JP3257913B2 - 透明電極 - Google Patents
透明電極Info
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- JP3257913B2 JP3257913B2 JP31868194A JP31868194A JP3257913B2 JP 3257913 B2 JP3257913 B2 JP 3257913B2 JP 31868194 A JP31868194 A JP 31868194A JP 31868194 A JP31868194 A JP 31868194A JP 3257913 B2 JP3257913 B2 JP 3257913B2
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は液晶ディスプレイ等に用
いられる透明電極に関する。詳しくはガラス基板上に結
晶性の異なる２層のインジウム・スズ酸化物を主成分と
する透明導電膜を積層してなる透明電極に関する。
いられる透明電極に関する。詳しくはガラス基板上に結
晶性の異なる２層のインジウム・スズ酸化物を主成分と
する透明導電膜を積層してなる透明電極に関する。
【０００２】
【従来の技術】インジウム・スズ酸化物を主成分とする
膜（以下ＩＴＯ膜と記す）からなる透明電極は、高導電
性、高透明性の特性を活かし、液晶ディスプレイやタッ
チパネル等の電極材料として広く用いられている。これ
らの電極材料では多くの場合にエッチング処理を伴うの
で、良好なエッチング特性が求められると同時に液晶デ
ィスプレイ等の組立工程に耐えうる高い耐久性能をもち
経時変化が少ない材料が求められている。ところで低抵
抗なＩＴＯ膜ともなるとＩＴＯ膜が厚くなる場合が多く
1000Å以上ともなるとＩＴＯ膜厚の増加がエッチングに
及ぼす影響も大きくなり膜厚の増加とともにエッチング
も困難となってくる。そこで、エッチング特性を良くす
るためには、ＩＴＯ膜を非晶性にすればよいが、これに
よりＩＴＯ膜の耐久性（耐熱性、耐湿熱性、耐擦傷性
等）が低下し抵抗値の経時変化が大きくなる。
膜（以下ＩＴＯ膜と記す）からなる透明電極は、高導電
性、高透明性の特性を活かし、液晶ディスプレイやタッ
チパネル等の電極材料として広く用いられている。これ
らの電極材料では多くの場合にエッチング処理を伴うの
で、良好なエッチング特性が求められると同時に液晶デ
ィスプレイ等の組立工程に耐えうる高い耐久性能をもち
経時変化が少ない材料が求められている。ところで低抵
抗なＩＴＯ膜ともなるとＩＴＯ膜が厚くなる場合が多く
1000Å以上ともなるとＩＴＯ膜厚の増加がエッチングに
及ぼす影響も大きくなり膜厚の増加とともにエッチング
も困難となってくる。そこで、エッチング特性を良くす
るためには、ＩＴＯ膜を非晶性にすればよいが、これに
よりＩＴＯ膜の耐久性（耐熱性、耐湿熱性、耐擦傷性
等）が低下し抵抗値の経時変化が大きくなる。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、膜耐
久性を損なわずにエッチング性の向上をはかり、液晶デ
ィスプレイ等に適した電極材料を提供することにある。
久性を損なわずにエッチング性の向上をはかり、液晶デ
ィスプレイ等に適した電極材料を提供することにある。
【０００４】
【課題を解決するための手段】本発明は、ガラス基板上
に、非晶性で厚さ1000Å以上のインジウム・スズ酸化物
を主成分とする膜を積層し、さらにその上に下層よりも
結晶性が高く厚さ100〜300Åのインジウム・スズ酸化物
を主成分とする透明導電膜を積層したことを特徴とする
透明電極である。このようにして形成された透明電極は
ＩＴＯ膜上層（結晶性ＩＴＯ膜）の高い耐久性能とＩＴ
Ｏ膜下層（非晶性ＩＴＯ膜）の良好なエッチング性がバ
ランスし、エッチング性を損なわずに従来のものよりも
耐久性の高いＩＴＯ膜が得られる。
に、非晶性で厚さ1000Å以上のインジウム・スズ酸化物
を主成分とする膜を積層し、さらにその上に下層よりも
結晶性が高く厚さ100〜300Åのインジウム・スズ酸化物
を主成分とする透明導電膜を積層したことを特徴とする
透明電極である。このようにして形成された透明電極は
ＩＴＯ膜上層（結晶性ＩＴＯ膜）の高い耐久性能とＩＴ
Ｏ膜下層（非晶性ＩＴＯ膜）の良好なエッチング性がバ
ランスし、エッチング性を損なわずに従来のものよりも
耐久性の高いＩＴＯ膜が得られる。
【０００５】
【実施例】《実施例１》 本発明の実施例としてはガラス基板上１にＤＣマグネト
ロンスパッタリング装置でスパッタリング成膜を行ない
結晶性の異なる２層の膜を形成した。まず、厚さ２mmの
ガラス基板をＤＣマグネトロンスパッタリング装置の基
板ホルダーに固定した。真空槽内を5×10-6mbarまで排
気した後、アルゴンと酸素の混合ガス(Ａｒ：Ｏ2＝5：
1)を導入し、真空度を6×10-3mbarに保ち、基板温度室
温でＩｎ／Ｓｎ合金ターゲット（Ｓｎ10重量部％）を用
いて反応性スパッタリングを行った。このときできた膜
のＸ線回折パターン(図３)を見るとピークが現れておら
ず非晶性のＩＴＯ膜２が成膜されたことがわかる。その
後さらに同スパッタ装置を用いアルゴンと酸素の混合ガ
ス（Ａｒ：Ｏ 2 ＝5：1）を導入し、真空度を2×10-3mbar
に保った状態で基板温度200℃でスパッタリング成膜を
行った。このときできたＩＴＯ膜３のＸ線回折パターン
(図４)はピークを持ち結晶性であることがわかる。ＩＴ
Ｏ膜厚については簡易エッチングによる精密段差計での
測定で、下層が1100Å、上層は200Åであった。これを
３規定の塩酸でエッチングしたところ120秒で導電性が
なくなり溶け残りもなかった。耐熱性（150℃、3時
間）、耐湿熱性（80℃、90％、48時間）、耐擦傷性（10
0g／cm2 100往復ガーゼ摩擦）の各処理前後の抵抗値変
化を測定したところいずれも試験前後の抵抗変化は1.1
倍以下であった。
ロンスパッタリング装置でスパッタリング成膜を行ない
結晶性の異なる２層の膜を形成した。まず、厚さ２mmの
ガラス基板をＤＣマグネトロンスパッタリング装置の基
板ホルダーに固定した。真空槽内を5×10-6mbarまで排
気した後、アルゴンと酸素の混合ガス(Ａｒ：Ｏ2＝5：
1)を導入し、真空度を6×10-3mbarに保ち、基板温度室
温でＩｎ／Ｓｎ合金ターゲット（Ｓｎ10重量部％）を用
いて反応性スパッタリングを行った。このときできた膜
のＸ線回折パターン(図３)を見るとピークが現れておら
ず非晶性のＩＴＯ膜２が成膜されたことがわかる。その
後さらに同スパッタ装置を用いアルゴンと酸素の混合ガ
ス（Ａｒ：Ｏ 2 ＝5：1）を導入し、真空度を2×10-3mbar
に保った状態で基板温度200℃でスパッタリング成膜を
行った。このときできたＩＴＯ膜３のＸ線回折パターン
(図４)はピークを持ち結晶性であることがわかる。ＩＴ
Ｏ膜厚については簡易エッチングによる精密段差計での
測定で、下層が1100Å、上層は200Åであった。これを
３規定の塩酸でエッチングしたところ120秒で導電性が
なくなり溶け残りもなかった。耐熱性（150℃、3時
間）、耐湿熱性（80℃、90％、48時間）、耐擦傷性（10
0g／cm2 100往復ガーゼ摩擦）の各処理前後の抵抗値変
化を測定したところいずれも試験前後の抵抗変化は1.1
倍以下であった。
【０００６】《比較例１》本発明の比較例１としてはガ
ラス基板上１にＤＣマグネトロンスパッタリング装置で
スパッタリング成膜を行い非晶性のＩＴＯ膜４を形成し
た。まず、厚さ２mmのガラス基板をＤＣマグネトロンス
パッタリング装置の基板ホルダーに固定した。真空槽内
を5×10-6mbarまで排気した後、アルゴンと酸素の混合
ガス(Ａr：Ｏ2＝5：1)を導入し、真空度を6×10-3mbar
に保った。基板温度は室温でＩｎ／Ｓｎ合金ターゲット
（Ｓｎ10重量％）を用いて反応性スパッタリングを行っ
た。このときできた膜のＸ線回折パターン(図５)を見る
とピークが現れておらず非晶性のＩＴＯ膜が成膜された
ことがわかる。ＩＴＯ膜厚は、簡易エッチングによる精
密段差計での測定で1300Åであった。これを３規定の塩
酸でエッチングしたところ120秒で導電性がなくなり溶
け残りもなかった。実施例と同様に耐熱性、耐湿熱性、
耐擦傷性を測定したところいずれも試験前後の抵抗変化
は1.1〜1.6倍であった。
ラス基板上１にＤＣマグネトロンスパッタリング装置で
スパッタリング成膜を行い非晶性のＩＴＯ膜４を形成し
た。まず、厚さ２mmのガラス基板をＤＣマグネトロンス
パッタリング装置の基板ホルダーに固定した。真空槽内
を5×10-6mbarまで排気した後、アルゴンと酸素の混合
ガス(Ａr：Ｏ2＝5：1)を導入し、真空度を6×10-3mbar
に保った。基板温度は室温でＩｎ／Ｓｎ合金ターゲット
（Ｓｎ10重量％）を用いて反応性スパッタリングを行っ
た。このときできた膜のＸ線回折パターン(図５)を見る
とピークが現れておらず非晶性のＩＴＯ膜が成膜された
ことがわかる。ＩＴＯ膜厚は、簡易エッチングによる精
密段差計での測定で1300Åであった。これを３規定の塩
酸でエッチングしたところ120秒で導電性がなくなり溶
け残りもなかった。実施例と同様に耐熱性、耐湿熱性、
耐擦傷性を測定したところいずれも試験前後の抵抗変化
は1.1〜1.6倍であった。
【０００７】《比較例２》本発明の比較例２としてはガ
ラス基板上にＤＣマグネトロンスパッタリング装置でス
パッタリング成膜を行い結晶性のＩＴＯ膜４′を形成し
た。まず、厚さ２mmのガラス基板をＤＣマグネトロンス
パッタリング装置の基板ホルダーに固定した。真空槽内
を5×10-6mbarまで排気した後、アルゴンと酸素の混合
ガス(Ａr：Ｏ2＝5：1)を導入し、真空度を6×10-3mbar
に保った。基板温度200℃でアルゴンと酸素の混合ガス
(Ａr：Ｏ2＝5：1)を導入し、真空度を2×10-3mbarに保
った状態でＩｎ／Ｓｎ合金ターゲット（Ｓｎ10重量％）
を用いて反応性スパッタリング成膜を行った。このとき
できたＩＴＯ膜のＸ線回折パターン(図６)はピークを持
ちこのＩＴＯ膜が結晶性であることがわかる。ＩＴＯ膜
厚は、簡易エッチングによる精密段差計での測定で1300
Åであった。これを３規定の塩酸でエッチングしたとこ
ろ200秒浸しても導電性がなくならなかった。実施例と
同様に耐熱性、耐湿熱性、耐擦傷性を測定したところい
ずれも試験前後の抵抗変化は1.1倍以下であった。
ラス基板上にＤＣマグネトロンスパッタリング装置でス
パッタリング成膜を行い結晶性のＩＴＯ膜４′を形成し
た。まず、厚さ２mmのガラス基板をＤＣマグネトロンス
パッタリング装置の基板ホルダーに固定した。真空槽内
を5×10-6mbarまで排気した後、アルゴンと酸素の混合
ガス(Ａr：Ｏ2＝5：1)を導入し、真空度を6×10-3mbar
に保った。基板温度200℃でアルゴンと酸素の混合ガス
(Ａr：Ｏ2＝5：1)を導入し、真空度を2×10-3mbarに保
った状態でＩｎ／Ｓｎ合金ターゲット（Ｓｎ10重量％）
を用いて反応性スパッタリング成膜を行った。このとき
できたＩＴＯ膜のＸ線回折パターン(図６)はピークを持
ちこのＩＴＯ膜が結晶性であることがわかる。ＩＴＯ膜
厚は、簡易エッチングによる精密段差計での測定で1300
Åであった。これを３規定の塩酸でエッチングしたとこ
ろ200秒浸しても導電性がなくならなかった。実施例と
同様に耐熱性、耐湿熱性、耐擦傷性を測定したところい
ずれも試験前後の抵抗変化は1.1倍以下であった。
【０００８】以上の評価結果は表１に示した。 表 １ 処理前後の抵抗値変化 サンプル エッチング性 耐熱性 耐湿熱性 耐擦傷性 実施例１ 120秒完全溶解 0.9倍 1.0倍 1.0倍 比較例１ 120秒完全溶解 1.5倍 1.6倍 1.1倍 比較例２ 不溶 1.0倍 1.0倍 1.0倍
【０００９】
【発明の効果】本発明に従うと、エッチング性を損なわ
ずに膜耐久性能の向上がはかれ、液晶ディスプレイ等に
適した透明電極材料を提供できる。
ずに膜耐久性能の向上がはかれ、液晶ディスプレイ等に
適した透明電極材料を提供できる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の層構成を示す。
【図２】従来品および比較例の層構成を示す。
【図３】実施例ＩＴＯ膜下層のＸ線回折パターンを示
す。
す。
【図４】実施例ＩＴＯ膜上層のＸ線回折パターンを示
す。
す。
【図５】比較例１のＩＴＯ膜のＸ線回折パターンを示
す。
す。
【図６】比較例２のＩＴＯ膜のＸ線回折パターンを示
す。
す。
フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ // Ｃ２３Ｃ 14/35 Ｃ２３Ｃ 14/35 Ｚ 14/38 14/38
Claims (1)
- 【請求項１】 ガラス基板上に、非晶性で厚さ1000Å以
上のインジウム・スズ酸化物を主成分とする透明導電膜
を積層し、さらにその上に下層よりも結晶性が高く厚さ
100〜300Åのインジウム・スズ酸化物を主成分とする透
明導電膜を積層したことを特徴とする透明電極。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP31868194A JP3257913B2 (ja) | 1994-12-21 | 1994-12-21 | 透明電極 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP31868194A JP3257913B2 (ja) | 1994-12-21 | 1994-12-21 | 透明電極 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08180748A JPH08180748A (ja) | 1996-07-12 |
| JP3257913B2 true JP3257913B2 (ja) | 2002-02-18 |
Family
ID=18101841
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP31868194A Expired - Fee Related JP3257913B2 (ja) | 1994-12-21 | 1994-12-21 | 透明電極 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3257913B2 (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7057208B2 (en) | 2003-03-25 | 2006-06-06 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device and manufacturing method thereof |
| US7205716B2 (en) | 2003-10-20 | 2007-04-17 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting device |
| US7291967B2 (en) | 2003-08-29 | 2007-11-06 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light emitting element including a barrier layer and a manufacturing method thereof |
| US7902747B2 (en) | 2003-10-21 | 2011-03-08 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting device having a thin insulating film made of nitrogen and silicon and an electrode made of conductive transparent oxide and silicon dioxide |
| US8129900B2 (en) | 2003-09-19 | 2012-03-06 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device and method for manufacturing the same |
Families Citing this family (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2002071414A1 (fr) * | 2001-03-07 | 2002-09-12 | Ueyama Electric Co., Ltd. | Film conducteur transparent depose sur un substrat et procede de fabrication d'un filtre colore |
| JP6142211B2 (ja) | 2012-02-08 | 2017-06-07 | 株式会社Ｊｏｌｅｄ | 有機ｅｌ素子の製造方法 |
| JP6270738B2 (ja) * | 2012-12-19 | 2018-01-31 | 株式会社カネカ | 透明電極付き基板およびその製造方法 |
| JP6532237B2 (ja) * | 2015-01-30 | 2019-06-19 | 株式会社アルバック | 成膜方法及び発光ダイオードの製造方法 |
| JP6934308B2 (ja) * | 2016-04-01 | 2021-09-15 | 日東電工株式会社 | 光透過性フィルム |
| KR102367519B1 (ko) * | 2016-04-01 | 2022-02-24 | 닛토덴코 가부시키가이샤 | 광 투과성 필름 |
| JP6952580B2 (ja) * | 2016-11-17 | 2021-10-20 | 日東電工株式会社 | 偏光フィルム、画像表示装置用保護板、および、位相差フィルム |
| CN113437236B (zh) * | 2021-06-23 | 2023-09-01 | 合肥鑫晟光电科技有限公司 | 显示面板及其制备方法 |
-
1994
- 1994-12-21 JP JP31868194A patent/JP3257913B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (13)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8054397B2 (en) | 2003-03-25 | 2011-11-08 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device and manufacturing method thereof |
| US8432505B2 (en) | 2003-03-25 | 2013-04-30 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device and manufacturing method thereof |
| US7057208B2 (en) | 2003-03-25 | 2006-06-06 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device and manufacturing method thereof |
| US7291967B2 (en) | 2003-08-29 | 2007-11-06 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light emitting element including a barrier layer and a manufacturing method thereof |
| US8012529B2 (en) | 2003-08-29 | 2011-09-06 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light emitting element and manufacturing method thereof |
| US8129900B2 (en) | 2003-09-19 | 2012-03-06 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device and method for manufacturing the same |
| US7850501B2 (en) | 2003-10-20 | 2010-12-14 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting device and method for manufacturing light-emitting device |
| US7205716B2 (en) | 2003-10-20 | 2007-04-17 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting device |
| US8759131B2 (en) | 2003-10-20 | 2014-06-24 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting device and method for manufacturing light-emitting device |
| US9034675B2 (en) | 2003-10-20 | 2015-05-19 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting device and method for manufacturing light-emitting device |
| US7902747B2 (en) | 2003-10-21 | 2011-03-08 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting device having a thin insulating film made of nitrogen and silicon and an electrode made of conductive transparent oxide and silicon dioxide |
| US8643030B2 (en) | 2003-10-21 | 2014-02-04 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting device |
| US8742660B2 (en) | 2003-10-21 | 2014-06-03 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting device |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH08180748A (ja) | 1996-07-12 |
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