JP3216967B2 - 低温焼成誘電体磁器及びその製造方法 - Google Patents
低温焼成誘電体磁器及びその製造方法Info
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- 229910052573 porcelain Inorganic materials 0.000 title claims description 33
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 12
- 239000000843 powder Substances 0.000 claims description 74
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims description 66
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 27
- 239000002245 particle Substances 0.000 claims description 18
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 17
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 15
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 claims description 14
- 230000007704 transition Effects 0.000 claims description 14
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 claims description 12
- 238000010304 firing Methods 0.000 claims description 11
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims description 9
- 239000002994 raw material Substances 0.000 claims description 9
- 238000002156 mixing Methods 0.000 claims description 8
- 229910006404 SnO 2 Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 229910052783 alkali metal Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 150000001340 alkali metals Chemical group 0.000 claims description 6
- 238000001354 calcination Methods 0.000 claims description 5
- 238000005259 measurement Methods 0.000 claims description 5
- 238000007493 shaping process Methods 0.000 claims 2
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 11
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 10
- 238000005245 sintering Methods 0.000 description 9
- 229910010413 TiO 2 Inorganic materials 0.000 description 6
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 5
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 4
- 238000000280 densification Methods 0.000 description 4
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 3
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 3
- 230000001737 promoting effect Effects 0.000 description 3
- 230000009257 reactivity Effects 0.000 description 3
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 3
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N Palladium Chemical compound [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 description 2
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 2
- 238000009766 low-temperature sintering Methods 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 2
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910015902 Bi 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910018663 Mn O Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000001311 chemical methods and process Methods 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 238000010344 co-firing Methods 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 description 1
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 1
- 230000005496 eutectics Effects 0.000 description 1
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 1
- 239000000156 glass melt Substances 0.000 description 1
- 238000000462 isostatic pressing Methods 0.000 description 1
- 239000007791 liquid phase Substances 0.000 description 1
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 1
- 239000011812 mixed powder Substances 0.000 description 1
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000012071 phase Substances 0.000 description 1
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 1
- 239000010970 precious metal Substances 0.000 description 1
- 229910052761 rare earth metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000376 reactant Substances 0.000 description 1
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 1
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 1
- 238000003980 solgel method Methods 0.000 description 1
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 1
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B35/00—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
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- C04B35/46—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics based on titanium oxides or titanates
- C04B35/462—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics based on titanium oxides or titanates based on titanates
- C04B35/465—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics based on titanium oxides or titanates based on titanates based on alkaline earth metal titanates
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- C04B35/4686—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics based on titanium oxides or titanates based on titanates based on alkaline earth metal titanates based on barium titanates based on phases other than BaTiO3 perovskite phase
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、マイクロ波領域での無
負荷Ｑ値（以下、単にＱ値ということもある。）が大き
く、且つ銀、銅等の導電率の高い導体と同時焼成して得
られる低温焼成誘電体磁器及びその製造方法に関する。
本発明の低温焼成誘電体磁器は、積層型マイクロ波共振
器及びフィルター等の部品として使用することができ
る。
負荷Ｑ値（以下、単にＱ値ということもある。）が大き
く、且つ銀、銅等の導電率の高い導体と同時焼成して得
られる低温焼成誘電体磁器及びその製造方法に関する。
本発明の低温焼成誘電体磁器は、積層型マイクロ波共振
器及びフィルター等の部品として使用することができ
る。
【０００２】
【従来の技術】近年、通信情報量の増大に伴い、自動車
通信、衛星通信、衛星放送等のマイクロ波領域を利用し
た各種の通信システムが急速に発展しつつあり、それに
伴って多くのマイクロ波誘電体材料が開発されている。
このようなマイクロ波領域で使用される誘電体磁器は、
使用周波数が高周波となるに従って無負荷Ｑ値が小さく
なる傾向にあり、 マイクロ波領域での無負荷Ｑ値が大きいこと、 比誘電率（εr ）が大きいこと、 共振周波数の温度係数（τf ）の絶対値が小さいこ
と、 が所要特性とされている。
通信、衛星通信、衛星放送等のマイクロ波領域を利用し
た各種の通信システムが急速に発展しつつあり、それに
伴って多くのマイクロ波誘電体材料が開発されている。
このようなマイクロ波領域で使用される誘電体磁器は、
使用周波数が高周波となるに従って無負荷Ｑ値が小さく
なる傾向にあり、 マイクロ波領域での無負荷Ｑ値が大きいこと、 比誘電率（εr ）が大きいこと、 共振周波数の温度係数（τf ）の絶対値が小さいこ
と、 が所要特性とされている。
【０００３】現在、上記のような特性を備える誘電体磁
器として各種のものが開発されているが、無負荷Ｑ値の
大きい材料としては、Ｂａ（Ｍｇ1/3 Ｔａ2/3 ）Ｏ3 、
Ｂａ（Ｚｎ1/3 Ｔａ2/3 ）Ｏ3 等が、また比誘電率の大
きい材料としては、ＢａＯ−ＴｉＯ2 −ＲＥ2 Ｏ3 系
（但し、ＲＥは希土類元素）等が知られており、それぞ
れ共振器、フィルター等として使用されている。
器として各種のものが開発されているが、無負荷Ｑ値の
大きい材料としては、Ｂａ（Ｍｇ1/3 Ｔａ2/3 ）Ｏ3 、
Ｂａ（Ｚｎ1/3 Ｔａ2/3 ）Ｏ3 等が、また比誘電率の大
きい材料としては、ＢａＯ−ＴｉＯ2 −ＲＥ2 Ｏ3 系
（但し、ＲＥは希土類元素）等が知られており、それぞ
れ共振器、フィルター等として使用されている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】ところで、近年、導体
を内部電極とした積層型の誘電体共振器或いはフィルタ
ー等が提案されているが、マイクロ波のような高周波領
域で使用する積層型の機器等を得るためには、製作上、
導電率の高い金属材料よりなる導体を磁器の表面に形成
したり、磁器と磁器との間に埋設した状態で焼成する必
要があるので、焼成温度が１０００℃を越える従来の誘
電体磁器においては、高価ではあるが高温に耐える貴金
属、例えば白金、パラジウム等を使用しなければなら
ず、製造コストの点で問題があった。もし９００℃程度
の低温で焼成できる磁器であれば、導体として銀、銅等
の如き安価な金属材料が使用可能となるので製造コスト
の点で極めて有利となる。従って、このような９００℃
程度の低温で焼成可能な誘電体磁器の実現が望まれてい
た。
を内部電極とした積層型の誘電体共振器或いはフィルタ
ー等が提案されているが、マイクロ波のような高周波領
域で使用する積層型の機器等を得るためには、製作上、
導電率の高い金属材料よりなる導体を磁器の表面に形成
したり、磁器と磁器との間に埋設した状態で焼成する必
要があるので、焼成温度が１０００℃を越える従来の誘
電体磁器においては、高価ではあるが高温に耐える貴金
属、例えば白金、パラジウム等を使用しなければなら
ず、製造コストの点で問題があった。もし９００℃程度
の低温で焼成できる磁器であれば、導体として銀、銅等
の如き安価な金属材料が使用可能となるので製造コスト
の点で極めて有利となる。従って、このような９００℃
程度の低温で焼成可能な誘電体磁器の実現が望まれてい
た。
【０００５】一般にセラミックスの低温焼成を実現する
ためには、焼結助剤としてガラスフリットを添加する手
法、原料粉末をサブミクロン以下の微粉とする手法、或
いはゾル−ゲル法等のケミカルプロセスを用いる方法等
が挙げられる。しかし、通常の誘電体材料はガラスとの
反応性が低く、ガラスを添加した場合に緻密度の高いセ
ラミックスとすることは困難であり、その他、無負荷Ｑ
値が著しく小さくなるという問題も生ずる。
ためには、焼結助剤としてガラスフリットを添加する手
法、原料粉末をサブミクロン以下の微粉とする手法、或
いはゾル−ゲル法等のケミカルプロセスを用いる方法等
が挙げられる。しかし、通常の誘電体材料はガラスとの
反応性が低く、ガラスを添加した場合に緻密度の高いセ
ラミックスとすることは困難であり、その他、無負荷Ｑ
値が著しく小さくなるという問題も生ずる。
【０００６】本発明は、上記問題点を解決するものであ
り、９００℃程度の低温にて焼成することができ、従っ
て上記の導電率の高い導体との同時焼成が可能であり、
且つマイクロ波領域での無負荷Ｑ値が大きく、共振周波
数の温度係数の小さい低温焼成誘電体磁器及びその製造
方法を提供することを目的とする。
り、９００℃程度の低温にて焼成することができ、従っ
て上記の導電率の高い導体との同時焼成が可能であり、
且つマイクロ波領域での無負荷Ｑ値が大きく、共振周波
数の温度係数の小さい低温焼成誘電体磁器及びその製造
方法を提供することを目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明者等は、ＢａＯ−
ＴｉＯ2 系組成物において、τf を実用的な特性範囲に
維持しつつ高い無負荷Ｑ値を備え、且つ低温で焼成して
製造することができる組成について種々検討した結果、
上記の ＢａＯ−ＴｉＯ2 系組成物に特定の金属酸化物
を特定量含有してなる仮焼粉末に、特定の転移点を有す
るガラス粉末を少量添加し、焼成することにより、ガラ
スの添加による焼結体の緻密性の低下という欠点が解消
されることを見出し、本発明を完成するに至った。
ＴｉＯ2 系組成物において、τf を実用的な特性範囲に
維持しつつ高い無負荷Ｑ値を備え、且つ低温で焼成して
製造することができる組成について種々検討した結果、
上記の ＢａＯ−ＴｉＯ2 系組成物に特定の金属酸化物
を特定量含有してなる仮焼粉末に、特定の転移点を有す
るガラス粉末を少量添加し、焼成することにより、ガラ
スの添加による焼結体の緻密性の低下という欠点が解消
されることを見出し、本発明を完成するに至った。
【０００８】第１発明の低温焼成誘電体磁器は、ＢａＯ
・ｘＴｉＯ 2 〔但し、３．０≦ｘ≦５．７〕で表される
組成物１００重量部に対して、０．１〜２０重量部のＺ
ｎＯ、０．１〜１０重量部のＴａ 2 Ｏ 5 、０．１〜１重量
部のＭｎＯ 2 を含有してなる仮焼粉末に、転移点が４５
０℃以下のガラス粉末が、該仮焼粉末と該ガラス粉末の
合計１００重量部に対して０．１〜２０重量部添加さ
れ、焼成されてなり、吸水率が５％以下、且つ請求項１
記載の方法により測定した無負荷Ｑ値と共振周波数との
積が２０００ＧＨｚ以上であることを特徴とする。 第２
発明の低温焼成誘電体磁器は、ＢａＯ・ｘＴｉＯ2〔但
し、３．０≦ｘ≦５．７〕で表される組成物１００重量
部に対して、０．１〜２０重量部のＺｎＯ、０．１〜１
０重量部のＴａ2Ｏ5、０．１〜１重量部のＭｎＯ2、並
びに１重量部以下のＷＯ3、１５重量部以下のＳｎＯ2、
１５重量部以下のＭｇＯ、１０重量部以下のＳｒＯ及び
５重量部以下のＺｒＯ2のうちの少なくとも１種を含有
してなる仮焼粉末に、転移点が４５０℃以下のガラス粉
末が、該仮焼粉末と該ガラス粉末の合計１００重量部に
対して０．１〜２０重量部添加され、焼成されてなり、
吸水率が５％以下、且つ請求項２記載の方法により測定
した無負荷Ｑ値と共振周波数との積が２０００ＧＨｚ以
上であることを特徴とする。
・ｘＴｉＯ 2 〔但し、３．０≦ｘ≦５．７〕で表される
組成物１００重量部に対して、０．１〜２０重量部のＺ
ｎＯ、０．１〜１０重量部のＴａ 2 Ｏ 5 、０．１〜１重量
部のＭｎＯ 2 を含有してなる仮焼粉末に、転移点が４５
０℃以下のガラス粉末が、該仮焼粉末と該ガラス粉末の
合計１００重量部に対して０．１〜２０重量部添加さ
れ、焼成されてなり、吸水率が５％以下、且つ請求項１
記載の方法により測定した無負荷Ｑ値と共振周波数との
積が２０００ＧＨｚ以上であることを特徴とする。 第２
発明の低温焼成誘電体磁器は、ＢａＯ・ｘＴｉＯ2〔但
し、３．０≦ｘ≦５．７〕で表される組成物１００重量
部に対して、０．１〜２０重量部のＺｎＯ、０．１〜１
０重量部のＴａ2Ｏ5、０．１〜１重量部のＭｎＯ2、並
びに１重量部以下のＷＯ3、１５重量部以下のＳｎＯ2、
１５重量部以下のＭｇＯ、１０重量部以下のＳｒＯ及び
５重量部以下のＺｒＯ2のうちの少なくとも１種を含有
してなる仮焼粉末に、転移点が４５０℃以下のガラス粉
末が、該仮焼粉末と該ガラス粉末の合計１００重量部に
対して０．１〜２０重量部添加され、焼成されてなり、
吸水率が５％以下、且つ請求項２記載の方法により測定
した無負荷Ｑ値と共振周波数との積が２０００ＧＨｚ以
上であることを特徴とする。
【０００９】また、第４発明の低温焼成誘電体磁器の製
造方法は、ＢａＯ・ｘＴｉＯ 2 〔但し、３．０≦ｘ≦
５．７〕で表される組成物１００重量部に対して、０．
１〜２０重量部のＺｎＯ、０．１〜１０重量部のＴａ 2
Ｏ 5 、０．１〜１重量部のＭｎＯ 2 が含有された組成にな
るように、原料を調合した後、９００〜１２００℃にて
仮焼して仮焼体を製造し、その後、該仮焼体を粉砕し、
転移点が４５０℃以下のガラスの粉末を、該仮焼粉末と
該ガラス粉末の合計１００重量部に対して０．１〜２０
重量部添加し、混合した後、所定形状に成形し、次い
で、８５０〜１０００℃にて焼成することを特徴とす
る。 第５発明の低温焼成誘電体磁器の製造方法は、Ｂａ
Ｏ・ｘＴｉＯ2〔但し、３．０≦ｘ≦５．７〕で表され
る組成物１００重量部に対して、０．１〜２０重量部の
ＺｎＯ、０．１〜１０重量部のＴａ2Ｏ5、０．１〜１重
量部のＭｎＯ2、並びに１重量部以下のＷＯ3、１５重量
部以下のＳｎＯ2、１５重量部以下のＭｇＯ、１０重量
部以下のＳｒＯ及び５重量部以下のＺｒＯ2のうちの少
なくとも１種が含有された組成になるように、原料を調
合した後、９００〜１２００℃にて仮焼して仮焼体を製
造し、その後、該仮焼体を粉砕し、転移点が４５０℃以
下のガラスの粉末を、該仮焼粉末と該ガラス粉末の合計
１００重量部に対して０．１〜２０重量部添加し、混合
した後、所定形状に成形し、次いで、８５０〜１０００
℃にて焼成することを特徴とする。
造方法は、ＢａＯ・ｘＴｉＯ 2 〔但し、３．０≦ｘ≦
５．７〕で表される組成物１００重量部に対して、０．
１〜２０重量部のＺｎＯ、０．１〜１０重量部のＴａ 2
Ｏ 5 、０．１〜１重量部のＭｎＯ 2 が含有された組成にな
るように、原料を調合した後、９００〜１２００℃にて
仮焼して仮焼体を製造し、その後、該仮焼体を粉砕し、
転移点が４５０℃以下のガラスの粉末を、該仮焼粉末と
該ガラス粉末の合計１００重量部に対して０．１〜２０
重量部添加し、混合した後、所定形状に成形し、次い
で、８５０〜１０００℃にて焼成することを特徴とす
る。 第５発明の低温焼成誘電体磁器の製造方法は、Ｂａ
Ｏ・ｘＴｉＯ2〔但し、３．０≦ｘ≦５．７〕で表され
る組成物１００重量部に対して、０．１〜２０重量部の
ＺｎＯ、０．１〜１０重量部のＴａ2Ｏ5、０．１〜１重
量部のＭｎＯ2、並びに１重量部以下のＷＯ3、１５重量
部以下のＳｎＯ2、１５重量部以下のＭｇＯ、１０重量
部以下のＳｒＯ及び５重量部以下のＺｒＯ2のうちの少
なくとも１種が含有された組成になるように、原料を調
合した後、９００〜１２００℃にて仮焼して仮焼体を製
造し、その後、該仮焼体を粉砕し、転移点が４５０℃以
下のガラスの粉末を、該仮焼粉末と該ガラス粉末の合計
１００重量部に対して０．１〜２０重量部添加し、混合
した後、所定形状に成形し、次いで、８５０〜１０００
℃にて焼成することを特徴とする。
【００１０】上記ｘが３．０未満又は５．７を越えた場
合は、Ｑ値が低下する。また、上記「ＺｎＯ」及び上記
「Ｔａ2 Ｏ5 」は、ガラスの配合量が少量であっても低
温焼成を可能とするために添加するものであり、このＺ
ｎＯ又はＴａ2 Ｏ5 が０．１重量部未満では、低温焼成
が難しくなり、ＺｎＯが２０重量部を越える場合、又は
Ｔａ2 Ｏ5 が１０重量部を越える場合はＱ値が低下す
る。更に、上記「ＭｎＯ2 」は焼結性をより改善するた
めに添加するものであるが、この配合量が０．１重量部
未満では緻密度が不十分となり、１重量部を越えるとＱ
値及びεr が低下する。
合は、Ｑ値が低下する。また、上記「ＺｎＯ」及び上記
「Ｔａ2 Ｏ5 」は、ガラスの配合量が少量であっても低
温焼成を可能とするために添加するものであり、このＺ
ｎＯ又はＴａ2 Ｏ5 が０．１重量部未満では、低温焼成
が難しくなり、ＺｎＯが２０重量部を越える場合、又は
Ｔａ2 Ｏ5 が１０重量部を越える場合はＱ値が低下す
る。更に、上記「ＭｎＯ2 」は焼結性をより改善するた
めに添加するものであるが、この配合量が０．１重量部
未満では緻密度が不十分となり、１重量部を越えるとＱ
値及びεr が低下する。
【００１１】また、上記の３種類以外の酸化物は必要に
応じてそれらのうちの少なくとも１種を添加すればよ
く、上記「ＷＯ3 」はＱ値の向上のため添加するもので
あるが、この配合量が１重量部を越えると却ってＱ値が
低下する。上記「ＳｎＯ2 」はτf の値を負側へシフト
させるために添加するものであるが、この配合量が１５
重量部を越えるとＱ値及びεr が著しく低下する。
応じてそれらのうちの少なくとも１種を添加すればよ
く、上記「ＷＯ3 」はＱ値の向上のため添加するもので
あるが、この配合量が１重量部を越えると却ってＱ値が
低下する。上記「ＳｎＯ2 」はτf の値を負側へシフト
させるために添加するものであるが、この配合量が１５
重量部を越えるとＱ値及びεr が著しく低下する。
【００１２】更に、上記「ＭｇＯ」はτf の値を制御
し、絶対値を小さくするために添加するものであるが、
この配合量が１５重量部を越えるとＱ値及びεr が大き
く低下し、上記「ＳｒＯ」はεr を高めるために添加す
るものであるが、この配合量が１０重量部を越えるとＱ
値が低下し、τf が実用域から外れてしまう。また、上
記「ＺｒＯ2 」はτf を負側へシフトさせるために添加
するものであるが、この配合量が５重量部を越えると、
Ｑ値が低下する。
し、絶対値を小さくするために添加するものであるが、
この配合量が１５重量部を越えるとＱ値及びεr が大き
く低下し、上記「ＳｒＯ」はεr を高めるために添加す
るものであるが、この配合量が１０重量部を越えるとＱ
値が低下し、τf が実用域から外れてしまう。また、上
記「ＺｒＯ2 」はτf を負側へシフトさせるために添加
するものであるが、この配合量が５重量部を越えると、
Ｑ値が低下する。
【００１３】また、上記「ガラス」は低温焼成において
緻密な焼結体を得るために添加するものであり、この
「転移点」が「４５０℃」を越えると、特にその配合量
が比較的少量の場合には十分に緻密な焼結体を得ること
ができず、更に、配合量が０．１重量部未満では、転移
点が４５０℃以下のガラスを使用しても、低温焼成にお
ける緻密化は困難となり、配合量が２０重量部を越える
とＱ値の低下が著しく、マイクロ波領域での誘電特性の
測定ができなくなるほど性能が低下する。
緻密な焼結体を得るために添加するものであり、この
「転移点」が「４５０℃」を越えると、特にその配合量
が比較的少量の場合には十分に緻密な焼結体を得ること
ができず、更に、配合量が０．１重量部未満では、転移
点が４５０℃以下のガラスを使用しても、低温焼成にお
ける緻密化は困難となり、配合量が２０重量部を越える
とＱ値の低下が著しく、マイクロ波領域での誘電特性の
測定ができなくなるほど性能が低下する。
【００１４】更に、上記ガラスとしては、第６発明のよ
うに、その全量中に５〜６０モル％のＰｂＯを含有した
ものが好ましく、このようなガラスを使用すれば低温に
おける焼結がより促進される。このＰｂＯの含有量が５
モル％未満では、焼結促進の効果が小さく、６０モル％
を越える場合は、得られる磁器のＱ値が低下する。ま
た、このガラスは、第７発明のように、ＰｂＯの他に
０．１〜５モル％のアルカリ金属元素の酸化物をも含有
することが好ましく、これにより焼結性が一段と向上す
る。この配合量が０．１モル％未満では焼結促進の効果
が小さく、５モル％を越えるとＱ値が低下する。
うに、その全量中に５〜６０モル％のＰｂＯを含有した
ものが好ましく、このようなガラスを使用すれば低温に
おける焼結がより促進される。このＰｂＯの含有量が５
モル％未満では、焼結促進の効果が小さく、６０モル％
を越える場合は、得られる磁器のＱ値が低下する。ま
た、このガラスは、第７発明のように、ＰｂＯの他に
０．１〜５モル％のアルカリ金属元素の酸化物をも含有
することが好ましく、これにより焼結性が一段と向上す
る。この配合量が０．１モル％未満では焼結促進の効果
が小さく、５モル％を越えるとＱ値が低下する。
【００１５】また、本発明では、第８発明のように、上
記「仮焼粉末」と「ガラス粉末」の「平均粒子径」も焼
結体の緻密度に大きく影響を及ぼすものであり、仮焼粉
末の平均粒子径が「１〜３μｍ」を外れると、得られる
焼結体の緻密度が低下するため好ましくなく、ガラス粉
末の平均粒子径が「０．１〜１．５μｍ」を外れ、０．
１μｍ未満では仮焼粉末との均一な分散混合が難しくな
り、１．５μｍを越えると磁器の緻密化が不十分となる
ため好ましくない。
記「仮焼粉末」と「ガラス粉末」の「平均粒子径」も焼
結体の緻密度に大きく影響を及ぼすものであり、仮焼粉
末の平均粒子径が「１〜３μｍ」を外れると、得られる
焼結体の緻密度が低下するため好ましくなく、ガラス粉
末の平均粒子径が「０．１〜１．５μｍ」を外れ、０．
１μｍ未満では仮焼粉末との均一な分散混合が難しくな
り、１．５μｍを越えると磁器の緻密化が不十分となる
ため好ましくない。
【００１６】更に、上記仮焼の温度が９００℃未満では
Ｑ値が小さくなり、１２００℃を越える場合は、τf が
正側へ大きくなり、実用域から外れる。また、上記焼成
の温度が８５０℃未満では緻密化が困難であり、１００
０℃を越える場合は、Ｑ値が低下し、且つτf が実用域
から外れる。また、銀、銅等の導体材料との同時焼成が
困難となる。この焼成温度は８５０〜９５０℃の範囲が
特に好ましく、この温度範囲であれば、高いＱ値及び小
さいτf を有し、且つ緻密度の高い低温焼成誘電体磁器
を得ることができる。
Ｑ値が小さくなり、１２００℃を越える場合は、τf が
正側へ大きくなり、実用域から外れる。また、上記焼成
の温度が８５０℃未満では緻密化が困難であり、１００
０℃を越える場合は、Ｑ値が低下し、且つτf が実用域
から外れる。また、銀、銅等の導体材料との同時焼成が
困難となる。この焼成温度は８５０〜９５０℃の範囲が
特に好ましく、この温度範囲であれば、高いＱ値及び小
さいτf を有し、且つ緻密度の高い低温焼成誘電体磁器
を得ることができる。
【００１７】
【作用】本発明ではＢａＯ−ＴｉＯ2 −添加成分系の仮
焼粉末に、低い転移点を有する特定のガラス成分を少量
添加することにより、誘電特性の劣化を最小限に抑え、
且つ低温において焼成可能とし、緻密度が高く、しかも
優れた誘電特性を有する低温焼成誘電体磁器を得ること
ができたものである。
焼粉末に、低い転移点を有する特定のガラス成分を少量
添加することにより、誘電特性の劣化を最小限に抑え、
且つ低温において焼成可能とし、緻密度が高く、しかも
優れた誘電特性を有する低温焼成誘電体磁器を得ること
ができたものである。
【００１８】また、上記のように転移点が低いガラスの
使用というだけでは、磁器原料との反応性が必ずしも十
分とはいえない場合は、特定量のＰｂＯを含有するガラ
スの使用が好ましく、更に、本発明では、通常、無負荷
Ｑ値を低下させるため好ましくないとされているアルカ
リ金属元素の酸化物をも併せて含有するガラスを使用し
てもよく、その場合、より少量のガラスによって低温に
おける焼結性をより向上させることができ、使用量が少
量であるため誘電特性もそれほど低下はしない。
使用というだけでは、磁器原料との反応性が必ずしも十
分とはいえない場合は、特定量のＰｂＯを含有するガラ
スの使用が好ましく、更に、本発明では、通常、無負荷
Ｑ値を低下させるため好ましくないとされているアルカ
リ金属元素の酸化物をも併せて含有するガラスを使用し
てもよく、その場合、より少量のガラスによって低温に
おける焼結性をより向上させることができ、使用量が少
量であるため誘電特性もそれほど低下はしない。
【００１９】更に、本発明における磁器原料とガラスと
の反応について詳述すれば、仮焼粉末にガラス粉末を添
加して焼成すると、仮焼粉末とガラス液相が反応を起こ
し、液状の反応物を生成して焼結が促進され、特にＰｂ
Ｏを含有するガラスを使用した場合には、９００℃前後
の焼成温度でのガラス融液の粘度が十分に低下し、且つ
仮焼粉末成分と化学的に反応することにより焼結が進行
し、９００℃程度の低温で緻密化が可能になったものと
考えられる。
の反応について詳述すれば、仮焼粉末にガラス粉末を添
加して焼成すると、仮焼粉末とガラス液相が反応を起こ
し、液状の反応物を生成して焼結が促進され、特にＰｂ
Ｏを含有するガラスを使用した場合には、９００℃前後
の焼成温度でのガラス融液の粘度が十分に低下し、且つ
仮焼粉末成分と化学的に反応することにより焼結が進行
し、９００℃程度の低温で緻密化が可能になったものと
考えられる。
【００２０】尚、実際に得られた磁器の結晶相は、ガラ
スを添加しなかった場合とは異なった結晶相となってい
た。また、特にＢａＯ−ＴｉＯ2 −添加成分系の磁器原
料と、ＰｂＯ−アルカリ金属元素酸化物系ガラスとの組
み合わせでは、両者が互いに高い反応性を有するととも
に、両者の間に特定の共融組成液が生成することによ
り、著しい焼結促進効果が奏せられたものと推察され
る。
スを添加しなかった場合とは異なった結晶相となってい
た。また、特にＢａＯ−ＴｉＯ2 −添加成分系の磁器原
料と、ＰｂＯ−アルカリ金属元素酸化物系ガラスとの組
み合わせでは、両者が互いに高い反応性を有するととも
に、両者の間に特定の共融組成液が生成することによ
り、著しい焼結促進効果が奏せられたものと推察され
る。
【００２１】
【実施例】以下、実施例により本発明を具体的に説明す
る。 (1) 仮焼粉末の調製 ＢａＣＯ3 、ＴｉＯ2 、ＺｎＯ、Ｔａ2 Ｏ5 、Ｍｎ
Ｏ2 、ＷＯ3 、ＳｎＯ2 、ＭｇＯ、ＳｒＯ及びＺｒＯ2
の各粉末を、得られる仮焼粉末が表１に示す組成になる
ように秤量して、ミキサーによって乾式で粉砕、混合を
行った。得られた混合粉末を大気雰囲気下、１０００℃
の温度で６時間仮焼した。この仮焼体を湿式粉砕した
後、乾燥し、平均粒径約２μｍの仮焼粉末を得た。尚、
表１において、＊は発明の範囲外であることを表す。
る。 (1) 仮焼粉末の調製 ＢａＣＯ3 、ＴｉＯ2 、ＺｎＯ、Ｔａ2 Ｏ5 、Ｍｎ
Ｏ2 、ＷＯ3 、ＳｎＯ2 、ＭｇＯ、ＳｒＯ及びＺｒＯ2
の各粉末を、得られる仮焼粉末が表１に示す組成になる
ように秤量して、ミキサーによって乾式で粉砕、混合を
行った。得られた混合粉末を大気雰囲気下、１０００℃
の温度で６時間仮焼した。この仮焼体を湿式粉砕した
後、乾燥し、平均粒径約２μｍの仮焼粉末を得た。尚、
表１において、＊は発明の範囲外であることを表す。
【００２２】
【表１】
【００２３】(2) ガラス粉末の調製 Ｐｂ3 Ｏ4 、ＳｉＯ2 、Ｈ3 ＢＯ3 、ＺｎＯ、ＣａＯ、
Ｂｉ2 Ｏ3 、Ａｌ2 Ｏ3 及びＮａ2 Ｏの各粉末を、得ら
れるガラス粉末が表２に示した組成になるように秤量
し、混合した後１１００℃の温度で２時間熔融し、その
後、水中に投入してガラスを得た。このガラスを湿式粉
砕した後乾燥し、平均粒径約１μｍのガラス粉末を得
た。
Ｂｉ2 Ｏ3 、Ａｌ2 Ｏ3 及びＮａ2 Ｏの各粉末を、得ら
れるガラス粉末が表２に示した組成になるように秤量
し、混合した後１１００℃の温度で２時間熔融し、その
後、水中に投入してガラスを得た。このガラスを湿式粉
砕した後乾燥し、平均粒径約１μｍのガラス粉末を得
た。
【００２４】
【表２】
【００２５】(3) 低温焼成誘電体磁器の調製 実施例１〜３０及び比較例１〜１６ 上記のようにして得た仮焼粉末（平均粒径；２μｍ）と
ガラス粉末（平均粒径；１μｍ）とを、表３〜５に示す
組み合わせ及び割合でエタノール中において混合し、乾
燥後、樹脂を加えて造粒し、この造粒粉を８００ｋｇ／
ｃｍ2の圧力で底面の直径が２５ｍｍ、高さが１５ｍｍ
の円柱状に成形した。その後、１５００ｋｇ／ｃｍ2の
圧力でＣＩＰ（等方静水圧プレス）処理を行い、次い
で、処理後の成形体を大気雰囲気下、９００℃の温度で
２時間焼成した。
ガラス粉末（平均粒径；１μｍ）とを、表３〜５に示す
組み合わせ及び割合でエタノール中において混合し、乾
燥後、樹脂を加えて造粒し、この造粒粉を８００ｋｇ／
ｃｍ2の圧力で底面の直径が２５ｍｍ、高さが１５ｍｍ
の円柱状に成形した。その後、１５００ｋｇ／ｃｍ2の
圧力でＣＩＰ（等方静水圧プレス）処理を行い、次い
で、処理後の成形体を大気雰囲気下、９００℃の温度で
２時間焼成した。
【００２６】上記のようにして得られた低温焼成誘電体
磁器を研磨した後、平行導体板型誘電体共振器法によ
り、測定周波数１〜５ＧＨｚにおいて比誘電率、無負荷
Ｑ値及び共振周波数の温度係数（τf 、温度範囲；２５
〜８０℃）を測定した。誘電損失が大きく共振波形が得
られなかったものは、各表中において測定不能と表記し
た。また、ＪＩＳ Ｃ２１４１に準じて磁器の吸水率を
測定した。
磁器を研磨した後、平行導体板型誘電体共振器法によ
り、測定周波数１〜５ＧＨｚにおいて比誘電率、無負荷
Ｑ値及び共振周波数の温度係数（τf 、温度範囲；２５
〜８０℃）を測定した。誘電損失が大きく共振波形が得
られなかったものは、各表中において測定不能と表記し
た。また、ＪＩＳ Ｃ２１４１に準じて磁器の吸水率を
測定した。
【００２７】実施例１〜１５の結果を表３に、実施例１
６〜３０の結果を表４に、比較例１〜１６の結果を表５
にそれぞれ併記する。尚、表３〜５及び後記の表５〜６
において、誘電特性の評価は（Ｑ×ｆ）で表す。ｆは誘
電特性の測定周波数であり、Ｑ値測定毎に多少の変動が
あり、この積の形がより正確に誘電特性を表すものであ
る。
６〜３０の結果を表４に、比較例１〜１６の結果を表５
にそれぞれ併記する。尚、表３〜５及び後記の表５〜６
において、誘電特性の評価は（Ｑ×ｆ）で表す。ｆは誘
電特性の測定周波数であり、Ｑ値測定毎に多少の変動が
あり、この積の形がより正確に誘電特性を表すものであ
る。
【００２８】
【表３】
【００２９】
【表４】
【００３０】
【表５】
【００３１】表３〜４の結果によれば、実施例１〜３０
のいずれにおいても、吸水率は０．１％未満であり、
（Ｑ×ｆ）値は最小でも２２５０ＧＨｚと高く、また、
共振周波数の温度係数も最大でも＋１８ｐｐｍ／℃と小
さく、緻密度が非常に高く、誘電特性に優れた磁器が得
られていることが分かる。尚、実施例２１〜３０では、
アルカリ金属元素の酸化物（Ｎａ2 Ｏ）を含むガラスの
粉末を使用しており、量比が５重量部と実施例１〜２０
の半分となっているが、同様に優れた性能の磁器が得ら
れており、ガラス中のアルカリ金属元素の酸化物の効果
が裏付けられている。
のいずれにおいても、吸水率は０．１％未満であり、
（Ｑ×ｆ）値は最小でも２２５０ＧＨｚと高く、また、
共振周波数の温度係数も最大でも＋１８ｐｐｍ／℃と小
さく、緻密度が非常に高く、誘電特性に優れた磁器が得
られていることが分かる。尚、実施例２１〜３０では、
アルカリ金属元素の酸化物（Ｎａ2 Ｏ）を含むガラスの
粉末を使用しており、量比が５重量部と実施例１〜２０
の半分となっているが、同様に優れた性能の磁器が得ら
れており、ガラス中のアルカリ金属元素の酸化物の効果
が裏付けられている。
【００３２】一方、表５の結果によれば、ＭｎＯ2 、Ｗ
Ｏ3 、ＳｎＯ2 及びＺｒＯ2 がそれぞれ上限を越えてい
る各比較例では、緻密度は十分に高いが、誘電特性は測
定不能なほどに劣っており、また、ｘ値が上下限を外れ
た比較例、及びＺｎＯ、Ｔａ2 Ｏ5 、ＭｇＯ、ＳｒＯが
それぞれ上限を越えた各比較例では、同様に緻密度は高
いが、その誘電特性は、測定可能ではあるものの、（Ｑ
×ｆ）値は最大でも１４３０ＧＨｚと各実施例に比べて
大きく劣っていることが分かる。更に、転移点が４５０
℃を越えるガラスを使用した各比較例では、誘電特性が
測定不能なほどに劣っているとともに、吸水率も８〜３
４％と大きく、緻密度も非常に低いことが分かる。尚、
ガラスの転移点の上昇とともに、緻密度がより低下する
傾向もみられる。
Ｏ3 、ＳｎＯ2 及びＺｒＯ2 がそれぞれ上限を越えてい
る各比較例では、緻密度は十分に高いが、誘電特性は測
定不能なほどに劣っており、また、ｘ値が上下限を外れ
た比較例、及びＺｎＯ、Ｔａ2 Ｏ5 、ＭｇＯ、ＳｒＯが
それぞれ上限を越えた各比較例では、同様に緻密度は高
いが、その誘電特性は、測定可能ではあるものの、（Ｑ
×ｆ）値は最大でも１４３０ＧＨｚと各実施例に比べて
大きく劣っていることが分かる。更に、転移点が４５０
℃を越えるガラスを使用した各比較例では、誘電特性が
測定不能なほどに劣っているとともに、吸水率も８〜３
４％と大きく、緻密度も非常に低いことが分かる。尚、
ガラスの転移点の上昇とともに、緻密度がより低下する
傾向もみられる。
【００３３】実施例３１〜３３及び比較例１７〜２０ 表１の仮焼粉末及び表２のガラス粉末から、それぞれ選
んだ組み合わせにおいて、その量比を上記各実施例、比
較例とは更に変え、同様の方法によって磁器を調製し、
同様の方法でその吸水率及び誘電特性を測定した。仮焼
粉末組成とガラス粉末組成の番号、それらの量比及び吸
水率と誘電特性の測定結果を表６に示す。尚、表６にお
いて、＊は発明の範囲外であることを表す。
んだ組み合わせにおいて、その量比を上記各実施例、比
較例とは更に変え、同様の方法によって磁器を調製し、
同様の方法でその吸水率及び誘電特性を測定した。仮焼
粉末組成とガラス粉末組成の番号、それらの量比及び吸
水率と誘電特性の測定結果を表６に示す。尚、表６にお
いて、＊は発明の範囲外であることを表す。
【００３４】
【表６】
【００３５】表６の結果によれば、ガラス粉末の量比が
５〜２０重量部の範囲で、緻密度、誘電特性ともに優れ
た磁器が得られていることが分かる。尚、実施例３１の
ガラスにはアルカリ金属元素の酸化物が含まれており、
その効果もあるものと思われるが、ガラス粉末の量比が
小さい方が（Ｑ×ｆ）、τf ともにより改善される傾向
にある。一方、ガラス粉末を添加しなかった比較例１７
では、緻密度、誘電特性ともに非常に劣っており、ガラ
ス粉末を２５重量部以上使用した比較例１８〜２０で
は、緻密度は優れているものの、誘電特性は測定不能な
ほどに劣っていることが分かる。
５〜２０重量部の範囲で、緻密度、誘電特性ともに優れ
た磁器が得られていることが分かる。尚、実施例３１の
ガラスにはアルカリ金属元素の酸化物が含まれており、
その効果もあるものと思われるが、ガラス粉末の量比が
小さい方が（Ｑ×ｆ）、τf ともにより改善される傾向
にある。一方、ガラス粉末を添加しなかった比較例１７
では、緻密度、誘電特性ともに非常に劣っており、ガラ
ス粉末を２５重量部以上使用した比較例１８〜２０で
は、緻密度は優れているものの、誘電特性は測定不能な
ほどに劣っていることが分かる。
【００３６】実施例３４〜３９ 表１の仮焼粉末及び表２のガラス粉末から、それぞれ選
んだ組み合わせにおいて、それぞれの粉末の平均粒子径
を変え、同様の方法によって磁器を調製し、同様の方法
でその吸水率と誘電特性を測定した。仮焼粉末組成とガ
ラス粉末組成の番号、それらの量比、粒子径、吸水率及
び誘電特性の測定結果を表７に示す。
んだ組み合わせにおいて、それぞれの粉末の平均粒子径
を変え、同様の方法によって磁器を調製し、同様の方法
でその吸水率と誘電特性を測定した。仮焼粉末組成とガ
ラス粉末組成の番号、それらの量比、粒子径、吸水率及
び誘電特性の測定結果を表７に示す。
【００３７】
【表７】
【００３８】表７の結果によれば、仮焼粉末及びガラス
粉末の平均粒子径が、第８発明の範囲内にある実施例３
４〜３６では、緻密度及び誘電特性いずれも優れた磁器
が得られるが、それぞれの粒子径が第８発明の範囲を外
れている実施例３７〜３９では、誘電特性には特に問題
はないが、吸水率が２〜５％となっており、緻密度がや
や劣っており、特に両粒子径が大きくなるに連れ、吸水
率がより上昇していることが分かる。これらの磁器は性
能がやや劣るとはいえ、実用に供し得る範囲ではある
が、この結果は、第８発明の効果を裏付けるものであ
る。
粉末の平均粒子径が、第８発明の範囲内にある実施例３
４〜３６では、緻密度及び誘電特性いずれも優れた磁器
が得られるが、それぞれの粒子径が第８発明の範囲を外
れている実施例３７〜３９では、誘電特性には特に問題
はないが、吸水率が２〜５％となっており、緻密度がや
や劣っており、特に両粒子径が大きくなるに連れ、吸水
率がより上昇していることが分かる。これらの磁器は性
能がやや劣るとはいえ、実用に供し得る範囲ではある
が、この結果は、第８発明の効果を裏付けるものであ
る。
【００３９】
【発明の効果】第１又は第２発明の特定の組成を有する
誘電体磁器は、緻密度が高く、且つ無負荷Ｑ値が大きい
とともに共振周波数の温度係数が小さく、特に第３発明
では、非常に緻密度の高い誘電体磁器が得られる。ま
た、第４又は第５発明によれば、第１又は第２発明の特
定の組成となるように調製された磁器原料と、特定量の
ガラスとを比較的低温で焼成することにより、優れた緻
密度と誘電特性とを併せ有する低温焼成誘電体磁器を製
造することができる。特に、第６〜７発明に特定された
ガラス粉末を使用し、更に、第８発明に特定された平均
粒子径の仮焼粉末及びガラス粉末を使用することによ
り、ガラス粉末の使用量が少ない場合であっても、何ら
問題なく緻密性及び誘電特性に優れた低温焼成誘電体磁
器を得ることができる。
誘電体磁器は、緻密度が高く、且つ無負荷Ｑ値が大きい
とともに共振周波数の温度係数が小さく、特に第３発明
では、非常に緻密度の高い誘電体磁器が得られる。ま
た、第４又は第５発明によれば、第１又は第２発明の特
定の組成となるように調製された磁器原料と、特定量の
ガラスとを比較的低温で焼成することにより、優れた緻
密度と誘電特性とを併せ有する低温焼成誘電体磁器を製
造することができる。特に、第６〜７発明に特定された
ガラス粉末を使用し、更に、第８発明に特定された平均
粒子径の仮焼粉末及びガラス粉末を使用することによ
り、ガラス粉末の使用量が少ない場合であっても、何ら
問題なく緻密性及び誘電特性に優れた低温焼成誘電体磁
器を得ることができる。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 尾関 博文 愛知県名古屋市瑞穂区高辻町14番18号 日本特殊陶業株式会社内 (72)発明者 片桐 弘至 愛知県名古屋市瑞穂区高辻町14番18号 日本特殊陶業株式会社内 (56)参考文献 特開 平６−321631（ＪＰ，Ａ) 特開 平６−215624（ＪＰ，Ａ) 特開 平５−70222（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) C04B 35/42 - 35/50 ＣＡ（ＳＴＮ) ＲＥＧＩＳＴＲＹ（ＳＴＮ)
Claims (8)
- 【請求項１】 ＢａＯ・ｘＴｉＯ2〔但し、３．０≦ｘ
≦５．７〕で表される組成物１００重量部に対して、
０．１〜２０重量部のＺｎＯ、０．１〜１０重量部のＴ
ａ2Ｏ5、０．１〜１重量部のＭｎＯ2を含有してなる仮
焼粉末に、転移点が４５０℃以下のガラス粉末が、該仮
焼粉末と該ガラス粉末の合計１００重量部に対して０．
１〜２０重量部添加され、焼成されてなり、吸水率が５
％以下、且つ下記方法により測定した無負荷Ｑ値と共振
周波数との積が２０００ＧＨｚ以上であることを特徴と
する低温焼成誘電体磁器。 無負荷Ｑ値：平行導体板型誘電体共振器法、測定周波
数；１〜５ＧＨｚ - 【請求項２】 ＢａＯ・ｘＴｉＯ2〔但し、３．０≦ｘ
≦５．７〕で表される組成物１００重量部に対して、
０．１〜２０重量部のＺｎＯ、０．１〜１０重量部のＴ
ａ2Ｏ5、０．１〜１重量部のＭｎＯ2、並びに１重量部
以下のＷＯ3、１５重量部以下のＳｎＯ2、１５重量部以
下のＭｇＯ、１０重量部以下のＳｒＯ及び５重量部以下
のＺｒＯ2のうちの少なくとも１種を含有してなる仮焼
粉末に、転移点が４５０℃以下のガラス粉末が、該仮焼
粉末と該ガラス粉末の合計１００重量部に対して０．１
〜２０重量部添加され、焼成されてなり、吸水率が５％
以下、且つ下記方法により測定した無負荷Ｑ値と共振周
波数との積が２０００ＧＨｚ以上であることを特徴とす
る低温焼成誘電体磁器。 無負荷Ｑ値：平行導体板型誘電体共振器法、測定周波
数；１〜５ＧＨｚ - 【請求項３】 上記吸水率が０．１％未満である請求項
１又は２記載の低温焼成誘電体磁器。 - 【請求項４】 ＢａＯ・ｘＴｉＯ2〔但し、３．０≦ｘ
≦５．７〕で表される組成物１００重量部に対して、
０．１〜２０重量部のＺｎＯ、０．１〜１０重量部のＴ
ａ2Ｏ5、０．１〜１重量部のＭｎＯ2が含有された組成
になるように、原料を調合した後、９００〜１２００℃
にて仮焼して仮焼体を製造し、その後、該仮焼体を粉砕
し、転移点が４５０℃以下のガラスの粉末を、該仮焼粉
末と該ガラス粉末の合計１００重量部に対して０．１〜
２０重量部添加し、混合した後、所定形状に成形し、次
いで、８５０〜１０００℃にて焼成することを特徴とす
る低温焼成誘電体磁器の製造方法。 - 【請求項５】 ＢａＯ・ｘＴｉＯ2〔但し、３．０≦ｘ
≦５．７〕で表される組成物１００重量部に対して、
０．１〜２０重量部のＺｎＯ、０．１〜１０重量部のＴ
ａ2Ｏ5、０．１〜１重量部のＭｎＯ2、並びに１重量部
以下のＷＯ3、１５重量部以下のＳｎＯ2、１５重量部以
下のＭｇＯ、１０重量部以下のＳｒＯ及び５重量部以下
のＺｒＯ2のうちの少なくとも１種が含有された組成に
なるように、原料を調合した後、９００〜１２００℃に
て仮焼して仮焼体を製造し、その後、該仮焼体を粉砕
し、転移点が４５０℃以下のガラスの粉末を、該仮焼粉
末と該ガラス粉末の合計１００重量部に対して０．１〜
２０重量部添加し、混合した後、所定形状に成形し、次
いで、８５０〜１０００℃にて焼成することを特徴とす
る低温焼成誘電体磁器の製造方法。 - 【請求項６】 上記ガラスは、その全量を１００モル％
とした場合に、５〜６０モル％のＰｂＯを含有している
請求項４又は５記載の低温焼成誘電体磁器の製造方法。 - 【請求項７】 上記ガラスは、その全量を１００モル％
とした場合に、５〜６０モル％のＰｂＯ及び０．０１〜
５モル％のＲ2Ｏ〔但し、Ｒはアルカリ金属元素であ
る。〕を含有している請求項４又は５記載の低温焼成誘
電体磁器の製造方法。 - 【請求項８】 上記仮焼粉末の平均粒子径が１〜３μｍ
であり、上記ガラスの粉末の平均粒子径が０．１〜１．
５μｍであって、且つ該ガラスの粉末の平均粒子径は該
仮焼粉末の平均粒子径未満である請求項４〜７のいずれ
か１項に記載の低温焼成誘電体磁器の製造方法。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP08739795A JP3216967B2 (ja) | 1995-03-20 | 1995-03-20 | 低温焼成誘電体磁器及びその製造方法 |
| US08/617,273 US5759935A (en) | 1995-03-20 | 1996-03-14 | Composition for producing low sintering temperature ceramic dielectrics and method of manufacturing such dielectrics |
| US09/526,502 USRE38491E1 (en) | 1995-03-20 | 2000-03-15 | Composition for producing low sintering temperature ceramic dielectrics and method of manufacturing such dielectrics |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP08739795A JP3216967B2 (ja) | 1995-03-20 | 1995-03-20 | 低温焼成誘電体磁器及びその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08259319A JPH08259319A (ja) | 1996-10-08 |
| JP3216967B2 true JP3216967B2 (ja) | 2001-10-09 |
Family
ID=13913748
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP08739795A Expired - Fee Related JP3216967B2 (ja) | 1995-03-20 | 1995-03-20 | 低温焼成誘電体磁器及びその製造方法 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5759935A (ja) |
| JP (1) | JP3216967B2 (ja) |
Families Citing this family (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| TW439071B (en) * | 1998-07-23 | 2001-06-07 | Taiyo Yuden Kk | Dielectric electromagnetic composition and ceramic electronic part |
| JP2001106571A (ja) * | 1999-10-07 | 2001-04-17 | Murata Mfg Co Ltd | 誘電体セラミック組成物及びセラミック電子部品 |
| JP2001106570A (ja) * | 1999-10-07 | 2001-04-17 | Murata Mfg Co Ltd | 誘電体セラミック組成物及びセラミック電子部品 |
| DE10043196B4 (de) * | 2000-09-01 | 2008-10-02 | W.C. Heraeus Gmbh | Glaskeramikmasse und Verwendung der Glaskeramikmasse |
| JP2003055043A (ja) * | 2001-08-21 | 2003-02-26 | Philips Japan Ltd | 誘電体磁器組成物 |
| US20200237487A1 (en) * | 2017-09-26 | 2020-07-30 | Kuraray Noritake Dental Inc. | Dental mill blank and method for producing same |
| CN111063477B (zh) * | 2019-12-18 | 2021-07-13 | 宁波职业技术学院 | 一种不锈钢基板厚膜电路绝缘介质浆料及其制备方法 |
Family Cites Families (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2681214B2 (ja) * | 1988-05-11 | 1997-11-26 | 堺化学工業株式会社 | セラミック誘電体用組成物、これを用いて得られるセラミック誘電体及びその製造方法 |
| US5128289A (en) * | 1990-12-07 | 1992-07-07 | Ferro Corporation | X7R dielectric ceramic composition and capacitor made therefrom |
| JP3067814B2 (ja) * | 1991-01-26 | 2000-07-24 | 日本特殊陶業株式会社 | 誘電体磁器組成物 |
| JP3067815B2 (ja) * | 1991-01-26 | 2000-07-24 | 日本特殊陶業株式会社 | マイクロ波誘電体磁器組成物 |
| JP2974829B2 (ja) * | 1991-07-04 | 1999-11-10 | 日本特殊陶業株式会社 | マイクロ波誘電体磁器組成物 |
| US5296424A (en) * | 1992-04-22 | 1994-03-22 | Gte Control Devices Incorporated | System of dielectric ceramic compositions suitable for microwave applications |
-
1995
- 1995-03-20 JP JP08739795A patent/JP3216967B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
1996
- 1996-03-14 US US08/617,273 patent/US5759935A/en not_active Ceased
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US5759935A (en) | 1998-06-02 |
| JPH08259319A (ja) | 1996-10-08 |
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