JP2022086688A - 光源、光源装置および光源の製造方法 - Google Patents
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Abstract
Description
(光源101の構造)
図1は、第1実施形態の光源101の模式斜視図であり、図2Aは、光源101の模式上面図であり、図2Bは、図2Aに示す2B-2B線における光源101の模式断面図である。光源101は複数の発光ユニット51と遮光部材60とを備える。
発光素子20は、出射面20aと電極面20bと、側面20cとを含む。電極面20bには、正負の電極21が位置している。
波長変換部材30は、発光素子20の出射面20a上に配置されている。波長変換部材30は、発光素子20の出射面20aから出射された光の一部を吸収し、吸収した光よりも長い波長の光を放出する。
透光性部材40は、波長変換部材30の上面30aに配置されており、上面30aを被覆している。透光性部材40は、発光ユニット51の発光面を構成する。透光性部材40は、波長変換部材30から出射する光の輝度むらを抑制することができる。
遮光部材60は、各発光ユニット51の発光素子20の側面20cおよび波長変換部材30の側面30cを被覆して複数の発光ユニット51間に連続的に配置されている。遮光部材60は光遮光性あるいは光反射性を有する。遮光部材60は、少なくともこれらの側面を覆うことによって、各発光ユニット51の発光素子20の側面20cおよび波長変換部材30の側面30cから出射する光が隣接する発光ユニット51に入射するのを抑制する。
光源101において、発光素子20の出射面20aから出射した光は波長変換部材30および透光性部材40を透過して外部へ放射する。この時、波長変換部材30によって発光素子20からの光の少なくとも一部の波長が変換される。外部へ出射する光は、発光素子20から出射した光と波長変換された光とを含む。例えば、発光素子20から青色光を出射し、波長変換部材30が少なくとも黄色蛍光体を含む場合、青色光と黄色光が混合されることによって、光源101は、白色光を出射する。
光源101の製造方法の実施形態を説明する。図3は、光源101の製造方法の一例を示すフローチャートであり、図4Aから図4GKは、図3に示す光源101の製造方法における工程断面図である。本実施形態の光源101の製造方法は、発光素子を接合する工程(S1)と、第1溝を形成する工程(S2)と、遮光部材を配置する工程(S3)と、第2溝を形成する工程(S4)を少なくとも含む。
図4Aに示すように、透光性部材の集合体である透光性層140と、波長変換部材の集合体である波長変換層130とを接着剤あるいは接着シートを用いて張り合わせ、積層体150を得る。透光性層140および波長変換層130は、1つの光源101に対応するサイズを備えていてもよいし、複数の光源101を形成することが可能なサイズを備えていてもよい。積層体150の透光性層140を支持体120に仮固定する。
図4Cに示すように、複数の発光素子20間のそれぞれにおいて、積層体150を分断する第1溝161を形成する。図4Bに示すように、積層体150の矢印で示す位置にダイシングソーなどのブレードを当て、各発光素子20間において、波長変換層130側から積層体150に幅w1を有する第1溝4Cを形成する。これにより、各発光素子20に波長変換部材30と透光性部材40とが配置される。また第1溝161の側面には、波長変換部材30の側面30cと透光性部材40の側面40cとが露出される。
図4Dに示すように、複数の発光素子20間に遮光部材60を配置する。具体的には、第1溝161の側面に露出する複数の波長変換部材30の側面30cおよび複数の透光性部材40の側面40cと、複数の発光素子20の側面20cとを被覆するように遮光部材60を配置する。本実施形態では複数の発光素子20の電極面20bおよび電極面の電極21を被覆するように遮光部材60が配置される。遮光部材60は、例えば、トランスファーモールド、ポッティング、印刷、スプレー等の方法で形成することができる。
図4Fに示すように、支持体120を透光性部材40から取り外し、透光性部材40の波長変換部材30と反対側の面である上面40aを露出させる。続いて、図4Gに示すように、上面40a側から複数の透光性部材40間に位置する遮光部材60の外縁部分を除去し、複数の透光性部材の一部を遮光部材60から露出させる第2溝162を形成する。第2溝162は、ダイシングソーなどのブレードを用いて形成することができる。
本開示の光源には種々の改変が可能である。上述したように第2溝162の形成に用いるブレードの先端部分の形状によって、各発光ユニット51の透光性部材40が有する第1側面の形状を異ならせることができる。
図8Aは、第2実施形態の光源104の模式断面図であり、図8Bは、発光ユニット54の模式断面図である。光源104は、各発光ユニット54において、透光性部材44の上面44aの面積が下面44bの面積よりも大きい点で、第1実施形態の光源101と異なっている。透光性部材44は、第1実施形態と同様、第2領域R2の厚さが、第1領域R12の厚さよりも小さい。また、第1側面44c1は遮光部材60から露出しており、第2側面44c2は遮光部材60で被覆されている。光源104も第1実施形態と同様の効果を奏する。
第1実施形態と同様第1溝171を形成する際に用いるブレードの形状を異ならせることによって、各発光ユニット54の透光性部材44が有する第2側面の形状を異ならせることができる。
光源105は、各発光ユニット55において、透光性部材45の上面45aの面積と下面45bの面積が等しい点で、第1実施形態の光源101と異なっている。透光性部材45は、上面45aおよび下面45bに隣接した側面45cを有しており、側面45cのうち、上面45a側の一部が遮光部材60から露出しており、下面45b側の一部が遮光部材60で覆われている。
図11は、第3の実施形態の光源106の模式平面図である。光源106は、複数の発光ユニットの発光素子の出射面の大きさが同一ではない点で、第1実施形態の光源101と異なる。
光源装置の実施形態を説明する。図12Aは光源装置201の模式正面図であり、図12Bは図12Aの12B-12B線における光源装置201の模式断面図である。
本実施形態の光源から出射する光の輝度分布をシミュレーションによって測定した。実験例として、図2Cに示す発光ユニット51が4行4列に配置された光源について、シミュレーションによる輝度の測定を行った。実験例の光源の輝度分布を図13Aに示す。また、比較例として、透光性部材が遮光部材から露出する側面を備えていない点以外は実験例の光源と同様である光源について、シミュレーションにより輝度の測定を行った。比較例の光源の輝度分布を図13Bに示す。実験例の発光ユニット51において、第1領域t1の厚さは60μm、第2領域t2の厚さは30μmとした。比較例の発光ユニットには第1領域t1を設けず、透光性部材の厚さは30μmとした。実験例、比較例ともに、遮光部材を介して対向する透光性部材及び波長変換部材の側面間の距離は25μmである。図13A及び図13Bは、中央の4つの発光ユニットは点灯させず、周辺の12の発光ユニットを点灯させた場合の輝度分布である。図13Aおよび図13Bにおいて、白色の領域ほど輝度が高いことを示している。
20a 出射面
20b 電極面
20c 側面
21 電極
30 波長変換部材
30a 上面
30b 下面
30c 側面
40、42、43、44、45 透光性部材
40a、44a、45a 上面
40b、44b、45b 下面
40c、45c 側面
40c1、41c1、42c1、43c1、44c1 第1側面
40c2、44c2 第2側面
40d 中間面
40r 凹部
51、52、54、55、56、57 発光ユニット
56A :第1発光ユニット
56B :第2発光ユニット
56C :第3発光ユニット
56D :第4発光ユニット
60 :遮光部材
101~106 光源
101a :発光面
120 :支持体
130 :波長変換層
140 :透光性層
150 :積層体
161、171 :第1溝
162、172 :第2溝
201 :光源装置
202 :レンズ
203 :光源
203a :発光面
204 :支持体
205 :基板
Claims (22)
- 1次元または2次元に配置された複数の発光ユニットと、
遮光部材と、
を備えた光源であって、
各発光ユニットは、
出射面を有する発光素子と、
前記出射面に配置された波長変換部材と、
前記波長変換部材の上面に配置された透光性部材と、
を含み、
平面視において、前記波長変換部材は、前記発光素子の前記出射面よりも大きく、
前記遮光部材は、各発光ユニットの前記発光素子の側面および前記波長変換部材の側面を被覆して前記複数の発光ユニット間に連続的に配置され、
前記透光性部材は、前記発光素子の上方に位置する第1領域と、前記第1領域より外側に位置し、前記第1領域よりも厚さの小さい第2領域と、を含み、
各発光ユニットの前記透光性部材の側面の少なくとも一部は前記遮光部材から露出している、光源。 - 各発光ユニットの前記透光性部材は、上面と、前記上面と反対側の下面とを有し、前記透光性部材の前記下面は、前記波長変換部材の上面と対向しており、
前記透光性部材の前記側面は前記上面と前記下面の間に位置し、
前記透光性部材の前記側面は、高さ方向に配置される、前記透光性部材の前記上面に隣接する第1側面と前記透光性部材の前記下面に隣接する第2側面とを含み、
前記第1側面は、前記遮光部材から露出しており、
前記第2側面は、前記遮光部材で覆われている、請求項1に記載の光源。 - 前記透光性部材の上面の面積は、前記透光性部材の下面の面積より小さい、請求項2に記載の光源。
- 前記透光性部材の上面の面積は、前記透光性部材の下面の面積よりも大きい、請求項2に記載の光源。
- 前記透光性部材は前記透光性部材の前記第1側面と前記第2側面との間に位置し、前記上面または前記下面と実質的に平行な中間面を有する、請求項3または4に記載の光源。
- 前記透光性部材の前記第1側面は曲面部分を有し、前記透光性部材の第2側面は平面である、請求項3に記載の光源。
- 各発光ユニットの前記透光性部材の前記側面全体は前記遮光部材から露出している、請求項1に記載の光源。
- 平面視において、前記透光性部材の前記第1領域の面積は、前記発光素子の前記出射面の面積よりも大きい、請求項1から7のいずれか一項に記載の光源。
- 前記透光性部材は、光拡散材を含む、請求項1から8のいずれか一項に記載の光源。
- 平面視において、前記複数の発光ユニットは所定の領域に2次元に配置されており、
前記複数の発光ユニットは、少なくとも第1発光ユニットと第2発光ユニットを含み、
前記第2発光ユニットは前記第1発光ユニットよりも前記所定の領域の中心から離れており、
前記第2発光ユニットの前記発光素子の出射面は、前記第1発光ユニットの前記発光素子の出射面よりも大きい請求項1から9のいずれか一項に記載の光源。 - 請求項1から10のいずれか一項に記載の光源と、
前記光源から所定の距離を隔てて配置されたレンズと、
を備えた光源装置。 - 透光性層および波長変換層を含む積層体の前記波長変換層上に、出射面および前記出射面と反対側に位置する電極面を有する複数の発光素子を、前記出射面が前記波長変換層と対向するように1次元または2次元に配置し、前記複数の発光素子と前記波長変換層とを接合する工程と、
前記複数の発光素子間のそれぞれにおいて、前記波長変換層側から前記積層体を分断する第1溝を形成することにより、前記複数の発光素子にそれぞれ波長変換部材と透光性部材とを配置する工程と、
前記複数の波長変換部材の側面および前記複数の透光性部材の側面と、前記複数の発光素子の側面と、を被覆する遮光部材を、前記複数の発光素子間に配置する工程と、
前記透光性部材の前記波長変換部材と反対側の面において、少なくとも前記複数の透光性部材間に位置する遮光部材の一部を除去し、複数の透光性部材の一部を前記遮光部材から露出させる第2溝を形成する工程と、
を含む、光源の製造方法。 - 前記第2溝を形成する工程は、前記複数の透光性部材の側面の一部を露出させる工程を含む請求項12に記載の光源の製造方法。
- 前記第2溝を形成する工程において、前記第2溝は、前記複数の透光性部材の外縁部分も除去することによって、前記複数の透光性部材の外縁に遮光部材から露出した側面を形成する、請求項12に記載の光源の製造方法。
- 透光性層および波長変換層を含む積層体の前記波長変換層上に、出射面および前記出射面と反対側に位置する電極面を有する複数の発光素子を、前記出射面が前記波長変換層と対向するように1次元または2次元に配置し、前記複数の発光素子と前記波長変換層とを接合する工程と、
前記複数の発光素子間のそれぞれにおいて、前記波長変換層側から前記波長変換層を分断し、前記透光性層に達する第1溝を形成することにより、複数の発光素子にそれぞれ波長変換部材を配置する工程と、
前記複数の波長変換部材の側面と、前記透光性層の前記第1溝内に露出した部分と、前記複数の発光素子の側面と、を被覆する遮光部材を、前記複数の発光素子間に配置する工程と、
前記複数の発光素子間において、前記透光性層側から前記透光性層の一部を除去し、前記遮光部材に達する第2溝を形成することにより、前記複数の波長変換部材上にそれぞれ位置する複数の透光性部材を形成する工程と、
を含む、光源の製造方法。 - 前記第2溝の幅は前記第1溝の幅よりも小さい請求項12から15のいずれか一項に記載の光源の製造方法。
- 前記第2溝の幅は前記第1溝の幅と等しい請求項12から15のいずれか一項に記載の光源の製造方法。
- 前記第2溝の幅は前記第1溝の幅よりも大きい請求項12から15のいずれか一項に記載の光源の製造方法。
- 前記第2溝の断面形状は、矩形、台形、U字形からなる群から選ばれる1つである、請求項18に記載の光源の製造方法。
- 平面視において、前記波長変換部材は、前記発光素子の前記出射面よりも大きい、請求項12から19のいずれか一項に記載の光源の製造方法。
- 前記透光性層は拡散材を含む、請求項12から20のいずれか一項に記載の光源の製造方法。
- 前記複数の発光素子を接合する工程において、前記複数の発光素子は所定の領域に2次元に配置され、前記複数の発光素子は少なくとも第1発光素子と第2発光素子とを含み、
前記第2発光素子は前記第1発光素子よりも前記所定の領域の中心から離れており、
前記第2発光素子の出射面は、前記第1発光素子の出射面よりも大きい請求項12から21のいずれか一項に記載の光源の製造方法。
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Citations (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2011108589A (ja) * | 2009-11-20 | 2011-06-02 | Koito Mfg Co Ltd | 発光モジュールおよび車両用灯具 |
JP2012169189A (ja) * | 2011-02-15 | 2012-09-06 | Koito Mfg Co Ltd | 発光モジュールおよび車両用灯具 |
JP2013187371A (ja) * | 2012-03-08 | 2013-09-19 | Stanley Electric Co Ltd | 発光装置及びその製造方法 |
US20130320369A1 (en) * | 2010-12-20 | 2013-12-05 | Osram Opto Semiconductors, Gmbh | Optoelectronic semiconductor device |
JP2014179407A (ja) * | 2013-03-14 | 2014-09-25 | Stanley Electric Co Ltd | Led発光装置とそれを用いた車両用灯具 |
JP2016100252A (ja) * | 2014-11-25 | 2016-05-30 | スタンレー電気株式会社 | 発光ダイオード装置 |
JP2017054092A (ja) * | 2015-09-11 | 2017-03-16 | 株式会社東芝 | ディスプレイパネル、表示装置およびディスプレイパネルの製造方法 |
JP2019096675A (ja) * | 2017-11-20 | 2019-06-20 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置及びその製造方法 |
JP2019102614A (ja) * | 2017-11-30 | 2019-06-24 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置とその製造方法 |
JP2020106827A (ja) * | 2018-12-26 | 2020-07-09 | 晶元光電股▲ふん▼有限公司Epistar Corporation | 発光ダイオードディスプレイ |
Family Cites Families (18)
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US11158774B2 (en) * | 2018-12-14 | 2021-10-26 | Nichia Corporation | Light-emitting device, light-emitting module, and method of manufacturing light-emitting device |
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US10734540B1 (en) * | 2019-07-03 | 2020-08-04 | Advanced Semiconductor Engineering, Inc. | Optical device and method for manufacturing the same |
US12027501B2 (en) * | 2020-04-02 | 2024-07-02 | Nichia Corporation | Surface light source and method of manufacturing surface light source |
TW202202777A (zh) * | 2020-06-04 | 2022-01-16 | 日商日亞化學工業股份有限公司 | 面狀光源及面狀光源之製造方法 |
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Patent Citations (10)
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US20130320369A1 (en) * | 2010-12-20 | 2013-12-05 | Osram Opto Semiconductors, Gmbh | Optoelectronic semiconductor device |
JP2012169189A (ja) * | 2011-02-15 | 2012-09-06 | Koito Mfg Co Ltd | 発光モジュールおよび車両用灯具 |
JP2013187371A (ja) * | 2012-03-08 | 2013-09-19 | Stanley Electric Co Ltd | 発光装置及びその製造方法 |
JP2014179407A (ja) * | 2013-03-14 | 2014-09-25 | Stanley Electric Co Ltd | Led発光装置とそれを用いた車両用灯具 |
JP2016100252A (ja) * | 2014-11-25 | 2016-05-30 | スタンレー電気株式会社 | 発光ダイオード装置 |
JP2017054092A (ja) * | 2015-09-11 | 2017-03-16 | 株式会社東芝 | ディスプレイパネル、表示装置およびディスプレイパネルの製造方法 |
JP2019096675A (ja) * | 2017-11-20 | 2019-06-20 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置及びその製造方法 |
JP2019102614A (ja) * | 2017-11-30 | 2019-06-24 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置とその製造方法 |
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