[go: up one dir, main page]
More Web Proxy on the site http://driver.im/

JP2846095B2 - 半導体装置の製造方法 - Google Patents

半導体装置の製造方法

Info

Publication number
JP2846095B2
JP2846095B2 JP2270029A JP27002990A JP2846095B2 JP 2846095 B2 JP2846095 B2 JP 2846095B2 JP 2270029 A JP2270029 A JP 2270029A JP 27002990 A JP27002990 A JP 27002990A JP 2846095 B2 JP2846095 B2 JP 2846095B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
pad
semiconductor chip
linear conductor
pads
lead
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
JP2270029A
Other languages
English (en)
Other versions
JPH04145633A (ja
Inventor
正樹 長澤
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Fujitsu Ltd
Original Assignee
Fujitsu Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Fujitsu Ltd filed Critical Fujitsu Ltd
Priority to JP2270029A priority Critical patent/JP2846095B2/ja
Publication of JPH04145633A publication Critical patent/JPH04145633A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP2846095B2 publication Critical patent/JP2846095B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/02—Bonding areas ; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/04—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process
    • H01L24/06—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process of a plurality of bonding areas
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/02—Bonding areas ; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/04—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process
    • H01L24/05—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process of an individual bonding area
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/02—Bonding areas; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/0212—Auxiliary members for bonding areas, e.g. spacers
    • H01L2224/02122—Auxiliary members for bonding areas, e.g. spacers being formed on the semiconductor or solid-state body
    • H01L2224/02163—Auxiliary members for bonding areas, e.g. spacers being formed on the semiconductor or solid-state body on the bonding area
    • H01L2224/02165—Reinforcing structures
    • H01L2224/02166—Collar structures
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/02—Bonding areas; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/023—Redistribution layers [RDL] for bonding areas
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/02—Bonding areas; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/04—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process
    • H01L2224/04042—Bonding areas specifically adapted for wire connectors, e.g. wirebond pads
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/02—Bonding areas; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/04—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process
    • H01L2224/05—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process of an individual bonding area
    • H01L2224/0554—External layer
    • H01L2224/0555—Shape
    • H01L2224/05552—Shape in top view
    • H01L2224/05554—Shape in top view being square
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/45001—Core members of the connector
    • H01L2224/45099—Material
    • H01L2224/451—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
    • H01L2224/45138—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
    • H01L2224/45144—Gold (Au) as principal constituent
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805—Shape
    • H01L2224/4809—Loop shape
    • H01L2224/48091—Arched
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481—Disposition
    • H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
    • H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/484—Connecting portions
    • H01L2224/48463—Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a ball bond
    • H01L2224/48465—Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a ball bond the other connecting portion not on the bonding area being a wedge bond, i.e. ball-to-wedge, regular stitch
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/74—Apparatus for manufacturing arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and for methods related thereto
    • H01L2224/78—Apparatus for connecting with wire connectors
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/74—Apparatus for manufacturing arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and for methods related thereto
    • H01L2224/78—Apparatus for connecting with wire connectors
    • H01L2224/7825—Means for applying energy, e.g. heating means
    • H01L2224/783—Means for applying energy, e.g. heating means by means of pressure
    • H01L2224/78301—Capillary
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/85—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a wire connector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/85—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a wire connector
    • H01L2224/8512—Aligning
    • H01L2224/85148—Aligning involving movement of a part of the bonding apparatus
    • H01L2224/85169—Aligning involving movement of a part of the bonding apparatus being the upper part of the bonding apparatus, i.e. bonding head, e.g. capillary or wedge
    • H01L2224/8518—Translational movements
    • H01L2224/85181—Translational movements connecting first on the semiconductor or solid-state body, i.e. on-chip, regular stitch
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/85—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a wire connector
    • H01L2224/852—Applying energy for connecting
    • H01L2224/85201—Compression bonding
    • H01L2224/85203—Thermocompression bonding
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/85—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a wire connector
    • H01L2224/852—Applying energy for connecting
    • H01L2224/85201—Compression bonding
    • H01L2224/85205—Ultrasonic bonding
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
    • H01L2924/00014—Technical content checked by a classifier the subject-matter covered by the group, the symbol of which is combined with the symbol of this group, being disclosed without further technical details
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01004—Beryllium [Be]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01005—Boron [B]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01006—Carbon [C]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01013—Aluminum [Al]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01028—Nickel [Ni]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01029—Copper [Cu]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01033—Arsenic [As]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01079—Gold [Au]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01082—Lead [Pb]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/11—Device type
    • H01L2924/14—Integrated circuits

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Wire Bonding (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】 〔概 要〕 ワイヤポンディング工程を含む半導体装置の製造方法
に関し、 半導体チップのパッド露出用窓の位置を変えずに量産
性を高めることを目的とし、 保護膜に設けた複数の窓によって複数のパッドの全て
を個々に露出させた半導体チップを用い、前記パッドの
うち使用されないパッドの上に線状導体の一端をボンデ
ィングした後に、該線状導体を伸ばさずに切断し、使用
されない前記パッドを前記線状導体で覆うことによって
構成する。
〔産業上の利用分野〕
本発明は、半導体装置の製造方法に関し、より詳しく
は、ワイヤボンディング工程を含む半導体装置の製造方
法に関する。
〔従来の技術〕
半導体集積回路を形成した半導体チップをパッケージ
ングする場合には、例えば、第４図に示すような方法が
ある。即ち、第５図に示すような半導体チップａをリー
ドフレームｂ中央のダイパッドｃに取付けた後に、半導
体チップａの表面のパッドｄとリードｅとを金のワイヤ
によって接続し、ついで、半導体チップａとリードｅの
一部を樹脂材ｆにより封止し、この後に、リードフレー
ムｂからリードｅを切り離すような工程を経るようにし
ている。
ところで、上記したパッドｄは、半導体回路の信号電
極や電源電極となるものであるが、半導体装置を取付け
ようとする外部回路の構成の相違によってパッドｄの形
成位置を半導体チップａの側部から端部に変更したい場
合もあり、半導体チップａ内の一つの電極配線の端部に
複数のパッドｄを接続するとともに、これに対応して複
数種類のパッケージを用意するようにしている。
この場合、リードｅに接続されないパッドｄを半導体
チップａ表面の保護膜ｇから露出したままにしておく
と、アルミニウム製のパッドｄがその周囲のガスと反応
して腐食してしまい、これが内部にまで広がり、ついに
は内部の配線を断線させたり導通不良を生じさせること
になる。
このため、使用しないパッドｄを保護膜ｇによって覆
うとともに、リードｅに接続されるパッドｄだけを保護
膜ｇの開口部ｈから露出するようにしている。
〔発明が解決しようとする課題〕
しかし、これによれば、第５図（ａ），（ｂ）に示す
ように、パッドｄの使用位置を変更する毎に開口部ｈの
位置を変えなければならず、半導体チップａの汎用性が
低くなり、量産化の妨げになるといった問題がある。
本発明はこのような問題に鑑みてなされたものであっ
て、保護膜に形成するパッド露出用の窓の配置を変えず
に量産性を高めることができる半導体装置の製造方法を
提供することを目的とする。
〔課題を解決するための手段〕
上記した課題は、第１〜３図に例示するように、保護
膜４に設けた複数の窓５によって複数のパッド３の全て
を個々に露出させた半導体チップ１を用い、前記パッド
１のうち使用されないパッド３の上に線状導体12の一端
をボンディングした後に、該線状導体12を伸ばさずに切
断し、使用されない前記パッド１を前記線状導体12の一
部によって覆うことを特徴とする半導体装置の製造方
法、 または、保護膜４に設けた複数の窓５によって複数の
パッド３の全てを個々に露出させた半導体チップ１を、
チップ載置台７の上に取付ける工程と、前記チップ載置
台７周囲のリード８に接続されない前記パッド３の上に
線状導体12の一端を圧着した後に、該線状導体12を引き
伸ばさずに切断し、使用されない前記パッド３を前記線
状導体12の一部によって覆う工程と、前記リード８に接
続される前記パッド３の上に線状導体12の一端を接続し
た後に、該線状導体12を引き伸ばして前記リード８に圧
着し、使用される前記パッド３と前記リード８とを導通
させる工程とを備えたことを特徴とする半導体装置の製
造方法によって達成する。
〔作 用〕
本発明によれば、半導体チップ１の表面に形成される
パッド３の全てを保護膜４から露出させるとともに、リ
ード８に接続されないパッド３を線状体状12（金線）に
よって覆うようにしている。
このため、リード８に接続されないパッド３は、ワイ
ヤボンディングの際に線状導体３の一部によって覆われ
ることになり、そのパッド３は腐食性物質との接触が断
たれることになり、腐食することがなくなる。
しかも、リード８に繋げるパッド３を別なものに変更
したとしても、保護膜４に形成されるパッド露出用の窓
５を変更する必要がなくなり、半導体チップ１の汎用性
が高くなり、量産性を向上することが可能になる。
〔実施例〕
そこで、以下に本発明の詳細を図面に基づいて説明す
る。
第１図は、本発明に使用される半導体チップの一例を
示す平面図及び部分拡大斜視図であって、図中符号１
は、内部に半導体集積回路を形成した半導体チップで、
この半導体チップ１の上面の活性領域２の周囲には入出
力信号電極用や電源電極となるアルミニウム製のパッド
３が複数形成されており、半導体チップ１上面を覆う保
護膜４に設けた窓５によって全てのパッド３が露出する
ように構成されている。
第２図は、本発明の方法により半導体チップを組込ん
だリードフレームを示す平面図であって、図中符号６
は、鉄ニッケル合金、銅合金等よりなるリードフレーム
で、その内部には、半導体チップを載置するダイパッド
７とこのダイパッド７を囲む複数のリード８が形成され
ており、ダイパッド７の上に半導体チップ１をボンディ
ングした状態で、半導体チップ１のパッド３の一部リー
ド８とを金線９によってワイヤボンディングするととも
に、使用しないパッド３をその金線９によって覆うよう
に構成されている。
第３図は、半導体チップ１のパッド３とリード８にワ
イヤボンディングを行う工程を示す拡大断面図である。
まず、半導体チップ１を300℃程度に加熱した状態
で、キャピラリ10の金線導入孔11から下方に金線12を出
し、この金線12の先端の球状に形成する（第３図
（ａ））。
そして、使用しないパッド３の上の位置にキャピラリ
10を移動して金線12の球状先端をパッド３に押しつけた
後に、金線12とパッド３とを熱圧着する（第３図
（ｂ））。
次に、キャピラリ10を上方に僅かに移動してから（第
３図（ｃ））、さらにそれを横方向に移動されて金線12
を引きちぎり（第３図（ｄ））、金線12の一部をパッド
３の上に残し、これによってパルス３を覆う。
一方、リード８に接続されるパッド３においては、第
３図（ｅ）に示すように、金線12をパッド３に熱圧着し
た後に、キャピラリ10を上方に引き上げると、金線12は
キャピラリ10内部の金線導入孔11を通って伸びてくるの
で（第３図（ｆ））、これにつづいてリード８の上方に
キャピラリ10を移動してその先端をリード８に熱圧着す
ることが可能になる。
（第３図（ｇ））。
そして、金線12とリード８とを接続したあとに、キャ
ピラリ10を持ち上げてその先端にある金線12を水素等の
炎で焼き切ることになる。
このように、半導体チップ１表面に形成したパッド３
のうちリード８に接続しようとするものは、金線12を介
してリード８に接続され、また、使用しないパッド３に
おいては、その上に熱圧着した金線12を殆ど伸ばさずに
そのまま切断するようにしているために、ワイヤボンデ
ィングの工程において全てのパッド３が金によって覆わ
れることになり、外部から供給される腐食性物質と反応
することがなくなる。
例えば、第１図（ｂ）に示すように、２つのパッド3
a、3bが繋がれて形成されている半導体チップ１におい
て、先端にある一方のパッド3aにリード８を圧着する場
合でも、活性領域２に近い他方のパッド3bは金によって
覆われるために腐食することはなく、一方のパッド3aか
ら活性領域２に到る配線経路が他方のパッド3bの腐食に
よって断線することはなくなる。
以上のようなワイヤボンディングを終えた後に、リー
ド８の内端と半導体チップ１を樹脂材によって封止し、
ついでリード８をリードフレーム６から切り離すことに
なる。
なお、上記した実施例では、金線12の先端を球状にす
るボンディング法、即ち、ネイルヘッド法を用いたが、
ステッチボンディング法、ウェッジボンディング法、超
音波ボンディング法等によることもできる。
また、熱圧着の工程においては、半導体チップ１を加
熱してもよいし、キャピラリ10を加熱してもよい。
〔発明の効果〕
以上述べたように本発明によれば、半導体チップの表
面に形成されるパッドの全てを保護膜から露出させると
ともに、リードに接続されないパッドを線状導体によっ
て覆うようにしたので、リードに接続されないパッド
は、ワイヤボンディングの際に線状導体の一部によって
覆われることになり、そのパッドと腐食物質との接触を
断って、使用しないパッドの腐食を防止することができ
る。
しかも、リードに繋げるパッドを別なものに変更した
としても、保護膜に形成されるパッド露出用の窓を変更
する必要がなくなり、半導体チップの汎用性を高めて量
産性を向上することが可能になる。
【図面の簡単な説明】
第１図は、本発明の一実施例装置に使用される半導体チ
ップの一例を示す平面図及び部分拡大斜視図、 第２図は、本発明の一実施例方法によって形成された装
置の一例を示す平面図、 第３図は、本発明の一実施例方法の工程を示す断面図、 第４図は、従来方法によって形成される半導体装置の一
例を示す平面図、 第５図は、従来方法に用いられる半導体チップの一例を
示す平面図である。 （符号の説明） １……半導体チップ、 ２……活性領域、 ３……パッド、 ５……窓、 ６……リードフレーム、 ７……ダイパッド（チップ載置台）、 ８……リード、 10……キャピラリ、 11……金線導入孔、 12……金線（線状導体）。

Claims (2)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】保護膜（４）に設けた複数の窓（５）によ
    って複数のパッド（３）の全てを個々に露出させた半導
    体チップ（１）を用い、前記パッド（３）のうち使用さ
    れないパッド（３）の上に線状導体（12）の一端をボン
    ディングした後に、該線状導体（12）を伸ばさずに切断
    し、使用されない前記パッド（３）を前記線状導体（1
    2）の一部によって覆うことを特徴とする半導体装置の
    製造方法。
  2. 【請求項２】保護膜（４）に設けた複数の窓（５）によ
    って複数のパッド（３）の全てを個々に露出させた半導
    体チップ（１）を、チップ載置台（７）の上に取付ける
    工程と、 前記チップ載置台（７）周囲のリード（８）に接続され
    ない前記パッド（３）の上に線状導体（12）の一端を圧
    着した後に、該線状導体（12）を引き伸ばさずに切断
    し、使用されない前記パッド（３）を線状導体（12）の
    一部によって覆う工程と、 前記リード（８）に接続される前記パッド（３）の上に
    線状導体（12）の一端を接続した後に、該線状導体（1
    2）を引き伸ばして前記リード（３）に圧着し、使用さ
    れる前記パッド（３）と前記リード（８）とを導通させ
    る工程とを備えたことを特徴とする半導体装置の製造方
    法。
JP2270029A 1990-10-08 1990-10-08 半導体装置の製造方法 Expired - Fee Related JP2846095B2 (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2270029A JP2846095B2 (ja) 1990-10-08 1990-10-08 半導体装置の製造方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2270029A JP2846095B2 (ja) 1990-10-08 1990-10-08 半導体装置の製造方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPH04145633A JPH04145633A (ja) 1992-05-19
JP2846095B2 true JP2846095B2 (ja) 1999-01-13

Family

ID=17480543

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2270029A Expired - Fee Related JP2846095B2 (ja) 1990-10-08 1990-10-08 半導体装置の製造方法

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP2846095B2 (ja)

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6758986B2 (ja) * 2015-08-27 2020-09-23 住友化学株式会社 スリット加工延伸フィルムの製造方法及び製造装置

Also Published As

Publication number Publication date
JPH04145633A (ja) 1992-05-19

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US5172851A (en) Method of forming a bump electrode and manufacturing a resin-encapsulated semiconductor device
US5696033A (en) Method for packaging a semiconductor die
US5976964A (en) Method of improving interconnect of semiconductor device by utilizing a flattened ball bond
KR101672053B1 (ko) 반도체 장치의 제조 방법 및 반도체 장치
JPH08255862A (ja) リードフレーム、樹脂封止型半導体装置、その製造方法及び該製造方法で用いる半導体装置製造用金型
JPS61125062A (ja) ピン取付け方法およびピン取付け装置
JPH0455341B2 (ja)
JP2846095B2 (ja) 半導体装置の製造方法
JPH0357236A (ja) 樹脂封止型半導体装置の製造方法
JPH0794556A (ja) ワイヤボンデイング方法
JP2733418B2 (ja) 半導体装置の製造方法
JP2564596B2 (ja) 半導体装置の製造方法
JPH0428241A (ja) 半導体装置の製造方法
JPH05267385A (ja) ワイヤーボンディング装置
JP3293757B2 (ja) 半導体装置製造用リードフレーム組立体の製造方法
JPH0758273A (ja) リードフレーム及びそれを用いた半導体装置
JPH08279575A (ja) 半導体パッケージ
JP2848344B2 (ja) 半導体装置および半導体装置の製造方法
JP2785441B2 (ja) 半導体装置とその製造方法
JP2005150294A (ja) 半導体装置およびその製造方法
JPH04256330A (ja) ワイヤーボンディング方法及びワイヤーボンディング装置
JP3257266B2 (ja) 半導体装置
JPH05243307A (ja) 半導体装置
JPH10199913A (ja) ワイヤボンディング方法
KR200198124Y1 (ko) 와이어본딩 장치

Legal Events

Date Code Title Description
FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20071030

Year of fee payment: 9

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20081030

Year of fee payment: 10

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees