例を用いて本発明をさら
に詳しく説明するが、本発明はこれらの実施例に限定さ
れるものではない。 【0029】なお本発明で述べているガラス転移温度と
は、熱機械分析において測定される物性を言っている。
参考までに本発明における使用装置、測定条件は次の通
りである。 【0030】使用装置:真空理工株式会社製TM−70
00。 【0031】測定条件:測定試料:幅5mm×長さ1
5mm×厚さ15〜20μm 引っ張り荷重:3g 雰囲気:窒素雰囲気 昇温速度5℃/min。 【0032】また、本発明で述べている熱膨張係数と
は、熱機械分析において測定される物性で温度範囲が5
0〜300℃の平均熱膨張係数で、2回目の測定(通常
セカンドランと呼ぶ)のものである。本発明における使
用装置、測定条件は、上述したガラス転移温度の使用装
置、測定条件と同じである。 【0033】<実施例1>三角フラスコに6FDAを8
8.8g(0.2mol)とDMDB−22を42.4
g(0.2mol)及びN,N−ジメチルアセトアミド
1000gを加えた。この混合物を窒素雰囲気下、室温
で3日間攪拌し、濃度約11wt%のポリアミド酸溶液
(以下6FDA/DMDB−22ポリアミド酸溶液と略
記する)を得た。この6FDA/DMDB−22ポリア
ミド酸溶液をキャスト法で製膜後加熱キュアし、厚さ1
5μmのフィルムと厚さ150μmの基板(6FDA/
DMDB−22基板)を得た。このフィルムの熱膨張係
数は63ppmで、ガラス転移温度は335℃であっ
た。 【0034】<実施例2>三角フラスコに6FDAを8
8.8g(0.2mol)とDMDB−33を42.4
g(0.2mol)及びN,N−ジメチルアセトアミド
1000gを加えた。この混合物を窒素雰囲気下、室温
で3日間攪拌し、濃度約11wt%のポリアミド酸溶液
(以下6FDA/DMDB−33ポリアミド酸溶液と略
記する)を得た。この6FDA/DMDB−33ポリア
ミド酸溶液をキャスト法で製膜後加熱キュアし、厚さ1
5μmのフィルムと厚さ150μmの基板(6FDA/
DMDB−33基板)を得た。このフィルムの熱膨張係
数は72ppmで、ガラス転移温度は約330℃であっ
た。 【0035】<比較例1>三角フラスコにピロメリット
酸二無水物(以下PMDAと略記する)43.6g
(0.2mol)とODA40.0g(0.2mol)
及びN,N−ジメチルアセトアミド1000gを加え
た。この混合物を窒素雰囲気下、室温で3日間攪拌し、
濃度約11wt%のポリアミド酸溶液(以下PMDA/
ODAポリアミド酸溶液と略記する)を得た。このPM
DA/ODAポリアミド酸溶液をキャスト法で製膜後加
熱キュアし、厚さ15μmのフィルムと厚さ150μm
の基板(PMDA/ODA基板)を得た。このフィルム
の熱膨張係数は35ppmで、ガラス転移温度は400
℃までの測定で明らかにすることはできなく、400℃
以上と考えられる。 【0036】 【発明の効果】以上説明したように、本発明によればガ
ラス転移温度が300℃以上で、かつ熱膨張係数が60
ppm以上である光学基板用ポリイミドが製造され、さ
らにこのポリイミドを用いて光学用ポリイミド基板が製
造できる。この基板上に作製したポリイミド膜は複屈折
が小さいことが期待でき、またこの膜を用いて光導波路
を作製すれば偏波依存性の小さなポリイミド光導波路が
作製できるという効果がある。
ミド及び光学用ポリイミド基板に関する。 【0002】 【従来の技術】低損失光ファイバの開発による光通信シ
ステムの実用化に伴い、種々の光通信用部品の開発が望
まれている。また、これらの光部品を高密度に実装する
光配線技術、特に光導波路技術の確立が望まれている。 【0003】一般に、光導波路材料には、光損失が小さ
い、光導波路の作製が容易、コアとクラッドの屈折率差
を制御できる、耐熱性に優れている、などの条件が要求
される。光導波路材料としてこれまでに最も検討されて
いるのが石英系材料である。光ファイバで実証済のよう
に石英は光透過性が極めて良好であるため光導波路とし
た場合も波長が1.3μmにおいて0.1dB/cm以
下の低光損失化が達成されている。しかしその光導波路
作製には長時間を必要とする、作製時に高温が必要であ
る、大面積化が困難であるなどの製造上の問題がある。 【0004】これに対してポリメチルメタクリレートな
どのプラスチック光学材料は低い温度で光導波路形成が
可能であり、低価格が期待できるなどの長所がある一
方、耐熱性、耐湿性に劣るという欠点がある。またポリ
イミドはプラスチックの中で最も耐熱性に優れている
が、従来のポリイミドは光透過性に劣るという問題があ
った。 【0005】そこで本発明者らは光透過性に優れたポリ
イミド光学材料の研究を行ってきた。本発明者らは特開
平3−72528で光透過性に優れたフッ素化ポリイミ
ドを明らかにしている。さらに特開平4−8734では
このフッ素化ポリイミドを共重合することにより例えば
光導波路の形成に必要な屈折率制御が可能であることを
明らかにしている。またこのフッ素化ポリイミドを用い
た光導波路については特開平4−9807、同4−23
5505、同4−235506で明らかにしている。こ
のように光透過性に優れたポリイミドで耐熱性に優れた
プラスチック光導波路が実現されている。 【0006】しかしながらポリイミド光導波路において
も幾つかの問題がある。例えばポリイミドは耐熱性に優
れている反面、化学構造中の芳香族環が配向し易いとい
う面を持っている。これは光学材料としてみた場合、複
屈折を発現し易いということである。複屈折自体は、光
学材料としてはある場合は好ましい特性であり、ある場
合は好ましくない特性となる。また光導波路用材料とし
てみた場合も同じことがいえる。例えば直線偏光の偏波
面を保存しながら導波させたい場合は複屈折があった方
が良いが、無偏波の光を導波させたい場合は複屈折を持
たない方が良い。このように複屈折をいかようにも制御
できることが期待されている。 【0007】本発明者らのこれまでの検討により、この
うち低複屈折ポリイミド膜については基板の熱膨張係数
とポリイミドの熱膨張係数を合わせること、すなわち基
板としてポリイミド基板を用いることにより低複屈折ポ
リイミド膜が実現することを見いだし、特開平9−15
608で明らかにしている。しかし現在光学用ポリイミ
ド基板およびそれに用いるポリイミドとして製造・販売
されているものがないのが現状である。その理由として
はどのポリイミドが光学基板用として最適なのかが明ら
かになっていないこと、また光導波路材料であるフッ素
化ポリイミドを用いて光学用ポリイミド基板を製造する
と高価になるなどの問題点があるためと考えられる。 【0008】 【発明が解決しようとする課題】本発明は光学基板用と
して要求される性能を満足するポリイミド及びそれを用
いた光学用ポリイミド基板を提供することを目的として
いる。 【0009】 【課題を解決するための手段】本発明者らは、上記の目
的を達成するため、光学基板用ポリイミドの化学構造と
特性の関係について検討し、本発明を達成するに至っ
た。 【0010】本発明を概要すれば、本発明の光学用ポリ
イミド基板は、 【0011】 【化2】 【0012】 [式中、Ar1は芳香環を有する4価の
有機基を表し、R1およびR2はアルキル基、アルコキ
シ基を表す。]で表される繰り返し単位からなるポリイ
ミドを用いて製造した光学用ポリイミド基板であって、
該ポリイミドのガラス転移点が300℃以上で、かつ熱
膨張率が60ppm以上であることを特徴とする。 【0013】 【0014】以下、本発明についてより詳細に説明す
る。 【0015】 【発明の実施の形態】光学基板用ポリイミドに要求され
る特性を鋭意検討した結果、次のことが明らかになっ
た。すなわち一つは光学基板用ポリイミドは300℃以
上のガラス転移温度を持つことが必要であること、そし
てもう一つは60ppm以上の熱膨張係数を持つことが
必要であることの二つである。ここでその根拠について
説明する。 【0016】まず300℃以上のガラス転移温度を持つ
必要性について説明する。光学基板用ポリイミドは、こ
れを用いて光学用ポリイミド基板を製造するものである
が、この光学用ポリイミド基板上に通常ポリイミド膜を
作製することを想定している。従ってそのためにはポリ
アミド酸からポリイミドへの熱イミド化の温度に耐える
必要がある。イミド化は、ポリアミド酸の種類によって
も異なるが120℃〜200℃の間で起こると言われて
おり、ポリイミド膜の安定性から考えて通常300℃以
上の温度でキュアしている。従って光学用ポリイミド基
板は300℃のキュアに耐える必要がある。300℃の
キュアに耐えるということはポリイミドが300℃で熱
分解しないことは言うに及ばず、ガラス転移温度が30
0℃以上必要であるということである。一方、下限を限
定し、上限を限定しなかった理由は、ガラス転移温度は
いくら高くても光学用ポリイミド基板の性能には直接関
係がないからである。 【0017】またもう一つの60ppm以上の熱膨張係
数を持つ必要性について説明する。本発明の光学用ポリ
イミド基板上に作製する光部品の主なものとしてポリイ
ミド光導波路を想定している。ポリイミド光導波路は、
光透過性の観点からフッ素化ポリイミドが、さらに導波
路の偏波依存性を起こさせないために、フッ素化ポリイ
ミドの中で複屈折が小さいものが現在用いられており、
また今後も用いられるものと考えられる。現在用いられ
ている光導波路用フッ素化ポリイミドは、2,2−ビス
(3,4−ジカルボキシフェニル)ヘキサフルオロプロ
パン二無水物(以下6FDAと略記する)と2,2′−
ビス(トリフルオロメチル)−4,4′−ジアミノビフ
ェニル(以下TFDBを略記する)から製造されるフッ
素化ポリイミド(以下6FDA/TFDBと略記す
る)、6FDAと4,4′−ジアミノジフェニルエーテ
ル(以下ODAと略記する)から製造されるフッ素化ポ
リイミド(以下6FDA/ODAと略記する)及び6F
DAとTFDB、ODAの共重合体などである。 【0018】ちなみに6FDA/TFDAの熱膨張係数
は82ppm、6FDA/ODAは61ppmである。
従ってこれらと同様の熱膨張係数を有する光学基板用ポ
リイミドを用いて光学用ポリイミド基板を作製すれば、
光学用ポリイミド基板上に作製したポリイミド光導波路
の偏波依存性は非常に小さいことが期待できる。このよ
うなことから光学基板用ポリイミドの熱膨張係数は60
ppm以上必要であるのである。一方下限を限定し、上
限を限定しなかった理由は、もし100ppmの光学基
板用ポリイミドが実現したら、共重合、ブレンドなどの
手法により60ppm〜100ppmまでのポリイミド
を既存の技術で十分実現できるからである。 【0019】これらの二つの要求性能を満足するポリイ
ミドについて鋭意検討した結果 【0020】 【化3】 【0021】に示すポリイミドが要求性能を満足するこ
とが明らかとなった。本発明は特定のジアミンを用いて
ポリイミドを製造したことに特徴があり、具体的なジア
ミンの例としては次のようなものがある。2,2′−ジ
メチルベンジジン、3,3′−ジメチルベンジジン、
3,3′−ジメトキシベンジジン、2,2′−ジメトキ
シベンジジン、3,3′−ジエトキシベンジジン、2,
2′−ジエトキシベンジジン、3,3′,5,5′−テ
トラメチルベンジジン、2,2′−ビス(トリフルオロ
メチル)−4,4′−ジアミノビフェニル、3,3′−
ビス(トリフルオロメトキシ)ベンジジン、2,2′−
(ビストリフルオロ)メトキシベンジジン、3,3′−
ビス(ペンタフルオロ)エトキシベンジジン、2,2′
−ビス(ペンタフルオロ)エトキシベンジジンなどが挙
げられる。またジアミンの相手方の酸二無水物としては
次のテトラカルボン酸の二無水物などが挙げられる。 【0022】(トリフルオロメチル)ピロメリット酸、
ジ(トリフルオロメチル)ピロメリット酸、ジ(ヘプタ
フルオロプロピル)ピロメリット酸、ペンタフルオロエ
チルピロメリット酸、ビス{3,5−ジ(トリフルオロ
メチル)フェノキシ}ピロメリット酸、3,4,3′,
4′−ビフェニルテトラカルボン酸、3,3′,4,
4′−テトラカルボキシジフェニルエーテル、2,
3′,3,4′−テトラカルボキシジフェニルエーテ
ル、3,3′,4,4′−ベンゾフェノンテトラカルボ
ン酸、2,3,6,7−テトラカルボキシナフタレン、
1,4,5,7−テトラカルボキシナフタレン、1,
4,5,6−テトラカルボキシナフタレン、3,3′,
4,4′−テトラカルボキシジフェニルメタン、3,
3′,4,4′−テトラカルボキシジフェニルスルホ
ン、2,2−ビス(3,4−ジカルボキシフェニル)プ
ロパン、2,2−ビス(3,4−ジカルボキシフェニ
ル)ヘキサフルオロプロパン、5,5′−ビス(トリフ
ルオロメチル)−3,3′,4,4′−テトラカルボキ
シビフェニル、2,2′,5,5′−テトラキス(トリ
フルオロメチル)−3,3′,4,4′−テトラカルボ
キシビフェニル、5,5′−ビス(トリフルオロメチ
ル)−3,3′,4,4′−テトラカルボキシジフェニ
ルエーテル、5,5′−ビス(トリフルオロメチル)−
3,3′,4,4′−テトラカルボキシベンゾフェノ
ン、ビス{(トリフルオロメチル)ジカルボキシフェノ
キシ}ベンゼン、ビス{(トリフルオロメチル)ジカル
ボキシフェノキシ}(トリフルオロメチル)ベンゼン、
ビス(ジカルボキシフェノキシ)(トリフルオロメチ
ル)ベンゼン、ビス(ジカルボキシフェノキシ)ビス
(トリフルオロメチル)ベンゼン、ビス(ジカルボキシ
フェノキシ)テトラキス(トリフルオロメチル)ベンゼ
ン、3,4,9,10−テトラカルボキシペリレン、
2,2−ビス{4−(3,4−ジカルボキシジフェノキ
シ)フェニル}プロパン、ブタンテトラカルボン酸、シ
クロペンタンテトラカルボン酸、2,2−ビス{4−
(3,4−ジカルボキシフェノキシ)フェニル}ヘキサ
フルオロプロパン、ビス{(トリフルオロメチル)ジカ
ルボキシフェノキシ}ビフェニル、ビス{(トリフルオ
ロメチル)ジカルボキシフェノキシ}ビス(トリフルオ
ロメチル)ビフェニル、ビス{(トリフルオロメチル)
ジカルボキシフェノキシ}ジフェニルエーテル、ビス
(ジカルボキシフェノキシ)ビス(トリフルオロメチ
ル)ビフェニル、ビス(3,4−ジカルボキシフェニ
ル)ジメチルシラン、1,3−ビス(3,4−ジカルボ
キシフェニル)テトラメチルジシロキサン、ジフルオロ
ピロメリット酸、1,4−ビス(3,4−ジカルボキシ
トリフルオロフェノキシ)テトラフルオロベンゼン、
1,4−ビス(3,4−ジカルボキシトリフルオロフェ
ノキシ)オクタフルオロビフェニルなどである。 【0023】ただ具体的には得られるポリイミドのガラ
ス転移温度と熱膨張係数を測定して好適なものを選択す
る必要がある。また上記のジアミン、酸二無水物は単独
でも良いし複数のものを混在させても良い。すなわち共
重合という手法でポリイミドの分子構造の一部に本発明
で特定したジアミンから得られる化学構造が存在すれば
良い。但しこれも得られた共重合ポリイミドのガラス転
移温度と熱膨張係数を測定して好適なものを選択する必
要がある。 【0024】光学用ポリイミド基板は汎用材料として使
用されるためコストを如何に抑えるかも産業上必要にな
ってくるが、その場合フッ素が入ったポリイミドよりフ
ッ素が入らないポリイミドのほうが良い。例えばジアミ
ンとして2,2′−ジメチルベンジジン(DMDB−2
2と略記する)、3,3′−ジメチルベンジジン(DM
DB−33と略記する)などがコスト面からは好まし
い。 【0025】ポリイミドの製造は通常のポリイミドの製
造方法が適用できる。すなわちジアミンと酸二無水物を
極性溶媒中で重合させ、ポリアミド酸溶液を製造した後
加熱イミド化または化学的イミド化を行い、ポリイミド
とする。また溶媒を用いない真空蒸着重合法でも良い。 【0026】光学用ポリイミド基板の製造は、ポリアミ
ド酸溶液や、ポリイミドが溶媒に可溶な場合はポリイミ
ド溶液を使用し、キャスト法などによりポリイミド基板
を製造できる。またポリイミド粉末を高温・高圧力で成
型する方法も適用できる。すなわち高分子材料を用いて
基板を製造する既存の技術が適用できる。 【0027】製造した光学基板の表面が平滑でない場合
は、表面研磨を施したほうがよい。表面の平滑性として
は平均表面粗さで100nm以下、できれば50nm以
下がよい。 【0028】 【実施例】以下いくつかの実施例を用いて本発明をさら
に詳しく説明するが、本発明はこれらの実施例に限定さ
れるものではない。 【0029】なお本発明で述べているガラス転移温度と
は、熱機械分析において測定される物性を言っている。
参考までに本発明における使用装置、測定条件は次の通
りである。 【0030】使用装置:真空理工株式会社製TM−70
00。 【0031】測定条件:測定試料:幅5mm×長さ1
5mm×厚さ15〜20μm 引っ張り荷重:3g 雰囲気:窒素雰囲気 昇温速度5℃/min。 【0032】また、本発明で述べている熱膨張係数と
は、熱機械分析において測定される物性で温度範囲が5
0〜300℃の平均熱膨張係数で、2回目の測定(通常
セカンドランと呼ぶ)のものである。本発明における使
用装置、測定条件は、上述したガラス転移温度の使用装
置、測定条件と同じである。 【0033】<実施例1>三角フラスコに6FDAを8
8.8g(0.2mol)とDMDB−22を42.4
g(0.2mol)及びN,N−ジメチルアセトアミド
1000gを加えた。この混合物を窒素雰囲気下、室温
で3日間攪拌し、濃度約11wt%のポリアミド酸溶液
(以下6FDA/DMDB−22ポリアミド酸溶液と略
記する)を得た。この6FDA/DMDB−22ポリア
ミド酸溶液をキャスト法で製膜後加熱キュアし、厚さ1
5μmのフィルムと厚さ150μmの基板(6FDA/
DMDB−22基板)を得た。このフィルムの熱膨張係
数は63ppmで、ガラス転移温度は335℃であっ
た。 【0034】<実施例2>三角フラスコに6FDAを8
8.8g(0.2mol)とDMDB−33を42.4
g(0.2mol)及びN,N−ジメチルアセトアミド
1000gを加えた。この混合物を窒素雰囲気下、室温
で3日間攪拌し、濃度約11wt%のポリアミド酸溶液
(以下6FDA/DMDB−33ポリアミド酸溶液と略
記する)を得た。この6FDA/DMDB−33ポリア
ミド酸溶液をキャスト法で製膜後加熱キュアし、厚さ1
5μmのフィルムと厚さ150μmの基板(6FDA/
DMDB−33基板)を得た。このフィルムの熱膨張係
数は72ppmで、ガラス転移温度は約330℃であっ
た。 【0035】<比較例1>三角フラスコにピロメリット
酸二無水物(以下PMDAと略記する)43.6g
(0.2mol)とODA40.0g(0.2mol)
及びN,N−ジメチルアセトアミド1000gを加え
た。この混合物を窒素雰囲気下、室温で3日間攪拌し、
濃度約11wt%のポリアミド酸溶液(以下PMDA/
ODAポリアミド酸溶液と略記する)を得た。このPM
DA/ODAポリアミド酸溶液をキャスト法で製膜後加
熱キュアし、厚さ15μmのフィルムと厚さ150μm
の基板(PMDA/ODA基板)を得た。このフィルム
の熱膨張係数は35ppmで、ガラス転移温度は400
℃までの測定で明らかにすることはできなく、400℃
以上と考えられる。 【0036】 【発明の効果】以上説明したように、本発明によればガ
ラス転移温度が300℃以上で、かつ熱膨張係数が60
ppm以上である光学基板用ポリイミドが製造され、さ
らにこのポリイミドを用いて光学用ポリイミド基板が製
造できる。この基板上に作製したポリイミド膜は複屈折
が小さいことが期待でき、またこの膜を用いて光導波路
を作製すれば偏波依存性の小さなポリイミド光導波路が
作製できるという効果がある。
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(72)発明者 松浦 徹
東京都武蔵野市御殿山一丁目1番3号
エヌ・ティ・ティ・アドバンステクノロ
ジ株式会社内
(72)発明者 山本 二三男
東京都武蔵野市御殿山一丁目1番3号
エヌ・ティ・ティ・アドバンステクノロ
ジ株式会社内
(72)発明者 諸井 長広
埼玉県川越市今福中台2805番地 セント
ラル硝子株式会社 化学研究所内
(72)発明者 前田 一彦
埼玉県川越市今福中台2805番地 セント
ラル硝子株式会社 化学研究所内
(72)発明者 堤 憲太郎
埼玉県川越市今福中台2805番地 セント
ラル硝子株式会社 化学研究所内
(56)参考文献 特開 平9−15608(JP,A)
特表 平8−511812(JP,A)
米国特許4877653(US,A)
(58)調査した分野(Int.Cl.7,DB名)
C08G 73/00 - 73/26
Claims (1)
- (57)【特許請求の範囲】 【請求項1】 式 【化1】 [式中、Ar1は芳香環を有する4価の有機基を表し、
R1およびR2はアルキル基、アルコキシ基を表す。] で表される繰り返し単位からなるポリイミドを用いて製
造した光学用ポリイミド基板であって、該ポリイミドの
ガラス転移点が300℃以上で、かつ熱膨張率が60p
pm以上であることを特徴とする光学用ポリイミド基
板。
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