JP2665383B2 - ダイシング・ダイボンドフィルム - Google Patents
ダイシング・ダイボンドフィルムInfo
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Description
【発明の詳細な説明】 ＜産業上の利用分野＞ 本発明は半導体ウエハのダイシングおよびダイシング
後の半導体素子の接着が容易かつ高精度に行ない得るダ
イシング・ダイボンドフィルムに関し、詳しくは半導体
素子をリードフレームや基板などの被取付体に固着する
ための接着剤を、ダイシング前の半導体ウエハに予め付
設した状態で取り扱いができるようにし、製造工程の簡
略化を行なうフィルムに関する。
後の半導体素子の接着が容易かつ高精度に行ない得るダ
イシング・ダイボンドフィルムに関し、詳しくは半導体
素子をリードフレームや基板などの被取付体に固着する
ための接着剤を、ダイシング前の半導体ウエハに予め付
設した状態で取り扱いができるようにし、製造工程の簡
略化を行なうフィルムに関する。
＜従来の技術＞ 回路パターンが形成された半導体ウエハは、必要に応
じて裏面研摩して厚さ調整した後、ダイシング工程で素
子小片に分断される。形成された半導体素子は、マウン
ト工程において接着剤を介し、被取付体に固着された
後、ボンディング工程に移行される。なお、ダイシング
に際しては切断層の除去などのため超純水にて適度な液
圧（通常、2kg/cm2程度）洗浄するとが通例である。
じて裏面研摩して厚さ調整した後、ダイシング工程で素
子小片に分断される。形成された半導体素子は、マウン
ト工程において接着剤を介し、被取付体に固着された
後、ボンディング工程に移行される。なお、ダイシング
に際しては切断層の除去などのため超純水にて適度な液
圧（通常、2kg/cm2程度）洗浄するとが通例である。
前記において、被取付体に接着剤を付設し、この接着
剤を介して半導体素子を固着するという従来の方法で
は、接着剤層の厚さを均一にすることが困難であった
り、接着剤の付設に特殊な装置を要したり、また付設に
長時間を要したりするために、半導体素子にダイシング
する前の半導体ウエハに、予め固着用の接着剤を設ける
方法が試みられている。
剤を介して半導体素子を固着するという従来の方法で
は、接着剤層の厚さを均一にすることが困難であった
り、接着剤の付設に特殊な装置を要したり、また付設に
長時間を要したりするために、半導体素子にダイシング
する前の半導体ウエハに、予め固着用の接着剤を設ける
方法が試みられている。
前記の方法として、支持基材の上に導電性接着剤層を
剥離可能に付設してなるウエハ固着部材を用い、その接
着剤層に半導体ウエハを接着保持させ、該接着剤層と共
に半導体ウエハを素子小片にダイシングする。次に、支
持基材を延伸し、個々に分割形成された半導体素子を接
着剤層と共にピックアップしつつ、導電性接着剤層を介
して被取付体に固着する方法が提案されている（特開昭
60−57642号公報参照）。
剥離可能に付設してなるウエハ固着部材を用い、その接
着剤層に半導体ウエハを接着保持させ、該接着剤層と共
に半導体ウエハを素子小片にダイシングする。次に、支
持基材を延伸し、個々に分割形成された半導体素子を接
着剤層と共にピックアップしつつ、導電性接着剤層を介
して被取付体に固着する方法が提案されている（特開昭
60−57642号公報参照）。
この方法では固着部材がダイシング工程において半導
体ウエハを接着保持する役割も兼ねており、工程が簡略
となる利点を有している。
体ウエハを接着保持する役割も兼ねており、工程が簡略
となる利点を有している。
しかしながら、支持基材と導電性接着剤層との接着力
を調整することが困難である。すなわち、半導体ウエハ
を素子小片に分断する点からは、ダイシング時に支持基
材と導電性接着剤層とが層間剥離してダイシング不能や
分断寸法ミスなどの事態が生じないように、その剥離力
に耐えうる強い保持力が要求される。一方、形成された
半導体素子を導電性接着剤層と共に支持基材から剥離す
る点からは、弱い接着力であることも要求される。その
ために、これらの背反する要求がバランスを保つよう
に、支持基材と導電性接着剤層との接着力を調整する必
要があるが、その調整は極めて困難である。特に、半導
体ウエハを回転丸刃などでダイシングする場合には、大
きい負荷がかかり高い保持力が要求される。
を調整することが困難である。すなわち、半導体ウエハ
を素子小片に分断する点からは、ダイシング時に支持基
材と導電性接着剤層とが層間剥離してダイシング不能や
分断寸法ミスなどの事態が生じないように、その剥離力
に耐えうる強い保持力が要求される。一方、形成された
半導体素子を導電性接着剤層と共に支持基材から剥離す
る点からは、弱い接着力であることも要求される。その
ために、これらの背反する要求がバランスを保つよう
に、支持基材と導電性接着剤層との接着力を調整する必
要があるが、その調整は極めて困難である。特に、半導
体ウエハを回転丸刃などでダイシングする場合には、大
きい負荷がかかり高い保持力が要求される。
そこで本発明者らは、上記従来技術の欠点を解決する
ものとして、支持基材に設けた粘着層の上に、半導体ウ
エハおよび素子固着用接着を有し、その粘着層と固着用
接着層とを剥離可能に形成してなるダイシング・ダイボ
ンド用フィルムを提案した。しかし、上記欠点は解決さ
れるものの粘着層と固着用接着層の剥離性および被取付
体と固着用接着層の高温接着強度などに未だ問題が残っ
ている。
ものとして、支持基材に設けた粘着層の上に、半導体ウ
エハおよび素子固着用接着を有し、その粘着層と固着用
接着層とを剥離可能に形成してなるダイシング・ダイボ
ンド用フィルムを提案した。しかし、上記欠点は解決さ
れるものの粘着層と固着用接着層の剥離性および被取付
体と固着用接着層の高温接着強度などに未だ問題が残っ
ている。
＜発明が解決しようとする課題＞ 従って、本発明はダイシング時における粘着層と固着
用接着層の剥離性と接着性のバランスを保ち、ダイボン
ド時の被取付体と固着用接着層との間の接着強度、特に
高温接着強度に優れるダイシング・ダイボンドフィルム
を提供することを目的とする。
用接着層の剥離性と接着性のバランスを保ち、ダイボン
ド時の被取付体と固着用接着層との間の接着強度、特に
高温接着強度に優れるダイシング・ダイボンドフィルム
を提供することを目的とする。
＜課題を解決するための手段＞ 本発明者らは上記目的を達成するために、さらに検討
を重ねた結果、粘着層を介した半導体素子の保持方式と
して、上記粘着層と固着用接着剤層の間に熱可塑性接着
フィルムを介在させることにより、高温接着強度が向上
し、さらにダイシング後のピックアップ時における剥離
性にも優れることを見い出したものである。また、接着
層の吸水・吸湿が低減して信頼性が向上し、かつ、ダイ
ボンド加熱時間が短縮され合理化されることを見い出
し、本発明を完成するに至った。
を重ねた結果、粘着層を介した半導体素子の保持方式と
して、上記粘着層と固着用接着剤層の間に熱可塑性接着
フィルムを介在させることにより、高温接着強度が向上
し、さらにダイシング後のピックアップ時における剥離
性にも優れることを見い出したものである。また、接着
層の吸水・吸湿が低減して信頼性が向上し、かつ、ダイ
ボンド加熱時間が短縮され合理化されることを見い出
し、本発明を完成するに至った。
すなわち、本発明は支持基材上に粘着層、熱可塑性接
着フィルムおよびウエハ固定用接着層を順次積層してな
り、前記粘着層と熱可塑性接着フィルムが剥離可能に積
層されてなるダイシング・ダイボンドフィルムを提供す
るものである。
着フィルムおよびウエハ固定用接着層を順次積層してな
り、前記粘着層と熱可塑性接着フィルムが剥離可能に積
層されてなるダイシング・ダイボンドフィルムを提供す
るものである。
本発明で用いる支持基材は、半導体ウエハを固定用接
着層に固定してダイシングした後、ダイボンドするまで
の間半導体ウエハを支持するものであり、一般にポリプ
ロピレン、ポリエチレン、ポリエステル、ポリカーボネ
ート、エチレン・酢酸ビニル共重合体、エチレン・プロ
ピレン共重合体、エチレン・エチルアクリレート共集合
体、ポリ塩化ビニルの如きプラスチックからなるフィル
ムや、金属箔などが用いられる。帯電防止能を有するプ
ラスチック系の支持基材は、導電性物質、例えば金属、
合金、その酸化物などからなる厚さ30〜500Åの蒸着層
を有するフィルムや、このフィルムのラミネート体など
として得ることができる。支持基材の厚さは５〜200μ
ｍ、就中10〜100μｍが一般的である。
着層に固定してダイシングした後、ダイボンドするまで
の間半導体ウエハを支持するものであり、一般にポリプ
ロピレン、ポリエチレン、ポリエステル、ポリカーボネ
ート、エチレン・酢酸ビニル共重合体、エチレン・プロ
ピレン共重合体、エチレン・エチルアクリレート共集合
体、ポリ塩化ビニルの如きプラスチックからなるフィル
ムや、金属箔などが用いられる。帯電防止能を有するプ
ラスチック系の支持基材は、導電性物質、例えば金属、
合金、その酸化物などからなる厚さ30〜500Åの蒸着層
を有するフィルムや、このフィルムのラミネート体など
として得ることができる。支持基材の厚さは５〜200μ
ｍ、就中10〜100μｍが一般的である。
本発明において支持基材上には、後述する熱可塑性接
着フィルムと剥離可能に設けられた粘着層が積層されて
いる。
着フィルムと剥離可能に設けられた粘着層が積層されて
いる。
この粘着層はダイシングした後、半導体素子をピック
アップする際に、熱可塑性接着フィルムと容易に剥離で
きるものであり、その材質は特に限定されない。
アップする際に、熱可塑性接着フィルムと容易に剥離で
きるものであり、その材質は特に限定されない。
本発明のフィルムにおいて上記粘着層と熱可塑性接着
フィルムとの接着力は、180度ピール値（常温、引張速
度300mm/分）に基づき、半導体ウエハの分断時において
200g/20mm以上、形成された半導体チップの剥離時にお
いて150g/20mm以下となるように粘着層ないし熱可塑性
接着フィルムを調製したものが、分断時の保持力、剥離
時の剥離容易性などの点から好ましい。
フィルムとの接着力は、180度ピール値（常温、引張速
度300mm/分）に基づき、半導体ウエハの分断時において
200g/20mm以上、形成された半導体チップの剥離時にお
いて150g/20mm以下となるように粘着層ないし熱可塑性
接着フィルムを調製したものが、分断時の保持力、剥離
時の剥離容易性などの点から好ましい。
剥離を可能とする方式については特に限定はなく、剥
離工程において粘着層と熱可塑性接着フィルムとの接着
力を低下、ないし喪失させうる方式であればよい。その
例としては、粘着層の硬化方式、発泡方式ないし加熱膨
張方式、ブルーミング方式、粘着層ないし熱可塑性接着
フィルムの冷却方式、粘着層と熱可塑性接着フィルム層
との間に加熱処理で作用する接着力低減層を介在させる
方式などがあげられる。本発明ではこれらの方式を適宜
に組み合わせて用いてもよい。
離工程において粘着層と熱可塑性接着フィルムとの接着
力を低下、ないし喪失させうる方式であればよい。その
例としては、粘着層の硬化方式、発泡方式ないし加熱膨
張方式、ブルーミング方式、粘着層ないし熱可塑性接着
フィルムの冷却方式、粘着層と熱可塑性接着フィルム層
との間に加熱処理で作用する接着力低減層を介在させる
方式などがあげられる。本発明ではこれらの方式を適宜
に組み合わせて用いてもよい。
前記した粘着層の硬化方式は、架橋度を増大させて接
着力を低下させるもので、その形成は紫外線硬化型や加
熱硬化型などの感圧接着剤を用いることにより行なうこ
とができる。
着力を低下させるもので、その形成は紫外線硬化型や加
熱硬化型などの感圧接着剤を用いることにより行なうこ
とができる。
紫外線硬化型の感圧接着剤の代表例としては、不飽和
結合を２個以上有する付加重合性化合物やエポキシ基を
有するアルコキシシランの如き光重合性化合物と、カル
ボニル化合物や有機硫黄化合物、過酸化物、アミン、オ
ニウム塩系化合物の如き光重合開始剤を配合したゴム系
感圧接着剤や、アクリル系感圧接着剤などがあげられる
（特開昭60−196956号公報）。光重合性化合物、光重合
開始剤の配合量は、それぞれベースポリマー100重量部
あたり10〜500重量部、0.1〜20重量部が一般的である。
なお、アクリル系ポリマーには、通例のもの（特公昭57
−54068号公報、特公昭58−33909号公報等）のほか、側
鎖にラジカル反応性不飽和基を有するもの（特公昭61−
56264号公報）や、分子中にエポキシ基を有するものな
ども用いうる。また、不飽和結合を２個以上有する付加
重合性化合物としては、例えばアクリル酸やメタクリル
酸の多価アルコール系エステルやオリゴエステル、エポ
キシ系やウレタン系化合物などがあげられる。さらに、
エチレングリコールジグリシジルエーテルの如き分子中
にエポキシ基を１個又は２個以上有するエポキシ基官能
性架橋剤を追加配合して架橋効率を上げることもでき
る。紫外線硬化型の粘着層を形成する場合には紫外線照
射処理を可能とすべく支持基材には透明なフィルムなと
が用いられる。
結合を２個以上有する付加重合性化合物やエポキシ基を
有するアルコキシシランの如き光重合性化合物と、カル
ボニル化合物や有機硫黄化合物、過酸化物、アミン、オ
ニウム塩系化合物の如き光重合開始剤を配合したゴム系
感圧接着剤や、アクリル系感圧接着剤などがあげられる
（特開昭60−196956号公報）。光重合性化合物、光重合
開始剤の配合量は、それぞれベースポリマー100重量部
あたり10〜500重量部、0.1〜20重量部が一般的である。
なお、アクリル系ポリマーには、通例のもの（特公昭57
−54068号公報、特公昭58−33909号公報等）のほか、側
鎖にラジカル反応性不飽和基を有するもの（特公昭61−
56264号公報）や、分子中にエポキシ基を有するものな
ども用いうる。また、不飽和結合を２個以上有する付加
重合性化合物としては、例えばアクリル酸やメタクリル
酸の多価アルコール系エステルやオリゴエステル、エポ
キシ系やウレタン系化合物などがあげられる。さらに、
エチレングリコールジグリシジルエーテルの如き分子中
にエポキシ基を１個又は２個以上有するエポキシ基官能
性架橋剤を追加配合して架橋効率を上げることもでき
る。紫外線硬化型の粘着層を形成する場合には紫外線照
射処理を可能とすべく支持基材には透明なフィルムなと
が用いられる。
加熱架橋型の粘着剤の代表例としては、ポリイソシア
ネート、メラミン樹脂、アミン−エポキシ樹脂、過酸化
物、金属キレート化合物の如き架橋剤や、必要に応じジ
ビニルベンゼン、エチレングリコールジアクリレート、
トリメチロールプロパントリメタクリレートの如き多官
能性化合物からなる架橋調節剤などを配合したゴム系粘
着剤やアクリル系粘着剤などがあげられる。
ネート、メラミン樹脂、アミン−エポキシ樹脂、過酸化
物、金属キレート化合物の如き架橋剤や、必要に応じジ
ビニルベンゼン、エチレングリコールジアクリレート、
トリメチロールプロパントリメタクリレートの如き多官
能性化合物からなる架橋調節剤などを配合したゴム系粘
着剤やアクリル系粘着剤などがあげられる。
粘着層の発泡方式、ないし加熱膨張方式は、加熱処理
で粘着層を発泡構造とすることにより、あるいは当該層
の膨張下に表面を凹凸構造とすることにより、接着面積
を減少させて接着力を低下させるもので、その形成は粘
着層に発泡剤、ないし加熱膨脹剤を含有させることによ
り行なうことができる。前記した硬化方式との併用は、
接着力の低下に特に有効である。
で粘着層を発泡構造とすることにより、あるいは当該層
の膨張下に表面を凹凸構造とすることにより、接着面積
を減少させて接着力を低下させるもので、その形成は粘
着層に発泡剤、ないし加熱膨脹剤を含有させることによ
り行なうことができる。前記した硬化方式との併用は、
接着力の低下に特に有効である。
発泡剤としては、例えば炭酸アンモニウムやアジド類
の如き無機系発泡剤、アゾ系化合物やヒドラジン系化合
物、セミカルバジド系化合物、トリアゾール系化合物、
Ｎ−ニトロソ系化合物の如き有機系発泡剤など、公知物
を用いてよい。加熱膨脹剤としても、例えばガス等を封
入したマイクロカプセルなど、公知物を用いてよい。前
記のマイクロカプセルは、発泡剤としても用いることが
できて、前記した膨脹による表面凹凸構造とするか発泡
による発泡構造とするかを制御することができ、また粘
着剤中に容易に分散させることができて好ましく用いう
る。発泡剤ないし加熱膨脹剤の使用量は、ベースポリマ
ー100重量部あたり３〜300重量部が一般的である。
の如き無機系発泡剤、アゾ系化合物やヒドラジン系化合
物、セミカルバジド系化合物、トリアゾール系化合物、
Ｎ−ニトロソ系化合物の如き有機系発泡剤など、公知物
を用いてよい。加熱膨脹剤としても、例えばガス等を封
入したマイクロカプセルなど、公知物を用いてよい。前
記のマイクロカプセルは、発泡剤としても用いることが
できて、前記した膨脹による表面凹凸構造とするか発泡
による発泡構造とするかを制御することができ、また粘
着剤中に容易に分散させることができて好ましく用いう
る。発泡剤ないし加熱膨脹剤の使用量は、ベースポリマ
ー100重量部あたり３〜300重量部が一般的である。
粘着層のブルーミング方式は、加熱処理で熱可塑性接
着フィルムとの界面にブルーミング剤を活発に滲出させ
て接着力を低下させるもので、その形成は粘着層にブル
ーミング剤を含有させることにより行なうことができ
る。用いるブルーミング剤は、熱可塑性接着フィルムと
の界面における接着力を低下させるものであればよく、
一般には界面活性剤やシリコーン組成物、パラフインや
ワックスなどの低融点物質などが用いられる。有機溶剤
や水などの液体もマイクロカプセル化して用いることが
できる。界面活性剤の使用は帯電防止能を付与しうる利
点などもある。ブルーミング剤の使用量は、ベースホリ
マー100重量部あたり10〜300重量部が一般的である。
着フィルムとの界面にブルーミング剤を活発に滲出させ
て接着力を低下させるもので、その形成は粘着層にブル
ーミング剤を含有させることにより行なうことができ
る。用いるブルーミング剤は、熱可塑性接着フィルムと
の界面における接着力を低下させるものであればよく、
一般には界面活性剤やシリコーン組成物、パラフインや
ワックスなどの低融点物質などが用いられる。有機溶剤
や水などの液体もマイクロカプセル化して用いることが
できる。界面活性剤の使用は帯電防止能を付与しうる利
点などもある。ブルーミング剤の使用量は、ベースホリ
マー100重量部あたり10〜300重量部が一般的である。
粘着層ないし熱可塑性接着フィルムの冷却方式は、低
温化により接着力を低下させるもので、冷却温度は−30
℃程度までが一般的である。冷却方式は他の方式を適用
したあとに適用することもできる。
温化により接着力を低下させるもので、冷却温度は−30
℃程度までが一般的である。冷却方式は他の方式を適用
したあとに適用することもできる。
加熱処理で作用する接着力低減層を介在させる方式
は、熱可塑性接着フィルムと粘着層との間に、接着力低
減層を固形層として設け、加熱処理によって接着力低減
層を変化させて当該界面の接着力を低減させるものであ
る。接着力低減層の形成には、前記マイクロカプセル下
した発泡剤、ないし加熱膨脹剤やブルーミング剤のほ
か、加熱処理で軟化ないし流動体下するパラフインやワ
ックスなどの低融点物質も用いうる。接着力低減層は粘
着層等の面上に部分塗布やパターン塗布した状態のもの
として形成してもよく、熱可塑性接着フィルムと粘着層
との界面の前面を占有する必要はない。
は、熱可塑性接着フィルムと粘着層との間に、接着力低
減層を固形層として設け、加熱処理によって接着力低減
層を変化させて当該界面の接着力を低減させるものであ
る。接着力低減層の形成には、前記マイクロカプセル下
した発泡剤、ないし加熱膨脹剤やブルーミング剤のほ
か、加熱処理で軟化ないし流動体下するパラフインやワ
ックスなどの低融点物質も用いうる。接着力低減層は粘
着層等の面上に部分塗布やパターン塗布した状態のもの
として形成してもよく、熱可塑性接着フィルムと粘着層
との界面の前面を占有する必要はない。
本発明において粘着層の厚さは１〜100μｍ、就中１
〜40μｍが適当である。
〜40μｍが適当である。
本発明において用いる熱可塑性接着フィルムは、本発
明のダイシング・ダイボンドフィルムに半導体ウエハを
固着し、ダイシングしたのち、ピックアップ工程によっ
て半導体素子、ウエハ固定用接着層と共に、隣接する粘
着層の界面から剥離、除去され、ダイバンド時に加わる
熱によって溶融し、被取付体と接着するものであり、そ
の材質は特に限定されない。例えば、加熱温度150〜400
℃、好ましくは200〜350℃で溶融接着するものが使用で
き、具体的なフィルムとしては、ポリエーテルイミド、
シロキサン含有ポリイミド、含フッ素ポリイミドの如き
ポリイミド系フィルムの他、Ｕポリマー、アクリル系ポ
リマー、芳香族ポリエステルなどが挙げられる。なお、
該フィルムの厚さは１〜100μｍが適当である。
明のダイシング・ダイボンドフィルムに半導体ウエハを
固着し、ダイシングしたのち、ピックアップ工程によっ
て半導体素子、ウエハ固定用接着層と共に、隣接する粘
着層の界面から剥離、除去され、ダイバンド時に加わる
熱によって溶融し、被取付体と接着するものであり、そ
の材質は特に限定されない。例えば、加熱温度150〜400
℃、好ましくは200〜350℃で溶融接着するものが使用で
き、具体的なフィルムとしては、ポリエーテルイミド、
シロキサン含有ポリイミド、含フッ素ポリイミドの如き
ポリイミド系フィルムの他、Ｕポリマー、アクリル系ポ
リマー、芳香族ポリエステルなどが挙げられる。なお、
該フィルムの厚さは１〜100μｍが適当である。
ウエハ固定用接着層は、ダイシング工程時に半導体ウ
エハを支持し、素子に分断後、ピックアップ工程および
ダイボンド工程時に、その両面に半導体素子と熱可塑性
接着フィルムを接着、保持するものであり、常温から10
0℃の温度域で粘着性を有し、ダイボンド時の加熱にも
耐えうるものである。このような接着層を形成する接着
剤としては、熱可塑性樹脂や熱硬化性樹脂からなる適当
な接着剤を用いる。
エハを支持し、素子に分断後、ピックアップ工程および
ダイボンド工程時に、その両面に半導体素子と熱可塑性
接着フィルムを接着、保持するものであり、常温から10
0℃の温度域で粘着性を有し、ダイボンド時の加熱にも
耐えうるものである。このような接着層を形成する接着
剤としては、熱可塑性樹脂や熱硬化性樹脂からなる適当
な接着剤を用いる。
一般にはエチレン・酢酸ビニル共重合体、エチレン・
アクリル酸エステル共重合体、ポリエチレン、ポリプロ
ピレン、ポリアミドポリエーテルスルホン、ポリスルホ
ン、ポリエステル、ポリカーボネート、セルロース誘導
体、ポリビニルアセタール、ポリビニルエーテル、ポリ
ウレタン、フェノキシ樹脂の如き熱可塑性樹脂からなる
ホットメルト型接着剤、エポキシ樹脂、ポリイミド樹
脂、マレイミド樹脂、シリコーン樹脂、フェノール樹脂
の如き熱硬化性樹脂を用いた接着剤、その他アクリル樹
脂、ゴム系ポリマー、フッ素ゴム系ポリマー、フッ素樹
脂などからなる接着剤も用いられる。熱硬化性樹脂系接
着剤による固定用接着層は、Ｂステージ状態として形成
される。固定用接着層に、例えばアルミニウム、銅、
銀、金、パラジウム、カーボンの如き導電性物質からな
る微粉末を含有させて導電性を付与してもよい。また、
アルミナの如き熱伝導性物質からなる微粉末を含有させ
て熱伝導性を高めてもよい。
アクリル酸エステル共重合体、ポリエチレン、ポリプロ
ピレン、ポリアミドポリエーテルスルホン、ポリスルホ
ン、ポリエステル、ポリカーボネート、セルロース誘導
体、ポリビニルアセタール、ポリビニルエーテル、ポリ
ウレタン、フェノキシ樹脂の如き熱可塑性樹脂からなる
ホットメルト型接着剤、エポキシ樹脂、ポリイミド樹
脂、マレイミド樹脂、シリコーン樹脂、フェノール樹脂
の如き熱硬化性樹脂を用いた接着剤、その他アクリル樹
脂、ゴム系ポリマー、フッ素ゴム系ポリマー、フッ素樹
脂などからなる接着剤も用いられる。熱硬化性樹脂系接
着剤による固定用接着層は、Ｂステージ状態として形成
される。固定用接着層に、例えばアルミニウム、銅、
銀、金、パラジウム、カーボンの如き導電性物質からな
る微粉末を含有させて導電性を付与してもよい。また、
アルミナの如き熱伝導性物質からなる微粉末を含有させ
て熱伝導性を高めてもよい。
本発明のフィルムはウエハ固定用接着用に半導体ウエ
ハを固定し、ダイシング時にウエハと共に固定用接着層
および熱可塑性接着フィルムを分断後、熱可塑性接着フ
ィルムと粘着層とを界面で剥離し、加熱によって半導体
素子を固定用接着層および熱可塑性接着フィルムを介し
て被取付体に接着固定して使用する。
ハを固定し、ダイシング時にウエハと共に固定用接着層
および熱可塑性接着フィルムを分断後、熱可塑性接着フ
ィルムと粘着層とを界面で剥離し、加熱によって半導体
素子を固定用接着層および熱可塑性接着フィルムを介し
て被取付体に接着固定して使用する。
＜発明の効果＞ 本発明によれば、粘着層の上に剥離可能に設けた熱可
塑性接着フィルムと固定用接着層を介して半導体ウエハ
を接着固定するようにしたので、半導体素子への分断時
に半導体ウエハを充分な保持力で固定することができる
と共に、形成した半導体素子を熱可塑性接着フィルムと
共にスムースに剥離することができ、その熱可塑性接着
フィルムを被取付体への固定にそのまま利用することが
できる。
塑性接着フィルムと固定用接着層を介して半導体ウエハ
を接着固定するようにしたので、半導体素子への分断時
に半導体ウエハを充分な保持力で固定することができる
と共に、形成した半導体素子を熱可塑性接着フィルムと
共にスムースに剥離することができ、その熱可塑性接着
フィルムを被取付体への固定にそのまま利用することが
できる。
また、本発明では熱可塑性接着フィルムをピックアッ
プ時の粘着層との剥離面に設けているので、剥離性が良
好となると共に、ダイボンド時の高温接着強度の向上が
図れる。
プ時の粘着層との剥離面に設けているので、剥離性が良
好となると共に、ダイボンド時の高温接着強度の向上が
図れる。
＜実施例＞ 以下に本発明の実施例を示し、さらに具体的に説明す
るが、本発明の技術的思想を逸脱しない範囲で種々変形
できるものである。
るが、本発明の技術的思想を逸脱しない範囲で種々変形
できるものである。
実施例１ 図面に示すように、支持基材４として50μｍ厚のポリ
塩化ビニル上に、アクリル系共重合物を主成分とするUV
硬化型粘着剤層３を、乾燥厚が30μｍ厚となるように塗
工した。
塩化ビニル上に、アクリル系共重合物を主成分とするUV
硬化型粘着剤層３を、乾燥厚が30μｍ厚となるように塗
工した。
一方、剥離処理したポリエステルフィルムに、Ｂステ
ージのエポキシ系ウエハ固定用接着剤層１（ビスフェノ
ールＡ型エポキシ酸無水物）を５μｍ厚となるように塗
工したのち、該接着剤層１の表面に20μｍ厚のポリエー
テルイミド系熱可塑性接着フィルム２（ウルテム1000,G
E社製）を積層した。
ージのエポキシ系ウエハ固定用接着剤層１（ビスフェノ
ールＡ型エポキシ酸無水物）を５μｍ厚となるように塗
工したのち、該接着剤層１の表面に20μｍ厚のポリエー
テルイミド系熱可塑性接着フィルム２（ウルテム1000,G
E社製）を積層した。
次いで、上記粘着剤層３と接着フィルム２とを隣接す
るように貼り合わせ、ポリエステルフィルムを剥離して
本発明のダイシング・ダイボンドフィルムを得た。
るように貼り合わせ、ポリエステルフィルムを剥離して
本発明のダイシング・ダイボンドフィルムを得た。
得られたフィルムのウエハ固定用接着層面に４インチ
のミラーウエハを60℃でロール圧着し、2mm角の半導体
素子にダイシングしたところ、チップ飛び等の不良は認
められなかった。また、ダイシング後、UV照射により熱
可塑性接着フィルムと粘着層との界面がピックアップ工
程にて容易に剥離できた。次いで接着剤層付チップを35
0℃にてアロイ−42フレームにダイボンドし、その剪断
接着力を測定した。その結果、剪断接着力は3kg以上で
あり、高温時においても充分な接着力を有することが判
明した。
のミラーウエハを60℃でロール圧着し、2mm角の半導体
素子にダイシングしたところ、チップ飛び等の不良は認
められなかった。また、ダイシング後、UV照射により熱
可塑性接着フィルムと粘着層との界面がピックアップ工
程にて容易に剥離できた。次いで接着剤層付チップを35
0℃にてアロイ−42フレームにダイボンドし、その剪断
接着力を測定した。その結果、剪断接着力は3kg以上で
あり、高温時においても充分な接着力を有することが判
明した。
実施例２ 実施例１で用いたポリエーテルイミド系熱可塑性接着
フィルムに代えて、ポリエステル系熱可塑性接着フィル
ム（エチレングリコール／テレフタル酸／イソフタル酸
共重合体Tm＝230℃）を用いた以外は、すべて実施例１
と同様にして本発明のダイシング・ダイボンドフィルム
を得た。これを実施例１と同様に評価したところ、各工
程における不良は認められず、ダイシング・ダイボンド
フィルムとして良好なものであることが明らかとなっ
た。
フィルムに代えて、ポリエステル系熱可塑性接着フィル
ム（エチレングリコール／テレフタル酸／イソフタル酸
共重合体Tm＝230℃）を用いた以外は、すべて実施例１
と同様にして本発明のダイシング・ダイボンドフィルム
を得た。これを実施例１と同様に評価したところ、各工
程における不良は認められず、ダイシング・ダイボンド
フィルムとして良好なものであることが明らかとなっ
た。
図面は実施例に示す本発明のダイシング・ダイボンドフ
ィルムの断面図である。 １……ウエハ固定用接着層、２……熱可塑性接着フィル
ム、３……粘着層、４……支持基材
ィルムの断面図である。 １……ウエハ固定用接着層、２……熱可塑性接着フィル
ム、３……粘着層、４……支持基材
Claims (2)
- 【請求項１】支持基材上に粘着層、熱可塑性接着フィル
ムおよびウエハ固定用接着層を順次積層してなり、 前記粘着層と熱可塑性接着フィルムが剥離可能状態にて
積層されていることを特徴とするダイシング・ダイボン
ドフィルム。 - 【請求項２】熱可塑性接着フィルムがポリイミド系また
はポリエステル系フィルムである請求項（１）記載のダ
イシング・ダイボンドフィルム。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP29163989A JP2665383B2 (ja) | 1989-11-09 | 1989-11-09 | ダイシング・ダイボンドフィルム |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP29163989A JP2665383B2 (ja) | 1989-11-09 | 1989-11-09 | ダイシング・ダイボンドフィルム |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03152942A JPH03152942A (ja) | 1991-06-28 |
| JP2665383B2 true JP2665383B2 (ja) | 1997-10-22 |
Family
ID=17771555
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP29163989A Expired - Lifetime JP2665383B2 (ja) | 1989-11-09 | 1989-11-09 | ダイシング・ダイボンドフィルム |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2665383B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR101187591B1 (ko) * | 2003-12-24 | 2012-10-11 | 다우 코닝 도레이 캄파니 리미티드 | 다이싱/다이 본딩 필름 및 이의 제조방법 |
Families Citing this family (13)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5762744A (en) * | 1991-12-27 | 1998-06-09 | Rohm Co., Ltd. | Method of producing a semiconductor device using an expand tape |
| CA2118994A1 (en) * | 1993-06-21 | 1994-12-22 | Claude L. Bertin | Polyimide-insulated cube package of stacked semiconductor device chips |
| JP2000038556A (ja) | 1998-07-22 | 2000-02-08 | Nitto Denko Corp | 半導体ウエハ保持保護用ホットメルトシート及びその貼り付け方法 |
| JP2000204332A (ja) * | 1999-01-08 | 2000-07-25 | Minnesota Mining & Mfg Co <3M> | 熱剥離性接着剤組成物および接着構造体 |
| JP2002217437A (ja) * | 2001-01-23 | 2002-08-02 | Sony Corp | 薄膜半導体素子の製造方法 |
| JP4649792B2 (ja) * | 2001-07-19 | 2011-03-16 | 日本電気株式会社 | 半導体装置 |
| US7399683B2 (en) | 2002-06-18 | 2008-07-15 | Sanyo Electric Co., Ltd. | Manufacturing method of semiconductor device |
| JP4690907B2 (ja) * | 2006-02-22 | 2011-06-01 | 古河電気工業株式会社 | レーザーダイシング用ダイシングダイボンドシート |
| KR100963675B1 (ko) * | 2008-03-14 | 2010-06-15 | 제일모직주식회사 | 반도체 패키징용 복합기능 테이프 및 이를 이용한 반도체소자의 제조방법 |
| JP4661889B2 (ja) * | 2008-03-17 | 2011-03-30 | 住友ベークライト株式会社 | ダイシングシート機能付きダイアタッチフィルム及びそれを用いた半導体装置の製造方法 |
| EP3040411B1 (en) * | 2013-08-30 | 2019-07-03 | JSR Corporation | Adherend recovery method and adherend recovery device |
| JP6616738B2 (ja) * | 2016-06-09 | 2019-12-04 | 積水化学工業株式会社 | 積層シート及び半導体装置の製造方法 |
| CN113410164B (zh) * | 2021-06-15 | 2024-04-09 | 珠海天成先进半导体科技有限公司 | 一种单芯片daf胶带粘晶方法 |
-
1989
- 1989-11-09 JP JP29163989A patent/JP2665383B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR101187591B1 (ko) * | 2003-12-24 | 2012-10-11 | 다우 코닝 도레이 캄파니 리미티드 | 다이싱/다이 본딩 필름 및 이의 제조방법 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH03152942A (ja) | 1991-06-28 |
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