JPH07263382A - ウェーハ固定用テープ - Google Patents
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Abstract
(57)【要約】
【目的】ダイシング工程を確実に行うことができるとと
もに、接着用ペーストを用いずに、直接、半導体チップ
の実装部品に接着、固定することができるため、接着用
ペーストのチップ表面への廻り込みまたはチップの傾き
を防止することができるウェーハ固定用テープの提供。 【構成】紫外線透過性を有する基材テープと、該基材テ
ープ上に積層された紫外線硬化型接着剤からなる第1接
着剤層と、該第1接着剤層上に積層された加熱接着硬化
型接着剤からなる第2接着剤層とを有するウェーハ固定
用テープ。
もに、接着用ペーストを用いずに、直接、半導体チップ
の実装部品に接着、固定することができるため、接着用
ペーストのチップ表面への廻り込みまたはチップの傾き
を防止することができるウェーハ固定用テープの提供。 【構成】紫外線透過性を有する基材テープと、該基材テ
ープ上に積層された紫外線硬化型接着剤からなる第1接
着剤層と、該第1接着剤層上に積層された加熱接着硬化
型接着剤からなる第2接着剤層とを有するウェーハ固定
用テープ。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、ウェーハ固定用テープ
に関し、特に、ウェーハのダイシング工程およびダイボ
ンド工程に好適に使用できるウェーハ固定用テープに関
する。
に関し、特に、ウェーハのダイシング工程およびダイボ
ンド工程に好適に使用できるウェーハ固定用テープに関
する。
【0002】
【従来の技術】半導体装置の製造工程において、拡散、
ホトエッチング等の各種の工程を経て、1枚のウェーハ
上に同一の半導体チップが規則的に多数個形成されたも
のが得られる。これらの半導体チップは、ウェーハから
各個に切断、分離され、それぞれリードフレーム、パッ
ケージ等の実装用部品に搭載される。
ホトエッチング等の各種の工程を経て、1枚のウェーハ
上に同一の半導体チップが規則的に多数個形成されたも
のが得られる。これらの半導体チップは、ウェーハから
各個に切断、分離され、それぞれリードフレーム、パッ
ケージ等の実装用部品に搭載される。
【0003】この工程においては、ウェーハが半導体チ
ップ毎に正確に切断され、また、切断、分割された半導
体チップは、バラバラにならないように、ウェーハを切
断する前に、例えば、図4(A)に示すように、ウェー
ハ21をテープ22に接着するとともに、テープ22を
固定用フレーム23に接着、固定される(テープマウン
ト工程)。
ップ毎に正確に切断され、また、切断、分割された半導
体チップは、バラバラにならないように、ウェーハを切
断する前に、例えば、図4(A)に示すように、ウェー
ハ21をテープ22に接着するとともに、テープ22を
固定用フレーム23に接着、固定される(テープマウン
ト工程)。
【0004】次に、固定用フレームに固定されたウェー
ハ21は、図4(B)に示すように、ダイヤモンドブレ
ード24により、半導体チップを分画するスクライブ線
に沿って切断され、図4(C)に示すように、各半導体
チップ251 ,252 ,……に分割される(ダイシング
工程)。
ハ21は、図4(B)に示すように、ダイヤモンドブレ
ード24により、半導体チップを分画するスクライブ線
に沿って切断され、図4(C)に示すように、各半導体
チップ251 ,252 ,……に分割される(ダイシング
工程)。
【0005】分割された半導体チップ25は、図4
(D)に示すように、半導体チップを接着させるための
接着用ペースト26を所定個所に塗布したリードフレー
ム27に載置される(ダイボンド工程)。次に、加熱し
て、接着用ペースト26を硬化させて半導体チップ25
をリードフレーム27に接着させるダイキュア工程が行
われる。
(D)に示すように、半導体チップを接着させるための
接着用ペースト26を所定個所に塗布したリードフレー
ム27に載置される(ダイボンド工程)。次に、加熱し
て、接着用ペースト26を硬化させて半導体チップ25
をリードフレーム27に接着させるダイキュア工程が行
われる。
【0006】
【発明が解決しようとする課題】しかし、前記従来のウ
ェーハ固定用テープを用いた工程では、ダイシング工程
によって分離された半導体チップを、リードフレーム、
パッケージ等の実装用部品に搭載する際に、実装用部品
の所定の個所に予め接着用ペーストを塗布しておき、こ
の接着用ペーストを塗布しておいた所にチップを載置
し、接着用ペーストを硬化させて接着が行われる。しか
し、接着用ペーストは、チップを完全に接着させるため
に、チップ全体に行き廻るようにしなければならず、チ
ップが傾かないないように均一に塗布する必要がある。
また、接着用ペーストの塗布量が多いと、接着用ペース
トがチップ表面にまで廻り込み、不具合の発生の原因と
なる、という問題があった。
ェーハ固定用テープを用いた工程では、ダイシング工程
によって分離された半導体チップを、リードフレーム、
パッケージ等の実装用部品に搭載する際に、実装用部品
の所定の個所に予め接着用ペーストを塗布しておき、こ
の接着用ペーストを塗布しておいた所にチップを載置
し、接着用ペーストを硬化させて接着が行われる。しか
し、接着用ペーストは、チップを完全に接着させるため
に、チップ全体に行き廻るようにしなければならず、チ
ップが傾かないないように均一に塗布する必要がある。
また、接着用ペーストの塗布量が多いと、接着用ペース
トがチップ表面にまで廻り込み、不具合の発生の原因と
なる、という問題があった。
【0007】そこで本発明の目的は、ダイシング工程を
確実に行うことができるとともに、接着用ペーストを用
いずに、直接、半導体チップの実装部品に接着、固定す
ることができるため、接着用ペーストのチップ表面への
廻り込みまたはチップの傾きを防止することができるウ
ェーハ固定用テープを提供することにある。
確実に行うことができるとともに、接着用ペーストを用
いずに、直接、半導体チップの実装部品に接着、固定す
ることができるため、接着用ペーストのチップ表面への
廻り込みまたはチップの傾きを防止することができるウ
ェーハ固定用テープを提供することにある。
【0008】
【課題を解決するための手段】前記課題を解決するため
に、本発明は、紫外線透過性を有する基材テープと、該
基材テープ上に積層された紫外線硬化型接着剤からなる
第1接着剤層と、該第1接着剤層上に積層された加熱接
着硬化型接着剤からなる第2接着剤層とを有するウェー
ハ固定用テープを提供するものである。
に、本発明は、紫外線透過性を有する基材テープと、該
基材テープ上に積層された紫外線硬化型接着剤からなる
第1接着剤層と、該第1接着剤層上に積層された加熱接
着硬化型接着剤からなる第2接着剤層とを有するウェー
ハ固定用テープを提供するものである。
【0009】以下、本発明のウェーハ固定用テープ(以
下、「本発明のテープ」という)について詳細に説明す
る。
下、「本発明のテープ」という)について詳細に説明す
る。
【0010】本発明のテープは、基材テープと、該基材
テープ上に積層された第1接着剤層と、第1接着剤層の
上に積層された第2接着剤層とを有するものである。
テープ上に積層された第1接着剤層と、第1接着剤層の
上に積層された第2接着剤層とを有するものである。
【0011】本発明において、基材テープは、紫外線透
過性を有し、かつ所要の強度を有するものであれば、い
ずれのものでもよく、この種の基材テープに常用される
ものでよい。例えば、ポリオレフィン、ポリ塩化ビニ
ル、ポリエステル等からなる紫外線が透過可能な樹脂か
らなるテープが挙げられる。
過性を有し、かつ所要の強度を有するものであれば、い
ずれのものでもよく、この種の基材テープに常用される
ものでよい。例えば、ポリオレフィン、ポリ塩化ビニ
ル、ポリエステル等からなる紫外線が透過可能な樹脂か
らなるテープが挙げられる。
【0012】この基材テープの厚さは、通常、50〜2
00μm程度であり、ラミネート作業性およびエキスパ
ンド性が良好である点で、80〜120μm程度である
のが、好ましい。
00μm程度であり、ラミネート作業性およびエキスパ
ンド性が良好である点で、80〜120μm程度である
のが、好ましい。
【0013】基材テープ上に積層される第1接着剤層
は、基材テープを透過して照射される紫外線によって硬
化して接着力を失い、第2接着剤層と剥離可能となる紫
外線硬化型接着剤で形成されるものである。この紫外線
硬化型接着剤は、紫外線を照射されると硬化して接着力
を失う性質を有する接着剤であり、例えば、PMMA等
のアクリル系樹脂を主成分とする接着剤が挙げられる。
は、基材テープを透過して照射される紫外線によって硬
化して接着力を失い、第2接着剤層と剥離可能となる紫
外線硬化型接着剤で形成されるものである。この紫外線
硬化型接着剤は、紫外線を照射されると硬化して接着力
を失う性質を有する接着剤であり、例えば、PMMA等
のアクリル系樹脂を主成分とする接着剤が挙げられる。
【0014】この第1接着剤層は、通常、基材テープ上
に5〜20μm程度の厚さ、好ましくは8〜12μm程
度の厚さに形成される。
に5〜20μm程度の厚さ、好ましくは8〜12μm程
度の厚さに形成される。
【0015】また、第2接着剤層は、第1接着剤層の上
に形成され、加熱により硬化して接着力を発揮する加熱
接着硬化型接着剤からなる層である。この第2接着剤層
は、紫外線を照射されて硬化した第1接着剤層から剥離
され、ウェーハから切り出された半導体チップととも
に、半導体チップの底部に接着されたまま、リードフレ
ーム、セラミックパッケージ等の半導体チップ実装部品
上に移送され、リードフレーム等の半導体チップ実装用
部品のチップ搭載部に半導体チップを載置した後、加熱
によって硬化させ、半導体チップと実装用部品のチップ
搭載部に接着して固定するためのものである。
に形成され、加熱により硬化して接着力を発揮する加熱
接着硬化型接着剤からなる層である。この第2接着剤層
は、紫外線を照射されて硬化した第1接着剤層から剥離
され、ウェーハから切り出された半導体チップととも
に、半導体チップの底部に接着されたまま、リードフレ
ーム、セラミックパッケージ等の半導体チップ実装部品
上に移送され、リードフレーム等の半導体チップ実装用
部品のチップ搭載部に半導体チップを載置した後、加熱
によって硬化させ、半導体チップと実装用部品のチップ
搭載部に接着して固定するためのものである。
【0016】第2接着剤層の主成分である加熱接着硬化
型接着剤としては、例えば、エポキシ系樹脂、ポリイミ
ド系樹脂等を主成分とする接着剤が挙げられる。
型接着剤としては、例えば、エポキシ系樹脂、ポリイミ
ド系樹脂等を主成分とする接着剤が挙げられる。
【0017】さらに、この第2接着剤層は、半導体チッ
プと実装用部品との電気的導電性および熱放散性を向上
させるために、導電性充填材を含有していると、好まし
い。
プと実装用部品との電気的導電性および熱放散性を向上
させるために、導電性充填材を含有していると、好まし
い。
【0018】用いられる導電性充填材としては、例え
ば、銀、金、銅、ニッケル、銀−パラジウム、金−パラ
ジウム等の導電性微粉末などが挙げられる。この導電性
微粉末は、無定形、球、フィラー等のいずれの形状のも
のでもよい。
ば、銀、金、銅、ニッケル、銀−パラジウム、金−パラ
ジウム等の導電性微粉末などが挙げられる。この導電性
微粉末は、無定形、球、フィラー等のいずれの形状のも
のでもよい。
【0019】この第2接着剤層は、通常、第1接着剤層
の上に20〜80μm程度の厚さ、好ましくは40〜5
0μm程度の厚さに形成される。
の上に20〜80μm程度の厚さ、好ましくは40〜5
0μm程度の厚さに形成される。
【0020】本発明のテープの製造は、基材テープ上に
第1接着剤層を形成する紫外線硬化型接着剤を所定の厚
さに塗布して第1接着剤層を形成した後、第1接着剤層
の上に第2接着剤層を形成する加熱接着硬化型接着剤を
所定の厚さに塗布して第2接着剤層を形成する方法、あ
るいはウェーハを載置させる部分に加熱接着硬化型接着
剤を所定の厚さに塗布する方法等の方法にしたがって行
うことができる。
第1接着剤層を形成する紫外線硬化型接着剤を所定の厚
さに塗布して第1接着剤層を形成した後、第1接着剤層
の上に第2接着剤層を形成する加熱接着硬化型接着剤を
所定の厚さに塗布して第2接着剤層を形成する方法、あ
るいはウェーハを載置させる部分に加熱接着硬化型接着
剤を所定の厚さに塗布する方法等の方法にしたがって行
うことができる。
【0021】以下、本発明のテープを用いて、ウェーハ
のダイシング工程およびリードフレームへの半導体チッ
プの実装を行う方法を、図1、図2(A)〜(E)およ
び図3に基づいて、詳細に説明する。
のダイシング工程およびリードフレームへの半導体チッ
プの実装を行う方法を、図1、図2(A)〜(E)およ
び図3に基づいて、詳細に説明する。
【0022】図1に示すとおり、本発明のウェーハ固定
用テープ1は、基材テープ2と、該基材テープ2上に積
層された第1接着剤層3と、該第1接着剤層3の上に積
層された第2接着剤層4とから基本的に構成されるもの
である。
用テープ1は、基材テープ2と、該基材テープ2上に積
層された第1接着剤層3と、該第1接着剤層3の上に積
層された第2接着剤層4とから基本的に構成されるもの
である。
【0023】ウェーハのダイシング工程においては、図
2(A)および(B)に示すとおり、ウェーハ固定用テ
ープ1の第2接着剤層4上にウェーハ5を載置し、第2
接着剤層4とウェーハ5とを接着させてウェーハ5が固
定される。また、ウェーハ固定用テープ1の外縁部は、
円環状のフレーム6に第2接着剤層4によって接着・固
定される。
2(A)および(B)に示すとおり、ウェーハ固定用テ
ープ1の第2接着剤層4上にウェーハ5を載置し、第2
接着剤層4とウェーハ5とを接着させてウェーハ5が固
定される。また、ウェーハ固定用テープ1の外縁部は、
円環状のフレーム6に第2接着剤層4によって接着・固
定される。
【0024】このウェーハ固定用テープ1へのウェーハ
5の接着は、例えば、図2(C)に示すとおり、ロール
7によって連続的に給送されるウェーハ固定用テープ1
に、ウェーハ5を半導体チップが形成された面を下にし
て供給し、ウェーハ固定用テープ1の第2接着剤層4に
ウェーハ5を接着させることによって行うことができ
る。また、フレーム6は、ウェーハ固定用テープ1へウ
ェーハ5を接着させた後、行うことができる。
5の接着は、例えば、図2(C)に示すとおり、ロール
7によって連続的に給送されるウェーハ固定用テープ1
に、ウェーハ5を半導体チップが形成された面を下にし
て供給し、ウェーハ固定用テープ1の第2接着剤層4に
ウェーハ5を接着させることによって行うことができ
る。また、フレーム6は、ウェーハ固定用テープ1へウ
ェーハ5を接着させた後、行うことができる。
【0025】次に、高速回転する薄いダイヤモンドソー
(ブレード)(図示せず)によって、ウェーハ5上に形
成された多数の半導体チップを分画するスクライブ線に
沿って、図2(D)に示すとおり、第1接着剤層3に届
くまで切れ目81 ,82 ……を入れ、それぞれの半導体
チップ9に分割する。
(ブレード)(図示せず)によって、ウェーハ5上に形
成された多数の半導体チップを分画するスクライブ線に
沿って、図2(D)に示すとおり、第1接着剤層3に届
くまで切れ目81 ,82 ……を入れ、それぞれの半導体
チップ9に分割する。
【0026】次に、基材テープ2の第1接着剤層3の反
対側に配置した水銀ランプ(図示せず)から、基材テー
プ2を透過して第1接着剤層3に紫外線を照射して、第
1接着剤層3を構成する紫外線硬化型接着剤を硬化さ
せ、その接着力を低下させる。
対側に配置した水銀ランプ(図示せず)から、基材テー
プ2を透過して第1接着剤層3に紫外線を照射して、第
1接着剤層3を構成する紫外線硬化型接着剤を硬化さ
せ、その接着力を低下させる。
【0027】このように、接着力が低下した第1接着剤
層3から、図2(E)に示すとおり、各個に分割された
半導体チップ9を、第2接着剤層4とともに切り離す。
このとき、第1接着剤層3は、硬化して基材テープ2上
に残り、半導体チップ9の底面には、第2接着剤層4a
が付着したまま、リードフレームへの実装工程に供給さ
れる。
層3から、図2(E)に示すとおり、各個に分割された
半導体チップ9を、第2接着剤層4とともに切り離す。
このとき、第1接着剤層3は、硬化して基材テープ2上
に残り、半導体チップ9の底面には、第2接着剤層4a
が付着したまま、リードフレームへの実装工程に供給さ
れる。
【0028】次に、図3に示すとおり、半導体チップ9
を、リードフレーム10の半導体チップのチップ搭載部
11に所定の向きに載置した後、加熱して第2接着剤層
4を構成する加熱接着硬化型接着剤を硬化させて、半導
体チップ9がリードフレーム10のチップ搭載部11に
接着固定される。
を、リードフレーム10の半導体チップのチップ搭載部
11に所定の向きに載置した後、加熱して第2接着剤層
4を構成する加熱接着硬化型接着剤を硬化させて、半導
体チップ9がリードフレーム10のチップ搭載部11に
接着固定される。
【0029】以上の本発明のテープを用いる工程におい
て、接着用ペーストを用いずに、半導体チップのウェー
ハからのダイシングおよびダイボンド工程を行うことが
でき、しかも、接着用ペーストのチップ表面への廻り込
みまたはチップの傾きを防止することができる。
て、接着用ペーストを用いずに、半導体チップのウェー
ハからのダイシングおよびダイボンド工程を行うことが
でき、しかも、接着用ペーストのチップ表面への廻り込
みまたはチップの傾きを防止することができる。
【0030】
【発明の効果】本発明のウェーハ固定用テープは、ダイ
シング工程を確実に行うことができるとともに、接着用
ペーストを用いずに、直接、半導体チップの実装部品に
接着、固定することができるため、接着用ペーストのチ
ップ表面への廻り込みまたはチップの傾きを防止する。
シング工程を確実に行うことができるとともに、接着用
ペーストを用いずに、直接、半導体チップの実装部品に
接着、固定することができるため、接着用ペーストのチ
ップ表面への廻り込みまたはチップの傾きを防止する。
【図1】 本発明のウェーハ固定用テープの構造を説明
する模式断面図。
する模式断面図。
【図2】 本発明のウェーハ固定用テープを用いてウェ
ーハのダイシングを行う工程を説明する模式図。
ーハのダイシングを行う工程を説明する模式図。
【図3】 本発明のウェーハ固定用テープを用いてリー
ドフレームに半導体チップを搭載する工程を説明する模
式図。
ドフレームに半導体チップを搭載する工程を説明する模
式図。
【図4】 従来のウェーハ固定用テープを用いてウェー
ハのダイシングおよび半導体チップのボンディングを行
う工程を説明する図。
ハのダイシングおよび半導体チップのボンディングを行
う工程を説明する図。
1 ウェーハ固定用テープ 2 基材テープ 3 第1接着剤層 4,4a 第2接着剤層 5 ウェーハ 6 フレーム 7 ロール 81 ,82 …… 切れ目 9 半導体チップ 10 リードフレーム 21 ウェーハ 22 テープ 23 固定用フレーム 24 ダイヤモンドブレード 25,251 ,252 ,…… 半導体チップ 26 接着用ペースト 27 リードフレーム
Claims (1)
- 【請求項1】紫外線透過性を有する基材テープと、該基
材テープ上に積層された紫外線硬化型接着剤からなる第
1接着剤層と、該第1接着剤層上に積層された加熱接着
硬化型接着剤からなる第2接着剤層とを有するウェーハ
固定用テープ。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP5357294A JPH07263382A (ja) | 1994-03-24 | 1994-03-24 | ウェーハ固定用テープ |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP5357294A JPH07263382A (ja) | 1994-03-24 | 1994-03-24 | ウェーハ固定用テープ |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH07263382A true JPH07263382A (ja) | 1995-10-13 |
Family
ID=12946556
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP5357294A Withdrawn JPH07263382A (ja) | 1994-03-24 | 1994-03-24 | ウェーハ固定用テープ |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH07263382A (ja) |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20010605 |