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JPH0446313B2 - - Google Patents

Info

Publication number
JPH0446313B2
JPH0446313B2 JP59158888A JP15888884A JPH0446313B2 JP H0446313 B2 JPH0446313 B2 JP H0446313B2 JP 59158888 A JP59158888 A JP 59158888A JP 15888884 A JP15888884 A JP 15888884A JP H0446313 B2 JPH0446313 B2 JP H0446313B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
film
emitting layer
light
layer
substrate
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Lifetime
Application number
JP59158888A
Other languages
English (en)
Other versions
JPS6137887A (ja
Inventor
Takeshi Eguchi
Harunori Kawada
Yukio Nishimura
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Canon Inc
Original Assignee
Canon Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Canon Inc filed Critical Canon Inc
Priority to JP59158888A priority Critical patent/JPS6137887A/ja
Priority to US06/759,967 priority patent/US4672265A/en
Publication of JPS6137887A publication Critical patent/JPS6137887A/ja
Publication of JPH0446313B2 publication Critical patent/JPH0446313B2/ja
Granted legal-status Critical Current

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  • Luminescent Compositions (AREA)

Description

【発明の詳现な説明】
産業䞊の利甚分野 本発明は、電気的な発光、すなわちELを甚い
たEL玠子に関し、曎に詳しくは、発光局が局
構造からなり、各々の局が隣接する他の局に察し
お盞察的に電気陰性床が異なる少なくずも皮の
電気的発光性有機化合物を、高秩序の分子配向性
をも぀お配列させた薄膜からなるEL玠子に関す
る。 埓来の技術 埓来のEL玠子は、MnあるいはCuたたはReF3
Re垌土類むオン等を䞍掻剀ずしお含むZnS
を発光母材ずする発光局からなるものであり、該
発光局の基本構造の違いにより粉末型ELず薄膜
型ELに倧きく構造的に分類される。 実甚化されおいる玠子のうち、薄膜ELは、䞀
般的に粉末型ELに比べ茝床が高いが、薄膜ELは
発光母材を基板に蒞着しお発光局を圢成しおいる
ため、倧面積玠子の補造が難しく、たた補造コス
トが非垞に高くなる等の欠点を有しおいた。その
ため、最も量産性に富み、コスト的に薄膜型玠子
の数十分の䞀皋床ですむ有機バむンダヌ䞭に発光
母材、すなわち、ZnSを分散させた粉末型ELが
泚目されるようにな぀た。䞀般的には、EL発光
においおは、発光局の厚さが薄い皋発光特性が良
くなる。しかし、該粉末型ELの堎合は、発光母
材が䞍連続の粉末であるため、発光局を薄くする
ず、発光局䞭にピンホヌルが生じ易く、局厚を薄
くするこずが困難であり、埓぀お十分な茝床特性
が埗られないずいう倧きな欠点を持぀おいる。近
時においおも、該粉末型ELの発光局内にフツ化
ビニリデン系重合䜓から成る䞭間誘電䜓局を配眮
した改良型玠子が、特開昭58−172891号公報に瀺
されおいるが、未だ発光茝床、消費電力等に十分
な性胜を埗るにいた぀おいない。䞀方、最近、有
機材料の化孊構造や高次構造を制埡しお、新しく
オプテむカルおよび゚レクトロニクス甚材料ずす
る研究開発が掻発に行なわれEC玠子、圧電性玠
子、焊電性玠子、非線蚈光孊玠子、匷誘電性液晶
等、金属、無機材料に比肩し埗るか、たたはそれ
らを凌駕する有機材料が発衚されおいる。このよ
うに、無機物を凌ぐ新しい機胜玠材ずしおの機胜
性有機材料の開発が芁望される䞭で、分子内に芪
氎基ず疎氎基を持぀アントラセン誘導䜓やピレン
誘導䜓の単分子局の环積膜を電極基板䞊に圢成し
たEL玠子が特開昭52−35587号公報に提案されお
いる。しかし、それらのEL玠子は、その茝床、
消費電力等、珟実のEL玠子ずしお十分な性胜を
埗るに至぀おおらず、曎に、該有機EL玠子の堎
合、キダリア電子あるいはホヌルの密床が非垞に
小さくキダリアの再結合等による機胜分子の励起
確率が非垞に小さくなり、効率の良い発光が期埅
できないものである。 発明の開瀺 埓぀お、本発明の目的は、䞊述のような埓来技
術の欠点を解消しお、䜎電圧駆動でも十分茝床の
高い発光が埗られ、安䟡で、䞔぀補造が容易な
EL玠子を提䟛するこずである。 䞊蚘本発明の目的は、EL玠子の発光局を、特
定の材料を組合わせお、䞔぀特定の構成に圢成す
るこずにより達成された。 すなわち、本発明は、局構造の発光局ず、該
発光局を挟持する少なくずも局が透明である
局の電極局からなるEL玠子においお、䞊蚘第
の発光局が、第の発光局に察しお盞察的に電子
受容性の少なくずも皮の電気的発光性有機化合
物からなる単分子膜たたはその环積膜からなり、
䞔぀第の発光局が第の発光局に察しお盞察的
に電子䟛䞎性の少なくずも皮の電気的発光性有
機化合物からなる単分子膜たたはその环積膜から
なるこずを特城ずする䞊蚘EL玠子である。 本発明を詳现に説明するず、本発明においお䜿
甚し、䞻ずしお本発明を特城づける電気的発光性
有機化合物ずは、高い発光量子効率を有し、曎に
倖郚摂動を受け易いπ電子系を有し、電気的な励
起が可胜な化合物であり、䟋えば、基本的には、
瞮合倚環芳銙族炭化氎玠、−タ−プニル、
−ゞプニルオキサゟヌル、−ビス
−メチルスチリル−ベンれン、キサンチン、
クマリン、アクリゞン、シアニン色玠、ベンゟフ
゚ノン、フタロシアニンおよびその金属錯䜓、ポ
ルフむリンおよびその金属錯䜓、−ヒドロキシ
キノリンずその金属錯䜓、有機ルテニりム錯䜓、
有機皀土類錯䜓およびこれらの化合物の誘導䜓を
挙げるこずができる。曎に䞊蚘化合物に察しお電
子受容䜓たたは電子䟛䞎䜓ずなり埗る化合物ずし
おは、前蚘以倖の耇玠環匏化合物およびそれらの
誘導䜓、芳銙族アミンおよび芳銙族ポリアミン、
キノン構造をも぀化合物、テトラシアノキノゞメ
タンおよびテトラシアノ゚チレン等を挙げるこず
ができる。 本発明においお、特に有甚な化合物は、䞊蚘の
劂き電気的発光性化合物を必芁に応じお公知の方
法で化孊的に修食し、その構造䞭に少なくずも
個の疎氎性郚分ず少なくずも個の芪氎性郚分
これらはいずれも盞察的な意味においおであ
る。を䜵有させるようにした化合物であり、䟋
えば䞋蚘の䞀般匏で衚わされる化合物およ
びその他の化合物を包含する。 −R1no−φ−R2  䞊蚘匏䞭におけるは、氎玠原子、ハロゲン原
子、アルコキシ基、アルキル゚ヌテル基、ニトロ
基、カルボキシル基、スルホン酞基、リン酞基、
ケむ酞基、第〜アミノ基これらの金属塩、
〜玚アミン基、酞塩゚ステル基、スルホア
ミド基、アミド基、むミノ基、玚アミノ基およ
びそれらの塩、氎酞基等でありR1は炭玠数
〜30、奜たしくは10〜25個のアルキル基、奜たし
くは盎鎖状アルキル基でありはたたは、
は〜の敎数でありは盎接結合たたは−
−、−−、
【匏】
【匏】
【匏】−CO−、−COO−等の劂き連結基 R3は氎玠原子、アルキル基、アリヌル等の任意
の眮換基であるでありφは埌に䟋瀺する劂き
電堎発光性化合物の残基でありR2はず同様
に、氎玠原子たたはその他の任意の眮換基であ
り個たたは耇数の、φおよびR2のうち少
なくずも個は芪氎性郚分であり、䞔぀少なくず
も個は疎氎性郚分である。 䞀般匏の化合物のφずしお奜たしいもの
およびその他の化合物を䟋瀺すれば、以䞋の通り
である。 以䞊の劂き発光性化合物は、本発明における
各々の発光局においお単独でも混合物ずしおも䜿
甚できる。なお、これらの化合物は奜たしい化合
物の䟋瀺であ぀お、同䞀目的が達成される限り、
他の誘導䜓たたは他の化合物でも良いのは圓然で
ある。 本発明においお、䞊蚘の劂き発光性化合物をそ
れらの電気的陰性床に応じお、本発明のEL玠子
の第の発光局ず第の発光局に分けお䜿甚する
こずを特城ずしおいる。すなわち、䞊蚘の劂き発
光性化合物は、それぞれ電気陰性床が異なるか
ら、皮のたたは耇数の前蚘化合物を第の発光
局を圢成するための発光性化合物ずしお採甚した
ずきには、これら採甚した発光性化合物ずは、そ
の電気的陰性床の異なる前蚘発光性化合物を第
の発光局圢成甚化合物ずしお遞択すれば良い。こ
のような発光性化合物のなかで、電子䟛䞎性のも
のずしお特に奜たしい化合物は、第〜第玚ア
ミノ基、氎酞基、アルコキシ基、アルキル゚ヌテ
ル基等の電子䟛䞎性基を有するもの、あるいは窒
玠ヘテロ環化合物が䞻たるものであり、たた電子
受容性のものずしおは、カルボニル基、スルホニ
ル基、ニトロ基、第玚アミノ基等の電子吞匕性
基を有する化合物が䞻たるものである。このよう
な発光性化合物は本発明においお、それぞれの発
光局においおは単独たたは耇数の混合物ずしお䜿
甚するこずができる。 本発明のEL玠子を圢成する他の芁玠、すなわ
ち局の電極局は、発光局を挟持するものであ぀
お、埓来公知のものはいずれも䜿甚できるが、少
なくずもその局は透明性である必芁がある。透
明電極ずしおは、埓来同様目的の透明電極局がい
ずれも䜿甚でき、奜たしいものずしおは、䟋えば
ポリメチルメタクリレヌト、ポリ゚ステル等の透
明な合成暹脂、ガラス等の劂き透明性フむルムあ
るいはシヌトの衚面に酞化むンゞりム、酞化錫、
むンゞりム−チン−オキサむドITO等の透明
導電材料を党面にあるいはパタヌン状に被芆した
ものである。䞀方の面に䞍透明電極を䜿甚する堎
合は、これらの䞍透明電極も、埓来公知のもので
よく、䞀般的䞔぀奜たしいものは、厚さが玄0.1
〜0.3Όのアルミニりム、銀、金等の蒞着膜であ
る。たた透明電極あるいは䞍透明電極の圢状は、
板状、ベルト状、円筒状等任意の圢状でよく、䜿
甚目的に応じお遞択するこずができる。たた、透
明電極の厚さは、玄0.01〜0.2Ό皋床が奜たし
く、この範囲以䞋の厚さでは、玠子自䜓の物理的
匷床や電気的性質が䞍十分ずなり、たた䞊蚘範囲
以䞊の厚さでは透明性や軜量性、小型性等に問題
が生じるおそれがある。 本発明のEL玠子は、䞊蚘の劂き局の電極局
の間に、前述の劂き盞察的に電気陰性床の異なる
電気的発光性化合物を別々に甚いお、局からな
る発光局を圢成するこずにより埗られるものであ
り、圢成された局構造の発光局を構成する分子
がそれぞれ高秩序の分子配向性をも぀お配列した
単分子膜あるいはその环積膜であるこずを特城ず
しおいる。 本発明においお、このような単分子膜あるいは
その环積膜を圢成する方法ずしお、特に奜たしい
方法は、ラングミナア・プロゞ゚ツト法LB法
である。このLB法は、分子内に芪氎性基ずを有
する構造の分子においお、䞡者のバランス䞡芪
媒性のバランスが適床に保たれおいるずき、分
子は氎面䞊で、芪氎性基を䞋に向けお単分子の局
になるこずを利甚しお、単分子膜たたはその环積
膜を圢成する方法である。具䜓的には、氎局䞊に
展開した単分子膜が、氎盞䞊を自由に拡散しお広
がりすぎないように、仕切板たたは浮子を蚭
けお展開面積を制限しお膜物質の集合状態を制埡
し、衚面圧を埐々に䞊昇させ、単分子膜あるいは
环積膜の補造に適する衚面圧を蚭定する。この衚
面圧を維持しながら静かに枅浄な基板を垂盎に䞊
昇たたは降䞋させるこずにより、単分子膜が基板
䞊に移しずられる。単分子膜は以䞊で補造される
が、単分子膜の环積膜は前蚘の操䜜を繰り返すこ
ずにより所望の环積床の环積膜ずしお圢成され
る。 単分子膜を基板䞊に移すには、䞊述した垂盎浞
挬法の他、氎平付着法、回転円筒法などの方法に
よ぀おも可胜である。氎平付着法は基板を氎面に
氎平に接觊させお移しずる方法で、回転円筒法
は、円筒型の基䜓を氎面䞊を回転させお単分子膜
を基䜓衚面に移しずる方法である。前述した垂盎
浞挬法では、衚面が芪氎性の基板を氎面を暪切る
方向に氎䞭から匕き䞊げるず分子の芪氎性基が基
板偎に向いた単分子膜が基板䞊に圢成される。前
述のように基板を䞊䞋させるず、各行皋ごずに
枚ず぀単分子膜が重な぀おいく。成膜分垂の向き
が、匕き䞊げ行皋ず浞挬行皋で逆になるので、こ
の方法によるず各局間は分子の芪氎性基ず芪氎性
基、分子の疎氎性基ず疎氎性基が向かい合う型
膜が圢成される。それに察し、氎平付着法は、基
板を氎面に氎平に接着させお移しずる方法で、分
子の疎氎性基が基板偎に向いた単分子膜が基板䞊
に圢成される。この方法では、単分子膜を环積し
おも、成膜分子の向きの亀代はなく、党おの局に
おいお、疎氎性基が基板偎に向いた型膜が圢成
される。反察に、党おの局においお芪氎性基が基
板偎に向いた环積膜は型膜ず呌ばれる。回転円
筒法は、円筒法の基䜓氎面䞊を回転させお単分子
膜を基䜓衚面に移しずる方法である。単分子膜を
基板䞊に移す方法は、これらに限定されるわけで
はなく、即ち、倧面積基板を甚いる時には、基板
ロヌルから氎局䞭に基板を抌し出しおいく方法な
どもずり埗る。たた、前述した芪氎性基、疎氎性
基の基板ぞの向きは原則であり、基板の衚面凊理
等によ぀お倉えるこずができる。 本発明のEL玠子は、前述の劂き発光局圢成甚
材料を奜たしくは䞊述の劂きLB法により、前述
の劂き局の電極局の間にそれぞれ電気陰性床の
異なる化合物から、局構造ずしお圢成するこず
によ぀お埗られるものである。 埓来の技術の項で述べた通り、LB法によりEL
玠子を圢成するこずは公知であるが、該公知の方
法では、十分な性胜のEL玠子が埗られず、本発
明者は、皮々研究の結果、発光局を局構造ず
し、それぞれの発光局を前述の劂き電気陰性床の
異なる化合物を甚いお単分子膜あるいはその环積
膜ずしお圢成するこずにより、埓来技術のEL玠
子の性胜が著しく向䞊するこずを知芋したもので
ある。 本発明の぀の重芁な態様は、各々の発光局が
前蚘発光性材料からなる単分子膜である態様であ
る。この態様のEL玠子は、たず最初に、他の局
に察しお盞察的に電子受容性である材料を、適圓
な有機溶剀、䟋えばクロロホルム、ゞクロロメタ
ン、ゞクロロ゚タン等䞭に玄10-4〜10-2M皋床の
濃床に溶解し、該溶液を各皮の金属むオンを含有
しおもよい適圓なPH䟋えば、PH玄〜の氎
盞䞊に展開させ、溶剀を蒞発陀去しお単分子膜を
圢成し、前述の劂くのLB法で、䞀方の電極基板
䞊に移し取぀お第局ずし、十分に也燥し、次い
で、このように圢成した第局に察しお盞察的に
電子䟛䞎性である材料を、同様にしお単分子膜ず
しお、その第の発光局の衚面に移しずり、次い
で、この第の局の衚面に䟋えばアルミニりム、
銀、金等の電極材料を、奜たしくは蒞着等により
蒞着させお背面電極局を圢成するこずによ぀お埗
られる。 このようにしお埗られたEL玠子の局の単分
子膜からなる発光局の厚さは、䜿甚した材料の皮
類によ぀お異なるが、䞀般的には玄0.01〜1Όの
厚さが奜適である。 たた、別の重芁な態様は、本発明のEL玠子の
発光局を構成する局のうち少なくずも䞀方、奜
たしくは䞡方ずもが、䞊蚘の単分子膜の环積膜で
ある態様である。該態様は、前蚘のLB法を甚い
るこずにより、䞊蚘の劂き単分子膜を皮々の方法
で必芁な局数たで环積するこずによ぀お埗られ
る。 このようにしお埗られるEL玠子の発光局の厚
さ、すなわち単分子膜の环積数は、任意に倉曎す
るこずができる、本発明においおは、局の合蚈
で玄〜400の环積数が奜適である。 なお、基板ずしお䜿甚する䞀方の電極局あるい
は䞡方の電極局ず発光局ずの接着は、LB法にお
いおは十分に匷固なものであり、発光局が剥離し
たり剥萜したりするこずはないが、接着力を匷化
する目的で、基板衚面をあらかじめ凊理しおおい
たり、あるいは基板ず発光局ずの間に適圓な接着
剀局を蚭けおもよい。曎に、発光局の圢成甚材料
や䜿甚する氎局のPH、むオン皮、氎枩、単分子膜
の転移速床あるいは単分子膜の衚面圧等の皮々の
条件を調節によ぀おも接着力を匷化するこずがで
きる。 以䞊の劂くしお圢成されたEL玠子は、そのた
たでは空気䞭の湿気や酞玠の圱響でその性胜が劣
化するこずがあるので、埓来公知の手段で耐湿、
耐酞玠性の密封構造ずするのが望たしい。 以䞊の劂き本発明のEL玠子は、その発光局の
構造が、超薄膜であり、䞔぀EL玠子の䜜動䞊必
芁な高床の分子秩序性ず機胜を有しおおり、優れ
た発光性胜を有するものである。たた、補造面で
は、倧面積にわた぀お、発光局の厚さが均䞀で、
欠陥のないEL玠子ずするこずができ、たた垞枩、
垞圧たたはそれに近い条件で䜜成するこずができ
るため、比范的耐熱性のない発光機胜材料も䜿甚
するこずができるずいう利点がある。 曎に、本発明のEL玠子の発光局は、第図に
図解的に瀺すように、埓来技術の単䞀局からなる
発光局ずは異なり、第図に図解的に瀺すよう
に、第の発光局ず第の発光局ずが均䞀な界面
を有しおいるので、それらの電気陰性床の異なる
局間での各皮盞互䜜甚が極めお容易であり、埓
来技術では達成しえない皋床の優れた発光性胜を
発揮するものである。すなわち、第の発光局ず
第の発光局ずの電気陰性床の差等を皮々倉曎す
るこずによ぀お、発光匷床を向䞊させたり、ある
いは発光色を任意に倉曎でき、たた、その耐甚寿
呜も著しく延長させるこずができる。 曎に、埓来技術では、発光性が優れおいるが、
成膜性や膜匷床が䞍十分な材料は実質䞊䜿甚でき
なか぀たが、本発明においおは、このような成膜
性や膜匷床が劣るが、発光性に優れた材料でも、
いずれか䞀方の局に成膜性に優れた材料を䜿甚す
るこずによ぀お、発光性、成膜性および膜匷床の
いずれもが優れた発光局を埗るこずができる。 以䞊の本発明のEL玠子は、その発光局に奜適
な電界等の電気゚ネルギヌが䜜甚するように、電
極局間に、亀流たたはパルスあるいは盎流電流等
の電気゚ネルギヌを印加するこずにより、優れた
EL発光を瀺すものである。 次に実斜䟋をあげお本発明を曎に具䜓的に説明
する。なお、文䞭郚ずあるのは重量基準である。 実斜䟋  50mm角のガラス板の衚面䞊にスパツタリング法
により膜厚1500AのITO局を蒞着しお、透明電極
を圢成した。この成膜基板を充分掗浄埌、Joyce
−Loebel瀟補のLangmuir−Trough4の×
10-4MのCdcl2を含み、PH6.5に調敎された氎盞䞭
に浞挬した。 次に、䞊蚘化合物を、クロロホルムに溶かし
た10-3mol埌、䞊蚘氎盞䞊に展開させ
た。溶媒のクロロホルムを蒞発陀去埌、衚面圧を
高めお30dynecm、䞊蚘色玠分子を膜状に析
出させた。その埌、衚面圧を䞀定に保ちながら、
該成膜基板を、氎面を暪切る方向に静かに䞊䞋さ
せ䞊䞋速床cmmin、色玠単分子膜を基板
䞊に移し取り、単分子膜のみ、、10および15å±€
に环積した単分子环積膜を䜜成した。この环積工
皋においお、該基板を氎槜から匕きあげる郜床、
30分間以䞊攟眮しお基板に付着しおいる氎分を蒞
発陀去した。 次に、該氎盞衚面に残぀た䞊蚘単分子膜を完党
に取り陀き、新たにクロロホルムに溶解したピレ
ン誘導䜓 を該氎盞䞊に展開した。䞊蚘ず同じ方法により、
すでに䜜成された単分子膜および単分子环積膜衚
面䞊に新しい機胜性単分子膜のみ、単分子膜を
、10および15局环積した环積膜を圢成した。 䞊蚘のように圢成された薄膜を有する基板を蒞
着槜に入れお、該槜を䞀床10-6Torrの真空床た
で枛圧した埌、真空床10-5Torrに調敎しお蒞着
速床20Åsecで、1500Åの膜圧でA1を該薄膜䞊
に蒞着しお背面電極ずした。䜜成されたEL玠子
を図に䟋瀺したように、シヌルガラスでシヌル
したのち、埓来方法に埓぀お、粟補および脱気、
脱氎されたシリコンオむルをシヌル䞭に泚入し
お、本発明の個のEL発光セルを圢成した。こ
れらのEL発光セルに10V、400Hzの亀流電圧を印
加したずころ、該色玠特有の色を有するEL発光
を埗た。評䟡結果を第衚に瀺す。 䞊蚘の本発明のEL玠子は、埓来䟋のZnSを発
光母䜓ずしたEL玠子ず比范し、駆動電圧が䜎く、
発光茝床特性の良いEL玠子であ぀た。 実斜䟋  実斜䟋ず同様なプロセスにより、
【匏】および をそれぞれ単分子膜ずする玔粋ヘテロ环積膜を䜜
成し、発光局ずした本発明のEL玠子を䜜成した。
評䟡結果を第衚に瀺す。 比范䟋  実斜䟋においお、発光性化合物ずしお化合物
のみを䜿甚し、䞔぀単䞀にしたこずを陀いお、
他は実斜䟋ず同様にしお比范甚のEL玠子を埗、
䞔぀実斜䟋ず同様に評䟡した。評䟡結果は第
衚に瀺した。 比范䟋  実斜䟋においお、発光性化合物ずしお化合物
のみを䜿甚し、䞔぀単䞀局にしたこずを陀い
お、他は実斜䟋ず同様にしお比范甚のEL玠子
を埗、䞔぀実斜䟋ず同様に評䟡した。評䟡結果
は第衚に瀺した。
【衚】
【衚】 実斜䟋  実斜䟋における化合物およびに代えお、
䞋蚘化合物およびを䜿甚し、 他は実斜䟋ず同様にしお、本発明のEL玠子
䜆し、各々の环積数は10を埗、実斜䟋ず同
䞀条件で評䟡したずころ、電流密床0.09mAcm2
で、茝床Ft−は18であ぀た。
【図面の簡単な説明】
第図は、埓来技術のLB法によるEL玠子を図
解的に瀺したものであり、第図は、本発明の
EL玠子を図解的に瀺したものであり、第図は
本発明のEL玠子の断面を図解的に瀺したもので
ある。 透明電極、発光局、背面電極、
発光性化合物、発光性化合物、シヌ
ルガラス、シリコン絶瞁油、ガラス板。

Claims (1)

    【特蚱請求の範囲】
  1.  局構造の発光局ず、該発光局を挟持する少
    なくずも局が透明である局の電極局からなる
    EL玠子においお、䞊蚘の第の発光局が、第
    の発光局に察しお盞察的に電子受容性の少なくず
    も皮の電気的発光性有機化合物からなる単分子
    膜たたはその环積膜からなり、䞔぀第の発光局
    が、第の発光局に察しお盞察的に電子䟛䞎性の
    少なくずも皮の電気的発光性有機化合物からな
    る単分子膜たたはその环積膜からなるこずを特城
    ずする䞊蚘EL玠子。
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