JPH0589536A - 光磁気記録媒体 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【目的】初期化磁石を必要とせずに、簡単な媒体構造
で、光磁気記録媒体の高密度化を行なうことができる光
磁気記録媒体を提供することを目的とする。 【構成】再生層と記録層とを積層した光磁気媒体に記録
ビームを照射して記録層中に磁区を形成し記録後の冷却
過程もしくは再生層初期化後の再生ビーム照射時に記録
磁区を再生層に縮小転写して再生を行なう。この場合
に、再生層は（ａ）温度が上昇するにしたがって反強磁
性から強磁性に相転移する材料、（ｂ）磁気異方性が基
板面に対して面内方向から垂直方向に変化するスピン再
配列材料、（ｃ）温度が上昇するにしたがって強磁性か
ら反強磁性に相転移する材料、及び（ｄ）磁気異方性が
基板面に対して垂直方向から面内方向に変化するスピン
再配列材料のうちいずれか１種で形成されており、その
相転移温度又は再配列温度が、記録層のキュリー点より
も低く再生時に記録媒体が達する温度よりも高い。

Description

【発明の詳細な説明】

［発明の目的］

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、情報の記録・再生・消
去が可能な書き替え型の光磁気記録媒体に関し、特に高
密度記録が可能な光磁気記録媒体に関する。

【０００２】

【従来の技術】垂直磁気異方性を持つ磁性体薄膜にレー
ザを照射し、情報の記録・再生・消去を行なう光磁気記
録技術は、光記録技術の有する高記録密度性や媒体の可
換性といった特徴と、磁気記録技術の有するデータの書
換え性とを併せ持つメモリ技術として実用化されてい
る。

【０００３】光磁気記録では、レンズによって絞りこん
だレーザビームスポットによって記録・消去・再生を行
なっているため、記録密度はレーザ光の波長と焦点レン
ズの開口数によって制限されており、前者はレーザ出
力，レーザ寿命等の要求から後者はディスクのスキュー
許容度等の要求から各々決定される。

【０００４】現在よく使われている８３０〜７８０ｎｍ
の波長の半導体レーザを用いて、十分なＣ／Ｎで記録・
再生ができるのは、トラックピッチで１．６μｍ程度で
あり、記録密度で１０⁷ 〜１０⁸ ｂｉｔ／cm² である。
そして、現行のレーザ、記録媒体、記録方法を用いる限
りこれ以上の記録密度を求めることはできない。

【０００５】一方で計算機の演算速度の向上，情報量の
増加が進む中でメモリの記録容量増加に対する要求は止
まる所を知らず、さらなる記録密度の向上が強く求めら
れている。このような要求を満たすために、レーザの波
長を短くしてビームスポット径を小さくする方法が検討
されてきた。しかし、短波長の領域では光磁気ディスク
ドライブに搭載でき、十分に光磁気記録のできる出力パ
ワーを持つ半導体レーザはまだ実用化されていない。ま
た、現行の半導体レーザにＳＨＧ（Ｓｅｃｏｎｄ Ｈａ
ｒｍｏｎｉｃ Ｇｅｎｅｒａｔｉｏｎ）素子を用いて、
波長を半分にする方法も検討されているが、高パワーが
出ない、高速変調が困難である、といった問題点があ
る。

【０００６】現行の半導体レーザの波長をそのまま用い
て高密度記録を行なう方法として、ＭＳＲ（Magnetic S
uper Resolution)技術が提案されている（nikkei elect
ronics 1991.3.4 No.521 p92 、及びohta et. al. :MO
RIS ’91 Technical Digestp.91）。この技術はＲＡＤ
（Rear Aperture Detection)法とＦＡＤ(Front Apertur
e Detection)の二つの方法に分類される。ＲＡＤ法は、
記録層と再生層を交換結合積層した媒体に対し、記録パ
ワーレベルの光ビームを照射して記録層中に反転磁区を
形成し、再生層を初期化した後に、再生パワーレベルの
光ビームを照射して加熱し、この加熱部の再生層の保磁
力を記録層から再生層へ印加する交換力よりも低下させ
て、記録磁区よりも小さな磁区を再生層に転写させて再
生する技術である。また、ＦＡＤ法は記録層と再生層を
低キューリー点の中間磁性層を介して積層した媒体に対
し、記録パワーレベルの光ビームを照射して記録層及び
再生層中に反転磁区を形成し、再生パワーレベルの光ビ
ームを照射して加熱し、中間磁性層をそのキューリー点
以上とすることによって記録層から再生層へ印加する交
換力を無くし、この交換力が無くなった部分の再生層の
保磁力を再生時の外部磁界以下としこの部分の再生層中
の反転磁区を消去して、この消去部以外の再生ビーム照
射部分の磁区を再生する技術である。ＲＡＤ法，ＦＡＤ
法共に、再生ビーム照射時の加熱によって再生層の保磁
力を再生時に再生層に印加する実効磁界以下に低下せし
めることが主旨である。これらの方法は、従来隣接トラ
ックからのクロストークのため制限されていた距離１．
６μｍよりもトラック幅を詰めて記録することができる
ので、高記録密度を得ることができる。また、ＦＡＤ法
はトラック方向にも詰めて記録することができる。

【０００７】しかし、ＲＡＤ法では通常の記録磁石の他
に初期化磁石が必要である。通常の光磁気記録材料であ
る希土類−遷移金属磁性体薄膜同士の交換力は数ＫＯｅ
になるため、それに打ち勝って再生層を磁化反転させる
初期化磁石は大きなものとなり、装置の小型化が困難で
ある。また、再生した直後は再生トラック上に再生層に
転写された磁区が残っているため、高密度化はディスク
の半径方向しかできない。

【０００８】これに対して、ＦＡＤ法は、レーザ照射後
の冷却過程において、記録層の記録ビットが再生層に転
写されるため、ＲＡＤ法のような初期化磁石は不用であ
る。しかし、媒体構造が複雑であり、また再生時に磁界
を印加しなければならないという欠点がある。また、中
間層において信号がでないキューリー点以上の部分がレ
ーザスポットの中心付近にあるため、十分な大きさの再
生信号が得られないという問題もある欠点もを有してい
る。

【０００９】また、上述のＭＳＲ技術においては、記録
層，再生層間の交換力を膜温度に対して厳密に制御する
必要があるために媒体が作りにくい。また、再生パワー
レベルのビーム照射程度の加熱によって、再生層の保磁
力を、記録層からの交換力未満（ＲＡＤ法）、又は再生
時印加磁界未満（ＦＡＤ法）とする必要があるため、垂
直磁気異方性の大きな膜材料を再生層として使うことが
困難で再生磁区形状が乱れやすいという欠点がある。

【００１０】さらに、再生パワーは記録パワーよりも低
く設定されるので、十分な記録感度を得る上で再生パワ
ーはそれ程高く設定出来ない。このことに起因して再生
時に再生層の保磁力が実効磁界以下に低下する膜温度
は、メモリ動作温度にかなり近い温度に設定されなけれ
ばならない。従って、従来提案されたＭＳＲ技術におい
ては、安定したＭＳＲ動作の得られるメモリ動作温度範
囲が狭く実用上十分なマージンを確保するのが困難であ
るという欠点を有している。

【００１１】

【発明が解決しようとする課題】この発明は、かかる事
情に鑑みてなされたものであって、その目的は、第１
に、初期化磁石を必要とせずに、簡単な媒体構造で、光
磁気記録媒体の高密度化を行なうことができる光磁気記
録媒体を提供することにある。また、第２に、製造が容
易で、かつ安定した再生磁区形状を得ることができる光
磁気記録媒体を提供することにある。第３に、再生時に
再生層の保磁力が実効磁界以下になる膜温度を低く設定
した場合においても広い動作温度マージンで安定した再
生が可能な光磁気媒体を提供することにある。 ［発明の構成］

【００１２】

【課題を解決するための手段】本発明は、第１に、光磁
気情報が記録される記録層と、記録層の光磁気情報を再
生するための再生層とを有し、記録パワ−レベルの光ビ
−ムを照射して記録層中に記録磁区を形成し、再生パワ
−レベルの光ビ−ムを照射して前記記録磁区よりも小さ
い磁区を再生層中に転写するか、又は記録パワ−レベル
の光ビ−ムを照射して記録層及び再生層中に記録磁区を
形成し、再生パワ−レベルの光ビ−ムを照射して再生層
中の記録磁区の一部を消去する光磁気記録媒体であっ
て、前記再生層が、（ａ）温度が上昇するにしたがって
反強磁性から強磁性に相転移する材料、（ｂ）磁気異方
性が基板面に対して面内方向から垂直方向に変化するス
ピン再配列材料、（ｃ）温度が上昇するにしたがって強
磁性から反強磁性に相転移する材料、及び（ｄ）磁気異
方性が基板面に対して垂直方向から面内方向に変化する
スピン再配列材料のうちいずれか１種で形成されてお
り、その相転移温度又は再配列温度が、記録層のキュリ
ー点よりも低く再生時に記録媒体が達する温度よりも高
いことを特徴とする光磁気記録媒体を提供する。

【００１３】第２に、光磁気情報が記録される記録層
と、記録層の光磁気情報が転写される再生層とを有する
光磁気記録媒体であって、前記記録層が、記録パワーレ
ベルの光ビームを照射されることによりその中に記録磁
区列が形成されかつ再生パワーレベルの光ビームが照射
されることにより再生層に漏洩磁界を供給し、前記再生
層が、前記記録層の漏洩磁界によって記録磁区が転写さ
れることを特徴とする光磁気記録媒体を提供する。

【００１４】第３に、光磁気情報が記録される記録層
と、記録層の光磁気情報を再生するための再生層とを有
し、記録パワ−レベルの光ビ−ムを照射して記録層中に
記録磁区を形成し、再生パワ−レベルの光ビ−ムを照射
して前記記録磁区よりも小さい磁区を再生層中に転写す
るか、又は記録パワ−レベルの光ビ−ムを照射して記録
層及び再生層中に記録磁区を形成し、再生パワ−レベル
の光ビ−ムを照射して再生層中の記録磁区の一部を消去
する光磁気記録媒体であって、

【００１５】前記再生層がメモリ動作温度以上に補償点
を有しており、かつこの補償点以上の温度で再生層の保
磁力が記録層から再生層に印加される磁界よりも小さく
設定されていることを特徴とする光磁気記録媒体を提供
する。以下、この発明について詳細に説明する。

【００１６】まず、第１の態様について説明する。図１
は本発明の第１の態様に係る光磁気記録媒体の典型的な
断面構成を示す図である。図１において、１は記録層、
２は再生層、３は基板である。

【００１７】ここで、記録層１は、一般的な光磁気記録
媒体の記録層と同じ機能を有しており、この記録層１に
外部から磁界を印加しながら、記録レベルのレーザ光を
パルス照射することによって、反転磁区が形成される。

【００１８】再生層２は、上述したように、（ａ）温度
が上昇するにしたがって反強磁性から強磁性に相転移す
る材料、（ｂ）磁気異方性が基板面に対して面内方向か
ら垂直方向に変化するスピン再配列材料、（ｃ）温度が
上昇するにしたがって強磁性から反強磁性に相転移する
材料、及び（ｄ）磁気異方性が基板面に対して垂直方向
から面内方向に変化するスピン再配列材料のいずれかで
形成されている。再生層が（ａ）又は（ｂ）の材料で形
成されている場合には、再生層には常温では反転磁区は
存在しない。これに、再生層の温度が、相転移温度ある
いはスピン再配列温度以上に昇温するようなレーザパワ
ーで再生を行なうと、昇温している部分だけ、交換相互
作用あるいは記録層からの漏洩磁界によって、再生層に
記録層の磁化の向きが転写され、記録層に記録された信
号が読み取られる。この場合には、再生層の反転磁区を
記録層のものよりも小さく、レーザスポットよりも小さ
くすることができ、ディスクの半径方向にも周方向にも
高密度で記録することが可能となり、記録密度を著しく
高めることができる。

【００１９】また、再生層が（ｃ）又は（ｄ）材料で形
成されている場合には、再生層には交換相互作用あるい
は記録層からの漏洩磁界によって、記録層の磁化の向き
が転写されている。このような再生層に、そのスポット
中心部の温度が再生層の温度が相転移温度あるいはスピ
ン再配列温度以上でかつ記録層のキュリ−点よりも低い
温度に昇温するようなパワーの光を照射すると、その温
度に昇温している部分だけ転写された磁化が消去され
る。信号の再生は、このような光ビ−ムが照射されてい
て、転写された磁化が残っている領域で行なわれる。こ
の場合には、反転磁区間隔を従来よりも詰めても信号間
干渉が生じ難いので、ディスクの周方向の信号密度を従
来よりも高めることができる。従って、この場合にも記
録密度を高めることができる。

【００２０】次に、第２の態様について説明する。この
態様における記録層から再生層への磁区の転写は基本的
に記録層から発生する漏洩磁界を利用してなされるもの
であるので、記録層と再生層とは交換力を介して積層さ
れている必要が無くたとえ交換力を介して積層されてい
てもこの交換力を膜温度に対して制御する必要がない。
転写時の漏洩磁界の向きは記録層に補償点が有る場合で
も無い場合でも記録層の初期磁化の向きとは逆向きであ
る。

【００２１】再生層には補償点が有っても無くても構わ
ないが、再生層のキューリー点は好ましくは記録層の補
償点もしくはキューリー点よりも低く設定され、再生時
に再生層の保磁力が記録層の漏洩磁界と必要に応じて印
加される再生磁界の和よりも小さくなる部分を形成す
る。

【００２２】この態様においては、記録用の光ビ−ムを
媒体に照射した後に、媒体に対して初期化磁界を印加し
てから再生することが好ましい。このように初期化磁界
を印加する場合には記録時に再生層中に反転磁区が形成
されても構わない。初期化磁界を印加しない場合には、
再生層中に転写磁区よりも大きな磁区が形成されないよ
うにする必要があり、そのために記録層として補償点を
有する材料を用い、記録層の反転磁化方向と再生層の初
期磁化方向とが一致するように磁化方向を選ぶ。

【００２３】光磁気ドライブ内で特に消去動作を必要と
しない場合にはドライブに初期化磁界印加源を設置する
必要は無くドライブの小形化上有利となる。この場合で
もドライブ外で初期化することは可能であり広義の書き
替え動作は可能である。初期化磁界の大きさは常温もし
くは動作温度における記録層の保磁力よりも小さくかつ
再生層の保磁力よりも大きく設定される。

【００２４】初期化時の各層の反転磁界は記録層，再生
層が交換力を介さずに積層されていれば各層の保磁力の
みで決まるので、初期化磁界の設定が容易であると共に
再生層の保磁力も比較的大きく設定することができ、ひ
いては再生層として垂直磁気異方性の大きな膜材料を用
いることができるので転写磁区の形状も優れている。

【００２５】この態様の光磁気記録媒体によれば、現行
のレーザ波長のままで実質的に高密度記録ができ、従来
の技術に比較して媒体の成膜が容易で再生層として垂直
磁気異方性の大きな膜材料を用いることができるので、
低価格で高い再生信号品質の高密度光磁気記録媒体の提
供が可能である。

【００２６】次に、第３の態様について説明する。この
態様では上述したように再生層がメモリ動作温度以上に
補償点を有している。また、この補償点以上の温度で再
生層の保磁力が記録層から再生層に印加される転写磁界
又は消去磁界よりも小さく設定される。従って、再生層
の補償点をメモリ動作温度の要求値に合わせて設定すれ
ば良い。

【００２７】このような構成の媒体によれば、ＲＡＤ
法，ＦＡＤ法いずれの場合においても、メモリ動作温度
以上に補償点を有する再生層を用いることで要求される
動作温度マージンを得ることができ、安定したＭＳＲ再
生動作特性を得ることが出来る。また、この態様では交
換力を利用して磁区の縮小転写を行なう従来のＭＳＲ技
術に限定されず、交換力を利用せず記録層から発生して
再生層に印加する漏洩磁界を利用して磁区の縮小転写を
行なう場合に対しても適用が可能でその場合にも同様の
作用・効果を有する。なお、再生層の補償点を上述した
メモリ動作温度の要求値の上限以上の温度に設定するの
が安定した動作温度特性を得る上で好ましい。

【００２８】

【実施例】以下、添付図面を参照してこの発明の実施例
について説明する。

【００２９】図２は、この発明の第１の態様に係る光磁
気記録媒体の一例を示す断面図である。１は記録層、２
は再生層、３は基板、４は保護層、５は干渉層、６はレ
ーザ光である。

【００３０】記録層１としては、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄｙを代
表とする重希土類元素（ＨＲＥ）もしくはＨＲＥにＮ
ｄ、Ｐｄ等の軽希土類（ＬＲＥ）を一部置換した希土類
元素（ＲＥ）とＦｅ、Ｃｏを代表とする遷移金属元素
（ＴＭ）からなる非晶質膜、 Ｂｉ置換ガーネット膜、
ホイッスラー合金膜等の従来より光磁気記録媒体の記録
層として用いられるものを利用することができる。

【００３１】再生層２としては反強磁性−強磁性相転移
を示す材料もしくはスピン再配列を示す材料が用いられ
る。前者の場合、相転移温度は記録層のキュリー点より
も低く再生時に記録媒体が達する温度よりも高く設定さ
れる。相転移は温度を上げていくにしたがって、反強磁
性から強磁性に転移するものでも強磁性から反強磁性に
転移するものでもかまわない。具体的な材料としては、
例えば相転移温度が８０〜２００℃にあるＦｅＲｈある
いはＦｅＲｈにＩｒ、Ｃｏを添加したもの、ＭｎＳｂあ
るいはＭｎＳｂにＢｉ、Ｃｒを添加したもの、ＨｆＴａ
Ｆｅ等がある。

【００３２】また、再生層としてスピン再配列材料を用
いる場合には、スピン再配列温度が記録層のキュリー点
よりも低く再生時に記録媒体が達する温度よりも高く設
定される。スピン再配列による異方性の変化は、温度を
上げていくにしたがって膜面に対して、面内から垂直に
なるものでも垂直から面内になるものでもどちらでもか
まわない。具体的な材料としては、希土類金属をＲＥと
記すと、スピン再配列温度が室温以上にある、ＲＥＣｏ
Ｂ、ＲＥ（ＦｅＣｏ）Ｂ、ＲＥＦｅＣｏなどがある。再
生層と記録層を合わせた厚さは記録レベルのレーザを照
射したときに記録層で十分に磁化反転が起こる程度に薄
いほうが好ましい。

【００３３】保護層１、干渉層４は、通常の光磁気記録
媒体で用いるＳｉ−Ｎ、Ｓｉ−Ｏ、Ｚｒ−Ｏ、Ａｌ−
Ｏ、Ａｌ−Ｎ、Ｚｎ−Ｓ、Ｔｉ−Ｏ等の金属化合物材料
や、保護機能を高めるなど本発明とは別の目的で金属元
素等を添加した金属化合物材料、プラズマ重合膜等の有
機物材料などの非磁性体で形成され、用いるレーザの波
長に対して記録・再生動作の際に必要な透光性を有して
いればどのような材料を用いてもかまわない。また、保
護層４は透光性を有していなくてもかまわない。また、
記録層１、再生層２は各々本発明の趣旨を逸脱しない範
囲で、それ自体単層であっても多層であってもかまわな
い。また、本発明に最低限必要なのは記録層２、再生層
３であって、保護層１と干渉層４はなくてもかまわな
い。基板５としては、ガラス、ポリカーボネイト、ポリ
メチルメタクリレート、ポリオレフィン等従来より光デ
ィスク基板として用いられている材料等の中から幅広く
選択が可能である。レーザビーム６の波長、スポット径
は本発明の主旨からしてミクロンサイズまたはサブミク
ロンサイズが好ましい。上記の光磁気記録媒体を再生す
る際には外部磁界Ｈｅｘを印加してもよい。Ｈｅｘの印
加手段は電磁石であっても永久磁石であってもかまわな
い。

【００３４】この態様の媒体においては、再生時のレー
ザ照射によって、再生層の温度が相転移温度を超えて磁
化が発生し、所望の記録情報に従ってすでに記録してあ
る記録層の反転磁区が再生層に転写されることによって
再生され、再生終了後、媒体が冷却され再生層の温度が
相転移温度より下がると、再生層上の磁区が消滅するこ
とを利用して、高密度の光磁気記録・再生を行なう。記
録・再生過程を以下に詳しく説明する。

【００３５】図３に本発明の記録媒体の典型的な記録
層、再生層の磁化の温度依存性を示し、Ｍ_SWは記録層の
磁化、Ｍ_SRは再生層の磁化について示す。なお、Ｔａは
室温、Ｔ_CRは再生層の相転移温度、Ｔ_CSは記録層のキュ
リー点を表わす。再生層がこのような特性を示すのは、
温度が上昇するにしたがって、反強磁性から強磁性に相
転移する材料、あるいは、磁気異方性が基板面に対し面
内方向から垂直方向に変化するスピン再配列材料の場合
である。

【００３６】この媒体の記録過程は、従来の光磁気記録
媒体と同様に行われる。例えば、高パワーのレーザ照射
で、記録層のキュリー点以上の温度あるいは記録層の保
磁力が十分に小さくなる温度まで加熱して、他層からの
漏洩磁界や反磁界を含んだ外部からの印加磁界によって
反転磁区を形成する。反転磁区の形成後、常温に冷却さ
れたときには、再生層は反強磁性または基板面に対して
面内方向の磁化を持っているため、再生層上には反転磁
区は存在しない。

【００３７】次に、このような媒体の再生過程について
説明する。図４は再生レーザスポットと記録ビットとの
関係を模式的に示したものである。１１は記録層の反転
磁区、１２はレーザスポット、１３は再生層に転写され
た反転磁区を表わす。レーザ光が照射されている部分で
等Ｔ_CR線より内側では、図３に示すように磁化が発生す
るため、交換結合相互作用によって、記録層の磁化状態
が再生層に転写される。媒体層構造やＴ_CRや再生パワー
などを適当に選ぶことによって、図４（ｂ）に示すよう
に、再生層の反転磁区を記録層のものよりも小さく、レ
ーザスポットよりも小さくすることができる。従来の再
生方法では、反転磁区間を詰めて記録した場合、図４
（ａ）に示すように、二つの記録ビットを再生してしま
い、信号間干渉が出てしまうが、この態様の媒体では、
図４（ｂ）に示すように、信号間干渉はでない。また、
隣接トラック上には反転磁区が転写されていないため、
従来の再生方法では隣接トラックの信号も再生してクロ
ストークが発生するようなトラックピッチでの記録を行
なった場合でも、この態様の媒体ではクロストークは発
生しない。従って、この態様の媒体ではディスクの半径
方向にも周方向にも高密度の記録・再生が可能となり、
従来のＭＳＲ技術よりも一層高密度化を図ることができ
る。

【００３８】次に、再生層２として、温度が上昇するに
したがって強磁性から反強磁性に相転移する材料、ある
いは、磁気異方性が基板面に対し垂直方向から面内方向
に変化するスピン再配列材料を用いた場合について詳細
に説明する。図５はこのような再生層材料の典型的な磁
気特性を示す。図３と同様に、その転移温度をＴ_CRで示
してある。

【００３９】このような再生層を用いた記録媒体の場合
においても、記録過程は従来の光磁気記録媒体と同様に
行なわれる。例えば、高パワーのレーザ照射で、記録層
のキュリー点以上の温度あるいは記録層の保磁力が充分
に小さくなる温度まで加熱して、他層からの漏洩磁界や
反磁界を含んだ外部からの印加磁界によって反転磁区を
記録層に形成する。反転磁区の形成後、常温に冷却され
ていくと、Ｔ_CRを境に再生層は強磁性になるか、又は基
板面に対して垂直方向の磁化を持つようになるため、再
生層と記録層との交換結合相互作用によって、再生層上
にも反転磁区が形成される。

【００４０】次に、このような媒体の再生過程について
説明する。図６は再生ビームスポットと等Ｔ_CR線、記録
層の記録ビットとの関係の模式図を示す。２１は記録層
の反転磁区、２２はレーザスポット、２３は等Ｔ_CR線で
ある。再生層内では有限の速度での熱拡散があるため
に、厳密には、再生層の等Ｔ_CR線はレーザビームに比べ
て、位相が図に示すようにｄだけ遅れる。等Ｔ_CR線の内
側（図で斜線で示した部分）は反強磁性あるいは基板面
に対して面内方向の磁気異方性を持っているため、この
領域では記録層から転写された信号に寄与する磁化がな
くなってしまう。そして、信号の検出はレーザビーム内
の斜線でない部分の磁化の向きで行なわれる。このよう
な媒体によれば、媒体層構造やＴ_CRや再生パワーなどを
適当に選ぶことによって、再生ビームスポットと等Ｔ_CR
線、記録層の記録ビットの関係が図６のようになってい
るとき、記録層の反転磁区間隔を距離ｄまで詰めても信
号間干渉はおこらない。間隔ｄの反転磁区を従来方法で
再生すると、レーザスポットは２つの反転磁区にかかっ
てしまい、信号間干渉が発生する。従って、このような
媒体においても信号間干渉が少なく、ディスクの周方向
に高密度の記録・再生が可能となる。ただし、再生層の
隣接トラック上には転写された反転磁区があるため、デ
ィスク半径方向の反転磁区間隔は従来のものよりも詰め
ることはできない。

【００４１】外部磁界Ｈ_exは本質的には不用であるが、
記録時の記録磁区生成のために、記録時に印加してもよ
い。記録層の磁区を再生層に転写する作用は、交換結合
作用でなくてもよく、たとえば、記録層から発生する漏
洩磁界によってもよい。

【００４２】次に、第２の態様に対応する実施例につい
て説明する。図７は第２の態様に係る光磁気記録媒体の
一例を示す概略構成図であり、３２はディスク基板であ
り、この基板３２上に多層膜３１が形成される。３３は
焦点レンズ、３４は記録再生用レーザビーム、３５は記
録再生用印加磁界供給源、３６は初期化磁界供給源、３
７はディスク回転用のスピンドルモータを示す。

【００４３】多層膜３１は、再生層４１、及び記録層４
２を光ビーム照射側からその順に積層した構成となって
いる。再生層と記録層との間には、その間の交換力を遮
断するための中間層４３が設けられている。中間層４３
は非磁性であれば何でも構わず膜厚は記録層，再生層間
に交換力が作用しない程度の厚さであれば良い。中間層
４３は必須なものではなく、これを設けなくても十分に
大きな漏洩磁界が得られる場合には設ける必要がない。
なお、この他の膜として例えば基板と再生層間に干渉層
が、記録層上に保護膜もしくは反射膜が設けられていて
も構わない。

【００４４】図８はこの実施例における記録層及び再生
層の熱磁気特性の一例を示す図である。横軸は膜温度
（Ｔ）を示し、Ｔａはディスク動作環境温度，Ｔ_CRは再
生層のキューリー点、Ｔ_compW は記録層の補償点，Ｔ_CW
は記録層のキューリー点を表し、 Ｈ_ini は初期化磁
界、Ｈ_CRは再生層の保磁力，Ｈ_CWは記録層の保磁力，Ｍ
_SWは記録層の磁化を表している。図８の特性は非晶質・
重希土類−遷移金属合金（ＲＥ−ＴＭ）膜材料で実現可
能であり例えば記録層としてはＧｄＴｂＣｏ膜，ＴｂＦ
ｅＣｏ膜等を用いることができ、再生層としてはＤｙＦ
ｅＣｏ膜，ＧｄＤｙＦｅＣｏ膜等を用いることができ
る。

【００４５】記録層４２の膜厚は充分な記録感度が得ら
れる程度に薄くかつ充分な漏洩磁界が発生できる程度に
厚いことが好ましく５０〜３００ｎｍ程度が良い。再生
層４１の膜厚は再生時に記録層の磁区が透けて見えない
程度に厚くかつ記録時にレーザの熱が充分に記録層に投
入される程度に薄いことが好ましく２５〜１００ｎｍ程
度が良い。これらの層４１〜４３は、通常用いられてい
る薄膜形成技術を用いて形成することができ、例えばマ
グネトロンスパッタ法を用いることができる。

【００４６】次に、このような構成の媒体の初期化及び
記録・再生動作について説明する。各層を形成後、記録
層及び再生層の初期磁化方向を例えば図７の矢印の向き
（図７では記録層，再生層共に上向き）に整える。次い
で、スピンドルモータ３７を駆動してディスクを回転さ
せレーザビーム３４を焦点レンズ３３を介して再生レベ
ル（Ｐ_R ）で照射しフォーカス及びトラックをとる。こ
の時は記録層中には反転磁区が形成されていないので記
録層から漏洩磁界は発生しない。

【００４７】この状態で、磁界印加源３５に通電して図
７の上向きに記録磁界（Ｈ_W ）を供給する。このＨ_W の
向きは記録層に記録磁区を形成する方向であり、再生層
に対して記録磁区を形成しない方向である。このＨ_W を
印加しながら、情報信号で変調された記録レベル
（Ｐ_W ）のレーザビームをパルス状に照射すると、記録
層４２、再生層４１共に膜温度はＴ_CW近傍に昇温し、記
録層の保磁力（Ｈ_CW) がＨ_W未満に低下する。そして、
Ｈ_CW＜Ｈ_W を満たす記録層４２中の加熱領域に記録磁区
が形成される。

【００４８】記録層４２中の磁化が空間的に変化した場
合、記録層４２からは漏洩磁界が発生するが、この時再
生層４１がそのキューリー点（Ｔ_CR）に至っている位置
は記録層４２の磁化反転部の外側にあるのでＴ_CRの位置
においては再生層は記録層からの漏洩磁界を殆ど感じな
い。記録層４２中に磁化反転部が形成された後、記録パ
ルスがオフされるか又は媒体がレーザスポットから離れ
るかして媒体は冷却されるが、この冷却過程において再
生層４１がそのキューリー点（Ｔ_CR）近傍に至った時
に、記録層の磁区が縮小された状態で再生層中に転写さ
れる。

【００４９】図９はこの転写過程を模式的に示した図で
あり、（ａ）が記録層の磁化（Ｍ_SW）の空間的分布、
（ｂ）が（ａ）に起因して記録層から発生する漏洩磁界
（Ｈ_l）の分布、（ｃ）が再生層の保磁力（Ｈ_CR）の分
布である。図９の上部に示した矢印はレーザスポットの
概略位置を示している。記録レーザ照射後の冷却過程に
おいて記録層がＴ_compW 未満に至った時、記録層内の磁
化分布は、記録部（−Ｍ_SW）及び非記録部（＋Ｍ_SW) で
は、（ａ）で示すようになる。この磁化分布に基づくＨ
_l 分布は、トラックと垂直な方向では＋Ｍ_SWの領域の面
積が−Ｍ_SWの領域の面積に比べて大きいことを考慮すれ
ば、（ｂ）に示すように−Ｍ_SWとなっている位置付近で
のみ大きい分布となる。一方でＨ_CRはＴ_CR近傍に加熱さ
れている位置においてＨ_l よりも小さい。Ｈ_CRがＨ_l と
Ｈ_exのベクトル和よりも低下している部分に磁化が転写
され（転写領域は例えば図３（ｃ）中の矢印で示され
る）、この転写磁区の大きさは記録層４２中の記録磁区
の大きさに比べて小さい。即ち実質的に記録密度の高い
磁区を再生層４１に転写することができたことになる。

【００５０】実際に高密度記録する為には記録層４２に
記録をする際に信号間干渉やクロストークが大きくなる
ように記録すれば良い。再生層４１に転写された磁区は
記録層に形成された磁区よりも小さいので再生時には信
号間干渉やクロストークは低減化される。

【００５１】再生層４１に転写された磁区は初期化しな
くてもそのまま再生が可能であるが初期化することで以
下のメリットが期待出来る。転写された磁区列は初期化
磁界供給源３６を媒体が通過することで消失する（記録
層内の磁区はそのまま保存される）が、再び再生レベル
のビームが照射されると照射部の分布が図９の様になっ
て再生層に磁区が転写されて高密度再生が出来る。一度
初期化磁界３６を通過すれば再生時に隣接トラックの磁
区は消失したままなのでクロストークの問題は全くなく
なる。また、消去動作をする際はＨ_exの向きは記録時と
は逆向き、すなわち再生層４１の反転方向であるので、
消去時には再生層４１中にトラックに沿った磁化反転部
ができ、これを初期化しなければ再度記録転写を行なう
ことは出来ない。従って、初期化磁界供給源３６は設け
られていた方が好ましい。ただし消去動作を必要としな
い場合には初期化磁界が無くても高密度記録情報を再生
することができる。そして、このような場合にドライブ
の小形化上有利であり、補償点を有する記録層を用いた
場合に、このようなことが可能となる。一方で初期化磁
界を用いた場合には記録層に補償点は無くても構わな
い。なぜなら図９（ａ），（ｂ）の分布は補償点の無い
記録層を用いても実現出来るからである。ただしこの場
合は記録層の反転方向と再生層の反転方向は一致するの
で転写は記録後の冷却過程では起こらず初期化後の再生
過程のみとなる。すなわち補償点がない記録層を用いた
場合には高密度再生をする上で初期化磁界の存在は必須
である。初期化磁界を用いるいずれの場合にも初期化磁
界の大きさはメモリ動作環境温度における記録層の保磁
力（Ｈ_CW) よりも小さくかつ再生層の保磁力（Ｈ_CR）よ
りも大きく設定すれば良く、交換力を考慮して設定する
必要がないので簡単であると同時に、Ｈ_CRをＨ_ini 近く
に設定することができるので、Ｈ_CRを比較的大きく設定
することができる。すなわち、垂直磁気異方性の大きな
再生層を用いることができるので再生層に転写された磁
区の形状が良好で高い再生信号品質を得ることができ
る。

【００５２】次に、第３の態様に対応する実施例につい
て説明する。図１０は第３の態様に係る光磁気記録媒体
の一例を示す概略構成図であり、５２はディスク基板で
あり、この基板５２上に多層膜５１が形成される。５３
は焦点レンズ、５４は記録再生用レーザビーム、５５は
記録再生用印加磁界（Ｈ_ex）供給源、５６は初期化磁界
（Ｈ_ini ）供給源、５７はディスク回転用のスピンドル
モータを示す。

【００５３】多層膜５１は、再生層６１、及び記録層６
２を光ビーム照射側からその順に積層した構成となって
いる。図１０には記載していないが基板５２と再生層６
１との間には干渉層が設けられていることがより高い再
生信号強度を得る上で好ましく、記録層６２の上には保
護層が設けられていることが媒体寿命を向上する上で好
ましい。

【００５４】膜材料としては記録層６２、再生層６１共
にＧｄ，Ｔｂ，Ｄｙなどの希土類とＦｅ，Ｃｏなどの遷
移金属からなる非晶質・希土類（ＲＥ）−遷移金属（Ｔ
Ｍ）合金膜を用いることができ、成膜には通常用いられ
ている薄膜形成技術、例えばマグネトロンスパッタリン
グ法を用いることができる。

【００５５】図１１はこの実施例に用いられる記録層及
び再生層の熱磁気特性の一例を示す図である。図１１の
横軸は膜温度であり、Ｔａはメモリ動作温度、Ｔ_compR
は再生層の補償点、Ｔ_copyは再生時に磁界を印加しない
場合の磁化転写温度、Ｔ_CWは記録層のキュリ−点、Ｔ_CR
は再生層のキュリ−点である。Ｔ_compR は要求されるＴ
ａに対するマ−ジンに合わせて設定され、例えば５０℃
に設定される。

【００５６】Ｈ_CRは再生層の保磁力であり、Ｔ_compR で
発散し、それ以上の温度領域でＴ_CRに向けて急激に低下
する特性となっている。Ｈ_CWは記録層の保磁力、Ｈ_exg
は記録層から再生層に印加される交換力である。Ｈ_exg
とＨ_CRとが等しくなる温度がＴ_copyであり、Ｔ_copy未満
ではＨ_CRはＨ_exg よりも大きく設定される。Ｔ_copy以上
でＴ_CR及びＴ_CWのうち低い温度以下の温度領域ではＨ_CR
がＨ_exg よりも小さくなり、記録層の磁化が再生層に転
写される。Ｈ_ini は再生層の初期磁化の向きと同じ向き
に印加され、その大きさはＴａにおいて次に示す条件を
満足するように選ばれる。 Ｈ_CR＋Ｈ_exg ≦Ｈ_ini ≦Ｈ_CW−Ｈ_exg' ここで、Ｈ_exg'は再生層から記録層に印加される交換力
である。この例では記録層６２としてＴａ以上に補償点
を有しない組成を選んだが、補償点がある組成の膜を記
録層として用いてもかまわない。

【００５７】記録層６２として補償点がないＴＭリッチ
組成の材料を用いた場合、媒体の初期磁化の向きは、図
１に示したように、記録層６２と再生層６３とで逆向き
とし、記録層の初期磁化の向きを記録磁界の向きと逆向
きとする。

【００５８】記録層６２として補償点がないＲＥリッチ
組成の材料を用いた場合、媒体の初期磁化の向きは、記
録層６２と再生層６１とで同じ向きとし、記録層６２の
初期磁化の向きを記録磁界の向きと逆向きとする。この
場合、記録磁界の向きは再生層の磁化反転を妨げる向き
となるが、記録磁界が適当な大きさであれば、記録ビ−
ム照射後の冷却過程で交換力により再生層の磁化を反転
させることができる。反転が生じないような記録磁界を
印加した場合でも記録磁界と再生時の印加磁界とを異な
らせれば再生時の磁区転写を達成することができるの
で、ＭＳＲ再生を実施する上では問題ない。

【００５９】記録層６２として補償点がある材料を用い
る場合には、媒体の初期磁化の向きは、記録層６２と再
生層６１とで同じ向きで、記録層の磁化の向きと記録磁
界の向きとは同じ向きである。

【００６０】図１１ではＴ_CWをＴ_CRよりも低く設定した
例を示したが、これらの大小関係には特に制約はなく、
記録ビ−ム照射時に記録層が感度良く磁化反転する程度
にＴ_CWを設定し、再生ビ−ム照射時に再生層の保磁力が
十分低下するようにＴ_CRを設定すればよい。

【００６１】次に、このような構成の媒体の初期化及び
記録・再生動作について説明する。各層を形成後、記録
層及び再生層の初期磁化方向を例えば図１０の矢印の向
き（図１０では記録層が上向きで再生層が下向き）に整
える。次いで、スピンドルモータ３７を駆動してディス
クを回転させ、Ｈ_exにより記録磁界を図１０の下向きに
印加する。焦点レンズ５３を介してレ−ザビ−ム５４を
ディスクに照射し、フォ−カシング及びトラッキングな
どのサ−ボをとった後、情報信号で変調された記録パワ
−レベル（Ｐ_W ）のビ−ムをパルス状に照射する。媒体
のＰ_W 光照射部は温度がＴ_CW近傍に上昇し、Ｈ_CWが記録
磁界以下に低下した部分の記録層６２中に反転磁区が形
成される。この磁区の形成は上述したＭＳＲ技術の原理
に基づき、そのまま通常の光磁気記録媒体と同様に再生
したのでは信号間干渉やクロスト−クが大きくなり過ぎ
るような高い密度で行う。記録磁界によって再生層も反
転するかどうかは、Ｔ_CW近傍のＨ_CRと記録磁界の大小関
係に依存するが、それはどちらでも構わず、記録層に反
転磁区が形成された部分には記録層６２と再生層６１の
界面に磁壁が形成されて再生層６１にＨ_exg が作用し、
Ｈ_CRがＨ_exg と記録磁界のベクトル和以下になっている
部分の再生層中に反転磁区が形成される。この時点で再
生層中に形成された磁区の大きさは記録層中の磁区に比
べて大きくても小さくても構わない。記録パルスが切れ
るか、媒体がレーザスポットから遠ざかるかして媒体が
冷却されると、Ｈ_CR，Ｈ_CW共に立ち上がり、形成された
磁区は固定される。

【００６２】次に媒体はＨ_ini を通過し、記録層６２中
の磁区はそのまま保存され再生層６１中の磁区は消去さ
れて再生層の磁化状態のみが初期磁化状態に復帰して、
記録層に反転磁区が存在する部分における記録層６２と
再生層６１との界面には界面磁壁が形成され、磁区が無
い部分には界面磁壁は形成されない。界面磁壁が形成さ
れた部分の再生層にはＨ_exg が作用するがＴａではＨ_CR
がＨ_exg よりも大きく設定されているので、再生層６１
はその磁化状態を保存する。次にＭＳＲ再生動作を行な
うが、再生用の光ヘッドは記録用の光ヘッドと同じでも
違っても構わない。ここでは同じヘッドを用いる場合に
ついて説明する。

【００６３】Ｈ_ini を通過した媒体は再びビーム５４の
下を走行し再生パワーレベル（Ｐ_R）の光ビームが照射
される。Ｐ_R の光強度はスポット中心近傍の再生層６１
の温度がＴ_copy付近以上に昇温するように設定される。
ここで、Ｔ_copy付近以上という意味は、Ｈ_exを用いて再
生時に磁界を印加した場合にはＨ_CRがＨ_exg と再生時磁
界とのベクトル和以下となった部分で磁化が転写される
ため、必ずしも図１１に示したＴ_copyに再生層の温度が
達せずとも磁区の転写は起るということである。

【００６４】Ｈ_CRがＨ_exg と再生磁界の和以下に低下し
ている部分の再生層中に記録層の磁化が転写され、この
転写された部分の情報信号のみが再生信号として検出さ
れ結果として実質的に高密度記録再生ができる。

【００６５】次にこの態様の効果を明らかとする目的で
上記した図１１の特性の媒体と比較用に作成したＴａ以
上にＴ_compR を持たない再生層を有する媒体を用いてＴ
ａを変えて再生動作特性の比較を行なった。比較用の媒
体の記録層は図１１と同じ特性の膜とし、再生層をＴ
_compR がないＲＥリッチ膜とし、Ｔ_copyを一致させた。

【００６６】各々の媒体に対して予め記録条件を吟味し
記録層中に同じ大きさで同じパターンの記録磁区を形成
し、再生層を初期化した後に、Ｔａを変えて再生動作を
行ない、再生信号ＣＮ比とＰ_R との関係を調べた。記録
層中へ形成した磁区パターンは符号間干渉の大きいパタ
ーンとしてそのまま再生した場合には再生ＣＮ比は２５
ｄＢ程度となる。これを再生層中に縮小転写して再生し
た場合Ｔａが０℃の時に本発明の媒体、比較用の媒体共
に４０ｄＢ以上のＣＮ比となった。

【００６７】次に、Ｔａを変えて再生ＣＮ比が各Ｔａに
対して最大となるＰ_R を調べた。図１２はこの際のＰ_R
とＴａとの関係を示す図である。図１２において（Ａ）
がこの態様の光磁気媒体を用いて得られた結果を示し、
（Ｂ）が比較用の媒体を用いて得られた結果を示す。×
印は最大ＣＮ比が３０ｄＢに達しなかったことを意味す
る。図１２から明らかなように、この態様の光磁気媒体
を用いればＰ_R を大きく設定出来ること、Ｔａマージン
が比較用の媒体に比べて格段に広いことがわかる。ま
た、Ｔａが０℃以上の領域で得られる最大ＣＮ比は
（Ａ）の方が（Ｂ）よりも大きいことが確認された。Ｔ
_copyが同じでも再生層にＴ_compR が有る（Ａ）の方がＴ
_compR の無い（Ｂ）に比べて再生特性が優れているの
は、Ｔ_compR の有る再生層においてはＴａ以上にＴ_copy
以下の温度領域で、Ｈ_CRがＨ_exg と再生磁界よりも大き
いという条件を確実に満足するためにＰ_R や再生磁界の
変動に対して安定した転写特性を持つためであり、Ｔ
_compR の無い再生層においてはＰ_R や再生磁界が変動す
るとＨ_CRがＨ_exg と再生磁界の和と釣り合う温度が大幅
に変動するためである。

【００６８】上記した実施例では、ＭＳＲ技術のうちＲ
ＡＤ法を採用した場合について述べたが、ＦＡＤ法を採
用した場合においても本発明は同様の効果を持つ。ＦＡ
Ｄ法の場合には図１０に示した媒体の代わりに、図１３
に示すように、再生層６１と記録層６２との間に、低キ
ューリー点の磁性中間層６３を設けた媒体を用い、記録
層６２、再生層６１中に記録磁区を形成した後に初期化
せずに再生ビームを照射して磁性中間層６３をそのキュ
ーリー点以上に加熱し、この加熱部の再生層６１の磁化
を再生磁界によって初期化して初期化部以外の再生層６
１中の磁区を再生するという動作を行なえば良く、その
ような場合にも再生層にＴ_compR をＴａ以上に有する膜
を用いることによって安定したＭＳＲ再生動作を行なう
ことができる。

【００６９】また、記録層と再生層との間の交換力を利
用して磁区の転写及びその再生を行なうＭＳＲ技術以外
にも、例えば記録層から発生した再生層に印加する漏洩
磁界を利用して磁区の縮小転写をする技術においても本
発明にしたがって再生層としてＴ_compR をＴａ以上に有
する膜を用いれば動作温度マージンの確実な再生動作を
することができる。

【００７０】以上の実施例では記録層、再生層としてＲ
Ｅ−ＴＭ膜を用いた例を述べたが、本発明は材料には特
に限定されずに実施可能であり、ＲＥ−ＴＭ膜の他、例
えばＰｔ／Ｃｏ多層膜，ガーネット膜等も、本発明の主
旨を逸脱しない範囲において用いることができる。

【００７１】

【発明の効果】この発明によれば、初期化磁石を必要と
せずに、簡単な媒体構造で、光磁気記録媒体の高密度化
を行なうことができる光磁気記録媒体が提供される。ま
た、製造が容易で、かつ安定した再生磁区形状を得るこ
とができる光磁気記録媒体が提供される。さらに、再生
時に再生層の保磁力が実効磁界以下になる膜温度を低く
設定した場合においても広い動作温度マージンで安定し
た再生が可能な光磁気媒体が提供される。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の第１態様に係る光磁気記録媒体の典型
的な構成を示す断面図。

【図２】本発明の第１態様に係る光磁気記録媒体の一実
施例を示す断面図。

【図３】再生層として、温度を上昇するにしたがって反
強磁性から強磁性に相転移する材料、又は、磁気異方性
が基板面に対し面内方向から垂直方向に変化するスピン
再配列材料の場合の記録層及び再生層の磁化の温度依存
性を示す図。

【図４】再生層として図３に示す特性の材料を用いた場
合の記録層の反転磁区とレーザビームスポット、等Ｔ_CR
線との関係を示す図。

【図５】再生層として温度を上昇するにしたがって強磁
性から反強磁性に相転移する材料、あるいは、磁気異方
性が基板面に対し垂直方向から面内方向に変化するスピ
ン再配列材料を用いた場合の再生層の磁化の温度依存性
を示す図。

【図６】再生層として図５に示す特性の材料を用いた場
合の記録層の反転磁区とレーザビームスポット、等Ｔ_CR
線との関係を示す図。

【図７】本発明の第２の態様に係る光磁気記録媒体の一
実施例を示す概略構成図。

【図８】本発明の第２の態様に用いられる光磁気媒体の
熱磁気特性の一実施例を示す図。

【図９】本発明の第２の態様の原理を説明するための
図。

【図１０】本発明の第３の態様に係る光磁気記録媒体の
一実施例を示す概略構成図。

【図１１】本発明の第３の態様に用いられる光磁気媒体
の熱磁気特性の一実施例を示す図。

【図１２】本発明の第３の態様の効果を説明するための
図。

【図１３】本発明の第３の態様の他の実施例に係る光記
録媒体を示す断面図。

【符号の説明】

１，４２，６２…記録層、２，４１，６１…再生層、
３，３２，５２…基板、４…保護層、５…干渉層、６，
３４，５４…レーザビーム、４３，６３…中間層。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 芦田 純生 神奈川県川崎市幸区柳町70番地 株式会社 東芝柳町工場内

Claims (3)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 光磁気情報が記録される記録層と、記録
   層の光磁気情報を再生するための再生層とを有し、記録
   パワ−レベルの光ビ−ムを照射して記録層中に記録磁区
   を形成し、再生パワ−レベルの光ビ−ムを照射して前記
   記録磁区よりも小さい磁区を再生層中に転写するか、又
   は記録パワ−レベルの光ビ−ムを照射して記録層及び再
   生層中に記録磁区を形成し、再生パワ−レベルの光ビ−
   ムを照射して再生層中の記録磁区の一部を消去する光磁
   気記録媒体であって、 前記再生層が、（ａ）温度が上昇するにしたがって反強
   磁性から強磁性に相転移する材料、（ｂ）磁気異方性が
   基板面に対して面内方向から垂直方向に変化するスピン
   再配列材料、（ｃ）温度が上昇するにしたがって強磁性
   から反強磁性に相転移する材料、及び（ｄ）磁気異方性
   が基板面に対して垂直方向から面内方向に変化するスピ
   ン再配列材料のうちいずれか１種で形成されており、そ
   の相転移温度又は再配列温度が、記録層のキュリー点よ
   りも低く再生時に記録媒体が達する温度よりも高いこと
   を特徴とする光磁気記録媒体。
2. 【請求項２】 光磁気情報が記録される記録層と、記録
   層の光磁気情報が転写される再生層とを有する光磁気記
   録媒体であって、 前記記録層が、記録パワーレベルの光ビームを照射され
   ることによりその中に記録磁区列が形成されかつ再生パ
   ワーレベルの光ビームが照射されることにより再生層に
   漏洩磁界を供給し、前記再生層が、前記記録層の漏洩磁
   界によって記録磁区が転写されることを特徴とする光磁
   気記録媒体。
3. 【請求項３】 光磁気情報が記録される記録層と、記録
   層の光磁気情報を再生するための再生層とを有し、記録
   パワ−レベルの光ビ−ムを照射して記録層中に記録磁区
   を形成し、再生パワ−レベルの光ビ−ムを照射して前記
   記録磁区よりも小さい磁区を再生層中に転写するか、又
   は記録パワ−レベルの光ビ−ムを照射して記録層及び再
   生層中に記録磁区を形成し、再生パワ−レベルの光ビ−
   ムを照射して再生層中の記録磁区の一部を消去する光磁
   気記録媒体であって、 前記再生層がメモリ動作温度以上に補償点を有してお
   り、かつこの補償点以上の温度で再生層の保磁力が記録
   層から再生層に印加される磁界よりも小さく設定されて
   いることを特徴とする光磁気記録媒体。