JP3160414B2 - 変換装置 - Google Patents
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Description
ッチタイプの二つの機能を有する高速デバイス(以下、
HSDと略称する)を用いた変換装置に関する。
流を周波数の異なる交流に、或いは直流を値の異る直流
に変換する変換装置に用いられているパワ―デバイスに
はGTOサイリスタ(以下GTOと記す)とかトランジ
スタがある。GTOはラッチタイプのデバイスである。
ラッチとは、一旦GTOにゲ―ト信号を加えオン状態に
すると、ゲ―ト信号を「0」にしても陽極電流は流れ続
けることを言う。
と導通し、ベ―ス信号を取去るとコレクタ電流は「0」
になる。このようなデバイスをノンラッチタイプとここ
では呼ぶ。
流の素子として広く使用されているが、オフする際に電
流集中が生じるので破壊耐量が低く大きなスナバ回路が
必要である。スイッチング速度は速くない。
く、スイッチング速度も速いが、高電圧向ではない。高
電圧でスイッチング速度の速いデバイスの開発が進めら
れているが、その一つの候補にオン状態ではオン損失を
減すためにラッチタイプのデバイス構造とし、タ―ンオ
フの直前にノンラッチタイプにデバイス構造を切換えて
電流集中を回避する考え方のデバイスである。具体例と
しては、特開昭64―758号のものがある。
った変換装置の代表的な回路例を図6に示す。ここで1
は直流電源、2P ,2N は直流しゃ断器、3は直流リア
クトル、4は直流コンデンサ、5はリアクトル、6はダ
イオ―ド、7,8は直流ブス、11,12,13,1
4,15及び16はGTO、17,18,19,20,
21及び22は帰還ダイオ―ド、25U ,25V ,25
W は交流しゃ断器である。この回路はインバ―タとして
広く使われ周知のもので、図示していないがスナバ回
路、ゲ―ト回路などを必要とするが、ここでは、この回
路の動作説明は省略する。
状態になると直流ブス7と8が短絡されるので、最初に
直流コンデンサ4の電荷がリアクトル5を介して、次い
で直流電源1からの電流が直流リアクトル3,リアクト
ル5を介してGTO11,12に流れ込む。
護は、デバイス自体が耐えることが出来るIサ―ジ耐量
以下に電流の大きさを制限するもの、通常リアクトルと
かヒュ―ズとかを入れて行う。Iサ―ジ耐量は例えば遮
断可能な電流が1000AのGTOの場合、10ms幅
のパルス電流で7000Aである。図6ではリアクトル
5がGTO11,12等のIサ―ジ耐量以下になるよう
な値に短絡電流を抑制し、直流リアクトル3は直流しゃ
断器2が開放される迄の間直流電源1からの電流の流れ
込みを抑える。この間リアクトル5はそのとき流れる過
大な電流で飽和しないように設計されていなければなら
ない。直流リアクトル3は短絡期間中に加わる電圧時間
積に対して飽和しないものでなければならない。従っ
て、いずれも大きなリアクトルとなる。交流しゃ断器2
5U ,25V ,25W は図示しない負荷からの電流の流
れ込み或いは異常回路と負荷との切離しを目的に直ちに
開放される。
バイス即ちトランジスタを使う場合は、デバイスの過電
流はデバイス自体が抑制する働きを持つので、短絡が生
じた場合は直ちにベ―スを逆バイアスして過電流を止め
ることができる。リアクトル5は必ずしも必要としない
が、リアクトル5があると電流を抑制する働きがあるの
で、短絡から保護動作までの時間遅れが許容される。短
絡時の電流は通常動作時の高々2倍程度であり、リアク
トル5を入れるとしても小さいもので良い。
デバイスを使用した変換装置と、ノンラッチタイプのデ
バイスを用いた変換装置のそれぞれの長所を活かした変
換装置を提供するために開発された、前記HSDを用い
た変換装置においては、通常の運転状態においては、そ
れぞれの長所が活かされている。通常の動作ではオフす
る直前にノンラッチタイプに切換え後オフ動作を行う
が、定常のオン状態ではラッチ状態にあるので、万一こ
のときに、例えば転流失敗等で直流短絡を生じ過電流が
流れると、デバイスの状態をノンラッチタイプに移すこ
とが出来ない。そのためトランジスタのように、ベ―ス
またはゲ―トではオフ動作を行うことが出来ないためサ
イリスタあるいはGTO使用時と同様な大きなリアクト
ルを使用して、電流の増加を抑えているのが現状であ
る。
プとラッチタイプの機能を有するHSDを使用した変換
装置において、ラッチ状態における過電流に対して大き
なリアクトルを使用せずにデバイスを確実に保護するこ
とができる変換装置を提供することにある。
に請求項1の変換装置は、HSDを介して流れる電流が
所定値を超えた時点から該電流の増加率を抑制する限流
機能を持つ素子又は回路を前記HSDの電流経路に備
え、前記素子又は回路の限流動作中に、前記HSDをラ
ッチタイプからノンラッチタイプに切換えてタ―ンオフ
動作を行わせることを特徴とするものである。
変換装置は、HSDを介して流れる電流が所定値を超え
た時点からインピ―ダンスが増加し、前記電流が所定値
を超えないように制限したり、或いは所定の電流値以下
に低減させる機能を持つ素子又は回路を、前記HSDの
電流経路に備え、前記素子又は回路の限流動作中に、前
記HSDをラッチタイプからノンラッチタイプに切換え
てタ―ンオフ動作を行わせることを特徴とするもので
あ。
ば、通常の運転状態においては、ラッチタイプの持つ低
オン損と、ノンラッチタイプの持つ高破壊耐量および低
スイッチング損と言うメリットを活かしながら直流短絡
保護に対しては、HSDを介して流れる電流が所定値を
超えた時点から、該電流の増加率を抑制する限流機能を
持つ素子又は回路が働くため、この間にHSDをラッチ
タイプからノンラッチタイプに切換えることができるの
で、電流の増加を抑制する大きなリアクトルを使用する
ことなく過電流保護ができる。
明によれば、通常の運転状態においては、ラッチタイプ
の持つ低オン損と、ノンラッチタイプの持つ高破壊耐量
および低スイッチング損と言うメリットを活かしながら
直流短絡保護に対しては、高速デバイスを介して流れる
電流が所定値を超えた時点から、インピ―ダンスが増加
し、前記電流が所定値を超えないように制限したり、或
いは所定の電流値以下に低減させる機能を持つ素子又は
回路が働くため、この間に高速デバイスをラッチタイプ
からノンラッチタイプに切換えることができるので、電
流の増加を抑制する大きなリアクトルを使用することな
く過電流保護ができる。
6と同一部には同一の記号を付しており、その説明は省
略する。図1において、30は後述する非線形インピ―
ダンス回路である。31と32はその主端子部を示す。
51から56はラッチタイプとノンラッチタイプの切換
え可能なHSDであるが、シンボルは便宜上GTOとト
ランジスタの複合シンボルを用いる。このHSDの使い
方はオン状態ではラッチタイプとなるようにゲ―トを選
択し、オフの動作を行う数μs前にノンラッチタイプと
なるようにゲ―トを選択する。 選択のやり方はデバイ
スの構造によるが、例えばタ―ンオンさせるためには、
ゲ―ト(G1),ゲ―ト(G2)に同時にゲ―ト信号を加
え、タ―ンオフさせるためには、ゲ―ト(G2)のゲ―ト
信号をオフした後にゲ―ト(G1)のゲ―ト信号をオフす
る方法とか、ゲ―ト回路に印加する電圧のレベルで選択
するとかの方法が考えられる。
プへの切換可能な陽極電流には限界がある。この限界値
をI1 とする。図1の回路では上記のようなデバイスの
特性上、ラッチタイプからノンラッチタイプに切換えて
タ―ンオフさせると言う手順の違いはあるが、通常の回
路動作は一般のインバ―タと変らない。
保護動作について説明する。非線形インピ―ダンス回路
30はそこを流れる電流がI2 未満では0インピ―ダン
ス、I2 以上I3 (I2 <I3 <I1 )未満では大きな
インダクタンスLを示す。I3 以上ではまた0インピ―
ダンスに戻る。I2 はI1 の1/2程度に選ばれてい
る。
D52もオンすると、直流ブス7と8が短絡されるの
で、直流コンデンサ4の電荷は非線形インピ―ダンス回
路30、HSD51及び52を介して放電しようとす
る。非線形インピ―ダンス回路30は0インピ―ダンス
であるから放電電流Ic は急激に上昇するが、Ic =I
2に達すると非線形インピ―ダンス回路30のインダク
タンスがLに変るため電流の増加率はE/Lに変る。こ
こでEは直流コンデンサの充電電圧である。HSD51
と52に流れる電流値は最大でも、I2 +(E/L)t
であるからこの値がI1 に達しないうちにHSD51と
52及び残りのHSDをラッチタイプからノンラッチタ
イプに移してこれらをタ―ンオフさせる。
例を図2に示す。同図において33は高速ダイオ―ド、
34はリアクトル、35は整流器、36は変圧器であ
る。変圧器36の1次側は図示しない電源に接続されて
いる。ダイオ―ド33は主端子31から32方向の電流
は阻止するが、もし整流器35によりダイオ―ド33と
リアクトル34の直列回路に直流電流I2 が流れている
状態では、ダイオ―ド33はI2 以下の任意の電流に対
しては阻止能力がない。即ち外部から見れば0インピ―
ダンスである。しかしI2 以上の電流に対してはダイオ
―ド33が逆バイアスされるので、31から流入する電
流はリアクトル34と整流器35を経て32より外部に
流出していく。この間電流経路にはリアクトル34のイ
ンダクタンスLが直列に加わることになる。リアクトル
34を小形化するために、或電流値I3 を超えるとイン
ダクタンスは激減して実質的には0インピ―ダンスを呈
する。なお主端子32から31方向の電流に対しては回
路保護上は0インピ―ダンスで良い。
の実施例を示したものである。ダイオ―ド33の代りに
可飽和リアクトル37とダイオ―ド38が使用される。
可飽和リアクトル37の2次巻線372 には直流電流I
2 ´が流れているので、可飽和リアクトル37は飽和し
ており、主端子31と32のインピ―ダンスは実質的に
は0である。主端子31から32に流れる電流値がI2
に達すると、可飽和リアクトル37が不飽和状態とな
り、インダクタンスLのリアクトル特性を示す。リアク
トル34´は可飽和リアクトル37が不飽和時に発生す
る電圧でリアクトル34´の電流値が余り変化しないよ
うに挿入される。ダイオ―ド38は必ずしも必要と言う
訳でないが、可飽和リアクトル37が飽和状態で示す極
小さなインダクタンスにより発生する電圧を吸収して、
HSD51から56と帰還ダイオ―ド17から22に加
わるスイッチングサ―ジ電圧を減らす働きがある。
に他の実施例を示すものである。リアクトル39は永久
磁石を埋め込んだ特殊なリアクトルで、永久磁石により
巻線に流れる電流がI2 未満ではリアクトルのインダク
タンスは実質的に0であるが、I2 に達するとインダク
タンスがLになる。短絡を検出してHSDをラッチタイ
プからノンラッチタイプに切換えてオフ動作を行わせる
数10μsの間リアクトル39が飽和しない程度の小さ
なリアクトルで良い。ダイオ―ド38の役割は図3と同
じである。
306 をHSD51〜56のそれぞれに個別に挿入した
ものである。図1に示す3相回路ではI2 はHSDのI
1 より低くしなければならない。その理由はHSDには
非線形インピ―ダンス回路30からの電流と負荷、HS
D及び帰還ダイオ―ドを還流する電流とが重畳するため
である。これに対して、図5のようにHSD個別に設け
ればHSDに流れる電流と非線形インピ―ダンス回路3
0に流れる電流が一致するので、HSDの限界まで利用
できる。
が所定値を超えた時点から該電流の増加率を抑制する限
流機能を持つ素子又は回路として、非線形インピ―ダン
ス回路30を例として述べているが、HSDを介して流
れる電流が所定値を超えた時点からインピ―ダンスが増
加し、所定値を超えないように電流を制限したり、或い
は所定の電流値以下に低減する機能を持つ素子又は回路
を用いても良い。
を用いたが、変換装置の相数や変換装置の形式はこれに
限定されないことは明らかである。図1、図5に示す変
換装置において、短絡などの過電流を検出する方法は、
通常変流器で電流を検出して行うが、非線形インピ―ダ
ンス回路に発生する電圧を検出する方法もある。
めにある電流値において高インピ―ダンスを示すので、
万一そのレベルを超える電流値になっている状態ではH
SDにオフ信号を加えないようにする方がHSDの保護
上望ましい。又、HSDがラッチ状態にある時に前述の
ような事態が発生すればデバイスの状態をノンラッチタ
イプに移すことが出来なくなり、HSDを破損する危険
があるがこのような場合には、変換装置を構成する全て
のHSDをタ―ンオンすれば、過電流が特定のHSDに
集中して流れることなく分流するため破損の危険性を低
減でき、又、過電流を分流させると共に変換装置の入力
側の直流しゃ断器2P ,2N 及び必要に応じて交流側し
ゃ断器25U ,25V ,25W を遮断すればより一層確
実な保護ができる。
項2の発明によれば、変換装置を、ラッチタイプからノ
ンラッチタイプに切換えた後タ―ンオフ動作を行う高速
デバイスを用いて構成することにより、デバイスの確実
な短絡保護が出来るので変換装置の信頼性を向上出来
る。又、短絡電流抑制用のリアクトルがラッチタイプの
デバイスを使用した場合に比べ小形化出来る。更に、ノ
ンラッチタイプのデバイスを使用した場合に比べデバイ
スの発生する損失を低減出来る等の優れた効果が得られ
る。
図。
例を示す構成図。
施例を示す構成図。
の実施例を示す構成図。
図。
…直流しゃ断器 3 …直流リアクトル 4
…直流コンデンサ 5 …リアクトル 6
…ダイオ―ド 7,8 …直流ブス 11〜16
…GTO 17〜22 …帰還ダイオ―ド 25U 〜25
W …交流しゃ断器 30 …非線形インピ―ダンス 31,32
…端子 33,38 …ダイオ―ド 34,34´
…リアクトル 35,35´…整流器 36
…変圧器 37 …可飽和リアクトル 39
…特殊リアクトル 51〜56 …ラッチタイプ,ノンラッチタイプ切換機
能付き高速デバイス
Claims (2)
- 【請求項1】 ラッチタイプからノンラッチタイプに切
換えた後タ―ンオフ動作を行う高速デバイスを用いた変
換装置において、前記高速デバイスを介して流れる電流
が所定値を超えた時点から該電流の増加率を抑制する限
流機能を持つ素子又は回路を前記高速デバイスの電流経
路に備え、前記素子又は回路の電流増加率抑制動作中
に、前記高速デバイスをラッチタイプからノンラッチタ
イプに切換えてタ―ンオフ動作を行わせることを特徴と
する変換装置。 - 【請求項2】 ラッチタイプからノンラッチタイプに切
換えた後タ―ンオフ動作を行う高速デバイスを用いた変
換装置において、前記高速デバイスを介して流れる電流
が所定値を超えた時点からインピ―ダンスが増加し、前
記電流が所定値を超えないように制限したり、或いは所
定の電流値以下に低減させる機能を持つ素子又は回路
を、前記高速デバイスの電流経路に備え、前記素子又は
回路の限流動作中に、前記高速デバイスをラッチタイプ
からノンラッチタイプに切換えてタ―ンオフ動作を行わ
せることを特徴とする変換装置。
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