JP2618371B2 - El素子の駆動方法 - Google Patents
El素子の駆動方法Info
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Landscapes
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- Luminescent Compositions (AREA)
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、電気的な発光、すなわ
ちELを用いたEL素子の駆動方法に関し、更に詳しく
は、発光層が2層構造からなり、各々の層が隣接する他
の層に対して相対的に電気陰性度が異なる少なくとも1
種の電気的発光性有機化合物の薄膜からなるEL素子の
駆動方法に関する。
ちELを用いたEL素子の駆動方法に関し、更に詳しく
は、発光層が2層構造からなり、各々の層が隣接する他
の層に対して相対的に電気陰性度が異なる少なくとも1
種の電気的発光性有機化合物の薄膜からなるEL素子の
駆動方法に関する。
【0002】
【従来の技術】従来のEL素子は、MnあるいはCuま
たはReF3 (Re;希土類イオン)等を付活剤として
含むZnSを発光母材とする発光層からなるものであ
り、該発光層の基本構造の違いにより粉末型ELと薄膜
型ELに大きく構造的に分類される。実用化されている
素子のうち、薄膜ELは、一般的に粉末型ELに比べ輝
度が高いが、薄膜ELは発光母材を基板に蒸着して発光
層を形成しているため、大面積素子の製造が難しく、ま
た製造コストが非常に高くなる等の欠点を有していた。
たはReF3 (Re;希土類イオン)等を付活剤として
含むZnSを発光母材とする発光層からなるものであ
り、該発光層の基本構造の違いにより粉末型ELと薄膜
型ELに大きく構造的に分類される。実用化されている
素子のうち、薄膜ELは、一般的に粉末型ELに比べ輝
度が高いが、薄膜ELは発光母材を基板に蒸着して発光
層を形成しているため、大面積素子の製造が難しく、ま
た製造コストが非常に高くなる等の欠点を有していた。
【0003】そのため、最も量産性に富み、コスト的に
薄膜型素子の数十分の一程度ですむ有機バインダー中に
発光母材、すなわち、ZnSを分散させた粉末型ELが
注目されるようになった。一般的には、EL発光におい
ては、発光層の厚さが薄い程発光特性が良くなる。しか
し、該粉末型ELの場合は、発光母材が不連続の粉末で
あるため、発光層を薄くすると、発光層中にピンホール
が生じ易く、層厚を薄くすることが困難であり、従って
十分な輝度特性が得られないという大きな欠点を持って
いる。
薄膜型素子の数十分の一程度ですむ有機バインダー中に
発光母材、すなわち、ZnSを分散させた粉末型ELが
注目されるようになった。一般的には、EL発光におい
ては、発光層の厚さが薄い程発光特性が良くなる。しか
し、該粉末型ELの場合は、発光母材が不連続の粉末で
あるため、発光層を薄くすると、発光層中にピンホール
が生じ易く、層厚を薄くすることが困難であり、従って
十分な輝度特性が得られないという大きな欠点を持って
いる。
【0004】近時においても、該粉末型ELの発光層内
にフッ化ビニリデン系重合体から成る中間誘電体層を配
置した改良型素子が、特開昭58−172891号公報
に示されているが、未だ発光輝度、消費電力等に十分な
性能を得るに至っていない。一方、最近、有機材料の化
学構造や高次構造を制御して、新しくオプティカルおよ
びエレクトロニクス用材料とする研究開発が活発に行わ
れ、EC素子、圧電性素子、焦電性素子、非線形光学素
子、強誘電性液晶等、金属、無機材料に比肩し得るか、
またはそれらを凌駕する有機材料が発表されている。こ
のように、無機物を凌ぐ新しい機能素材としての機能性
有機材料の開発が要望される中で、分子内に親水基と疎
水基を持つアントラセン誘導体やピレン誘導体の単分子
層の累積膜を電極基板上に形成したEL素子が特開昭5
2−35587号公報に提案されている。
にフッ化ビニリデン系重合体から成る中間誘電体層を配
置した改良型素子が、特開昭58−172891号公報
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性能を得るに至っていない。一方、最近、有機材料の化
学構造や高次構造を制御して、新しくオプティカルおよ
びエレクトロニクス用材料とする研究開発が活発に行わ
れ、EC素子、圧電性素子、焦電性素子、非線形光学素
子、強誘電性液晶等、金属、無機材料に比肩し得るか、
またはそれらを凌駕する有機材料が発表されている。こ
のように、無機物を凌ぐ新しい機能素材としての機能性
有機材料の開発が要望される中で、分子内に親水基と疎
水基を持つアントラセン誘導体やピレン誘導体の単分子
層の累積膜を電極基板上に形成したEL素子が特開昭5
2−35587号公報に提案されている。
【0005】
【発明が解決しようとしている課題】しかし、それらの
EL素子は、その輝度、消費電力等、現実のEL素子と
して十分な性能を得るに至っておらず、更に、該有機E
L素子の場合、キャリア電子あるいはホールの密度が非
常に小さく、キャリアの再結合等による機能分子の励起
確率が非常に小さくなり、効率の良い発光が期待できな
いものである。
EL素子は、その輝度、消費電力等、現実のEL素子と
して十分な性能を得るに至っておらず、更に、該有機E
L素子の場合、キャリア電子あるいはホールの密度が非
常に小さく、キャリアの再結合等による機能分子の励起
確率が非常に小さくなり、効率の良い発光が期待できな
いものである。
【0006】従って、本発明の目的は、上述のような従
来技術の欠点を解消して、低電圧駆動でも十分輝度の高
い発光が得られ、安価で、且つ製造が容易なEL素子の
駆動方法を提供することである。上記本発明の目的は、
EL素子の発光層を、特定の材料を組み合わせて、且つ
特定の構成に形成することにより達成された。
来技術の欠点を解消して、低電圧駆動でも十分輝度の高
い発光が得られ、安価で、且つ製造が容易なEL素子の
駆動方法を提供することである。上記本発明の目的は、
EL素子の発光層を、特定の材料を組み合わせて、且つ
特定の構成に形成することにより達成された。
【0007】
【課題を解決するための手段】すなわち、本発明は、2
層構造の発光層と、該発光層を挟持する透明電極層およ
び背面電極層とからなるEL素子の駆動方法において、
第1の発光層が、上記透明電極層に面し、且つ第2の発
光層に対して相対的に電子受容性の少なくとも1種の電
気的発光性有機化合物からなる単分子膜またはその累積
膜からなり、第2の発光層が、上記背面電極層に面し、
且つ第1の発光層に対して相対的に電子供与性の少なく
とも1種の電気的発光性有機化合物からなる抵抗加熱蒸
着法あるいはCVD法による堆積膜からなり、前記透明
電極層と前記背面電極層に、10V以下の電圧を印加
し、前記発光層を発光させることを特徴とする上記EL
素子の駆動方法である。
層構造の発光層と、該発光層を挟持する透明電極層およ
び背面電極層とからなるEL素子の駆動方法において、
第1の発光層が、上記透明電極層に面し、且つ第2の発
光層に対して相対的に電子受容性の少なくとも1種の電
気的発光性有機化合物からなる単分子膜またはその累積
膜からなり、第2の発光層が、上記背面電極層に面し、
且つ第1の発光層に対して相対的に電子供与性の少なく
とも1種の電気的発光性有機化合物からなる抵抗加熱蒸
着法あるいはCVD法による堆積膜からなり、前記透明
電極層と前記背面電極層に、10V以下の電圧を印加
し、前記発光層を発光させることを特徴とする上記EL
素子の駆動方法である。
【0008】
【好ましい実施態様】次に好ましい実施態様を挙げて本
発明を更に詳しく説明する。本発明において使用し、主
として本発明を特徴づける電気的発光性有機化合物と
は、高い発光量子効率を有し、更に外部摂動を受け易い
π電子系を有し、電気的な励起が可能な化合物であり、
例えば、基本的には、縮合多環芳香族炭化水素、p−タ
ーフェニル、2,5−ジフェニルオキサゾール、1,4
−ビス(2−メチルスチリル)−ベンゼン、キサンチ
ン、クマリン、アクリジン、シアニン色素、ベンゾフェ
ノン、フタロシアニンおよびその金属錯体、ポリフィリ
ンおよびその金属錯体、8−ヒドロキシキノリンとその
金属錯体、有機ルテニウム錯体、有機稀土類錯体および
これらの化合物の誘導体等を挙げることができる。更に
上記化合物に対して電子受容体または電子供与体となり
得る化合物としては、前記以外の複素環式化合物および
それらの誘導体、芳香族アミンおよび芳香族ポリアミ
ン、キノン構造を持つ化合物、テトラシアノキノジメタ
ンおよびテトラシアノエチレン等を挙げることができ
る。
発明を更に詳しく説明する。本発明において使用し、主
として本発明を特徴づける電気的発光性有機化合物と
は、高い発光量子効率を有し、更に外部摂動を受け易い
π電子系を有し、電気的な励起が可能な化合物であり、
例えば、基本的には、縮合多環芳香族炭化水素、p−タ
ーフェニル、2,5−ジフェニルオキサゾール、1,4
−ビス(2−メチルスチリル)−ベンゼン、キサンチ
ン、クマリン、アクリジン、シアニン色素、ベンゾフェ
ノン、フタロシアニンおよびその金属錯体、ポリフィリ
ンおよびその金属錯体、8−ヒドロキシキノリンとその
金属錯体、有機ルテニウム錯体、有機稀土類錯体および
これらの化合物の誘導体等を挙げることができる。更に
上記化合物に対して電子受容体または電子供与体となり
得る化合物としては、前記以外の複素環式化合物および
それらの誘導体、芳香族アミンおよび芳香族ポリアミ
ン、キノン構造を持つ化合物、テトラシアノキノジメタ
ンおよびテトラシアノエチレン等を挙げることができ
る。
【0009】本発明において、第1の発光層を形成する
ために有用な化合物は、上記の如き電気的発光性化合物
を必要に応じて公知の方法で化学的に修飾し、その構造
中に少なくとも1個の疎水性部分と少なくとも1個の親
水性部分(これらはいずれも相対的な意味においてであ
る。)を併有させるようにした化合物であり、例えば、
下記の一般式(I)で表される化合物およびその他の化
合物を包含する。 [(X−R1 )m Z]n −φ−R2 (I)
ために有用な化合物は、上記の如き電気的発光性化合物
を必要に応じて公知の方法で化学的に修飾し、その構造
中に少なくとも1個の疎水性部分と少なくとも1個の親
水性部分(これらはいずれも相対的な意味においてであ
る。)を併有させるようにした化合物であり、例えば、
下記の一般式(I)で表される化合物およびその他の化
合物を包含する。 [(X−R1 )m Z]n −φ−R2 (I)
【0010】上記式中におけるXは、水素原子、ハロゲ
ン原子、アルコキシ基、アルキルエーテル基、ニトロ
基;カルボキシル基、スルホン酸基、リン酸基、ケイ酸
基、第1〜3級アミノ基;これらの金属塩、1〜3級ア
ミン塩、酸塩;エステル基、スルホアミド基、アミド
基、イミノ基、4級アミノ基およびそれらの塩、水酸基
等であり;R1 は炭素数4〜30、好ましくは10〜2
5個のアルキル基、好ましくは直鎖状アルキル基であ
り;mは1または2、nは1〜4の整数であり;Zは直
接結合または、−O−、−S−、−N(R3) −、−C
H2 N(R3) −、−SO2 N(R3)−、−CO−、−
COO−等の如き連結基(R3 は水素原子、アルキル
基、アリール等の任意の置換基である)であり;φは後
に例示する如き電場発光性化合物の残基であり;R2 は
Xと同様に、水素原子またはその他の任意の置換基であ
り;1個または複数のX、φおよびR2 のうち少なくと
も1個は親水性部分であり、且つ少なくとも1個は疎水
性部分である。
ン原子、アルコキシ基、アルキルエーテル基、ニトロ
基;カルボキシル基、スルホン酸基、リン酸基、ケイ酸
基、第1〜3級アミノ基;これらの金属塩、1〜3級ア
ミン塩、酸塩;エステル基、スルホアミド基、アミド
基、イミノ基、4級アミノ基およびそれらの塩、水酸基
等であり;R1 は炭素数4〜30、好ましくは10〜2
5個のアルキル基、好ましくは直鎖状アルキル基であ
り;mは1または2、nは1〜4の整数であり;Zは直
接結合または、−O−、−S−、−N(R3) −、−C
H2 N(R3) −、−SO2 N(R3)−、−CO−、−
COO−等の如き連結基(R3 は水素原子、アルキル
基、アリール等の任意の置換基である)であり;φは後
に例示する如き電場発光性化合物の残基であり;R2 は
Xと同様に、水素原子またはその他の任意の置換基であ
り;1個または複数のX、φおよびR2 のうち少なくと
も1個は親水性部分であり、且つ少なくとも1個は疎水
性部分である。
【0011】また、本発明において、第2の発光層を形
成するために有用な化合物は、化学的に修飾されている
ことを除き、上記と同種の化合物から選択して使用す
る。第1層の形成に有用な一般式(I)の化合物のφと
して好ましいもの、、および第2層の形成に有用である
化合物の基本骨格、およびその他の化合物を例示すれ
ば、以下の通りである(但し、以下に例示するφ(基本
骨格)は、炭素数1〜4のアルキル基、アルコキシ基、
アルキルエーテル基、ハロゲン原子、ニトロ基、第1〜
3級アミノ基、水酸基、カルボアミド基、スルフォアミ
ド基等の一般的な置換基を有し得る。)。
成するために有用な化合物は、化学的に修飾されている
ことを除き、上記と同種の化合物から選択して使用す
る。第1層の形成に有用な一般式(I)の化合物のφと
して好ましいもの、、および第2層の形成に有用である
化合物の基本骨格、およびその他の化合物を例示すれ
ば、以下の通りである(但し、以下に例示するφ(基本
骨格)は、炭素数1〜4のアルキル基、アルコキシ基、
アルキルエーテル基、ハロゲン原子、ニトロ基、第1〜
3級アミノ基、水酸基、カルボアミド基、スルフォアミ
ド基等の一般的な置換基を有し得る。)。
【0012】
【0013】
【0014】
【0015】
【0016】以上の如き発光性化合物は、本発明におけ
る各々の発光層において単独でも混合物としても使用で
きる。なお、これらの化合物は好ましい化合物の例示で
あって、同一目的が達成される限り、他の誘導体または
他の化合物でもよいのは当然である。本発明において、
上記の如き発光性化合物をそれらの電気的陰性度に応じ
て、本発明のEL素子の第1の発光層と第2の発光層に
分けて使用することを特徴としている。
る各々の発光層において単独でも混合物としても使用で
きる。なお、これらの化合物は好ましい化合物の例示で
あって、同一目的が達成される限り、他の誘導体または
他の化合物でもよいのは当然である。本発明において、
上記の如き発光性化合物をそれらの電気的陰性度に応じ
て、本発明のEL素子の第1の発光層と第2の発光層に
分けて使用することを特徴としている。
【0017】すなわち、上記の如き発光性化合物は、そ
れぞれ電気陰性度が異なるから、それらのなかから、相
対的に電子受容性である前記化合物を、第1の発光層を
形成するための発光性化合物として採用し、且つこれら
に対して相対的に電子供与性である前記発光性化合物を
第2の発光層形成用化合物として選択すればよい。この
ような発光性化合物のなかで、電子供与性のものとして
特に好ましい化合物は、第1〜第3級アミノ基、水酸
基、アルコキシ基、アルキルエーテル基等の電子供与性
基を有するもの、あるいは窒素ヘテロ環化合物が主たる
ものであり、また、電子受容性のものとしては、カルボ
ニル基、スルホニル基、ニトロ基、第4級アミノ基等の
電子吸引性基を有する化合物が主たるものである。この
ような発光性化合物は本発明において、それぞれの発光
層においては単独または複数の混合物として使用するこ
とができる。
れぞれ電気陰性度が異なるから、それらのなかから、相
対的に電子受容性である前記化合物を、第1の発光層を
形成するための発光性化合物として採用し、且つこれら
に対して相対的に電子供与性である前記発光性化合物を
第2の発光層形成用化合物として選択すればよい。この
ような発光性化合物のなかで、電子供与性のものとして
特に好ましい化合物は、第1〜第3級アミノ基、水酸
基、アルコキシ基、アルキルエーテル基等の電子供与性
基を有するもの、あるいは窒素ヘテロ環化合物が主たる
ものであり、また、電子受容性のものとしては、カルボ
ニル基、スルホニル基、ニトロ基、第4級アミノ基等の
電子吸引性基を有する化合物が主たるものである。この
ような発光性化合物は本発明において、それぞれの発光
層においては単独または複数の混合物として使用するこ
とができる。
【0018】本発明のEL素子を形成する他の要素、す
なわち透明電極層と背面電極層は、発光層を挟持するも
のであって、従来公知のものはいずれも使用できるが、
少なくともその1層は透明性である必要がある。透明電
極としては、従来同様目的の透明電極層がいずれも使用
でき、好ましいものとしては、例えばポリメチルメタク
リレート、ポリエステル等の透明な合成樹脂、ガラス等
の如き透明性フイルムあるいはシートの表面に酸化イン
ジウム、酸化錫、インジウム−チン−オキサイド(IT
O)等の透明導電材料を全面にあるいはパターン状に被
覆したものである。一方の面に不透明な背面電極層を使
用する場合は、これらの不透明電極も、従来公知のもの
でよく、一般的且つ好ましいものは、厚さが約0.1〜
0.3μmのアルミニウム、銀、金等の蒸着膜である。
なわち透明電極層と背面電極層は、発光層を挟持するも
のであって、従来公知のものはいずれも使用できるが、
少なくともその1層は透明性である必要がある。透明電
極としては、従来同様目的の透明電極層がいずれも使用
でき、好ましいものとしては、例えばポリメチルメタク
リレート、ポリエステル等の透明な合成樹脂、ガラス等
の如き透明性フイルムあるいはシートの表面に酸化イン
ジウム、酸化錫、インジウム−チン−オキサイド(IT
O)等の透明導電材料を全面にあるいはパターン状に被
覆したものである。一方の面に不透明な背面電極層を使
用する場合は、これらの不透明電極も、従来公知のもの
でよく、一般的且つ好ましいものは、厚さが約0.1〜
0.3μmのアルミニウム、銀、金等の蒸着膜である。
【0019】また、透明電極層あるいは背面電極層の形
状は、板状、ベルト状、円筒状等の任意の形状でよく、
使用目的に応じて選択することができる。また、透明電
極層の厚さは、約0.01〜0.2μm程度が好まし
く、この範囲以下の厚さでは、素子自体の物理的強度や
電気的性質が不十分となり、また上記範囲以上の厚さで
は透明性や軽量性、小型性等に問題が生じるおそれがあ
る。
状は、板状、ベルト状、円筒状等の任意の形状でよく、
使用目的に応じて選択することができる。また、透明電
極層の厚さは、約0.01〜0.2μm程度が好まし
く、この範囲以下の厚さでは、素子自体の物理的強度や
電気的性質が不十分となり、また上記範囲以上の厚さで
は透明性や軽量性、小型性等に問題が生じるおそれがあ
る。
【0020】本発明のEL素子は、上記の如き2層の電
極層の間に、前述の如き相対的に電気陰性度の異なる電
気的発光性化合物を別々に用いて、2層からなる発光層
を形成することにより得られるものであり、形成された
2層構造の発光層を構成する第1層が、透明電極層に面
し、第2層に対して相対的に電子受容性である化合物か
らなる高秩序の分子配向性をもって配列した単分子膜あ
るいはその累積膜であり、第2層が、背面電極層に面
し、第1層に対して相対的に電子供与性である化合物か
らなる分子堆積膜であることを特徴としている。
極層の間に、前述の如き相対的に電気陰性度の異なる電
気的発光性化合物を別々に用いて、2層からなる発光層
を形成することにより得られるものであり、形成された
2層構造の発光層を構成する第1層が、透明電極層に面
し、第2層に対して相対的に電子受容性である化合物か
らなる高秩序の分子配向性をもって配列した単分子膜あ
るいはその累積膜であり、第2層が、背面電極層に面
し、第1層に対して相対的に電子供与性である化合物か
らなる分子堆積膜であることを特徴としている。
【0021】本発明において、このような第1層の単分
子膜あるいはその累積膜を形成する方法として、特に好
ましい方法は、ラングミュア・ブロジェット法(LB
法)である。このLB法は、分子内に親水性基と疎水性
基とを有する構造の分子において、両者のバランス(両
親媒性のバランス)が適度に保たれているとき、分子は
水面上で、親水性基を下に向けて単分子の層になること
を利用して、単分子膜またはその累積膜を形成する方法
である。
子膜あるいはその累積膜を形成する方法として、特に好
ましい方法は、ラングミュア・ブロジェット法(LB
法)である。このLB法は、分子内に親水性基と疎水性
基とを有する構造の分子において、両者のバランス(両
親媒性のバランス)が適度に保たれているとき、分子は
水面上で、親水性基を下に向けて単分子の層になること
を利用して、単分子膜またはその累積膜を形成する方法
である。
【0022】具体的には、水相上に展開した単分子膜
が、水相上を自由に拡散して広がりすぎないように、仕
切板(または浮子)を設けて展開面積を制限して膜物質
の集合状態を制御し、表面圧を徐々に上昇させ、単分子
膜あるいはその累積膜の製造に適する表面圧を設定す
る。この表面圧を維持しながら静かに清浄な基板を垂直
に上昇または降下させることにより、単分子膜が基板上
に移し取られる。単分子膜は以上で製造されるが、単分
子膜の累積膜は前記の操作を繰り返すことにより所望の
累積度の累積膜として形成される。
が、水相上を自由に拡散して広がりすぎないように、仕
切板(または浮子)を設けて展開面積を制限して膜物質
の集合状態を制御し、表面圧を徐々に上昇させ、単分子
膜あるいはその累積膜の製造に適する表面圧を設定す
る。この表面圧を維持しながら静かに清浄な基板を垂直
に上昇または降下させることにより、単分子膜が基板上
に移し取られる。単分子膜は以上で製造されるが、単分
子膜の累積膜は前記の操作を繰り返すことにより所望の
累積度の累積膜として形成される。
【0023】単分子膜を基板上に移すには、上述した垂
直浸漬法の他、水平付着法、回転円筒法等の方法によっ
ても可能である。水平付着法は基板を水面に水平に接触
させて移し取る方法で、回転円筒法は、円筒型の基体を
水面上を回転させて単分子膜を基体表面に移し取る方法
である。前述した垂直浸漬法では、表面が親水性の基板
を水面を横切る方向に水中から引き上げると分子の親水
性基が基板側に向いた単分子膜が基板上に形成される。
前述にように基板を上下させると、各行程ごとに1枚ず
つ単分子膜が重なっていく。
直浸漬法の他、水平付着法、回転円筒法等の方法によっ
ても可能である。水平付着法は基板を水面に水平に接触
させて移し取る方法で、回転円筒法は、円筒型の基体を
水面上を回転させて単分子膜を基体表面に移し取る方法
である。前述した垂直浸漬法では、表面が親水性の基板
を水面を横切る方向に水中から引き上げると分子の親水
性基が基板側に向いた単分子膜が基板上に形成される。
前述にように基板を上下させると、各行程ごとに1枚ず
つ単分子膜が重なっていく。
【0024】成膜分子の向きが、引上げ行程と浸漬行程
で逆になるので、この方法によると各層間は分子の親水
性基と親水性基、分子の疎水性基と疎水性基が向かい合
うY型膜が形成される。それに対し、水平付着法は、基
板を水面に水平に接着させて移し取る方法で、分子の疎
水性基が基板側に向いた単分子膜が基板上に形成され
る。この方法では、単分子膜を累積しても、成膜分子の
向きの交代はなく、全ての層において、疎水性基が基板
側に向いたX型膜が形成される。
で逆になるので、この方法によると各層間は分子の親水
性基と親水性基、分子の疎水性基と疎水性基が向かい合
うY型膜が形成される。それに対し、水平付着法は、基
板を水面に水平に接着させて移し取る方法で、分子の疎
水性基が基板側に向いた単分子膜が基板上に形成され
る。この方法では、単分子膜を累積しても、成膜分子の
向きの交代はなく、全ての層において、疎水性基が基板
側に向いたX型膜が形成される。
【0025】反対に、全ての層において親水性基が基板
側に向いた累積膜はZ型膜と呼ばれる。回転円筒法は、
円筒法の基体水面上を回転させて単分子膜を基体表面に
移し取る方法である。単分子膜を基板上に移す方法は、
これらに限定されるわけでなく、すなわち、大面積基板
を用いる時には、基板ロールから水相中に基板を押し出
していく方法等もとり得る。また、前述した親水性基、
疎水性基の基板への向きは原則であり、基板の表面処理
等によって変えることができる。
側に向いた累積膜はZ型膜と呼ばれる。回転円筒法は、
円筒法の基体水面上を回転させて単分子膜を基体表面に
移し取る方法である。単分子膜を基板上に移す方法は、
これらに限定されるわけでなく、すなわち、大面積基板
を用いる時には、基板ロールから水相中に基板を押し出
していく方法等もとり得る。また、前述した親水性基、
疎水性基の基板への向きは原則であり、基板の表面処理
等によって変えることができる。
【0026】本発明において、第2の発光層を構成する
分子堆積膜を形成する方法として、特に好ましい方法
は、抵抗加熱蒸着法やCVD法であり、例えば、蒸着法
では、第2の発光層として、500Å程度の薄膜が形成
できる。例えば、抵抗加熱蒸着方法による場合は、材料
を真空槽中に置いたタングステンボードに入れ、基板か
ら30cm以上はなし、抵抗加熱し、昇華性のものは昇
華温度に設定し、溶融性のものは融点以上の温度に設定
して蒸着する。全真空度は2×10-6Torr以下に
し、蒸着前にシャッターでふさぎ、ボードを加熱し2分
ほど空とばしした後、シャッターを開いて蒸着する。
分子堆積膜を形成する方法として、特に好ましい方法
は、抵抗加熱蒸着法やCVD法であり、例えば、蒸着法
では、第2の発光層として、500Å程度の薄膜が形成
できる。例えば、抵抗加熱蒸着方法による場合は、材料
を真空槽中に置いたタングステンボードに入れ、基板か
ら30cm以上はなし、抵抗加熱し、昇華性のものは昇
華温度に設定し、溶融性のものは融点以上の温度に設定
して蒸着する。全真空度は2×10-6Torr以下に
し、蒸着前にシャッターでふさぎ、ボードを加熱し2分
ほど空とばしした後、シャッターを開いて蒸着する。
【0027】蒸着中の速度は、水晶振動子の膜厚をモニ
ターで測定しながら行うが、好適な速度としては0.1
Å/sec〜100Å/secの間で行う。その際の真
空度は酸化等を防ぐために、10-3Torr以下、好ま
しくは10-5Torr程度になるように保つことにより
行う。本発明のEL素子は、前述の如き2層の電極層の
うち、透明電極に面する第1層として、上記化合物から
相対的に電子受容性である化合物を選択し、例えば、L
B法により、単分子膜またはその累積膜を形成し、且
つ、背面電極に面する第2層として、上記化合物から相
対的に電子供与性である化合物を選択し、上記の如き方
法により分子堆積膜を形成し、発光層を2層構造とする
ことにより得られる。
ターで測定しながら行うが、好適な速度としては0.1
Å/sec〜100Å/secの間で行う。その際の真
空度は酸化等を防ぐために、10-3Torr以下、好ま
しくは10-5Torr程度になるように保つことにより
行う。本発明のEL素子は、前述の如き2層の電極層の
うち、透明電極に面する第1層として、上記化合物から
相対的に電子受容性である化合物を選択し、例えば、L
B法により、単分子膜またはその累積膜を形成し、且
つ、背面電極に面する第2層として、上記化合物から相
対的に電子供与性である化合物を選択し、上記の如き方
法により分子堆積膜を形成し、発光層を2層構造とする
ことにより得られる。
【0028】従来の技術の項で述べた通り、LB法によ
りEL素子を形成することは公知であるが、該公知の方
法では、十分な性能のEL素子が得られず、本発明者
は、種々研究の結果、発光層を2層構造とし、第1層の
発光層を、前述の如き相対的に電子受容性である化合物
を用いて単分子膜あるいはその累積膜として形成し、且
つ第2層を、第1層に対して相対的に電子供与性である
化合物から分子堆積膜として形成することにより、従来
技術のEL素子の性能が著しく向上することを知見した
ものである。
りEL素子を形成することは公知であるが、該公知の方
法では、十分な性能のEL素子が得られず、本発明者
は、種々研究の結果、発光層を2層構造とし、第1層の
発光層を、前述の如き相対的に電子受容性である化合物
を用いて単分子膜あるいはその累積膜として形成し、且
つ第2層を、第1層に対して相対的に電子供与性である
化合物から分子堆積膜として形成することにより、従来
技術のEL素子の性能が著しく向上することを知見した
ものである。
【0029】本発明の1つの態様は、第1の発光層が前
記発光性材料からなる単分子膜である態様である。この
態様のEL素子は、先ず最初に、第2の層に対して相対
的に電子受容性である材料を、適当な有機溶剤、例えば
クロロホルム、ジクロロメタン、ジクロロエタン等中に
約10-4〜10-2M程度の濃度に溶解し、該溶液を、各
種の金属イオンを含有してもよい適当なpH(例えば、
pH約1〜8)の水相上に展開させ、溶剤を蒸発除去し
て単分子膜を形成し、前述の如くのLB法で、一方の透
明電極基板上に移し取って第1層とし、十分に乾燥し、
次いで、このように形成した第1層に対して相対的に電
子供与性である材料を、前記の如き分子堆積法により、
堆積膜として第2層を形成し、次いで、この第2の層の
表面に、例えばアルミニウム、銀、金等の電極材料を、
好ましくは蒸着等により蒸着させて背面電極層を形成す
ることによって得られる。
記発光性材料からなる単分子膜である態様である。この
態様のEL素子は、先ず最初に、第2の層に対して相対
的に電子受容性である材料を、適当な有機溶剤、例えば
クロロホルム、ジクロロメタン、ジクロロエタン等中に
約10-4〜10-2M程度の濃度に溶解し、該溶液を、各
種の金属イオンを含有してもよい適当なpH(例えば、
pH約1〜8)の水相上に展開させ、溶剤を蒸発除去し
て単分子膜を形成し、前述の如くのLB法で、一方の透
明電極基板上に移し取って第1層とし、十分に乾燥し、
次いで、このように形成した第1層に対して相対的に電
子供与性である材料を、前記の如き分子堆積法により、
堆積膜として第2層を形成し、次いで、この第2の層の
表面に、例えばアルミニウム、銀、金等の電極材料を、
好ましくは蒸着等により蒸着させて背面電極層を形成す
ることによって得られる。
【0030】このようにして得られたEL素子の2層か
らなる発光層の厚さは、使用した材料の種類によって異
なるが、一般的には約0.01〜1μmの厚さが好適で
ある。また、別の重要な態様は、本発明のEL素子の発
光層を構成する第1層を、上記の単分子膜の累積膜とす
る態様である。該態様は、前記のLB法を用いることに
より、上記の如き単分子膜を種々の方法で必要な層数ま
で累積し、次いで第2層を上記の如くに形成することに
よって得られる。このようにして得られる本発明のEL
素子の発光層の厚さは、任意に変更することができる
が、本発明においては、第1層の単分子膜の累積数を約
4〜200とし、第2層の厚さを約0.01〜0.5μ
mとし、発光層全体の厚さを約0.02〜1μmとする
のが好適である。
らなる発光層の厚さは、使用した材料の種類によって異
なるが、一般的には約0.01〜1μmの厚さが好適で
ある。また、別の重要な態様は、本発明のEL素子の発
光層を構成する第1層を、上記の単分子膜の累積膜とす
る態様である。該態様は、前記のLB法を用いることに
より、上記の如き単分子膜を種々の方法で必要な層数ま
で累積し、次いで第2層を上記の如くに形成することに
よって得られる。このようにして得られる本発明のEL
素子の発光層の厚さは、任意に変更することができる
が、本発明においては、第1層の単分子膜の累積数を約
4〜200とし、第2層の厚さを約0.01〜0.5μ
mとし、発光層全体の厚さを約0.02〜1μmとする
のが好適である。
【0031】なお、基板として使用する一方の電極層あ
るいは両方の電極層と発光層との接着は、LB法および
分子堆積法においては十分に強固なものであり、発光層
が剥離したり剥落したりすることはないが、接着力を強
化する目的で、基板表面を予め処理しておいたり、ある
いは基板と発光層との間に適当な接着剤層を設けてもよ
い。更に、LB法において、発光層の形成用材料の種類
や使用する水相のpH、イオン種、水温、単分子膜の転
移速度あるいは単分子膜の表面圧等の種々の条件を調節
することによっても接着力を強化することができる。以
上の如くして形成されたEL素子は、そのままでは空気
中の湿気や酸素の影響でその性能が劣化することがある
ので、従来公知の手段で耐湿、耐酸素性の密封構造とす
るのが望ましい。
るいは両方の電極層と発光層との接着は、LB法および
分子堆積法においては十分に強固なものであり、発光層
が剥離したり剥落したりすることはないが、接着力を強
化する目的で、基板表面を予め処理しておいたり、ある
いは基板と発光層との間に適当な接着剤層を設けてもよ
い。更に、LB法において、発光層の形成用材料の種類
や使用する水相のpH、イオン種、水温、単分子膜の転
移速度あるいは単分子膜の表面圧等の種々の条件を調節
することによっても接着力を強化することができる。以
上の如くして形成されたEL素子は、そのままでは空気
中の湿気や酸素の影響でその性能が劣化することがある
ので、従来公知の手段で耐湿、耐酸素性の密封構造とす
るのが望ましい。
【0032】以上の如き本発明のEL素子は、その発光
層の構造が、超薄膜であり、且つ第1層が、EL素子の
作動上必要な高度の分子秩序性と機能を有しており、且
つ、第2層と第1層とが、種々の電気的相互作用を行う
ことにより、優れた発光性能を発揮するものである。
層の構造が、超薄膜であり、且つ第1層が、EL素子の
作動上必要な高度の分子秩序性と機能を有しており、且
つ、第2層と第1層とが、種々の電気的相互作用を行う
ことにより、優れた発光性能を発揮するものである。
【0033】更に本発明のEL素子の発光層は、図1に
図解的に示すように、従来技術の単一層からなる発光層
とは異なり、図2に図解的に示すように、第1の発光層
と第2の発光層とが均一な界面を有しているので、それ
らの電気陰性度の異なる2層間で各種相互作用が極めて
容易であり、従来技術では達成しえない程度の優れた発
光性能を発揮するものである。すなわち、第1の発光層
と第2の発光層との電気陰性度の差等を種々変更するこ
とによって、発光強度を向上させたり、あるいは発光色
を任意に変更でき、また、その耐用寿命も著しく延長さ
せることができる。
図解的に示すように、従来技術の単一層からなる発光層
とは異なり、図2に図解的に示すように、第1の発光層
と第2の発光層とが均一な界面を有しているので、それ
らの電気陰性度の異なる2層間で各種相互作用が極めて
容易であり、従来技術では達成しえない程度の優れた発
光性能を発揮するものである。すなわち、第1の発光層
と第2の発光層との電気陰性度の差等を種々変更するこ
とによって、発光強度を向上させたり、あるいは発光色
を任意に変更でき、また、その耐用寿命も著しく延長さ
せることができる。
【0034】更に、従来技術では、発光性が優れている
が、成膜性や膜強度が不十分な材料は実質上使用できな
かったが、本発明においては、このような成膜性や膜強
度が劣るが、発光性に優れた材料でも、いずれか一方の
層に成膜性に優れた材料を使用することによって、発光
性、成膜性および膜強度のいずれもが優れた発光層を得
ることができる。以上の本発明のEL素子は、その発光
層に好適な電界等の電気エネルギーが作用するように、
電極層間に、交流またはパルスあるいは直流電流等の電
気エネルギーを印加することにより、優れたEL発光を
示すものである。
が、成膜性や膜強度が不十分な材料は実質上使用できな
かったが、本発明においては、このような成膜性や膜強
度が劣るが、発光性に優れた材料でも、いずれか一方の
層に成膜性に優れた材料を使用することによって、発光
性、成膜性および膜強度のいずれもが優れた発光層を得
ることができる。以上の本発明のEL素子は、その発光
層に好適な電界等の電気エネルギーが作用するように、
電極層間に、交流またはパルスあるいは直流電流等の電
気エネルギーを印加することにより、優れたEL発光を
示すものである。
【0035】
【実施例】次に製造例及び実施例を挙げて本発明を更に
具体的に説明する。なお、文中部とあるのは重量基準で
ある。 製造例1 50mm角のガラス板の表面上にスパッタリング法によ
り膜厚1500ÅのITO層を蒸着して、透明電極を形
成した。この成膜基板を充分洗浄後、Joyce-Loebel社製
のLangmuir-Trough 4の4×10-4molのKIを含
み、pH6.5に調整された水相中に浸漬した。次に、
具体的に説明する。なお、文中部とあるのは重量基準で
ある。 製造例1 50mm角のガラス板の表面上にスパッタリング法によ
り膜厚1500ÅのITO層を蒸着して、透明電極を形
成した。この成膜基板を充分洗浄後、Joyce-Loebel社製
のLangmuir-Trough 4の4×10-4molのKIを含
み、pH6.5に調整された水相中に浸漬した。次に、
【0036】
【0037】上記化合物(A)を、クロロホルムに溶か
した(10-3mol/リットル)後、上記水相上に展開
させた。溶媒のクロロホルムを蒸発除去後、表面圧を高
めて(30dyne/cm)、上記色素分子を膜状に析
出させた。その後、表面圧を一定に保ちながら、該成膜
基板を、水面を横切る方向に静かに上下させ(上下速度
2cm/min)、色素単分子膜を基板上に移し取り、
6層に累積した単分子累積膜を作成した。この累積工程
において、該基板を水槽から引上げる都度、30分間以
上放置して基板に付着している水分を蒸発除去した。
した(10-3mol/リットル)後、上記水相上に展開
させた。溶媒のクロロホルムを蒸発除去後、表面圧を高
めて(30dyne/cm)、上記色素分子を膜状に析
出させた。その後、表面圧を一定に保ちながら、該成膜
基板を、水面を横切る方向に静かに上下させ(上下速度
2cm/min)、色素単分子膜を基板上に移し取り、
6層に累積した単分子累積膜を作成した。この累積工程
において、該基板を水槽から引上げる都度、30分間以
上放置して基板に付着している水分を蒸発除去した。
【0038】次に、抵抗加熱蒸着装置を用いて、上記の
単分子の累積膜を設けた透明電極基板上に、アントラセ
ン(B)を500Åの膜厚に蒸着させた。この蒸着は、
蒸着槽を一度10-6Torrの真空度まで減圧した後、
抵抗加熱ボード(Mo)の温度を徐々に上げてゆき、蒸
着速度5Å/secとなるように、アントラセンを入れ
たボードに流れる電流を調整して蒸着膜を形成した。蒸
着時の真空度は、9×10-6Torrであった。また、
基板ホルダーの温度は、20℃の水を循環させて一定に
保った。
単分子の累積膜を設けた透明電極基板上に、アントラセ
ン(B)を500Åの膜厚に蒸着させた。この蒸着は、
蒸着槽を一度10-6Torrの真空度まで減圧した後、
抵抗加熱ボード(Mo)の温度を徐々に上げてゆき、蒸
着速度5Å/secとなるように、アントラセンを入れ
たボードに流れる電流を調整して蒸着膜を形成した。蒸
着時の真空度は、9×10-6Torrであった。また、
基板ホルダーの温度は、20℃の水を循環させて一定に
保った。
【0039】最後に上記のように形成された薄膜を蒸着
槽に入れて、該槽を一度10-6Torrの真空度まで減
圧した後、真空度を10-5Torrに調整して蒸着速度
20Å/secで、1500Åの膜厚でAlを該薄膜上
に蒸着して背面電極とした。作成されたEL素子を図3
に例示したように、シールガラスでシールした後、従来
方法に従って、精製および脱気、脱水されたシリコンオ
イルをシール中に注入して、本発明のEL発光セルを形
成した。 実施例1 製造例1のEL発光セルに10V、400Hzの交流電
圧を印加したところ、電流密度0.09mA/cm2 で
輝度15ft−LのEL発光を示した。上記の本発明の
EL素子は、従来例のZnSを発光母材としたEL素子
と比較し、駆動電圧が低く、発光輝度特性の良いEL素
子であった。
槽に入れて、該槽を一度10-6Torrの真空度まで減
圧した後、真空度を10-5Torrに調整して蒸着速度
20Å/secで、1500Åの膜厚でAlを該薄膜上
に蒸着して背面電極とした。作成されたEL素子を図3
に例示したように、シールガラスでシールした後、従来
方法に従って、精製および脱気、脱水されたシリコンオ
イルをシール中に注入して、本発明のEL発光セルを形
成した。 実施例1 製造例1のEL発光セルに10V、400Hzの交流電
圧を印加したところ、電流密度0.09mA/cm2 で
輝度15ft−LのEL発光を示した。上記の本発明の
EL素子は、従来例のZnSを発光母材としたEL素子
と比較し、駆動電圧が低く、発光輝度特性の良いEL素
子であった。
【0040】比較例1 製造例1において、第2槽を形成しなかったことを除い
て、他は製造例1と同様にして比較用のEL素子を得、
且つ実施例1と同様に評価したところ、電流密度0.2
mA/cm2 で輝度1ft−L以下であった。
て、他は製造例1と同様にして比較用のEL素子を得、
且つ実施例1と同様に評価したところ、電流密度0.2
mA/cm2 で輝度1ft−L以下であった。
【0041】製造例2 製造例1における化合物AおよびBに代えて、下記化合
物CおよびDを使用し、 他は製造例1と同様にして、本発明のEL素子(但し、
累積数は6)を得た。 実施例2 製造例2のEL素子について実施例1と同一条件で評価
したところ、電流密度0.11mA/cm2 で、輝度
(Ft−L)は18であった。
物CおよびDを使用し、 他は製造例1と同様にして、本発明のEL素子(但し、
累積数は6)を得た。 実施例2 製造例2のEL素子について実施例1と同一条件で評価
したところ、電流密度0.11mA/cm2 で、輝度
(Ft−L)は18であった。
【0042】
【図1】従来技術のLB法によるEL素子を図解的に示
す図。
す図。
【図2】本発明で使用するEL素子を図解的に示す図。
【図3】本発明で使用するEL素子の断面を図解的に示
す図。
す図。
1:透明電極 2:発光層 3:背面電極 4:発光性化合物 5:発光性化合物 6:シールガラス 7:シリコン絶縁油 8:ガラス板
フロントページの続き (56)参考文献 特開 昭60−241273(JP,A) 特開 昭57−51781(JP,A) 特開 昭52−35587(JP,A) 特公 平4−46313(JP,B2) 特公 平4−46314(JP,B2) 特公 平4−46315(JP,B2) 特公 平7−183081(JP,B2) 特公 平7−263145(JP,B2)
Claims (1)
- 【請求項1】 2層構造の発光層と、該発光層を挟持す
る透明電極層および背面電極層とからなるEL素子の駆
動方法において、第1の発光層が、上記透明電極層に面
し、且つ第2の発光層に対して相対的に電子受容性の少
なくとも1種の電気的発光性有機化合物からなる単分子
膜またはその累積膜からなり、第2の発光層が、上記背
面電極層に面し、且つ第1の発光層に対して相対的に電
子供与性の少なくとも1種の電気的発光性有機化合物か
らなる抵抗加熱蒸着法あるいはCVD法による堆積膜か
らなり、前記透明電極層と前記背面電極層に、10V以
下の電圧を印加し、前記発光層を発光させることを特徴
とする上記EL素子の駆動方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP6332354A JP2618371B2 (ja) | 1994-12-14 | 1994-12-14 | El素子の駆動方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP6332354A JP2618371B2 (ja) | 1994-12-14 | 1994-12-14 | El素子の駆動方法 |
Related Parent Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP59158889A Division JPS6137888A (ja) | 1984-07-31 | 1984-07-31 | El素子 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH07176381A JPH07176381A (ja) | 1995-07-14 |
JP2618371B2 true JP2618371B2 (ja) | 1997-06-11 |
Family
ID=18254028
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP6332354A Expired - Lifetime JP2618371B2 (ja) | 1994-12-14 | 1994-12-14 | El素子の駆動方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2618371B2 (ja) |
-
1994
- 1994-12-14 JP JP6332354A patent/JP2618371B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH07176381A (ja) | 1995-07-14 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
EXPY | Cancellation because of completion of term |