JP3226418B2 - 熱的記録媒体の記録方法 - Google Patents
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Description
定温度に加熱し、該局所領域の状態を変化させること
(以下、ヒートモードと称する)によって情報を記録又
は消去することのできる熱的記録媒体に関し、特に光ビ
ームの照射により記録が可能な光記録媒体及びその記録
方法に関する。
録媒体としては、種々の媒体が考案されている。特にレ
ーザービームの照射加熱により、光で検出が可能な光学
的状態の変化として情報を記録する光記録媒体は、高密
度記録が可能であり、光ディスクや光カード等として実
用化されている。
化の形態としては凹凸のピット、反射膜の有無や変形、
屈折率変化、磁化反転等がある。このうち、磁化反転
は、反射光の偏光状態の変化として検出され、その他の
形態では、反射光等の光量の変化として検出される。
光学的状態の変化によるマークを、情報に対応したマー
ク列として形成して記録し、このマーク列を一定の操作
で時系列的に読みだして再生する。
ドによる記録を行う場合、形成されるマークの大きさや
形状は、局所的な加熱によって記録膜上に誘起される温
度分布によって決まる。記録膜上に誘起される温度分布
は膜面方向の熱拡散の影響を受けるため、単位時間当り
の入射熱量を一定にして定線速で加熱領域を移動させた
場合でも、移動距離や、直前に加熱した領域からの距離
の違いによって、形成される温度分布は複雑な変化の仕
方をする。図2は従来記録技術による入力信号とマーク
との関係を示す模式図である。図2に示されるように、
前記従来技術において単純に情報に対応させた加熱操作
を行うと、情報のパターンに依って形成されるマークの
幅(図面上では上下方向の幅)が変動してしまう。この
ようなマーク列を光ビームの走査によって時系列的に読
み出すと、マークの読みだされるタイミングがマークパ
ターンによって揺らぐため、元の情報を正しく再生でき
ない危険性があった。
間当りの入射熱量や、加熱時間などを情報パターンに応
じて調整して記録する記録補償方式が種々提案されてい
るが、この場合記録手段が複雑化する、という問題点が
あった。
鑑みてなされたものであり、単純な記録方式でヒートモ
ードによる記録を行っても、形成されるマーク列の幅が
情報パターンによらず一定となり、再生不良が発生する
割合(以下、再生エラーレートと称する)を低減させる
ことが可能な熱的記録媒体及びその記録方式を提供する
ことを目的とする。
録方法によって達成され、以下に述べる熱的記録媒体に
適用できる。
温度に加熱し、該局所領域の状態を変化させることによ
って情報を記録又は消去することのできる熱的記録媒体
において、所定温度に加熱されることによって記録可能
な領域が記録膜上に形成され、前記記録可能な領域が、
記録方向に長尺な帯状の領域であって、該帯状領域の幅
が加熱される局所領域の内部に含まれるように設定され
たことを特徴とする熱的記録媒体に適用できる。
温度に加熱し、該局所領域の状態を異なる2種類の状態
間で可逆的に変化させることによって情報を記録又は消
去する熱的記録媒体の記録方法において、記録膜を前記
2種類の状態のうちどちらか一方の状態にした後、連続
的若しくは断続的な加熱により、前記2種類のうちの他
方の状態からなり記録方向に長尺な帯状の領域を記録膜
上に形成することにより情報を消去し、該帯状領域の幅
が加熱される局所領域の内部に含まれるように情報に応
じて記録膜の局所領域を所定温度に加熱して、加熱され
た部分の状態を該帯状領域の外の記録膜の状態と同一に
して該帯状領域に2種類の状態を存在させることによっ
て情報の記録を行う、ことを特徴とする熱的記録媒体の
記録方法である。
マークと入力信号との関係を示す模式図である。図1
(a)は本発明記録媒体を説明するための模式図、図1
(b)は本発明記録方法を説明するための模式図であ
る。本発明の熱的記録媒体によれば、記録可能な領域を
所定の幅を持つ帯状領域にしたことにより、単純に情報
に対応させた加熱操作によって記録を行った場合であっ
ても、図1(a)に示すように、情報のパターンに関わ
らず、一定の縦幅をもつマーク列を形成することができ
る。
消去時に一定幅の帯状領域を形成し、情報の記録時に
は、情報に応じて帯状領域の一部を消失させることにな
る。従って、記録後に形成されるマークは図1(b)に
示すような帯状領域の残留部分になり、マーク列の幅は
一定になる。
する方法としては、レーザーアニール等により、帯状領
域の両側部分を記録不能な状態に変質させる方法や、パ
ターンニング後にエッチング処理する方法等がある。
明する。
場合について説明する。
例を示す概略断面図である。ポリカーボネートやガラス
等からなる透明基板1上に、誘電体層2を介して、磁性
層3が積層され、その上に保護膜として再び誘電体層4
が形成されたものである。各層は、例えばマグネトロン
スパッタ装置による連続スパッタリング、あるいは連続
蒸着等によって被着形成することができる。
料によって構成することが考えられるが、例えばPr、
Nd、Sm、Gd、Tb、Dy、Ho等の希土類元素の
一種類あるいは二種類以上が10〜50at%と、F
e、Co、Ni等の鉄族元素の一種類あるいは二種類以
上が90〜50at%とで構成される希土類−鉄族非晶
質合金によって構成し得る。また、耐食性向上等のため
に、これにCr、Mn、Cu、Ti、Al、Si、P
t、In等の元素を少量添加してもよい。
元素との組成比により制御することが可能である。保磁
力は、飽和磁化の調整によって制御できるが、本質的に
は材料元素の選択により、垂直磁気異方性を調整する。
一般に、Tb系やDy系の材料は垂直磁気異方性が大き
く保磁力も大きいのに対し、Gd系の材料は異方性が小
さく保磁力も小さい。また、非磁性元素の添加により垂
直磁気異方性は低下する。
とが可能であるが、飽和磁化と独立に制御するために
は、鉄族元素として、Feの一部をCoで置き換えた材
料を用い、置換量を制御する方法がより好ましく利用で
きる。即ち、1at%のFeをCoで置換することによ
り、6℃程度のキュリー温度上昇が見込めるので、この
関係を用いて所望のキュリー温度となるようにCoの添
加量を調整する。また、Cr、Ti等の非磁性層元素を
微量添加することにより、逆にキュリー温度を低下させ
ることも可能である。あるいはまた、二種類以上の希土
類元素を用いてそれらの組成比を調整することでもキュ
リー温度を制御できる。
より制御する。
ング装置に、BドープしたSi、及びTb、Fe、Co
各ターゲットを取り付け、トラッキング用の案内溝の形
成されたディスク状のポリカーボネート基板を基板ホル
ダーに固定した後、1×10-5 Pa以下の高真空にな
るまでチャンバー内をクライオポンプで真空排気した。
となるまでチャンバー内に導入し、基板を回転させなが
ら、誘電体層としてSiN層を70nm成膜した。引続
き磁性層としてTbFeCo層を80nm成膜し、最後
に保護膜としてSiN層を50nm成膜した。
して、膜面上にUV樹脂をコートした。
副格子磁化優勢で保磁力が10kOe程度になるよう
に、希土類元素と鉄族元素との組成比を調整した。ま
た、キュリー温度が150℃程度となるようにCo添加
量を調整した。
ガスを導入し、直流反応性スパッタにより成膜した。磁
性層は、Tb、Fe、Coの各ターゲットに直流パワー
を印加して成膜し、パワー配分を調整することによって
組成を制御した。
を印加して磁性層の磁化を全面下向きに着磁した後、レ
ーザ波長780nm、対物レンズNA0.55の光学ヘ
ッドを持つドライブ装置にセットし、50Hzの一定周
期で回転させ、半径30mmの位置で記録特性の測定を
行った。記録及び消去時のバイアス磁界Hbは300O
eとし、消去時には上向きのバイアス磁界を印加しなが
らレーザをDC照射し、記録時には下向きのバイアス磁
界を印加しながら、情報に対応させてレーザを駆動し
た。
めるために、4mW、5mW、6mW、7mwそれぞれ
の消去パワーで消去した後、周波数6.25MHz、D
uty25%でレーザを駆動して記録し、C/Nの記録
パワー依存性を測定した。結果を図4に示す。
7.5mWとして、(1−7)RLLランダムデータを
マークエッジ記録した。レーザの駆動波形は、入力信号
に対して立ち上がりを1T遅らせて、幅nTの信号に対
して(n−1)Tの幅のレーザパルスを照射するように
した。クロック周波数は25MHzとし、最短マーク長
が0.75μmとなるようにした。
Wで再生し、得られたアナログ信号波形をDCレベルで
スライスし、二値化して立ち上がりのエッジのインター
バルを測定した。そして、全てのデータパターンに対す
る105 サンプルでの相対ジッタ分布を導出した結果、
ジッタマージンは検出窓幅(40nsec)の40%と
なり、実用上十分な再生特性が得られた。このときの磁
区を偏光顕微鏡で観察した結果を、入力信号並びにレー
ザ駆動波形と併せて図5に概略図で示す。図5は縦幅が
略一定幅であるマークが形成されていることを示してい
る。
リー温度点以下の温度範囲に補償温度を有さないディス
クを用いた場合の記録方法について示したが、前記範囲
に補償温度を有するディスクを用いた場合には、消去用
バイアス磁界の方向を、初期のディスク全面の着磁方向
と一致させ、記録用バイアス磁界の方向をこれと逆にす
ればよい。
上向きに15KOeの磁界を印加して磁性層の磁化を全
面上向きに着磁した後、レーザ波長780nm、対物レ
ンズNA0.55の光学ヘッドを持つドライブ装置にセ
ットし、50Hzの一定周期で回転させ、半径30mm
の位置で記録特性の測定を行った。記録及び消去時のバ
イアス磁界Hbは300Oeとし、消去時には上向きの
バイアス磁界を印加しながら、レーザをDC照射し、記
録時に下向きのバイアス磁界を印加しながら、情報に対
応させてレーザを駆動した。
MHz、Duty25%でレーザを駆動して記録したと
ころ、最適記録パワーは7.5mWであったので、この
パワーで実施例1と同様に(1−7)RLLランダムデ
ータをマークエッジ記録した。
した結果、ジッタマージンは検出窓幅(40nsec)
の10%以下になり、エラーレートが大きく実用上不十
分な再生特性しか得られなかった。
果を、図6に概略図で示す。図6は形成されたマークの
縦幅が不均一であることを示している。
他は実施例1と同様にして、実施例1と同様のディスク
に(1−7)RLLランダムデータをマークエッジ記録
した。
した結果、ジッタマージンは検出窓幅(40nsec)
の10%以下になり、エラーレートが大きく実用上十分
な再生特性しか得られなかった。
果を図7に概略図で示す。図7は、消去パワーで反転さ
せた領域の縦幅よりも記録パワーで反転させた領域の幅
の方が狭いため、形成されたマーク(図中白抜き部)の
縦幅がマークパターンによりバラついていることを示し
ている。
トラッキング用の案内溝上にサーボをかけて、線速度
1.0m/secで12mWのDCレーザを全周全面照
射した。この操作により案内溝近傍部分の記録膜は40
0゜C以上に加熱され、構造的に変質して記録が不能に
なった。そして案内溝と案内溝との間の幅約0.6μm
の帯状部分のみが記録可能な領域として残った。
実施例1と同様に(1−7)RLLランダムデータをマ
ークエッジ記録した後、実施例1と同様に再生した結
果、ジッタマージンは、検出窓幅(40nsec)の3
5%になり、実用上十分な再生特性が得られた。
果を、図8に概略図で示す。図8は0.6μmの幅を持
つ記録可能な帯状領域の周囲に記録不能な領域が形成さ
れていることを示している。
の追記型記録媒体に適用した場合について具体例を示
す。
により、基板上にZnS−SiO2 混合層150nm、
GeSbTe層20nm、ZnS−SiO2 混合層15
nm、Au層50nmを順次成膜した。このディスクを
アニールしてGeSbTe相変化記録層を全面結晶状態
にした。
対物レンズNA0.55の光学ヘッドを持つドライブ装
置にセットし、50Hzの一定周期で回転させ、半径3
0mmの位置で記録特性の特性を行った。
ところ、幅約0.8μmの帯状の非晶質領域が形成され
た。次に、この帯状領域に、10mWのレーザを周波数
6.25MHz・Duty25%で駆動照射したとこ
ろ、照射部が再び結晶化して、帯状領域が周期的に分断
された。
を10mWとして、(1−7)RLLランダムデータを
マークエッジ記録した。レーザの駆動波形は入力信号に
対して立ち上がりを1T遅らせて、幅nTの信号に対し
て幅(n−1)Tのレーザパルスを照射するようにし
た。クロック周波数は25MHzとし、最短マーク長が
0.75μmとなるようにした。
wで再生し、得られたアナログ信号波形をDCレベルス
ライスして二値化して、立ち上がりエッジのインターバ
ルを測定した。そして、全てのデータパターンに対する
105サンプルでの相対ジッタ分布を導出した結果、ジ
ッタマージンは検出窓幅(40nsec)の40%とな
り実用上十分な再生特性が得られた。
結晶状態の領域に、18mWのレーザを周波数6.25
MHz、Duty25%で駆動照射したところ、照射部
が非晶質化して、周期的にマークが形成された。
て、(1−7)RLLランダムデータをマークエッジ記
録し、同様に再生した結果、ジッタマージンは検出窓幅
(40nsec)の10%以下になり、エラーレートが
大きく実用上不十分な再生特性しか得られなかった。
成された基板の上に、有機色素系の追記型記録膜をスピ
ンコートにより塗布した。
にサーボをかけて、DCレーザを照射して案内溝近傍部
分の記録膜を予め記録状態とし、この部分を追記不能に
した。そして案内溝と案内溝との間の部分のみを記録可
能な領域として残した。
可能な領域の幅よりも広い領域を記録温度に加熱するよ
うに記録を行えば、記録パターンによらず常に一定の幅
のマークが形成でき、良好な再生信号が得られる。
変調によるオーバーライトが可能な光磁気記録媒体に適
用することも可能である。
グルーブ幅0.6μmの、スパイラル状のトラック並び
にプリフォーマットが形成された直径130mmのディ
スク状基板の上に、スパッタリング法により膜厚80n
mの窒化珪素からなる層を形成した。この層の上に表1
に挙げた5種類の磁性層を1から5まで真空を破ること
なく順次積層した。
変調オーバーライト可能な光磁気ディスクを作製した。
このディスク全面にわたって、15kOe程度の磁界を
印加して、磁性層5の磁化の向きを膜面垂直な上向きの
方向に着磁した。
印加の下で異なる2種類の温度状態へ加熱冷却する記録
操作に対応させて、界面磁壁の存在する磁化状態と、界
面磁壁の存在しない磁化状態とを、任意に形成可能であ
り、複数の磁性層のうち少なくとも一つの磁性層は、こ
の記録操作を行っても所定の配向状態を常に維持する光
磁気記録媒体である。
1、保磁力をHc1、膜厚をh1とし、磁性層iと磁性層
jとの間の界面磁壁エネルギー密度をσwijとする。ま
た、式の中の複合は同順とする。図9に、印加する一定
の外部磁界を300Oeの下向き磁界Hbとしたとき
の、このディスクの各層の磁気的なエネルギー密度の温
度依存性を示す。この図から以下のことがわかる。
Ms3Hc3h3>2Ms3h3Hb±σw13−σw35より、
磁化が上向き(鉄族元素副格子磁化優勢なので鉄族元素
の原子スピンが上向き)に配向し、磁性層1は、2Ms
1Hc1h1>±2Ms1h1Hb±σw13より、磁性層3と
は独立に任意の向きに配向する。
キュリー温度近傍の温度T1(〜180℃)になると、
2Ms1Hc1h1<−2Ms1h1Hb+σw13となり、2
Ms 3Hc3h3>2Ms3h3Hb±σw13−σw35は維持
されるので、磁性層1は磁性層3の配向状態に倣って交
換力による結合が安定な状態に配向する。
キュリー温度近傍の温度T2(〜250℃)になると、
2Ms3Hc3h3<2Ms3h3Hb−σw13−σw35が成
り立つので、磁性層3は、反転して磁化が下向きに配向
する。
おいて、媒体温度が磁性層4のキュリー温度以下の温度
T0(〜100℃)になると、σw35が増大して2Ms3
Hc3h3<−2Ms3h3Hb−σw13+σw35となり、2
Ms5Hc5h5>2Ms5h5Hb+σw35は全温度過程で
維持されるので、磁性層5は初期状態を維持したまま磁
性層3が再反転して磁化が上向きになる。このとき、2
Ms1Hc1h1>±2Ms1h1Hb±σw13が成り立って
いるので、磁性層1は、磁性層3とは独立に直前の配向
状態を保持する。
s3Hc3h3>2Ms3h3Hb±σw1 3−σw35が成り立
っているので、磁性層3の配向状態は変化せず上向きの
ままである。
有無に関わらず、媒体温度が磁性層1のキュリー温度近
傍の温度T1になる第一種の温度状態への加熱冷却操作
に対応させて、各層間に界面磁壁の存在しない磁化状態
が形成可能であり、磁性層3のキュリー温度近傍の温度
T2になる第二種の温度状態への加熱冷却操作に対応さ
せて、磁性層1と磁性層3との間に界面磁壁が存在する
磁化状態が形成可能である。また、磁性層5は、上述の
二種類の温度状態への加熱冷却の全過程において、初期
の配向状態を常に維持する。
び磁性層4の保磁力エネルギー並びにゼーマンエネルギ
ーは、磁化の挙動に及ぼす影響が小さいために無視し
た。また、ブロッホ磁壁エネルギーや反磁界エネルギー
等も同様の理由で無視した。この媒体の温度変化に対応
した磁化状態の遷移過程を図10に示す。尚、磁性層2
及び磁性層4は、それぞれσw13 及びσw35 の大きさ並
びに温度依存性を図9に示したような所望の特性とする
ために、介在させる磁性層である。そのために、磁性層
2としてはキュリー温度がTc1 (Tc1 は磁性層1のキ
ュリー温度)程度以上であり、磁壁エネルギーのなるべ
く小さな材料を選び、磁性層4としては、キュリー温度
がTc1 程度以下であり、磁壁エネルギーのなるべく大
きな材料を選ぶことが望ましい。
対物レンズNA0.55の光学ヘッドを持つドライブ装
置にセットし、50Hzの一定周期で回転させ、半径3
0mmの位置でランド上での記録特性の測定を行った。
記録及び消去時のバイアス磁界Hbは300Oeとし、
消去時には下向きのバイアス磁界を印加しながらレーザ
をDC照射し、記録時には上向きのバイアス磁界を印加
しながら、情報に対応させてレーザを駆動した。
界を印加しながら10mWのDCレーザをディスク全域
のランド上とグルーブ上とに照射して、各磁性層の鉄族
元素の原子スピンの向きを第5磁性層と同じ上向きに揃
えた。
がら8.5mWのレーザをDC照射したところ、幅約
0.75μmの帯状領域に磁壁が形成された。次にこの
帯状領域に、7mWのレーザを周波数6.25MHz、
Duty25%で駆動照射したところ、照射部の記録可
能な領域が反転して磁壁が消失し、帯状領域が周期的に
分断された。
ーを7mWとして、(1−7)RLLランダムデータを
マークエッジ記録した。レーザの駆動波形は、入力信号
に対して立ち上がりを1T遅らせて、幅nTの信号に対
して幅(n−1)Tの幅のレーザパルスを照射するよう
にした。クロック周波数は25MHzとし、最短マーク
長0.75μmになるようにした。
Wで再生し、得られたアナログ信号波形をDCレベルで
スライスし二値化して、立ち上がりエッジのインターバ
ルを測定した。そして、全てのデータパターンに対する
105 サンプルでの相対ジッタ分布を導出した結果、ジ
ッタマージンは検出窓幅(40nsec)の40%とな
り、実用上十分な再生特性が得られた。
第3磁性層や第5磁性層が室温以上キュリー温度以下の
温度範囲に補償温度を有さないディスクを用いた場合の
記録方法について示したが、補償温度を有するディスク
を用いた場合には、バイアス磁界の方向とディスクの着
磁方向との関係を適宜変更すればよい。
らの磁界によって第3磁性層を初期化するタイプの光変
調オーバーライト可能な媒体を用いてもよい。
限定されるものではなく、ヒートモードによる記録を行
う媒体であれば、如何なるものにでも適用、応用が可能
である。
的記録媒体及びその記録方法によれば、加熱により記録
膜上に誘起される温度分布に多少のバラツキがあって
も、複雑なレーザ駆動による記録補償等を行うことなし
に、略一定の縦幅を持つ記録マークが形成可能であるの
で、良好な再生信号が得られる、という効果を奏する。
特に、マークエッジ記録を行った場合、検出されるエッ
ジ信号のジッターが抑制されるので、高密度記録が可能
となる、という効果を奏する。
で、良好な再生信号を得ることが可能で且つ高密度記録
を行うことが可能である熱的記録媒体及び記録装置を低
コストで提供できる、という効果を奏する。
示す模式図である。
係を示す模式図である。
断面図である。
の関係を示すグラフである。
駆動波形及び磁区形状との関係を示す模式図である。
模式図である。
模式図である。
帯状の記録可能な領域に形成された磁区形状とを示す模
式図である。
磁界Hbを印加したときの、各層の磁気的なエネルギー
密度と媒体温度との関係を示すグラフである。
応した磁化状態の遷移過程を示す模式図である。
Claims (1)
- 【請求項1】 記録膜の局所領域を所定温度に加熱し、
該局所領域の状態を異なる2種類の状態間で可逆的に変
化させることによって情報を記録又は消去する熱的記録
媒体の記録方法において、記録膜を前記2種類の状態の
うちどちらか一方の状態にした後、連続的若しくは断続
的な加熱により、前記2種類のうちの他方の状態からな
り記録方向に長尺な帯状の領域を記録膜上に形成するこ
とにより情報を消去し、該帯状領域の幅が加熱される局
所領域の内部に含まれるように情報に応じて記録膜の局
所領域を所定温度に加熱して、加熱された部分の状態を
該帯状領域の外の記録膜の状態と同一にして該帯状領域
に2種類の状態を存在させることによって情報の記録を
行う、ことを特徴とする熱的記録媒体の記録方法。
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