JP2020060521A - 異物検出装置、露光装置及び物品の製造方法 - Google Patents
異物検出装置、露光装置及び物品の製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2020060521A JP2020060521A JP2018193518A JP2018193518A JP2020060521A JP 2020060521 A JP2020060521 A JP 2020060521A JP 2018193518 A JP2018193518 A JP 2018193518A JP 2018193518 A JP2018193518 A JP 2018193518A JP 2020060521 A JP2020060521 A JP 2020060521A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- foreign matter
- transparent member
- light
- unit
- irradiation unit
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N21/00—Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
- G01N21/84—Systems specially adapted for particular applications
- G01N21/88—Investigating the presence of flaws or contamination
- G01N21/95—Investigating the presence of flaws or contamination characterised by the material or shape of the object to be examined
- G01N21/958—Inspecting transparent materials or objects, e.g. windscreens
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N21/00—Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
- G01N21/17—Systems in which incident light is modified in accordance with the properties of the material investigated
- G01N21/47—Scattering, i.e. diffuse reflection
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N21/00—Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
- G01N21/84—Systems specially adapted for particular applications
- G01N21/88—Investigating the presence of flaws or contamination
- G01N21/8806—Specially adapted optical and illumination features
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N21/00—Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
- G01N21/84—Systems specially adapted for particular applications
- G01N21/88—Investigating the presence of flaws or contamination
- G01N21/8851—Scan or image signal processing specially adapted therefor, e.g. for scan signal adjustment, for detecting different kinds of defects, for compensating for structures, markings, edges
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N21/00—Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
- G01N21/84—Systems specially adapted for particular applications
- G01N21/88—Investigating the presence of flaws or contamination
- G01N21/94—Investigating contamination, e.g. dust
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/68—Preparation processes not covered by groups G03F1/20 - G03F1/50
- G03F1/82—Auxiliary processes, e.g. cleaning or inspecting
- G03F1/84—Inspecting
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/20—Exposure; Apparatus therefor
- G03F7/2002—Exposure; Apparatus therefor with visible light or UV light, through an original having an opaque pattern on a transparent support, e.g. film printing, projection printing; by reflection of visible or UV light from an original such as a printed image
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70216—Mask projection systems
- G03F7/70258—Projection system adjustments, e.g. adjustments during exposure or alignment during assembly of projection system
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/708—Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
- G03F7/7085—Detection arrangement, e.g. detectors of apparatus alignment possibly mounted on wafers, exposure dose, photo-cleaning flux, stray light, thermal load
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N21/00—Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
- G01N21/84—Systems specially adapted for particular applications
- G01N21/88—Investigating the presence of flaws or contamination
- G01N21/94—Investigating contamination, e.g. dust
- G01N2021/945—Liquid or solid deposits of macroscopic size on surfaces, e.g. drops, films, or clustered contaminants
Landscapes
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Immunology (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Biochemistry (AREA)
- General Health & Medical Sciences (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Pathology (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Computer Vision & Pattern Recognition (AREA)
- Signal Processing (AREA)
- Environmental & Geological Engineering (AREA)
- Epidemiology (AREA)
- Public Health (AREA)
- Investigating Materials By The Use Of Optical Means Adapted For Particular Applications (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
Abstract
Description
図1は、本発明の第1実施形態における異物検出装置100の構成を示す概略図である。異物検出装置100は、異物検出対象物上の異物を検出する装置である。異物検出装置100は、図1に示すように、ステージ6と、照射部10と、受光部11と、処理部12と、生成部13と、駆動部30とを有する。
図6は、本発明の第2実施形態における異物検出装置100の構成を示す概略図である。第2実施形態における異物検出装置100は、照射部10を制御する照射制御部14を更に有する。また、照射部10は、光源1から射出された光の広がりを規定する開口を含む絞り15を含む。
図7を参照して、本発明の一側面としての露光装置500について説明する。露光装置500は、半導体デバイスや液晶表示デバイスの製造工程であるリソグラフィ工程に採用され、基板にパターンを形成するリソグラフィ装置である。露光装置500は、マスク(原版)を介して基板を露光して、マスクのパターンを基板に転写する。
本発明の実施形態における物品の製造方法は、例えば、デバイス(半導体デバイス、磁気記憶媒体、液晶表示デバイスなど)、カラーフィルタ、光学部品、MEMSなどの物品を製造するのに好適である。かかる製造方法は、露光装置500を用いて、感光剤が塗布された基板を露光する工程と、露光された感光剤を現像する工程とを含む。また、現像された感光剤のパターンをマスクとして基板に対してエッチング工程やイオン注入工程などを行い、基板上に回路パターンが形成される。これらの露光、現像、エッチングなどの工程を繰り返して、基板上に複数の層からなる回路パターンを形成する。後工程で、回路パターンが形成された基板に対してダイシング(加工)を行い、チップのマウンティング、ボンディング、検査工程を行う。また、かかる製造方法は、他の周知の工程(酸化、成膜、蒸着、ドーピング、平坦化、レジスト剥離など)を含みうる。本実施形態における物品の製造方法は、従来に比べて、物品の性能、品質、生産性及び生産コストの少なくとも1つにおいて有利である。
Claims (12)
- 透明部材上の異物を検出する異物検出装置であって、
前記透明部材に対して斜めに光を照射する照射部と、
前記照射部によって前記光が照射された前記透明部材上の異物からの散乱光を検出する受光部と、
前記異物を検出する処理を行う処理部と、を有し、
前記処理は、
前記照射部と前記受光部との相対位置を、前記照射部と前記受光部との間の距離が第1距離となる第1状態とし、前記第1状態において前記受光部で検出される前記散乱光の分布に基づいて前記異物を検出する第1モードと、
前記照射部と前記受光部との相対位置を、前記照射部と前記受光部との間の距離が前記第1距離よりも長い第2距離となる第2状態とし、前記第2状態において前記受光部で検出される前記散乱光の分布に基づいて前記異物を検出する第2モードと、
を含むことを特徴とする異物検出装置。 - 前記処理部は、前記透明部材の側面の特性を示す情報を取得し、前記情報に応じて、前記第1モード又は前記第2モードを選択することを特徴とする請求項1に記載の異物検出装置。
- 前記処理部は、前記情報が前記透明部材の側面が研磨面であることを示す場合には、前記第1モードを選択し、前記情報が前記透明部材の側面が荒摺り面であることを示す場合には、前記第2モードを選択することを特徴とする請求項2に記載の異物検出装置。
- 前記第1距離と前記第2距離との差は、10mm以上、且つ、20mm以下であることを特徴とする請求項1乃至3のうちいずれか1項に記載の異物検出装置。
- 前記第1状態は、前記照射部の光軸と前記透明部材の表面との交点と、前記受光部の光軸と前記透明部材の表面との交点とが一致する状態であり、
前記第2状態は、前記照射部の光軸と前記透明部材の表面との交点と、前記受光部の光軸と前記透明部材の表面との交点とが一致しない状態であることを特徴とする請求項1乃至4のうちいずれか1項に記載の異物検出装置。 - 前記第1状態において前記照射部から前記透明部材に照射される光によって前記透明部材上に形成される強度分布と、前記第2状態において前記照射部から前記透明部材に照射される光によって前記透明部材上に形成される強度分布とに基づいて、前記情報を生成する生成部を更に有し、
前記処理部は、前記生成部から前記情報を取得することを特徴とする請求項2に記載の異物検出装置。 - 前記生成部は、
前記第1状態において前記照射部から前記透明部材に照射される光によって前記透明部材上に形成される強度分布と、前記第2状態において前記照射部から前記透明部材に照射される光によって前記透明部材上に形成される強度分布との差が閾値以下である場合には、前記透明部材の側面が研磨面であることを示す前記情報を生成し、
前記第1状態において前記照射部から前記透明部材に照射される光によって前記透明部材上に形成される強度分布と、前記第2状態において前記照射部から前記透明部材に照射される光によって前記透明部材上に形成される強度分布との差が前記閾値よりも大きい場合には、前記透明部材の側面が荒摺り面であることを示す前記情報を生成することを特徴とする請求項6に記載の異物検出装置。 - 前記照射部は、
前記光を射出する光源と、
前記光源から射出された前記光の広がりを規定する開口を含む絞りと、
を含み、
前記絞りの前記開口の大きさに基づいて、前記光源から射出する前記光の光量を制御する照射制御部を更に有することを特徴とする請求項1乃至7のうちいずれか1項に記載の異物検出装置。 - 前記照射制御部は、前記透明部材の厚さに基づいて、前記絞りの前記開口の大きさを決定することを特徴とする請求項8に記載の異物検出装置。
- 透明部材上の異物を検出する異物検出装置であって、
前記透明部材に対して斜めに光を照射する照射部と、
前記照射部によって前記光が照射された前記透明部材上の異物からの散乱光を検出する受光部と、
前記異物を検出する処理を行う処理部と、を有し、
前記処理は、
前記照射部と前記受光部との相対位置を、前記照射部の光軸と前記透明部材の表面との交点と、前記受光部の光軸と前記透明部材の表面との交点との間の距離が第1距離となる第1状態とし、前記第1状態において前記受光部で検出される前記散乱光の分布に基づいて前記異物を検出する第1モードと、
前記照射部と前記受光部との相対位置を、前記照射部の光軸と前記透明部材の表面との交点と、前記受光部の光軸と前記透明部材の表面との交点との間の距離が前記第1距離よりも長い第2距離となる第2状態とし、前記第2状態において前記受光部で検出される前記散乱光の分布に基づいて前記異物を検出する第2モードと、
を含むことを特徴とする異物検出装置。 - 基板を露光する露光装置であって、
前記基板にマスクのパターンを投影する投影光学系と、
前記マスク上の異物を検出する異物検出装置と、
を有し、
前記マスクは、前記パターンが形成された透明部材で構成され、
前記異物検出装置は、請求項1乃至10のうちいずれか1項に記載の異物検出装置を含むことを特徴とする露光装置。 - 請求項11に記載の露光装置を用いて基板を露光する工程と、
露光した前記基板を現像する工程と、
現像された前記基板から物品を製造する工程と、
を有することを特徴とする物品の製造方法。
Priority Applications (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2018193518A JP7170491B2 (ja) | 2018-10-12 | 2018-10-12 | 異物検出装置、露光装置及び物品の製造方法 |
KR1020190118499A KR102634513B1 (ko) | 2018-10-12 | 2019-09-26 | 이물질 검출장치, 노광장치 및 물품의 제조방법 |
CN201910951717.7A CN111045291B (zh) | 2018-10-12 | 2019-10-09 | 异物检测装置、曝光装置以及物品的制造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2018193518A JP7170491B2 (ja) | 2018-10-12 | 2018-10-12 | 異物検出装置、露光装置及び物品の製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2020060521A true JP2020060521A (ja) | 2020-04-16 |
JP7170491B2 JP7170491B2 (ja) | 2022-11-14 |
Family
ID=70218984
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2018193518A Active JP7170491B2 (ja) | 2018-10-12 | 2018-10-12 | 異物検出装置、露光装置及び物品の製造方法 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP7170491B2 (ja) |
KR (1) | KR102634513B1 (ja) |
CN (1) | CN111045291B (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2020051759A (ja) * | 2018-09-21 | 2020-04-02 | キヤノン株式会社 | 異物検査装置、露光装置、および物品製造方法 |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2006301303A (ja) * | 2005-04-20 | 2006-11-02 | Canon Inc | 異物検査装置及び異物検査方法、露光装置、並びにデバイス製造方法 |
JP2016133357A (ja) * | 2015-01-16 | 2016-07-25 | キヤノン株式会社 | 異物検査装置、露光装置及びデバイス製造方法 |
Family Cites Families (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3312849B2 (ja) * | 1996-06-25 | 2002-08-12 | 松下電工株式会社 | 物体表面の欠陥検出方法 |
JPWO2007119821A1 (ja) * | 2006-04-14 | 2009-08-27 | 株式会社ニコン | 露光方法及び露光装置、並びにデバイス製造方法 |
JP5235480B2 (ja) | 2008-04-17 | 2013-07-10 | キヤノン株式会社 | 異物検査装置、露光装置及びデバイス製造方法 |
JP2010133864A (ja) * | 2008-12-05 | 2010-06-17 | Nikon Corp | 異物検出装置及び方法、並びに露光装置及び方法 |
JP2010210527A (ja) * | 2009-03-11 | 2010-09-24 | Horiba Ltd | 異物検査除去装置及び異物検査除去プログラム |
JP6373074B2 (ja) * | 2014-06-06 | 2018-08-15 | 株式会社ニューフレアテクノロジー | マスク検査装置及びマスク検査方法 |
JP5850447B1 (ja) * | 2015-04-06 | 2016-02-03 | レーザーテック株式会社 | 検査装置 |
-
2018
- 2018-10-12 JP JP2018193518A patent/JP7170491B2/ja active Active
-
2019
- 2019-09-26 KR KR1020190118499A patent/KR102634513B1/ko active IP Right Grant
- 2019-10-09 CN CN201910951717.7A patent/CN111045291B/zh active Active
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2006301303A (ja) * | 2005-04-20 | 2006-11-02 | Canon Inc | 異物検査装置及び異物検査方法、露光装置、並びにデバイス製造方法 |
JP2016133357A (ja) * | 2015-01-16 | 2016-07-25 | キヤノン株式会社 | 異物検査装置、露光装置及びデバイス製造方法 |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2020051759A (ja) * | 2018-09-21 | 2020-04-02 | キヤノン株式会社 | 異物検査装置、露光装置、および物品製造方法 |
JP7292842B2 (ja) | 2018-09-21 | 2023-06-19 | キヤノン株式会社 | 異物検査装置、露光装置、および物品製造方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR20200041779A (ko) | 2020-04-22 |
JP7170491B2 (ja) | 2022-11-14 |
CN111045291A (zh) | 2020-04-21 |
KR102634513B1 (ko) | 2024-02-07 |
CN111045291B (zh) | 2023-08-11 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
KR102335198B1 (ko) | 단순화된 옵틱스를 갖는 극자외선(euv) 기판 검사 시스템 및 그 제조 방법 | |
JP2796316B2 (ja) | 欠陥または異物の検査方法およびその装置 | |
JP4110095B2 (ja) | パターンプロファイルの検査装置及び検査方法、露光装置 | |
KR20080065940A (ko) | 위치검출장치 및 노광장치 | |
JP2010008177A (ja) | 欠陥検出装置及び方法 | |
JPH075115A (ja) | 表面状態検査装置 | |
US8339568B2 (en) | Foreign particle inspection apparatus, exposure apparatus, and method of manufacturing device | |
KR100740601B1 (ko) | 이물검사장치 및 방법, 노광장치 및 디바이스 제조방법 | |
US8384888B2 (en) | Mask defect measurement method, mask quality determination and method, and manufacturing method of semiconductor device | |
CN109564397B (zh) | 测量装置、曝光装置以及物品的制造方法 | |
US7767982B2 (en) | Optical auto focusing system and method for electron beam inspection tool | |
JP7170491B2 (ja) | 異物検出装置、露光装置及び物品の製造方法 | |
JP2019194569A (ja) | 自動光学検査のための光学系 | |
JP6762746B2 (ja) | 露光装置および露光方法、ならびに物品の製造方法 | |
KR102523304B1 (ko) | 노광 장치 및 물품의 제조 방법 | |
JP3102493B2 (ja) | 異物検査方法及びその装置 | |
JP3050431B2 (ja) | 面板異物検査装置 | |
JP7022611B2 (ja) | 露光装置の制御方法、露光装置、及び物品製造方法 | |
KR101087628B1 (ko) | 이물질 검사장치, 노광장치 및 디바이스 제조방법 | |
TW202008080A (zh) | 微影投影設備 | |
JP2017215219A (ja) | 計測装置、パターン形成装置及び物品の製造方法 | |
JP2022175005A (ja) | 検査装置 | |
JP2947916B2 (ja) | 面状態検査装置 | |
JP2004247349A (ja) | 位置計測装置及び方法、露光装置、並びにデバイス製造方法 | |
JP2017215218A (ja) | 計測装置、パターン形成装置及び物品の製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
RD01 | Notification of change of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7421 Effective date: 20210103 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20210113 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20210927 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20220713 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20220719 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20220909 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20221003 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20221101 |
|
R151 | Written notification of patent or utility model registration |
Ref document number: 7170491 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R151 |