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JP3337405B2 - 発光表示素子およびその電気配線基板への接続方法ならびに製造方法 - Google Patents

発光表示素子およびその電気配線基板への接続方法ならびに製造方法

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JP3337405B2
JP3337405B2 JP29295897A JP29295897A JP3337405B2 JP 3337405 B2 JP3337405 B2 JP 3337405B2 JP 29295897 A JP29295897 A JP 29295897A JP 29295897 A JP29295897 A JP 29295897A JP 3337405 B2 JP3337405 B2 JP 3337405B2
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light emitting
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Sharp Corp
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Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、チップのＰＮ接合
面が基板に対して垂直になるような状態で電気配線基板
に載置される発光表示素子およびその電気配線基板への
接続方法ならびに製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】発光ダイオード（以下、「ＬＥＤ」と略
称する）などの発光表示素子は、個別の素子としても使
用されるけれども、複数個をマトリクス状に配置してド
ットマトリクス表示ユニットを形成するような用途にも
多く使用されている。そのような用途としては、列車内
やタクシー内などの交通機関用ディスプレイ、携帯電話
機の文字表示部およびボタンのバック照明、制御装置用
ディスプレイ、あるいは遊戯機器用ディスプレイなどが
ある。
【０００３】ドットマトリクス表示ユニットなどへのＬ
ＥＤチップ搭載についての典型的な先行技術では、ＰＮ
接合面に平行な二つの表面に電極を形成したＬＥＤチッ
プの一方の電極を、ドットマトリクス表示ユニットの電
気配線基板にダイボンドして直接接合した後、チップ表
面の他方の電極と電気配線基板との間の電気的接続を、
ワイヤボンドによって行っている。このようなＬＥＤチ
ップの搭載方法では、一方の電極のみが電気配線基板上
に載置され、ＰＮ接合面が電気配線基板に平行となり、
他方の電極は電気配線基板の表面から離れるので、ワイ
ヤボンドによって電気的接続を行う必要がある。この搭
載方法の欠点は、ＬＥＤチップ間の間隙を利用してワイ
ヤボンディングを行う必要があるので、各チップの間隔
を縮めることができず、最小２ｍｍ程度の間隔が必要と
なり、ドットマトリクス表示ユニットとして高精細な表
示を行うことができないことである。
【０００４】この欠点を解決するため、図２０に示すよ
うに、ＬＥＤチップ１のＰＮ接合面２を、薄膜電極３，
４で電気配線基板に垂直に載置する方式が開発されてい
る。ここで、ＰＮ接合面が電気配線基板に平行となるよ
うに載置する前述のような方式を縦置き方式とし、図２
０のようなＰＮ接合面２が電気配線基板に垂直となるよ
うに載置する方式を横置き方式とする。ＬＥＤチップ１
では、ＰＮ接合面２に垂直な方向の両端に薄膜電極３，
４を設け、電気配線基板であるユニット基板５の表面上
に形成されている配線パターン６，７に電気的に接続す
る。この接続を行う際には、まずＬＥＤチップ１の側面
を接着剤８でユニット基板５に固定し、両側の薄膜電極
３，４を半田９で配線パターン６，７にそれぞれ電気的
に接合する。
【０００５】図２０（ａ）はユニット基板５へのＬＥＤ
チップ１の載置精度が良好な場合を示す。しかしなが
ら、図２０（ｂ）に示すように、ユニット基板５へのＬ
ＥＤチップ１の載置精度が悪い場合は、ＬＥＤチップ１
の側面では結晶面１０がむきだしであって、ＰＮ接合面
２の側端部が裸状態であるので、配線パターン６によっ
てＰＮ接合面２がショートしてしまう可能性がある。図
２０（ｃ）には、ＬＥＤチップ１を、一方の薄膜電極４
を底面として縦にした状態を示す。ＰＮ接合面２は、Ｐ
層の方がＮ層よりも薄いので、薄膜電極３，４のうちの
他方、たとえば薄膜電極３側に近い位置に設けられる。
薄膜電極３の厚みは数１／１０μｍ（数１０００Å）程
度で、金（Ａｕ）電極などで形成される。
【０００６】ＬＥＤチップを電気配線基板に横置きにし
て搭載する先行技術は、たとえば特公昭５６−４４５９
１、特開昭５４−２２１８６、特開昭５７−４９２８
４、特開平６−１７７４３５、特開平６−３２６３６
５、特開平７−２８３４３９、特開平８−１７２２１
９、特開平９−５１１２２などに開示されている。
【０００７】特公昭５６−４４５９１では、電気配線基
板上のＬＥＤチップ搭載位置に電気絶縁性接着剤を塗布
しておき、ＬＥＤチップの電極と電気配線基板上の配線
パターンとを導電性接着剤等で接続している。特開昭５
４−２２１８６では、電気配線基板上に半田を塗布して
おき、ＬＥＤチップの電極は半田親和性のある金属で、
光透過性空間を残して形成し、電気配線基板と電極との
間を半田で橋絡させて接続している。特開昭５７−４９
２８４では、電気配線基板上に電気絶縁性接着剤を塗布
しておき、ＬＥＤチップの電極と電気配線基板上の配線
パターンとを半田合金で接続している。特開平６−１７
７４３５、電気配線基板上に電気絶縁性接着剤を塗布し
ておき、ＬＥＤチップの両側の電極に熱溶解性の導電材
料を形成し、熱で導電材料を溶かして、電極と電気配線
基板上の配線パターンとを電気的に接続している。特開
平８−１７２２１９では、複数のＰＮ接合面を有する多
色ＬＥＤを導電性接着剤や金属ろう材を用いて、電気配
線基板に電気的に接続している。これらの先行技術で
は、ＰＮ接合面の側端部は裸状態であり、電気配線基板
への載置精度が悪いと、前述のように、配線パターンに
よってＰＮ接合面がショートしてしまう可能性がある。
【０００８】特開平６−３２６３６５では、両側の電極
を含めて、ＬＥＤチップの側面に電気絶縁性のコーティ
ングが施される。ＰＮ接合面は裸状態ではなくなるけれ
ども、電極の側端面にも電気絶縁性のコーティングが付
着するので、配線パターンとの電気的接続に支障が生じ
る可能性がある。
【０００９】図２１は、特開平７−２８３４３９および
特開平９−５１１２２でのＬＥＤチップの搭載方法およ
び形状を示す。図２１（ａ）に示すＬＥＤチップ１１
は、ＰＮ接合面の周囲を含む側面の一部に絶縁膜１２が
形成されている構造を有する。ＰＮ接合面に平行な薄膜
電極のさらに両側には、厚膜電極１３，１４がそれぞれ
形成され、導電性ペースト１６，１７で、ユニット基板
５上に形成される配線パターン６，７にそれぞれ電気的
に接続される。導電性ペースト１６，１７は、熱硬化性
である。
【００１０】図２２は、図２１に示すようなタイプのＬ
ＥＤチップ１１をユニット配線基板５に搭載する状態を
示す。図２２（ａ）はＬＥＤチップ１１の載置精度が良
い場合を示し、図２２（ｂ）はＬＥＤチップ１１の載置
精度が悪い場合を示す。載置精度が悪くても、ＰＮ接合
面の周囲には絶縁膜１２が形成されているので、ショー
トやリークなどの電気的不具合は起こりにくい。図２２
（ｃ）は、ユニット基板５上に複数のＬＥＤチップ１１
を装着する状態を示す。ヒータ２０によって加熱される
下型２１上に、ユニット基板５に導電性ペースト１６，
１７によって複数のＬＥＤチップ１１を固定した状態で
搭載し、上方から上型２２によって、ゴム層２３を介し
て各ＬＥＤチップ１１を押圧する。これによって各ＬＥ
Ｄチップ１１の厚膜電極１３，１４がユニット基板５上
の配線パターン６，７に密接に接触し、配線パターン
６，７上に付着させた導電性ペースト１６，１７が硬化
する。この結果、厚膜電極１３，１４と配線パターン
６，７との電気的接続が保たれた状態で、ＬＥＤチップ
１１が導電性ペースト１６，１７によってユニット基板
５上に固定される。
【００１１】図２３は、図２２に示すような側面に部分
的な絶縁膜１２を有するＬＥＤチップ１１の製造工程を
示す。（１）は基板上にＰ層３１およびＮ層３２を拡散
などによって形成し、その境界にＰＮ接合面２を形成
し、さらに一方の表面に電極層３３、他方の表面に電極
層４をそれぞれ形成する状態を示す。電極層３３，４の
形成には、金（Ａｕ）やベリリウム金（ＡｕＢｅ）など
の金属を蒸着する。（２）は、Ｐ層３１側に設けられる
Ｐ電極をフォトエッチングによって製造する。ウエハ３
０の一方表面に全体的に形成した電極層３３上にレジス
ト層３４を形成し、ガラスマスクに従って露光した後、
現像液およびリンス液で処理し、Ｐ電極のフォトエッチ
ングを行って、端子電極３をそれぞれ残して電極層３３
を除去する。（４）では、再び端子電極３の上にレジス
ト層３５を塗布し、端子電極３の周辺を保護する状態と
して残すようにフォトエッチングする。（５）では、ウ
エハ３０の一方表面側から端子電極３間を切削するハー
フダイシングを行う。ウエハ３０の他方表面側は、粘着
シートを貼付けておく。一方表面側からのブレードの切
込は、全体を完全に分離しないで、ダイシング残り代
を、たとえば１１０μｍ残すように切断する。次にウエ
ハ３０の他方表面から粘着シートを取り外し、硫酸（Ｈ
2ＳＯ4）および過酸化水素水（Ｈ2Ｏ2）などの混合溶液
でエッチングを行う。次に（６）で、保護用のレジスト
を剥離する。レジストの剥離のためには、ＯＭＲ剥離液
を使用する。次に（７）で（５）のハーフダイシングで
形成した切込部分に樹脂層３７を形成するように、エポ
キシとアクリルとを混合した樹脂を塗布する。（８）で
は、Ａｇペースト電極３８をウエハ３０の両面に形成
し、（９）で各ＬＥＤチップ１１毎に分離するフルダイ
シングを行う。フルダイシングの際には、ウエハ３０の
他方表面側を粘着シートに貼付け、ブレードで各ＬＥＤ
チップ１１を完全に分離するフルダイシングを行う。
【００１２】
【発明が解決しようとする課題】図２０および図２１に
示すようなＬＥＤチップ１，１１は、側面が結晶面１０
として全部または一部露出しているので、ユニット基板
５などへの搭載時にチップ搭載位置のすれが生じると、
結晶面１０として露出している部分がユニット基板５上
の配線パターン６，７などに接触する可能性がある。こ
のような接触が生じると、ＬＥＤチップ１，１１の発光
に寄与する「ＰＮ接合面２」に電流が流れなくなってし
まうため、チップの輝度低下やチップの不灯といった不
具合が発生する。図２１に示すように、絶縁膜１２でＰ
Ｎ接合面２の周囲を覆っているタイプのＬＥＤチップ１
１でも、チップ搭載位置のずれがある限界を超えると、
結晶面１０のむきだしの部分がユニット基板５上の配線
パターン６，７などと接触するため、図２０のＬＥＤチ
ップ１と同様に、チップの輝度低下や不灯が発生し、チ
ップの搭載精度のばらつきを考慮すると、まだ完全なチ
ップ構造とは言えない。
【００１３】本発明の目的は、ＰＮ接合面を基板に垂直
に載置する発光表示素子で、載置位置のずれによって発
光表示素子の結晶側面が不所望に他の部分に接触し、発
光輝度の低下や不灯といった不具合が発生する可能性が
ない発光表示素子およびその電気配線基板への接続法方
ならびに製造方法を提供することである。
【００１４】
【課題を解決するための手段】本発明は、ウエハ状の半
導体材料から製造され、電気配線基板に対し、ＰＮ接合
面が垂直になるように載置され、ＰＮ接合面に垂直な方
向の両端に形成される端子電極で、電気配線基板上に間
隔をあけて設けられる接続電極に接合される発光表示素
子において、少なくとも電気配線基板に対向する側端面
では、ＰＮ接合面を含む半導体結晶の側端面がＰＮ接合
面に垂直であり、両端の端子電極の側端面が、該半導体
結晶の側端面の延長上にある内方側端面と、該内方側端
面よりも電気配線基板側に突出する外方側端面とで段差
が形成され、両端の端子電極の内方側端面と半導体結晶
の側端面とにわたって、表面が外方側端面と同一平面と
なるように、電気絶縁性の被膜が形成されていることを
特徴とする発光表示素子である。
【００１５】本発明に従えば、電気配線基板に対し、Ｐ
Ｎ接合面が垂直になるように載置される発光表示素子の
ＰＮ接合面に垂直な方向の両端には、端子電極がそれぞ
れ形成される。電気配線基板上には、間隔をあけて接続
電極が設けられ、端子電極がそれぞれ電気的に接合され
る。発光表示素子の端子電極間の一側面は、電気配線基
板に対向し、少なくともその一側面の両端の端子電極に
は、半導体結晶の側端面の延長上にある内方側端面と、
内方側端面よりも電気配線基板側に突出する外方側端面
とで段差が形成される。半導体結晶の側端面と両端の端
子電極の内方側端面との全体には、電気絶縁性の被膜が
形成されているので、電気配線基板への載置精度が悪
く、位置ずれが大きくなっても、ＰＮ接合面の側端部が
パターンなどの他の部分に接触する恐れはなく、輝度低
下や不灯などの不具合の発生を防ぐことができる。発光
表示素子を電気配線基板上に載置するときに、電気絶縁
性の被膜の表面と端子電極の外方側端面とが同一平面と
なり、少なくとも電気絶縁性被膜が端子電極の側端部よ
りも外方にはみ出すことはないので、端子電極と接続電
極とを確実に接触させて導通させることができる。
【００１６】また本発明で前記電気絶縁性の被膜は、紫
外線硬化型樹脂で形成されることを特徴とする。
【００１７】本発明に従えば、電気絶縁性の被膜を紫外
線硬化型樹脂で形成するので、選択的に紫外線を照射す
ることによって電気絶縁性被膜を効率的に形成すること
ができる。紫外線硬化型の樹脂を使用するので硬化部分
と非硬化部分との選択が容易であり、加熱する必要もな
いので絶縁被膜を容易に形成することができる。
【００１８】
【００１９】
【００２０】
【００２１】
【００２２】また本発明で前記電気絶縁性の被膜は、前
記ＰＮ接合面からの出射光に対して透明で、かつ、エポ
キシ樹脂およびフェノール樹脂を含む有機材料、または
酸化珪素（ＳｉＯ2 ）および酸化アルミニウム（Ａｌ2
Ｏ3）を含む無機材料の中から選択される物質であるこ
とを特徴とする。
【００２３】本発明に従えば、ＰＮ接合面の側端部を覆
う電気絶縁性の被膜を透明にすることによって、ＰＮ接
合面で発生する光をそのまま出射させることができる。
【００２４】また本発明で前記半導体材料は、ＩＩＩ−
Ｖ族化合物半導体、ＩＩ−ＶＩ族化合物半導体または炭
化珪素（ＳｉＣ）の中から選択される物質であることを
特徴とする。
【００２５】本発明に従えば、可視発光するものが多い
化合物半導体から選択される半導体材料を用いて、発光
効率の高い発光表示素子を得ることができる。
【００２６】また本発明で前記端子電極は、金属薄膜
と、導電性のろう材または導電性の樹脂接着剤との組合
せによって形成されていることを特徴とする。
【００２７】本発明に従えば、発光表示素子のＰ型およ
びＮ型の半導体層端面の電極と金属薄膜との間を導電性
のろう材または導電性の樹脂接着剤で導通させ、金属薄
膜で外部に対する電気的接続を行うことができる。
【００２８】また本発明で前記端子電極は、金属薄膜
と、異方導電性樹脂接着材との組合せによって形成され
ていることを特徴とする。
【００２９】本発明に従えば、発光表示素子のＰ型およ
びＮ型の半導体層端面の電極と金属薄膜との間を異方導
電性樹脂接着剤で導通させ、金属薄膜で外部に対する電
気的接続を行うことができる。
【００３０】また本発明で前記端子電極は、前記ＰＮ接
合面に垂直な方向の両端で、表面が前記電気配線基板の
表面に対して垂直となるように形成されていることを特
徴とする。
【００３１】本発明に従えば、端子電極の側端面は電気
配線基板の表面と平行になるので、端子電極と電気配線
基板上の接続電極との接触面積を広くすることができ
る。端子電極の側端面が接続電極と非平行であれば、接
触部が線となり、接触面積は狭くなってしまう。接触面
積が広ければ、導通をとりやすく、電気抵抗を小さくす
ることができる。
【００３２】また本発明で前記端子電極は、少なくとも
一部に光透過性空間を残すように形成されていることを
特徴とする。
【００３３】本発明に従えば、端子電極は光透過性を有
していないけれども、全面に形成されるのではなく、少
なくとも一部に光透過性空間を残すように形成される。
光透過性空間を通して、半導体結晶から発光する光が取
り出され、発光光度を高めることができる。
【００３４】
【００３５】
【００３６】さらに本発明は、ウエハ状の半導体材料か
ら製造され、電気配線基板に対し、ＰＮ接合面が垂直に
なるように載置され、ＰＮ接合面に垂直な方向の両端に
形成される端子電極で、電気配線基板上に間隔をあけて
設けられる接続電極に接合される発光表示素子であっ
て、少なくとも電気配線基板に対向する側端面では、Ｐ
Ｎ接合面を含む半導体結晶の側端面がＰＮ接合面に垂直
であり、両端の端子電極の側端面が、該半導体結晶の側
端面よりも電気配線基板側に突出して、該半導体結晶の
側端面と電気配線基板との間に空間を生じさせる段差が
形成される発光表示素子の端子電極を、前記電気配線基
板の接続電極に、前記段差よりも最大径が小さい粒子の
みを導電性成分として含む異方導電性樹脂接着剤を用い
て、接続することを特徴とする発光表示素子の電気配線
基板への接続方法である。
【００３７】本発明に従えば、電気配線基板の接続電極
上に異方導電性樹脂接着剤を付けておき、その上に発光
表示素子の端子電極を接合する際に、加熱および加圧を
行う。異方導電性樹脂接着剤は、発光表示素子の端子電
極の側端面と電気配線基板の接続電極との間でのみ導通
し、他の部分は非導通となるので、ＰＮ接合面間の短絡
を避けて確実に接続することができる。異方導電性樹脂
の導電性成分としての粒子がＰＮ接合面の側端部近傍に
挟まっても、粒子の最大径は段差よりも小さいので、Ｐ
Ｎ接合面間を橋絡してしまうことがなく、確実に端子電
極と接続電極との間の電気的接続を行うことができる。
縁状態を保つことができる。
【００３８】さらにまた本発明は、発光表示素子の端子
電極を、前記電気配線基板の接続電極に、導電性のろう
材または導電性の樹脂接着剤を用いて接続することを特
徴とする発光表示素子の電気配線基板への接続方法であ
る。
【００３９】本発明に従えば、電気配線基板の接続電極
上に、発光表示素子の端子電極を、たとえば仮止してお
き、導電性のあるろう材または導電性のある樹脂接着剤
で電気的に接続する。導電性を有するろう材や樹脂接着
剤は、異方導電性樹脂接着剤などに比較して安価であ
り、発光表示素子を電気配線基板上に実装する際に要す
るコストを低減することができる。
【００４０】さらに本発明は、電気配線基板に対してＰ
Ｎ接合面が垂直になるように載置され、ＰＮ接合面に垂
直な方向の両端に形成される端子電極で、電気配線基板
上に間隔をあけて設けられる接続電極に接合される発光
表示素子の製造方法において、半導体ウエハ内部に、表
面に平行なＰＮ接合面を形成し、一方表面側に各発光表
示素子毎の端子電極を形成し、他方表面全体に電極層を
形成するウエハ製造工程と、前記半導体ウエハの他方表
面側を粘着シートに貼付け、各発光表示素子間で半導体
ウエハを切断して発光表示素子のチップ毎に分離し、粘
着シートを延伸させて発光表示素子チップ間の間隔を拡
大する素子離間工程と、前記発光表示素子チップ間の間
隙に前記一方表面側から電気絶縁用樹脂を塗布し、硬化
させる絶縁工程と、前記一方表面側の端子電極表面か
ら、硬化した電気絶縁用樹脂を除去して端子電極表面を
露出させる絶縁除去工程と、前記一方表面側から導電性
ペーストを塗布し、前記他方表面側の粘着シートを剥離
して導電性ペーストを塗布し、両表面に塗布した導電性
ペーストを熱硬化させて厚膜電極を形成する電極形成工
程と、前記各発光表示素子チップ間を、前記硬化した電
気絶縁用樹脂を残すように切断して、側面全体に電気絶
縁用樹脂層を有する発光表示素子チップを分離すること
を特徴とする発光表示素子の製造方法である。
【００４１】本発明に従えば、ウエハ製造工程で製造さ
れた半導体ウエハを、素子離間工程では、粘着シートに
貼付けた後で発光表示素子のチップ毎に分離し、粘着シ
ートを延伸させて発光表示チップ間の間隔を拡大した
後、絶縁工程で電気絶縁用樹脂を塗布して硬化させるの
で、発光表示素子のチップ間に充分な間隔をあけた状態
で絶縁被膜を形成することができる。チップ間の間隔が
充分あるので厚い絶縁被膜を形成することができ、チッ
プ分離工程で切断する際に、発光表示素子チップの周囲
に絶縁被膜を残すことができる。
【００４２】また本発明で前記絶縁工程で塗布する電気
絶縁用樹脂は、紫外線硬化型であることを特徴とする。
【００４３】本発明に従えば、絶縁用樹脂として紫外線
硬化型樹脂を使用するので、硬化させたい部分のみ紫外
線を照射し、未硬化の部分を容易に除去することができ
る。
【００４４】また本発明で前記絶縁工程では、前記電気
絶縁用樹脂をスキージを用いて塗布することを特徴とす
る。
【００４５】本発明に従えば、電気絶縁用樹脂をスキー
ジを用いて塗布するので、必要な厚さで均一な塗布を行
うことができる。
【００４６】また本発明で前記電極形成工程では、前記
導電性ペーストをスキージを用いて塗布することを特徴
とする。
【００４７】本発明に従えば、導電性ペーストをスキー
ジを用いて塗布するので、半導体表示素子に厚膜電極と
なる導電性ペーストを均一に塗布することができる。
【００４８】
【発明の実施の形態】図１は、本発明の実施の一形態に
よるＬＥＤチップ４１を、基板に搭載する実装状態と外
観形状とを示す。図１（ａ）では、ＰＮ接合面４２が垂
直となる横置き状態で、基板に搭載して実装する状態を
示す。ＬＥＤチップ４１のＰＮ接合面４２に垂直な方向
の両側には、Ｐ極およびＮ極として薄膜電極４３，４４
がそれぞれ形成される。ＬＥＤチップ４１は、ＰＮ接合
面４２が垂直となるようにユニット基板４５上に載置さ
れる。ユニット基板４５上には、電気的接続用の接続電
極である配線パターン４６，４７が形成されている。
【００４９】ＬＥＤチップ４１の側面の結晶面５０は、
全体的に形成される無色透明または有色透明の絶縁膜５
２によって覆われている。絶縁膜５２は、電気絶縁性の
被膜として、ＰＮ接合面４２に近い側の表面側には長く
延びるように形成される。この表面側で薄膜電極４３
は、ＬＥＤチップ４１の端面よりも小さく形成される。
他方の表面側の薄膜電極４４は、ＬＥＤチップ４１の端
面全体を覆うように形成される。各薄膜電極４３，４４
の両側には、厚膜電極５３，５４が端子電極としてそれ
ぞれ形成される。厚膜電極５３，５４は、たとえば東芝
ケミカル株式会社製ＣＴ２２５Ｋなどの銀（Ａｇ）ペー
ストを熱硬化させて形成される。図１（ｂ）は、ＬＥＤ
チップ４１を立てた状態の外観形状を示す。
【００５０】図１（ａ）に示すように、本実施形態のＬ
ＥＤチップ４１は、絶縁膜５２で側面が全部覆われ、結
晶面５０が露出しないので、ユニット基板４５に実装す
る際の載置位置にずれが生じても、導電性ペースト５
６，５７による配線パターン４６，４７と厚膜電極５
３，５４との間の電気的接続が維持されている限り、Ｌ
ＥＤチップ４１の輝度低下や不灯などの不具合は生じな
い。
【００５１】図２〜図１０は、図１に示すＬＥＤチップ
４１を製造する工程の手順を示す。先ず図２に示すよう
に、たとえば２５０μｍ厚のＬＥＤウエハ６０を準備す
る。ＬＥＤウエハ内部に、Ｎ型基板にＮ層をエピタキシ
ャル成長させ、さらにその上にＰ層をエピタキシャル成
長させたＰＮ接合面が形成され、一方の表面には薄膜電
極４３が各発光表示素子毎に個別的に形成され、他方の
表面全体には薄膜電極４４が形成される。これらの薄膜
電極４３，４４は、０．２μｍ程度の厚みの金（Ａｕ）
や銀（Ａｇ）などの金属薄膜で形成される。
【００５２】なお、ＬＥＤウエハ６０の材料としては、
たとえばガリウム燐（ＧａＰ）やガリウム砒素（ＧａＡ
ｓ）などのＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体を用いる。ＬＥＤ
ウエハ６０を形成する半導体材料は、ＩＩＩ−Ｖ族化合
物半導体ばかりではなく、ＩＩ−ＶＩ族化合物半導体ま
たは炭化珪素（ＳｉＣ）などの化合物半導体等から選ば
れる物質であることが好ましい。これらの化合物半導体
には発光するものが多く、また物質を変えて発光色も変
化させることができるからである。絶縁膜５２は、エポ
キシ系樹脂やフェノール系樹脂、アクリル系樹脂などの
有機材料、および酸化珪素（ＳｉＯ2 ）や酸化アルミニ
ウム（Ａｌ2Ｏ3）などの無機材料の中から選ばれる電気
絶縁性の物質で、ＰＮ接合面４２からの出射光に対して
透明な物質であることが好ましい。光の利用効率を低下
させないためである。
【００５３】次に図３に示すように、ＬＥＤウエハ６０
を他方表面側で粘着シート６１に貼付ける。粘着シート
６１は塩化ビニール製フイルムであり、粘着力は１５０
ｇ／２５ｍｍ程度である。次に図４に示すように、粘着
シート６１に貼付けたＬＥＤウエハ６０を、各ＬＥＤチ
ップ４１毎にフルダイスカットする。ダイシング装置の
ブレードの厚みは４０μｍ程度であり、切断ぶれなどに
よってダイシング幅は５０μｍとなる。ダイシングピッ
チは３００μｍであり、ダイシング後のＬＥＤチップ４
１の幅は２５０μｍとなる。次に図５に示すように、粘
着シート６１を延伸させて、ＬＥＤチップ４１間の間隔
を１００μｍまで拡大する。
【００５４】図６は、ＬＥＤチップ４１間の間隔を拡大
した後、紫外線硬化型のＵＶ樹脂６２を塗布する状態を
示す。（ａ）に示す塗布前ではＵＶ樹脂６２を粘着シー
ト６１上に一旦盛り上げておき、塗布機のスキージ６３
を粘着シート６１の表面に平行に移動させ、（ｂ）に示
すように、ＬＥＤチップ４１の薄膜電極４３の表面から
１０μｍ程度までＵＶ樹脂６２が覆うように塗布する。
ＵＶ樹脂６２としては、たとえば住友金属鉱山株式会社
製のＵＶ−８０Ｄを用いる。図７は、塗布したＵＶ樹脂
６２をフォトマスク６４を用いて、選択的に紫外光６５
によって硬化させる状態を示す。ＵＶ樹脂６２は、フォ
トマスク６４で各ＬＥＤチップ４１上では硬化しないよ
うに遮られ、ＬＥＤチップ４１間のみで硬化する。紫外
光６５の露光を行うと、絶縁用樹脂であるＵＶ樹脂６２
は、紫外光６５が照射された部分では固体になり、紫外
光６５が照射されなかった部分では液状のままである。
【００５５】図７（ｂ）は有機溶剤、たとえばアセトン
によって未硬化のＵＶ樹脂６２を除去し、硬化したＵＶ
樹脂６２を絶縁膜５２として残した状態を示す。未硬化
のＵＶ樹脂６２がアセトンによって洗い流されて取り去
られた部分では、再び薄膜電極４３が露出する。
【００５６】図８は、露出した薄膜電極４３の上にＡｇ
ペーストを塗布する工程を示す。（ａ）に示すように、
粘着シート６１上にＡｇペースト６６を盛り上げてお
き、塗布機のスキージ６３を粘着シート６１の表面に平
行な方向に移動し、（ｂ）に示すように、５０μｍの厚
さでＡｇペースト６６を塗布する。Ａｇペーストは、粘
着シート６１を除去した他方表面側にも（ｃ）に示すよ
うに塗布する。塗布する厚さである５０μｍは、塗布機
のスキージ６３の高さ調整によって制御することができ
る。両側にＡｇペースト６６を塗布した後、たとえば１
５０℃で２時間の加熱により硬化させると、厚膜電極５
３，５４が得られる。
【００５７】図９は、各ＬＥＤチップ４１の間の絶縁膜
５２および厚膜電極５３，５４をダイシング装置でフル
ダイスカットする状態を示す。ダイシング装置でフルダ
イスカットする前に、再び他方表面側に粘着シート６７
を貼付けておく。ダイシング装置で、ダイシング幅５０
μｍでフルダイスカットすると、各ＬＥＤチップ４１に
は２５μｍの厚みの絶縁膜５２が形成された状態でＬＥ
Ｄチップ４１が完成する。このようなダイシングの結
果、チップサイズは０．３０ｍｍ×０．３０ｍｍとな
る。
【００５８】図１０は、図９で完成したＬＥＤチップ４
１を、チップ搭載用のユニット基板４５に実装する状態
を示す。配線パターン４６，４７には、熱硬化タイプの
導電性ペースト５６，５７を付着させておき、この導電
性ペースト５６，５７上にＬＥＤチップ４１を搭載す
る。チップ搭載後、導電性の樹脂接着剤である導電性ペ
ースト５６，５７を熱硬化させることによって、ＬＥＤ
チップ４１はユニット基板４５上に固定される。
【００５９】本実施形態では、図４に示すようにフルダ
イスカットした後で図６および図７に示すようにして、
ＵＶ樹脂６２をＬＥＤチップ４１間の間隙に塗布するの
で、ＬＥＤチップ４１の側面全体を絶縁膜５２で覆うこ
とができる。図２３に示す従来のＬＥＤチップの製造方
法では、（５）で示すようにハーフダイシングした後、
（７）で示すように絶縁膜を形成するので、ＬＥＤチッ
プ１１の側面全体に絶縁膜１２を形成することはできな
い。（５）でフルダイシングしてしまうと、ＬＥＤチッ
プ１１がばらばらになってしまうからである。本実施形
態では、図３に示すように、ＬＥＤウエハ６０に予め粘
着シート６１を貼付けてあるので、図４でＬＥＤウエハ
６０をフルダイシングすることが可能である。
【００６０】また、本実施形態では図５に示すようにフ
ルダイシングの後、拡大チップ間の間隔を拡げる拡大を
行っている。図９に示すフルダイシングでは、隣り合う
ＬＥＤチップ４１間に必要な幅は１００μｍであるけれ
ども、図４のダイシングでは距離は５０μｍとなってい
る。図５の拡大を行うことにより、ＬＥＤチップ４１間
の距離を５０μｍ〜１００μｍに拡げている。逆に言え
ば、本実施形態の製造工程では、この拡大を行うことが
可能なため、図４と図６とを比較して判るように、ダイ
シングの幅を狭くすることができ、ＬＥＤウエハ６０を
有効に使うことができる。ＬＥＤチップ４１の装着方向
を区別することができるときには、ユニット基板４５に
接触する側面のみに絶縁膜５２を形成するか、全体に形
成した後で他の部分は除去することもできる。
【００６１】図１１は、図６に示す絶縁用樹脂の塗布工
程をさらに詳細に示す。（ａ）に示すように、図６
（ａ）に示す状態のワーク７０を、塗布機のベース７１
上にセットする。次に（ｂ）に示すように、ワーク７０
の表面よりも少し小さい開口部を有するマスク７２をワ
ーク７０上にセットし、ＵＶ樹脂６２をマスク７２上に
盛り上げる。スキージ６３の刃先の高さを、ベース７１
の表面からの高さｘとして調整し、（ｃ）に示すように
スキージ６３をベース７１の表面に平行に移動させる。
これによってＵＶ樹脂６２を、均一な厚さでワーク７０
上に塗布することができる。（ｄ）に示すように、マス
ク７２をワーク７０の表面から除去すると、ワーク７０
の表面にはベース７１の表面からｘの高さでＵＶ樹脂６
２を塗布することができる。図８に示すＡｇペースト６
６の塗布も同様にして行うことができる。
【００６２】図１２は、本発明に関連する形態のＬＥＤ
チップ８１として、ＰＮ接合面４２に垂直な方向の両側
の端子電極８２，８３に対し、半田などの導電性ろう材
８４，８５を用いて、配線パターン４６，４７に対する
電気的接続を行う状態を示す。半田などで接合する場合
であっても、絶縁膜５２を形成しておけば、ショート等
の不具合を防ぐことができる。導電性ろう材８４，８５
や、図１の導電性ペースト５６，５７などの導電性樹脂
接着剤は、後述するような異方導電性樹脂接着剤に比較
して安価であり、低コストでＬＥＤチップ４１，８１の
ユニット基板４５への機械的な装着および電気的接続を
行うことができる。
【００６３】図１３は、本発明に関連する他の形態とし
て、ＬＥＤチップ９１の端子電極９２，９３を、ＬＥＤ
チップ９１自体の断面よりも大きくなるように形成し、
ユニット基板４５上に載置したとき、ユニット基板４５
の表面とＰＮ接合面４２との間に間隔Ｄの空間が生じる
ような段差を設ける状態を示す。ユニット基板４５上に
載置した状態で、端子電極９２，９３の下端よりも、Ｐ
Ｎ接合面４２の下端の方が高い位置にある。ＰＮ接合面
４２の側端部とユニット基板４５との間、すなわち結晶
面５０とユニット基板４５との間にこのような空間があ
ると、ＰＮ接合面４２間がユニット基板４５上の配線パ
ターンなどに接触して短絡することがなく、良好な絶縁
状態を保つことができる。
【００６４】図１４は本発明の実施の他の形態として、
図１３に示すようなＬＥＤチップ９１を、異方導電性樹
脂接着剤９４，９５によって、配線パターン４６，４７
に電気的に接続する状態を示す。ユニット基板４５の配
線パターン４６，４７上には、未硬化の異方導電性樹脂
接着剤９４，９５を塗布しておき、ＬＥＤチップ９１を
載置した後、加圧して加熱する。加圧の圧力は、たとえ
ば２〜２０ｋｇｆ／ｃｍ2 とする。異方導電性樹脂接着
剤９４，９５としては、たとえばハイソール社製の商品
名「モーフィット ＴＧ−９０００Ｒ」やその類似品な
どを使用することができる。この異方導電性樹脂接着剤
９４，９５には、液状の透光性エポキシ樹脂に数〜数１
０ｗｔ％の導電性粗粒子が配合されている。導電性粗粒
子の粒径は、約１０μｍ以下である。
【００６５】図１５は、図１４で加圧を行う効果とし
て、端子電極９２と配線パターン４６との間隙付近の異
方導電性樹脂接着剤９４内部を模式的に示す。異方導電
性樹脂接着剤９４に導電性成分として含まれる金属など
の導電性材料の粒子９６は、加圧を加えないと、分散し
た状態で存在する。樹脂自体は電気絶縁性であるので、
粒子９７が分散していると導電性を示さない。加圧され
た部分では、粒子９６同士や、粒子９６と端子電極９２
の側端面または配線パターン４６とが接触して導電性を
示すようになる。加圧力は、端子電極９２の側端面と配
線パターン４６の表面との間にのみ印加されるので、他
の部分の異方導電性樹脂接着剤９４は電気絶縁性を保
つ。他の端子電極９３および配線パターン４７側も同様
である。加熱によって樹脂が硬化すると、ユニット基板
４５上にＬＥＤチップ９１を固定して確実に装着するこ
とができる。
【００６６】なお、粒子９６の粒径ｄは、ＬＥＤチップ
９１の結晶面５０とユニット基板４５の表面との間隔Ｄ
よりも小さくしておくことが好ましい。このようにする
と、粒子９６がＰＮ接合面４２の近傍に侵入しても、Ｐ
Ｎ接合面４２間を橋絡してしまうことはなく、ＰＮ接合
面４２の電気絶縁性を良好に保つことができる。また、
図１２〜図１５の実施形態で、端子端子電極８２，８
３；９２，９３は、図１のような厚膜電極５３，５４で
あっても、図２のような薄膜電極４３，４４であっても
同様に接続を行うことができる。
【００６７】図１６は、本発明に関連するさらに他の形
態のＬＥＤチップ９７を示す。ＬＥＤチップ９７は、図
１３〜図１５の実施形態のＬＥＤチップ９１の結晶面５
０の表面を絶縁膜５２で覆って形成する。これによっ
て、ＰＮ接合面４２の電気絶縁性を、一層確実に保つこ
とができる。絶縁膜５２の表面は、端子電極９２，９３
の側端面と同一平面となるように、面一の状態に形成さ
れるので、少なくとも絶縁膜５２を形成する電気絶縁性
被膜が端子電極９２，９３の側端面側にはみ出すことが
なく、ＬＥＤチップ９７をユニット基板４５上に載置し
たとき、配線パターン４６，４７と端子電極９２，９３
とを直接接触させることができる。
【００６８】図１７は、本発明に関連するさらに他の形
態のＬＥＤチップ１０１として、端子電極１０２，１０
３を、金属薄膜１０４，１０５と、導電性のろう材また
は導電性の樹脂接着剤１０６，１０７とで形成する状態
を示す。ウエハの状態で形成する金属の薄膜電極４３，
４４と、金属薄膜１０４，１０５との間が、導電性のろ
う材または導電性の樹脂接着剤１０６，１０７によっ
て、異方導電性樹脂接着剤を使用するよりも低コストで
接続可能となる。
【００６９】図１８も、本発明に関連するさらに他の形
態のＬＥＤチップ１１１として、端子電極１１２，１１
３を、金属薄膜１０４，１０５と、異方導電性の樹脂接
着剤１１６，１１７とで形成する状態を示す。ウエハの
状態で形成する金属の薄膜電極４３，４４と、金属薄膜
１０４，１０５との間が、異方導電性樹脂接着剤１１
６，１１７を使用して確実に接続される。
【００７０】図１９は、本発明の実施のさらに他の形態
のＬＥＤチップ１２１として、少なくとも一方の端子電
極１２２を、光透過性空間１２３を残して形成している
状態を示す。本実施形態では、ＰＮ接合面に平行な結晶
の全面に端子電極１２２が形成されるのではなく、部分
的に形成される。端子電極１２２が形成されていない部
分は、光透過性空間１２３となって、半導体結晶がむき
出しになる。光透過性空間１２３からの発光を利用し
て、ＬＥＤチップ１２１としての出力光度を高めること
ができる。光透過性空間１２３の形状は、たとえば特開
昭５４−２２１８６の先行技術と同様に、種々のものを
使用することができる。
【００７１】なお、各形態で、厚膜電極５３，５４や端
子電極８２，８３；９２，９３；１０２，１０３；１１
２，１１３；１２２の表面は、ユニット基板４５などの
電気配線基板の表面に対して垂直方向となるように載置
することが好ましい。厚膜電極５３，５４や端子電極８
２，８３；９２，９３；１０２，１０３；１１２，１１
３；１２２等の側端面は、表面と垂直にダイシングされ
て形成されているので、配線パターン４６，４７などの
配線パターンと平行になるからである。もし、側端面と
パターンとが非平行であれば、面接触を行うことができ
ずに線接触となって、接触面積が小さくなってしまう。
接触面積が大きい方が、導通がとりやすくなり、電気抵
抗を小さくすることができる。
【００７２】
【発明の効果】以上のように本発明によれば、半導体表
示素子の側面のうち、電気配線基板に載置する際に対向
する側の側面には、電気絶縁性の被膜が形成されている
ので、載置位置にずれが生じても結晶面が配線パターン
などに接触することはなく、ＰＮ接合面のショートなど
に起因する輝度低下や不灯など不具合の発生を防ぐこと
ができる。基板への搭載の際の載置位置の精度があまり
良くなくても、電気的接続を良好に行うことができるの
で、発光表示素子チップのダイボンド装置などの載置精
度を上げる必要がなく、安価な装置で高速でチップの搭
載が可能となる。また、一旦発光表示素子のチップを搭
載した後、除去して再び新たな発光表示素子のチップを
装着するリペア作業を行う必要がなくなり、多くの発光
表示素子を装着する必要がある画像表示ユニットなどの
製造を生産性よく行うことができる。また、電気絶縁性
の被膜の表面と端子電極の側端部とが同一平面であるの
で、端子電極と接続電極とを確実に導通させることがで
きる。
【００７３】また本発明によれば、発光表示素子の側面
に形成される電気絶縁性の被膜は、紫外線硬化型樹脂で
形成されるので発光表示素子の側面を覆うような被膜を
容易に形成することができる。
【００７４】
【００７５】
【００７６】また本発明によれば、電気絶縁性の被膜を
透明にすることによって、ＰＮ接合面で発生する光を、
波長を変えたり強度を弱めたりしないで、そのまま出射
させることができる。
【００７７】また本発明によれば、半導体材料を可視発
光するものが多い化合物半導体から選択して発光表示素
子を形成するので、発光効率の高い発光表示素子を得る
ことができる。
【００７８】また本発明によれば、発光表示素子のＰ型
およびＮ型の半導体層端面の電極と外部との間を、導電
性のろう材または導電性の樹脂接着剤と、金属薄膜とで
電気的に接続することができる。
【００７９】また本発明によれば、発光表示素子のＰ型
およびＮ型の半導体層端面の電極と外部との間を、異方
導電性樹脂接着剤と金属薄膜とで電気的に接続すること
ができる。
【００８０】また本発明によれば、発光表示素子の端子
電極と電気配線基板上の接続電極との接触面積を広くす
ることができ、導通をとりやすく、電気抵抗を小さくす
ることができる。
【００８１】また本発明によれば、端子電極は少なくと
も一部に光透過性空間を残すように形成されるので、半
導体結晶から発光する光を取り出すことができ、発光光
度を高めることができる。
【００８２】
【００８３】また本発明によれば、異方導電性樹脂接着
剤が、発光表示素子の端子電極の側端面と電気配線基板
の接続電極との間でのみ導通し、他の部分は非導通とな
るので、ＰＮ接合面間の短絡を避けて確実な電気的接続
を行うことができる。異方導電性樹脂の導電性成分とし
ての粒子がＰＮ接合面の側端部近傍に挟まっても、粒子
の最大径は段差よりも小さいので、ＰＮ接合面間を橋絡
してしまうことがなく、確実に端子電極と接続電極との
間の電気的接続を行うことができる。
【００８４】さらにまた本発明によれば、電気配線基板
の接続電極と発光表示素子の端子電極とを、導電性のあ
るろう材または導電性のある樹脂接着剤で電気的に接続
して、異方導電性樹脂接着剤などを用いる場合よりも、
コストを低減することができる。
【００８５】さらに本発明によれば、電気絶縁用の樹脂
を、半導体ウエハを発光表示素子のチップ毎に分離して
チップ間の間隔を拡げた後で塗布して硬化させるので、
硬化した電気絶縁用樹脂を切削して切り離した後で、発
光表示素子の側面に硬化した絶縁用樹脂層を充分に残す
ことができる。
【００８６】また本発明によれば、電気絶縁用樹脂とし
て紫外線硬化型樹脂を用いるので、紫外線の照射を選択
的に行って電気絶縁用被膜として硬化させる部分を容易
に選択することができる。
【００８７】また本発明によれば、電気絶縁用樹脂を塗
布する際にスキージを用いるので、塗布する厚さを正確
に管理し、効率的に電気絶縁用被膜を形成することがで
きる。
【００８８】また本発明によれば、導電性ペーストを塗
布する際にスキージを用いるので、発光表示素子の両側
に形成する厚膜電極の厚さを容易に調整することができ
る。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の実施の一形態のＬＥＤチップ４１の実
装状態を示す断面図および外観形状を示す斜視図であ
る。
【図２】図１のＬＥＤチップ４１を製造する工程のうち
ＬＥＤウエハ６０として準備する状態を示す簡略化した
断面図である。
【図３】図２のＬＥＤウエハ６０を粘着シート６１に貼
付けた状態を示す断面図である。
【図４】図３で粘着シート６１に貼付けたＬＥＤウエハ
６０をフルダイシングした状態を示す断面図である。
【図５】図４で粘着シート６１を延伸させることによっ
て、ＬＥＤチップ４１間の間隔を拡大した状態を示す断
面図である。
【図６】絶縁用樹脂を塗布する工程を示す簡略化した断
面図である。
【図７】絶縁用樹脂を硬化させ除去する工程を示す簡略
化した断面図である。
【図８】Ａｇペーストを塗布する工程を示す簡略化した
断面図である。
【図９】ＬＥＤチップ４１を最終的に分離するダイシン
グ工程を示す簡略化した断面図である。
【図１０】ユニット基板４５にダイシングしたＬＥＤチ
ップ４１を横置き型で搭載する状態を示す簡略化した断
面図である。
【図１１】図６に示す絶縁用樹脂の塗布工程を詳細に示
す断面図である。
【図１２】本発明に関連する形態のＬＥＤチップ８１の
実装状態を示す断面図である。
【図１３】本発明に関連する他の形態のＬＥＤチップ９
１の実装状態を示す断面図である。
【図１４】本発明の実施の他の形態として、図１３のＬ
ＥＤチップ９１を異方導電性樹脂接着剤９４，９５を用
いて接続する状態を示す断面図である。
【図１５】図１４で端子電極９２と配線パターン４６と
の間隙付近の状態を示す模式的な断面図である。
【図１６】本発明に関連する他の形態のＬＥＤチップ９
６の概略的な構造を示す断面図である。
【図１７】本発明に関連するさらに他の形態のＬＥＤチ
ップ１０１の概略的な構造を示す断面図である。
【図１８】本発明に関連するさらに他の形態のＬＥＤチ
ップ１１１の概略的な構造を示す断面図である。
【図１９】本発明の実施のさらに他の形態のＬＥＤチッ
プ１２１の概略的な構造を示す側面図である。
【図２０】従来からのＬＥＤチップの実装状態を示す断
面図と外観を示す斜視図である。
【図２１】従来からのＬＥＤチップで、側面の一部に絶
縁膜が形成されている場合の実装状態を示す断面図およ
び外観を示す斜視図である。
【図２２】図２１のＬＥＤチップの実装時の位置ずれの
影響を示す断面図および圧着加熱による複数のＬＥＤチ
ップ１１の実装過程を示す簡略化した断面図である。
【図２３】図２１のＬＥＤチップ１１の製造工程を示す
工程フロー図である。
【符号の説明】
４１，８１，９１，９７，１０１，１１１，１２１ Ｌ
ＥＤチップ ４２ ＰＮ接合面 ４３，４４ 薄膜電極 ４５ ユニット基板 ４６，４７ 配線パターン ５０ 結晶面 ５２ 絶縁膜 ５３，５４ 厚膜電極 ５６，５７ 導電性ペースト ６０ ＬＥＤウエハ ６１，６７ 粘着シート ６２ ＵＶ樹脂 ６３ スキージ ６４ フォトマスク ６５ 紫外光 ６６ Ａｇペースト ８２，８３；９２，９３；１０２，１０３；１１２，１
１３；１２２ 端子電極 ８４，８５ 導電性ろう材 ９４、９５ 異方導電性樹脂接着剤 ９６ 粒子
フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) H01L 33/00 H01L 23/29 H01L 23/31 ＪＩＣＳＴファイル（ＪＯＩＳ)

Claims (14)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 ウエハ状の半導体材料から製造され、電
    気配線基板に対し、ＰＮ接合面が垂直になるように載置
    され、ＰＮ接合面に垂直な方向の両端に形成される端子
    電極で、電気配線基板上に間隔をあけて設けられる接続
    電極に接合される発光表示素子において、 少なくとも電気配線基板に対向する側端面では、 ＰＮ接合面を含む半導体結晶の側端面がＰＮ接合面に垂
    直であり、 両端の端子電極の側端面が、該半導体結晶の側端面の延
    長上にある内方側端面と、該内方側端面よりも電気配線
    基板側に突出する外方側端面とで段差が形成され、 両端の端子電極の内方側端面と半導体結晶の側端面とに
    わたって、表面が外方側端面と同一平面となるように、
    電気絶縁性の被膜が形成されていることを特徴とする発
    光表示素子。
  2. 【請求項２】 前記電気絶縁性の被膜は、紫外線硬化型
    樹脂で形成されることを特徴とする請求項１記載の発光
    表示素子。
  3. 【請求項３】 前記電気絶縁性の被膜は、前記ＰＮ接合
    面からの出射光に対して透明で、かつ、エポキシ樹脂お
    よびフェノール樹脂を含む有機材料、または酸化珪素お
    よび酸化アルミニウムを含む無機材料の中から選択され
    る物質であることを特徴とする請求項１記載の発光表示
    素子。
  4. 【請求項４】 前記半導体材料は、ＩＩＩ−Ｖ族化合物
    半導体、ＩＩ−ＶＩ族化合物半導体または炭化珪素の中
    から選択される物質であることを特徴とする請求項１〜
    ３のいずれかに記載の発光表示素子。
  5. 【請求項５】 前記端子電極は、金属薄膜と、導電性の
    ろう材または導電性の樹脂接着剤との組合せによって形
    成されていることを特徴とする請求項１〜４のいずれか
    に記載の発光表示素子。
  6. 【請求項６】 前記端子電極は、金属薄膜と、異方導電
    性樹脂接着材との組合せによって形成されていることを
    特徴とする請求項１〜４のいずれかに記載の発光表示素
    子。
  7. 【請求項７】 前記端子電極は、前記ＰＮ接合面に垂直
    な方向の両端で、表面が前記電気配線基板の表面に対し
    て垂直となるように形成されていることを特徴とする請
    求項１〜６のいずれかに記載の発光表示素子。
  8. 【請求項８】 前記端子電極は、少なくとも一部に光透
    過性空間を残すように形成されていることを特徴とする
    請求項１〜７のいずれかに記載の発光表示素子。
  9. 【請求項９】 ウエハ状の半導体材料から製造され、電
    気配線基板に対し、ＰＮ接合面が垂直になるように載置
    され、ＰＮ接合面に垂直な方向の両端に形成される端子
    電極で、電気配線基板上に間隔をあけて設けられる接続
    電極に接合される発光表示素子であって、 少なくとも電気配線基板に対向する側端面では、 ＰＮ接合面を含む半導体結晶の側端面がＰＮ接合面に垂
    直であり、 両端の端子電極の側端面が、該半導体結晶の側端面より
    も電気配線基板側に突出して、該半導体結晶の側端面と
    電気配線基板との間に空間を生じさせる段差が形成され
    る発光表示素子の端子電極を、前記電気配線基板の接続
    電極に、前記段差よりも最大径が小さい粒子のみを導電
    性成分として含む異方導電性樹脂接着剤を用いて、接続
    することを特徴とする発光表示素子の電気配線基板への
    接続方法。
  10. 【請求項１０】 請求項１〜８のいずれかに記載の発光
    表示素子の端子電極を、前記電気配線基板の接続電極
    に、導電性のろう材または導電性の樹脂接着剤を用いて
    接続することを特徴とする発光表示素子の電気配線基板
    への接続方法。
  11. 【請求項１１】 電気配線基板に対してＰＮ接合面が垂
    直になるように載置され、ＰＮ接合面に垂直な方向の両
    端に形成される端子電極で、電気配線基板上に間隔をあ
    けて設けられる接続電極に接合される発光表示素子の製
    造方法において、 半導体ウエハ内部に、表面に平行なＰＮ接合面を形成
    し、一方表面側に各発光表示素子毎の端子電極を形成
    し、他方表面全体に電極層を形成するウエハ製造工程
    と、 前記半導体ウエハの他方表面側を粘着シートに貼付け、
    各発光表示素子間で半導体ウエハを切断して発光表示素
    子のチップ毎に分離し、粘着シートを延伸させて発光表
    示素子チップ間の間隔を拡大する素子離間工程と、 前記発光表示素子チップ間の間隙に前記一方表面側から
    電気絶縁用樹脂を塗布し、硬化させる絶縁工程と、 前記一方表面側の端子電極表面から、硬化した電気絶縁
    用樹脂を除去して端子電極表面を露出させる絶縁除去工
    程と、 前記一方表面側から導電性ペーストを塗布し、前記他方
    表面側の粘着シートを剥離して導電性ペーストを塗布
    し、両表面に塗布した導電性ペーストを熱硬化させて厚
    膜電極を形成する電極形成工程と、 前記各発光表示素子チップ間を、前記硬化した電気絶縁
    用樹脂を残すように切断して、側面全体に電気絶縁用樹
    脂層を有する発光表示素子チップを分離することを特徴
    とする発光表示素子の製造方法。
  12. 【請求項１２】 前記絶縁工程で塗布する電気絶縁用樹
    脂は、紫外線硬化型であることを特徴とする請求項１１
    記載の発光表示素子の製造方法。
  13. 【請求項１３】 前記絶縁工程では、前記電気絶縁用樹
    脂をスキージを用いて塗布することを特徴とする請求項
    １１または１２記載の発光表示素子の製造方法。
  14. 【請求項１４】 前記電極形成工程では、前記導電性ペ
    ーストをスキージを用いて塗布することを特徴とする請
    求項１１〜１３のいずれかに記載の発光表示素子の製造
    方法。
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