JP3178025B2 - 光磁気記録媒体及びその製造方法 - Google Patents
光磁気記録媒体及びその製造方法Info
- Publication number
- JP3178025B2 JP3178025B2 JP23561091A JP23561091A JP3178025B2 JP 3178025 B2 JP3178025 B2 JP 3178025B2 JP 23561091 A JP23561091 A JP 23561091A JP 23561091 A JP23561091 A JP 23561091A JP 3178025 B2 JP3178025 B2 JP 3178025B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- film
- dielectric film
- magneto
- thickness
- recording medium
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B11/00—Recording on or reproducing from the same record carrier wherein for these two operations the methods are covered by different main groups of groups G11B3/00 - G11B7/00 or by different subgroups of group G11B9/00; Record carriers therefor
- G11B11/10—Recording on or reproducing from the same record carrier wherein for these two operations the methods are covered by different main groups of groups G11B3/00 - G11B7/00 or by different subgroups of group G11B9/00; Record carriers therefor using recording by magnetic means or other means for magnetisation or demagnetisation of a record carrier, e.g. light induced spin magnetisation; Demagnetisation by thermal or stress means in the presence or not of an orienting magnetic field
- G11B11/105—Recording on or reproducing from the same record carrier wherein for these two operations the methods are covered by different main groups of groups G11B3/00 - G11B7/00 or by different subgroups of group G11B9/00; Record carriers therefor using recording by magnetic means or other means for magnetisation or demagnetisation of a record carrier, e.g. light induced spin magnetisation; Demagnetisation by thermal or stress means in the presence or not of an orienting magnetic field using a beam of light or a magnetic field for recording by change of magnetisation and a beam of light for reproducing, i.e. magneto-optical, e.g. light-induced thermomagnetic recording, spin magnetisation recording, Kerr or Faraday effect reproducing
- G11B11/10582—Record carriers characterised by the selection of the material or by the structure or form
- G11B11/10584—Record carriers characterised by the selection of the material or by the structure or form characterised by the form, e.g. comprising mechanical protection elements
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B11/00—Recording on or reproducing from the same record carrier wherein for these two operations the methods are covered by different main groups of groups G11B3/00 - G11B7/00 or by different subgroups of group G11B9/00; Record carriers therefor
- G11B11/10—Recording on or reproducing from the same record carrier wherein for these two operations the methods are covered by different main groups of groups G11B3/00 - G11B7/00 or by different subgroups of group G11B9/00; Record carriers therefor using recording by magnetic means or other means for magnetisation or demagnetisation of a record carrier, e.g. light induced spin magnetisation; Demagnetisation by thermal or stress means in the presence or not of an orienting magnetic field
- G11B11/105—Recording on or reproducing from the same record carrier wherein for these two operations the methods are covered by different main groups of groups G11B3/00 - G11B7/00 or by different subgroups of group G11B9/00; Record carriers therefor using recording by magnetic means or other means for magnetisation or demagnetisation of a record carrier, e.g. light induced spin magnetisation; Demagnetisation by thermal or stress means in the presence or not of an orienting magnetic field using a beam of light or a magnetic field for recording by change of magnetisation and a beam of light for reproducing, i.e. magneto-optical, e.g. light-induced thermomagnetic recording, spin magnetisation recording, Kerr or Faraday effect reproducing
- G11B11/10582—Record carriers characterised by the selection of the material or by the structure or form
- G11B11/10586—Record carriers characterised by the selection of the material or by the structure or form characterised by the selection of the material
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10S428/00—Stock material or miscellaneous articles
- Y10S428/90—Magnetic feature
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
- Y10T428/26—Web or sheet containing structurally defined element or component, the element or component having a specified physical dimension
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
- Y10T428/26—Web or sheet containing structurally defined element or component, the element or component having a specified physical dimension
- Y10T428/263—Coating layer not in excess of 5 mils thick or equivalent
- Y10T428/264—Up to 3 mils
- Y10T428/265—1 mil or less
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、基板上に少なくとも希
土類−遷移金属合金薄膜（以下、ＲＥ−ＴＭ膜と称す
る。）と誘電体膜とが成膜されてなる光磁気記録媒体に
関し、特に低外部磁界下においても高感度の磁界変調記
録が可能な光磁気記録媒体に関する。
土類−遷移金属合金薄膜（以下、ＲＥ−ＴＭ膜と称す
る。）と誘電体膜とが成膜されてなる光磁気記録媒体に
関し、特に低外部磁界下においても高感度の磁界変調記
録が可能な光磁気記録媒体に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、書換え可能な高密度記録方式とし
て、レーザ光を熱エネルギー源として用いると共に垂直
磁化膜に磁界を印加して情報を記録し、磁気光学効果を
用いてこの情報を読み出す光磁気記録方式が提案されて
いる。
て、レーザ光を熱エネルギー源として用いると共に垂直
磁化膜に磁界を印加して情報を記録し、磁気光学効果を
用いてこの情報を読み出す光磁気記録方式が提案されて
いる。
【０００３】この光磁気記録方式に適用される光磁気記
録媒体の記録材料層としては、Ｇｄ，Ｔｂ，Ｄｙ等の希
土類金属とＦｅ，Ｃｏ等の遷移金属とを組み合わせた非
晶質合金薄膜、すなわちＲＥ−ＴＭ膜が代表的なもので
ある。特に、希土類金属としてＴｂを含むＴｂＦｅＣｏ
膜，ＧｄＴｂＦｅ膜等は垂直磁気異方性が大きく、実用
化に向けて研究が進められているものである。
録媒体の記録材料層としては、Ｇｄ，Ｔｂ，Ｄｙ等の希
土類金属とＦｅ，Ｃｏ等の遷移金属とを組み合わせた非
晶質合金薄膜、すなわちＲＥ−ＴＭ膜が代表的なもので
ある。特に、希土類金属としてＴｂを含むＴｂＦｅＣｏ
膜，ＧｄＴｂＦｅ膜等は垂直磁気異方性が大きく、実用
化に向けて研究が進められているものである。
【０００４】近年では上記ＲＥ−ＴＭ膜が単独で使用さ
れることは少なく、多くの場合これを誘電体膜や反射膜
と共に積層した多層膜構造が採られる。最も代表的な膜
構成は、基板上に下層側誘電体膜、ＲＥ−ＴＭ膜、上層
側誘電体膜、反射膜が順次積層されてなるいわゆる４層
構成であり、膜厚を最適化することによる多重反射、Ｒ
Ｅ−ＴＭ膜の透過光も反射させて利用することによる磁
気ファラデー効果の相乗、および反射膜への熱拡散防止
によるカー効果のエンハンスメント等を通じてＣ／Ｎの
向上を図っている。
れることは少なく、多くの場合これを誘電体膜や反射膜
と共に積層した多層膜構造が採られる。最も代表的な膜
構成は、基板上に下層側誘電体膜、ＲＥ−ＴＭ膜、上層
側誘電体膜、反射膜が順次積層されてなるいわゆる４層
構成であり、膜厚を最適化することによる多重反射、Ｒ
Ｅ−ＴＭ膜の透過光も反射させて利用することによる磁
気ファラデー効果の相乗、および反射膜への熱拡散防止
によるカー効果のエンハンスメント等を通じてＣ／Ｎの
向上を図っている。
【０００５】上記誘電体膜は、屈折率ｎがおおよそ１．
９以上の材料で構成されることが望ましく、Ｓｉ３Ｎ
４，ＳｉＯ（いずれもｎ＝２．０）等が従来から多用さ
れている。これらの誘電体膜は一般に反応性スパッタリ
ングにより成膜され、たとえば上記Ｓｉ３Ｎ４はＳｉタ
ーゲットをＡｒガスとＮ２ ガスとを含む雰囲気中でス
パッタリングすることにより成膜されている。
９以上の材料で構成されることが望ましく、Ｓｉ３Ｎ
４，ＳｉＯ（いずれもｎ＝２．０）等が従来から多用さ
れている。これらの誘電体膜は一般に反応性スパッタリ
ングにより成膜され、たとえば上記Ｓｉ３Ｎ４はＳｉタ
ーゲットをＡｒガスとＮ２ ガスとを含む雰囲気中でス
パッタリングすることにより成膜されている。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】ところで、光磁気記録
媒体の記録方式には、常に弱い直流外部磁界を印加し，
情報信号に応じてレーザー光を照射する光変調方式と、
常に一定強度のレーザー光を照射し，情報信号に応じて
外部磁界を反転させる磁界変調方式とがある。このう
ち、磁界変調方式は光変調方式に比べて装置構成はやや
複雑となるものの、オーバライトが可能でコンピュータ
用ハードディスクに匹敵する高速記録が可能となる利点
を有している。
媒体の記録方式には、常に弱い直流外部磁界を印加し，
情報信号に応じてレーザー光を照射する光変調方式と、
常に一定強度のレーザー光を照射し，情報信号に応じて
外部磁界を反転させる磁界変調方式とがある。このう
ち、磁界変調方式は光変調方式に比べて装置構成はやや
複雑となるものの、オーバライトが可能でコンピュータ
用ハードディスクに匹敵する高速記録が可能となる利点
を有している。
【０００７】ただし、磁界変調方式により高密度記録を
行おうとする場合、以下の理由により光磁気記録媒体の
磁界感度を高めることが不可欠となる。磁界変調方式で
は、外部磁界の印加手段として磁界を極めて高速に反転
させることが可能な高周波マグネットが使用されるが、
かかるマグネットにより大きな外部磁界を発生させるこ
とは困難である。また、そもそも磁界変調方式の場合、
磁気記録と異なり磁界を小さく絞り込む必要がないため
に、媒体表面とマグネットとの間のスペーシングを磁気
記録と比べて１桁以上も大きく確保することができる反
面、このためにやはり有効外部磁界が弱くなる。したが
って、光磁気記録媒体が低外部磁界下において磁化の反
転を起こし易いものに改良されることが必要となるので
ある。
行おうとする場合、以下の理由により光磁気記録媒体の
磁界感度を高めることが不可欠となる。磁界変調方式で
は、外部磁界の印加手段として磁界を極めて高速に反転
させることが可能な高周波マグネットが使用されるが、
かかるマグネットにより大きな外部磁界を発生させるこ
とは困難である。また、そもそも磁界変調方式の場合、
磁気記録と異なり磁界を小さく絞り込む必要がないため
に、媒体表面とマグネットとの間のスペーシングを磁気
記録と比べて１桁以上も大きく確保することができる反
面、このためにやはり有効外部磁界が弱くなる。したが
って、光磁気記録媒体が低外部磁界下において磁化の反
転を起こし易いものに改良されることが必要となるので
ある。
【０００８】かかる問題を解決するアプローチとして、
従来はＲＥ−ＴＭ膜、もしくはその上に耐蝕性の向上を
目的として積層される希土類金属膜 (特開平１−１３８
６４０号公報等を参照。) の成膜条件を工夫する試みが
なされている。
従来はＲＥ−ＴＭ膜、もしくはその上に耐蝕性の向上を
目的として積層される希土類金属膜 (特開平１−１３８
６４０号公報等を参照。) の成膜条件を工夫する試みが
なされている。
【０００９】しかしながら、高記録密度化の今後一層の
進展を図る上では、ＲＥ−ＴＭ膜の成膜条件の最適化の
みでは磁界感度の向上に限度がある。
進展を図る上では、ＲＥ−ＴＭ膜の成膜条件の最適化の
みでは磁界感度の向上に限度がある。
【００１０】そこで本発明は、かかる従来の実情に鑑み
て提案されたものであって、低外部磁界下においても優
れた記録再生特性を発揮する光磁気記録媒体を提供する
ことを目的とする。
て提案されたものであって、低外部磁界下においても優
れた記録再生特性を発揮する光磁気記録媒体を提供する
ことを目的とする。
【００１１】
【課題を解決するための手段】本発明者らは、上述の目
的を達成するために鋭意検討を行った結果、誘電体膜の
成膜時に何らかの形で酸素がＲＥ−ＴＭ膜および／また
は希土類金属膜に作用し得る条件をつくり出すことによ
り、光磁気記録媒体の磁界感度の向上、誘電体膜の成膜
の高速化、内部応力の低減等が図られることを見出し
た。
的を達成するために鋭意検討を行った結果、誘電体膜の
成膜時に何らかの形で酸素がＲＥ−ＴＭ膜および／また
は希土類金属膜に作用し得る条件をつくり出すことによ
り、光磁気記録媒体の磁界感度の向上、誘電体膜の成膜
の高速化、内部応力の低減等が図られることを見出し
た。
【００１２】さらには、誘電体膜としてＳｉ３ Ｎ４
膜を選び、これに酸素のみならず炭素を導入せしめてＳ
ｉＣＯＮ膜となし、その組成を適切な値に設定すること
で、前記磁界感度の向上ばかりでなく、熱的及び光学的
見地から誘電体膜の膜厚構成を薄くすることができ、生
産性の点でさらなる改良が図られることを見出した。
膜を選び、これに酸素のみならず炭素を導入せしめてＳ
ｉＣＯＮ膜となし、その組成を適切な値に設定すること
で、前記磁界感度の向上ばかりでなく、熱的及び光学的
見地から誘電体膜の膜厚構成を薄くすることができ、生
産性の点でさらなる改良が図られることを見出した。
【００１３】本発明の光磁気記録媒体は、これらの知見
に基づいて完成されたものである。すなわち、本発明の
第１の発明にかかる光磁気記録媒体は、基板上に少なく
とも希土類−遷移金属合金薄膜と誘電体膜とが成膜され
てなる光磁気記録媒体において、前記誘電体膜はＳｉｘ
ＣｙＯｚＮｖなる組成を有し、且つその組成範囲が ０．４０≦ｘ≦０．６０ ０．０５≦ｙ≦０．２０ ０．０５≦ｚ≦０．３０ ０．１０≦ｖ≦０．３０ ｘ＋ｙ＋ｚ＋ｖ＝１ であることを特徴とするものである。
に基づいて完成されたものである。すなわち、本発明の
第１の発明にかかる光磁気記録媒体は、基板上に少なく
とも希土類−遷移金属合金薄膜と誘電体膜とが成膜され
てなる光磁気記録媒体において、前記誘電体膜はＳｉｘ
ＣｙＯｚＮｖなる組成を有し、且つその組成範囲が ０．４０≦ｘ≦０．６０ ０．０５≦ｙ≦０．２０ ０．０５≦ｚ≦０．３０ ０．１０≦ｖ≦０．３０ ｘ＋ｙ＋ｚ＋ｖ＝１ であることを特徴とするものである。
【００１４】また、本発明の第２の発明にかかる光磁気
記録媒体の製造方法は、基板上に少なくとも希土類−遷
移金属合金薄膜と誘電体膜とを成膜する光磁気記録媒体
の製造方法において、前記誘電体膜は少なくとも酸素と
炭素を構成元素とする化合物のガス及び窒素ガスを含む
雰囲気中でＳｉターゲットをスパッタリングすることに
より成膜することを特徴とするものである。
記録媒体の製造方法は、基板上に少なくとも希土類−遷
移金属合金薄膜と誘電体膜とを成膜する光磁気記録媒体
の製造方法において、前記誘電体膜は少なくとも酸素と
炭素を構成元素とする化合物のガス及び窒素ガスを含む
雰囲気中でＳｉターゲットをスパッタリングすることに
より成膜することを特徴とするものである。
【００１５】本発明では、誘電体膜の成膜時に既に成膜
されているＲＥ−ＴＭ膜や希土類金属膜へ酸素を作用さ
せることを意図しているため、光磁気記録媒体の構成と
してはこれらＲＥ−ＴＭ膜や希土類金属膜よりも上層側
（基板から遠い側）に誘電体膜を有するものであること
が必要である。つまり実質的には、熱拡散防止を目的と
してＲＥ−ＴＭ膜と反射膜との間に介在される誘電体膜
の成膜時に、上述の工夫が施されることになる。
されているＲＥ−ＴＭ膜や希土類金属膜へ酸素を作用さ
せることを意図しているため、光磁気記録媒体の構成と
してはこれらＲＥ−ＴＭ膜や希土類金属膜よりも上層側
（基板から遠い側）に誘電体膜を有するものであること
が必要である。つまり実質的には、熱拡散防止を目的と
してＲＥ−ＴＭ膜と反射膜との間に介在される誘電体膜
の成膜時に、上述の工夫が施されることになる。
【００１６】この場合、媒体構造としては、基板上に下
層側誘電体膜，ＲＥ−ＴＭ膜，希土類金属膜，上層側誘
電体膜，反射膜がこの順に積層された５層構造が考えら
れるが、本発明においては、ＲＥ−ＴＭ膜に酸素を作用
させることで十分に耐蝕性及び磁界感度を確保すること
ができるので、希土類金属膜を省略して４層構造とする
のが有利である。勿論、上記反射膜上にさらに紫外線硬
化樹脂，電子線硬化樹脂等からなる表面保護膜が設けら
れていても良い。
層側誘電体膜，ＲＥ−ＴＭ膜，希土類金属膜，上層側誘
電体膜，反射膜がこの順に積層された５層構造が考えら
れるが、本発明においては、ＲＥ−ＴＭ膜に酸素を作用
させることで十分に耐蝕性及び磁界感度を確保すること
ができるので、希土類金属膜を省略して４層構造とする
のが有利である。勿論、上記反射膜上にさらに紫外線硬
化樹脂，電子線硬化樹脂等からなる表面保護膜が設けら
れていても良い。
【００１７】なお、膜厚構成は一般的な範囲であればよ
く、ＲＥ−ＴＭ膜の膜厚は通常１５０〜３５０Å程度
に、上記希土類金属膜の膜厚は１〜３０Å程度に、また
上記下層側誘電体膜および上層側誘電体膜の膜厚は５〜
５０００Å程度にそれぞれ選ばれる。
く、ＲＥ−ＴＭ膜の膜厚は通常１５０〜３５０Å程度
に、上記希土類金属膜の膜厚は１〜３０Å程度に、また
上記下層側誘電体膜および上層側誘電体膜の膜厚は５〜
５０００Å程度にそれぞれ選ばれる。
【００１８】本発明は、先にも述べたように、ＲＥ−Ｔ
Ｍ膜に対して酸素を作用させることを意図しており、そ
のための１手法が誘電体膜のスパッタリング時に雰囲気
中に酸素を含んだガスを導入することである。
Ｍ膜に対して酸素を作用させることを意図しており、そ
のための１手法が誘電体膜のスパッタリング時に雰囲気
中に酸素を含んだガスを導入することである。
【００１９】したがって、本発明においては、例えばＳ
ｉ３Ｎ４からなる誘電体膜をＳｉターゲットを用いてス
パッタリングする際に、スパッタリング雰囲気中に窒素
ガスのみならず酸素ガス、あるいは酸素を一構成元素と
する化合物のガス（二酸化炭素ガスＣＯ２ 、一酸化炭
素ガスＣＯ等）を導入する。
ｉ３Ｎ４からなる誘電体膜をＳｉターゲットを用いてス
パッタリングする際に、スパッタリング雰囲気中に窒素
ガスのみならず酸素ガス、あるいは酸素を一構成元素と
する化合物のガス（二酸化炭素ガスＣＯ２ 、一酸化炭
素ガスＣＯ等）を導入する。
【００２０】この場合、スパッタリング雰囲気の全ガス
圧は２〜８ｍTorr程度、雰囲気ガス中に占める酸素ガス
もしくは酸素を一構成元素とする化合物のガスの体積は
１０〜３０％程度に選ばれることが望ましい。
圧は２〜８ｍTorr程度、雰囲気ガス中に占める酸素ガス
もしくは酸素を一構成元素とする化合物のガスの体積は
１０〜３０％程度に選ばれることが望ましい。
【００２１】また、ＲＥ−ＴＭ膜に対して酸素を作用さ
せる手法としては、酸素を含んだガスを作用させる他
に、酸化物ターゲットを用いることが考えられる。この
ような手法としては、例えば、ＳｉＯやＳｉＯ２ をタ
ーゲットに用い、通常の要領で酸素を含むＳｉ３Ｎ４膜
を成膜することが挙げられる。
せる手法としては、酸素を含んだガスを作用させる他
に、酸化物ターゲットを用いることが考えられる。この
ような手法としては、例えば、ＳｉＯやＳｉＯ２ をタ
ーゲットに用い、通常の要領で酸素を含むＳｉ３Ｎ４膜
を成膜することが挙げられる。
【００２２】一方、本発明において、二酸化炭素ガスＣ
Ｏ２ や一酸化炭素ガスＣＯ等を用いると、Ｓｉ３Ｎ４
膜の代わりに、屈折率、吸収率がＳｉ３Ｎ４膜と同程度
で熱伝導率が小さいＳｉＣＯＮ膜（Ｃ，Ｏを含むＳｉＮ
膜）が形成され、磁界感度のみならず、膜厚構成の点で
も有利であることが判明した。
Ｏ２ や一酸化炭素ガスＣＯ等を用いると、Ｓｉ３Ｎ４
膜の代わりに、屈折率、吸収率がＳｉ３Ｎ４膜と同程度
で熱伝導率が小さいＳｉＣＯＮ膜（Ｃ，Ｏを含むＳｉＮ
膜）が形成され、磁界感度のみならず、膜厚構成の点で
も有利であることが判明した。
【００２３】すなわち、これまで誘電体膜として用いら
れているＳｉ３Ｎ４膜の物性値は、屈折率１．９〜２．
０程度、吸収率０〜０．０５程度、熱伝導率０．０３
（Ｊ／ｃｍ・ｓｋ）程度であり、これらを熱的，光学的
に解析して、例えば４層構造の光磁気記録媒体において
は、第１の誘電体膜の膜厚を１１００Å程度、ＲＥ−Ｔ
Ｍ膜を２５０Å程度、第２の誘電体膜の膜厚を３５０Å
程度に設定している。ここで、生産性向上等の目的から
Ｓｉ３Ｎ４膜の膜厚を薄くしようとすると、光学的な見
地（反射率、位相補償量、Ｒθｋ 等）からは解が存在
するが、熱的な見地からは、ＲＥ−ＴＭ膜の温度勾配が
ブロードな形となりレーザーパワーに対する信号マージ
ンが小さくなってしまう等の理由から、十分な解が得ら
れない。
れているＳｉ３Ｎ４膜の物性値は、屈折率１．９〜２．
０程度、吸収率０〜０．０５程度、熱伝導率０．０３
（Ｊ／ｃｍ・ｓｋ）程度であり、これらを熱的，光学的
に解析して、例えば４層構造の光磁気記録媒体において
は、第１の誘電体膜の膜厚を１１００Å程度、ＲＥ−Ｔ
Ｍ膜を２５０Å程度、第２の誘電体膜の膜厚を３５０Å
程度に設定している。ここで、生産性向上等の目的から
Ｓｉ３Ｎ４膜の膜厚を薄くしようとすると、光学的な見
地（反射率、位相補償量、Ｒθｋ 等）からは解が存在
するが、熱的な見地からは、ＲＥ−ＴＭ膜の温度勾配が
ブロードな形となりレーザーパワーに対する信号マージ
ンが小さくなってしまう等の理由から、十分な解が得ら
れない。
【００２４】これに対して、ＳｉＣＯＮ膜は、屈折率や
吸収率はＳｉ３Ｎ４膜と同程度であるが、熱伝導率はＳ
ｉ３Ｎ４膜の約６０％であり、膜厚を薄くしたときにも
光学的な解が得られるばかりでなく、熱的にもあたかも
厚い膜があるかの如く構成することができる。
吸収率はＳｉ３Ｎ４膜と同程度であるが、熱伝導率はＳ
ｉ３Ｎ４膜の約６０％であり、膜厚を薄くしたときにも
光学的な解が得られるばかりでなく、熱的にもあたかも
厚い膜があるかの如く構成することができる。
【００２５】そこで、本発明では、誘電体膜をＳｉｘＣ
ｙＯｚＮｖなる組成とし、その組成範囲を ０．４０≦ｘ≦０．６０ ０．０５≦ｙ≦０．２０ ０．０５≦ｚ≦０．３０ ０．１０≦ｖ≦０．３０ ｘ＋ｙ＋ｚ＋ｖ＝１ とする。
ｙＯｚＮｖなる組成とし、その組成範囲を ０．４０≦ｘ≦０．６０ ０．０５≦ｙ≦０．２０ ０．０５≦ｚ≦０．３０ ０．１０≦ｖ≦０．３０ ｘ＋ｙ＋ｚ＋ｖ＝１ とする。
【００２６】上記組成式において、各構成元素Ｓｉ、
Ｃ、Ｏ、Ｎの組成範囲は、光学特性、特に屈折率ｎや吸
収率ｋの兼ね合いから決まるものであり、前述の範囲を
外れると良好な透明誘電体膜とすることができない。
Ｃ、Ｏ、Ｎの組成範囲は、光学特性、特に屈折率ｎや吸
収率ｋの兼ね合いから決まるものであり、前述の範囲を
外れると良好な透明誘電体膜とすることができない。
【００２７】誘電体膜としてＳｉＣＯＮ膜を用いた場
合、先にも述べた通り膜厚を薄くすることができる。具
体的には、４層構造の光磁気記録媒体において、第１の
誘電体膜は６００〜９００Å、ＲＥ−ＴＭ膜は２００〜
２５０Å、第２の誘電体膜は３００Å以下である。
合、先にも述べた通り膜厚を薄くすることができる。具
体的には、４層構造の光磁気記録媒体において、第１の
誘電体膜は６００〜９００Å、ＲＥ−ＴＭ膜は２００〜
２５０Å、第２の誘電体膜は３００Å以下である。
【００２８】前記第１の誘電体膜の膜厚に対しては、第
２の誘電体膜の膜厚の影響が大きいが、６００Å未満で
あると第２の誘電体膜の膜厚をいかように設定しても十
分なＲθｋ を確保することが難しくなる。また、特性
等の点からは特に上限は規定されないが、膜厚を薄くし
て生産性を上げるという目的からは、前記第１の誘電体
膜の膜厚が９００Åを越えると意味がない。
２の誘電体膜の膜厚の影響が大きいが、６００Å未満で
あると第２の誘電体膜の膜厚をいかように設定しても十
分なＲθｋ を確保することが難しくなる。また、特性
等の点からは特に上限は規定されないが、膜厚を薄くし
て生産性を上げるという目的からは、前記第１の誘電体
膜の膜厚が９００Åを越えると意味がない。
【００２９】また、前記第２の誘電体膜の膜厚は、第１
の誘電体膜の膜厚に対応して解が決まるため、第１の誘
電体膜の膜厚に応じて最適値に設定する必要がある。た
だし生産性を考慮して３００Å以下とする。
の誘電体膜の膜厚に対応して解が決まるため、第１の誘
電体膜の膜厚に応じて最適値に設定する必要がある。た
だし生産性を考慮して３００Å以下とする。
【００３０】なお、ＲＥ−ＴＭ膜の膜厚は任意である
が、ＲＥ−ＴＭ膜の膜厚があまり厚くなると特性の劣化
が見られ、逆にあまり薄くなると信頼性が低下すること
から、ここでは２００〜２５０Åとする。
が、ＲＥ−ＴＭ膜の膜厚があまり厚くなると特性の劣化
が見られ、逆にあまり薄くなると信頼性が低下すること
から、ここでは２００〜２５０Åとする。
【００３１】
【作用】本発明による磁界感度の向上の理由は必ずしも
明らかではないが、おおよそ次のように考えられる。
明らかではないが、おおよそ次のように考えられる。
【００３２】まず、本発明では、誘電体膜の成膜時にス
パッタリング雰囲気中に酸素ガスあるいは酸素を一構成
元素とするガスが含まれていることにより、４層構成の
場合には下地であるＲＥ−ＴＭ膜の表層部が、また５層
構成の場合には下地である希土類金属膜，もしくは希土
類金属膜とＲＥ−ＴＭ膜の表層部とが緻密で薄い酸化物
層に変化し、この酸化物層が外界からの酸素の進入や界
面反応に対するバリヤとして機能するものと考えられ
る。
パッタリング雰囲気中に酸素ガスあるいは酸素を一構成
元素とするガスが含まれていることにより、４層構成の
場合には下地であるＲＥ−ＴＭ膜の表層部が、また５層
構成の場合には下地である希土類金属膜，もしくは希土
類金属膜とＲＥ−ＴＭ膜の表層部とが緻密で薄い酸化物
層に変化し、この酸化物層が外界からの酸素の進入や界
面反応に対するバリヤとして機能するものと考えられ
る。
【００３３】一方、本発明においては、前記磁界感度の
向上の他、ＳｉＣＯＮ膜の屈折率や吸収率がＳｉ３Ｎ４
膜と同程度であり、熱伝導率がＳｉ３Ｎ４膜の約６０％
であることから、膜厚を薄くしたときにも光学的な解が
得られるばかりでなく、熱的にもあたかも厚い膜がある
かの如く作用する。したがって、光磁気記録媒体におい
て、誘電体膜の膜厚を薄くした膜厚構成が可能となる。
向上の他、ＳｉＣＯＮ膜の屈折率や吸収率がＳｉ３Ｎ４
膜と同程度であり、熱伝導率がＳｉ３Ｎ４膜の約６０％
であることから、膜厚を薄くしたときにも光学的な解が
得られるばかりでなく、熱的にもあたかも厚い膜がある
かの如く作用する。したがって、光磁気記録媒体におい
て、誘電体膜の膜厚を薄くした膜厚構成が可能となる。
【００３４】
【実施例】以下、本発明の好適な実施例について、実験
結果に基づいて説明する。
結果に基づいて説明する。
【００３５】実施例１ 本実施例は、ＣＯ２ を含有する雰囲気中でＳｉターゲ
ットをスパッタリングすることによりＣ，Ｏを含有する
ＳｉＮ膜を成膜し、５層構成の光磁気ディスクを作成し
た例である。
ットをスパッタリングすることによりＣ，Ｏを含有する
ＳｉＮ膜を成膜し、５層構成の光磁気ディスクを作成し
た例である。
【００３６】まず、本実施例において作成された５層構
成の光磁気ディスクの概略的な構成を図２に示す。この
光磁気記録媒体は、記録・再生が基板側から行われるこ
とを前提としており、ポリカーボネートからなる基板１
上にＣ，Ｏを含むＳｉＮ膜（第１の誘電体膜）２ａ、Ｔ
ｂＦｅＣｏ合金からなるＲＥ−ＴＭ膜３、Ｔｂからなる
希土類金属膜４、Ｃ，Ｏを含むＳｉＮ膜（第２の誘電体
膜）２ｂ、Ａｌからなる反射膜５、および紫外線硬化樹
脂からなる保護膜６がこの順序にて積層されてなるもの
である。
成の光磁気ディスクの概略的な構成を図２に示す。この
光磁気記録媒体は、記録・再生が基板側から行われるこ
とを前提としており、ポリカーボネートからなる基板１
上にＣ，Ｏを含むＳｉＮ膜（第１の誘電体膜）２ａ、Ｔ
ｂＦｅＣｏ合金からなるＲＥ−ＴＭ膜３、Ｔｂからなる
希土類金属膜４、Ｃ，Ｏを含むＳｉＮ膜（第２の誘電体
膜）２ｂ、Ａｌからなる反射膜５、および紫外線硬化樹
脂からなる保護膜６がこの順序にて積層されてなるもの
である。
【００３７】そして、上記光磁気ディスクは、以下の手
順により作成した。
順により作成した。
【００３８】まず、上記第１の誘電体膜２ａ、ＲＥ−Ｔ
Ｍ膜３、第２の誘電体膜２ｂ、希土類金属膜４、Ａｌ反
射膜５を連続工程により成膜するため、４元スパッタリ
ング装置のチャンバー内にＳｉターゲット， Ｔｂター
ゲット，ＦｅＣｏ合金ターゲット，Ａｌターゲットの４
種類のターゲット、および基板１をセットした。続いて
チャンバー内を排気し、バックグラウンド真空度を１．
０×１０−３ｍTorr（１．３３×１０−４Ｐａ) とし
た。
Ｍ膜３、第２の誘電体膜２ｂ、希土類金属膜４、Ａｌ反
射膜５を連続工程により成膜するため、４元スパッタリ
ング装置のチャンバー内にＳｉターゲット， Ｔｂター
ゲット，ＦｅＣｏ合金ターゲット，Ａｌターゲットの４
種類のターゲット、および基板１をセットした。続いて
チャンバー内を排気し、バックグラウンド真空度を１．
０×１０−３ｍTorr（１．３３×１０−４Ｐａ) とし
た。
【００３９】次に、Ａｒ流量８０SCCM, Ｎ２ 流量７SC
CM，ＣＯ２ 流量５SCCM，ガス圧３ｍTorr（０．４Ｐ
ａ），投入電力２ｋＷの条件にてＳｉターゲットを使用
した高周波反応性スパッタリングを行い、ポリカーボネ
ート基板１上に膜厚１１００Åの第１の誘電体膜２ａを
成膜した。
CM，ＣＯ２ 流量５SCCM，ガス圧３ｍTorr（０．４Ｐ
ａ），投入電力２ｋＷの条件にてＳｉターゲットを使用
した高周波反応性スパッタリングを行い、ポリカーボネ
ート基板１上に膜厚１１００Åの第１の誘電体膜２ａを
成膜した。
【００４０】次いで、ＦｅＣｏ合金ターゲットとＴｂタ
ーゲットとを使用して直流同時二元スパッタリングを行
い、Ｔｂ１９．４Ｆｅ７６．５Ｃｏ４．１ なる組成を
有するＲＥ−ＴＭ膜３を２５０Åの膜厚に成膜した。
ーゲットとを使用して直流同時二元スパッタリングを行
い、Ｔｂ１９．４Ｆｅ７６．５Ｃｏ４．１ なる組成を
有するＲＥ−ＴＭ膜３を２５０Åの膜厚に成膜した。
【００４１】さらに、Ｔｂターゲットのみを使用して直
流スパッタリングを行い、膜厚５・の希土類金属膜４を
成膜した。
流スパッタリングを行い、膜厚５・の希土類金属膜４を
成膜した。
【００４２】次に、再びＳｉターゲットを使用して前述
の第１の誘電体膜２ａの成膜時と同様の条件で高周波反
応性スパッタリングを行い、膜厚３５０Åの第２の誘電
体膜２ｂを成膜し、さらにＡｌターゲットを使用して直
流スパッタリングにより膜厚６００ÅのＡｌ反射膜５を
成膜した。
の第１の誘電体膜２ａの成膜時と同様の条件で高周波反
応性スパッタリングを行い、膜厚３５０Åの第２の誘電
体膜２ｂを成膜し、さらにＡｌターゲットを使用して直
流スパッタリングにより膜厚６００ÅのＡｌ反射膜５を
成膜した。
【００４３】最後に、上記Ａｌ反射膜５の表面に紫外線
硬化樹脂をスピンコートし、水銀ランプ露光によるＵＶ
キュアを行って保護膜６を形成し、光磁気ディスクを作
成した。
硬化樹脂をスピンコートし、水銀ランプ露光によるＵＶ
キュアを行って保護膜６を形成し、光磁気ディスクを作
成した。
【００４４】実施例２ 第１の誘電体膜２ａおよび第２の誘電体膜２ｂの成膜条
件をガス圧 3ｍTorr，Ａｒ流量７０SCCM，Ｎ２ 流量１
０SCCM，ＣＯ２ 流量２．７SCCM，ＣＨ４ 流量２．５
SCCM，投入電力２ｋＷとした以外は、実施例１と同様に
光磁気ディスクを作成した。
件をガス圧 3ｍTorr，Ａｒ流量７０SCCM，Ｎ２ 流量１
０SCCM，ＣＯ２ 流量２．７SCCM，ＣＨ４ 流量２．５
SCCM，投入電力２ｋＷとした以外は、実施例１と同様に
光磁気ディスクを作成した。
【００４５】比較例１ 比較のために、従来の雰囲気ガス条件を適用してＳｉ３
Ｎ４からなる誘電体膜を成膜した。本比較例により作成
される光磁気ディスクの構成および誘電体膜以外の膜の
成膜方法は、実施例１と同様である。
Ｎ４からなる誘電体膜を成膜した。本比較例により作成
される光磁気ディスクの構成および誘電体膜以外の膜の
成膜方法は、実施例１と同様である。
【００４６】ここでは、第１の誘電体膜２ａおよび第２
の誘電体膜２ｂの成膜に際し、条件をガス圧３ｍTorr,
Ａｒ流量７５SCCM，Ｎ２ 流量２５SCCM，投入電力２ｋ
Ｗとし、Ｓｉターゲットに対する高周波反応性スパッタ
リングを行った。この系では、スパッタリング雰囲気，
ターゲットのいずれからも酸素は供給されない。
の誘電体膜２ｂの成膜に際し、条件をガス圧３ｍTorr,
Ａｒ流量７５SCCM，Ｎ２ 流量２５SCCM，投入電力２ｋ
Ｗとし、Ｓｉターゲットに対する高周波反応性スパッタ
リングを行った。この系では、スパッタリング雰囲気，
ターゲットのいずれからも酸素は供給されない。
【００４７】以上の各実施例および比較例で作成された
各光磁気ディスクについて、磁界変調方式による記録再
生試験を行った。すなわち、記録外部磁界の強さ±５０
〜２５０Ｏｅ、線速度１．４ｍ／秒、記録信号周波数７
５０ｋＨｚ、半導体レーザー出力４．５ｍＷの条件で記
録を行った後、半導体レーザー出力を０．６ｍＷとして
再生を行い、その再生波形の全周波数帯域について１０
ｋＨｚの解像帯域で周波数スペクトル分析を行ってＣ／
Ｎを求めた。
各光磁気ディスクについて、磁界変調方式による記録再
生試験を行った。すなわち、記録外部磁界の強さ±５０
〜２５０Ｏｅ、線速度１．４ｍ／秒、記録信号周波数７
５０ｋＨｚ、半導体レーザー出力４．５ｍＷの条件で記
録を行った後、半導体レーザー出力を０．６ｍＷとして
再生を行い、その再生波形の全周波数帯域について１０
ｋＨｚの解像帯域で周波数スペクトル分析を行ってＣ／
Ｎを求めた。
【００４８】結果を図１に示す。図中、縦軸はＣ／Ｎ
(ｄＢ) 、横軸は記録外部磁界の強さ（Ｏｅ) を表し、
黒丸 (●) のプロットは実施例１、白丸（○）プロット
は実施例２、白三角（△）のプロットは比較例に対応す
るものである。記録外部磁界の強さが±２５０Ｏｅと高
い場合には各実施例および比較例とも同等のＣ／Ｎを達
成しているが、低磁界側においては各実施例の方が比較
例よりも優れたＣ／Ｎを達成しており、しかもその値は
いずれも±１００〜１５０Ｏｅの範囲でほぼ飽和する傾
向を示している。つまり、本発明を適用した光磁気記録
媒体は、記録外部磁界の強さを従来の４０〜６０％程度
に低減させても実用上十分な記録再生特性を発揮する。
換言すれば磁界感度が従来よりも１．７〜２．５倍程度
増大することが明らかである。
(ｄＢ) 、横軸は記録外部磁界の強さ（Ｏｅ) を表し、
黒丸 (●) のプロットは実施例１、白丸（○）プロット
は実施例２、白三角（△）のプロットは比較例に対応す
るものである。記録外部磁界の強さが±２５０Ｏｅと高
い場合には各実施例および比較例とも同等のＣ／Ｎを達
成しているが、低磁界側においては各実施例の方が比較
例よりも優れたＣ／Ｎを達成しており、しかもその値は
いずれも±１００〜１５０Ｏｅの範囲でほぼ飽和する傾
向を示している。つまり、本発明を適用した光磁気記録
媒体は、記録外部磁界の強さを従来の４０〜６０％程度
に低減させても実用上十分な記録再生特性を発揮する。
換言すれば磁界感度が従来よりも１．７〜２．５倍程度
増大することが明らかである。
【００４９】さらに、成膜速度および内部応力の比較を
行ったところ、実施例１における第１の誘電体膜２ａお
よび第２の誘電体膜２ｂの成膜速度は１００Å／分、膜
の内部応力は３．３０×１０９dyn/cm２であったのに対
し、比較例における成膜速度は７０Å／分、内部応力は
５．５３×１０９dyn/cm２であった。したがって、本発
明により成膜速度の高速化および内部応力の低減を図る
ことも可能となる。
行ったところ、実施例１における第１の誘電体膜２ａお
よび第２の誘電体膜２ｂの成膜速度は１００Å／分、膜
の内部応力は３．３０×１０９dyn/cm２であったのに対
し、比較例における成膜速度は７０Å／分、内部応力は
５．５３×１０９dyn/cm２であった。したがって、本発
明により成膜速度の高速化および内部応力の低減を図る
ことも可能となる。
【００５０】実施例３ 本実施例は、誘電体膜にＳｉＣＯＮ膜を用い、膜厚構成
を通常のＳｉ３Ｎ４膜を用いた場合に比べて薄く設定し
た例である。
を通常のＳｉ３Ｎ４膜を用いた場合に比べて薄く設定し
た例である。
【００５１】先ず、先の実施例１と同様の手法により、
ＣＯ２ を含む雰囲気中で誘電体膜のスパッタリングを
行い、ＳｉＣＯＮ膜を誘電体膜とする光磁気ディスクを
作製した。ただし、ここでは希土類金属膜４は省略し、
４層構造の光磁気ディスクとした。
ＣＯ２ を含む雰囲気中で誘電体膜のスパッタリングを
行い、ＳｉＣＯＮ膜を誘電体膜とする光磁気ディスクを
作製した。ただし、ここでは希土類金属膜４は省略し、
４層構造の光磁気ディスクとした。
【００５２】成膜された誘電体膜２ａ，２ｂは、Ｓｉ４
６．３原子％、Ｃ８．５原子％、Ｏ２６．６原子％、Ｎ
１８．６原子％なる組成を有するＳｉＣＯＮ膜であっ
た。
６．３原子％、Ｃ８．５原子％、Ｏ２６．６原子％、Ｎ
１８．６原子％なる組成を有するＳｉＣＯＮ膜であっ
た。
【００５３】また、このＳｉＣＯＮ膜の熱伝導率λは
０．０１６Ｊ／ｃｍｓｋであり、通常のＳｉ３Ｎ４膜の
値（０．０２６Ｊ／ｃｍｓｋ）に比べて低い値を示し
た。
０．０１６Ｊ／ｃｍｓｋであり、通常のＳｉ３Ｎ４膜の
値（０．０２６Ｊ／ｃｍｓｋ）に比べて低い値を示し
た。
【００５４】そこで、第１の誘電体膜２ａの膜厚を８０
０Åとし、ＲＥ−ＴＭ膜３及び第２の誘電体膜２ｂの膜
厚を変化させ、反射率、位相補償量及びＲθｋ の変動
を調べた。結果を図３、図４、図５にそれぞれ示す。な
お、これら図面においては、横軸にＲＥ−ＴＭ膜の膜厚
をとってあり、各線に付記した膜厚が第２の誘電体膜２
ｂの膜厚である。
０Åとし、ＲＥ−ＴＭ膜３及び第２の誘電体膜２ｂの膜
厚を変化させ、反射率、位相補償量及びＲθｋ の変動
を調べた。結果を図３、図４、図５にそれぞれ示す。な
お、これら図面においては、横軸にＲＥ−ＴＭ膜の膜厚
をとってあり、各線に付記した膜厚が第２の誘電体膜２
ｂの膜厚である。
【００５５】いずれの特性も、第２の誘電体膜２ｂの膜
厚が薄くなるほど良くなることがわかった。
厚が薄くなるほど良くなることがわかった。
【００５６】このような実験結果に基づき、誘電体膜２
ａの膜厚を９００Å、ＲＥ−ＴＭ膜３の膜厚を２００
Å、誘電体膜２ｂの膜厚を２５０Å、Ａｌ反射膜５５０
Å（このような膜厚構成を９００／２００／２５０／５
５０と表記する。）として、ＲＥ−ＴＭ膜３の温度勾配
（同一のレーザスポットを照射したときのスポット中心
からの距離による温度分布）並びに記録パワーマージン
を測定した。
ａの膜厚を９００Å、ＲＥ−ＴＭ膜３の膜厚を２００
Å、誘電体膜２ｂの膜厚を２５０Å、Ａｌ反射膜５５０
Å（このような膜厚構成を９００／２００／２５０／５
５０と表記する。）として、ＲＥ−ＴＭ膜３の温度勾配
（同一のレーザスポットを照射したときのスポット中心
からの距離による温度分布）並びに記録パワーマージン
を測定した。
【００５７】温度勾配の様子を図６に、また記録パワー
マージンを表１に示す。なお、ここでは比較のために通
常のＳｉ３Ｎ４膜を誘電体膜とする光磁気ディスクにつ
いても測定したが、Ｓｉ３Ｎ４膜を誘電体膜とする光磁
気ディスクの膜厚構成は、１１００／２３０／３５０／
５５０（比較例２）及び９００／２００／２５０／５５
０（比較例３）の２種類である。
マージンを表１に示す。なお、ここでは比較のために通
常のＳｉ３Ｎ４膜を誘電体膜とする光磁気ディスクにつ
いても測定したが、Ｓｉ３Ｎ４膜を誘電体膜とする光磁
気ディスクの膜厚構成は、１１００／２３０／３５０／
５５０（比較例２）及び９００／２００／２５０／５５
０（比較例３）の２種類である。
【００５８】
【表１】
【００５９】先ず、図６を見ると、通常のＳｉ３Ｎ４膜
を誘電体膜とした場合、膜厚構成を薄くすると温度勾配
がブロードな形となっているのに対して、ＳｉＣＯＮ膜
を誘電体膜とした場合には、Ｓｉ３Ｎ４膜の膜厚が厚い
場合と遜色のない良好な温度勾配を示すことがわかる。
を誘電体膜とした場合、膜厚構成を薄くすると温度勾配
がブロードな形となっているのに対して、ＳｉＣＯＮ膜
を誘電体膜とした場合には、Ｓｉ３Ｎ４膜の膜厚が厚い
場合と遜色のない良好な温度勾配を示すことがわかる。
【００６０】また、表１に示した記録パワーのマージン
についても同様のことが言え、通常のＳｉ３Ｎ４膜を誘
電体膜とした場合、膜厚構成を薄くするとマージンが少
なくなるのに対して、ＳｉＣＯＮ膜を誘電体膜とした場
合には、Ｓｉ３Ｎ４膜の膜厚が厚い場合とほぼ同等のマ
ージンが得られている。
についても同様のことが言え、通常のＳｉ３Ｎ４膜を誘
電体膜とした場合、膜厚構成を薄くするとマージンが少
なくなるのに対して、ＳｉＣＯＮ膜を誘電体膜とした場
合には、Ｓｉ３Ｎ４膜の膜厚が厚い場合とほぼ同等のマ
ージンが得られている。
【００６１】以上、本発明を適用した実施例について説
明してきたが、本発明がこれら実施例に限定されるもの
でないことは言うまでもなく、本願の要旨を逸脱しない
範囲で材料、寸法、形状等について種々の変更が可能で
ある。例えば、本発明が適用される光磁気記録媒体の形
態は上述のようなディスクに限られるものではなく、カ
ード，テープ，ドラム等であっても良い。
明してきたが、本発明がこれら実施例に限定されるもの
でないことは言うまでもなく、本願の要旨を逸脱しない
範囲で材料、寸法、形状等について種々の変更が可能で
ある。例えば、本発明が適用される光磁気記録媒体の形
態は上述のようなディスクに限られるものではなく、カ
ード，テープ，ドラム等であっても良い。
【００６２】
【発明の効果】以上の説明からも明らかなように、本発
明によれば、誘電体膜の成膜時に従来のスパッタリング
雰囲気中へ安価で安全なガスを若干添加するという極め
て簡便な手法により、効果的に光磁気記録媒体の磁界感
度の向上、誘電体膜の成膜の高速化、誘電体膜の内部応
力の低減等を図ることが可能となる。かかる光磁気記録
媒体は、低外部磁界下において磁界変調記録が行われる
場合にも、優れた実用特性を発揮する。
明によれば、誘電体膜の成膜時に従来のスパッタリング
雰囲気中へ安価で安全なガスを若干添加するという極め
て簡便な手法により、効果的に光磁気記録媒体の磁界感
度の向上、誘電体膜の成膜の高速化、誘電体膜の内部応
力の低減等を図ることが可能となる。かかる光磁気記録
媒体は、低外部磁界下において磁界変調記録が行われる
場合にも、優れた実用特性を発揮する。
【００６３】また、特に二酸化炭素等の導入により誘電
体膜をＳｉＣＯＮ膜とすれば、膜厚構成を薄く設定する
ことが可能となり、希土類金属膜を省略できることと相
俟って生産性の点で非常に有利である。
体膜をＳｉＣＯＮ膜とすれば、膜厚構成を薄く設定する
ことが可能となり、希土類金属膜を省略できることと相
俟って生産性の点で非常に有利である。
【図１】本発明を適用した各実施例にかかる光磁気ディ
スクの記録再生特性を従来品との比較において示す特性
図である。
スクの記録再生特性を従来品との比較において示す特性
図である。
【図２】本発明を適用して製造される光磁気記録媒体の
一構成例を示す概略断面図である。
一構成例を示す概略断面図である。
【図３】誘電体膜をＳｉＣＯＮ膜としたときのＲＥ−Ｔ
Ｍ膜及び第２の誘電体膜の膜厚による反射率を変化を示
す特性図である。
Ｍ膜及び第２の誘電体膜の膜厚による反射率を変化を示
す特性図である。
【図４】位相補償量の変化を示す特性図である。
【図５】Ｒθｋ の変化を示す特性図である。
【図６】誘電体膜をＳｉＣＯＮ膜とした光磁気ディスク
の温度勾配の様子を通常のＳｉ３Ｎ４膜を用いた光磁気
ディスクのそれと比べて示す特性図である。
の温度勾配の様子を通常のＳｉ３Ｎ４膜を用いた光磁気
ディスクのそれと比べて示す特性図である。
１・・・基板 ２ａ・・・第１の誘電体膜 ３・・・ＲＥ−ＴＭ膜 ２ｂ・・・第２の誘電体膜 ４・・・希土類金属膜 ５・・・反射膜
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 吉田 真理 東京都品川区北品川６丁目５番６号 ソ ニー・マグネ・プロダクツ株式会社内 (56)参考文献 特開 平４−313835（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) G11B 11/105
Claims (3)
- 【請求項１】 基板上に少なくとも希土類−遷移金属合
金薄膜と誘電体膜とが成膜されてなる光磁気記録媒体に
おいて、 前記誘電体膜はＳｉｘＣｙＯｚＮｖなる組成を有し、且
つその組成範囲が ０．４０≦ｘ≦０．６０ ０．０５≦ｙ≦０．２０ ０．０５≦ｚ≦０．３０ ０．１０≦ｖ≦０．３０ ｘ＋ｙ＋ｚ＋ｖ＝１ であることを特徴とする光磁気記録媒体。 - 【請求項２】 基板上に第１の誘電体、希土類−遷移金
属合金薄膜、第２の誘電体膜、反射膜が順次成膜されて
なり、 これらの第１の誘電体膜及び第２の誘電体膜は上記組成
を有する誘電体膜であり、且つ、第１の誘電体膜の膜厚
が６００〜９００Å、第２の誘電体膜の膜厚が３００Å
以下であることを特徴とする請求項１記載の光磁気記録
媒体。 - 【請求項３】 基板上に少なくとも希土類−遷移金属合
金薄膜と誘電体膜とが成膜されてなる光磁気記録媒体の
製造方法において、 前記誘電体膜を、少なくとも酸素及び炭素を構成元素と
する化合物のガス及び窒素ガスを含む雰囲気中でＳｉタ
ーゲットをスパッタリングすることにより成膜し、 前記誘電体膜をＳｉｘＣｙＯｚＮｖなる組成とし、且つ
その組成範囲を ０．４０≦ｘ≦０．６０ ０．０５≦ｙ≦０．２０ ０．０５≦ｚ≦０．３０ ０．１０≦ｖ≦０．３０ ｘ＋ｙ＋ｚ＋ｖ＝１ とすることを特徴とする光磁気記録媒体の製造方法。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23561091A JP3178025B2 (ja) | 1990-11-07 | 1991-08-23 | 光磁気記録媒体及びその製造方法 |
| US08/112,060 US5476713A (en) | 1990-11-07 | 1993-08-26 | Magneto-optical recording medium |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP29993890 | 1990-11-07 | ||
| JP2-299938 | 1990-11-07 | ||
| JP23561091A JP3178025B2 (ja) | 1990-11-07 | 1991-08-23 | 光磁気記録媒体及びその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04364249A JPH04364249A (ja) | 1992-12-16 |
| JP3178025B2 true JP3178025B2 (ja) | 2001-06-18 |
Family
ID=26532230
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP23561091A Expired - Fee Related JP3178025B2 (ja) | 1990-11-07 | 1991-08-23 | 光磁気記録媒体及びその製造方法 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5476713A (ja) |
| JP (1) | JP3178025B2 (ja) |
Families Citing this family (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6660365B1 (en) | 1998-12-21 | 2003-12-09 | Cardinal Cg Company | Soil-resistant coating for glass surfaces |
| US6974629B1 (en) | 1999-08-06 | 2005-12-13 | Cardinal Cg Company | Low-emissivity, soil-resistant coating for glass surfaces |
| US6964731B1 (en) | 1998-12-21 | 2005-11-15 | Cardinal Cg Company | Soil-resistant coating for glass surfaces |
| ATE253533T1 (de) | 1999-05-18 | 2003-11-15 | Cardinal Cg Co | Harte kratzfeste beschichtungen für substrate |
| AU5611801A (en) * | 2000-03-16 | 2001-09-24 | Mat Gmbh Dresden | Low-friction protective layers that reduce wear and tear and a method for depositing same |
| US7604865B2 (en) | 2004-07-12 | 2009-10-20 | Cardinal Cg Company | Low-maintenance coatings |
| US7923114B2 (en) | 2004-12-03 | 2011-04-12 | Cardinal Cg Company | Hydrophilic coatings, methods for depositing hydrophilic coatings, and improved deposition technology for thin films |
| US8092660B2 (en) | 2004-12-03 | 2012-01-10 | Cardinal Cg Company | Methods and equipment for depositing hydrophilic coatings, and deposition technologies for thin films |
| US7989094B2 (en) | 2006-04-19 | 2011-08-02 | Cardinal Cg Company | Opposed functional coatings having comparable single surface reflectances |
| US20080011599A1 (en) | 2006-07-12 | 2008-01-17 | Brabender Dennis M | Sputtering apparatus including novel target mounting and/or control |
| WO2009036284A1 (en) | 2007-09-14 | 2009-03-19 | Cardinal Cg Company | Low-maintenance coatings, and methods for producing low-maintenance coatings |
| US10604442B2 (en) | 2016-11-17 | 2020-03-31 | Cardinal Cg Company | Static-dissipative coating technology |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4661420A (en) * | 1984-02-06 | 1987-04-28 | Nihon Shinku Gijutsu Kabushiki Kaisha | Optical magnetic recording member |
| JPH0789414B2 (ja) * | 1986-01-31 | 1995-09-27 | シャープ株式会社 | 光学記憶素子 |
-
1991
- 1991-08-23 JP JP23561091A patent/JP3178025B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
1993
- 1993-08-26 US US08/112,060 patent/US5476713A/en not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH04364249A (ja) | 1992-12-16 |
| US5476713A (en) | 1995-12-19 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP3781823B2 (ja) | 光磁気記録媒体及びその再生方法 | |
| JP3178025B2 (ja) | 光磁気記録媒体及びその製造方法 | |
| US5777953A (en) | Arrangement of magneto-optical recording medium which capable of reproducing an individual bit | |
| JP3363409B2 (ja) | 光メモリ素子及びその製造方法 | |
| JPH09231631A (ja) | 光磁気記録媒体 | |
| US5710746A (en) | Magneto-optical recording medium and reading method with magnetic layers of different coercivity | |
| JP3476698B2 (ja) | 光磁気記録媒体 | |
| JP2754658B2 (ja) | 光磁気記録媒体 | |
| JP2606729B2 (ja) | 光磁気記録媒体 | |
| JPS6122454A (ja) | 磁気光学記録媒体 | |
| JP3109926B2 (ja) | 光磁気記録媒体の製造方法 | |
| JP3109927B2 (ja) | 光磁気記録媒体 | |
| JP4312425B2 (ja) | 光磁気記録媒体 | |
| JP3355759B2 (ja) | 光磁気記録媒体及びその再生方法 | |
| JP2616120B2 (ja) | 光磁気記録媒体及びその製造方法 | |
| JPH038148A (ja) | 光磁気記録媒体 | |
| JPH0644624A (ja) | 光磁気記録媒体 | |
| JPH03154241A (ja) | 光磁気記録媒体 | |
| JPH08124229A (ja) | 光磁気記録媒体 | |
| JPH08185645A (ja) | 光磁気記録媒体 | |
| JPH09147434A (ja) | 光磁気ディスク | |
| JPH04188450A (ja) | 光磁気記録媒体 | |
| JPH07161087A (ja) | 光磁気記録媒体 | |
| JPH07296436A (ja) | 光磁気記録媒体およびその製造方法 | |
| JPH0917050A (ja) | 光磁気ディスク |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20010313 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |